KR101718529B1 - Exposure apparatus based on dmd - Google Patents

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KR101718529B1
KR101718529B1 KR1020150135235A KR20150135235A KR101718529B1 KR 101718529 B1 KR101718529 B1 KR 101718529B1 KR 1020150135235 A KR1020150135235 A KR 1020150135235A KR 20150135235 A KR20150135235 A KR 20150135235A KR 101718529 B1 KR101718529 B1 KR 101718529B1
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박종서
이수진
이형규
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주식회사 리텍
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Abstract

A DMD-based exposure apparatus according to an embodiment of the present invention comprises: a DMD which includes a plurality of micro mirrors; a plurality of light-irradiating optical systems which irradiate a light in the DMD; a DMD control unit which controls the plurality of micro mirrors such that a plurality of exposure patterns are generated from each of the plurality of light-irradiating optical systems in the DMD; and a light imaging optical system which receives the plurality of exposure patterns generated from the DMD and modulates the same at a selected ratio, wherein the plurality of light-irradiating optical systems are disposed on both sides of the DMD, asymmetrically with respect to the DMD; each of the plurality of light-irradiating optical systems contains a light-emitting diode; and the light-emitting diodes contained in the plurality of light-irradiating optical systems emit lights having different wavelengths from one another.

Description

ＤＭＤ 기반의 노광 장치{EXPOSURE APPARATUS BASED ON DMD}EXPOSURE APPARATUS BASED ON DMD [0002]

본 발명은 DMD 기반의 노광 장치에 관한 것으로, 좀 더 상세하게는 하나의 DMD를 사용하여 다수의 노광 패턴을 생성할 수 있는 DMD 기반의 노광 장치에 관한 것이다.The present invention relates to a DMD-based exposure apparatus, and more particularly, to a DMD-based exposure apparatus capable of generating a plurality of exposure patterns using one DMD.

최근의 국내외에서 요구하는 기술적 트렌드는 대체로 기술적 난이도가 높은 고부가가치 제품군 위주로 수요가 창출되고 있는 경향을 보이고 있다. 디지털 전자기기, 스마트 폰 등의 태동에 따른 급속한 패러다임의 변환에 의하여 이에 사용되고 있는 대부분의 PCB 제품이 다품종 소량생산 방식에 빠른 라이프 사이클(Fast Life Cycle)의 형태를 병행하여 급속히 전환되고 있는 시점에 직면하고 있다.In recent years, demand trends in domestic and overseas tend to create demand mainly for high value added products with high technical difficulty. The rapid paradigm shift of digital electronic devices and smart phones led to the rapid conversion of most of the PCB products used in this way to the multi-product small-volume production method and the rapid life cycle (Fast Life Cycle). .

이러한 현상을 기술적 측면에서 적극적으로 대응하기 위해서는 PCB 상에 초미세 회로 선폭을 구현해 주기 위한 기존방식과 다른 새로운 방식의 노광기술 및 시스템이 필요하게 되었다.In order to positively cope with this phenomenon from the technical point of view, there has been a need for a new exposure technique and system that is different from the existing method for realizing the micro-circuit line width on the PCB.

이러한 시장의 요구에 적합한 새로운 노광 방법들이 국외시장을 위주로 개발되었는데 마스크를 사용하지 않는 비마스크(Non-Mask or Maskless) 방식의 직접 묘화(Direct Imaging) 노광 방법이 그 중 가장 대표적인 기술로 부각되고 있다.New exposure methods suited to the needs of the market have been developed mainly in the overseas market, and non-mask or maskless Direct Imaging exposure methods are emerging as the most representative technologies .

최근 국내 PCB 산업의 경우 수량 기준으로 국내 Flexible PCB 제품의 주종은 단면(Single-Side)과 양면(Double-Side)이지만 MLB, Embedded PCB, Build-up PCB, RF PCB, Optical PCB 등의 다층 제품군으로 점진적으로 전환되고 있다. PCB 시장의 경향이 최근의 경향을 반영하여 PCB 배선의 회로 선폭이 30㎛ 이하의 미세회로패턴을 요구하는 경성(Rigid) 및 연성(Flexible) PCB 관련 고부가가치 제품 위주로 상당부분 대체하는 방향으로 적극적으로 진행될 것으로 예상된다. In recent years, domestic PCB industry has become a multi-layer product group including MLB, Embedded PCB, Build-up PCB, RF PCB and Optical PCB, although the main types of flexible PCB products in Korea are single-side and double- . Reflecting recent trends in the PCB market, we are aggressively replacing PCBs with high-value products related to rigid and flexible PCBs, which require micro-circuit patterns with a circuit line width of 30 μm or less. It is expected to proceed.

이러한 국내시장의 상황과 추이에 대한 해결방안으로 미세회로 선폭을 노광할 수 있는 핵심기술 확보를 위한 기술개발 필요성이 제기되고 있고, 이를 위하여 기존 마스크 방식의 한계점을 극복하기 위한 직접 묘화(Direct Imaging) 방식을 기반으로 한 PCB 제조공정에 적합한 새로운 노광 방법론 개발이 절실히 요구되고 있다.In order to solve the situation and trend of the domestic market, there is a need to develop a technology for securing the core technology for exposing the microcircuit linewidth. For this purpose, a direct imaging technique to overcome the limitations of the conventional masking technique, It is required to develop a new exposure methodology suitable for a PCB manufacturing process.

DMD(Digital Mirror Device) 기반의 노광 장치는 노광 공정(Exposure Process)에서 노광 패턴 구현을 위한 패턴 마스크(Mask)를 사용하지 않고 디지털 마스크(Digital Mask) 상에 UV 광원을 조사하여 미세 패턴을 구현하는 직접 묘화(Direct Imaging) 방식을 이용한다. A DMD (Digital Mirror Device) -based exposure apparatus uses a UV light source on a digital mask to implement a fine pattern without using a pattern mask for exposure pattern in an exposure process Direct Imaging method is used.

DMD 기반의 노광 장치는 광 조사 광학계(Optical Illumination Optics), DMD 및 광 결상 광학계(Optical Projection Optics)를 포함한다. 광 조사 광학계는 UV 광원에서 발생한 빔(beam)을 DMD에 균일한 복사 조도의 상태로 입력시켜주기 위한 광학계이고, DMD는 집광된 광원의 빔을 원하는 광원 형태로 변조시키는 소자이고, 광 결상 광학계는 PCB(또는 기판) 표면에 노광을 시켜주기 위해서 DMD에서 반사된 노광 패턴을 원하는 배율로 만들어 주는 광학계이다.DMD-based exposure apparatuses include optical illumination optics, DMD, and optical projection optics. The light irradiation optical system is an optical system for inputting a beam generated from a UV light source to the DMD in a state of uniform illumination, the DMD is an element for modulating the beam of the condensed light source into a desired light source shape, It is an optical system that makes the exposure pattern reflected by the DMD to a desired magnification so as to expose the surface of the PCB (or substrate).

종래의 DMD 기반의 노광 장치의 광 조사 광학계는 하나의 광 조사 광학계를 사용하고, DMD에서는 노광 수직축을 따라 하나의 노광 패턴을 생성한다. 따라서, DMD를 이용함에 있어 효율적이지 못하고, 미세 노광 패턴을 생성함에도 한계가 존재한다.In the conventional DMD-based exposure apparatus, one light irradiation optical system is used, and in the DMD, one exposure pattern is generated along the exposure vertical axis. Therefore, it is not efficient in using DMD, and there is a limit in generating a fine exposure pattern.

KRKR 10-076239610-0762396 B1B1

본 발명의 목적은 DMD를 효율적으로 사용할 수 있는 DMD 기반의 노광 장치를 제공한다.An object of the present invention is to provide a DMD-based exposure apparatus capable of efficiently using a DMD.

또한, 미세 노광 패턴을 형성할 수 있는 DMD 기반의 노광 장치를 제공한다.Further, a DMD-based exposure apparatus capable of forming a fine exposure pattern is provided.

또한, 파장별 노광 특성을 달리하여 노광을 수행할 수 있는 DMD 기반의 노광 장치를 제공한다.Also, a DMD-based exposure apparatus capable of performing exposure with different exposure characteristics for respective wavelengths is provided.

상술한 과제를 해결하기 위한 본 발명에 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치는 복수의 마이크로 미러들을 포함하는 DMD; 상기 DMD로 소정의 광을 조사하는 다수의 광 조사 광학계; 상기 DMD에서 상기 다수의 광 조사 광학계 각각에 의한 다수의 노광 패턴이 함께 출력되도록 상기 복수의 마이크로 미러들을 제어하는 DMD 제어기; 및 상기 DMD에서 출력되는 상기 다수의 노광 패턴을 제공받아 소정의 배율로 변조하는 광 결상 광학계;를 포함한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a DMD-based exposure apparatus including: a DMD including a plurality of micromirrors; A plurality of light irradiation optical systems for irradiating predetermined light with the DMD; A DMD controller for controlling the plurality of micro mirrors so that a plurality of exposure patterns by the plurality of light irradiation optical systems are output together in the DMD; And an optical imaging optical system for receiving the plurality of exposure patterns output from the DMD and modulating the exposure patterns at a predetermined magnification.

여기서, 상기 DMD 제어기는 상기 복수의 마이크로 미러들 각각의 회전 각도를 제어하여 상기 다수의 광 조사 광학계 중 하나의 광 조사 광학계에서 방출된 광에 의한 노광 패턴과 다른 하나의 광 조사 광학계에서 방출된 광에 의한 노광 패턴이 상기 DMD에서 함께 출력되도록 할 수 있다.Here, the DMD controller may control the rotation angle of each of the plurality of micromirrors so that the exposure pattern by the light emitted from one of the plurality of light irradiation optical systems and the light emitted from the other light irradiation optical system So that the exposure pattern by the DMD can be output together.

여기서, 상기 다수의 광 조사 광학계는 제1 광 조사 광학계와 제2 광 조사 광학계를 포함하고, 상기 제1 광 조사 광학계와 상기 제2 광 조사 광학계 사이에 상기 DMD가 배치될 수 있다.Here, the plurality of light irradiation optical systems include a first light irradiation optical system and a second light irradiation optical system, and the DMD may be disposed between the first light irradiation optical system and the second light irradiation optical system.

여기서, 상기 다수의 광 조사 광학계는 제1 광 조사 광학계와 제2 광 조사 광학계를 포함하고, 상기 제1 광 조사 광학계와 상기 제2 광 조사 광학계는 상기 DMD를 기준으로 서로 대칭되도록 배치될 수 있다.Here, the plurality of light irradiation optical systems include a first light irradiation optical system and a second light irradiation optical system, and the first light irradiation optical system and the second light irradiation optical system may be arranged to be symmetrical with respect to the DMD .

여기서, 상기 다수의 광 조사 광학계는 상기 DMD를 기준으로 일 측에 함께 배치될 수 있다.Here, the plurality of light irradiation optical systems may be disposed together on one side with respect to the DMD.

여기서, 상기 다수의 광 조사 광학계는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 발광 다이오드는, 365㎚, 385㎚ 및 405㎚ 중 적어도 하나를 중심 파장으로 하는 광을 방출할 수 있다.The plurality of light irradiation optical systems may include light emitting diodes, and the light emitting diodes may emit light having a center wavelength of at least one of 365 nm, 385 nm, and 405 nm.

여기서, 상기 다수의 광 조사 광학계는 발광 다이오드를 포함하고, 상기 다수의 광 조사 광학계 각각에 포함된 발광 다이오드는 서로 다른 중심 파장을 갖는 광을 방출할 수 있다.Here, the plurality of light emitting optical systems include light emitting diodes, and the light emitting diodes included in each of the plurality of light emitting optical systems may emit light having different center wavelengths.

상술한 본 발명의 구성에 따르면, DMD를 효율적으로 사용할 수 있는 이점이 있다.According to the configuration of the present invention described above, there is an advantage that DMD can be efficiently used.

또한, 미세 노광 패턴을 형성할 수 있는 이점이 있다.In addition, there is an advantage that a fine exposure pattern can be formed.

또한, 파장별 노광 특성을 달리하여 노광을 수행할 수 있는 이점이 있다.In addition, there is an advantage that exposure can be performed with different exposure characteristics for each wavelength.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치의 개략적인 측면 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 복수의 광 조사 광학계와 복수의 마이크로 미러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치의 개략적인 측면 구성도이다.
도 4는 도 3에 도시된 복수의 광 조사 광학계와 복수의 마이크로 미러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic side view of a DMD-based exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a view for explaining the operation of the plurality of light irradiation optical systems and the plurality of micromirrors shown in Fig. 1. Fig.
3 is a schematic side view of a DMD-based exposure apparatus according to another embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the plurality of light irradiation optical systems and the plurality of micromirrors shown in FIG. 3;

이하, 본 발명에 따른 DMD 기반의 노광 장치의 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments of a DMD-based exposure apparatus according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치의 개략적인 측면 구성도이고, 도 2는 도 1에 도시된 복수의 광 조사 광학계와 복수의 마이크로 미러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 1 is a schematic side view of a DMD-based exposure apparatus according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a view for explaining the operation of a plurality of light irradiation optical systems and a plurality of micromirrors shown in FIG. 1 .

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치는 DMD(10), DMD 제어기(30), 다수의 광 조사 광학계(Optical Illumination Optics, 51, 52), 광 결상 광학계(Optical Projection Optics, 70) 및 스테이지(90)를 포함한다. Referring to FIG. 1, a DMD-based exposure apparatus according to an embodiment of the present invention includes a DMD 10, a DMD controller 30, a plurality of optical illumination systems 51 and 52, Optical Projection Optics 70, and a stage 90.

DMD(10)는 각도의 조절이 가능하게 배열된 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14)을 포함한다. 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14) 각각은 DMD 제어기(30)로부터 제공되는 제어 신호에 따라 제어되어 광 조사 광학계(51, 52)롤부터 제공되는 광을 반사한다. 도 2를 참조하여 구체적으로 설명한다.The DMD 10 includes a plurality of micromirrors 11, 12, 13, 14 arranged to be adjustable in angle. Each of the plurality of micromirrors 11, 12, 13 and 14 is controlled in accordance with a control signal provided from the DMD controller 30 to reflect the light provided from the rolls of the irradiation optical systems 51 and 52. Will be described in detail with reference to FIG.

도 2를 참조하면, 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14) 각각은 마운트(15)의 하면을 기준으로 좌우로 각각 소정 각도(θ1, θ2)로 회전 가능하다. 여기서, 제1 각도(θ1)는 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14)이 제1 광 조사 광학계(51)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사할 수 있는 각도이고, 제2 각도(θ2)는 제2 광 조사 광학계(52)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사할 수 있는 각도이다. 제1 및 제2 각도(θ1, θ2)는 대략 10 도(degree)일 수 있다.Referring to FIG. 2, each of the plurality of micromirrors 11, 12, 13, and 14 is rotatable at left and right angles? 1 and? 2 with respect to the bottom surface of the mount 15, respectively. Here, the first angle? 1 is an angle at which the plurality of micromirrors 11, 12, 13, and 14 can reflect light provided from the first light irradiation optical system 51 to the optical imaging optical system 70 And the second angle 2 is an angle at which the light provided from the second light irradiation optical system 52 can be reflected to the optical imaging optical system 70. The first and second angles? 1 and? 2 may be approximately 10 degrees.

복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14)은 DMD 제어기(30)에 의해 회전 각도가 제어된다. 즉, 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14) 각각은 DMD 제어기(30)에 의해 제1 각도(θ1) 또는 제2 각도(θ2)로 회전된다.The rotation angle of the plurality of micromirrors (11, 12, 13, 14) is controlled by the DMD controller (30). That is, each of the micromirrors 11, 12, 13, and 14 is rotated by the DMD controller 30 at the first angle? 1 or the second angle? 2.

DMD 제어기(30)에 의해 제1 마이크로 미러(11)가 제1 각도(θ1)로 회전한 경우, 제1 마이크로 미러(11)는 제1 광 조사 광학계(51)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사하고, 제2 광 조사 광학계(52)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)가 아닌 다른 방향으로 반사한다. 여기서, 제1 광 조사 광학계(51)로부터 조사되어 제1 마이크로 미러(11)에서 반사되는 광은 노광 수직축(X)을 따라 진행하고, 제2 광 조사 광학계(52)로부터 조사되어 제1 마이크로 미러(11)에서 반사되는 광은 노광 수직축(X)을 따라 진행하지 않고 노광 수직축과 소정 각도로 기울진 축을 따라 진행한다. When the first micro mirror 11 is rotated at the first angle? 1 by the DMD controller 30, the first micro mirror 11 transmits the light provided from the first light irradiation optical system 51 to the optical imaging optical system 51. [ (70), and reflects the light provided from the second light irradiation optical system (52) in a direction other than the optical imaging optical system (70). The light emitted from the first light irradiation optical system 51 and reflected by the first micromirror 11 travels along the exposure vertical axis X and is emitted from the second light irradiation optical system 52, The light reflected by the light source 11 does not travel along the vertical exposure axis X but proceeds along the vertical axis at a predetermined angle with respect to the exposure vertical axis.

제2 마이크로 미러(12)는 DMD 제어기(30)에 의해 제어되지만, 제1 마이크로 미러(11)와 다르게 광을 반사한다. 구체적으로, DMD 제어기(30)에 의해 제2 마이크로 미러(12)가 제2 각도(θ2)로 회전한 경우, 제2 마이크로 미러(12)는 제2 광 조사 광학계(52)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사하고, 제1 광 조사 광학계(51)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)가 아닌 다른 방향으로 반사한다. 여기서, 제2 광 조사 광학계(52)로부터 조사되어 제2 마이크로 미러(12)에서 반사되는 광은 노광 수직축(X)을 따라 진행하고, 제1 광 조사 광학계(51)로부터 조사되어 제2 마이크로 미러(12)에서 반사되는 광은 노광 수직축(X)을 따라 진행하지 않고 노광 수직축과 소정 각도로 기울진 축을 따라 진행한다.The second micromirror 12 is controlled by the DMD controller 30, but reflects light differently from the first micromirror 11. More specifically, when the second micro mirror 12 is rotated at the second angle? 2 by the DMD controller 30, the second micro mirror 12 reflects the light provided from the second light irradiation optical system 52 And reflects the light provided from the first light irradiation optical system 51 in a direction other than the optical imaging optical system 70. [ The light emitted from the second light irradiation optical system 52 and reflected by the second micromirror 12 travels along the exposure vertical axis X and is emitted from the first light irradiation optical system 51, The light reflected by the light source 12 does not travel along the exposure vertical axis X but travels along the tilted axis at a predetermined angle with the exposure vertical axis.

제3 마이크로 미러(13)는 DMD 제어기(30)에 의해 제어되고, 제1 마이크로 미러(11)와 동일하게 광을 반사한다.The third micromirror 13 is controlled by the DMD controller 30 and reflects light in the same way as the first micromirror 11.

제4 마이크로 미러(14)는 DMD 제어기(30)에 의해 제어되고, 제2 마이크로 미러(12)와 동일하게 광을 반사한다.The fourth micromirror 14 is controlled by the DMD controller 30 and reflects light in the same manner as the second micromirror 12.

도면에서는, 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14)을 4개로 도시하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14)은 4개 이상으로 복수의 행과 열로 배열될 수 있다.Although the plurality of micromirrors 11, 12, 13 and 14 are shown as four in the figure, the number of the micromirrors 11, 12, 13 and 14 is not limited to four, It can be arranged in rows and columns.

DMD 제어기(30)는 DMD(10)을 제어한다. DMD 제어기(30)는 복수의 마이크로 미러(11, 12, 13, 14)를 개별적으로 제어한다. DMD 제어기(30)는 복수의 마이크로 미러(11, 12, 13, 14)를 개별적으로 제어하기 위해, 소정의 제어 신호를 복수의 마이크로 미러(11, 12, 13, 14) 각각에 제공할 수 있다.The DMD controller 30 controls the DMD 10. The DMD controller 30 controls the plurality of micro mirrors 11, 12, 13, and 14 individually. The DMD controller 30 can provide a predetermined control signal to each of the plurality of micromirrors 11, 12, 13, 14 in order to separately control the plurality of micromirrors 11, 12, 13, .

DMD 제어기(30)는, 도 2에 도시된 바와 같이, 복수의 마이크로 미러(11, 12, 13, 14) 각각을 소정 각도(θ1, θ2)로 회전시킬 수 있다.The DMD controller 30 can rotate each of the plurality of micromirrors 11, 12, 13 and 14 at predetermined angles? 1 and? 2, as shown in FIG.

DMD 제어기(30)는 다수의 광 조사 광학계(51, 52)로부터 DMD(10)로 제공된 광이 DMD(10)에서 서로 다른 다수의 노광 패턴으로 출력되도록 한다. 구체적으로, DMD 제어기(30)는 제1 마이크로 미러(11)와 제3 마이크로 미러(13)를 제1 각도(θ1)로 회전시켜 제1 광 조사 광학계(51)로부터 조사된 광을 소스로 하는 제1 노광 패턴이 광 결상 광학계(70)로 제공되도록 제어할 수 있다. 또한, DMD 제어기(30)는 제2 마이크로 미러(12)와 제3 마이크로 미러(14)를 제2 각도(θ2)로 회전시켜 제1 광 조사 광학계(51)로부터 조사된 광을 소스로 하는 제2 노광 패턴이 광 결상 광학계(70)로 제공되도록 제어할 수 있다.The DMD controller 30 allows the light provided from the plurality of light irradiation optical systems 51 and 52 to the DMD 10 to be output in a plurality of different exposure patterns in the DMD 10. [ Specifically, the DMD controller 30 rotates the first micromirror 11 and the third micromirror 13 at a first angle &thetas; 1, and uses the light emitted from the first light irradiation optical system 51 as a source The first exposure pattern can be controlled to be provided to the optical imaging optical system 70. [ The DMD controller 30 rotates the second micro mirror 12 and the third micro mirror 14 at the second angle? 2 and controls the light emitted from the first light irradiation optical system 51 2 exposure pattern is provided to the optical imaging optical system 70. [

광 조사 광학계(51, 52)는 소정의 광을 DMD(10)로 제공한다. The light irradiation optical systems 51 and 52 provide predetermined light to the DMD 10.

광 조사 광학계(51, 52)는 다수의 광 조사 광학계를 포함한다. 예를 들어, 광 조사 광학계(51, 52)는 제1 광 조사 광학계(51)과 제2 광 조사 광학계(52)를 포함할 수 있다. 여기서, 광 소자 광학계(51, 52)의 개수가 2개로 한정되는 것은 아니며, 3개 이상일 수도 있다.The light irradiation optical systems 51 and 52 include a plurality of light irradiation optical systems. For example, the light irradiation optical systems 51 and 52 may include a first light irradiation optical system 51 and a second light irradiation optical system 52. [ Here, the number of optical element optical systems 51 and 52 is not limited to two, but may be three or more.

다수의 광 조사 광학계(51, 52)는 자외선을 발광하는 발광 다이오드를 포함한다. 각 광 조사 광학계(51, 52)는 적어도 하나 또는 다수의 발광 다이오드를 포함할 수 있다.The plurality of light irradiation optical systems 51 and 52 include light emitting diodes that emit ultraviolet rays. Each of the light irradiation optical systems 51 and 52 may include at least one or more light emitting diodes.

제1 광 조사 광학계(51)에서 방출되는 광은, DMD(10)에서 광 결상 광학계(70)로 출력되는 제1 노광 패턴의 소스가 되고, 제2 광 조사 광학계(52)에서 방출되는 광은, DMD(10)에서 광 결상 광학계(70)로 출력되는 제2 노광 패턴의 소스가 된다. The light emitted from the first light irradiation optical system 51 becomes the source of the first exposure pattern outputted from the DMD 10 to the optical imaging optical system 70 and the light emitted from the second light irradiation optical system 52 becomes , And becomes the source of the second exposure pattern output from the DMD 10 to the optical imaging optical system 70. [

제1 광 조사 광학계(51)와 제2 광 조사 광학계(52) 사이에 DMD(10)가 배치될 수 있다. 예를 들어, 제1 광 조사 광학계(51)와 제2 광 조사 광학계(52)는 DMD(10)를 중심으로 서로 대칭되도록 배치될 수 있다. 이렇게 제1 광 조사 광학계(51)와 제2 광 조사 광학계(52)가 DMD(10)를 중심으로 서로 대칭되도록 배치되면, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 광 조사 광학계(51)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사하지 못하는 다수의 마이크로 미러(12, 14)를 이용하여 제2 광 조사 광학계(52)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사할 수 있다. 따라서, DMD(10)는 서로 다른 다수의 노광 패턴을 광 결상 광학계(70)로 출력할 수 있다.The DMD 10 may be disposed between the first light irradiation optical system 51 and the second light irradiation optical system 52. For example, the first light irradiation optical system 51 and the second light irradiation optical system 52 may be arranged to be symmetrical with respect to the DMD 10 as a center. When the first light irradiation optical system 51 and the second light irradiation optical system 52 are arranged so as to be symmetrical with respect to each other with respect to the DMD 10 as described above, It is possible to reflect the light provided from the second light irradiation optical system 52 to the optical imaging optical system 70 by using a plurality of micromirrors 12 and 14 that can not reflect the light that is incident on the optical imaging optical system 70. Therefore, the DMD 10 can output a plurality of different exposure patterns to the optical imaging optical system 70.

한편, 제1 광 조사 광학계(51)와 제2 광 조사 광학계(52) 사이에 DMD(10)가 배치되되, 제1 광 조사 광학계(51)와 제2 광 조사 광학계(52)는 DMD(10)를 중심으로 서로 대칭되도록 배치되지 않을 수도 있다. 예를 들어, 제2 광 조사 광학계(52)는, 제1 광 조사 광학계(51)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사하지 못하는 다수의 마이크로 미러(12, 14)가 제2 광 조사 광학계(52)로부터 광을 제공받아 노광 수직축(X)으로 광을 반사할 수 있는 소정 위치에 배치될 수 있다.The DMD 10 is disposed between the first light irradiation optical system 51 and the second light irradiation optical system 52. The first light irradiation optical system 51 and the second light irradiation optical system 52 are disposed between the DMD 10 May not be disposed symmetrically with respect to each other. For example, the second light irradiation optical system 52 includes a plurality of micromirrors 12 and 14 that can not reflect the light provided from the first light irradiation optical system 51 to the optical imaging optical system 70, And can be disposed at a predetermined position that can receive light from the irradiation optical system 52 and reflect the light on the exposure vertical axis X. [

다수의 광 조사 광학계(51, 52)에 포함되는 발광 다이오드는 고출력 발광 다이오드로서, 365㎚, 385㎚ 및 405㎚ 중 어느 하나를 중심 파장으로 하는 자외선 광을 방출할 수 있다. The light emitting diodes included in the plurality of light irradiation optical systems 51 and 52 are high output light emitting diodes and can emit ultraviolet light having a center wavelength of any one of 365 nm, 385 nm and 405 nm.

다수의 광 조사 광학계(51, 52)에 포함된 발광 다이오드는 서로 다른 중심 파장을 갖는 자외선 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 광 조사 광학계(51)에 포함된 발광 다이오드와 제2 광 조사 광학계(52)에 포함된 발광 다이오드는 서로 다른 중심 파장을 갖는 자외선 광을 방출할 수 있다. 예를 들어, 제1 광 조사 광학계(51)에 포함된 발광 다이오드는 365nm를 중심 파장으로 하는 자외선 광을 방출하고, 제2 광 조사 광학계(52)에 포함된 발광 다이오드는 385nm를 중심 파장으로 하는 자외선 광을 방출할 수 있다. 이와 같이, 다수의 광 조사 광학계(51, 52)에 포함된 발광 다이오드가 서로 다른 중심 파장을 갖는 자외선 광을 방출하면, 파장별 노광 특성을 달리하는 다수의 노광 패턴을 광 결상 광학계(70)로 제공할 수 있다. The light emitting diodes included in the plurality of light irradiation optical systems 51 and 52 can emit ultraviolet light having different center wavelengths. For example, the light emitting diode included in the first light irradiation optical system 51 and the light emitting diode included in the second light irradiation optical system 52 may emit ultraviolet light having different center wavelengths. For example, the light emitting diode included in the first light irradiation optical system 51 emits ultraviolet light having a center wavelength of 365 nm, and the light emitting diode included in the second light irradiation optical system 52 has a center wavelength of 385 nm Ultraviolet light can be emitted. As described above, when the light emitting diodes included in the plurality of light irradiation optical systems 51 and 52 emit ultraviolet light having different center wavelengths, a plurality of exposure patterns having different exposure characteristics for respective wavelengths are emitted to the optical imaging optical system 70 .

광 결상 광학계(70)는 DMD(10)로부터 제공되는 다수의 노광 패턴을 소정의 배율로 변조하여 스테이지(90)에 안착된 기판(100)에 조사한다.The optical imaging optical system 70 modulates a plurality of exposure patterns provided from the DMD 10 at a predetermined magnification and irradiates the substrate 100 mounted on the stage 90.

광 결상 광학계(70)는 다수의 렌즈와 마이크로 렌즈 어레이를 포함할 수 있다. 다수의 렌즈는 DMD(10)로부터 제공되는 소정의 노광 패턴을 확대 및 해상도를 조절할 수 있고, 마이크로 렌즈 어레이는 렌즈에 의해 확대된 노광 패턴을 소정의 크기로 집약할 수 있다.The optical imaging optical system 70 may include a plurality of lenses and a microlens array. The plurality of lenses can magnify and adjust a predetermined exposure pattern provided from the DMD 10, and the microlens array can converge the exposure pattern enlarged by the lens to a predetermined size.

스테이지(90)는 광 결상 광학계(70) 아래에 배치되고, 스테이지(90)의 상면에는 기판(100)이 안착된다. 기판(100)은 웨이퍼, 글라스 등 패턴을 형성하고자 하는 물체일 수 있다.The stage 90 is disposed below the optical imaging optical system 70 and the substrate 100 is seated on the upper surface of the stage 90. The substrate 100 may be an object to be patterned such as a wafer or a glass.

스테이지(90)는 특정 방향으로 이동가능하다. 스테이지(90)가 이동하는 것에 의해서 기판(100)에 다수의 노광 패턴이 형성될 수 있다.The stage 90 is movable in a specific direction. By moving the stage 90, a plurality of exposure patterns can be formed on the substrate 100.

도 1에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치는, 제1 광 조사 광학계(51)에 의해 DMD(10)가 소정의 마이크로 미러들(11, 13)를 사용하여 제1 노광 패턴을 출력함과 동시에, 제1 노광 패턴을 형성하는데 기여하지 않는 DMD(10)의 마이크로 미러들(12, 14)을 이용하여 제2 광 조사 광학계(52)에 의한 제2 노광 패턴을 출력할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 스테이지(90)에 안착된 기판(100)에 서로 다른 제1 및 제2 노광 패턴을 함께 노광할 수 있어 DMD(10)를 효율적으로 사용할 수 있고, 제1 노광 패턴으로는 기판(100)에 형성할 수 없는 노광 패턴을 제2 노광 패턴을 사용하여 형성할 수 있어 미세 노광 패턴을 형성할 수 있는 이점도 있다.The DMD-based exposure apparatus according to the embodiment of the present invention shown in Fig. 1 is configured such that the DMD 10 is irradiated with the first light irradiation optical system 51 by using the predetermined micro mirrors 11, And outputs the second exposure pattern by the second light irradiation optical system 52 using the micromirrors 12 and 14 of the DMD 10 which do not contribute to forming the first exposure pattern There is an advantage to be able to do. Accordingly, the first and second exposure patterns different from each other can be exposed on the substrate 100 mounted on the stage 90, and the DMD 10 can be efficiently used. In the first exposure pattern, It is possible to form an exposure pattern that can not be formed in the second exposure pattern by using the second exposure pattern, thereby forming a fine exposure pattern.

도 3은 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치의 개략적인 측면 구성도이고, 도 4는 도 3에 도시된 복수의 광 조사 광학계와 복수의 마이크로 미러의 동작을 설명하기 위한 도면이다.FIG. 3 is a schematic side view of a DMD-based exposure apparatus according to another embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a view for explaining operations of a plurality of light irradiation optical systems and a plurality of micromirrors shown in FIG. 3 .

도 3을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치는 DMD(10), DMD 제어기(30), 다수의 광 조사 광학계(51, 52’), 광 결상 광학계(70) 및 스테이지(90)를 포함한다.3, a DMD-based exposure apparatus according to another embodiment of the present invention includes a DMD 10, a DMD controller 30, a plurality of light irradiation optical systems 51 and 52 ', a photo-focusing optical system 70, Stage 90 as shown in FIG.

도 3에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치가 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치와 비교하여 다른 점은, 다수의 광 조사 광학계(51, 52’)가 DMD(10)를 기준으로 일 측에 함께 배치된다는 점이다. 그리고, DMD 제어기(30)가 DMD(10)의 복수의 마이크로 미러(11, 12, 13, 14)를 제어함에 있어서 약간의 차이가 있다. 이를 구체적으로 설명한다.A DMD-based exposure apparatus according to another embodiment of the present invention shown in FIG. 3 differs from the DMD-based exposure apparatus according to an embodiment of the present invention shown in FIG. 1 in that a plurality of light irradiation optical systems 51, 52 'are arranged together on one side with respect to the DMD 10. There is a slight difference when the DMD controller 30 controls the plurality of micro mirrors 11, 12, 13, and 14 of the DMD 10. This will be explained in detail.

도 4를 참조하면, 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14) 각각은 마운트(15)의 하면을 기준으로 좌우로 각각 소정 각도(θ3, θ4)로 회전 가능한대, 이러한 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14) 각각의 회전은 DMD 제어기(30)에 의해 제어된다.4, each of the plurality of micro mirrors 11, 12, 13, and 14 is rotatable at a predetermined angle (? 3,? 4) on the left and right sides with respect to the lower surface of the mount 15, The rotation of each of the mirrors 11, 12, 13, 14 is controlled by the DMD controller 30.

DMD 제어기(30)는 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14) 중 제1 노광 패턴을 생성하기 위한 마이크로 미러들(11, 13)이 제1 광 조사 광학계(51)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사할 수 있도록 제어하고, 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14) 중 제2 노광 패턴을 생성하기 위한 마이크로 미러들(12, 14)이 제2 광 조사 광학계(52’)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사할 수 있도록 제어한다. The DMD controller 30 controls the micromirrors 11 and 13 for generating the first exposure pattern of the plurality of micromirrors 11, 12, 13 and 14 from the light emitted from the first light irradiation optical system 51 And the micromirrors 12 and 14 for generating the second exposure pattern of the plurality of micromirrors 11, 12, 13 and 14 are controlled to be reflected to the optical imaging optical system 70, So that the light provided from the irradiation optical system 52 'can be reflected to the optical imaging optical system 70.

제3 각도(θ3)는 복수의 마이크로 미러들(11, 12, 13, 14)이 제1 광 조사 광학계(51)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사할 수 있는 각도이고, 제4 각도(θ4)는 제2 광 조사 광학계(52’)로부터 제공되는 광을 광 결상 광학계(70)로 반사할 수 있는 각도이다.The third angle? 3 is an angle at which the plurality of micromirrors 11, 12, 13, and 14 can reflect light provided from the first light irradiation optical system 51 to the optical imaging optical system 70, 4 angle [theta] 4 is an angle capable of reflecting the light provided from the second light irradiation optical system 52 'to the optical imaging optical system 70. [

도 3에 도시된 본 발명의 다른 실시 형태에 따른 DMD 기반의 노광 장치도, 제1 광 조사 광학계(51)에 의해 DMD(10)가 소정의 마이크로 미러들(11, 13)를 사용하여 제1 노광 패턴을 출력함과 동시에, 제1 노광 패턴을 형성하는데 기여하지 않는 DMD(10)의 마이크로 미러들(12, 14)를 이용하여 제2 광 조사 광학계(52’)에 의한 제2 노광 패턴을 출력할 수 있는 장점이 있다. 따라서, 스테이지(90)에 안착된 기판(100)에 서로 다른 제1 및 제2 노광 패턴을 함께 노광할 수 있어 DMD(10)를 효율적으로 사용할 수 있고, 제1 노광 패턴으로는 기판(100)에 형성할 수 없는 노광 패턴을 제2 노광 패턴을 사용하여 형성할 수 있어 미세 노광 패턴을 형성할 수 있는 이점도 있다.The DMD-based exposure apparatus according to another embodiment of the present invention shown in Fig. 3 is also the DMD-based exposure apparatus in which the DMD 10 is irradiated with the first light irradiation optical system 51 by using the predetermined micro mirrors 11, The second exposure pattern by the second light irradiation optical system 52 'is outputted by using the micromirrors 12 and 14 of the DMD 10 which do not contribute to the formation of the first exposure pattern There is an advantage that it can output. Accordingly, the first and second exposure patterns different from each other can be exposed on the substrate 100 mounted on the stage 90, and the DMD 10 can be efficiently used. In the first exposure pattern, It is possible to form an exposure pattern that can not be formed in the second exposure pattern by using the second exposure pattern, thereby forming a fine exposure pattern.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 상술한 본 발명의 기술적 구성은 본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자가 본 발명의 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.While the present invention has been described with reference to exemplary embodiments, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed embodiments, but, on the contrary, As will be understood by those skilled in the art.

10: DMD
30: DMD 제어기
51, 52, 52’: 광 조사 광학계(Optical Illumination Optics)
70: 광 결상 광학계(Optical Projection Optics)
90: 스테이지
100: 기판10: DMD
30: DMD controller
51, 52, 52 ': Optical Illumination Optics
70: Optical Projection Optics
90: stage
100: substrate

Claims (7)

복수의 마이크로 미러들을 포함하는 DMD;
상기 DMD로 소정의 광을 조사하는 다수의 광 조사 광학계;
상기 DMD에서 상기 다수의 광 조사 광학계 각각에 의한 다수의 노광 패턴이 함께 출력되도록 상기 복수의 마이크로 미러들을 제어하는 DMD 제어기; 및
상기 DMD에서 출력되는 상기 다수의 노광 패턴을 제공받아 소정의 배율로 변조하는 광 결상 광학계;를 포함하고,
상기 다수의 광 조사 광학계는 상기 DMD를 기준으로 양 측에 비대칭적으로 배치되고,
상기 다수의 광 조사 광학계 각각은 발광 다이오드를 포함하고,
상기 다수의 광 조사 광학계에 포함된 발광 다이오드들은 서로 다른 중심 파장을 갖는 광을 방출하는, DMD 기반의 노광 장치.A DMD including a plurality of micromirrors;
A plurality of light irradiation optical systems for irradiating predetermined light with the DMD;
A DMD controller for controlling the plurality of micro mirrors so that a plurality of exposure patterns by the plurality of light irradiation optical systems are output together in the DMD; And
And an optical imaging optical system for receiving the plurality of exposure patterns output from the DMD and modulating the exposure patterns at a predetermined magnification,
Wherein the plurality of light irradiation optical systems are arranged asymmetrically on both sides with respect to the DMD,
Wherein each of the plurality of light emitting optical systems includes a light emitting diode,
Wherein the light emitting diodes included in the plurality of light emitting optical systems emit light having different center wavelengths. 복수의 마이크로 미러들을 포함하는 DMD;
상기 DMD로 소정의 광을 조사하는 다수의 광 조사 광학계;
상기 DMD에서 상기 다수의 광 조사 광학계 각각에 의한 다수의 노광 패턴이 함께 출력되도록 상기 복수의 마이크로 미러들을 제어하는 DMD 제어기; 및
상기 DMD에서 출력되는 상기 다수의 노광 패턴을 제공받아 소정의 배율로 변조하는 광 결상 광학계;를 포함하고,
상기 다수의 광 조사 광학계는 상기 DMD를 기준으로 일 측에 함께 배치되고,
상기 다수의 광 조사 광학계에서 조사되어 상기 복수의 마이크로 미러들 중 어느 하나의 마이크로 미러로 입사되는 광들과 노광 수직축이 이루는 각도들은 서로 다르고,
상기 다수의 광 조사 광학계 각각은 발광 다이오드를 포함하고,
상기 다수의 광 조사 광학계에 포함된 발광 다이오드들은 서로 다른 중심 파장을 갖는 광을 방출하는, DMD 기반의 노광 장치.A DMD including a plurality of micromirrors;
A plurality of light irradiation optical systems for irradiating predetermined light with the DMD;
A DMD controller for controlling the plurality of micro mirrors so that a plurality of exposure patterns by the plurality of light irradiation optical systems are output together in the DMD; And
And an optical imaging optical system for receiving the plurality of exposure patterns output from the DMD and modulating the exposure patterns at a predetermined magnification,
Wherein the plurality of light irradiation optical systems are disposed together on one side with respect to the DMD,
Wherein the plurality of micromirrors are different from each other in the angle of the exposure vertical axis with respect to the light beams irradiated from the plurality of light irradiation optical systems and incident on any one of the plurality of micromirrors,
Wherein each of the plurality of light emitting optical systems includes a light emitting diode,
Wherein the light emitting diodes included in the plurality of light emitting optical systems emit light having different center wavelengths. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 DMD 제어기는 상기 복수의 마이크로 미러들 각각의 회전 각도를 제어하여 상기 다수의 광 조사 광학계 중 하나의 광 조사 광학계에서 방출된 광에 의한 노광 패턴과 다른 하나의 광 조사 광학계에서 방출된 광에 의한 노광 패턴이 상기 DMD에서 함께 출력되도록 하는, DMD 기반의 노광 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the DMD controller controls an angle of rotation of each of the plurality of micromirrors so that the exposure pattern by the light emitted from one of the plurality of light emitting optical systems and the light emitted by the other light emitting optical system And the exposure pattern is output together in the DMD. 제 3 항에 있어서,
상기 하나의 광 조사 광학계에서 방출된 광에 의한 노광 패턴과 상기 다른 하나의 광 조사 광학계에서 방출된 광에 의한 노광 패턴은 서로 다른, DMD 기반의 노광 장치.The method of claim 3,
Wherein the exposure pattern by the light emitted from the one light irradiation optical system is different from the exposure pattern by the light emitted by the other light irradiation optical system. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 다수의 광 조사 광학계는 제1 광 조사 광학계와 제2 광 조사 광학계를 포함하고,
상기 제1 광 조사 광학계에 포함된 발광 다이오드는 365nm를 중심 파장으로 하는 자외선 광을 방출하고, 상기 제2 광 조사 광학계에 포함된 발광 다이오드는 385nm를 중심 파장으로 하는 자외선 광을 방출하는, DMD 기반의 노광 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the plurality of light irradiation optical systems include a first light irradiation optical system and a second light irradiation optical system,
Wherein the light emitting diode included in the first light emitting optical system emits ultraviolet light having a center wavelength of 365 nm and the light emitting diode included in the second light emitting optical system emits ultraviolet light having a center wavelength of 385 nm, . 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 다수의 광 조사 광학계 각각에 포함된 발광 다이오드는, 365㎚, 385㎚ 및 405㎚ 중 적어도 하나를 중심 파장으로 하는 광을 방출하는, DMD 기반의 노광 장치.3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the light emitting diodes included in each of the plurality of light irradiation optical systems emit light having a center wavelength of at least one of 365 nm, 385 nm, and 405 nm. 삭제delete
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100762396B1 (en) 2006-05-16 2007-10-02 엘지전자 주식회사 Dmd aligning method for maskless exposure apparatus
KR20120028803A (en) * 2010-09-14 2012-03-23 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Exposure apparatus and light source
JP2013210517A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Orc Manufacturing Co Ltd Mask-less exposure device
KR20150034502A (en) * 2013-09-26 2015-04-03 엘지디스플레이 주식회사 Method Of Manufacturing Maskless Exposure Apparatus
US9040229B2 (en) * 2013-01-25 2015-05-26 Kent State University Maskless process for pre-tilting liquid crystal molecules

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100762396B1 (en) 2006-05-16 2007-10-02 엘지전자 주식회사 Dmd aligning method for maskless exposure apparatus
KR20120028803A (en) * 2010-09-14 2012-03-23 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 Exposure apparatus and light source
JP2013210517A (en) * 2012-03-30 2013-10-10 Orc Manufacturing Co Ltd Mask-less exposure device
US9040229B2 (en) * 2013-01-25 2015-05-26 Kent State University Maskless process for pre-tilting liquid crystal molecules
KR20150034502A (en) * 2013-09-26 2015-04-03 엘지디스플레이 주식회사 Method Of Manufacturing Maskless Exposure Apparatus

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