KR101714737B1 - 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치 - Google Patents

범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법에 관한 것으로서, 스탬프 형성단계와, 제1성형단계와, 제1전사단계와, 제2성형단계와, 제2전사단계를 포함한다. 스탬프 형성단계는 기판의 원하는 위치에 폴리머 액적을 디스펜싱하면서 기판에 액체 상태의 다수의 범프가 구비되는 범프형 스탬프를 형성한다. 제1성형단계는 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층이 형성되고 경화층 내부의 범프는 액체 상태가 유지되도록 범프를 성형한다. 제1전사단계는 소자가 배치된 소스 기판과 범프형 스탬프를 접촉시켜, 소스 기판의 소자를 범프에 전사한다. 제2성형단계는 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 경화층 내부의 범프까지 경화되도록 범프를 성형한다. 제2전사단계는 수신 기판과 범프형 스탬프를 접촉시켜, 범프에 부착된 소자를 수신 기판에 전사한다.

Description

범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치{Selective transferring method and apparatus using bump type stamp}
본 발명은 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치에 관한 것으로서, 디스펜싱 공정을 이용하여 스탬프를 제조하고, 제조된 스탬프의 점착력을 제어하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 공정을 이용하는 고성능 소자들은 웨이퍼를 기반으로 한 코팅 공정, 노광 공정, 현상 공정, 식각 공정, 박막 공정, 이온주입 공정, 산화 공정, 확산 공정 등 다양한 방법을 통해 웨이퍼 기판 상에 구현이 된다. 이는 다이싱(dicing), 다이 본딩(die bonding), 와이어 본딩(wire bonding), 몰딩(molding) 등의 패키징 공정을 통하여 부품의 형태를 가지게 된다. 우리가 흔히 볼 수 있는 반도체, 메모리 칩(chip) 등이 이러한 과정을 통하여 생산이 이루어지게 된다.
한편, 인쇄 전자 기술을 기반으로 유연한 소자 부품을 제작하고자 하는 시도가 이루어지고 있으며, 주로 디스플레이, RFID, 태양광발전 등 일부 제품군에 대해 적용하는 사례가 등장하고 있다. 인쇄 전자 기술의 경우 반도체 공정에 비해 비교적 낮은 온도이거나 상온에서 이루어지는 것이 일반적이며, 코팅 공정, 프린팅 공정, 패터닝 공정 등에 의해 소자가 제작되며 배선 및 전극 형성을 위한 후공정과 접합이나 절단 등의 과정을 거쳐 유연한 부품을 얻을 수 있게 된다.
실제로 소자를 이용하여 디바이스를 제작하는 경우, 배선과 그 이외의 용도를 갖는 공간이 필요하게 된다. 즉 소자와 소자 사이에 공간이 필요하게 되는데, 웨이퍼 상에 모든 소자를 한꺼번에 전사하게 되면 이러한 소자와 소자 사이의 공간이 형성될 수 없기 때문에 디바이스 제작에 어려움이 따른다.
또한, 디바이스가 단일 종류의 소자로 이루어진 경우가 아니라 여러 종류의 소자들로 이루어지는 경우에는, 하나의 소자를 전사한 후 그 부근에 다른 소자를 전사하여야 한다. 이러한 예시에서 알 수 있는 바와 같이, 디바이스 제작을 위한 소자 전사 공정에 있어서 소자를 선택적으로 전사하는 과정이 필요한 경우가 많다.
전사 공정에 있어서는 패턴된 스탬프를 이용하여 이러한 선택적 전사가 이루어지도록 하는 기술은 이미 알려져 있다. 종래 기술에서는 소스 기판 상에 특정 형상으로 배열된 다수 개의 소자들의 배열 형태와 동일 형태로 배열된 돌출부를 가지는 스탬프를 사용하여 소자들을 스탬프 상에 전사하고, 수신 기판 상에 소자가 배열되기를 원하는 부분에만 돌출부가 형성되도록 하여 수신 기판의 돌출부 부분에만 소자가 전사되도록 함으로써, 궁극적으로 선택적 전사가 이루어지도록 하였다.
그러나 종래에는 스탬프를 제작하기 위하여 스탬프의 패턴과 대응하는 패턴을 가지는 몰드를 제조해야 하는데, 스탬프의 돌출부가 미세화될수록 이러한 몰드의 제조 공정이 복잡하고, 비용이 과다하게 소요되는 문제점이 있었다. 이러한 제조 공정의 복잡성 및 비용 문제뿐만 아니라, 몰드와 스탬프의 압착 후 스탬프를 경화시키는 과정에서 수축 현상이 발생하여 스탬프에 형성되는 패턴의 형상 및 치수가 변화되면서, 최종적으로 제조된 스탬프의 치수정밀도가 현저하게 저하되는 문제점이 있었다.
또한, 소스 기판 상의 소자들을 스탬프에 전사하는 과정에서 미리 정해진 가압력보다 큰 가압력이 작용할 경우 스탬프의 패턴이 변형되면서 스탬프에서 패턴 이외의 부분이 소스 기판 상의 소자들과 접촉할 위험이 있다. 이러한 경우 전사되지 않아야 할 소자까지 스탬프에 전사되면서 전체적인 공정 불량이 발생하게 되는 문제점 또한 있었다.
한국등록특허공보 제10-1521205호(2015.05.12 등록, 발명의 명칭 : 접촉 제어를 통한 선택적 연속 전사 장치)
따라서, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 디스펜싱 공정을 이용하여 범프형 스탬프를 제조하고, 에너지의 조사량, 이형속도, 가압력 중 어느 하나를 이용하여 범프형 스탬프의 점착력을 제어함으로써, 선택적 전사용 스탬프의 제조 공정을 단순화할 수 있고, 별도의 몰드를 제조할 필요가 없어 비용 또한 절감할 수 있는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치를 제공함에 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법은, 기판의 원하는 위치에 폴리머 액적을 디스펜싱하면서 상기 기판에 액체 상태의 다수의 범프가 구비되는 범프형 스탬프를 형성하는 스탬프 형성단계; 상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 상기 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층이 형성되고 상기 경화층 내부의 범프는 액체 상태가 유지되도록 상기 범프를 성형하는 제1성형단계; 소자가 배치된 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜, 소스 기판의 소자를 상기 범프에 전사하는 제1전사단계; 상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 상기 경화층 내부의 범프까지 경화되도록 상기 범프를 성형하는 제2성형단계; 및 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜, 상기 범프에 부착된 소자를 상기 수신 기판에 전사하는 제2전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법에 있어서, 상기 제1성형단계에서 조사되는 열 또는 자외선빔의 파워와, 상기 제2성형단계에서 조사되는 열 또는 자외선빔의 파워는 동일할 수 있다.
본 발명에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법에 있어서, 상기 제1전사단계에서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시킨 후 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 떼어내는 속도인 제1이형속도는, 상기 제2전사단계에서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시킨 후 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 떼어내는 속도인 제2이형속도보다 빠를 수 있다.
본 발명에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법에 있어서, 상기 제1전사단계에서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키면서 가하는 제1하중은, 상기 제2전사단계에서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키면서 가하는 제2하중보다 클 수 있다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법은, 기판의 원하는 위치에 폴리머 액적을 디스펜싱하면서 상기 기판에 다수의 액체 상태의 범프가 구비되는 범프형 스탬프를 형성하는 스탬프 형성단계; 상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 상기 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층이 형성되고 상기 경화층 내부의 범프는 액체 상태가 유지되도록 상기 범프를 성형하는 성형단계; 소자가 배치된 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜 소스 기판의 소자를 상기 범프에 전사하며, 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 제1이형속도로 떼어내는 제1전사단계; 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜 상기 범프에 부착된 소자를 상기 수신 기판에 전사하며, 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 상기 제1이형속도보다 느린 제2이형속도로 떼어내는 제2전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법은, 기판의 원하는 위치에 폴리머 액적을 디스펜싱하면서 상기 기판에 다수의 액체 상태의 범프가 구비되는 범프형 스탬프를 형성하는 스탬프 형성단계; 상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 상기 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층이 형성되고 상기 경화층 내부의 범프는 액체 상태가 유지되도록 상기 범프를 성형하는 성형단계; 소자가 배치된 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜 소스 기판의 소자를 상기 범프에 전사하며, 제1하중을 가하면서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키는 제1전사단계; 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜 상기 범프에 부착된 소자를 상기 수신 기판에 전사하며, 상기 제1하중보다 작은 제2하중을 가하면서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키는 제2전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
한편, 상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사장치는, 기판에 다수의 액체 상태의 범프가 구비되는 범프형 스탬프를 형성하기 위하여 상기 기판의 원하는 위치에 폴리머 액적을 디스펜싱하는 디스펜싱 유닛; 상기 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층이 형성되고 상기 경화층 내부의 범프는 액체 상태가 유지되도록 상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하는 제1조사유닛; 소스 기판의 소자가 상기 범프에 전사되도록 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키고 떼어내는 제1전사유닛; 상기 경화층 내부의 범프까지 경화되도록 상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하는 제2조사유닛; 및 상기 범프에 부착된 소자가 상기 수신 기판에 전사되도록 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키고 떼어내는 제2전사유닛;을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치에 따르면, 선택적 전사용 스탬프의 제조 공정을 단순화할 수 있고, 별도의 몰드를 제조할 필요가 없어 비용 또한 절감할 수 있다.
또한, 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치에 따르면, 다양한 소재의 소자에 대하여 호환성 있게 대응할 수 있다.
또한, 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치에 따르면, 경화 과정에서 수축에 의한 변형이나 범프 간 치수 변화가 거의 없어 범프형 스탬프의 치수정밀도를 높일 수 있다.
또한, 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치에 따르면, 다품종 소량생산의 제품에 있어서 다양한 범프형 스탬프를 용이하게 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법을 순서적으로 도시한 도면이고,
도 2는 도 1의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1성형단계와 제2성형단계를 설명하기 위한 도면이고,
도 3은 도 1의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1전사단계와 제2전사단계를 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법을 순서적으로 도시한 도면이고,
도 5는 도 4의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1전사단계와 제2전사단계를 설명하기 위한 도면이고,
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법을 순서적으로 도시한 도면이고,
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
이하, 본 발명에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치의 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법을 순서적으로 도시한 도면이고, 도 2는 도 1의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1성형단계와 제2성형단계를 설명하기 위한 도면이고, 도 3은 도 1의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1전사단계와 제2전사단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법은 디스펜싱 공정을 이용하여 스탬프를 제조하고, 제조된 스탬프의 점착력을 제어하는 것으로서, 스탬프 형성단계(S10)와, 제1성형단계(S20)와, 제1전사단계(S30)와, 제2성형단계(S40)와, 제2전사단계(S50)를 포함한다.
상기 스탬프 형성단계(S10)는 기판(11)에 액체 상태의 다수의 범프(12)가 구비되는 범프형 스탬프(10)를 형성한다.
기판(11)의 원하는 위치에 폴리머 액적(1)을 디스펜싱하면서 범프형 스탬프(10)를 형성한다. 선택적 전사 공정 중 범프형 스탬프(10)에 전사되는 소스 기판(30)의 소자(31)의 크기, 간격 등에 따라 폴리머 액적(1)의 토출량, 토출되는 간격 등을 조절하면서 기판(11)상에 폴리머 액적(1)을 디스펜싱하면, 기판(11)상에 토출된 폴리머 액적(1)은 범프 형상을 가지게 된다.
이러한 디스펜싱 과정을 반복하면, 일정 정도의 점성을 가진 액체 상태의 다수의 범프(12)가 기판(11)상에 원하는 패턴으로 형성될 수 있으며, 최종적으로 기판(11)과 다수의 범프(12)로 구성된 범프형 스탬프(10)를 형성할 수 있다.
본 실시예에서 기판(11)에 디스펜싱되는 폴리머 액적(1)은 NOA 65 재료가 이용될 수 있는데, 이러한 재료로 한정되는 것은 아니고 자외선 파장대의 빔 또는 열에 의해 경화될 수 있는 다양한 재료가 이용될 수 있다.
또한, 본 실시예에서 범프(12)가 형성되는 기판(11)은 금속 기판, 폴리머 기판 등 다양한 재질의 기판이 사용 가능하다.
스탬프 형성단계(S10)에서는 디스펜싱되는 폴리머 액적(1)의 토출량을 조정하거나 또는 범프(12)가 형성되는 기판(11)에 표면처리를 수행함으로써, 범프(12)의 형상이나 높이를 제어하여 다양한 범프형 스탬프(10)를 용이하게 제조할 수 있다.
상기 제1성형단계(S20)는 범프(12)의 외측에는 일정 두께의 경화층(21)이 형성되고 경화층 내부의 범프는 액체(22) 상태가 유지되도록 범프(12)를 성형한다.
제1성형단계(S20)에서는 우선 액체 상태의 범프(12)에 열 또는 자외선빔(UV1)을 조사한다. 본 실시예에서는 100nm ~ 400nm의 파장대를 가지는 자외선빔(UV1)을 범프(12)에 조사한다. 도 1에서는 자외선빔(UV1)을 조사하는 것으로 도시하였으나, 열가소성 폴리머 액적을 이용하여 범프(12)를 형성할 경우 열을 조사하는 것도 가능하다.
이때, 범프(12) 전체가 경화되지 않고, 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층(21)이 형성되고 경화층 내부의 범프는 액체(22) 상태가 유지될 정도의 에너지를 범프(12)에 공급한다. 범프(12) 전체가 경화될 경우 범프(12)의 점착력이 낮아 후술할 제1전사단계(S30)에서 소스 기판(30)의 소자(31)가 범프(12)에 전사되지 못할 수 있다.
따라서, 제1성형단계(S20)에서는 액체 상태의 범프(12)에 자외선빔(UV1)을 조사하여, 범프(12)의 외측에는 일정 두께의 경화층(21)이 형성되고 경화층 내부의 범프는 액체(22) 상태가 유지되도록 범프(12)를 성형함으로써, 제1전사단계(S30)에서 소스 기판의 소자(31)가 범프(12)에 점착될 수 있도록 범프(12)에 점착력을 형성한다.
상기 제1전사단계(S30)는 소자(31)가 배치된 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시켜 소스 기판의 소자(31)를 범프(12)에 전사한다.
제1성형단계(S20)를 통해 범프형 스탬프(10)의 범프(12)가 경화층(21)과 액체(22)가 공존하는 상태로 성형되어 원하는 점착력을 확보한 상태에서, 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시킨 후 이들을 다시 떼어내면 소스 기판의 소자(31)는 범프(12)에 전사된다.
소자의 제조 생산성을 고려하여 소스 기판(30) 상에 소자(31)들이 빽빽하게 배열되어 있다고 하더라도, 최종적으로 소자(31)들이 수신 기판(40) 상에 배치될 영역에 대응하는 영역에만 스탬프 형성단계(S10)를 통해 범프(12)가 형성되도록 함으로써, 소스 기판(30) 상에서 소자(31)들을 선택적으로 일부만 전사할 수 있다.
상기 제2성형단계(S40)는 경화층 내부의 범프까지 경화(23)되도록 범프(12)를 성형한다.
제2성형단계(S40)에서는 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층(21)이 형성되고 경화층 내부의 범프는 액체(22) 상태가 유지되는 상태의 범프(12)에 열 또는 자외선빔(UV2)을 조사한다. 본 실시예에서는 100nm ~ 400nm의 파장대를 가지는 자외선빔(UV2)을 범프(12)에 조사한다.
이때, 경화층 내부의 범프가 경화(23)될 정도, 즉 범프 전체가 경화(23)될 정도의 에너지를 범프(12)에 공급한다. 범프 전체가 경화(23)될 경우 범프(12)의 점착력은 제1성형단계(S20)와 비교하여 상대적으로 낮아지므로, 후술할 제2전사단계(S50)에서 범프(12)에 부착된 소자(31)가 수신 기판(40)에 전사되도록 한다.
제1성형단계(S20)에서 조사되는 열 또는 자외선빔(UV1)의 파워와, 제2성형단계(S40)에서 조사되는 열 또는 자외선빔(UV2)의 파워는 동일한 것이 바람직하다.
제1성형단계(S20)에서 조사되는 자외선빔(UV1)의 파워와 제2성형단계(S40)에서 조사되는 자외선빔(UV2)의 파워는 동일하게 유지한 상태에서 자외선빔을 조사하는 시간을 조절함으로써, 최종적으로 제2성형단계(S40)가 완료된 상태의 범프(12)에 조사된 에너지와 제1성형단계(S20)가 완료된 상태의 범프(12)에 조사된 에너지를 조절할 수 있다.
예를 들어, 자외선빔의 파워는 동일한 상태에서 제1성형단계(S20)에서 자외선빔(UV1)을 조사하는 시간을 50초, 제2성형단계(S40)에서 자외선빔(UV2)을 조사하는 시간을 50초로 조절하면, 최종적으로 제2성형단계(S40)가 완료된 상태의 범프(12)에 조사된 에너지는 제1성형단계(S20)가 완료된 상태의 범프(12)에 조사된 에너지의 2배가 될 수 있다.
도 1의 제2성형단계(S40)에서 소자(31)의 상측에서 자외선빔(UV2)을 조사하는 것으로 도시하였으나, 소자(31)가 광학적으로 불투명한 재질인 경우 기판(11)을 광학적으로 투명한 재질로 형성하여 기판(11)의 하측에서 자외선빔(UV2)을 조사하여 범프(12)를 경화시킬 수도 있다. 이와 같이 자외선빔(UV2)을 조사하는 방향은 도 1에 도시된 것에 의해 한정되지 않는다.
상기 제2전사단계(S50)는 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시켜 범프(12)에 부착된 소자(31)를 수신 기판(40)에 전사한다.
제2성형단계(S40)를 통해 범프형 스탬프(10)의 범프 전체가 경화(23)된 상태로 성형되어 원하는 점착력을 확보한 상태에서, 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시킨 후 이들을 다시 떼어내면 범프(12)에 부착된 소자(31)는 수신 기판(40)에 전사된다.
도 2를 참조하면서, 범프(12)의 점착력을 제어하는 원리를 설명하면 다음과 같다. 범프의 점착력 변화 그래프(51)에서, 범프(12)에 조사된 에너지가 아주 작은 범위(E1 이하의 범위)에서는 조사된 에너지가 많을수록 범프(12)의 점착력이 증가하지만, 범프(12)에 조사된 에너지가 어느 정도 충분한 범위(E1 이상의 범위)에서는 조사된 에너지가 많을수록 범프(12)의 점착력이 감소하는 추세를 보이게 된다. 본 발명에서는 범프(12)에 조사된 에너지가 어느 정도 충분한 범위(E1 이상의 범위)를 이용한다.
제1성형단계(S20)에서는 범프(12)에 자외선빔(UV1)을 조사하여 에너지(E1)를 공급하면, 경화층(21)과 액체(22)가 공존하는 상태(A1)로 범프가 성형되면서 상대적으로 높은 점착력(C1)을 가지게 된다. 제1성형단계(S20)를 통해 형성된 상대적으로 높은 점착력(C1)으로 인해 제1전사단계(S30)에서 소스 기판의 소자(31)가 범프(12)에 전사될 수 있다.
또한, 제2성형단계(S40)에서는 범프(12)에 자외선빔(UV2)을 재차 조사하여 상대적으로 많은 에너지(E2)를 공급하면, 범프 전체가 경화(23)된 상태(A2)로 범프(12)가 성형되면서 상대적으로 낮은 점착력(C2)을 가지게 된다. 제2성형단계(S40)를 통해 형성된 상대적으로 낮은 점착력(C2)으로 인해 제2전사단계(S50)에서 범프(12)에 부착된 소자(31)가 수신 기판(40)에 전사될 수 있다.
한편, 제1전사단계(S30)에서 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시킨 후 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제1이형속도(V1)는, 제2전사단계(S50)에서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시킨 후 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제2이형속도(V2)보다 빠른 것이 바람직하다.
도 3의 (a)를 참조하면, 기판과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도가 상대적으로 빠른 경우의 범프(12)의 점착력 변화 그래프(53)와, 기판과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도가 상대적으로 느린 경우의 범프(12)의 점착력 변화 그래프(54)가 도시되어 있다.
실험적으로, 범프(12)에 조사된 에너지가 동일한 상태에서 기판과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도가 상대적으로 빠른 경우의 범프(12)의 점착력이, 기판과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도가 상대적으로 느린 경우의 범프(12)의 점착력보다 큰 것을 알 수 있다.
따라서, 제1성형단계(S20)를 통해 경화층(21)과 액체(22)가 공존하는 상태(A3)로 범프(12)가 성형되면 제1전사단계(S30)에서 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제1이형속도(V1)를 상대적으로 빠르게 하여 범프(12)의 점착력(C3)을 크게 함으로써, 소자(31)가 소스 기판(30)에서 범프(12)로 용이하게 전사될 수 있도록 한다. 또한, 제2성형단계(S40)를 통해 범프 전체가 경화(23)된 상태(A4)로 범프(12)가 성형되면 제2전사단계(S50)에서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제2이형속도(V2)를 상대적으로 느리게 하여 범프(12)의 점착력(C4)을 작게 함으로써, 소자(31)가 범프(12)에서 수신 기판(40)으로 용이하게 전사될 수 있도록 한다.
한편, 제1전사단계(S30)에서 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시키면서 가하는 제1하중(F1)은, 제2전사단계(S50)에서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시키면서 가하는 제2하중(F2)보다 큰 것이 바람직하다.
도 3의 (b)를 참조하면, 기판과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중이 상대적으로 큰 경우의 범프(12)의 점착력 변화 그래프(55)와, 기판과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중이 상대적으로 작은 경우의 범프(12)의 점착력 변화 그래프(56)가 도시되어 있다.
실험적으로, 범프(12)에 조사된 에너지가 동일한 상태에서 기판과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중이 상대적으로 큰 경우의 범프(12)의 점착력이, 기판과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중이 상대적으로 작은 경우의 범프(12)의 점착력보다 큰 것을 알 수 있다.
따라서, 제1성형단계(S20)를 통해 경화층(21)과 액체(22)가 공존하는 상태(A5)로 범프(12)가 성형되면 제1전사단계(S30)에서 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중인 제1하중(F1)을 상대적으로 크게 하여 범프의 점착력(C5)을 크게 함으로써, 소자(31)가 소스 기판(30)에서 범프(12)로 용이하게 전사될 수 있도록 한다. 또한, 제2성형단계(S40)를 통해 범프 전체가 경화(23)된 상태(A6)로 범프(12)가 성형되면 제2전사단계(S50)에서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중인 제2하중(F2)을 상대적으로 작게 하여 범프의 점착력(C6)을 작게 함으로써, 소자(31)가 범프(12)에서 수신 기판(40)으로 용이하게 전사될 수 있도록 한다.
도 4는 본 발명의 제2실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법을 순서적으로 도시한 도면이고, 도 5는 도 4의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1전사단계와 제2전사단계를 설명하기 위한 도면이다.
도 4 및 도 5에 있어서, 도 1 내지 도 3에 도시된 부재들과 동일한 부재번호에 의해 지칭되는 부재들은 동일한 구성 및 기능을 가지는 것으로서, 그들 각각에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법은 스탬프 형성단계(S10)와, 성형단계(S21)와, 제1전사단계(S31)와, 제2전사단계(S51)를 포함한다.
상기 스탬프 형성단계(S10)는 기판(11)의 원하는 위치에 폴리머 액적(1)을 디스펜싱하면서 기판(11)에 다수의 액체 상태의 범프(12)가 구비되는 범프형 스탬프(10)를 형성한다.
본 실시예의 스탬프 형성단계(S10)는 본 발명인 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1실시예에서 설명된 스탬프 형성단계와 실질적으로 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기 성형단계(S21)는 범프(12)에 열 또는 자외선빔(UV1)을 조사하여, 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층(21)이 형성되고 경화층 내부의 범프는 액체(22) 상태가 유지되도록 범프(12)를 성형한다.
본 실시예의 성형단계(S21)는 본 발명인 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1실시예에서 설명된 제1성형단계(S20)와 실질적으로 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기 제1전사단계(S31)는 소자(31)가 배치된 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시켜 소스 기판의 소자(31)를 범프(12)에 전사하며, 이때 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 상대적으로 빠른 제1이형속도(V1)로 떼어낸다.
상기 제2전사단계(S51)는 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시켜 범프(12)에 부착된 소자(31)를 수신 기판(40)에 전사하며, 이때 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 제1이형속도(V1)보다 느린 제2이형속도(V2)로 떼어낸다.
도 5의 (a)를 참조하면, 기판과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도가 상대적으로 빠른 경우의 범프의 점착력 변화 그래프(57)와, 기판과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도가 상대적으로 느린 경우의 범프의 점착력 변화 그래프(58)가 도시되어 있다.
실험적으로, 범프(12)에 조사된 에너지가 동일한 상태에서 기판과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도가 상대적으로 빠른 경우의 범프(12)의 점착력이, 기판과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도가 상대적으로 느린 경우의 범프(12)의 점착력보다 큰 것을 알 수 있다.
따라서, 성형단계(S21)를 통해 경화층(21)과 액체(22)가 공존하는 상태로 범프(12)가 성형된 상태에서, 제1전사단계(S31)에서는 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제1이형속도(V1)를 상대적으로 빠르게 하여(A7) 범프(12)의 점착력(C7)을 크게 함으로써, 소자(31)가 소스 기판(30)에서 범프(12)로 용이하게 전사될 수 있도록 한다. 또한, 제2전사단계(S51)에서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제2이형속도(V2)를 상대적으로 느리게 하여(A8) 범프(12)의 점착력(C8)을 작게 함으로써, 소자(31)가 범프(12)에서 수신 기판(40)으로 용이하게 전사될 수 있도록 한다.
본 실시예에서도 제1전사단계(S31)에서 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시키면서 가하는 제1하중(F1)은, 제2전사단계(S51)에서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시키면서 가하는 제2하중(F2)보다 큰 것이 바람직하다.
도 6은 본 발명의 제3실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법을 순서적으로 도시한 도면이다.
도 6에 있어서, 도 1 내지 도 5에 도시된 부재들과 동일한 부재번호에 의해 지칭되는 부재들은 동일한 구성 및 기능을 가지는 것으로서, 그들 각각에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 6 및 도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법은 스탬프 형성단계(S10)와, 성형단계(S21)와, 제1전사단계(S32)와, 제2전사단계(S52)를 포함한다.
상기 스탬프 형성단계(S10)는 기판(11)의 원하는 위치에 폴리머 액적(1)을 디스펜싱하면서 기판(11)에 다수의 액체 상태의 범프(12)가 구비되는 범프형 스탬프(10)를 형성한다.
본 실시예의 스탬프 형성단계(S10)는 본 발명인 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1실시예에서 설명된 스탬프 형성단계와 실질적으로 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기 성형단계(S21)는 범프(12)에 열 또는 자외선빔(UV1)을 조사하여, 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층(21)이 형성되고 경화층 내부의 범프는 액체(22) 상태가 유지되도록 범프(12)를 성형한다.
본 실시예의 성형단계(S21)는 본 발명인 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1실시예에서 설명된 제1성형단계(S20)와 실질적으로 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
상기 제1전사단계(S32)는 소자(31)가 배치된 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시켜 소스 기판의 소자(31)를 범프(12)에 전사하며, 이때 제1하중(F1)을 가하면서 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시킨다.
상기 제2전사단계(S52)는 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시켜 범프(12)에 부착된 소자(31)를 수신 기판(40)에 전사하며, 이때 제1하중(F1)보다 작은 제2하중(F2)을 가하면서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시킨다.
도 5의 (b)를 참조하면, 기판과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중이 상대적으로 큰 경우의 범프의 점착력 변화 그래프(59)와, 기판과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중이 상대적으로 작은 경우의 범프의 점착력 변화 그래프(60)가 도시되어 있다.
실험적으로, 범프(12)에 조사된 에너지가 동일한 상태에서 기판과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중이 상대적으로 큰 경우의 범프(12)의 점착력이, 기판과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중이 상대적으로 작은 경우의 범프(12)의 점착력보다 큰 것을 알 수 있다.
따라서, 성형단계(S21)를 통해 경화층(21)과 액체(22)가 공존하는 상태로 범프(12)가 성형된 상태에서, 제1전사단계(S32)에서는 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중인 제1하중(F1)을 상대적으로 크게 하여(A9) 범프의 점착력(C9)을 크게 함으로써, 소자(31)가 소스 기판(30)에서 범프(12)로 용이하게 전사될 수 있도록 한다. 또한, 제2전사단계(S52)에서는 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 압착하는 하중인 제2하중(F2)을 상대적으로 작게 하여(A10) 범프의 점착력(C10)을 작게 함으로써, 소자(31)가 범프(12)에서 수신 기판(40)으로 용이하게 전사될 수 있도록 한다.
본 실시예에서도 제1전사단계(S32)에서 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시킨 후 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제1이형속도(V1)는, 제2전사단계(S52)에서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시킨 후 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제2이형속도(V2)보다 빠른 것이 바람직하다.
도 7은 본 발명의 일 실시예에 따른 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사장치를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 7에 있어서, 도 1 내지 도 6에 도시된 부재들과 동일한 부재번호에 의해 지칭되는 부재들은 동일한 구성 및 기능을 가지는 것으로서, 그들 각각에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 본 실시예의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사장치(100)는 디스펜싱 유닛(110)과, 제1조사유닛(120)과, 제1전사유닛(130)과, 제2조사유닛(140)과, 제2전사유닛(150)을 포함한다.
상기 디스펜싱 유닛(110)은 기판(11)에 다수의 액체 상태의 범프(12)가 구비되는 범프형 스탬프(10)를 형성하기 위하여, 기판(11)의 원하는 위치에 폴리머 액적(1)을 디스펜싱한다.
상기 제1조사유닛(120)은 범프(12)의 외측에는 일정 두께의 경화층(21)이 형성되고 경화층 내부의 범프는 액체(22) 상태가 유지되도록 범프(12)에 열 또는 자외선빔(UV1)을 조사한다.
상기 제1전사유닛(130)은 소스 기판의 소자(31)가 범프(12)에 전사되도록 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시키고 떼어낸다.
상기 제2조사유닛(140)은 경화층 내부의 범프까지 경화(23)되도록 범프(12)에 열 또는 자외선빔(UV2)을 조사한다.
상기 제2전사유닛(150)은 범프(12)에 부착된 소자(31)가 수신 기판(40)에 전사되도록 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시키고 떼어낸다.
본 실시예에서도 제1전사유닛(130)에서 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제1이형속도(V1)는, 제2전사유닛(150)에서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 떼어내는 속도인 제2이형속도(V2)보다 빠른 것이 바람직하다.
또한, 제1전사유닛(130)에서 소스 기판(30)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시키면서 가하는 제1하중(F1)은, 제2전사유닛(150)에서 수신 기판(40)과 범프형 스탬프(10)를 접촉시키면서 가하는 제2하중(F2)보다 큰 것이 바람직하다.
본 실시예의 디스펜싱 유닛(110), 제1조사유닛(120)과, 제1전사유닛(130)과, 제2조사유닛(140)과, 제2전사유닛(150)은 본 발명인 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법의 제1실시예에서 설명된 스탬프 형성단계(S10)와, 제1성형단계(S20)와, 제1전사단계(S30)와, 제2성형단계(S40)와, 제2전사단계(S50)와 각각 실질적으로 기능이 동일하므로, 상세한 설명은 생략한다.
본 실시예의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사장치(100)는 컨베이어 벨트(101) 등에 의해 범프형 스탬프(10), 소스 기판(30), 수신 기판(40) 등이 이송되면서 선택적 전사 공정을 연속적으로 수행할 수 있으며, 범프형 스탬프(10), 소스 기판(30), 수신 기판(40) 등이 롤 타입으로 구비되면서 선택적 전사 공정을 연속적으로 수행할 수 있다.
본 발명은 도면 등의 예시에 의해 평면 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치로 설명되었지만, 롤을 기반으로 한 연속 선택적 전사방법 및 전사장치로 이용될 수 있다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치는, 디스펜싱 공정을 이용하여 범프형 스탬프를 제조함으로써, 선택적 전사용 스탬프의 제조 공정을 단순화할 수 있고, 별도의 몰드를 제조할 필요가 없어 비용 또한 절감할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치는, 에너지의 조사량, 이형속도, 가압력 중 어느 하나를 이용하여 범프형 스탬프의 점착력을 조절할 수 있으므로, 다양한 소재의 소자에 대하여 호환성 있게 대응할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치는, 범프형 스탬프에서 범프가 독립적으로 존재하므로 경화 과정에서 수축에 의한 변형이나 범프 간 치수 변화가 거의 없어 범프형 스탬프의 치수정밀도를 높일 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이 구성된 본 발명의 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법 및 전사장치는, 디스펜싱되는 폴리머 액적의 토출량을 조정하거나 또는 범프가 형성되는 기판의 표면처리를 수행하여 범프의 형상이나 높이를 제어할 수 있으므로, 다품종 소량생산의 제품에 있어서 다양한 범프형 스탬프를 용이하게 제조할 수 있는 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예 및 변형례에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.
10 : 범프형 스탬프
11 : 기판
12 : 범프
30 : 소스 기판
31 : 소자
40 : 수신 기판

Claims (11)

  1. 기판의 원하는 위치에 폴리머 액적을 디스펜싱하면서 상기 기판에 액체 상태의 다수의 범프가 구비되는 범프형 스탬프를 형성하는 스탬프 형성단계;
    상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 상기 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층이 형성되고 상기 경화층 내부의 범프는 액체 상태가 유지되도록 상기 범프를 성형하는 제1성형단계;
    소자가 배치된 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜, 소스 기판의 소자를 상기 범프에 전사하는 제1전사단계;
    상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 상기 경화층 내부의 범프까지 경화되도록 상기 범프를 성형하는 제2성형단계; 및
    수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜, 상기 범프에 부착된 소자를 상기 수신 기판에 전사하는 제2전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1성형단계에서 조사되는 열 또는 자외선빔의 파워와, 상기 제2성형단계에서 조사되는 열 또는 자외선빔의 파워는 동일한 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1전사단계에서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시킨 후 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 떼어내는 속도인 제1이형속도는, 상기 제2전사단계에서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시킨 후 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 떼어내는 속도인 제2이형속도보다 빠른 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1전사단계에서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키면서 가하는 제1하중은, 상기 제2전사단계에서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키면서 가하는 제2하중보다 큰 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법.
  5. 기판의 원하는 위치에 폴리머 액적을 디스펜싱하면서 상기 기판에 다수의 액체 상태의 범프가 구비되는 범프형 스탬프를 형성하는 스탬프 형성단계;
    상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 상기 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층이 형성되고 상기 경화층 내부의 범프는 액체 상태가 유지되도록 상기 범프를 성형하는 성형단계;
    소자가 배치된 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜 소스 기판의 소자를 상기 범프에 전사하며, 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 제1이형속도로 떼어내는 제1전사단계;
    수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜 상기 범프에 부착된 소자를 상기 수신 기판에 전사하며, 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 상기 제1이형속도보다 느린 제2이형속도로 떼어내는 제2전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제1전사단계에서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키면서 가하는 제1하중은, 상기 제2전사단계에서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키면서 가하는 제2하중보다 큰 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법.
  7. 기판의 원하는 위치에 폴리머 액적을 디스펜싱하면서 상기 기판에 다수의 액체 상태의 범프가 구비되는 범프형 스탬프를 형성하는 스탬프 형성단계;
    상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하여, 상기 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층이 형성되고 상기 경화층 내부의 범프는 액체 상태가 유지되도록 상기 범프를 성형하는 성형단계;
    소자가 배치된 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜 소스 기판의 소자를 상기 범프에 전사하며, 제1하중을 가하면서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키는 제1전사단계;
    수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시켜 상기 범프에 부착된 소자를 상기 수신 기판에 전사하며, 상기 제1하중보다 작은 제2하중을 가하면서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키는 제2전사단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1전사단계에서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시킨 후 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 떼어내는 속도인 제1이형속도는, 상기 제2전사단계에서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시킨 후 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 떼어내는 속도인 제2이형속도보다 빠른 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사방법.
  9. 기판에 다수의 액체 상태의 범프가 구비되는 범프형 스탬프를 형성하기 위하여 상기 기판의 원하는 위치에 폴리머 액적을 디스펜싱하는 디스펜싱 유닛;
    상기 범프의 외측에는 일정 두께의 경화층이 형성되고 상기 경화층 내부의 범프는 액체 상태가 유지되도록 상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하는 제1조사유닛;
    소스 기판의 소자가 상기 범프에 전사되도록 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키고 떼어내는 제1전사유닛;
    상기 경화층 내부의 범프까지 경화되도록 상기 범프에 열 또는 자외선빔을 조사하는 제2조사유닛; 및
    상기 범프에 부착된 소자가 수신 기판에 전사되도록 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키고 떼어내는 제2전사유닛;을 포함하는 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1전사유닛에서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 떼어내는 속도인 제1이형속도는, 상기 제2전사유닛에서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 떼어내는 속도인 제2이형속도보다 빠른 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사장치.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1전사유닛에서 상기 소스 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키면서 가하는 제1하중은, 상기 제2전사유닛에서 상기 수신 기판과 상기 범프형 스탬프를 접촉시키면서 가하는 제2하중보다 큰 것을 특징으로 하는 범프형 스탬프를 이용한 선택적 전사장치.
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