KR101721360B1 - 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이 - Google Patents

태양전지 모듈 및 태양전지 어레이 Download PDF

Info

Publication number
KR101721360B1
KR101721360B1 KR1020160016057A KR20160016057A KR101721360B1 KR 101721360 B1 KR101721360 B1 KR 101721360B1 KR 1020160016057 A KR1020160016057 A KR 1020160016057A KR 20160016057 A KR20160016057 A KR 20160016057A KR 101721360 B1 KR101721360 B1 KR 101721360B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
active layer
sub
solar cell
conductive type
type
Prior art date
Application number
KR1020160016057A
Other languages
English (en)
Inventor
이은주
김지선
조영현
Original Assignee
주식회사 신성솔라에너지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 신성솔라에너지 filed Critical 주식회사 신성솔라에너지
Priority to KR1020160016057A priority Critical patent/KR101721360B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101721360B1 publication Critical patent/KR101721360B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02016—Circuit arrangements of general character for the devices
    • H01L31/02019—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02021—Circuit arrangements of general character for the devices for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/022441—Electrode arrangements specially adapted for back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/0547—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means comprising light concentrating means of the reflecting type, e.g. parabolic mirrors, concentrators using total internal reflection
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이에 관한 것이다.
본 발명의 태양전지 모듈은 하나의 반도체 기판에 분할 설계되며 적어도 제1 서브셀 및 제2 서브셀을 포함하는 복수의 서브셀을 구비하고, 상기 복수의 서브셀은 전면과 후면이 교대로 배치되어 인접 서브셀과 동일평면상에서 직렬 접속되는 태양전지; 및 상기 태양전지의 전면 및 후면에 형성되는 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

태양전지 모듈 및 태양전지 어레이{SOLAR CELL MODULE AND ARRAY}
본 발명은 태양전지에 관한 것으로, 특히 각 태양전지 간의 결합이 용이한 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이에 관한 것이다.
최근, 화석연료의 고갈과 환경문제에 대응하기 위한 대체에너지의 개발이 요구되고 있는 추세에서, 재생 가능한 에너지(Renewable Energy)를 대표하는 태양광 발전의 중요성이 증가하고 있다. 이러한 태양광 발전은 태양전지(Solar Cell)의 개발을 핵심 기술로 하고 있으며 이 태양전지에 대한 기술을 수십 년간 개발하고 있는 상태이다.
태양전지는 태양 에너지를 이용하여 전기 에너지를 생성하는 전지로서, 친환경적이고 에너지원이 무한할 뿐만 아니라 수명이 긴 장점이 있다. 이러한 태양전지는, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘 등으로 이루어진 결정실리콘 태양전지, 비정질 실리콘 태양전지, 비정질 SiC, 비정질 SiN, 비정질 SiGe, 비정질 SiSn 등의 IV 족계의 재료 또는 갈륨비소(GaAs), 알루미늄갈륨비소(AlGaAs), 인듐인(InP) 등의 III-V 족이나 CdS, CdTe, Cu2S 등의 II-VI족의 화합물 반도체 태양전지, 이산화티타늄(TiO2)을 주성분으로 하는 반도체 나노입자에 태양광 흡수용 염료, 전해질, 투명전극 등으로 구성되는 염료감응형 태양전지(DSSC: Dye Sensitized Solar Cell) 등이 있다.
태양전지의 실용화를 위해서는 목표 기전력을 확보하기 위한 광전변환 효율의 향상과 함께 태양전지의 대면적화가 가능해야 하나, 태양전지가 대면적화 될수록 전자의 이동 거리가 길어지고 태양전지에 사용되는 전극은 외부 광의 투과를 위해 높은 저항을 가지는 투명 전극으로 이루어지기 때문에 대면적화된 태양전지에서는 소형 태양전지에서와 같이 높은 광전변환 효율을 기대할 수 없는 실정이다. 즉, 대면적화된 태양전지에서는 외부 광에 의해 형성된 전자들이 높은 저항의 투명 전극을 통해 멀리 이동하여야 하므로 광전변환 효율이 좋지 않다.
이에 대면적화된 태양전지에서 광전변환 효율을 향상하는 방법으로 하나의 태양전지로 작용하는 단위 셀을 직렬 및 병렬 연결한 모듈 형태로 구현하였다. 이중 비정질 실리콘 태양전지나 화합물 반도체 태양전지의 경우에는 투명전극, 반도체, 금속전극층을 차례로 증착하고 스크라이빙(Scribing) 하는 과정을 반복하여 직렬 연결된 구조를 구현하고 있으며, 염료감응 태양전지의 경우에는 단위 셀을 제조한 후 도전성 테이프를 이용하여 단위 셀의 직렬 연결된 구조를 구현함으로써 직렬 연결 구조를 위한 추가 공정을 통해 단위 셀을 모듈 형태로 구현하였다.
이와 같은 모듈화 과정에서 단위 셀들의 연결부위는 실제 태양 에너지(즉, 광 에너지)를 전기 에너지로 변환(즉, 광전변환)하는 기능을 하지 못하기 때문에 활용면적(active area)을 감소시키고, 또한 각 단위 셀 및 전극 간의 접촉 문제로 인해 전기적으로 불균일하여 목표 기전력을 확보하기 위한 광전변환 효율을 얻을 수 없으며, 또한 물리적으로 불균일하여 태양전지 모듈의 불량률을 증가시킨다.
결정질 실리콘 태양전지는 일반적으로 각각의 전지를 직렬로 연결하여 모듈을 만들며, 필요한 용량만큼 태양전지의 수를 늘려 모듈의 출력을 조절한다. 또한, 모듈에서 출력전압을 일정수준 이상으로 높이기 위해 한 장의 태양전지를 기계적으로 여러 조각으로 잘라서 각 조각을 연결한다.
그러나, 태양전지를 자르는 과정에서 태양전지가 손상 또는 손실되는 문제를 야기하기도 한다.
또한, 종래에는 하나의 실리콘 기판에 태양전지 하나를 제작하여 리본으로 각각의 태양전지의 전면전극과 후면전극을 연결하여 모듈화하였다.
도 1은 종래기술에 따른 태양전지 모듈의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 태양전지 모듈은 다수의 태양전지 셀(S)과, 상기 태양전지 셀(S)을 전기적으로 연결하는 리본(L)을 포함하며, 이때, 리본(L)은 서로 인접하는 태양전지 셀(S)의 전면전극과 후면전극을 연결하여 전기적으로 직렬 접속시킨다.
그러나, 전술한 바와 같은 종래 기술에 따른 태양전지 모듈은 제조공정이 복잡할뿐만 아니라 비활용 면적이 증가하여 기판 면적대비 태양전지 모듈의 출력효율이 저하되는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허공보 2002-0085453호(2002.11.16.공개)
본 발명은 상기와 같은 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 본 발명의 일반적인 목적은 종래 기술에서의 제한 및 단점에 의해 야기되는 하나 이상의 문제점을 실질적으로 제거할 수 있는 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이를 제공하는 것이다.
본 발명의 보다 구체적인 다른 목적은, 하나의 기판에 다수의 셀을 제작하여 연결함으로써 태양전지를 손상시키지 않으면서 필요한 전압을 얻을 수 있고, 또한 태양전지 모듈 간의 연결이 용이한 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이를 제공하는 것이다.
이를 위해 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈은 하나의 반도체 기판에 분할 설계되며 적어도 제1 서브셀 및 제2 서브셀을 포함하는 복수의 서브셀을 구비하고, 상기 복수의 서브셀은 전면과 후면이 교대로 배치되어 인접 서브셀과 동일평면상에서 직렬 접속되는 태양전지; 및 상기 태양전지의 전면 및 후면에 형성되는 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 태양전지는 결정질 실리콘 기판; 상기 제1 서브셀 영역 상기 실리콘 기판 하면에 형성되는 제1 타입의 불순물이 저농도로 도핑된 제1 도전성 타입 제1 활성층; 상기 제1 서브셀 영역 상기 실리콘 기판 상면에 형성되는 상기 제1 도전성 타입 불순물과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물이 고농도로 도핑되며 제2 도전성 타입 제1 활성층; 상기 제2 서브셀 영역의 하면에서 상기 제1 타입 제2 활성층으로부터 일정 간격을 두고 상기 제1 도전성 타입 제2 활성층과 동일 평면 상에 형성되는 상기 제2 도전성 타입의 불순물이 고농도로 도핑된 제2 도전성 타입 제2 활성층; 상기 제2 서브셀 영역의 상면에서 상기 제1 서브셀 영역 제2 타입 제1 활성층으로부터 일정 간격을 두고 상기 제2 도전성 타입 제1 활성층과 동일 평면 상에 형성되는 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 저농도로 도핑된 제1 도전성 타입 제2 활성층; 상기 제2 도전성 타입 제1 활성층 상에 형성되는 제1 전면 전극; 상기 제1 도전성 타입 제1 활성층 상에 형성되는 제1 후면 전극; 상기 제1 도전성 타입 제2 활성층 상에 형성되는 제2 전면 전극; 상기 제2 도전성 타입 제2 활성층 상에 형성되는 제2 후면 전극; 및 상기 제1 전면 전극과 상기 제1 후면 전극을 연결하고 상기 제2 전면 전극과 상기 제2 후면 전극을 연결하거나, 상기 제1 전면 전극과 상기 제2 전면 전극과 연결하고 상기 제1 후면 전극과 상기 제2 후면 전극을 연결하는 리본을 포함하며, 상기 실리콘 기판의 하면에 상기 제1 도전성 타입 제1 활성층이 상기 제1 서브셀 영역에, 상기 제2 도전성 타입 제2 활성층이 상기 제2 서브셀 영역에 상호 교번되어 형성되고, 상기 실리콘 기판의 상면에 상기 제2 도전성 타입 제1 활성층이 상기 제1 서브셀 영역에, 상기 제1 도전성 타입 제2 활성층이 상기 제2 서브셀 영역에 상호 교번되어 배치되는 방식으로 상기 실리콘 기판의 상면과 하면에 대하여 상호 교번으로 상이한 타입 활성층이 형성되는 동시에 상기 복수의 서브셀에서 인접 서브 셀에 대하여 상호 교번으로 상이한 도전성 타입 활성층이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 태양전지는 상기 결정질 실리콘 기판의 상면 및 하면에 각각 형성된 제1 및 제2 비정질 실리콘층; 상기 제2 도전성 타입 제1 활성층과 상기 제1 도전성 타입 제2 활성층을 절연하도록 상기 제2 도전성 타입 제1 활성층과 상기 제1 도전성 타입 제2 활성층 사이에 형성되는 제1 절연층; 및 상기 제1 도전성 타입 제1 활성층과 상기 제2 도전성 타입 제2 활성층을 절연하도록 상기 제1 도전성 타입 제1 활성층과 상기 제2 도전성 타입 활성층 사이에 형성되는 제2 절연층을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 리본은 전면 또는 후면 전극으로부터 수평으로 연장되어 동일평면상에 각각 전면 또는 후면 전극과 연결될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 지지부재는 내면 또는 외면의 일부에 광을 반사시키는 반사체가 코팅된 유리일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서, 상기 태양전지 모듈은 상기 지지부재 사이에 위치하고, 태양전지 모듈간의 전기 접속을 위한 접속부재를 더 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이에 의하면, 하나의 기판에 다수의 태양전지 셀을 형성하여 태양전지를 손상시키지 않으면서 필요한 만큼 전압을 높일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이에 의하면, 하나의 기판을 공유하는 다수의 서브셀이 동일 평면에서 직렬 연결되므로 서브셀간 간격을 줄여 비활용 면적을 대폭 감소시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이에 의하면, 리본의 길이를 종래 구조에 비해 짧게 형성해도 되므로 전기적 특성을 개선할 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이에 의하면, 태양전지 모듈 간의 연결이 용이하며 따라서 필요한 용량만큼 태양전지 모듈을 연결하여 태양전지 어레이를 형성할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 태양전지 모듈의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 평면도이다.
도 3은 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 제조과정을 나타낸 단면도이다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 구성을 나타낸 단면도이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 어레이의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도이다.
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다. 또한, 후술되는 용어들은 본 발명에서의 기능을 고려하여 정의된 용어들로서 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 판례 등에 따라 달라질 수 있다. 그러므로 그 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다.
먼저, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 평면도이고, 도 3은 도 2의 A-A' 선에 따른 단면도로, 본 실시예는 실리콘 이종접합 태양전지를 나타낸 것이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양전지(100)는 결정질 실리콘 기판(1)과, 상기 결정질 실리콘 기판(1)에 서로 인접하여 형성된 복수의 서브셀, 구체적으로는 제1 서브셀(10) 및 제2 서브셀(20)과, 상기 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)을 전기적으로 연결하는 리본(30, 30')을 포함한다.
상기 결정질 실리콘 기판(1)은 특정 타입, 예를 들어 p 타입(제1 타입) 또는 n 타입(제2 타입)의 결정질 실리콘 기판이 될 수 있으며, 본 실시예에서는 p 타입의 결정질 실리콘 기판을 채용한 경우에 대해 설명한다.
상기 제1 서브셀(10) 및 제2 서브셀(20) 각각은 결정질 실리콘 기판(1)의 상면 및 하면에 각각 형성되는 비정질 실리콘층(2, 2')과, 상기 비정질 실리콘층(2, 2') 상에 형성되는 n+ 타입의 활성층(11, 21) 및 p- 타입의 활성층(12, 22)과, 전면 및 후면 전극(13, 23, 14, 24)과, 상기 전면 및 후면 전극(13, 23, 14, 24)을 상호 연결하는 리본(30, 30')을 포함한다.
상기 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)은 결정질 실리콘 기판(1)의 상면 및 하면에 각각 형성되는 물질층의 타입이 서로 반대이다(서로 대칭구조). 즉, 제1 서브셀(10)은 결정질 실리콘 기판(1)의 상면에 비정질 실리콘층(2), n+ 타입의 활성층(11) 및 전면 전극(전면 전극, 13)이 형성되고 결정질 실리콘 기판(1)의 하면에 비정질 실리콘층(2'), p- 타입의 활성층(12) 및 후면 전극(후면 전극, 14)이 형성되어 있다. 이에 비해 제2 서브셀(20)은 결정질 실리콘 기판(1)의 상면에 비정질 실리콘층(2), p- 타입의 활성층(22) 및 후면 전극(24)이 형성되고, 결정질 실리콘 기판(1)의 하면에 비정질 실리콘층(2'), n+ 타입의 활성층(21) 및 전면 전극(23)이 형성되어 있다.
이와 같이 상기 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)은 결정질 실리콘 기판(1)을 공유하며, 각각 전면과 후면의 광흡수층이 서로 반대되는 극성의 반도체 층(11, 12, 21, 22)으로 이루어져 있다. 이들 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)은 하나의 기판(1)에 형성되어 있으나 각각 활성층과 전극이 형성되어 있으므로 별개의 태양전지로 개별적으로 동작할 수 있다. 즉, 각 서브셀(10, 20)은 해당 크기의 전류와 전압을 출력할 수 있다.
상기 리본(30, 30')은 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)을 전기적으로 연결하며, 구체적으로는 제1 서브셀(10)의 전면 전극(13)과 제2 서브셀(20)의 후면 전극(24)을 서로 연결하고, 또한 제1 서브셀(10)의 후면 전극(14)과 제2 서브셀의 전면 전극(23)을 서로 연결하여 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)이 직렬 접속되도록 한다.
이때, 인접하는 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)이 결정질 실리콘 기판(10)의 상면 및 하면에 각각 형성되는 물질층의 도전형(극성)이 서로 반대이기 때문에 제1 서브셀(10)의 전면 전극(13)과 제2 서브셀(20)의 후면 전극(24)이 결정질 실리콘 기판(10)의 상면에 위치하게 된다.
이에 따라, 직렬 접속시 리본(30, 30')은 제1 서브셀(10)의 전면 전극(13)으로부터 실질적으로 수평으로 연장되어 동일 평면상에서 제2 서브셀(20)의 후면 전극(24)과 연결되어 이들 전극(13, 24)을 전기적으로 직렬 접속시킨다.
본 실시예와 같이 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)이 직렬 접속되므로 태양전지(100)에서 출력되는 전류는 동일한 값을 가지며, 출력되는 전압은 각 서브셀(10, 20)에서 출력되는 전압의 합이 된다.
즉, 서브셀의 개수가 증가할수록 태양전지의 출력전압이 증가하게 되며, 따라서 필요로 하는 전압에 따라 서브셀의 개수를 적절히 조절하여 구현할 수 있다.
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 태양전지(100')는 반도체(실리콘) 기판(1')과, 상기 결정질 실리콘 기판(1')에 서로 인접하여 형성된 복수의 서브셀, 구체적으로는 제1 서브셀(10') 내지 제4 서브셀(40')과, 상기 제1 서브셀(10') 내지 제4 서브셀(40')을 전기적으로 연결하는 리본(30'')을 포함하며, 각 서브셀(10' 내지 40')의 구성은 도 3의 구성과 동일하다.
도 4에서와 같이 4개의 서브셀로 구성되는 경우 2개의 서브셀로 구성된 도 2의 구성에 비해 출력전압을 2배 증가시킬 수 있다.
전술한 구성을 갖는 본 발명에 따른 태양전지 제조방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 5a 내지 도 5f는 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 제조과정을 나타낸 단면도로, 본 실시예는 하나의 결정질 실리콘 기판에 2개의 서브셀이 형성된 도 3의 태양전지 제조과정을 나타낸다.
도 5a 내지 도 5f를 참조하면, 먼저, 도 5a에 도시된 바와 같이 p타입(제1 타입)의 결정질 실리콘 기판(1)이 마련된다.
다음으로, 도 5b에 도시된 바와 같이 결정질 실리콘 기판(1)의 상면 및 하면에 각각 비정질 실리콘층(2, 2')이 형성된다.
다음으로, 도 5c에 도시된 바와 같이 제1 서브셀 영역의 비정질 실리콘층(2) 및 제2 서브셀 영역의 비정질 실리콘층(2') 상에 n+ 타입의 비정질 실리콘층(11, 21)이 형성된다. 여기서, n+ 타입의 비정질 실리콘층(11, 21)은 활성층으로 원하는 서브셀의 개수만큼 형성되며, PE-CVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 공정에 의해 형성될 수 있다. 본 실시예에서는 하나의 기판에 2개의 서브셀이 형성되므로 기판을 좌우로 2 등분하여 제1 서브셀 영역 즉, 왼쪽에는 결정질 실리콘 기판(1)의 상면에 n+ 타입의 비정질 실리콘층(11)이 형성되고, 제2 서브셀 영역 즉, 오른쪽에는 결정질 실리콘 기판(1)의 하면에 n+ 타입의 비정질 실리콘층(21)이 형성된다. 만약 n 타입의 결정질 실리콘 기판(n type c-Si)을 이용할 경우, 활성층은 p+ 타입의 비정질 실리콘층이 될 수 있다.
여기서, n 타입은 인(P)으로 대표되는 Ⅴ족 원소와 같은 전자(electron)를 제공할 수 있는 반도체 물질이 포함된 것을 의미하고, p 타입은 보론(B)으로 대표되는 Ⅲ족 원소와 같은 정공(hole)을 제공할 수 있는 반도체 물질이 포함된 것을 의미한다. 또한, n+ 타입 또는 p+ 타입은 반도체 물질의 농도가 n 타입 또는 p 타입보다 더 높은 것을 의미한다.
다음으로, 도 5d에 도시된 바와 같이 제1 서브셀 영역의 비정질 실리콘층(2') 및 제2 서브셀 영역의 비정질 실리콘층(2) 상에 p- 타입의 비정질 실리콘층(12, 22)이 형성된다.
다음으로, 도 5e에 도시된 바와 같이 활성층 상에 각각 전면 전극(13, 23)과 후면 전극(14, 24)이 형성되며, 이에 의해 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)이 형성된다.
이와 같이 상기 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)은 결정질 실리콘 기판(1)을 공유하며, 각각 전면과 후면의 활성층이 서로 반대되는 극성의 비정질 실리콘층(11, 12, 13, 14)으로 이루어져 있다. 이들 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)은 하나의 기판에 형성되어 있으나 각각 실리콘 이종접합이 형성되어 있으므로 별개의 태양전지로 개별적으로 동작할 수 있다. 즉, 각 서브셀(10, 20)은 해당 크기의 전류와 전압을 출력할 수 있다.
다음으로, 도 5f에 도시된 바와 같이 결정질 실리콘 기판(1)의 상면 및 하면에 리본(30, 30')이 형성되어 제1 서브셀(10)의 전면 전극(13)과 제2 서브셀(20)의 후면 전극(24)이 연결되고, 또한 제1 서브셀(10)의 후면 전극(14)과 제2 서브셀(20)의 전면 전극(23)이 연결된다. 즉, 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)이 전기적으로 직렬 접속된다.
이때, 인접하는 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)은 결정질 실리콘 기판(1)의 상면 및 하면에 각각 형성되는 물질층의 도전형(극성)이 서로 반대이기 때문에 제1 서브셀(10)의 전면 전극(13)과 제2 서브셀(20)의 후면 전극(24)은 결정질 실리콘 기판(10)의 상면에 위치하게 된다. 이에 따라, 직렬 접속시 리본(30)은 제1 서브셀(10)의 전면 전극(13)으로부터 실질적으로 수평으로 연장되어 동일 평면상에서 제2 서브셀(20)의 후면 전극(24)과 연결되어 이들 전극(13, 24)을 전기적으로 직렬 접속시킨다.
본 실시예와 같이 제1 서브셀(10)과 제2 서브셀(20)이 직렬 접속되므로 태양전지(100)에서 출력되는 전류는 동일한 값을 가지며, 출력되는 전압은 각 서브셀(10, 20)에서 출력되는 전압의 합이 된다.
즉, 서브셀의 개수가 증가할수록 태양전지의 출력전압이 증가하게 되며, 따라서 필요로 하는 전압에 따라 서브셀의 개수를 적절히 조절하여 구현할 수 있다.
또한, 각 서브셀 간의 직렬 접속시 리본이 전면 전극(13)으로부터 실질적으로 수평으로 연장되어 동일 평면에서 제2 서브셀(20)의 후면 전극(24)과 연결되므로 서브셀간 간격을 줄여 비활용 면적을 대폭 감소시킬 수 있고, 또한 리본의 길이를 도 1에 도시된 구조에 비해 짧게 형성해도 되므로 전기적 특성을 개선할 수 있다.
한편, 전술한 일 실시예 및 다른 실시예에서는 실리콘 이종접합 태양전지에 대해 설명하였으나 본 발명은 이에 한정되지 않고 다양한 종류의 태양전지에 적용될 수 있다.
도 6은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 태양전지의 구조를 나타낸 단면도이다.
도 6을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양전지(100')는 반도체 기판(1')과, 상기 반도체 기판(1')에 서로 인접하여 형성된 2개의 서브셀(10', 20')과, 상기 2개의 서브셀(10', 20')을 전기적으로 연결하는 리본(30)을 포함한다.
상기 반도체 기판(1')은 결정질 반도체로 이루어진 태양 전지용 기판으로서 상기 반도체 기판(1')은 예를 들면, 제1 타입의 불순물이 저농도로 도핑된(p-) 실리콘 기판이 될 수 있다.
상기 2개의 서브셀(10', 20') 각각은 반도체 기판(1')의 상면 및 하면에 각각 형성되는 제2 타입의 불순물이 고농도로 도핑된 제2 타입의 활성층(n+, 11', 21')과 제1 타입의 불순물이 고농도로 도핑된 제1 타입의 활성층(p+, 12', 22'), 전면 및 후면 전극(13', 14', 23', 24'), 상기 활성층(11', 21', 12', 22')과 전면 및 후면 전극(13', 14', 23', 24') 사이에 각각 형성되는 절연층(25, 25')을 포함한다.
이와 같이 상기 2개의 서브셀(10', 20')은 반도체 기판(1')을 공유하며, 각각 전면과 후면의 광흡수층이 서로 반대되는 타입(극성)의 반도체 층(11', 12', 13', 14')으로 이루어져 있다. 즉, 이들 서브셀(10', 20')은 하나의 기판(1')에 형성되어 있으나 각각 pn 접합이 형성되어 있으므로 별개의 태양전지로 개별적으로 동작하여 해당 크기의 전류와 전압을 출력할 수 있다.
또한, 2개의 서브셀(10', 20')은 리본(30)에 의해 직렬 접속되며, 이에 따라 서브셀의 개수가 증가할수록 태양전지의 출력전압이 증가하게 된다. 따라서 필요로 하는 전압에 따라 서브셀의 개수를 적절히 조절하여 구현할 수 있다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 모듈의 구성을 나타낸 단면도로, 전술한 태양전지를 이용하여 태양전지 모듈을 구현한 예를 나타낸 것이다.
도 7을 참조하면, 본 실시예에 따른 태양전지 모듈(1000)은 하나의 태양전지(100)와, 상기 태양전지(100)의 상면 및 하면에 형성된 지지부재(200, 200')를 포함한다. 또한, 태양전지 모듈과 모듈을 연결하기 위한 접속부재(connector)(50)를 포함할 수 있다.
상기 태양전지(100)는 모듈 일체형 태양전지로서 하나의 태양전지 기판에 다수의 서브셀이 분할 설계되어 있다.
상기 지지부재(200, 200')는 상기 태양전지(100)의 상면 및 하면(전면 및 후면)을 보호하고 지지하기 위한 것으로, 태양전지(100)의 리본(30, 30')을 아래 위로 덮고 있다. 상기 지지부재(200, 200')는 내면 또는 외면의 일부에 광을 반사시키는 반사체가 코팅된 유리일 수 있으며, 반사체는 양면 수광형 태양전지 셀과 대향되는 위치에 형성될 수 있다. 다만, 지지부재(200, 200')는 유리에 한정되지 않고, 태양전지 분야에서 이용되는 지지부재의 재질을 고려하여 적절하게 선택할 수 있다.
상기 접속부재(50)는 각각의 태양전지 모듈을 서로 연결하여 태양전지 어레이를 형성하기 위한 것으로, 도전성 재질로 이루어지며 각 태양전지 모듈에 일체로 구비되어 인접 태양전지 모듈의 타측 홈부에 삽입되어 결합되거나 태양전지 모듈과 별개로 구비되어 이후 태양전지 어레이 형성시 태양전지 모듈들 사이사이에 삽입될 수 있다. 이때, 각 태양전지의 인접 서브셀들을 연결하는 리본(30, 30')이 접속부재(50) 상부에까지 연장되어 인접 모듈의 서브셀들을 서로 연결한다.
여기서, "태양전지 어레이(array)"는 직병렬 연결된 태양전지 모듈의 집합을 의미하는 것으로, 대전력을 얻기 위한 방편으로 태양전지 모듈을 다시 직병렬 연결한 것이다.
도 8은 본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지 어레이의 구성을 개략적으로 나타낸 단면도로, 복수개의 태양전지 모듈(1000)이 접속부재(50)에 의해 연결되어 있다.
상기 접속부재(50) 상면에 플러스 전극 단자, 마이너스 전극 단자, 플러스 전극 단자의 순서로 교차하여 연결하고, 상기 접속부재(50)의 하면에 마이너스 전극 단자, 플러스 전극 단자, 마이너스 전극 단자의 순서로 교차하여 연결하는 경우 태양전지 어레이는 전기적으로 서로 직렬 연결될 수 있다.
만일, 접속부재(50) 상면에 모두 플러스 전극 단자 또는 마이너스 전극 단자로 연결하고, 접속부재(50)의 하면에 모두 마이너스 전극 단자 또는 플러스 전극 단자를 연결하는 경우 태양전지 어레이는 전기적으로 서로 병렬 연결될 수 있다.
한편, 본 발명의 상세한 설명 및 첨부도면에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였으나, 본 발명은 개시된 실시예에 한정되지 않고 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다. 따라서, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 안되며 후술하는 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들을 포함하는 것으로 해석되어야 할 것이다.
1, 1' : 결정질 실리콘 기판 2, 2' : 비정질 실리콘층
11, 21 : 제2 타입의 활성층 12, 22 : 제1 타입의 활성층
13, 23 : 전면 전극 14, 24 : 후면 전극
25 : 절연층 30, 30 : 리본
50 : 접속부재 100 : 태양전지
200, 200' : 지지부재 1000 : 태양전지 모듈
10000 : 태양전지 어레이

Claims (10)

  1. 하나의 반도체 기판에 분할 설계되며 적어도 제1 서브셀 및 제2 서브셀을 포함하는 복수의 서브셀을 구비하고, 상기 복수의 서브셀은 전면과 후면이 교대로 배치되어 인접 서브셀과 동일 평면 상에서 직렬 접속되는 태양전지;
    상기 태양전지의 전면 및 후면에 각각 형성되는 제1 및 제2 지지부재; 및
    상기 제1 및 제2 지지부재 사이에 위치하고, 태양전지 모듈간의 전기 접속을 위한 접속부재를 포함하며,
    상기 태양전지는
    결정질 실리콘 기판;
    상기 제1 서브셀 영역 상기 실리콘 기판 하면에 형성되는 제1 타입의 불순물이 저농도로 도핑된 제1 도전성 타입 제1 활성층;
    상기 제1 서브셀 영역 상기 실리콘 기판 상면에 형성되는 상기 제1 도전성 타입 불순물과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물이 고농도로 도핑되며 제2 도전성 타입 제1 활성층;
    상기 제2 서브셀 영역의 하면에서 상기 제1 타입 제2 활성층으로부터 일정 간격을 두고 상기 제1 도전성 타입 제2 활성층과 동일 평면 상에 형성되는 상기 제2 도전성 타입의 불순물이 고농도로 도핑된 제2 도전성 타입 제2 활성층;
    상기 제2 서브셀 영역의 상면에서 상기 제1 서브셀 영역 제2 타입 제1 활성층으로부터 일정 간격을 두고 상기 제2 도전성 타입 제1 활성층과 동일 평면 상에 형성되는 상기 제1 도전성 타입의 불순물이 저농도로 도핑된 제1 도전성 타입 제2 활성층;
    상기 제2 도전성 타입 제1 활성층 상에 형성되는 제1 전면 전극;
    상기 제1 도전성 타입 제1 활성층 상에 형성되는 제1 후면 전극;
    상기 제1 도전성 타입 제2 활성층 상에 형성되는 제2 전면 전극;
    상기 제2 도전성 타입 제2 활성층 상에 형성되는 제2 후면 전극; 및
    상기 제1 전면 전극과 상기 제1 후면 전극을 연결하고 상기 제2 전면 전극과 상기 제2 후면 전극을 연결하거나, 상기 제1 전면 전극과 상기 제2 전면 전극과 연결하고 상기 제1 후면 전극과 상기 제2 후면 전극을 연결하는 리본을 포함하며,
    상기 실리콘 기판의 하면에 상기 제1 도전성 타입 제1 활성층이 상기 제1 서브셀 영역에, 상기 제2 도전성 타입 제2 활성층이 상기 제2 서브셀 영역에 상호 교번되어 형성되고, 상기 실리콘 기판의 상면에 상기 제2 도전성 타입 제1 활성층이 상기 제1 서브셀 영역에, 상기 제1 도전성 타입 제2 활성층이 상기 제2 서브셀 영역에 상호 교번되어 배치되는 방식으로 상기 실리콘 기판의 상면과 하면에 대하여 상호 교번으로 상이한 타입 활성층이 형성되는 동시에 상기 복수의 서브셀에서 인접 서브 셀에 대하여 상호 교번으로 상이한 도전성 타입 활성층이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
  2. 삭제
  3. 제1 항에 있어서,
    상기 태양전지는
    상기 결정질 실리콘 기판의 상면 및 하면에 각각 형성된 제1 및 제2 비정질 실리콘층;
    상기 제2 도전성 타입 제1 활성층과 상기 제1 도전성 타입 제2 활성층을 절연하도록 상기 제2 도전성 타입 제1 활성층과 상기 제1 도전성 타입 제2 활성층 사이에 형성되는 제1 절연층; 및
    상기 제1 도전성 타입 제1 활성층과 상기 제2 도전성 타입 제2 활성층을 절연하도록 상기 제1 도전성 타입 제1 활성층과 상기 제2 도전성 타입 활성층 사이에 형성되는 제2 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
  4. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 리본은
    상기 제1 및 제1 전면 전극 또는 상기 제1 및 제2 후면 전극으로부터 수평으로 연장되어 동일평면상에 각각 전면 또는 후면 전극과 연결되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
  5. 제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 지지부재는
    내면 또는 외면의 일부에 광을 반사시키는 반사체가 코팅된 유리인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈.
  6. 삭제
  7. 제 1 항 또는 제 3 항에 따른 태양전지 모듈을 구비하는 태양전지 어레이.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 접속부재의 상면에 플러스 전극 단자, 마이너스 전극 단자, 플러스 전극 단자의 순서로 교차하여 연결되고, 상기 접속부재의 하면에 마이너스 전극 단자, 플러스 전극 단자, 마이너스 전극 단자의 순서로 교차하여 연결되어 전기적으로 서로 직렬 연결되는 것을 특징으로 하는 태양전지 어레이.
  9. 제 7 항에 있어서, 상기 접속부재의 상면에 모두 플러스 전극 단자 또는 마이너스 전극 단자가 연결되고, 상기 접속부재의 하면에 모두 마이너스 전극 단자 또는 플러스 전극 단자가 연결되어 전기적으로 서로 병렬 연결되는 것을 특징으로 하는 태양전지 어레이.
  10. 제 4 항에 따른 태양전지 모듈을 구비하는 태양전지 어레이.
KR1020160016057A 2016-02-12 2016-02-12 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이 KR101721360B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160016057A KR101721360B1 (ko) 2016-02-12 2016-02-12 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020160016057A KR101721360B1 (ko) 2016-02-12 2016-02-12 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101721360B1 true KR101721360B1 (ko) 2017-03-29

Family

ID=58497922

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020160016057A KR101721360B1 (ko) 2016-02-12 2016-02-12 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101721360B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019139239A1 (ko) * 2018-01-11 2019-07-18 엘지전자 주식회사 화합물 태양전지 모듈

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026361A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Hitachi Ltd 両面受光型太陽電池モジュール
KR20020085453A (ko) 2001-05-08 2002-11-16 삼성에스디아이 주식회사 소형 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법
JP2013055294A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002026361A (ja) * 2000-07-07 2002-01-25 Hitachi Ltd 両面受光型太陽電池モジュール
KR20020085453A (ko) 2001-05-08 2002-11-16 삼성에스디아이 주식회사 소형 태양 전지 모듈 및 이의 제조 방법
JP2013055294A (ja) * 2011-09-06 2013-03-21 Mitsubishi Electric Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019139239A1 (ko) * 2018-01-11 2019-07-18 엘지전자 주식회사 화합물 태양전지 모듈

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6239354B1 (en) Electrical isolation of component cells in monolithically interconnected modules
US7863515B2 (en) Thin-film solar cell and method of manufacturing the same
US20170271622A1 (en) High efficiency thin film tandem solar cells and other semiconductor devices
US20090173373A1 (en) Group III-Nitride Solar Cell with Graded Compositions
US4513168A (en) Three-terminal solar cell circuit
US20080121264A1 (en) Thin film solar module and method of fabricating the same
US8039740B2 (en) Single P-N junction tandem photovoltaic device
US20150340528A1 (en) Monolithic tandem voltage-matched multijuntion solar cells
EP2858124B1 (en) Bridged solar cell and solar power generation system
KR20140126819A (ko) 태양 전지
WO2020196288A1 (ja) 太陽電池モジュール
US20060249194A1 (en) Solar cell array with isotype-heterojunction diode
KR101003808B1 (ko) Ｐｎ접합 및 쇼트키 접합을 갖는 다중 태양 전지 및 이의 제조 방법
CN101807615B (zh) 具有光收集效果电极结构的光伏元件
KR101721360B1 (ko) 태양전지 모듈 및 태양전지 어레이
KR101497326B1 (ko) 태양전지모듈의 제조방법
KR101847054B1 (ko) 태양 전지 패널
JP2023033940A (ja) 太陽電池セルおよび太陽電池
KR101491355B1 (ko) 태양전지, 태양전지 제조방법 및 태양전지 모듈
US20120180855A1 (en) Photovoltaic devices and methods of forming the same
CN115020519B (zh) 一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统
US20130312821A1 (en) Solar cell
US20230307565A1 (en) Photovoltaic module and method for manufacturing photovoltaic module
JP7261923B1 (ja) 光起電力モジュールおよびその製造方法
CN219591399U (zh) 叠层太阳能电池组件

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200212

Year of fee payment: 4