KR101724978B1 - 용량성 터치 센서를 위한 차폐 - Google Patents

용량성 터치 센서를 위한 차폐 Download PDF

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Abstract

센싱 영역 위에 분산된 복수의 개별 용량성 센서 전극을 포함하는 용량성 센서 전극의 어레이와, 복수의 개별 용량성 센서 전극의 각각에 연결된 전도성 트레이스와, 센싱 영역에서 전도성 트레이스를 덮는 차폐 전극을 포함하는 장치.

Description

용량성 터치 센서를 위한 차폐{A SHIELD FOR CAPACITIVE TOUCH SENSORS}
본 발명의 실시예는 장치에 관한 것이다. 특히, 이들은 센싱 영역 위에 분산된 복수의 용량성 센서를 포함하는 장치에 관한 것이다.
현재 터치 민감형 디스플레이는 센싱 영역 위에 분산된 복수의 용량성 센서 전극을 사용할 수 있다. 용량성 센서 전극은 센싱 영역을 터치하는 사용자의 손가락과 같이 근위부 접지 객체(a proximal grounded object)를 센싱한다.
본 발명의 다양하지만 반드시 전부는 아닌 실시예에 따르면, 센싱 영역 위에 분산된 복수의 개별 용량성 센서 전극을 포함하는 용량성 센서 전극의 어레이와, 복수의 개별 용량성 센서 전극의 각각에 연결된 전도성 트레이스와, 센싱 영역에서 전도성 트레이스를 덮는 차폐 전극을 포함하는 장치가 제공된다.
본 발명의 다양하지만 반드시 전부는 아닌 실시예에 따르면, 센싱 영역 위에 분산된 복수의 용량성 센서 전극 및 센싱 영역 위에 적어도 부분적으로 분산된 전도성 트레이스를 포함하는 센싱 구성과, 센싱 영역에서 센싱 구성을 부분적으로 덮는 차폐 전극을 포함하는 장치가 제공된다.
본 발명의 실시예의 다양한 예시를 더 잘 이해하기 위해, 이제 첨부한 도면에 대해 오직 예시의 방식으로만 참조가 이루어질 것이다.
도 1은 센싱 영역 위에 분산된 복수의 용량성 센서 전극을 포함하는 센싱 구성을 포함하는 장치를 도시한다.
도 2는 센싱 영역 위에 분산된 복수의 용량성 센서 전극을 포함하는 센싱 구성(5)의 일례를 도시한다.
도 3은 센싱 영역에서, 전도성 트레이스를 덮는 차폐 전극을 도시한다.
도 4는 도 3에서 사용된 차폐 전극을 도시한다.
도 5는 차폐 전극의 다른 예시를 도시한다.
도 6(a) 및 6(b)는 동일한 센싱 구성을 통과하는 단면을 개략적으로 도시한다.
도 7(a)는 터치 패널 모듈을 도시한다.
도 7(b)는 터치 민감형 디스플레이 모듈을 도시한다.
도 7(c) 전자 디바이스를 도시한다.
도면들은 센싱 영역(8) 위에 분산된 복수의 개별 용량성 센서 전극(6)을 포함하는 용량성 센서 전극(6)의 어레이(4)와, 복수의 개별 용량성 센서 전극(6)의 각각에 연결된 전도성 트레이스(10)와, 센싱 영역(8)에서 전도성 트레이스(10)를 덮는 차폐 전극(12)을 포함하는 장치(2)를 도시한다.
도 1은 센싱 영역(8) 위에 분산된 복수의 용량성 센서 전극(6) 및 센싱 영역(8) 위에 적어도 부분적으로 분산된 전도성 트레이스(10)를 포함하는 센싱 구성(5)과, 센싱 영역(8)에서 센싱 구성(5)을 부분적으로 덮는 차폐 전극(12)을 포함하는 장치(2)를 도시한다.
이 예시에서, 장치(2)는 디스플레이(40)를 덮고 디스플레이(40)를 위한 용량성 터치 패널로서 동작한다. 디스플레이(40)와 장치(2)는 조합하여 복수의 센서 전극(6) 중 하나 이상에 대해 사용자 입력 디바이스(32)의 근처에서 발생한 캐패시턴스에서의 변화를 검출하도록 구성된 터치 민감형 디스플레이를 형성한다.
센싱 구성(5)은 터치 표면(7)의 센싱 영역(8)에 또는 위에서 사용자 입력 디바이스(32)의 근처에서 발생하는 캐패시턴스에서의 변화를 센싱하도록 구성된다. 이 예시에서, 사용자 입력 디바이스(32)는 사용자의 손가락이다.
장치(2)는 터치 표면(7)의 센싱 영역(8)을 터치할 때 센싱 영역(8) 내에서 사용자 손가락의 (x, y) 위치를 센싱할 뿐만 아니라 이 예시에서, 추가적으로 터치 표면(7)의 센싱 영역(8)에 근접하지만 터치하지 않을 때 사용자 손가락의 (z) 위치를 제공하고/하거나 터치 표면(7)의 센싱 영역에 근접하지만 아직 터치하지 않을 때 사용자 손가락의 (x,y) 위치를 제공하도록 구성된다. 따라서 장치(2)는 2차원적인 센싱 뿐만 아니라 3차원적인 센싱을 제공한다.
선택적으로, 장치(2)는 또한 센싱 영역(8)에서 전도성 트레이스(10) 및 센서 전극(6) 아래에 추가 차폐 전극(20)을 포함한다. 추가 차폐 전극(12)은 연속적인 무정전 전극(a continuous uninterrupted electrode)이 될 수 있다.
차폐 전극(12), 전도성 트레이스(10), 용량성 센서 전극(6), 및, 존재한다면, 추가 차폐 전극(20)은 모두 적어도 센싱 영역(8) 내에 위치되고, 이 예시에서는, 디스플레이(40)를 덮는다. 이들은 디스플레이(40)를 덮는 것이기 때문에, 가급적이면 투명한 것이다.
차폐 전극(12), 전도성 트레이스(10), 용량성 센서 전극(6), 및, 존재한다면, 추가 차폐 전극(20)은 따라서 전도성이고 투명한 재료로부터 형성될 수 있다. 이들은 동일한 또는 유사한 재료 또는 재료의 혼합물로부터 형성될 수 있다. 적합한 전도성이고 투명한 재료의 예시들은, 예를 들어, 인듐 주석 산화물(Indium-Tin-Oxide;ITO), 금속 메쉬, 은 나노와이어, 및 탄소 나노튜브 합성물을 포함한다.
도 2는 센싱 영역(8) 위에 분산된 복수의 용량성 센서 전극(6) 및 센싱 영역(8) 위에 부분적으로 분산된 전도성 트레이스(10)를 포함하는 센싱 구성(5)의 일례를 도시한다. 복수의 용량성 센서 전극(6)은 이 예시에서 규칙적인 어레이(4)로서 배열된다. 용량성 센서 전극은 컬럼(columns) 사이에 공통의 고정된 간격 및 로우(rows) 사이에 공통의 고정된 간격을 갖는, N 로우 × M 컬럼(N row by M column)의 규칙적인 어레이(4)로서 배열된다.
각각의 용량성 센서 전극(6)은 센서 영역(8)으로부터 떨어진 그 센서 전극(6)에 의해 생성된 신호를 전달하기 위한 연관된 전도성 트레이스(10)를 갖는다. 도시된 예시에서, 각각의 센서 전극(6) 및 이의 연관된 전도성 트레이스(10)는 물리적으로 연결된다. 센서 전극(6) 및 전도성 트레이스(10)는 공통 평면 내에 배열될 수 있다. 예를 들어, 투명한 전도성 재료의 평면 레이어를 패터닝함으로써 형성될 수 있다.
이 예시에서, 센서 전극(6)은 상이한 크기를 갖는다. 센서 전극(6)은 센싱 영역(8)의 중심 영역(8C) 쪽으로는 더 크고 센싱 영역(8)의 주변부(8P) 쪽으로는 더 작다. 이는 전도성 트레이스(10)에 의해 점유된 영역(14)은 중심(8C)으로부터 주변부(8P)로 이동함에 따라 점점 더 커지기 때문이다.
이 예시에서, 센서 전극(6)은 0.5㎠ 미만의 크기를 갖는다. 예를 들어, 이들은 6㎜ × 6㎜ 미만의 면적을 가질 수 있다.
도 3은 센싱 영역(8)에서 전도성 트레이스(10)를 덮는 차폐 전극(12)을 도시한다.
이 예시에서, 차폐 전극(12)은 센서 전극(6) 중 적어도 일부의 센서 전극 중적어도 일부를 덮지만, 반드시 모든 예시에서는 아니다.
이 예시에서, 커버되지 않은 센서 전극(6)의 부분들은 동일한 동작 크기의 동작 센서 전극(6)을 정의한다. 센서 전극(6)은 유사한 구성이기 때문에, 이들은 단위 영역 당 동일한 캐패시턴스를 갖는다. 따라서, 동일한 동작 크기의 동작 센서 전극(6)은 동일한 캐패시턴스를 갖는다.
도시된 예시에서, 차폐 전극(12)은, 센싱 영역(8)에서 모든 전도성 트레이스(10)를 덮는다. 다른 예시에서, 차폐 전극(12)은 센싱 영역(8)에서 모든 전도성 트레이스(10)를 덮지는 않지만 대신에 전도성 트레이스(10)에 의해 점유된 영역(14)의 80% 이상을 덮는다.
저항 캐패시턴스(RC) 지연을 감소시키고 측정 속도를 향상시키기 위해 전도성 트레이스(10)의 전기 저항을 작게 유지하는 것이 바람직하다. 이는 더 높은 전도성을 갖는 재료를 사용함으로써 및/또는 전도성 트레이스(10)를 더 넓게 만듦으로써 달성될 수 있다. 하지만, 전도성 트레이스(10)를 넓히는 것은 전도성 트레이스(10)에 의해 점유된 영역(14)을 증가시키고 원치않는 부유 캐패시턴스 영향(stray capacitance effect)을 초래할 수 있다. 하지만, 이 영향은 덮힌 차폐 전극(12)에 의해 감소되거나 제거된다.
도 4에 도시된 바와 같이, 차폐 전극(12)은 스트립(15)으로서 센싱 영역(8)의 전체를 가로질러 연장될 수 있다. 이 예시에서, 센싱 영역(8)의 주변 둘레에서 연장되는 다수의 평행 스트립(15) 및 가드 부분(13)이 존재한다. (도 3에서 도시된 바와 같이) 스트립은 용량성 센서 전극(6)의 각각의 로우(row)와 연관될 수 있다.
도 5에 도시된 바와 같이, 차폐 전극(12)은, 차폐 전극(18)을 관통하여 기저 용량성 센서 전극(6)까지 이르는 개구(18)를 제외하고, 센싱 영역(8)의 전체를 커버할 수 있다. 개구(openings)(18)는 동일한 크기이다. 개구(18)는 임의의 형상(예를 들어, 직사각형(첨부된 도면에서 도시됨), 원형, 별 등)이 될 수 있다.
커버되지 않은 센서 전극(6)의 부분은 동일한 동작 크기의 동작 센서 전극(6)을 정의한다. 센서 전극(6)은 유사한 구성이기 때문에, 이들은 단위 영역 당 동일한 캐패시턴스를 갖는다. 따라서, 동일한 동작 크기의 동작 센서 전극(6)은 동일한 캐패시턴스를 갖는다.
도 6(a)는 '동작' 용량성 센서 전극에 대응하는 라인을 따라 센싱 구성(5)을 통과하는 단면을 개략적으로 도시한다. 즉, 이 단면을 따라가는 차폐 전극(12)은 용량성 센싱 전극(6)을 커버하지 않는다. 도 4의 예시에서, 도시된 차폐 전극(12)의 부분은 가드 부분(13)의 일부이다. 도 5의 예시에서, 도시된 차폐 전극(12)의 부분은 센싱 영역(8)의 주변에 인접한 가드 부분(13)의 일부 또는 용량성 센싱 전극(6)에 인접한 두 인접 개구(18) 사이의 일부가 될 수 있다.
도 6(b)는 차폐 전극(12)이 센싱 영역(8)에 존재하는 곳에 대응하는 라인을 따라 센싱 구성(5)을 통과하는 단면을 개략적으로 도시한다. 즉, 이 단면을 따라가는 차폐 전극(12)은 전도성 트레이스(10)의 일부 또는 모두, 그리고, 선택적으로는, 용량성 센서 전극(12)의 일부를 커버하지 않는다. 도 4의 예시에서, 도시된 차폐 전극(12)의 부분은 스트립(15)의 일부이다. 도 5의 예시에서, 도시된 차폐 전극(12)의 부분은 용량성 센싱 전극(12)의 두 인접한 로우(또는 컬럼) 사이의 부분의 일부가 될 수 있다.
도 6(a) 및 도 6(b)에서, 센서 전극(6) 및 용량성 트레이스(10)는 공통 평면(16) 내에 배치될 수 있다. 예를 들어, 이들은 투명 전도성 재료의 평면 레이어를 패터닝함으로써 형성될 수 있다.
도 6(a) 및 도 6(b)에서, 장치(2)는 이하에서 설명된 것과 같은 회로를 포함하지만, 다른 회로도 가능하다. 이러한 회로는 차폐 전극(12)에 전압을 제공하도록 구성될 수 있다. 추가 차폐 전극(20)이 존재한다면, 동일한 전압이 차폐 전극(12) 및 추가 차폐 전극(20)에 제공될 수 있다. 제공된 전압은 고정된 전압 또는 시변 전압이 될 수 있다. 시변 전압의 많은 예시들 중 하나는 교번 정현파 전압(an alternating sinusoidal voltage)이다.
도 6(a) 및 도 6(b)에서, 차폐 전극(12)은 노드(22)에 동작가능하게 연결된다. 동작가능하게 연결된다는 것은 신호 경로가 존재한다는 것을 의미하지만, 이들은 직접 물리적으로 연결될 수 있거나 연결되지 않을 수 있다. 장치(2)가 동작적인 것일 때 노드(22)는 예를 들어, 접지 전위(ground potential)와 같은 정전위(a constant potential)로 유지된다. 회로(24)는 정전위를 제공하도록 구성된다. 이는 예를 들어, 하우징, 접지 평면 또는 샤시(a chassis)에 의해 제공되는 접지로의 단순한 갈바닉 연결(a simple galvanic connection)이 될 수 있다.
이 예시에서, 추가 차폐 전극(20)이 존재한다. 이는 또한 노드(22)에 동작가능하게 연결된다.
검출 회로(26)는 차폐 전극(12)과 용량성 센서 전극(6)의 어레이 사이에서 동작가능하게 연결된다.
멀티플렉서(28)는 검출 회로(26)와 용량성 센서 전극(6)의 어레이(4) 사이에서 동작가능하게 연결된다. 멀티플렉서(28)는 검출을 위해, 어레이(4)의 복수의 용량성 센서 전극(6)의 각각을 격리시키도록 구성된다.
이 예시에서, 구동 회로(30)는 차폐 전극(12), 및 존재한다면, 추가 차폐 전극(20)에 시변 전압을 제공하도록 구성된다. 시변 전압은, 예를 들어, 교번 정현파 전압이 될 수 있다.
따라서, 구동 회로(30)는 센서 전극(6)의 각각에서 시변 전계를 제공하도록 구성된다.
검출 회로(26)는 복수의 센서 전극(6) 중 하나 이상에 대해 사용자 입력 디바이스(32)의 근처에서 발생한 캐패시턴스에서의 변화를 검출하도록 구성된다. 검출 회로(26)는 저임피던스 전하 증폭기를 포함할 수 있다.
사용자의 손 또는 일부 다른 접지된 사용자 입력 디바이스(32)가 장치(2)의 센싱 영역(8)의 부근으로 옮겨질 때, 용량성 전류가 차폐 전극(12)으로부터 검출 회로(26)를 통과하여 하나 이상의 용량성 센싱 전극(6)으로 흐른다. 검출 회로(26)의 전하 증폭기는 전류에 기인한 전하 변위를 기록한다(register). 전하 증폭기의 출력은 정류, 예를 들어, 동시에 정류될 수 있고, 아날로그 대 디지털 변환기로 전달되어 디지털 도메인에서의 프로세싱을 위해 디지털 출력(27)으로서 제공된 이후에 통합될 수 있다.
구동 전압 및 구동 주파수는 통상적으로 각각 1V 내지 10V 및 10 내지 200 kHz의 범위를 갖는다.
비용 및 크기의 이유로, 단일 전하 증폭기 및 단일 아날로그 대 디지털 변환기는 다수의 용량성 센싱 전극(6)을 위한 검출 회로(26)에서 사용될 수 있고 멀티플렉서(28)는 각각의 용량성 센싱 전극(6)을 개별적으로 센싱하기 위해 격리하는데 사용될 수 있다.
도 7(a)는 장치(2)를 포함하는 터치 패널 모듈(34)을 도시한다. 터치 패널 모듈은 터치 스크린 디스플레이를 형성하기 위해 디스플레이와 조합하여 사용될 수 있다.
도 7(b)는 장치(2) 및 디스플레이(40)를 포함하는 터치 민감성 디스플레이 모듈(36)을 도시한다.
도 7(c)는 적어도 장치(2)를 포함하는 전자 디바이스(38)를 도시한다. 예를 들어, 이는 검출 회로(26)의 출력(27)을 프로세싱하는 프로세서(39)를 추가적으로 포함할 수 있다.
본원에서 사용된 바와 같이, '모듈'은 최종 제조사 또는 사용자에 의해 추가되어질 특정 부품/컴포넌트를 제외한 유닛 또는 장치를 지칭한다.
본 발명의 실시예가 다양한 예시와 관련하여 이전 단락에서 설명되었지만, 주어진 예시에 대한 수정이 청구된 발명의 범위로부터 벗어남이 없이 이루어질 수 있음이 이해되어야할 것이다.
이전 설명에서 설명된 특징은 명시적으로 설명된 조합 이외의 조합에서 사용될 수 있다.
기능이 특정 특징과 관련하여 설명되었지만, 이들 기능은 설명되었는지 여부에 상관없이 다른 특징에 의해 수행가능한 것일 수 있다.
특징이 특정 실시예와 관련하여 설명되었지만, 이들 특징은 또한 설명되었는지 여부에 상관없이 다른 실시예에 또한 제시될 수 있다.
본 명세서에서 특히 중요한 것으로서 여겨지는 본 발명의 특징에 대해 관심을 끌도록 시도하였지만, 특정 강조가 위치되었는지 여부에 상관없이 도면에서 도시되고/되거나 위에서 언급된 임의의 특허가능한 특징 또는 특징들의 조합의 관점에서 보호를 주장함이 이해되어야할 것이다.

Claims (30)

  1. 센싱 영역 위에 분산된 복수의 개별 용량성 센서 전극을 포함하는 용량성 센서 전극의 어레이와,
    상기 복수의 개별 용량성 센서 전극의 각각의 센서 전극에 연결된 전도성 트레이스(conductive traces)와,
    상기 센싱 영역에서, 상기 전도성 트레이스 및 상기 센서 전극 중 적어도 일부의 센서 전극의 일부를 덮는 차폐 전극(a shield electrode)을 포함하고,
    상기 차폐 전극은 상기 센싱 영역에서 상기 전도성 트레이스의 전부를 덮고,
    상기 센서 전극 중 적어도 일부의 센서 전극 중 적어도 일부를 덮는 상기 차폐 전극은 상기 센서 전극의 커버되지 않는 부분을 동일한 동작 크기의 동작 센서전극으로서 정의하고,
    상기 차폐 전극은, 상기 차폐 전극을 관통하여 기저 용량성 센서 전극까지 이르는 개구를 제외한, 상기 센싱 영역을 전체를 가로질러 스트립으로서 연장하되, 상기 개구는 다수의 평행 차폐 스트립을 정의하고, 각각의 평행 차폐 스트립은 용량성 센서 전극의 각각의 로우(row)와 연관되는
    장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 차폐 전극은 상기 센싱 영역에서 상기 전도성 트레이스에 의해 점유된 영역의 80% 이상을 덮는
    장치.
  3. 삭제
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 전극은 상이한 크기를 갖는
    장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 전극은 상기 센싱 영역의 중심 영역 쪽으로는 더 크고 상기 센싱 영역의 주변 쪽으로는 더 작은
    장치.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 전극은 0.5㎠ 미만의 크기를 갖는
    장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 전극 및 상기 전도성 트레이스는 공통 평면 내에 배치되는
    장치.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 전극 및 상기 전도성 트레이스는 투명한
    장치.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 전극 중 적어도 일부의 센서 전극 중 적어도 일부를 덮는 상기 차폐 전극은 동일한 동작 캐패시턴스의 동작 센서 전극을 정의하는
    장치.
  12. 삭제
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 전극을 덮는 상기 차폐 전극은 상기 센서 전극으로의 동일한 크기의 개구(openings)를 포함하는
    장치.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센싱 영역에서, 상기 전도성 트레이스 및 상기 센서 전극 아래의 제 2 추가 차폐 전극을 더 포함하는
    장치.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 추가 차폐 전극은 연속적인 무정전 전극(a continuous uninterrupted electrode)인
    장치.
  16. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 추가 차폐 전극은 노드에 동작가능하게 연결되고, 상기 장치는 상기 노드를 정전위로 유지하도록 구성되는
    장치.
  17. 제 14 항에 있어서,
    상기 제 2 추가 차폐 전극으로 시변 기준 전압 신호를 제공하도록 구성되는 회로를 포함하는
    장치.
  18. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 차폐 전극은 노드에 동작가능하게 연결되고, 상기 장치는 상기 노드를 정전위로 유지하도록 구성되는
    장치.
  19. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 차폐 전극으로 시변 기준 전압 신호를 제공하도록 구성되는 회로를 포함하는
    장치.
  20. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 차폐 전극과 상기 용량성 센서 전극의 어레이 사이에 연결되는 검출 회로를 포함하는
    장치.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 검출 회로와 상기 용량성 센서 전극의 어레이 사이에서 연결되는 멀티플렉서를 포함하되, 상기 멀티플렉서는 검출을 위해 상기 복수의 용량성 센서 전극의 어레이의 각각을 격리시키도록 구성되는
    장치.
  22. 제 20 항에 있어서,
    상기 검출 회로는 저임피던스 전하 증폭기(a low-impedance charge amplifier)를 포함하는
    장치.
  23. 제 20 항에 있어서,
    상기 차폐 전극으로 교번 전압을 제공하도록 구성되는 구동 회로를 포함하는
    장치.
  24. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 센서 전극의 각각에서 시변 전계를 제공하도록 구성된 구동 회로와 상기 복수의 센서 전극 중 하나 이상에 대해 사용자 입력 디바이스의 근처에서 발생한 캐패시턴스에서의 변화를 검출하도록 구성된 검출 회로를 포함하는
    장치.
  25. 제 24 항에 있어서,
    상기 검출 회로는 터치 표면에 또는 위에서 사용자 입력 디바이스의 근처에서 발생한 캐패시턴스에서의 변화를 검출하도록 구성되는
    장치.
  26. 제 24 항에 있어서,
    상기 사용자 입력 디바이스는 사용자 손가락인
    장치.
  27. 센싱 영역 위에 분산된 복수의 용량성 센서 전극 및 상기 센싱 영역 위에 적어도 부분적으로 분산된 전도성 트레이스를 포함하는 센싱 구성(a sensing arrangement)과,
    상기 센싱 영역에서, 상기 센싱 구성 및 상기 센서 전극 중 적어도 일부의 센서 전극의 일부를 부분적으로 덮는 차폐 전극을 포함하고,
    상기 차폐 전극은 상기 센싱 영역에서 상기 전도성 트레이스의 전부를 덮고,
    상기 센서 전극 중 적어도 일부의 센서 전극 중 적어도 일부를 덮는 상기 차폐 전극은 상기 센서 전극의 커버되지 않는 부분을 동일한 동작 크기의 동작 센서 전극으로서 정의하고,
    상기 차폐 전극은 스트립으로서, 상기 차폐 전극을 관통하여 기저 용량성 센서 전극까지 이르는 개구를 제외한, 상기 센싱 영역을 전체를 가로질러 연장하되, 상기 개구는 다수의 평행 차폐 스트립을 정의하고, 각각의 평행 차폐 스트립은 용량성 센서 전극의 각각의 로우(row)와 연관되는
    장치.
  28. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    터치 패널 모듈로서 구현되는
    장치.
  29. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    터치 민감형 디스플레이 모듈로서 구현되는
    장치.
  30. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    전자 디바이스로서 구현되는
    장치.
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