KR101705517B1 - 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치 및 이를 이용한 고주파 가열방법 - Google Patents

프로그레시브 금형용 고주파 가열장치 및 이를 이용한 고주파 가열방법 Download PDF

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Abstract

프로그레시브 금형용 고주파 가열장치 및 이를 이용한 고주파 가열방법이 개시되어 있다.
이 중, 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치는 전자파 차단 효과가 양호한 페라이트 소재로 되는 상부 개방형의 쉴드하우징; 상기 쉴드하우징의 중점을 중심으로 방사상으로 배열되어 있는 복수의 메인 고주파 발진부재; 상기 메인 고주파 발진부재들을 배열 반경이 확장 또는 축소되는 방향으로 이송시켜주는 메인 확장 또는 축소 이송부재; 상기 메인 고주파 발진부재에 고주파 신호를 인가하여 메인 고주파 발진부재를 활성화시켜 고주파가 발진되게 하는 고주파 발진 컨트롤러;로 구성되되, 상기 메인 고주파 발진부재는 상면에 고주파 발진홀을 갖는 메인 발진체 하우징, 상기 메인 발진체 하우징 내에 설치된 채 상기 고주파 발진홀을 통해 고주파를 발진하는 메인 고주파 발진체, 상기 메인 발진체 하우징의 상부에 결합되어 상기 고주파 발진홀로부터 발진되는 고주파를 분산하여 외부로 발진되게 하는 고주파 분산홀을 갖는 메인 고주파 분산체로 이루어지고, 상기 메인 확장 또는 축소 이송부재는 상기 쉴드하우징의 외주면을 따라 방사상으로 설치된 채, 상기 메인 고주파 발진체가 내장된 메인 발진체 하우징을 상기 쉴드하우징의 중심방향으로 진퇴시켜주는 메인 솔레노이드 플런저를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

프로그레시브 금형용 고주파 가열장치 및 이를 이용한 고주파 가열방법{high-frequency heating apparatus for progressive mold and this progressive molds}
본 발명은 프로그레시브 금형에 적용되어 금형 대상체인 피가열체(금속재료)에 열을 가하여 핫포밍 작업이 가능토록 한 고주파 가열장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 금속재료의 크랙 및 성형변화 예측부위를 고주파에 의해 국부가열하여 연성화함으로써 크랙 방지 및 성형성 향상에 기여되는 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치 및 이를 이용한 고주파 가열방법에 관한 것이다.
고주파 가열은 피가열체의 물리적 성질에 따라 크게 유도가열과 유전자 가열로 나누어지며, 전자는 도전성 금속을 가열하는데 사용하며 후자는 유전손실이 있는 재료 즉, 물, 종이, 플라스틱 등을 가열하는데 주로 이용한다.
또한 가열하는 전원의 주파수에 따라 분류하면 아래의 [표 1]과 같다. 특히, 고주파유도가열에 이용되는 주파수는 더욱 세분화하여 저주파(사용주파수 50~60Hz) 및 중주파(100Hz~10KHz), 고주파(10KHz~500KHz), 라디오주파수(100KHz~500KHz)라 하며 특히 중주파, 고주파, 라디오주파수를 이용한 가열을 고주파 가열이라 한다.
주파수(Hz) 파장(m) 주파수 호칭
 통신관련용도 공업용의
용도
30K~300K 104~103
LF
중파		 일반라디오
방송
 고주파 유도가열
300K~3M 10~10 MF
3M~30M 10~10 HF 단파 단파방송,
무선통신
고주파유도가열
30M~300M 10~1 VHF 초단파 TV방송
300M~3G 1~0.1 UHF
마이크로파
 TV방송
통신
레이더		 마이크로파가열
3G~30G 0.1~0.01 SHD
30G~300G 0.01~0.001 EHF
한편, 모든 재료는 도전성과 유전성으로 크게 구분할 수 있다. 도전성이란 어떤 재료에 전기를 가한다면 그것은 주어진 곳에 머물지 않고 전압이 낮은 곳으로 이동하는데 어떤 재료는 이를 방해하는 저항이 존재하며 이것의 정도에 따라 저항이 적으면 도전체 혹은 도체라 하며 이와는 반대로 저항이 크면 부도체라 부른다.
또한 유전성이란 저항과는 달리 그 값을 유전율로 표시하지만 구태어 고유저항 값으로 표시한다면 유전체로 사용되는 물질의 고유저항은 대체로 큰 부도체인 것이다. 그러므로 모든 재료는 도체와 유전체로 구분될수 있는 것이다.
다음은 이렇게 구분한 재료를 고주파 가열의 대상으로 짝을 지어보면 도체는 유도가열로, 유전체는 쌍극자 진동을 이용한 유전가열로 가열할 수 있으므로 결국 모든 재료는 고주파 가열의 대상이 될 수 있는 것이다.
또한 유도가열을 가열되는 원리로 다시 세분하면 히스테리시스손과 와전류에 의한 가열로 구분된다. 재료중 자성체는 이 두가지 손실을 이용한 가열이 가능하나 불행히도 비자성체는 히스테리시스손에 의한 가열은 불가능하여 가열효율이 상대적으로 낮아지나 우리는 이점을 역이용하여 고주파 가열에서 피가열물을 담는 그릇으로 이용하기도 한다. 고주파 가열은 전기나 연료와 같은 타방식에 비하여 다음과 같은 장점이 있어 최근에 급속히 넓은 분야로 확대되고 있다.
이러한 고주파 가열의 장점으로는 첫 째, 월등한 경제성을 갖는다. 즉, 유도가열은 피가열체 자신에 의해 직접 가열됨으로 효율이 높아 설비 제작비용이 보다 비싸도 총 생산비용은 오히려 타 연료장치의 반 이하로 낮출수 있다.
둘 째, 고품위의 품질을 확보할 수 있다. 즉, 피가열체의 재질과 크기에 따른 적절한 주파수를 선택한다면 균일한 온도와 속도 등을 임의적으로 제어할 수가 있어 대량 생산에 따른 개별 부품의 제품 생산이 가능하다.(특히 국부가열이나 표면 소입처럼 선택가열이 가능한 점은 경제성뿐만 아니라 열처리 기술에는 절대적인 필요 조건이다)
세 째, 비접촉식 가열은 피가열체를 가열원으로부터 완벽한 분리, 차단이 가능하여 각종 오염을 방지 할 수 있다. 반도체 웨퍼용 실리콘 제조공정에 응용 한다.(이 방법은 3000℃이상 초고온의 가열과 각종 가스 분위기나 진공상태에서의 가열도 가능하여 최근 첨단 기술의 응용분야에 쓰이고 있다.)
네 째, 초단위의 신속한 작업처리가 가능하다. 즉, 열처리, 금속접합, 건조등 고주파 가열은 대부분 초단위의 작업처리가 가능하다. 이와같은 신속한 처리는 재료의 재질 변화를 방지함과 함께 자동화 부품과같은 대량생산이 요구될때 앞뒤공정(프레스와열처리)과의 생산속도를 맞출 수 있는 택 시스템의 도입이 가능하게 된다. 이는 타 연료장치에 의한 가열에서는 상상도 할 수 없는 큰 장점인 것이다.
다섯 째, 재료를 절감할 수 있다. 즉, 주석 도금시 이 방식을 이용하면 주석이 순간적으로 녹아 철판 표면에 균일하게 밀착되어 종래의 주석 용융액에 적시는 방법에 소요 되었던 주석양의 1/3만으로도 만족스럽게 피복시킬수 있다.
그러나, 현재까지 프로그레시브 금형분야에서는 상기한 고주파 가열장치가 적용된 예가 없다. 따라서, 종래에는 제품 성형과정에서 재료의 성분 및 작업 시 온도조건(동절기) 및 재료의 냉각에 따른 취성증가로 제품 성형 시 크랙이 발생하거나 제품 치수변화로 인하여 불량률 증가 및 생산성 저하 등의 문제점이 발생하였다.
또한, 제품 형상에 따른 재료의 연신률의 차이를 고려하여 제품을 성형해야 하므로 공정(1차 포밍, 2차 포밍, 3차 포밍)의 증가로 인한 금형의 대형화가 필요하게 되고, 고장력 강판의 밴딩작업시에도 과도한 스프링 백으로 인하여 제품성형에 어려움이 있었다.
1. 공개실용신안공보 제20-2000-0003481호 2. 공개특허공보 제10-1987-0008601호 3. 공개실용신안공보 제20-2000-0018306호
본 발명의 목적은 피가열체(금속재료)의 크랙 및 성형변화 예측부위를 고주파에 의해 국부가열하여 연성화함으로써 크랙 방지 및 성형성 향상에 기여되는 프로그레이스 금형용 고주파 가열장치를 제공함에 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 상기 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치를 이용하는 프로그레시브 금형용 고주파 가열방법을 제공함에 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에 언급한 과제들에 제한되지 않으며, 언급되지 않는 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 관점에 따르면, 전자파 차단 효과가 양호한 페라이트 소재로 되는 상부 개방형의 쉴드하우징; 상기 쉴드하우징의 중점을 중심으로 방사상으로 배열되어 있는 복수의 메인 고주파 발진부재; 상기 메인 고주파 발진부재들을 배열 반경이 확장 또는 축소되는 방향으로 이송시켜주는 메인 확장 또는 축소 이송부재; 상기 메인 고주파 발진부재에 고주파 신호를 인가하여 고주파 발진부재를 활성화시켜 고주파가 발진되게 하는 고주파 발진 컨트롤러;로 구성되되, 상기 메인 고주파 발진부재는 상면에 고주파 발진홀을 갖는 메인 발진체 하우징, 상기 메인 발진체 하우징 내에 설치된 채 상기 고주파 발진홀을 통해 고주파를 발진하는 메인 고주파 발진체, 상기 메인 발진체 하우징의 상부에 결합되어 상기 고주파 발진홀로부터 발진되는 고주파를 분산하여 외부로 발진되게 하는 고주파 분산홀을 갖는 메인 고주파 분산체로 이루어지고, 상기 확장 또는 축소 이송부재는 상기 쉴드하우징의 외주면을 따라 방사상으로 설치된 채, 상기 메인 고주파 발진체가 내장된 메인 발진체 하우징을 상기 쉴드하우징의 중심방향으로 진퇴시켜주는 메인 솔레노이드 플런저로 구성된, 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치가 제공된다.
상기 메인 고주파 발진부재의 위치를 제어하는 위치제어수단을 더 포함하되,상기 위치제어수단은, 상기 특정 발진체 하우징의 선단에 설치된 채, 상기 메인 솔레노이드 플런저의 작동에 따라 상기 메인 고주파 발진부재에 의해 가열되는 피가열체의 가열 목표지점을 감지하는 위치감지센서를 포함하되, 상기 위치감지센서에 의해 상기 피가열체의 가열 목표지점이 센싱되면, 위치감지센서가 설치된 특정 메인 고주파 발진부재는 센싱된 위치를 고수하고, 다른 메인 고주파 발진부재들은 제어부의 제어신호에 따라 각 메인 솔레노이드 플런저의 진퇴정도가 조절되면서 상기 특정 메인 고주파 발진부재의 위치에 맞게 자동 정렬될 수 있다.
상기 메인 고주파 발진부재의 사이사이에 배열된 채, 상기 제어부의 제어신호에 따라 고주파 발진 컨트롤러에 의해 선택적으로 고주파가 발진되는 보조 고주파 발진부재와, 상기 보조 고주파 발진부재들을 배열 반경이 확장 또는 축소되는 방향으로 이송시켜주는 보조 확장 또는 축소 이송부재를 더 포함하되, 상기 보조 고주파 발진부재는 상면에 고주파 발진홀을 갖는 보조 발진체 하우징, 상기 보조 발진체 하우징 내에 설치된 채 상기 고주파 발진홀을 통해 고주파를 발진하는 보조 고주파 발진체, 상기 보조 발진체 하우징의 상부에 결합되어 상기 고주파 발진홀로부터 발진되는 고주파를 분산하여 외부로 발진되게 하는 고주파 분산홀을 갖는 보조 고주파 분산체로 이루어지며, 상기 보조 확장 및 축소 이송부재는 상기 쉴드하우징의 외주면에 메인 솔레노이드 플런저의 사이사이에 배치된 채, 상기 보조 고주파 발진체가 내장된 보조 발진체 하우징을 상기 쉴드하우징의 중심방향으로 진퇴시켜주는 보조 솔레노이드 플런저를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 상기 기재된 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치를 이용한 피가열체 고주파 가열방법으로, 상기 피가열체가 정위치에 도달하면, 상기 특정 메인 솔레노이드 플런저가 전진 또는 후진하면서 상기 위치감지센서에 의해 피가열체의 가열목표지점을 감지하는 단계; 상기 가열목표지점이 감지되면 특정 메인 솔레노이드 플런저가 감지된 지점에 정지되어 상기 특정 메인 고주파 발진부재가 상기 피가열체의 가열목표지점을 가열할 수 있는 위치에 배치되도록 하는 단계; 상기 나머지 메인 솔레노이드 플런저가 상기 제어부에 의해 상기 특정 메인 솔레노이드 플런저가 정지된 지점까지 작동하여 이에 연결된 각 메인 고주파 발진부재가 모두 피가열체의 가열목표지점을 가열할 수 있는 위치게 배치되도록 하는 단계; 상기 피가열체의 두께를 감지하여, 두께에 비례하여 상기 메인 고주파 발진체에서의 고주파 발진시간을 설정하는 단계; 및 상기 설정된 시간에 맞춰 상기 메인 고주파 발진체로부터 고주파가 발진되어, 상기 피가열체의 가열목표지점을 가열하는 단계;를 포함하는 프로그레시브 금형용 고주파 가열방법이 제공된다.
기술된 본 발명의 과제 해결수단에 따르면, 피가열체(금속재료)의 크랙 및 성형변화예측 부위를 고주파에 의해 국부가열하여 연성화함으로써 크랙 방지 및 성형성 향상에 기여되며, 나아가 금형작업의 완성도 향상 및 생산성을 향상시킬 수 있게 된다.
도 1은 본 발명에 따른 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치의 개괄적 구성도
도 2는 도 1의 A부 상세도
도 3은 도 1을 B방향에서 바라본 도면으로서, 메인 고주파 발진부재가 피가열체의 가열목표지점에 위치하기 이전의 상태도
도 4는 도 1을 B방향에서 바라본 도면으로서, 메인 고주파 발진부재 중 특정 메인 고주파 발진부재가 피가열체의 가열목표지점에 위치한 상태도
도 5는 도 1을 B방향에서 바라본 도면으로서, 나머지 메인 고주파 발진부재 가 피가열체의 가열목표지점에 위치한 상태도
도 6은 본 발명에 따른 보조 고주파 발진부재의 설치상태도
도 7은 본 발명에 따른 프로그레시브 금형용 고주파 가열방법의 흐름도
이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고, 이들에 대한 중복된 설명은 생략한다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것으로, 아래의 실시예들은 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시예들로 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하며 당업자에게 본 발명의 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다.
본 명세서에서 제1, 제2 등의 용어가 다양한 부재, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들을 설명하기 위하여 사용되지만, 이들 부재, 부품, 영역, 층들, 부위 및/또는 구성 요소들은 이들 용어에 의해 한정되어서는 안 됨은 자명하다. 이들 용어는 특정 순서나 상하, 또는 우열을 의미하지 않으며, 하나의 부재, 영역, 부위, 또는 구성 요소를 다른 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소와 구별하기 위하여만 사용된다. 따라서, 이하 상술할 제1 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소는 본 발명의 가르침으로부터 벗어나지 않고서도 제2 부재, 영역, 부위 또는 구성 요소를 지칭할 수 있다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성 요소도 제1 구성 요소로 명명될 수 있다.
달리 정의되지 않는 한, 여기에 사용되는 모든 용어들은 기술 용어와 과학 용어를 포함하여 본 발명 개념이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 공통적으로 이해하고 있는 바와 동일한 의미를 지닌다. 또한, 통상적으로 사용되는, 사전에 정의된 바와 같은 용어들은 관련되는 기술의 맥락에서 이들이 의미하는 바와 일관되는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 여기에 명시적으로 정의하지 않는 한 과도하게 형식적인 의미로 해석 되어서는 아니 될 것임은 이해될 것이다.
어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 수행될 수도 있다.
첨부 도면에 있어서, 예를 들면, 제조 기술 및/또는 공차에 따라, 도시된 형상의 변형들이 예상될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시예들은 본 명세서에 도시된 영역의 특정 형상에 제한된 것으로 해석되어서는 아니되며, 예를 들면 제조 과정에서 초래되는 형상의 변화를 포함하여야 한다.
첨부된 도 1은 본 발명에 따른 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치의 개괄적 구성도, 도 2는 도 1의 A부 상세도, 도 3은 도 1을 B방향에서 바라본 도면으로서, 메인 고주파 발진부재가 피가열체의 가열목표지점에 위치하기 이전의 상태도, 도 4는 도 1을 B방향에서 바라본 도면으로서, 메인 고주파 발진부재가 피가열체의 가열목표지점에 위치한 상태도, 도 5는 본 발명에 따른 보조 고주파 발진부재의 설치상태도이다.
위의 도 1 내지 5를 참고하면, 본 발명에 따른 고주파 가열장치(100)는 예컨대 프로그레시브 금형에 적용되어 성형 대상물인 피가열체(1)의 성형부위에 열을 가하여 연성화 함으로써 핫포밍 작업이 가능토록 한 것으로, 쉴드하우징(200), 메인 고주파 발진부재(300), 메인 확장 또는 축소 이송부재(400) 및 고주파 발진 컨트롤러(500)를 포함한다.
쉴드하우징(200)은 상기 메인 고주파 발진부재(300)를 내장하기 위한 것으로, 이 쉴드하우징(200)은 메인 고주파 발진부재(300)로부터 발진되는 고주파가 외부로 누출됨을 방지하기 위하여 전자파 차단 효과가 양호한 페라이트 소재로 되는 것이 바람직하다.
특히, 상기 쉴드하우징(200)은 NiCuZn 페라이트가 적용될 수 있다. 여기서, 가장 넓은 주파수 대역에 적용될 수 있는 화학적 조성비는 Fe2O3 49.0 mol%, NiO 9.0 mol%, CuO 8.0 mol%, ZnO 34.0 mol%이다. 이 화학조성에서 배합한 원료를 900 ℃에서 하소하여 제조한 페라이트를 성형하여 1080 ℃에서 소결시킨 페라이트 상태를 관찰한 결과 결정립 5∼10㎛로서 최적의 상태를 보였다. 평균입자크기가 1.12 ㎛의 경우 가장 우수한 손실 탄젠트 및 전자파 차단 특성을 나타내었다. 따라서, 이 조건의 쉴드하우징(200)은 고주파가 누설되지 않고 전자파를 전량 차단할 수 있는 신뢰도를 갖게 된다.
메인 고주파 발진부재(300)는 도 2 내지 5에서와 같이, 고주파를 발진하여 상기 피가열체(1, 도 1에 도시됨))의 가열목표지점(1a)을 가열하기 위한 것으로, 상기 쉴드하우징(200)의 중점을 중심으로 다수개가 일정간격을 두고 방사상으로 배열될 수 있다.
이러한 메인 고주파 발진부재(300)는 메인 발진체 하우징(310), 메인 고주파 발진체(320) 및 메인 고주파 분산체(330)를 포함할 수 있다.
상기 메인 발진체 하우징(310)은 상기 메인 고주파 발진체(320)를 내장하기 위한 것으로, 바닥면을 갖는 원통형으로 구성될 수 있고, 상부에는 고주파가 발진되는 고주파 발진홀(311)이 형성될 수 있다. 여기서, 상기 메인 발진체 하우징(310)도 상기한 쉴드하우징(200)과 같이 전자파를 차단할 수 있는 페라이트 소재로 되는 것이 바람직하다.
상기 메인 고주파 발진체(320)는 상기 메인 발진체 하우징(310)의 중앙부위에 설치된 채 상기 고주파 발진홀(311)을 통해 고주파를 발진하는 것으로, 고주파 발진코일(321) 및 상기 고주파 발진코일(321)의 외주면을 감싸는 절연체(322)로 구성될 수 있다.
여기서, 상기 절연체(322)는 예컨대, 테프론 테이프로 구성될 수 있다. 테프론 테이프는 C-C 결합으로 이루어지는 폴리올레핀과 같은 결합인데 폴리올레핀의 수소의 일부 또는 전부가 불소원자로 대치된 구조를 가지는 합성수지이다. 시판되고 있는 것으로는 8종류의 불소수지가 있는데, 그중에서 70%인 폴리테트라 플루오르 에틸렌(PTFE)이 대표적이다. PTFE는 테프론이란 상품명으로 알려져 있는 결정성 수지로 260℃에서의 장기사용에 견디는 내열성이 있고 내약품성, 전기절연성, 고주파특성, 비 접착성, 저 마찰계수, 난연성 등이 특이한 플라스틱으로서 특히, 절연성 및 고주파 특성을 가지고 있다는 점에서 상기 메인 고주파 발진체(320)에 적용하는데 적합하다.
상기 메인 고주파 분산체(330)는 상기 메인 발진체 하우징(310)의 상부에 결합된 채, 상기 고주파 발진홀(311)로부터 발진되는 고주파를 복수개로 분산하기 위한 것으로, 그 상부에는 2개 이상의 고주파 분산홀(331)이 형성될 수 있다. 상기 메인 고주파 분산체(330)는 상기 하나의 고주파 발진홀(311)로부터 발진되어 나오는 고주파를 여러 개로 분산된 채 외부로 발진되도록 함으로써 고주파를 넓은 지역에 분산되어 발진되도록 하기 위한 것으로서, 고주파의 특성상 직진성을 가짐에 따라 여러개를 형성할 경우 고주파가 약화될 수 있으므로 되도록 2개 정도가 적당할 것으로 보여진다.
한편, 상기 메인 발진체 하우징(310)과 메인 고주파 분산체(330)는 각 테두리에 결합플랜지(P1,P2)를 형성하여 이 결합플랜지(P1,P2)를 맞대기한 후 나사에 의해 결속하는 결합구조를 취할 수 있으나, 이에 한정하지는 않는다.
메인 확장 또는 축소 이송부재(400)는 상기 메인 발진체 하우징(310)을 상기 쉴드하우징(200)의 중심방향으로 진퇴시켜서 상기 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)의 크기에 따라 메인 발진체 하우징(310)들을 배열 반경이 확장 또는 축소되는 방향으로 이송시켜주는 역할을 하는 것으로, 상기 쉴드하우징(200)의 외주면을 따라 방사상으로 설치된 채, 상기 메인 고주파 발진체(320)가 내장된 메인 발진체 하우징(310)을 상기 쉴드하우징(200)의 중심방향으로 진퇴시켜주는 메인 솔레노이드 플런저(410)로 포함할 수 있다. 상기 메인 솔레노이드 플런저(410)는 미세 진퇴가 가능하므로 소형부품의 정밀한 위치제어에 적합하다.
고주파 발진 컨트롤러(500)는 상기 고주파 발진부재(300)에 고주파 신호를 인가하여 고주파 발진부재(300)를 활성화시켜 고주파가 발진되게 하는 역할을 하는 것으로, 이 고주파 발진 컨트롤러(500)는 작업자가 수동으로 제어할 수 있으나, 작업의 효율성 면에서 자동으로 제어되도록 하는 것이 바람직하다.
한편, 본 발명에 따른 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치(100)는 도 4 및 5에서와 같이, 상기 메인 고주파 발진부재(300)의 위치를 제어하는 위치제어수단을 더 포함할 수 있다. 여기서, 상기 위치제어수단은 상기 다수의 메인 발진체 하우징(310) 중, 특정 메인 발진체 하우징의 선단에 설치된 채, 상기 메인 솔레노이드 플런저(410)의 작동에 따라 상기 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 감지하는 위치감지센서(600)를 포함할 수 있다.
상기 위치감지센서(600)는 도 4와 같이, 이에 의해 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)이 센싱되면, 위치감지센서(600)가 설치된 특정 메인 고주파 발진부재는 센싱된 위치를 고수하고, 다른 메인 고주파 발진부재들은 도 5와 같이, 제어부(700)의 제어신호에 따라 각 메인 솔레노이드 플런저의 진퇴정도가 조절되면서 상기 특정 메인 고주파 발진부재의 위치에 맞게 자동 정렬됨으로써, 전체적으로 메인 고주파 발진부재(300)들이 균일한 위치에 방사상으로 배열된 상태가 된다.
이러한 구성은 위치감지센서(600)를 전반적으로 설치할 필요없이 메인 고주파 발진부재(300) 중 어느 한 군데에만 설치하고, 이에 의해 나머지 메인 고주파 발진부재의 위치를 제어함으로써 구성의 단순화를 이루기 위함이다.
또 한편, 본 발명에 따른 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치(100)는 도 6에서와 같이, 상기 메인 고주파 발진부재(300)의 사이사이에 배열된 채, 상기 제어부(700)의 제어신호에 따라 고주파 발진 컨트롤러(500)에 의해 선택적으로 고주파가 발진되는 보조 고주파 발진부재(800)와, 상기 보조 고주파 발진부재(800)들을 배열 반경이 확장 또는 축소되는 방향으로 이송시켜주는 보조 확장 또는 축소 이송부재(900)를 더 포함할 수 있다.
이러한 보조 고주파 발진부재(800)는 메인 고주파 발진부재(300)가 확장되었을 때, 그 사이사이의 간격이 너무 떨어지게 되면 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 전반적으로 가열하지 못함을 감안하여 메인 고주파 발진부재(300)의 사이사이에 또 다른 가열수단을 추가로 설치한 것이다.
여기서, 상기 보조 고주파 발진부재(800)는 앞서 설명된 메인 고주파 발진부재(300)와 유사한 구성을 갖게 된다. 즉, 상기 보조 고주파 발진부재(800)는 상면에 고주파 발진홀(811)을 갖는 보조 발진체 하우징(810)과, 상기 보조 발진체 하우징(810) 내에 설치된 채 상기 고주파 발진홀(811)을 통해 고주파를 발진하는 보조 고주파 발진체(820)와, 상기 보조 발진체 하우징(810)의 상부에 결합되어 상기 고주파 발진홀(811)로부터 발진되는 고주파를 분산하여 외부로 발진되게 하는 고주파 분산홀(831)을 갖는 보조 고주파 분산체(830)로 구성될 수 있다.
그리고, 상기 보조 확장 및 축소 이송부재(900)는 상기 쉴드하우징(200)의 외주면에 메인 솔레노이드 플런저(410)의 사이사이에 배치된 채, 상기 보조 고주파 발진체(820)가 내장된 보조 발진체 하우징(810)을 상기 쉴드하우징(200)의 중심방향으로 진퇴시켜주는 보조 솔레노이드 플런저(910)로 구성될 수 있다.
이하, 본 발명의 작용을 설명한다(도 7참조). 본 청구항에 기재된 프로그레시브 금형용 고주파 가열방법은 작용설명으로 갈음하기로 한다.
먼저, 상기 피가열체(1)가 정위치에 도달하면, 상기 메인 솔레노이드 플런저(410)가 전진 또는 후진하면서 상기 위치감지센서(600)에 의해 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 감지한다.
다음, 상기 위치감지센서(600)에 의해 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)이 감지되면 특정 메인 솔레노이드 플런저가 감지된 지점에 정지됨으로써 상기 특정 메인 고주파 발진부재(300)가 상기 피가열체(1)이 가열목표지점(1a)을 가열할 수 있는 위치에 배치되도록 한다.
다음, 상기 메인 솔레노이드 플런저(410) 중, 상기 특정 메인 솔레노이드 플런저를 제외한 나머지 메인 솔레노이드 플런저들이 상기 제어부(700)에 의해 상기 특정 메인 솔레노이드 플런저가 정지된 지점까지 작동하여 이에 연결된 각 메인 고주파 발진부재(300)가 모두 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 가열할 수 있는 위치에 배치되도록 한다.
다음, 상기 피가열체(1)의 두께를 감지하여, 두께에 비례하여 상기 메인 고주파 발진체(320)에서의 고주파 발진시간을 설정한다. 여기서, 본 발명은 상기 피가열체(1)의 두께를 감지하기 위한 두께감지센서(미도시)가 더 설치될 수 있음은 당연할 것이다.
마지막으로, 상기 설정된 시간에 맞춰 상기 메인 고주파 발진체(320)로부터 고주파가 발진되어, 상기 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 가열하게 된다.
한편, 메인 고주파 발진체(320)에는 오염물질의 부착방지 및 제거를 효과적으로 달성할 수 있도록 오염 방지 도포용 조성물이 도포된 오염방지도포층이 형성될 수 있다. 상기 오염 방지 도포용 조성물은 붕산 및 탄산나트륨이 1:0.01 ~ 1:2 몰비로 포함되어 있고, 붕산 및 탄산나트륨의 총함량은 전체 수용액에 대해 1 ~ 10 중량%이다. 이에 더하여, 상기 오염방지도포층의 도포성을 향상시키는 물질로 탄산나트륨 또는 탄산칼슘이 이용될 수 있으나 바람직하게는 탄산나트륨이 이용될 수 있다.
상기 붕산 및 탄산나트륨은 몰비로서 1:0.01 ~ 1:2가 바람직한 바, 몰비가 상기 범위를 벗어나는 경우에는 기재의 도포성이 저하되거나 도포후 표면의 수분흡착이 증가하여 도포막이 제거되는 문제점이 있다.
상기 붕산 및 탄산나트륨은 전제 조성물 수용액중 1 ~ 10 중량%가 바람직한 바, 1 중량% 미만이면 기재의 도포성이 저하되는 문제점이 있고, 10 중량%를 초과하면 도포막 두께의 증가로 인한 결정석출이 발생하기 쉽다.
한편, 본 오염 방지 도포용 조성물을 메인 고주파 발진체(320) 상에 도포하는 방법으로는 스프레이법에 의해 도포하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 메인 고주파 발진체(320) 상의 최종 도포막 두께는 500 ~ 2000Å이 바람직하며, 보다 바람직하게는 1000 ~ 2000 Å이다. 상기 도포막의 두께가 500 Å미만이면 고온 열처리의 경우에 열화되는 문제점이 있고, 2000 Å을 초과하면 도포 표면의 결정석출이 발생하기 쉬운 단점이 있다.
또한, 본 오염 방지 도포용 조성물은 붕산 0.1 몰 및 탄산나트륨 0.05 몰을 증류수 1000 ㎖에 첨가한 다음 교반하여 제조될 수 있다.
또한, 쉴드하우징(200)의 둘레에는, 외부 충격 또는 외부 환경에 대한 내충격성이 우수한 폴리프로필렌 수지 조성물이 도포될 수 있다. 이러한 폴리프로필렌 수지 조성물은 에틸렌-프로필렌-알파올레핀 랜덤 공중합체 75~95중량% 및 에틸렌 함량이 20~50중량%인 에틸렌-프로필렌 블록 공중합체 5~25중량%로 이루어진 폴리프로필렌 랜덤 블록 공중합체를 포함할 수 있다. 상기 폴리프로필렌 랜덤 블록 공중합체는 전술한 에틸렌-프로필렌-알파올레핀 랜덤 공중합체 75~95중량% 및 에틸렌-프로필렌 블록 공중합체 5~25중량%인 것이 바람직한데, 에틸렌-프로필렌-알파올레핀 랜덤 공중합체가 75중량% 미만이면 강성이 저하되고, 95중량%를 초과하면 내충격성이 저하되며, 에틸렌-프로필렌 블록 공중합체는 5중량% 미만이면 내충격성이 저하되고, 25중량%를 초과하면 강성이 저하된다. 상기 에틸렌-프로필렌-알파올레핀 랜덤 공중합체는 에틸렌 0.5~7중량% 및 탄소수가 4~5인 알파올레핀 1~15중량%를 포함하며, 폴리프로필렌 수지 조성물의 기계적 강성유지 및 내열성을 향상시키며 내백화성을 유지하는데 효과적인 역할을 한다. 상기 에틸렌 함량은 바람직하게는 0.5~5중량%이며, 더욱 바람직하게는 1~3중량%일 수 있으며, 0.5중량% 미만이면 내백화성이 저하되고, 7중량%를 초과하면 수지의 결정화도 및 강성이 저하된다. 또한, 상기 알파올레핀은 에틸렌 및 프로필렌을 제외한 임의의 알파올레핀을 의미하며, 바람직하게는 부텐이다. 또한, 전술한 알파올레핀은 탄소수가 4 미만이거나 5를 초과하면 랜덤 공중합체의 제조 시, 코모노머와의 반응성이 낮아 공중합체를 제조하는데 어려움이 있다. 또한, 전술한 알파올레핀 1~15중량%를 포함하며, 바람직하게는 1~10중량%이고, 더욱 바람직하게는 3~9중량%일 수 있다. 상기 알파올레핀은 1중량% 미만이면, 결정화도가 필요 이상으로 높아져 투명성이 저하되고, 15중량%를 초과하면 결정화도 및 강성이 저하되어 내열성이 현저히 낮아지는 문제점을 가진다. 또한, 상기 에틸렌-프로필렌 블록 공중합체는 에틸렌 20~50중량%을 포함하며, 폴리프로필렌 수지 조성물에 내충격적 특성을 부여하고 미세 분산이 가능하여 내백화성 및 투명성을 동시에 부여하는 역할을 한다. 이러한 에틸렌 함량은 바람직하게는 20~40중량%일 수 있으며, 20중량% 미만이면 내충격성이 저하되고 50중량%를 초과하면 내충격성 및 내백화성이 저하될 수 있다.
이와 같이 쉴드하우징(200)의 둘레에 폴리프로필렌 수지 조성물이 도포되므로 외부 충격 또는 외부 환경에 대한 내충격성이 향상된다.
그리고, 위치감지센서(600)에는 오지시 및 수명단축의 원인이 되는 표면오염문제를 해결하기 위하여 실리콘 성분을 포함한 표면보호도포층이 도포될 수 있다. 상기 표면보호도포층은 미생물 및 부유물 등의 부착을 억제하여 오지시를 방지하고 위치감지센서(600)의 사용기간을 반영구적으로 연장할 수 있게 된다. 상기 표면보호도포층 액을 제조하는 방법에 대하여 간략하게 설명하자면, 우선 에틸아세테이트(ethyl acetate)용액에 디메틸디클로로실란 용액을 부피비로 2-5% 용해시켜 도포액을 제조한다. 이때, 상기 디메틸디클로로실란 용액의 함량이 2%에 미치지 못하면 도포의 효과를 충분히 얻을 수 없고, 5%를 초과하면 표면보호도포층이 너무 두꺼워져 효율이 떨어진다. 상기와 같은 비율로 용해된 도포액은 도포시간 및 도포두께를 고려하여 용액의 점도가 0.8-2cp(센티포아제)의 범위인 것이 바람직하다. 이는 점도가 너무 낮으면 도포시간을 오래해야 하며, 점도가 너무 높으면 도포가 두껍게 일어나고 건조가 안되며 또한 불균일한 도포로 인하여 센서의 오지시를 유발할 수 있기 때문이다.본 발명에서는 상기와 같이 제조된 도포용액으로 위치감지센서(600)의 표면을 1㎛이하의 두께로 도포한다. 이때, 표면보호도포층의 두께가 1㎛를 초과하면 오히려 센서의 감도를 저하시키기 때문에 본 발명에서는 표면보호도포층의 두께를 1㎛이하로 한정한다. 또한, 상기와 같은 두께로 도포하는 방법으로서는 위치감지센서(600) 표면에 2-3회 정도 분사하는 스프레이 방법이 사용될 수 있다.
그리고, 보조 고주파 분산체(830)의 표면은 오염물질 등으로부터 표면의 부식현상을 방지시키기 위해 금속재의 표면 도포재료로 부식방지도포층이 형성될 수 있다. 이 상기 부식방지도포층은 알루미나 분말 60중량%, NH4Cl 30중량%, 아연 2.5중량%, 구리 2.5중량%, 마그네슘 2.5중량%, 티타늄 2.5중량%로 구성된다.
상기 알루미나 분말은 고온으로 가열될 때 소결, 엉킴, 융착 방지 등의 목적으로 첨가된다. 이러한 알루미나 분말이 60중량% 미만으로 첨가되면, 소결, 엉킴, 융착 방지의 효과가 떨어지며, 알루미나 분말이 60중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에, 재료비가 크게 증가된다. 따라서, 알루미나 분말은 60중량%를 첨가하는 것이 바람직하다.
상기 NH4Cl은 증기 상태의 알루미늄, 아연, 주식, 구리 및 마그네슘과 반응하여 확산 및 침투를 활성화시키는 역할을 한다. 이러한 NH4Cl은 30중량% 첨가된다. NH4Cl이 30중량% 미만으로 첨가되면, 증기 상태의 알루미늄, 아연, 주식 구리 및 마그네슘과 반응이 제대로 이루어지지 않으며 이에 따라 확산 및 침투를 활성화시키지 못한다. 반면에, NH4Cl이 30중량% 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에, 재료비가 크게 증가된다. 따라서 NH4Cl은 30중량%를 첨가하는 것이 바람직하다.
상기 아연은 물에 닿는 금속의 부식을 방지하는 것과 전기 방식용으로 사용되도록 배합된다. 이러한 아연은 2.5중량%가 혼합된다. 아연의 혼합비율이 2.5중량%를 초과하면 물에 닿는 금속의 부식을 제대로 방지시키지 못하게 된다. 반면에 아연의 혼합비율이 2.5중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에 재료비가 크게 증가된다. 따라서 아연은 2.5중량% 혼합되는 것이 바람직하다.
상기 구리는 상기 알루미늄과 조합하여 금속의 경도 및 인장강도를 높이게 된다. 이러한 구리는 2.5중량% 혼합된다. 구리의 혼합 비율이 2.5중량% 미만이면, 알루미늄과 조합될시 금속의 경도 및 인장강도를 제대로 높이지 못하게 된다. 반면에 구리의 혼합 비율이 2.5중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에 재료비가 크게 증가된다. 따라서 구리는 2.5중량% 혼합되는 것이 바람직하다.
상기 마그네슘의 순수한 금속은 구조강도가 낮으므로 상기 아연 등과 함께 조합하여 금속의 경도, 인장강도 및 염수에 대한 내식성을 높이는 용도로 배합된다. 이러한 마그네슘은 2.5중량% 혼합된다. 마그네슘의 혼합 비율이 2.5중량% 미만이면, 아연 등과 함께 조합될 시 금속의 경도, 인장강도 및 염수에 대한 내식성이 크게 개선되지 않는다. 반면에 마그네슘의 혼합 비율이 2.5중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에 재료비가 크게 증가된다. 따라서 마그네슘는 2.5중량% 혼합되는 것이 바람직하다.
상기 티타늄은 가볍고 단단하고 내부식성이 있는 전이 금속 원소로 은백색의 금속광택이 있는바, 뛰어난 내식성과 비중이 낮아 강철 대비 무게는 60% 밖에 되지 않으므로 금속모재에 도포되는 도포재의 중량은 줄이되 광택을 높이고 뛰어난 방수성 및 내식성을 갖도록 배합된다.
이러한 티타늄은 2.5중량% 혼합된다. 티타늄의 혼합 비율이 2.5중량% 미만이면, 금속모재에 도포되는 도포재의 중량이 그다지 경감되지 않고, 광택성, 방수성, 내식성이 크게 개선되지 않는다. 반면에, 티타늄의 혼합 비율이 2.5중량%를 초과하면 상술한 효과는 더 개선되지 않는 반면에 재료비는 크게 증가된다. 따라서 티타늄은 2.5중량% 혼합되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따른 보조 고주파 분산체(830)의 표면 도포방법은 다음과 같다.
도포층이 형성되어야 할 보조 고주파 분산체(830)와 상기 구성으로 배합된 도포재료를 폐쇄로 내에 함께 투입시키고 폐쇄로 내부에는 보조 고주파 분산체(830)의 산화를 방지하기 위하여 2 L/min의 비율로 아르곤 가스를 주입시킨다, 아르곤 가스가 주입된 상태에서 700℃ 내지 800℃의 온도로 4 ~ 5 시간 동안 유지한다.
상기 단계를 수행하여 증기 상태의 알루미나 분말, 아연, 구리, 마그네슘 및 티타늄이 폐쇄로 내부에 형성되고, 알루미늄 분말, 알루미나 분말, 아연, 구리, 마그네슘 및 티타늄 배합물은 모재의 표면에 침투하여 도포층이 형성된다.
도포층이 형성된 후 폐쇄로 내부의 온도를 도포 물질/기재 복합물이 800℃~900℃로 하여 30 ~ 40시간을 유지하면 보조 고주파 분산체(830)의 표면에는 부식방지도포층이 형성되어 보조 고주파 분산체(830)의 표면과 외기를 격리시키게 된다. 이때 상기 공정을 수행함에 있어 급격한 온도 변화는 보조 고주파 분산체(830)표면의 부식방지도포층이 박리될 수 있으므로 60℃/hr의 비율로 온도 변화를 시킨다.
본 발명의 부식방지도포층은 다음과 같은 장점이 있다.
본 발명의 부식방지도포층은 매우 넓은 범위의 용도를 가지므로 커튼 도포, 스프레이 페인팅, 딥 도포, 플루딩(flooding) 등과 같은 여러 가지 방법에 의해 도포될 수 있다.
본 발명의 부식방지도포층은 부식 및/또는 스케일에 대한 원칙적인 보호 기능에 추가하여 도포가 매우 얇은 층두께로 도포될 수 있어 전기전도성을 개선하는 것은 물론 물질 및 비용 절감이 가능하다. 열간 성형 과정 이후에도 높은 전기전도성이 바람직하다면 얇은 전기전도성 프라이머가 도포층의 상부에 도포될 수 있다.
성형 과정 또는 열간 성형 과정 이후, 도포 물질은 기재의 표면상에 유지될 수 있으며, 예를 들어, 긁힘 내성을 증가시키며, 부식 보호를 개선하고, 미적 외관을 충족시키며, 변색을 방지하고, 전기전도성을 변화시키며 종래 다운스트림 공정(예, 침린 및 전기이동 딥 도포)용 프라이머로 제공될 수 있다.
이러한 본 발명은 본 발명의 보조 고주파 분산체(830)에 알루미나 분말, NH4Cl, 아연, 구리, 마그네슘, 티타늄으로 이루어진 부식방지도포층이 도포되므로 먼지, 오염물질 등으로부터 보조 고주파 분산체(830)의 표면의 부식현상을 방지시킬 수 있다.
또한, 고주파 발진코일(321)에는, 내마모성 및 내부식성을 향상시키기 위해 ZrN(Zirconium nitride)을 0.2~1.0㎛의 두께로 도포층을 형성할 수 있다. 상기 도포층 형성 단계는 스퍼터링 또는 음극아크 방전을 이용한 물리기상증착법(PVD)에 의해 형성될 수 있다.
상기 두께가 0.2㎛ 미만으로 형성되는 경우에는 도포층의 접합이 양호하게 달성되지 못하고, 두께가 1.0㎛을 초과하면 별다른 특성을 나타내지 않는다. 따라서, 도포층의 두께가 0.2~1.0㎛로 형성되는 것이 바람직하다.
이와 같은 상기 도포층은 고주파 발진코일(321)의 기계적 특성을 향상시키는 동시에 내식성을 개선한다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상을 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 범주에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의해 명확해질 것이다.
1 : 피가열체 1a : 가열목표지점
100 : 고주파 가열장치 200 : 쉴드하우징
300 : 메인 고주파 발진부재 310 : 메인 발진체 하우징
311 : 고주파 발진홀 320 : 메인 고주파 발진체
321 : 고주파 발진코일 322 : 절연체
330 : 메인 고주파 분산체 331 : 고주파 분산홀
400 : 메인 확장 또는 축소 이송부재 410 : 메인 솔레노이드 플런저
500 : 고주파 발진 컨트롤러 600 : 위치감지센서
700 : 제어부 800 : 보조 고주파 발진부재
810 : 보조 발진체 하우징 811 : 고주파 발진홀
820 : 보조 고주파 발진체 830 : 보조 고주파 분산체
900 : 보조 확장 또는 축소 이송부재

Claims (4)

  1. 전자파가 차단되는 페라이트 소재로 되는 상부 개방형의 쉴드하우징(200);
    상기 쉴드하우징(200)의 중점을 중심으로 방사상으로 배열되어 있고 고주파를 발진하여 피가열체(1)를 가열하는 복수의 메인 고주파 발진부재(300);
    상기 메인 고주파 발진부재(300)들을 배열 반경이 확장 또는 축소되는 방향으로 이송시켜주는 메인 확장 또는 축소 이송부재(400);
    상기 메인 고주파 발진부재(300)에 고주파 신호를 인가하여 메인 고주파 발진부재(300)를 활성화시켜 고주파가 발진되게 하는 고주파 발진 컨트롤러(500);로 구성되되,
    상기 메인 고주파 발진부재(300)는 상면에 고주파 발진홀(311)을 갖는 메인 발진체 하우징(310), 상기 메인 발진체 하우징(310) 내에 설치된 채 상기 고주파 발진홀(311)을 통해 고주파를 발진하는 메인 고주파 발진체(320), 상기 메인 발진체 하우징(310)의 상부에 결합되어 상기 고주파 발진홀(311)로부터 발진되는 고주파를 분산하여 외부로 발진되게 하는 고주파 분산홀(331)을 갖는 메인 고주파 분산체(330)로 이루어지고,
    상기 메인 확장 또는 축소 이송부재(400)는 상기 쉴드하우징(200)의 외주면을 따라 방사상으로 설치된 채, 상기 메인 고주파 발진체(320)가 내장된 메인 발진체 하우징(310)을 상기 쉴드하우징(200)의 중심방향으로 진퇴시켜주는 메인 솔레노이드 플런저(410)를 포함하는, 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 메인 고주파 발진부재(300)의 위치를 제어하는 위치제어수단을 더 포함하되,
    상기 위치제어수단은,
    상기 메인 발진체 하우징(310)의 선단에 설치된 채, 상기 메인 솔레노이드 플런저(410)의 작동에 따라 상기 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 감지하는 위치감지센서(600)를 포함하되, 상기 위치감지센서(600)에 의해 상기 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)이 센싱되면, 위치감지센서(600)가 설치된 메인 고주파 발진부재(300)들은 제어부(700)의 제어신호에 따라 각 메인 솔레노이드 플런저(410)의 진퇴정도가 조절되면서 상기 메인 고주파 발진부재(300)의 위치에 맞게 자동 정렬되는, 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 메인 고주파 발진부재(300)의 사이사이에 배열된 채, 상기 제어부(700)의 제어신호에 따라 고주파 발진 컨트롤러(500)에 의해 선택적으로 고주파가 발진되는 보조 고주파 발진부재(800)와, 상기 보조 고주파 발진부재(800)들을 배열 반경이 확장 또는 축소되는 방향으로 이송시켜주는 보조 확장 또는 축소 이송부재(900)를 더 포함하되,
    상기 보조 고주파 발진부재(800)는 상면에 고주파 발진홀(811)을 갖는 보조 발진체 하우징(810), 상기 보조 발진체 하우징(810) 내에 설치된 채 상기 고주파 발진홀(811)을 통해 고주파를 발진하는 보조 고주파 발진체(820), 상기 보조 발진체 하우징(810)의 상부에 결합되어 상기 고주파 발진홀(811)로부터 발진되는 고주파를 분산하여 외부로 발진되게 하는 고주파 분산홀(831)을 갖는 보조 고주파 분산체(830)로 이루어지며,
    상기 보조 확장 및 축소 이송부재(900)는 상기 쉴드하우징(200)의 외주면에 메인 솔레노이드 플런저(410)의 사이사이에 배치된 채, 상기 보조 고주파 발진체(820)가 내장된 보조 발진체 하우징(810)을 상기 쉴드하우징(200)의 중심방향으로 진퇴시켜주는 보조 솔레노이드 플런저(910)를 포함하는, 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치.
  4. 청구항 2에 기재된 프로그레시브 금형용 고주파 가열장치를 이용한 프로그레시브 금형용 고주파 가열방법으로,
    상기 피가열체(1)가 정위치에 도달하면, 상기 메인 솔레노이드 플런저(410)가 전진 또는 후진하면서 상기 위치감지센서(600)에 의해 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 감지하는 단계;
    상기 가열목표지점(1a)이 감지되면 메인 솔레노이드 플런저(410)가 감지된 지점에 정지되어 상기 메인 고주파 발진부재(300)가 상기 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 가열할 수 있는 위치에 배치되도록 하는 단계;
    상기 메인 솔레노이드 플런저(410)가 상기 제어부(700)에 의해 상기 메인 솔레노이드 플런저(410)가 정지된 지점까지 작동하여 이에 연결된 각 메인 고주파 발진부재(300)가 모두 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 가열할 수 있는 위치에 배치되도록 하는 단계;
    상기 피가열체(1)의 두께를 감지하여, 두께에 비례하여 상기 메인 고주파 발진체(320)에서의 고주파 발진시간을 설정하는 단계; 및
    상기 설정된 시간에 맞춰 상기 메인 고주파 발진체(320)로부터 고주파가 발진되어, 상기 피가열체(1)의 가열목표지점(1a)을 가열하는 단계;를 포함하는 프로그레시브 금형용 고주파 가열방법.
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