KR101711644B1 - Light emitting diode package - Google Patents

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Abstract

여기에서는 수지를 재료로 하여 몰딩, 특히, 사출성형에 의해 만들어지는 수지 성형체를 포함하는 발광다이오드 패키지가 개시된다. 이 발광다이오드 패키지는, 상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형되되, 저면에 게이트 잔존부가 있는 수지 성형체와; 상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과; 상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체의 일부분에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고, 상기 게이트 잔존부는 상기 광폭 갭의 직하에 위치한다.Here, a light emitting diode package including a resin molded body made by molding using a resin as a material, in particular, by injection molding is disclosed. The light emitting diode package includes: a resin molded body which is molded so as to include a cavity on an upper surface thereof, the resin molded body having a gate remaining on the bottom surface; A first lead frame and a second lead frame supported so as to face each other with respect to the resin molding; And a light emitting diode chip housed in the cavity and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, wherein a gap between the first lead frame and the second lead frame, which is narrowed by a part of the resin molding, A gap and a wide gap are formed, and the remaining gate portion is located directly under the wide gap.

Description

발광다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}[0001] LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE [0002]

본 발명은 발광다이오드 패키지에 관한 것이며, 특히, 패키지 몸체로 사출 성형과 같은 수지 몰딩 기술에 의해 제작된 수지 성형체를 포함하는 발광다이오드 패키지에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting diode package, and more particularly, to a light emitting diode package including a resin molded body manufactured by a resin molding technique such as injection molding with a package body.

발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 발광 효율이 높고, 수명이 길며, 소비전력이 낮으며, 친환경적이라는 많은 장점들을 갖는다. 통상 발광 다이오드는, 발광다이오드 칩이 탑재된 패키지의 구조로 제작되며, 이러한 패키지 구조의 발광다이오드를 흔히 발광다이오드 패키지라 부르고 있다. Light emitting diodes (LEDs) have many advantages such as high luminous efficiency, long life, low power consumption, and being environmentally friendly. Generally, a light emitting diode is fabricated by a package structure in which a light emitting diode chip is mounted, and a light emitting diode with such a package structure is often called a light emitting diode package.

일반적으로, 발광다이오드 패키지는 발광다이오드 칩에 전류를 인가하기 위한 리드프레임들과, 그러한 리드프레임들을 지지하는 대략 하우징 형태의 패키지 몸체와, 발광다이오드 칩을 보호하기 위해 투광성 재료로 형성된 봉지재 또는 렌즈를 포함한다. In general, the light emitting diode package includes lead frames for applying current to the light emitting diode chip, a package body in the form of a roughly housing supporting the lead frames, an encapsulant made of a light transmitting material for protecting the light emitting diode chip, .

PPA(Polypthalamide) 등과 같은 플라스틱 수지를 금형 내에서 몰딩하여 제작된 수지 성형체가 패키지 몸체로 많이 이용되고 있다. 몰딩 방식으로는 사출 성형이 많이 이용된다. 이렇게 제작된 수지 성형체는, 리드프레임들을 지지하도록 성형되되, 내부의 리드프레임들을 발광 다이오드 칩과 함께 상부로 노출시키는 캐비티를 상면에 포함한다. 리드프레임이 지지되어 있는 금형 내로 수지를 주입하기 위해 하나 이상의 게이트가 이용된다.PPA (polypthalamide) or the like is molded into a mold, a resin molded body is often used as a package body. Injection molding is widely used as a molding method. The resin molded body thus fabricated has a cavity on its upper surface which is shaped to support the lead frames and which exposes the lead frames inside together with the light emitting diode chip. At least one gate is used to inject the resin into the mold where the lead frame is supported.

종래에는 리드프레임을 거꾸로 뒤집어 상형과 하형 사이의 금형 공간 내에 배치하고 리드프레임의 뒷면을 향하도록 그 리드프레임과 마주하는 금형의 상부, 즉, 상형에 게이트를 설치하고, 금형의 하부, 즉, 하형으로 리드프레임의 상부 형상을 막은 후, 게이트를 통해 상형과 하형에 의해 한정된 금형 공간 내로 수지를 주입하여 수지 성형체를 제작하는 사출 성형 기술이 많이 채택되어 왔다. 이 기술은 리드프레임들에 대해 얇은 두께로 수지 성형체를 형성하는 많이 이용되고 있다.The lead frame is reversed upside down and placed in the mold space between the upper mold and the lower mold, and a gate is provided on the upper part of the mold facing the lead frame facing the lead frame, that is, the upper mold, An injection molding technique has been widely adopted in which a resin molded body is manufactured by injecting resin into a mold space defined by upper and lower molds through a gate after covering an upper shape of the lead frame. This technique is widely used to form a resin molding with a thin thickness for the lead frames.

그러나, 이 종래의 기술은, 게이트 부분에서 리드프레임으로 인해 수지 유동 공간이 충분치 않아 수지의 흐름성이 나쁘고, 이에 따라, 성형을 마감한 수지 성형체에 버블 등과 같은 미성형 결함을 발생할 우려가 많다. 또한, 게이트와 리드프레임 사이의 짧은 거리로 인해, 게이트 제거시, 수지 일부가 함께 제거되어 리드프레임이 원치 않게 노출되는 불량을 초래한다.However, this conventional technique has a problem that the flowability of the resin is poor due to insufficient resin flow space due to the lead frame in the gate portion, and thus there is a high possibility that unfabricated defects such as bubbles are generated in the resin molded body finished with molding. In addition, due to the short distance between the gate and the lead frame, a portion of the resin is removed together when the gate is removed, resulting in a poorly exposed lead frame.

본 발명이 해결하려는 과제는, 수지 성형체를 몰딩 성형할 때 수직 방향으로의 수직 유동성을 높일 수 있는 개선된 리드프레임 구조를 이용함으로써, 수지 성형체의 성형성과 신뢰성을 높인 발광다이오드 패키지를 제공하는 데에 있다.A problem to be solved by the present invention is to provide a light emitting diode package which is improved in moldability and reliability of a resin molded article by using an improved lead frame structure capable of increasing vertical flowability in the vertical direction when molding the resin molded body have.

본 발명의 일측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형되되, 저면에 게이트 잔존부가 있는 수지 성형체와; 상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과; 상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체의 일부분에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고, 상기 게이트 잔존부는 상기 광폭 갭의 직하에 위치한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including: a resin molded body molded to include a cavity on an upper surface thereof; A first lead frame and a second lead frame supported so as to face each other with respect to the resin molding; And a light emitting diode chip housed in the cavity and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, wherein a gap between the first lead frame and the second lead frame, which is narrowed by a part of the resin molding, A gap and a wide gap are formed, and the remaining gate portion is located directly under the wide gap.

상기 광폭 갭은 상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임의 일측 모서리 일부를 덮도록 위치하는 것이 바람직하다.The wide gap is preferably positioned to cover a part of one side edge of the first lead frame or the second lead frame.

상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱의 상면은 상기 제1 리드프레임의 상면 및 상기 제2 리드프레임의 상면과 동일 평면을 이루는 것이 바람직하다.And the upper surface of the jaw may be flush with the upper surface of the first lead frame and the upper surface of the second lead frame.

바람직하게는, 상기 제1 리드프레임은 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되, 상기 제2 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일부를 구성하는 함몰부를 단부에 포함한다. 더 바람직하게는, 상기 제1 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일측을 형성하는 제1 함몰부를 단부에 포함하고, 상기 제2 리드프레임은 광폭 갭의 타측을 형성하는 제2 함몰부를 단부에 포함한다. 이때, 상기 제2 함몰부의 횡방향 함몰 깊이가 상기 제1 함몰부의 횡방향 함몰 깊이보다 큰 것이 좋다. 또한, 상기 함몰부는 곡선 형태를 갖는 것이 바람직하다.Preferably, the first lead frame has a longer length in the transverse direction than the second lead frame, and the second lead frame includes a depression at an end portion constituting a part of the wide gap. More preferably, the first lead frame includes a first depression at one end forming one side of the wide gap, and the second lead frame includes a second depression at the end which forms the other side of the wide gap. At this time, the transverse depression depth of the second depressed portion may be larger than the transverse depression depth of the first depressed portion. Further, it is preferable that the depression has a curved shape.

바람직하게는, 상기 제1 리드프레임은 상기 발광다이오드 칩이 실장되는 오목한 컵부를 포함하며, 상기 컵부의 저면은 상기 수지 성형체의 저면을 통해 상기 수지 성형체 외부로 노출된다.  Preferably, the first lead frame includes a concave cup portion on which the light emitting diode chip is mounted, and a bottom surface of the cup portion is exposed to the outside of the resin molded body through a bottom surface of the resin molded body.

바람직하게는, 상기 캐비티의 두 교차하는 내벽면들이 상기 광폭 갭과 만나도록 위치한다.Preferably, the two intersecting inner wall surfaces of the cavity are positioned to meet the wide gap.

일 실시예에 따라, 상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱은 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임의 상면보다 높게 돌출될 수 있다.According to one embodiment, the resin molding includes a jaw filling the wide gap, and the jaw may protrude higher than the upper surfaces of the first lead frame and the second lead frame.

본 발명의 다른 측면에 따른 발광다이오드 패키지는, 상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형된 수지 성형체와; 상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과; 상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고, 상기 광폭 갭은 상기 제1 리드프레임 또는 상기 리드프레임의 측면 모서리 일부를 덮도록 위치하고, 상기 캐비티의 두 교차하는 내벽면들이 상기 광폭 갭과 만나도록 위치한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a light emitting diode package including: a resin molded body molded to include a cavity on an upper surface thereof; A first lead frame and a second lead frame supported so as to face each other with respect to the resin molding; And a light emitting diode chip housed in the cavity and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame, wherein a narrow gap filled by the resin molding body is formed between the first lead frame and the second lead frame, A wide gap is formed and the wide gap is located to cover a part of the side edges of the first lead frame or the lead frame and two intersecting inner wall surfaces of the cavity are positioned to meet the wide gap.

본 발명에 따르면, 발광다이오드 칩을 수용하고 제1 리드프레임과 제2 리드프레임을 지지하는 수지 성형체를 몰딩, 특히, 사출성형으로 제작함에 있어서, 상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에 협폭 갭에 더하여 광폭 갭을 추가로 마련하고, 그 광폭 갭의 직하에 게이트를 위치시킴으로써, 몰딩 성형시, 수직 방향으로 게이트 공간을 충분하게 증가시켜 수지의 유동성을 높일 수 있고, 몰딩 성형 후 게이트를 제거할 때, 제1 또는 제2 리드프레임이 노출되는 기존의 불량을 막는데 크게 기여할 수 있다. 수지의 수직 방향 게이트 공간을 늘리는 광폭 갭이 수지 성형체의 캐비티를 둘러싸는 복수(바람직하게는, 4개)의 내측벽들 중 적어도 2개의 내측벽과 만나도록 한 배치에 의해, 상기 내측벽들을 형성하는 수지의 유동성이 더 증가되어, 더 치밀하고 신뢰성 있게 발광다이오드 패키지를 제작할 수 있도록 해준다. 광폭 갭을 통해 수지 성형체의 일부가 돌출되는 것을 줄이되, 광폭 갭의 면적을 늘리는 방식으로, 수지 유동성 향상과 더불어 광 진행 또는 광 반사의 저해 요인을 줄일 수 있다. 특히, 광폭 갭을 돌출하는 턱의 상면을 리드프레임의 상면과 동일 평면이 되도록 하면, 캐비티 수지 턱의 존재로 인하 광 효율 저하를 완전하게 막을 수 있다.According to the present invention, in the case of molding a resin molded article which houses a light emitting diode chip and supports the first lead frame and the second lead frame by molding, in particular, by injection molding, the first lead frame and the second lead frame By providing a wide gap in addition to the narrow gap and positioning the gate directly under the wide gap, the gate space can be sufficiently increased in the vertical direction during molding to increase the fluidity of the resin, The first lead frame or the second lead frame can greatly contribute to preventing the existing defects from being exposed. The inner walls are formed by an arrangement such that a wide gap for increasing the vertical direction gate space of the resin meets at least two inner walls among a plurality (preferably, four) of the inner walls surrounding the cavity of the resin molding The flowability of the resin for the light emitting diode package is further increased, thereby making it possible to fabricate the light emitting diode package more densely and reliably. It is possible to reduce the protrusion of a part of the resin molded article through the wide gap and reduce the factors of inhibiting the light progression or the light reflection as well as the resin flowability by increasing the area of the wide gap. Particularly, if the upper surface of the jaw projecting the wide gap is made flush with the upper surface of the lead frame, the lowering of the light efficiency can be completely prevented by the presence of the cavity resin jaws.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도.
도 2는 도 1에 도시된 발광다이오드 패키지의 평면도.
도 3은 도 1 및 도 2에 도시된 발광다이오드 패키지의 저면도.
도 4a는 도 2의 A-A를 따라 취해진 발광다이오드 패키지의 단면도.
도 4b는 도 2의 B-B를 따라 취해진 발광다이오드 패키지의 단면도.
도 5는 도 1 내지 도 4에 도시된 발광다이오드 패키지의 제1 리드프레임과 제2 리드프레임을 도시한 평면도.
도 6은 도 5에 도시된 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 대하여 수지 성형체를 사출 몰딩하는 공정을 설명하기 위한 도면.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 패키지를 도시한 사시도.
도 8은 도 7에 도시된 발광다이오드 패키지를 도시한 단면도.
도 9는 본 발명에 따라 발광다이오드 패키지의 수지 성형체를 사출성형하는 공정을 설명하기 위한 도면.1 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to an embodiment of the present invention;
2 is a plan view of the light emitting diode package shown in Fig.
3 is a bottom view of the light emitting diode package shown in Figs. 1 and 2. Fig.
4A is a cross-sectional view of a light emitting diode package taken along AA of FIG.
4B is a cross-sectional view of the light emitting diode package taken along BB of FIG.
FIG. 5 is a plan view showing a first lead frame and a second lead frame of the LED package shown in FIGS. 1 to 4. FIG.
Fig. 6 is a view for explaining a step of injection molding a resin molded article with respect to the first lead frame and the second lead frame shown in Fig. 5; Fig.
7 is a perspective view illustrating a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of the light emitting diode package shown in Fig.
9 is a view for explaining a step of injection molding a resin molded article of a light emitting diode package according to the present invention.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 또한, 본 발명의 실시예는 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, embodiments of the present invention are provided to explain the present invention more fully to those skilled in the art, and the following embodiments can be modified into various other forms, Is not limited to the following examples.

도 1, 도 2, 도 3, 도 4a 및 도 4b에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드 패키지(1)는, 패키지의 몸체로서의 역할을 하는 수지 성형체(10)와, 상기 수지 성형체(10)에 지지되는 제1 리드프레임(22) 및 제2 리드프레임(24)과, 상기 제1 리드프레임(22) 및 상기 제2 리드프레임(24)에 전기적으로 연결되어 발광 동작하는 발광다이오드 칩(30)을 포함한다. 상기 수지 성형체(10)의 상면에는 캐비티(11)가 형성되며, 상기 발광다이오드 칩(30)은 상기 캐비티(11)에 수용되어 그 캐비티(11)에 의해 노출된 제1 리드프레임(22)에 실장된다. 도시된 바에 따르면, 상기 제1 리드프레임(22)은 두 부분(22a, 22b)으로 분기되어 수지 성형체(10)의 측면을 통해 외부로 연장되고, 상기 제2 리드프레임(24)도 두 부분(24a, 24b)로 분기되어 수지 성형체(10)의 측면을 통해 외부로 연장된다. 1, 2, 3, 4A and 4B, a light emitting diode package 1 according to an embodiment of the present invention includes a resin molded body 10 serving as a package body, A first lead frame 22 and a second lead frame 24 supported by the resin molded body 10 and electrically connected to the first lead frame 22 and the second lead frame 24, And a light emitting diode chip (30). A cavity 11 is formed on the upper surface of the resin molded body 10 and the LED chip 30 is accommodated in the cavity 11 and exposed to the first lead frame 22 exposed by the cavity 11 Respectively. The first lead frame 22 is branched into two portions 22a and 22b and extends to the outside through the side surface of the resin molded body 10 and the second lead frame 24 is also divided into two portions 24a and 24b and extends outwardly through the side surface of the resin molded body 10. [

상기 수지 성형체(10)는, 몰딩 공정, 더 구체적으로는, 사출성형 공정에 의해 제작된다. 이를 위해서, 제1 및 제2 리드프레임(22, 24)의 일부가 배치된 금형 공간(M; 도 6 참조) 내로 게이트(G; 도 6 참조)를 통해 용융 수지가 주입된 후 경화되는 과정을 거친다. 이때, 제1 및 제2 리드프레임(22, 22)은 저면이 상측을 향하도록 금형 공간(M)에 배치되고, 그에 뒤 이어, 사출성형이 이루어진다. 따라서, 게이트(G)는 금형 공간(M)의 상부, 즉, 상형에 설치되게 된다. 사출성형 후 상기 수지 성형체(10)가 완성되고 수지 성형체(10)를 다시 뒤집으면, 게이트 잔존부(12) 또는 게이트 흔적은 수지 성형체(10)의 저면에 도 3에 도시된 것과 같이 남게 된다. 도 6에서 금형 공간(M)과 게이트(G)는 사출성형 공정의 설명을 위해 일점쇄선으로 개략화하여 나타내었는 바 실제의 금형 공간(M) 및 게이트(G)의 형상과 다를 수 있음에 유의한다. The resin molded body 10 is manufactured by a molding process, more specifically, an injection molding process. To this end, a process in which the molten resin is injected through the gate G (see FIG. 6) into a mold space M (see FIG. 6) in which a part of the first and second lead frames 22, It goes through. At this time, the first and second lead frames 22 and 22 are disposed in the mold space M with the bottom surface facing upward, followed by injection molding. Therefore, the gate G is installed in the upper portion of the mold space M, that is, the upper mold. When the resin molded body 10 is completed after the injection molding and the resin molded body 10 is turned over again, the gate remaining portion 12 or the gate trace remains on the bottom surface of the resin molded body 10 as shown in Fig. In FIG. 6, the mold space M and the gate G are schematically shown by a dot-dash line for explaining the injection molding process, and may be different from the actual shape of the mold space M and the gate G. do.

도 1, 도 2, 도 3, 도 4a, 도 4b, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24)은 서로 이격된 채 단부들끼리 서로 대향되게 배치된다. 상기 제1 리드프레임(22)은 상기 제2 리드프레임(24)보다 횡 방향으로 긴 길이를 갖되, 상기 발광다이오드 칩(30)이 실장되는 오목한 컵부(222)를 포함한다. 상기 컵부(222)는 상기 수지 성형체(10)의 저면을 통해 상기 수지 성형체(10) 외부로 노출되며, 이러한 노출 구조는 발광다이오드 칩(30)의 발광 동작시 발생한 열을 신속하게 외부로 방출하는데 기여한다. Referring to FIGS. 1, 2, 3, 4A, 4B, 5, and 6, the first lead frame 22 and the second lead frame 24 are spaced apart from each other, Respectively. The first lead frame 22 includes a concave cup portion 222 having a longer length in the transverse direction than the second lead frame 24 and on which the LED chip 30 is mounted. The cup portion 222 is exposed to the outside of the resin molded body 10 through the bottom surface of the resin molded body 10 so that the heat generated during the light emitting operation of the LED chip 30 is rapidly discharged to the outside Contributing.

도 5 및 도 6에 가장 잘 도시된 바와 같이, 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24) 사이에는 갭(N, B)이 형성되며, 본 실시예에 따르면, 상기 갭은 서로 연결된 협폭 갭(N)과 광폭 갭(B)을 포함한다. 기존 발광다이오드 패키지의 경우, 이웃하는 두 리드프레임들 사이에 작은 폭의 갭만이 존재하는데 반해, 본 실시예의 경우, 상기 협폭 갭(N)보다 상당히 넓은 폭으로 형성된 광폭 갭(B)이 사출 성형시 용융 수지의 유동성을 높이는데 기여한다. 이때, 상기 광폭 갭(B)은, 사출 성형시 캐비티 주변 측벽들로 용융 수지가 신속히 유동될 수 있도록, 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24)의 일측 모서리 일부를 덮도록 위치한다.5 and 6, gaps N and B are formed between the first lead frame 22 and the second lead frame 24, and according to the present embodiment, Includes a narrow gap (N) and a wide gap (B) connected to each other. In the case of the conventional light emitting diode package, a wide gap B formed between the adjacent two lead frames is formed to have a width much wider than the narrow gap N in the present embodiment, Thereby contributing to enhancement of the fluidity of the molten resin. At this time, the wide gap (B) covers a part of one side edge of the first lead frame (22) and the second lead frame (24) so that the molten resin can quickly flow into the sidewalls of the cavity during injection molding .

사출 성형시 수지를 금형 내 공간으로 주입하는 게이트(G; 도 6 참조)는 상기 광폭 갭(B)과 수직으로 일치하는 위치에 배치되며, 용융 수지는 게이트(G)를 통하여 금형 내로 들어가 리드프레임들(22, 24)의 상부를 채움과 동시에 상기 광폭 갭(B)을 통하여 좋은 유동성으로 리드프레임들(22, 24)의 하부로 흘러 그곳에 존재하는 공간들을 채운다. 도 6에는 하나의 게이트(G)만이 도시되어 있지만, 금형의 적정 위치에 대하여 복수의 게이트를 이용할 수 있다. 이때, 부가적으로 더 이용되는 게이트의 경우 광폭 갭의 위치와 관계없이 배치될 수 있다. A gate (G) (see FIG. 6) for injecting the resin into the mold cavity during injection molding is disposed at a position perpendicular to the wide gap B, and the molten resin enters the mold through the gate G, The upper portions of the lead frames 22 and 24 are filled and the lead wires 22 and 24 flow to the lower portions of the lead frames 22 and 24 with good fluidity through the wide gap B to fill the spaces therein. Although only one gate G is shown in Fig. 6, a plurality of gates can be used for an appropriate position of the mold. At this time, in addition, in the case of a further used gate, it can be arranged irrespective of the position of the wide gap.

금형 공간(M) 내에서 수지가 경화되어 수지 성형체(10)가 도 1 내지 도 4b에 도시된 구조로 형성되면, 게이트(G)가 제거되며, 게이트(G)가 제거된 수지 성형체(10)의 저면에는 도 3에 잘 도시된 것과 같은 게이트 잔존부(12)가 남는다. 따라서, 상기 게이트 잔존부(12)는 광폭 갭(B)의 직하에 위치한다. 1 to 4B, when the resin is cured in the mold space M, the gate G is removed, and the resin molded body 10 from which the gate G is removed, The gate remaining portion 12 as shown in FIG. 3 is left. Therefore, the gate remaining portion 12 is located directly under the wide gap B.

도 1, 도 2, 도 4a 및 도 4b에 잘 도시된 바와 같이, 상기 수지 성형체(10)는 상기 광폭 갭(B)을 메우는 턱(13)을 포함한다. 본 실시예에서, 상기 턱(13)은 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24)보다 높게 돌출되어 있다. 상기 턱(13)이 높을수록, 즉, 사출 성형시 광폭 갭(B)의 수직 방향 공간 높이가 클수록, 게이트를 통한 수지의 주입 특성 및 수지의 유동성이 좋지만, 상기 턱(13)이 너무 높을 경우, 발광다이오드 칩(30)으로부터 방사된 광의 진행 경로를 막아, 발광 효율을 떨어뜨릴 수 있다. 이에 따라, 상기 턱(13)의 높이는 캐비티(11) 높이의 1/2, 더 바람직하게는 1/3 이하로 제한되는 것이 좋다. 이러한 높이 비는 상용 발광다이오드 칩과 상용 발광다이오드 패키지를 기준으로 한 것이며, 상기 캐비티(11)의 높이는 제1 및 제2 리드프레임(22, 24) 상면으로부터 캐비티(11) 최상부까지의 수직 거리를 나타낸다.As shown in FIGS. 1, 2, 4A and 4B, the resin molded body 10 includes a jaw 13 for covering the wide gap B. As shown in FIG. In the present embodiment, the jaws 13 are protruded higher than the first lead frame 22 and the second lead frame 24. The higher the height of the jaw 13, that is, the larger the vertical space height of the wide gap B during injection molding, the better the resin injection characteristics and the resin flowability through the gate. However, if the jaw 13 is too high , The path of light emitted from the light emitting diode chip (30) can be blocked and the luminous efficiency can be lowered. Accordingly, it is preferable that the height of the jaw 13 is limited to 1/2 of the height of the cavity 11, more preferably 1/3 or less. The height of the cavity 11 is a vertical distance from the upper surface of the first and second lead frames 22 and 24 to the top of the cavity 11 .

도 5에 잘 도시된 바와 같이, 상기 제1 리드프레임(22)은 상기 광폭 갭(B)의 일측을 형성하는 제1 함몰부(224)를 단부에 포함하고, 상기 제2 리드프레임(24)은 상기 광폭 갭(B)의 타측을 형성하는 제2 함몰부(244)를 단부에 포함한다. 상기 제1 함몰부(224)와 상기 제2 함몰부(244)에 의해 상기 광폭 갭(B)이 상기 협폭 갭(N)보다 넓은 폭의 영역으로 형성된다. 상기 광폭 갭(B) 및 이를 점유하는 수지 성형체(10)의 턱(13; 도 1, 도 2, 도 4a, 도4b 참조)은 발광다이오드 칩으로부터 멀수록 좋은데, 이를 위해서, 상기 제2 함몰부(244)의 횡방향 함몰 깊이(D2)가 상기 제1 함몰부(224)의 횡방향 함몰 깊이(D1)보다 큰 것이 선호된다. 더 나아가, 상기 제1 함몰부(224)를 생략하는 대신 상기 제2 함몰부(244)를 더 크게 형성할 수 있다. 상기 제1 함몰부(224) 및/또는 상기 제2 함몰부(244)는 완만한 곡선 형태를 갖는 것이 좋으며, 이러한 곡선 형태 또한 수지 유동성을 좋게 하는데 기여한다.5, the first lead frame 22 includes a first depression 224 at one end thereof forming one side of the wide gap B, and the second lead frame 24 includes a second depression 224, Includes a second depression (244) at the end thereof which forms the other side of the wide gap (B). The wide gap B is formed in a region wider than the narrow gap N by the first depressed portion 224 and the second depressed portion 244. It is preferable that the wide gap B and the jaws 13 (see FIGS. 1, 2, 4A, and 4B) of the resin molded body 10 occupying the wide gap B are farther from the LED chip. For this purpose, It is preferred that the transverse depression depth D2 of the first depression 244 is greater than the transverse depression depth D1 of the first depression 224. Furthermore, the second depression (244) may be formed larger than the first depression (224). It is preferable that the first depressed portion 224 and / or the second depressed portion 244 have a gentle curved shape, and the curved shape also contributes to the resin fluidity.

상기 광폭 갭(B) 및 그 광폭 갭(B)을 점유하는 턱(13)은, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 수지 성형체(10)의 캐비티(11)의 한 코너에 위치하여, 상기 캐비티(11)의 두 교차하는 내측벽들과 만나도록 형성된다. 이에 따르면, 사출 성형시 게이트(G; 도 6 참조)를 통해 유입된 용융 수지가 상기 광폭 갭(B; 도 6 참조)에서 서로 교차하는 캐비티의 두 변을 따라 나뉘어 흘러 상기 캐비티(11)의 측벽들을 형성하도록 수지가 흐르는 경로의 거리를 크게 줄여줄 수 있다. The jaw 13 occupying the wide gap B and the wide gap B is located at a corner of the cavity 11 of the resin molded body 10 as shown in Figs. 1 and 2, Are formed to meet two intersecting inner walls of the cavity (11). 6), flows along two sides of the cavity intersecting with each other in the wide gap B (see FIG. 6), and flows into the side wall of the cavity 11 The distance of the resin flowing path can be greatly reduced.

도 7 내지 도 8을 참조하여 본 발명의 다른 실시예를 설명하면 다음과 같다. 이하 실시예의 설명에서 앞에서 설명된 내용은 중복을 피하기 위해 생략된다. 도 8은 광폭 갭과 턱이 함께 보여지도록 절단된 단면을 포함한다. Another embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 7 to 8. FIG. In the following description of the embodiments, the above description is omitted in order to avoid redundancy. Figure 8 includes a section cut so that the wide gap and the jaw are seen together.

도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이, 본 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지(1)는 수지 성형체(10)의 턱(13)이 상기 제1 리드프레임(22)과 상기 제2 리드프레임(24) 사이의 광폭 갭(B)을 점유하도록 형성되되, 상기 턱(13)의 상면은 상기 제1 리드프레임(22)의 상면 및 상기 제2 리드프레임(24)의 상면과 동일 평면을 이룬다. 상기 광폭 갭(B) 직하에는 게이트 잔존부(12)가 존재한다. 이와 같은 구조는, 도 8에 도시된 바와 같이, 캐비티(11) 내에서 턱(13)에 의해 화살표로 표시된 광의 진행이 방해받지 않으므로 발광다이오드 패키지(1) 발광효율을 높일 수 있다. 이때, 턱(13)이 낮아짐으로써 생기는 사출 성형시의 수지 유동성 저하를 막기 위해, 광폭 갭(B)의 면적을 앞선 실시예에 비해 넓게 하는 것이 바람직할 것이다. 7 and 8, the light emitting diode package 1 according to the present embodiment is configured such that the jaws 13 of the resin molded body 10 are connected to the first lead frame 22 and the second lead frame 24 The upper surface of the jaw 13 is coplanar with the upper surface of the first lead frame 22 and the upper surface of the second lead frame 24. As shown in Fig. A gate remaining portion 12 exists immediately below the wide gap B. Such a structure can increase the luminous efficiency of the light emitting diode package 1 because the progress of the light indicated by the arrow is not disturbed by the jaws 13 in the cavity 11 as shown in Fig. At this time, it is preferable to make the area of the wide gap B wider than that of the previous embodiment, in order to prevent a decrease in the fluidity of the resin at the time of injection molding caused by lowering the jaws 13.

도 9를 참조하면, 본 발명에 따라 발광 다이오드 패키지의 수지 성형체를 성형 공정을 설명하기 위한 모식도가 보여진다. 도 9에 도시된 바와 같이, 상부 금형(M1)과 하부 금형(M2)을 합치하여 중간에 금형 공간(M)을 형성한다. 이때, 제1 리드프레임(22)과 제2 리드프레임(24)은 상하를 뒤집어진 채 상기 금형 공간(M) 내에 배치됨을 알 수 있다. 상부 금형(M1)에는 제1 리드프레임(22)과 제2 리드프레임(24) 사이의 광폭 갭(B) 직상에 있도록 게이트(G)가 배치된다. 이때, 성형 후 캐비티가 형성되는 상기 광폭 갭(B)의 아래쪽(수지 성형체의 상부 측)이 하부 금형(M2)에 의해 막히며, 따라서, 용용 수지는 상기 광폭 갭(B)을 지나 캐비티 측으로 더 흐르지 못한다. Referring to FIG. 9, a schematic view for explaining a molding process of a resin molded article of a light emitting diode package according to the present invention is shown. As shown in FIG. 9, the upper mold M1 and the lower mold M2 are aligned to form a mold space M in the middle. At this time, it can be seen that the first lead frame 22 and the second lead frame 24 are arranged in the mold space M while being turned upside down. The gate G is disposed on the upper mold M1 so as to be on the upper side of the wide gap B between the first lead frame 22 and the second lead frame 24. [ At this time, the lower mold (M2) closes the lower side of the wide gap (B) where the cavity is formed after the molding, so that the molten resin passes through the wide gap (B) I can not flow.

10: 수지 성형체 11: 캐비티
12: 게이트 잔존부 13: 턱
22: 제1 리드프레임 24: 제2 리드프레임
B: 광폭 갭 30: 발광다이오드 칩
G: 게이트 M: 금형 공간
224: 제1 함몰부 244: 제2 함몰부10: resin molded article 11: cavity
12: gate remaining part 13: jaw
22: first lead frame 24: second lead frame
B: Wide gap 30: Light emitting diode chip
G: gate M: mold space
224: first depression part 244: second depression part

Claims (16)

상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형되되, 저면에 게이트 잔존부가 있는 수지 성형체와;
상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과;
상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며,
상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체의 일부분에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고,
상기 게이트 잔존부는 상기 광폭 갭의 직하에 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.A resin molded body molded to have a cavity on an upper surface thereof, the resin molded body having a gate remaining on a bottom surface thereof;
A first lead frame and a second lead frame supported so as to face each other with respect to the resin molding;
And a light emitting diode chip accommodated in the cavity and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame,
A narrow gap and a wide gap are formed between the first lead frame and the second lead frame to be filled by a part of the resin molded body,
And the gate remaining portion is located directly under the wide gap. 청구항 1에 있어서,
상기 광폭 갭은 상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임의 일측 모서리 일부를 덮도록 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the wide gap is positioned to cover a part of one side edge of the first lead frame or the second lead frame. 청구항 1에 있어서,
상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱의 상면은 상기 제1 리드프레임의 상면 및 상기 제2 리드프레임의 상면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the upper surface of the jaw is flush with the upper surface of the first lead frame and the upper surface of the second lead frame. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 리드프레임은 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되,
상기 제2 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일부를 구성하는 함몰부를 단부에 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first lead frame has a longer length in the transverse direction than the second lead frame,
And the second lead frame includes a depression at an end portion which constitutes a part of the wide gap. 청구항 4에 있어서,
상기 함몰부는 곡선 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method of claim 4,
Wherein the depression has a curved shape. 청구항 1에 있어서,
상기 제1 리드프레임은 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되,
상기 제1 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일측을 형성하는 제1 함몰부를 단부에 포함하고,
상기 제2 리드프레임은 광폭 갭의 타측을 형성하는 제2 함몰부를 단부에 포함하며,
상기 제2 함몰부의 횡방향 함몰 깊이가 상기 제1 함몰부의 횡방향 함몰 깊이보다 큰 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the first lead frame has a longer length in the transverse direction than the second lead frame,
Wherein the first lead frame includes a first depression at one end forming one side of the wide gap,
Wherein the second lead frame includes a second depression at an end thereof forming the other side of the wide gap,
Wherein a lateral depression depth of the second depression is greater than a transverse depression depth of the first depression. 청구항 4 내지 청구항 6 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 리드프레임은 상기 발광다이오드 칩이 실장되는 오목한 컵부를 포함하며,
상기 컵부의 저면은 상기 수지 성형체의 저면을 통해 상기 수지 성형체 외부로 노출된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to any one of claims 4 to 6,
Wherein the first lead frame includes a concave cup portion on which the light emitting diode chip is mounted,
And the bottom surface of the cup portion is exposed to the outside of the resin molded body through the bottom surface of the resin molded body. 청구항 1에 있어서,
상기 캐비티의 두 교차하는 내벽면들이 상기 광폭 갭과 만나도록 위치하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1,
Wherein two intersecting inner wall surfaces of the cavity are positioned to meet the wide gap. 청구항 1에 있어서,
상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱은 상기 제1 리드프레임 및 상기 제2 리드프레임의 상면보다 높게 돌출된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 1,
Wherein the resin molded body includes a jaw that fills the wide gap, wherein the jaw protrudes higher than the upper surfaces of the first lead frame and the second lead frame. 상면에 캐비티를 포함하도록 몰딩 성형된 수지 성형체와;
상기 수지 성형체에 서로 대향되게 지지되는 제1 리드프레임 및 제2 리드프레임과;
상기 캐비티에 수용되며 상기 제1 리드프레임과 제2 리드프레임에 전기적으로 연결되는 발광다이오드 칩을 포함하며,
상기 제1 리드프레임과 상기 제2 리드프레임 사이에는 상기 수지 성형체에 의해 메워지는 협폭 갭과 광폭 갭이 형성되고,
상기 광폭 갭은 상기 제1 리드프레임 또는 상기 제2 리드프레임의 측면 모서리 일부를 덮도록 위치하고,
상기 광폭 갭은 상기 캐비티의 두 교차하는 내벽면들과 만나도록 상기 캐비티에 노출되고,
상기 제1 리드프레임은 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되,
상기 제1 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일 측을 형성하는 제1 함몰부를 단부에 포함하고,
상기 제2 리드프레임은 상기 광폭 갭의 타 측을 형성하는 제2 함몰부를 단부에 포함하며,
상기 제2 함몰부의 횡방향 함몰 깊이가 상기 제1 함몰부의 횡방향 함몰 깊이보다 큰 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.A resin molding which is molded to include a cavity on an upper surface thereof;
A first lead frame and a second lead frame supported so as to face each other with respect to the resin molding;
And a light emitting diode chip accommodated in the cavity and electrically connected to the first lead frame and the second lead frame,
A narrow gap and a wide gap filled between the first lead frame and the second lead frame are formed by the resin molding,
The wide gap being located to cover a part of the side edges of the first lead frame or the second lead frame,
Wherein the wide gap is exposed to the cavity so as to meet two intersecting inner wall surfaces of the cavity,
Wherein the first lead frame has a longer length in the transverse direction than the second lead frame,
Wherein the first lead frame includes a first depression at one end forming one side of the wide gap,
Wherein the second lead frame includes a second depression at an end thereof forming the other side of the wide gap,
Wherein a lateral depression depth of the second depression is greater than a transverse depression depth of the first depression. 청구항 10에 있어서,
상기 제1 리드프레임은 상기 제2 리드프레임보다 횡방향으로 더 긴 길이를 갖되,
상기 제2 리드프레임은 상기 광폭 갭의 일부를 구성하는 함몰부를 단부에 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method of claim 10,
Wherein the first lead frame has a longer length in the transverse direction than the second lead frame,
And the second lead frame includes a depression at an end portion which constitutes a part of the wide gap. 청구항 11에 있어서, 상기 함몰부는 곡선 형태를 갖는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.12. The light emitting diode package of claim 11, wherein the depression has a curved shape. 삭제delete 청구항 11 또는 청구항 12에 있어서,
상기 제1 리드프레임은 상기 발광다이오드 칩이 실장되는 오목한 컵부를 포함하며,
상기 컵부의 저면은 상기 수지 성형체의 저면을 통해 상기 수지 성형체 외부로 노출된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The method according to claim 11 or 12,
Wherein the first lead frame includes a concave cup portion on which the light emitting diode chip is mounted,
And the bottom surface of the cup portion is exposed to the outside of the resin molded body through the bottom surface of the resin molded body. 청구항 10에 있어서, 상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱은 상기 제1 리드프레임의 상면보다 높게 돌출된 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.The light emitting diode package according to claim 10, wherein the resin molding includes a jaw filling the wide gap, the jaw projecting higher than the upper surface of the first lead frame. 청구항 10에 있어서, 상기 수지 성형체가 상기 광폭 갭을 메우는 턱을 포함하되, 상기 턱의 상면은 상기 제1 리드프레임의 상면 및 상기 제2 리드프레임의 상면과 동일 평면을 이루는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 패키지.11. The light emitting diode according to claim 10, wherein the resin molding includes a jaw filling the wide gap, wherein an upper surface of the jaw is flush with an upper surface of the first lead frame and an upper surface of the second lead frame. package.
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