KR101704962B1

KR101704962B1 - Apparatus for intense pulsed light sintering

Info

Publication number: KR101704962B1
Application number: KR1020160036166A
Authority: KR
Inventors: 이순종; 우봉주; 이동석
Original assignee: (주)쎄미시스코
Priority date: 2016-03-25
Filing date: 2016-03-25
Publication date: 2017-02-27

Abstract

A photonic sintering apparatus is provided. The photonic sintering apparatus includes a first reflective shade including a main curved portion 1-1 and a main curved portion 1-2 which are arranged on the upper left side and the upper right side of a position where a light emitting unit 1-1 extending in a first lengthwise direction is provided, are formed in an upwardly protruding shape, and reflect light emitted from the light emitting unit 1-1 toward a substrate where an object to be processed is formed; a second reflective shade including a main curved portion 2-1 and a main curved portion 2-2 which are arranged on the upper left side and the upper right side of a position where a light emitting unit 2-1 extending in a direction parallel to or crossing the first lengthwise direction is provided, are formed in the upwardly protruding shape, and reflect light emitted from the light emitting unit 2-1 toward the substrate where the object to be processed is formed; and a partition wall provided between the first reflective shade and the second reflective shade and having a reverse conoid shape.

Description

[0001] APPARATUS FOR INTENSE PULSED LIGHT SINTERING [0002]

본 발명은 광소결 장치에 관련된 것으로서, 보다 구체적으로는 기판의 일 변이 발광부의 길이보다 긴 대면적 기판의 광소결 처리가 가능한 광소결 장치에 관련된 것이다.The present invention relates to a photo-sintering apparatus, and more particularly to a photo-sintering apparatus capable of photo-sintering a large-area substrate having one side of the substrate longer than the light-emitting portion.

최근 전자기술과 정보통신기술이 발전함에 따라 스마트기기, OLED, 태양전지 등 다양한 전자기기들이 개발되고 있다. 이러한 전자기기들에 사용되는 전자소자를 제조하기 위해서 인쇄전자기술이 활용된다. Recently, various electronic devices such as smart devices, OLEDs, and solar cells are being developed as electronic and information communication technologies are developed. Printing electronic technology is utilized to produce electronic devices for use in such electronic devices.

인쇄전자기술은 전도성, 절연성, 반도체성 등을 지닌 기능성 잉크를 산업용 프린팅 공정기법을 통하여 플라스틱, 필름, 종이, 유리, 기판에 인쇄하여 원하는 기능의 전자소자를 제조하는 기술이다. 이러한 인쇄전자기술은 다양한 소재에 프린팅하는 방식으로 응용이 가능하고, 기존 전자산업과 다른 제조공정을 통한 대량 생산, 대면적화 및 공정단순화를 가능케 한다. Printed electronics technology is a technology to produce functional electronic devices with desired functions by printing functional ink with conductivity, insulation and semiconductivity on plastic, film, paper, glass and substrate through industrial printing process technique. Such printing electronic technology can be applied to various materials by printing, and it enables mass production, large area and simplification of processes through the manufacturing process different from the existing electronic industry.

인쇄전자기술의 공정은 인쇄, 건조, 소결 등의 세가지 단계로 이루어진다. 이때, 제품의 성능에 크게 영향을 미치는 단계가 소결 공정이다. 소결은 나노입자를 용화시켜 고체 형태의 기능성 박막을 만드는 것으로, 차세대 기술 분야에서 상당한 가치를 가지는 공정이다. 일반적인 소결 공정은 열 소결법, 마이크로웨이브 소결법, 레이저 소결법 등에 이루어진다. 기존 열 소결법은 고온의 진공챔버 환경에서 소결 공정이 진행되므로, 열에 취약한 유연기판에 적용이 곤란하고, 다른 소결 방법들 공정 시간이 길고, 복잡한 단계를 거쳐야 하므로, 생산성이 저하되고 제조원가가 상승하는 문제가 있다.The printing electronics process consists of three steps: printing, drying and sintering. At this time, the sintering process has a great influence on the performance of the product. Sintering is a process that has significant value in the next generation of technology by making nanoparticles dissolve to form functional thin films in solid form. Typical sintering processes are heat sintering, microwave sintering, laser sintering and so on. Since the conventional heat sintering process is carried out in a high-temperature vacuum chamber environment, it is difficult to apply to a flexible substrate susceptible to heat, and other sintering methods require a long process time and complicated steps, .

이러한 문제를 해결하기 위해서, 하기 선행기술문헌의 특허문헌에 개시된 바와 같이, 광소결 기술이 개발되었다. 광소결 기술은 제논램프에서 발생한 백색광을 전파하여 나노입자를 융화시킴으로써, 기존의 열 등을 사용하는 방법에 비해 기능성 박막을 훨씬 빠르고 대량으로 생산할 수 있다. In order to solve such a problem, a light sintering technique has been developed as disclosed in the patent documents of the following prior art documents. The optical sintering technique can dissolve the nanoparticles by propagating the white light generated from the xenon lamp, so that the functional thin film can be produced much faster and in a larger quantity than the conventional method using heat.

다만, 종래 광소결 장비는 국부적 소결만이 가능하여, 소결의 균일성이 떨어지고, 대면적 기판에 적용이 곤란하다. However, the conventional photo-sintering equipment is only capable of local sintering, resulting in poor uniformity of sintering and difficulty in application to a large-area substrate.

따라서, 현재 종래 광소결 장비의 문제점을 해결하기 위한 방안이 절실히 요구되고 있는 상황이다.Accordingly, there is an urgent need for a solution to the problems of the conventional optical sintering equipment.

한국특허공개공보 2014-0094789Korean Patent Publication No. 2014-0094789

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 광 균일도가 향상된 광소결 장치를 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light sintering apparatus with improved light uniformity.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는 대면적에도 광소결 효율이 향상된 광소결 장치를 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a photo-sintering apparatus with improved photo-sintering efficiency even in a large area.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 광소결 장치를 제공한다.In order to solve the above technical problems, the present invention provides a light sintering apparatus.

본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는, 제1 길이 방향으로 연장하는 제1-1 발광부가 마련되는 위치의 좌상측 및 우상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 제1-1 발광부에서 출사된 광을 피처리물이 형성된 기판 방향으로 반사하는 제1-1 주만곡부 및 제1-2 주만곡부를 포함하는 제1 반사갓, 상기 제1 길이 방향으로 평행 또는 교차하는 방향으로 연장하는 제2-1 발광부가 마련되는 위치의 좌상측 및 우상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 제2-1 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물이 형성된 기판 방향으로 반사하는 제2-1 주만곡부 및 제2-2 주만곡부를 포함하며, 상기 제1 반사갓에 인접하여 마련되는 제2 반사갓 및 상기 제1 반사갓 및 상기 제2 반사갓 사이에 마련되고, 상광하협(上廣下狹)의 형상을 가지는 격벽을 포함할 수 있다.The light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention is arranged at the left upper side and the upper right side of the position where the 1-1 light emitting portion extending in the first longitudinal direction is provided and is convex upward, A first reflector including a first to fourth main curved portions and a first and second main curved portions for reflecting the light emitted from the light emitting portion in the direction of the substrate on which the object to be processed is formed; The second-first light emitting unit is disposed on the upper left side and the upper right side of the position where the second-light emitting unit is provided and has a convex upward shape, and reflects the light emitted from the 2-1 light emitting unit toward the substrate on which the object to be processed is formed, A second reflector provided adjacent to the first reflector, and a second reflector provided between the first reflector and the second reflector, the first reflector being disposed adjacent to the first reflector and the second reflector disposed between the first reflector and the second reflector, A shape having a shape The can be included.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1-1 발광부 및 상기 제2-1 발광부는 각각의 길이 방향 일단에 어댑터(adaptor)를 더 포함하며, 상기 제1 반사갓의 제1-1 발광부와 상기 제2 반사갓의 제2-1 발광부는 서로 직교할 수 있다.According to one embodiment, the 1-1 light emitting unit and the 2-1 light emitting unit further include an adapter at one end in the longitudinal direction, and the 1-1 light emitting unit of the first reflector and the 2 < nd > light-emitting portions of the two reflectors may be orthogonal to each other.

일 실시 예에 따른 상기 격벽은 상기 제1-1 발광부와 인접하여 위치하는 제1 경사면과 및 상기 제2-1 발광부와 인접하여 위치하는 제2 경사면을 포함하며, 상기 제1 및 제2 경사면에 의하여 상기 격벽은 상광하협의 형상을 가질 수 있다.The barrier rib according to an embodiment includes a first inclined surface positioned adjacent to the 1-1 light emitting portion and a second inclined surface positioned adjacent to the 2-1 light emitting portion, The partition wall may have an upper light-tight narrowing shape due to the inclined surfaces.

일 실시 예에 따른 상기 제1 경사면의 경사시작부는 상기 제2 경사면의 경사시작부보다 상단에 위치할 수 있다.According to an exemplary embodiment, the inclination start portion of the first inclined plane may be located at an upper position than the inclination start portion of the second inclined plane.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 경사면의 경사시작부와 상기 제2 경사면의 경사시작부는 동일선상에 위치할 수 있다.According to an embodiment, the inclination starting portion of the first inclined surface and the inclined starting portion of the second inclined surface may be located on the same line.

일 실시 예에 따른 상기 격벽은 역 삼각형 형상일 수 있다.The barrier ribs according to one embodiment may have an inverted triangular shape.

일 실시 예에 따른 상기 격벽의 단부는 상변이 넓고 하변이 좁은 역 사다리꼴 형상일 수 있다.The end of the barrier rib may have an inverted trapezoidal shape with a wide upper side and a narrow lower side.

일 실시 예에 따른 상기 제1-1 주만곡부와 상기 제1-2 주만곡부 각각의 현과 상기 제2-1 주만곡부와 상기 제2-2 주만곡부 각각의 현은 동일 선 상에 위치할 수 있다.The strings of the first and second main bend portions and the strings of the second and first main bend portion and the second and second main bend portions according to the embodiment may be located on the same line .

일 실시 예에 따른 상기 제1 반사갓은, 상기 제1-1 주만곡부의 좌측 단부에서 연장하며 상향으로 볼록한 제1-1 보조만곡부 및 제1-2 주만곡부의 우측 단부에서 연장하며, 상향으로 볼록한 제1-2 보조만곡부를 더 포함하고, 상기 제2 반사갓은, 상기 제2-1 주만곡부의 좌측 단부에서 연장하며 상향으로 볼록한 제2-1 보조만곡부 및 제2-2 주만곡부의 우측 단부에서 연장하며, 상향으로 볼록한 제2-2 보조만곡부를 더 포함할 수 있다.According to one embodiment, the first reflector extends from the left end of the first 1-1 main bend portion and extends from the right end of the upwardly convexed first 1-1 second bend portion and the first and second main bend portions, And the second reflector further comprises a second-first auxiliary curve portion extending from the left end of the second-first main curve portion and an upwardly convex portion and a second-first auxiliary curve portion extending from the right end of the second- And may further include an upwardly convex 2-2 auxiliary curved portion.

일 실시 예에 따른 상기 제1-1 발광부는 상기 제1-1 주만곡부의 우측 단부와 상기 제1-2 주만곡부의 좌측 단부가 형성하는 접점 아래에 위치하며, 상기 제2-1 발광부는 상기 제2-1 주만곡부의 우측 단부와 상기 제2-2 주만곡부의 좌측 단부가 형성하는 접점 아래에 위치하며, 제1-1 보조만곡부 및 상기 제1-2 보조만곡부 하측에 위치하는 제1-2 발광부를 더 포함하며 제2-1 보조만곡부 및 상기 제2-2 보조만곡부 하측에 위치하는 제2-2 발광부를 더 포함할 수 있다.According to an embodiment, the 1-1 light emitting unit is located below the contact formed by the right end of the 1-1 main coil and the left end of the 1-2 main coil, And the second-first main-bend portion and the second-second main-bend portion are located below the contact formed by the right end of the second-first main bend portion and the left end portion of the second- 2 light emitting portion, and a 2-1 th sub-bend portion and a 2-2 th light emitting portion located below the 2-2 th sub bend portion.

본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는 제1 길이 방향으로 연장하는 제1 발광부가 마련되는 위치의 좌상측 및 우상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 제1-1 발광부에서 출사된 광을 피처리물이 형성된 기판 방향으로 반사하는 제1-1 주만곡부 및 제1-2 주만곡부를 포함하는 제1 반사갓, 상기 제1 길이 방향으로 평행 또는 교차하는 방향으로 연장하는 제2-1 발광부가 마련되는 위치의 좌상측 및 우상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 제2-1 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물이 형성된 기판 방향으로 반사하는 제2-1 주만곡부 및 제2-2 주만곡부를 포함하며, 상기 제1 반사갓에 인접하여 마련되는 제2 반사갓 및 상기 제1 반사갓 및 상기 제2 반사갓 사이에 마련되고, 상광하협(上廣下狹)의 형상을 가지는 격벽을 포함할 수 있다.The light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention is arranged at the left upper side and the upper right side of the position where the first light emitting portion extending in the first longitudinal direction is provided and has a convex shape upward, A first reflector including first to fourth main curved portions and first and second main curved portions for reflecting the emitted light toward the substrate on which the object to be processed is formed, And a second-first-order bending portion (second-first-order bending portion) which is disposed on the upper left side and the upper right side of the position where the first light-emitting portion is provided and has the upward convex shape and reflects the light emitted from the second- A second reflector provided adjacent to the first reflector, and a second reflector provided between the first reflector and the second reflector, the second reflector being provided adjacent to the first reflector, septum It can be included.

제1 반사갓과 제1 반사갓에 인접하는 제2 반사갓 사이에 격벽이 위치함으로써, 제1 반사갓, 제2 반사갓 하부의 기판에 가해지는 광의 세기가 동일하게 격벽 하부의 기판에도 제공될 수 있다. 따라서, 대면적 기판도 한번의 공정으로 광소결이 가능하게 된다.The partition walls are positioned between the first reflector and the second reflector adjacent to the first reflector so that the intensity of light applied to the substrate under the first reflector and the second reflector can be equally provided to the substrate below the barrier. Therefore, the large-area substrate can also be photo-sintered in one step.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 대면적 광소결을 위한 평면도를 도시한다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 격벽을 설명하기 위한 것으로서, 도 2의 A-A'라인에 따른 단면도이다.
도 4는 도 3을 참조하여 설명한 격벽 적용 시에 기판에 도달하는 발광부 광원의 세기를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 격벽을 설명하기 위한 것으로서, 도 2의 A-A'라인에 대응되는 단면도이다.
도 6은 도 5를 참조하여 설명한 격벽 적용 시에 기판에 도달하는 발광부 광원의 세기를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 대면적 광소결을 위한 평면도를 도시한다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 격벽을 설명하기 위한 것으로서, 도 7의 B-B'라인에 따른 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.1 is an exploded perspective view of a light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention.
Figure 2 shows a top view for large area light sintering according to one embodiment of the present invention.
3 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG. 2 for illustrating a barrier rib according to an embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a graph illustrating the intensity of a light-emitting portion light source reaching a substrate at the time of applying the barrier described with reference to FIG.
5 is a cross-sectional view corresponding to line A-A 'of FIG. 2 for illustrating a barrier rib according to another embodiment of the present invention.
FIG. 6 is a graph illustrating the intensity of a light-emitting portion light source reaching a substrate at the time of application of the barrier described with reference to FIG.
7 shows a plan view for large area light sintering according to another embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view taken along line B-B 'of FIG. 7 for illustrating a barrier rib according to another embodiment of the present invention.
9 is a view for explaining a conductive film forming method using a light sintering apparatus according to embodiments of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the shapes and thicknesses of regions are exaggerated for an effective description of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. These terms have only been used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof. Also, in this specification, the term "connection " is used to include both indirectly connecting and directly connecting a plurality of components.

또한, 본 명세서에서 동일, 수직, 대칭이라는 표현은, 완전히 동일, 수직, 대칭되는 경우 뿐 아니라 실질적으로 동일, 수직, 대칭되는 경우를 포함하는 개념이다. 또한, 본 명세서에서 동일, 수직, 대칭이라는 표현은 설계치가 동일, 수직, 대칭하는 경우 뿐 아니라, 제품 상에서의 동일, 수직, 대칭하는 경우를 포함하는 개념이다.Also, in this specification, the expression "same, vertical, and symmetric" is a concept including not only completely identical, vertically, symmetric but also substantially the same, vertical, and symmetrical case. In this specification, the expression "same, vertical, and symmetric" includes not only the case where the design values are the same, the vertical and the symmetry but also the case where the design is the same, vertical and symmetrical on the product.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는, 제1 발광부(10a, 20a)에서 출사된 광을 피처리물(1) 상면 방향으로 반사하는 제1 반사갓(30a) 및 제1 반사벽(40a)을 포함할 수 있다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는, 제2 발광부(10b, 20b)에서 출사된 광을 피처리물(1) 상면 방향으로 반사하는 제2 반사갓(30b) 및 제2 반사벽(40b)을 포함할 수 있다.1, a light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first reflector 30a that reflects light emitted from a first light emitting portion 10a or 20a toward a top surface of a target object 1, And a first reflective wall 40a. The light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention further includes a second reflector 30b for reflecting the light emitted from the second light emitting portions 10b and 20b toward the upper surface of the object 1 to be processed, Wall 40b.

나아가, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는 상기 제1 반사갓(30a) 및 제1 반사벽(40a)과 상기 제2 반사갓(30b) 및 제2 반사벽(40b) 외측에 위치하는 하우징(70)을 포함할 수 있다.Further, the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention may include a first reflector 30a and a first reflector 40a, and a second reflector 30b and a second reflector 40b, (70).

본 발명의 일 실시 예에 따른 피처리물(1)은 플라스틱, 필름, 종이, 유리, 기판(S) 등에 패터닝된 미세금속입자 및 전구체 등으로서, 광소결되는 대상 물질을 의미할 수 있다. 예를 들어, 피처리물(1)은 구리, 철, 몰리브데넘, 니켈, 알루미늄, 금, 백금 등의 금속뿐만 아니라, 티타늄옥사이드, 리튬코발트산화물, 실리콘산화물 등의 세라믹을 포함할 수 있다. 피처리물(1)은 나노 또는 마이크로 크기일 수 있는데, 이 경우에 입자의 표면적 비가 커지게 되어, 높은 광흡수도를 제공할 수 있다. 또한, 예를 들어, 피처리물(1)은 기판(S) 상에 인쇄된 금속 나노 잉크로서, 건조 및 소결 단계를 거쳐서 태양전지, 반도체, 디스플레이 등과 같은 전자기기의 전극으로 형성될 수 있다. 다만, 피처리물(1)이 반드시 전극을 형성하는 금속 나노 잉크에 한정되는 것은 아니다. The material 1 to be processed according to an embodiment of the present invention may be a material to be photo-sintered, such as fine metal particles and precursors patterned on a plastic film, a paper, a glass, a substrate S or the like. For example, the object 1 to be processed may contain not only metals such as copper, iron, molybdenum, nickel, aluminum, gold and platinum, but also ceramics such as titanium oxide, lithium cobalt oxide and silicon oxide. The object 1 to be treated may be nano- or micro-sized, in which case the surface area ratio of the particles becomes large, and high light absorption can be provided. In addition, for example, the object 1 to be processed is a metal nano ink printed on a substrate S, and may be formed as an electrode of an electronic device such as a solar cell, a semiconductor, a display, etc. through a drying and sintering step. However, the object to be treated 1 is not limited to the metal nano ink forming the electrodes.

이 때, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는 피처리물(1)이 인쇄된 기판(S)을 고정하는 고정부(50)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 고정부(50)는 피처리물(1)을 고정 배치시키되, 제1 반사벽(40a) 및 제2 반사벽(40b)의 말단, 즉 반사벽(40a, 40b)의 최하단으로부터 소정의 간격만큼 하향으로 이격하도록 피처리물(1)을 배치시킬 수 있다. 일 예를 들어, 상기 고정부(50)는 상기 피처리물(1)이 소결의 과정을 거치는 동안, 고정되어 있을 수도 있고, 상기 피처리물(1)이 롤투롤(roll to roll) 방식으로 이동하면서 소결되도록 이동식 고정부로서 기능할 수 있다. At this time, the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a fixing unit 50 for fixing the substrate S on which the article 1 is printed. Here, the fixing part 50 is fixedly disposed on the bottom of the ends of the first reflecting wall 40a and the second reflecting wall 40b, that is, the reflecting walls 40a and 40b, The object to be processed 1 can be disposed so as to be spaced downward by an interval. For example, the fixing unit 50 may be fixed while the object 1 is being sintered, and the object 1 may be roll-to-roll It can function as a movable fixing part to be sintered while moving.

상기 제1 발광부(10a, 20a)는 피처리물(1)의 상단 및 상기 제1 반사갓(30a) 하단에 위치하여 피처리물(1)이 형성된 기판의 상면을 향하여 광을 방사하는 기능을 수행하며, 상기 제2 발광부(10b, 20b)는 피처리물(1)의 상단 및 상기 제2 반사갓(30b) 하단에 위치하여 피처리물(1)이 형성된 기판의 상면을 향하여 광을 방사하는 기능을 수행할 수 있다.The first light emitting portions 10a and 20a are positioned at the upper end of the object 1 and the lower end of the first reflector 30a to radiate light toward the upper surface of the substrate on which the object 1 is formed And the second light emitting portions 10b and 20b are located at the upper end of the object 1 and at the lower end of the second reflector 30b to emit light toward the upper surface of the substrate on which the object 1 is formed Can be performed.

상기 제1 발광부(10a, 20a) 및 상기 제2 발광부(10b, 20b)는 제논램프, 적외선램프, 자외선램프 중 일 수 있다. 제논램프는 제논가스 속에서 일어나는 방전에 의해 발광하는 램프로서, 60nm 내지 2.5mm 사이의 넓은 파장대역의 광스펙트럼을 갖는 극단파 백색광을 발생시켜 상기 피처리물(1)을 소결시킬 수 있다. 적외선램프는 피처리물이 금속 나노 잉크인 경우에, 자외선광이 잉크 내에 함유된 고분자를 연결하는 연결고리를 끊기 때문에 소결의 효율을 향상시킬 수 있다. 또한 적외선램프는 피처리물을 건조시키는 기능을 수행할 수 있다.The first light emitting units 10a and 20a and the second light emitting units 10b and 20b may be a xenon lamp, an infrared lamp, or an ultraviolet lamp. The Xenon lamp is a lamp which emits light by discharge occurring in the xenon gas, and can generate the extreme ultraviolet light having the light spectrum of a wide wavelength band of 60 nm to 2.5 mm, thereby sintering the object 1 to be processed. When the object to be treated is a metal nano ink, the infrared lamp can improve the efficiency of sintering because ultraviolet light cuts off the linkage linking the polymer contained in the ink. The infrared lamp can also function to dry the object to be treated.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 발광부(10a, 20a)는 제1-1 발광부(10a)와 제1-2 발광부(20a)를 포함하며, 상기 제1-2 발광부(20a)는 상기 제1-1 발광부(10a) 양측으로 한 쌍이 마련될 수 있다. 또한, 상기 제2 발광부(10b, 20b)는 제2-1 발광부(10b)와 제2-2 발광부(20b)를 포함하며, 상기 제2-2 발광부(20b)는 상기 제2-1 발광부(10b) 양측으로 한 쌍이 마련될 수 있다. According to an embodiment, the first light emitting portion 10a, 20a includes a 1-1 light emitting portion 10a and a 1-2 light emitting portion 20a, and the 1-2 light emitting portion 20a, May be provided on both sides of the 1-1 light emitting portion 10a. The second light emitting units 10b and 20b include a second light emitting unit 10b and a second light emitting unit 20b. The second light emitting unit 20b includes a second light emitting unit 20b, -1 pair of light emitting units 10b.

이 때, 상기 제1-1 발광부(10a), 제1-2 발광부(20a), 제2-1 발광부(10b) 및 제2-2 발광부(20b)의 광원은 다양한 방식으로 조합될 수 있다. 예를 들어, 상기 제1-1 발광부(10a) 및 제2-1 발광부(20a)는 제논램프로 구성되고, 상기 제1-2 발광부(20a) 및 제2-2 발광부(20b)는 적외선램프 또는 자외선램프로 구성될 수 있다. 이하에서는 설명의 편의를 위하여, 상기 제1-1 발광부(10a) 및 제2-1 발광부(20a)는 제논램프로 구성되고, 상기 제1-2 발광부(20a) 및 제2-2 발광부(20b)는 적외선램프로 구성된 것을 상정하기로 한다.At this time, the light sources of the 1-1 light emitting portion 10a, the 1-2 light emitting portion 20a, the 2-1 light emitting portion 10b, and the 2-2 light emitting portion 20b may be combined . For example, the 1-1 light emitting portion 10a and the 2-1 light emitting portion 20a are formed of a xenon lamp, and the 1-2 light emitting portion 20a and the 2-2 light emitting portion 20b ) May be composed of an infrared lamp or an ultraviolet lamp. Hereinafter, for convenience of explanation, the 1-1 light emitting portion 10a and the 2-1 light emitting portion 20a are composed of a xenon lamp, and the 1-2 light emitting portion 20a and the 2-2 It is assumed that the light emitting portion 20b is composed of an infrared lamp.

상기 제1 반사벽(40a)은 상기 제1 발광부(10a, 20a)에서 출사된 광을 상기 피처리물(1) 상면 방향으로 반사하기 위한 구성으로서 상기 제1 반사갓(30a)의 일 측에 마련될 수 있다. 상기 제2 반사벽(40b)는 상기 제2 발광부(10b, 20b)에서 출사된 광을 상기 피처리물(1) 상면 방향으로 반사하기 위한 구성으로서 상기 제2 반사갓(30b)의 일 측에 마련될 수 있다.The first reflecting wall 40a has a structure for reflecting the light emitted from the first light emitting portions 10a and 20a in the direction of the upper surface of the article 1 to be processed, . The second reflecting wall 40b has a structure for reflecting the light emitted from the second light emitting portions 10b and 20b in the direction of the upper surface of the object 1 to be processed, .

상기 하우징(70)은 제1 및 제2 반사갓(30a, 30b) 및 제1 및 제2 반사벽(40a, 40b) 중 적어도 하나를 커버할 수 있다. 상기 하우징(70)은 상기 제1 및 제2 반사갓(30a, 30b)의 상부면 및 상기 제1 및 제2 반사벽(40a, 40b)의 외면을 둘러싸서, 외부의 충격으로부터 보호할 수 있다.The housing 70 may cover at least one of the first and second reflective gates 30a and 30b and the first and second reflective walls 40a and 40b. The housing 70 surrounds the upper surfaces of the first and second reflecting shafts 30a and 30b and the outer surfaces of the first and second reflecting walls 40a and 40b to protect them from external impacts.

본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치는 피처리물(1)로 향하는 광을 제어하는 광필터(60)를 더 포함할 수 있다. 상기 광필터(60)는 상기 제1 및 제2 발광부(10a, 20a, 10b, 20b) 하부와 피처리물(1) 상부 사이에 마련될 수 있다.The light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention may further include an optical filter 60 for controlling light directed to the article 1 to be processed. The optical filter 60 may be provided between a lower portion of the first and second light emitting portions 10a, 20a, 10b, and 20b and an upper portion of the object 1 to be processed.

이때, 상기 광필터(60a)는 반사벽(40a, 40b)에 의해 고정될 수 있는데, 예를 들어, 한 쌍의 제1 반사벽(40a)과 제2 반사벽(40b) 각각의 내면에 광필터(60a)가 슬라이딩되도록 슬라이딩홈이 형성되어, 탈착가능하게 부착될 수 있다. 다만, 광필터(60)가 반드시 반사벽(40a, 40b)에 고정되거나, 또는 슬라이딩되어 탈부착되어야 하는 것은 아니다.At this time, the optical filter 60a can be fixed by the reflection walls 40a and 40b. For example, the optical filter 60a can be fixed to the inner surfaces of the pair of the first reflection walls 40a and the second reflection walls 40b, A sliding groove is formed so that the filter 60a is slidable, and can be detachably attached. However, the optical filter 60 is not necessarily fixed to the reflective walls 40a and 40b, or is slidably attached to and detached from the reflective walls 40a and 40b.

이상 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치를 개략적으로 설명하였다. 이하 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 대면적 광소결 장치를 상술하기로 한다.The light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention has been described above. Hereinafter, a large area sintering apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIG.

도 2는 본 발명의 일 실시 예에 따른 대면적 광소결을 위한 평면도를 도시한다. 보다 구체적으로 도 2는 도 1의 xz 평면에서 광소결 장치를 바라본 것으로 발광부를 중심으로 도시한 것이다.Figure 2 shows a top view for large area light sintering according to one embodiment of the present invention. More specifically, FIG. 2 is a view of the light sintering apparatus viewed from the xz plane of FIG. 1, showing the light emitting unit as a center.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는 대면적 기판(S)의 광소결을 위하여, 반사갓이 x 축 및 z 축 적어도 하나의 방향으로 복수 개 마련되는 형상으로 제공될 수 있다. 이 때 개별 반사갓의 발광부가 모두 단일 방향으로 연장하도록 배열될 수 있다. 예를 들어, 각각의 반사갓의 발광부 모두가 z 축 방향으로 연장하도록 배열될 수 있다. 즉, 제1 반사갓(30a)을 이루는 제1-1 발광부(10a) 및 제1-2 발광부(20a)와 제2 반사갓(30b)을 이루는 제2-1 발광부(10b) 및 제2-2 발광부(20b) 모두 z 축 방향으로 연장하도록 배열될 수 있다.2, a light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention is provided with a shape in which a plurality of reflection shafts are provided in at least one of x-axis and z-axis directions for photo-sintering a large area substrate S . At this time, the light-emitting portions of the individual reflectors may be arranged to extend in a single direction. For example, all of the light-emitting portions of the respective reflectors may be arranged to extend in the z-axis direction. That is, the first light emitting portion 10a constituting the first reflector 30a and the second light emitting portion 10b and the second light emitter 10b constituting the second light emitter 20a and the second reflector 30b, Emitting portion 20b may be arranged to extend in the z-axis direction.

일 실시 예에 따르면, 일 반사갓과 이에 인접하는 반사갓 사이 영역에는 격벽(80)이 형성될 수 있다. According to one embodiment, a partition 80 may be formed in the area between the one reflector and the adjacent reflector.

예를 들어, 상기 격벽(80)은 제1 반사갓에 포함되어 길이 방향으로 연장하는 일 발광부와 이에 인접하는 제2 반사갓에 포함되어 길이 방향으로 연장하는 타 발광부 사이 영역에 마련될 수 있다. 이 경우 상기 격벽(80)은 발광부의 길이 방향과 평행한 z 축 방향으로 연장할 수 있다. For example, the partition 80 may be provided in a region between one light emitting portion included in the first reflector and extending in the longitudinal direction and another light emitter included in the second reflector adjacent thereto and extending in the longitudinal direction. In this case, the barrier ribs 80 may extend in the z-axis direction parallel to the longitudinal direction of the light-emitting portion.

또한, 상기 격벽(80)은 제1 반사갓에 포함되어 길이 방향으로 연장하는 일 발광부와 상기 일 발광부의 길이 방향으로 인접하며 동일한 방향으로 연장하는 타 발광부 사이 영역에 마련될 수 있다. 이 경우 상기 격벽(80)은 발광부의 길이 방향과 직교하는 x 축 방향으로 연장할 수 있다. 특히, 발광부의 길이 방향 일 단에는 발광부에 전력을 공급하는 어댑터(adaptor; 12a, 22a, 12b, 22b)가 위치할 수 있다.In addition, the barrier ribs 80 may be provided in a region between one light emitting portion included in the first reflector and extending in the longitudinal direction and another light emitting portion adjacent in the longitudinal direction of the one light emitting portion and extending in the same direction. In this case, the barrier ribs 80 may extend in the x-axis direction perpendicular to the longitudinal direction of the light emitting portion. In particular, adapters (12a, 22a, 12b, 22b) for supplying electric power to the light emitting portion may be located at one longitudinal end of the light emitting portion.

도 2를 참조하여 설명한 실시 예에 있어서 대면적 기판(S)의 표면에 전체에 걸쳐서 높은 광균일도를 제공하기 위해서는 반사갓의 구조와 격벽의 설계가 중요하다. 이하 도 3을 참조하여, 반사갓의 구조와 격벽에 대하여 상술하기로 한다.In the embodiment described with reference to FIG. 2, the structure of the reflector and the design of the barrier rib are important in order to provide a high light uniformity over the entire surface of the large-area substrate S. 3, the structure of the reflector and the partition will be described in detail.

도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 격벽을 설명하기 위한 것으로서, 도 2의 A-A'라인에 따른 단면도이다.3 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG. 2 for illustrating a barrier rib according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는 제1 반사갓(30a) 및 이에 인접하는 제2 반사갓(30b)을 포함하며, 상기 제1 반사갓(30a)와 상기 제2 반사갓(30b) 사이에는 격벽(80)이 마련될 수 있다. 제2 반사갓(30b)은 상기 제1 반사갓(30a)에 대칭하는 구조이므로 제1 반사갓(30a)을 중심으로 설명하기로 한다.3, a light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention includes a first reflector 30a and a second reflector 30b adjacent thereto, and the first reflector 30a and the second reflector 30b, And a barrier rib 80 may be provided between the barrier ribs 30b. Since the second reflector 30b has a structure symmetrical to the first reflector 30a, the first reflector 30a will be mainly described.

상기 제1 반사갓(30a) 및 제1 반사벽(40a)은 상술한 제1 발광부(10a, 20a)에서 출사된 광이 기판(S) 상면에 균일하게 반사되도록 반사면을 제공할 수 있다.The first reflector 30a and the first reflector 40a may provide a reflective surface such that the light emitted from the first light emitting portions 10a and 20a is uniformly reflected on the upper surface of the substrate S. [

이를 위하여, 제1 반사갓(30a)은 제1-1 주만곡부(33a) 및 제1-2 주만곡부(34a)를 포함하여 이루어질 수 있다.To this end, the first reflector 30a may include a first main folding section 33a and a first main folding section 34a.

상기 제1-1 주만곡부(33a)는 피처리물(1a)이 형성된 기판(S)으로 광을 발광하는 제1-1 발광부(10a)가 마련되는 위치의 좌상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상(+y 방향)으로 이루어져 상기 제1-1 발광부(10a)에서 출사된 광을 상기 기판(S) 상면 방향으로 반사할 수 있다. 또한, 상기 제1-1 주만곡부(33a)는 상기 제1-1 주만곡부(33a)의 x 축 방향 길이 중심을 y 축으로 교차하는 중심을 기준으로 대칭을 이룰 수 있다.The first 1-1 main bent portion 33a is disposed on the left upper side of the position where the 1-1 light emitting portion 10a that emits light to the substrate S on which the article to be processed 1a is formed is provided, (+ Y direction) to reflect the light emitted from the 1-1 light emitting portion 10a toward the top surface of the substrate S. In addition, the first main winding part 33a may be symmetrical with respect to the center of the longitudinal center of the first main winding part 33a in the x-axis direction on the y-axis.

상기 제1-2 주만곡부(34a)는 피처리물(1a)이 형성된 기판(S)으로 광을 발광하는 제1-1 발광부(10a)가 마련되는 위치의 우상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상(+y 방향)으로 이루어져 상기 제1-1 발광부(10a)에서 출사된 광을 상기 기판(S) 상면 방향으로 반사할 수 있다. 또한, 상기 제1-2 주만곡부(34a)는 상기 제1-2 만곡부(34a)의 x 축 방향 길이 중심을 y 축으로 교차하는 중심을 기준으로 대칭을 이룰 수 있다.The first and second main curved portions 34a are arranged on the upper right side of the position where the 1-1 light emitting portion 10a for emitting light to the substrate S on which the object 1a is formed is provided, (+ Y direction) to reflect the light emitted from the 1-1 light emitting portion 10a toward the top surface of the substrate S. The first and second main bend portions 34a may be symmetrical with respect to the center of the lengthwise center of the first and second bending portions 34a in the x-axis direction.

이 때, 상기 제1-1 주만곡부(33a)의 현(a1)과 상기 제1-2 주만곡부(34)의 현(b1)은 동일 선 상에 위치할 수 있다.At this time, the string a1 of the first main folding portion 33a and the string b1 of the first main folding portion 34 may be located on the same line.

또한, 상기 제1-1 주만곡부(33a)의 우측 단부와 상기 제1-2 주만곡부(34a)의 좌측 단부는 접점을 형성하며, 상기 접점에서 상기 제1-1 발광부(10a)의 길이방향 단면 중심을 연장하는 선(line, c: 이하 중심선으로 칭함)은 상기 피처리물이 형성된 기판에 대하여 수직을 이룰 수 있다.The left end of the first main folding portion 33a and the left end of the first main folding portion 34a form a contact point. The length of the first light emitting portion 10a A line (line, c: hereinafter referred to as a center line) extending in the center of the directional section can be perpendicular to the substrate on which the object to be processed is formed.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1-1 발광부(10a)는 제1-1 주만곡부(33a)의 우측 단부와 상기 제1-2 주만곡부(34a)의 좌측 단부가 이루는 접점에 소정 거리 하측으로 이격하여 배치될 수 있다. 이하에서는 상기 제1-1 발광부(10a)는 제논램프로 구성된 것을 상정하기로 한다.According to one embodiment, the 1-1 light emitting portion 10a is connected to the contact between the right end of the 1-1 main coil portion 33a and the left end of the 1-2 main coil portion 34a, As shown in Fig. Hereinafter, it is assumed that the 1-1 light emitting portion 10a is composed of a xenon lamp.

이로써, 상기 제1-1 만곡부(33a) 및 상기 제1-2 만곡부(33b)를 포함하는 제1 반사갓(30a)은 상기 제1-1 발광부(10a)에서 출사된 광이 상기 피처리물(1a)이 형성된 기판(S) 표면에 균일한 강도로 도달하도록 반사면을 제공할 수 있다.Thus, the first reflector 30a including the first-first bend portion 33a and the second-second bend portion 33b is arranged so that the light emitted from the first- It is possible to provide the reflecting surface so as to reach the surface of the substrate S on which the first electrode 1a is formed with a uniform intensity.

만약, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반사갓과 달리, 단일 원호 형상을 가진 반사갓 아래에 발광부가 배치되는 경우, 발광부에서 직접 피처리물의 표면으로 출사되는 광과, 발광부에서 반사갓에 반사되어 피처리물의 표면으로 출사되는 광이 중첩되게 된다. 이에 따라 종래 기술에서는 피처리물의 중심부에서의 광의 세기가 피처리물 주변부보다 높게 나타나는 문제가 있었다.In the case where the light emitting portion is disposed under the reflector having a single circular arc shape, unlike the reflector according to the embodiment of the present invention, light emitted from the light emitting portion directly to the surface of the object to be processed, The light emitted to the surface of the processed material is superimposed. Accordingly, in the prior art, there is a problem that the intensity of light at the central portion of the object appears higher than the peripheral portion of the object to be processed.

그러나, 본 발명의 실시 예와 같이, 제1-1 발광부(10a)가 제1-1 만곡부(33a)와 제1-2 만곡부(34a)가 접하는 접점 아래에 위치함으로써, 제1-1 발광부(10a)에서 반사갓에 의하여 반사되어 피처리물(1)의 표면으로 조사되는 광의 세기를 줄일 수 있다. 이에 따라 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 피처리물의 중심부에서의 광의 세기와 피처리물 주변부에서의 광의 세기가 균일해지는 효과를 제공할 수 있다.However, as in the embodiment of the present invention, the 1-1 light emitting portion 10a is located below the contact point where the 1-1 bend portion 33a and the 1-2 bend portion 34a are in contact with each other, The intensity of the light reflected by the reflection gantry at the portion 10a and irradiated to the surface of the object 1 can be reduced. Thus, according to an embodiment of the present invention, it is possible to provide an effect that the intensity of light at the central portion of the object to be processed and the intensity of light at the peripheral portion of the object to be processed become uniform.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 제1 반사갓(30a)은 피처리물로 향하는 광의 균일도를 향상시키기 위하여 제1-1 보조만곡부(35a) 및 제1-2 보조만곡부(36a)를 더 포함할 수 있다.The first reflector 30a according to an embodiment of the present invention further includes a first 1-1 second auxiliary curved portion 35a and a 1-2 first auxiliary curved portion 36a in order to improve the uniformity of light directed toward the object to be processed can do.

상기 보조만곡부(35a, 36a)는 상기 주만곡부(33a, 34a)와 같이, 제1 반사갓(30a)의 하부면에서부터 상향으로 오목하게 함몰되어, 만곡된 형태로 형성되는데, 그 일단은 각각 제1 주만곡부(33a, 34a)의 타단에 접할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 제1-1 보조만곡부(35a)는 상기 제1-1 주만곡부(33a)의 좌측 단부에서 상향으로 볼록하도록 연장하며, 상기 제1-2 보조만곡부(36a)는 상기 제1-2 주만곡부(34a)의 우측 단부에서 상향으로 볼록하도록 연장할 수 있다.The auxiliary curved portions 35a and 36a are concavely recessed upward from the lower surface of the first reflector 30a so as to have a curved shape like the main curved portions 33a and 34a, And can contact the other ends of the main bent portions 33a and 34a. More specifically, the first-first auxiliary bending portion 35a extends upwardly convexly from the left end of the first-first main bending portion 33a, and the first-second auxiliary bending portion 36a extends from the left- And can extend so as to be convex upward at the right end of the bending portion 34a.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1-1 주만곡부(33a)와 상기 제1-1 보조만곡부(35a)는 상기 중심선(c)을 기준으로 상기 제1-2 주만곡부(34a)와 상기 제1-2 보조만곡부(36a)와 대칭을 이룰 수 있다.According to an embodiment, the first main flexure portion 33a and the first auxiliary flexure portion 35a may be formed on the first main flexure portion 34a and the first main flexure portion 34a, -2 auxiliary curved portion 36a.

상기 제1-1 보조만곡부(35a) 및 제1-2 보조만곡부(36a) 하측에는 제1-2 발광부(20a)가 위치할 수 있다. 이 때, 상기 제1-1 보조만곡부(35a) 및 상기 제1-2 보조만곡부(36a)는 상기 제1-2 발광부(20a)의 적어도 일부를 둘러싸도록 위치할 수 있다.The 1-2 light emitting portion 20a may be positioned below the 1-1 second auxiliary curved portion 35a and the 1-2 second auxiliary curved portion 36a. At this time, the first 1-1 sub-curvature portion 35a and the 1-2 sub-curvature portion 36a may be positioned to surround at least a part of the 1-2 light emitting portion 20a.

상기 제1-1 보조만곡부(35a) 및 제1-2 보조만곡부(36a) 하측에 각각 위치하는 제1-2 발광부(20a)는 상기 중심선(c)을 기준으로 대칭을 이룰 수 있다.The 1-2 light emitting portion 20a located below the 1-1 second auxiliary curved portion 35a and the 1-2 second auxiliary curved portion 36a may be symmetrical with respect to the center line c.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1-2 발광부(20a)는 상기 제1-1 발광부(10a) 보다 상단 +y 방향에 위치할 수 있다. According to one embodiment, the 1-2 light emitting portion 20a may be positioned in the upper + y direction with respect to the 1-1 light emitting portion 10a.

상기 제1 반사갓(30a)은 금, 은, 알루미늄, 철 등 다양한 금속, 및 세라믹, 알루미나 등 비금속 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상이 혼합되어 제조될 수 있다. 이때 반드시 상기 제1 반사갓(30a) 그 자체가 이러한 재료로 제조되어야 하는 것은 아니고, 이러한 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상을 혼합한 혼합물이 제1 반사갓(30a)의 하부면에 코팅되어 제조될 수 있다.The first reflector 30a may be manufactured by mixing any one or two or more of various metals such as gold, silver, aluminum, iron, and non-metallic materials such as ceramics and alumina. At this time, the first reflector 30a itself is not necessarily made of such a material, and a mixture of any one or more of these materials may be coated on the lower surface of the first reflector 30a have.

한편, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는, 상기 제1-1 발광부(10a) 및 상기 제1-2 발광부(20a)에서 방사된 광을 상기 기판(S) 표면으로 반사하는 제1 반사벽(40a)을 더 포함할 수 있다.Meanwhile, the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention may be configured such that light emitted from the 1-1 light emitting portion 10a and the 1-2 light emitting portion 20a is reflected to the surface of the substrate S And may further include a first reflecting wall 40a.

상기 제1 반사벽(40a)도 금, 은, 알루미늄, 철 등 다양한 금속, 및 세라믹, 알루미나 등 비금속 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상이 혼합되어 제조될 수 있다. 이때 반드시 제1 반사벽(40a) 그 자체가 이러한 재료로 제조되어야 하는 것은 아니고, 이러한 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상을 혼합한 혼합물이 제1 반사벽(40a)의 하부면에 코팅되어 제조될 수 있다.The first reflective wall 40a may be formed by mixing any one or two or more of various metals such as gold, silver, aluminum, iron, and non-metallic materials such as ceramics and alumina. At this time, the first reflecting wall 40a itself is not necessarily made of such a material, and a mixture of any one or more of these materials is coated on the lower surface of the first reflecting wall 40a .

상기 제1 반사갓(30a)과 기판(S) 사이에는 광필터(60, 미도시)가 마련될 수 있다. 상기 광필터(60)는 특정 스펙트럼을 선택적으로 투과시키는 필터 또는 쿼츠로 이루어질 수 있다.An optical filter 60 (not shown) may be provided between the first reflector 30a and the substrate S. The optical filter 60 may be a filter or quartz that selectively transmits a specific spectrum.

이상 제1 반사갓(30a), 제1 발광부(10a, 20a), 제1 반사벽(40a)에 대하여 설명하였다. 앞서 설명한 바와 같이, 제2 반사갓(30b), 제2 발광부(10b, 20b), 제2 반사벽(40b)는 형상과 구조 기능이 각각 제1 반사갓(30a), 제1 발광부(10a, 20a), 제1 반사벽(40a)에 대응되므로 구체적인 설명을 생략하기로 한다.The first reflector 30a, the first light emitting portions 10a and 20a, and the first reflector 40a have been described. As described above, the second reflector 30b, the second light emitting portions 10b, 20b, and the second reflector 40b have the shape and the function of the first reflector 30a, the first light emitting portion 10a, 20a, and the first reflecting wall 40a, detailed description thereof will be omitted.

이하에서는 제1 반사갓(30a)과 제2 반사갓(30b) 사이에 마련되는 격벽(80)에 대하여 상술하기로 한다.Hereinafter, the barrier ribs 80 provided between the first reflector 30a and the second reflector 30b will be described in detail.

상기 격벽(80)은 상기 격벽(80) 하측에 위치하는 기판에도 제1 반사갓(30a) 하부 및/또는 제2 반사갓(30b) 하부 기판과 동일한 크기의 광이 조사되도록 형성될 수 있다.The barrier ribs 80 may be formed on the substrate located below the barrier ribs 80 such that light having the same size as that of the lower substrate of the first reflector 30a and / or the lower substrate of the second reflector 30b is irradiated.

이를 위하여, 상기 격벽(80)은 상단은 넓고 하단은 좁은 상광하협 (上廣下狹)의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽(80)은 역 삼각형의 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 제1 반사갓(30a) 하부의 제1 발광부(10a, 20a)에서 방사되는 광과 제2 반사갓(30b) 하부의 제2 발광부(10b, 20b)에서 방사되는 광이 상기 격벽(80) 하부로 제공되게 되며, 이 때 제1 및 제2 반사갓(30a, 30b) 각각의 하부와 동일한 정도의 광 균일도가 제공될 수 있다.For this purpose, the barrier ribs 80 may have a shape of a broad upper end and a lower upper end. For example, the barrier ribs 80 may have an inverted triangular shape. In this case, the light emitted from the first light emitting portion 10a, 20a under the first reflector 30a and the light emitted from the second light emitting portion 10b, 20b under the second reflector 30b, 80, and at this time, light uniformity as much as the lower portion of each of the first and second reflectors 30a, 30b can be provided.

일 실시 예에 따르면, 상기 역 삼각형 형상의 격벽(80)은 두께(d) 0mm 초과 80mm 이하, 격벽의 경사면 각도(θ) 0도 초과 90도 미만, 제1-1 주만곡부(33a)와 제1-2 주만곡부(34a) 사이의 접점 높이에서 격벽 하단부 높이까지의 y 축 방향 거리(L) 0mm 초과 100mm 미만으로 설계될 수 있다.According to one embodiment, the inverted triangular partition wall 80 has a thickness d of not less than 0 mm and not more than 80 mm, an angle of inclination of the partition wall of 0 to less than 90 degrees, The distance L in the y-axis direction from the contact height between the 1-2 main curve portions 34a to the height of the bottom of the partition can be designed to be more than 0 mm and less than 100 mm.

상기 격벽(80)도 금, 은, 알루미늄, 철 등 다양한 금속, 및 세라믹, 알루미나 등 비금속 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상이 혼합되어 제조될 수 있다. 이때 반드시 상기 격벽(80) 그 자체가 이러한 재료로 제조되어야 하는 것은 아니고, 이러한 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상을 혼합한 혼합물이 격벽(80)의 하부면에 코팅되어 제조될 수 있다.The barrier ribs 80 may be formed by mixing any one or two or more of various metals such as gold, silver, aluminum, and iron, and non-metallic materials such as ceramics and alumina. At this time, the barrier ribs 80 themselves are not necessarily made of such a material, and a mixture of any one or more of these materials may be coated on the lower surface of the barrier ribs 80.

도 4는 도 3을 참조하여 설명한 반사갓 및 격벽 적용 시에 기판에 도달하는 발광부 광원의 세기를 나타낸 그래프이다. 보다 구체적으로 도 2의 좌측 상단 및 우측 상단의 구조(1x2)를 통하여 실험한 그래프이다. 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광부에서 방사된 광원의 세기가 기판 표면 특히 격벽 아래에서도 균일하게 분포됨을 알 수 있다. 참고로, 도 4의 (a)는 발광부에서 방사된 광원의 세기를 3차원 그래프로 나타낸 것이고, 도 4의 (b)는 y축 방향으로 바라본 2차원 데이터로서, 전 면적에 걸친 광원의 세기가 균일한 것으로 확인되었다.FIG. 4 is a graph illustrating intensity of a light-emitting unit light source reaching a substrate when applying the reflector and the barrier rib described with reference to FIG. More specifically, FIG. 2 is a graph of an experiment performed through the upper left and upper right structures (1x2) of FIG. As shown in FIG. 4, the intensity of the light emitted from the light emitting unit according to an exemplary embodiment of the present invention is uniformly distributed even on the surface of the substrate, particularly below the barrier ribs. 4 (a) is a three-dimensional graph showing the intensity of the light emitted from the light emitting unit, and FIG. 4 (b) is two-dimensional data viewed in the y-axis direction. Was found to be uniform.

이상 도 3을 중심으로 본 발명의 일 실시 예에 따른 대면적 광소결을 위한 광 반사 구조 및 격벽 구조를 함께 설명하였다. 이하에서는 도 5를 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 다른 대면적 광소결을 위한 격벽 구조를 설명하기로 한다.3, the light reflecting structure and the barrier rib structure for large area light sintering according to an embodiment of the present invention are also described. Hereinafter, the barrier rib structure for large area light sintering according to another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 격벽을 설명하기 위한 것으로서, 도 2의 A-A'라인에 대응되는 단면도이다.5 is a cross-sectional view corresponding to line A-A 'of FIG. 2 for illustrating a barrier rib according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하여 설명할 광소결 장치도 제1 반사갓(30a), 제1 발광부(10a, 20a), 제1 반사벽(40a), 제2 반사갓(30b), 제1 발광부(10b, 20b) 및 제2 반사벽(40b)을 포함하며 이들 구성은 앞서 도 3을 참조하여 설명한 바와 동일하므로 상세한 설명을 생략하기로 한다. 이하에서는 대별되는 구성인 격벽을 중심으로 설명하기로 한다.The light sintering apparatus to be described with reference to FIG. 5 also includes a first reflector 30a, first light emitting portions 10a and 20a, first reflector 40a, second reflector 30b, first light emitting portions 10b, 20b, and a second reflecting wall 40b. These structures are the same as those described above with reference to FIG. 3, and a detailed description thereof will be omitted. Hereinafter, a description will be given mainly of the partition wall, which is a typical structure.

도 5를 참조하여 설명하는 실시 예에 따른 격벽(80)은 제1 반사갓(30a)과 제2 반사갓(30b) 사이에 마련될 수 있다. 상기 격벽(80)은 상기 격벽(80) 하측에 위치하는 기판에도 제1 반사갓(30a) 하부 및/또는 제2 반사갓(30b) 하부 기판과 동일한 크기의 광이 조사되도록 형성될 수 있다.The partition 80 according to the embodiment described with reference to FIG. 5 may be provided between the first reflector 30a and the second reflector 30b. The barrier ribs 80 may be formed on the substrate located below the barrier ribs 80 such that light having the same size as that of the lower substrate of the first reflector 30a and / or the lower substrate of the second reflector 30b is irradiated.

이를 위하여, 상기 격벽(80)은 상단은 넓고 하단은 좁은 상광하협 (上廣下狹)의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽(80)의 단부는 상변이 넓고 하변이 좁은 역 사다리꼴 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 제1 반사갓(30a) 하부의 제1 발광부(10a, 20a)에서 방사되는 광과 제2 반사갓(30b) 하부의 제2 발광부(10b, 20b)에서 방사되는 광이 상기 격벽(80) 하부로 제공되게 되며, 이 때 제1 및 제2 반사갓(30a, 30b) 각각의 하부와 동일한 정도의 광 균일도가 제공될 수 있다.For this purpose, the barrier ribs 80 may have a shape of a broad upper end and a lower upper end. For example, the end of the partition 80 may have an inverted trapezoidal shape with a wide upper side and a narrow lower side. In this case, the light emitted from the first light emitting portion 10a, 20a under the first reflector 30a and the light emitted from the second light emitting portion 10b, 20b under the second reflector 30b, 80, and at this time, light uniformity as much as the lower portion of each of the first and second reflectors 30a, 30b can be provided.

일 실시 예에 따르면 상기 역 사다리꼴 형상의 격벽(80)은 두께(d) 0mm 초과 200mm 이하, 격벽의 경사면 각도(θ) 0도 초과 90도 미만, 제1-1 주만곡부(33a)와 제1-2 주만곡부(34a) 사이의 접점 높이에서 역 사다리꼴 하단부 높이까지의 y 축 방향 거리(L1) 0mm 초과 300mm 이하, 제1-1 주만곡부(33a)와 제1-2 주만곡부(34a) 사이의 접점 높이에서 역 사다리꼴 상단부 높이까지의 y 축 방향 거리(L2) 0mm 초과 300mm 이하로 구성될 수 있다. 이 때, L2는 L1 보다 짧게 형성된다.The reverse trapezoidal partition wall 80 has a thickness d of not less than 0 mm and not more than 200 mm, an inclined plane angle of the partition wall of 0 to less than 90 degrees, Axis distance L1 from the contact height between the first and second main bends 34a and 34a to the height of the lower end of the inverted trapezoid is equal to or smaller than 0 mm and equal to or smaller than 300 mm and between the first and second main bends 33a and 34a (L2) of 0 mm to 300 mm in the y-axis direction from the contact height of the contact portion to the height of the inverted trapezoidal upper end. At this time, L2 is formed to be shorter than L1.

도 6은 도 5를 참조하여 설명한 반사갓 및 격벽 적용 시에 기판에 도달하는 발광부 광원의 세기를 나타낸 그래프이다. 보다 구체적으로 도 2의 좌측 상단 및 우측 상단의 구조(1x2)를 통하여 실험한 그래프이다. 도 6에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따른 발광부에서 방사된 광원의 세기가 기판 표면 특히 격벽 아래에서도 균일하게 분포됨을 알 수 있다. 참고로, 도 6의 (a)는 발광부에서 방사된 광원의 세기를 3차원 그래프로 나타낸 것이고, 도 6의 (b)는 y축 방향으로 바라본 2차원 데이터로서, 전 면적에 걸친 광원의 세기가 균일한 것으로 확인되었다.FIG. 6 is a graph illustrating the intensity of a light-emitting portion light source reaching a substrate when applying the reflector and the barrier rib described with reference to FIG. More specifically, FIG. 2 is a graph of an experiment performed through the upper left and upper right structures (1x2) of FIG. As shown in FIG. 6, the intensity of the light emitted from the light emitting unit according to an exemplary embodiment of the present invention is uniformly distributed even on the surface of the substrate, particularly below the barrier ribs. 6 (a) is a three-dimensional graph showing the intensity of the light emitted from the light emitting unit, and FIG. 6 (b) is two-dimensional data viewed in the y-axis direction. Was found to be uniform.

이상 도 5를 중심으로 본 발명의 다른 실시 예에 따른 격벽에 대하여 설명하였다. 본 발명의 실시 예들에 따른 격벽의 길이 방향 단면은 상변이 넓고 하변이 좁은 상광하협의 형상으로 구성된다.The barrier rib according to another embodiment of the present invention has been described with reference to FIG. The longitudinal cross-section of the barrier ribs according to the embodiments of the present invention is formed into a shape having a wide upper side and a narrow lower side.

만약, 본 발명과 달리 격벽의 길이 방향 단면이 직사각형 형상을 가지는 경우, 제1 반사갓과 격벽 경계와 제2 반사갓과 격벽 경계에서 광 세기가 현저히 차이나는 문제가 발생하게 된다. 광 균일도가 떨어지게 되면 광소결의 신뢰성을 확보할 수 없게 된다.Unlike the present invention, when the longitudinal cross section of the barrier rib has a rectangular shape, there arises a problem that light intensity significantly differs between the first reflector, the barrier rib boundary, the second reflector, and the barrier rib boundary. If the light uniformity is lowered, the reliability of the optical element can not be secured.

그러나, 본 발명의 실시 예들과 같이, 격벽이 상광하협의 형상을 가지는 경우, 제1 반사갓과 격벽 경계와 제2 반사갓과 격벽 경계 사이에서도 광 균일성이 우수한 것으로 나타났다. 이에 본 발명의 실시 예들에 따르면, 개별 반사갓을 x 축 및 y 축으로 복수 개 배치하고 개별 반사갓 사이에는 격벽을 형성함으로써, 고신뢰도의 광소결 장치를 제공할 수 있다.However, as in the embodiments of the present invention, in the case where the barrier rib has the shape of the upper light-tight narrowing, the light uniformity is also excellent between the first reflector, the barrier rib boundary, the second reflector and the barrier rib boundary. According to the embodiments of the present invention, it is possible to provide a highly reliable light sintering apparatus by arranging a plurality of individual reflectors in the x- and y-axes and a partition wall between the individual reflectors.

도 7은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 대면적 광소결을 위한 평면도를 도시한다. 보다 구체적으로 도 7은 도 1의 xz 평면에서 광소결 장치를 바라본 것이다. 도 7을 참조하여 설명한 실시 예에서는 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한 실시 예와 중복되는 부분은 생략하고 대별되는 구성을 중심으로 설명하기로 한다.7 shows a plan view for large area light sintering according to another embodiment of the present invention. More specifically, Fig. 7 shows the optical sintering apparatus viewed from the xz plane of Fig. In the embodiment described with reference to FIG. 7, the parts overlapping with the embodiments described with reference to FIG. 1 to FIG. 6 will be omitted,

도 7을 참조하면, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 광소결 장치는 대면적 기판(S)의 광소결을 위하여, 반사갓이 x 축 및 z 축 적어도 하나의 방향으로 복수 개 마련되는 형상으로 제공될 수 있다. 이 때 일 반사갓의 발광부와 이에 인접하는 반사갓의 발광부는 교차하는 방향으로 형성될 수 있다. 예를 들어, 일 반사갓의 발광부가 z 축 방향으로 연장하는 경우, 이에 x 축 방향으로 인접하는 반사갓의 발광부는 직교할 수 있고, 또한 이에 z 축 방향으로 인접하는 반사갓의 발광부도 직교할 수 있다.7, a light sintering apparatus according to another embodiment of the present invention is provided with a shape in which a plurality of reflection shafts are provided in at least one of x-axis and z-axis directions for light sintering of a large-area substrate S . At this time, the light emitting portion of the reflective reflector and the reflective portion of the reflective reflector adjacent thereto may be formed in a direction intersecting with each other. For example, when the light emitting portion of the unidirectional reflector extends in the z-axis direction, the light emitting portion of the reflector adjacent thereto in the x-axis direction can be orthogonal and the light emitting portion of the reflector adjacent thereto in the z-

만약, 일 반사갓에 포함된 발광부와 상기 일 반사갓에 인접하는 타 반사갓에 포함된 발광부가 평행하도록 배치되는 경우, 발광부 일 단에 마련되는 어댑터들이 연속적으로 위치하므로 어댑터들의 두께에 의하여 격벽의 두께가 두꺼워지게 된다.In the case where the light emitting portion included in the unidirectional reflector and the light emitting portion included in the other reflector adjacent to the unidirectional reflector are disposed in parallel, the adapters provided at one end of the light emitting portion are continuously positioned, .

그러나, 본 실시 예와 같이, 일 반사갓에 포함된 발광부와 상기 일 반사갓에 인접(x 축 또는 z 축)하는 타 반사갓에 포함된 발광부가 직교하도록 배치되는 경우, 일 발광부 일 단에 마련되는 어댑터와 타 발광부 일 단에 마련되는 어댑터가 비 연속적으로 배치되므로 격벽의 두께를 얇게 할 수 있다. 이 경우, 격벽의 두께가 얇아지므로 광균일도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.However, as in the present embodiment, when the light emitting portion included in the one reflector and the light emitters included in the other reflector adjacent to the one reflector (x-axis or z-axis) are arranged to be orthogonal, Since the adapter and the adapter provided at one end of the other light emitting portion are disposed discontinuously, the thickness of the partition wall can be reduced. In this case, since the thickness of the partition wall is reduced, the light uniformity can be improved.

일 실시 예에 따르면, 일 반사갓과 이에 인접하는 반사갓 사이 영역에는 격벽(80)이 형성될 수 있다. 이하 도 8을 참조하여 도 7에 도시된 실시 예에 따른 격벽 구조에 대하여 상술하기로 한다.According to one embodiment, a partition 80 may be formed in the area between the one reflector and the adjacent reflector. Hereinafter, the barrier rib structure according to the embodiment shown in FIG. 7 will be described in detail with reference to FIG.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 격벽을 설명하기 위한 것으로서, 도 7의 B-B'라인에 따른 단면도이다.8 is a cross-sectional view taken along line B-B 'of FIG. 7 for illustrating a barrier rib according to another embodiment of the present invention.

도 8을 참조하여 설명할 광소결 장치도 제1 반사갓(30a), 제1 발광부(10a, 20a), 제1 반사벽(40a), 제2 반사갓(30b), 제1 발광부(10b, 20b) 및 제2 반사벽(40b)을 포함한다. 이들 구성은 앞서 도 3을 참조하여 설명한 바와 동일하므로 상세한 설명을 생략하기로 한다. 다만, 제1 반사갓(30a), 제1 발광부(10a, 20a), 제1 반사벽(40a)과 제2 반사갓(30b), 제2 발광부(10b, 20b), 제1 반사벽(40b)은 연장 방향에 있어 상이할 수 있다. 이하에서는 대별되는 구성인 격벽을 중심으로 설명하기로 한다.The light sintering apparatus to be described with reference to FIG. 8 also includes a first reflecting reflector 30a, first light emitting portions 10a and 20a, a first reflecting wall 40a, a second reflecting reflector 30b, a first light emitting portion 10b, 20b and a second reflecting wall 40b. These configurations are the same as those described above with reference to FIG. 3, and therefore, a detailed description thereof will be omitted. The first reflector 30a, the first light-emitting portions 10a and 20a, the first reflector 40a and the second reflector 30b, the second light-emitting portions 10b and 20b, the first reflector 40b May differ in the direction of extension. Hereinafter, a description will be given mainly of the partition wall, which is a typical structure.

도 8을 참조하여 설명하는 실시 예에 따른 격벽(80)은 제1 반사갓(30a)과 제2 반사갓(30b) 사이에 마련될 수 있다. 상기 격벽(80)은 상기 격벽(80) 하측에 위치하는 기판에도 제1 반사갓(30a) 하부 및/또는 제2 반사갓(30b) 하부 기판과 동일한 크기의 광이 조사되도록 형성될 수 있다.The partition 80 according to the embodiment described with reference to FIG. 8 may be provided between the first reflector 30a and the second reflector 30b. The barrier ribs 80 may be formed on the substrate located below the barrier ribs 80 such that light having the same size as that of the lower substrate of the first reflector 30a and / or the lower substrate of the second reflector 30b is irradiated.

이를 위하여, 상기 격벽(80)은 상단은 넓고 하단은 좁은 상광하협 (上廣下狹)의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 격벽(80)의 단부는 상변이 넓고 하변이 좁은 형상을 가질 수 있다. 특히, 제1 반사갓(30a)와 제2 반사갓(30b) 각각의 발광부의 방향이 다르기 때문에 격벽(80) 하부 영역으로 방사하는 광의 양도 차이가 나게 된다. 따라서, 상기 격벽(80)은 상기 격벽(80)의 연장 방향(z축 방향)과 동일한 방향(z축 방향)으로 연장하는 발광부에 인접하여 위치하는 제1 경사면과 상기 격벽(80)의 연장 방향(z축 방향)과 직교하는 방향(x축 방향)으로 연장하는 발광부에 인접하여 위치하는 제2 경사면을 포함하되, 광 양을 조절하도록 상기 제1 경사면은 상기 제2 경사면 보다 경사시작점이 상단에 위치할 수 있다.For this purpose, the barrier ribs 80 may have a shape of a broad upper end and a lower upper end. For example, the end of the partition 80 may have a wide top and a narrow bottom. Particularly, since the directions of the light emitting portions of the first reflector 30a and the second reflector 30b are different from each other, there is a difference in the amount of light radiated to the region below the barrier ribs 80. [ Therefore, the barrier ribs 80 are formed on the first inclined surfaces positioned adjacent to the light emitting portions extending in the same direction (z-axis direction) as the extension direction (z-axis direction) of the barrier ribs 80, And a second inclined surface positioned adjacent to the light emitting portion extending in a direction (x-axis direction) orthogonal to the first inclined surface (z-axis direction), wherein the first inclined surface is inclined with respect to the second inclined surface Can be positioned at the top.

일 실시 예에 따르면, 상기 격벽(80)은 두께(d) 0mm 초과 200mm 이하, 제1-1 주만곡부(33a)와 제1-2 주만곡부(34a) 사이의 접점 높이에서 격벽 하단부 높이까지의 y 축 방향 거리(L1) 0mm 초과 300mm 이하, 제1-1 주만곡부(33a)와 제1-2 주만곡부(34a) 사이의 접점 높이에서 제1 경사시작점 높이까지의 y 축 방향 거리(L2) 0mm 초과 300mm 이하, 제1-1 주만곡부(33a)와 제1-2 주만곡부(34a) 사이의 접점 높이에서 제2 경사시작점 높이까지의 y 축 방향 거리(L3) 0mm 초과 180mm 이하, 제1 경사면의 각도(θ1) 0도 초과 180도 미만, 제2 경사면의 각도(θ2) 0도 초과 180도 미만으로 구성될 수 있다. 이 때, L1>L2>L3의 관계를 가질 수 있다. According to one embodiment, the partition 80 has a thickness d of not less than 0 mm but not more than 200 mm, and the height from the contact height between the first main folding portion 33a and the first and second main folding portions 34a to the bottom edge height the distance L2 in the y-axis direction from the height of the contact point between the first-first main curve portion 33a and the first-second main curve portion 34a to the first inclination starting point height is not more than 300 mm, The distance L3 in the y-axis direction from the contact height between the first main folding portion 33a and the first main folding portion 34a to the second tilting starting point height is not less than 0 mm but not more than 180 mm, The angle? 1 of the inclined plane may be more than 0 degrees and less than 180 degrees, and the angle? 2 of the second inclined plane may be more than 0 degrees and less than 180 degrees. At this time, L1> L2> L3.

한편 일 실시 예에 따르면, 상기 제1 경사면은 상기 제2 경사면보다 경사시작점이 하단에 위치할 수도 있으며, 동일한 높이에 위치할 수도 있다.According to an embodiment of the present invention, the first inclined surface may be located at the lower end of the inclined starting point than the second inclined surface, or may be located at the same height.

이상 도 7 및 도 8을 참조하여, 발광부들의 방향을 직교시킴으로써, 어댑터 차지 공간에 따른 격벽의 두께를 최소화하는 대면적 광소결 장치 및 발광부들의 방향이 직교함에 따른 격벽의 설계 구조를 설명하였다. 이하에서도 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법에 대하여 설명하기로 한다.7 and 8, the designing structure of the large-area light sintering apparatus and the barrier ribs according to the perpendicular direction of the light emitting portions, which minimizes the thickness of the partition wall along the adapter charge space, by orthogonalizing the directions of the light emitting portions . Hereinafter, a method of forming a conductive film using the light sintering apparatus described with reference to Figs. 1 to 8 will be described.

도 9는 본 발명의 실시 예들에 따른 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다. 이하 도 9를 참조하여 설명할 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법은, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 광소결 장치 모두에 적용될 수 있다. 9 is a view for explaining a conductive film forming method using a light sintering apparatus according to embodiments of the present invention. The conductive film forming method using the light sintering apparatus to be described below with reference to FIG. 9 can be applied to all of the light sintering apparatuses described with reference to FIGS. 1 to 8. FIG.

도 9를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 도전막 형성 방법은, 피처리물인 금속 나노 잉크를 인쇄하는 단계(S100) 및 금속 나노 잉크를 건조하는 단계(S200), 및 금속 나노 잉크를 소결하는 단계(S300)를 포함하여 이루어질 수 있다. Referring to FIG. 9, a method of forming a conductive film according to an embodiment of the present invention includes a step S100 of printing a metal nano ink as an object to be processed, a step S200 of drying the metal nano ink, And sintering (S300).

보다 구체적으로 금속 나노 잉크를 인쇄하는 단계(S100)에서 금속 나노 잉크는 기판에 인쇄되어 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 기판은 플라스틱, 필름, 종이, 유리 등이 될 수 있다. 금속 나노 잉크가 인쇄되면, 금속 나노 잉크를 건조하는 단계가 수행될 수 있다(S200). 이 경우, 적외선을 방사하여 기판(S) 상의 피처리물(1)을 가열함으로써, 피처리물(1)을 건조시킬 수 있다. 금속 나노 잉크 건조 단계(S200)와 동시에 또는 금속 나노 잉크 건조 단계(S200) 후에 금속 나노 잉크 소결 단계(S300)가 수행될 수 있다. 제논램프에서 출사되는 백색광의 조사를 통한 소결은 펄스 하나를 조사하는 단펄스 소결, 백색광의 에너지를 여러 펄스로 나누어 조사하는 다중펄스 소결, 또는 다중펄스를 통해 예열한 후에 단펄스를 통해 소결하는 2스텝(2step) 소결로 이루어질 수 있다.More specifically, in step S100 of printing the metal nano ink, the metal nano ink may be printed on the substrate and patterned. For example, the substrate may be plastic, film, paper, glass, or the like. When the metal nano ink is printed, a step of drying the metal nano ink may be performed (S200). In this case, the object 1 to be treated can be dried by heating the object 1 on the substrate S by radiating infrared rays. The metal nioink ink sintering step (S300) may be performed simultaneously with the metal nano ink drying step (S200) or after the metal nano ink drying step (S200). Sintering through the irradiation of white light emitted from a xenon lamp can be performed by a short pulse sintering method which irradiates one pulse, a multi-pulse sintering method which irradiates the energy of white light by a plurality of pulses, Step (2 step) sintering.

예를 들어, 도 1 내지 도 8을 참조하여 설명한 광소결 장치를 이용하는 경우, 피처리물이 기판에 인쇄된 이후에, 제1-2 발광부(20a) 및 제2-2 발광부(20b)를 통하여 적외선램프 광을 피처리물이 형성된 기판에 조사하여 피처리물을 건조시킬 수 있다. 이후 제1-1 발광부(10a) 및 제2-1 발광부(10b)를 통하여 제논램프 광을 피처리물이 형성된 기판에 조사하여 피처리물을 소결시킬 수 있다. 이 때 앞서 설명한 바와 같이 본 발명의 실시 예들이 제공하는 격벽 구조에 따라 격벽 하부에서도 균일한 크기의 광이 조사될 수 있다. For example, in the case of using the light sintering apparatus described with reference to Figs. 1 to 8, after the object to be processed is printed on the substrate, the 1-2 light emitting portion 20a and the 2-2 light emitting portion 20b, The infrared ray lamp light can be irradiated to the substrate on which the object to be processed is formed to dry the object to be processed. Thereafter, the xenon lamp light is irradiated to the substrate on which the object to be processed is formed through the 1-1 light emitting portion 10a and the 2-1 light emitting portion 10b, and the object to be sintered can be sintered. At this time, according to the barrier structure provided by the embodiments of the present invention as described above, light of a uniform size can be irradiated from the lower part of the barrier rib.

한편 본 발명의 실시 예에 따른 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법은 롤투롤 공정에도 적용될 수 있다. 예를 들어, 피처리물이 인쇄된 기판이 좌측 반사벽에서 우측 반사벽으로 이동하는 경우(+x 축 방향으로 이동)에도 적외선램프를 통하여 피처리물을 건조시키고 제논램프를 통하여 피처리물을 소결시킬 수 있다.Meanwhile, the conductive film forming method using the light sintering apparatus according to the embodiment of the present invention can be applied to a roll-to-roll process. For example, even when the substrate on which the object to be processed is transferred from the left reflective wall to the right reflective wall (moving in the + x axis direction), the object to be processed is dried through the infrared lamp, It can be sintered.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

1: 피처리물 10a: 제1-1 발광부
20a: 제1-2 발광부 30a: 제1 반사갓
33a: 제1-1 주만곡부 34a: 제1-2 주만곡부
35a: 제1-1 보조만곡부 36a:제1-2보조만곡부
40a: 제1 반사벽 60: 광필터
S: 기판 C: 중심선
10b: 제2-1 발광부 20b: 제2-2 발광부
30b: 제2 반사갓 33b: 제2-1 주만곡부
34b: 제2-2 주만곡부 35b: 제2-1 보조만곡부
36b: 제2-2 보조만곡부 40b: 제2 반사벽1: object to be treated 10a:
20a: 1-2 light emitting portion 30a:
33a: 1st to 1st week bends 34a: 1st to 2nd week bends
35a: 1st 1-1 secondary bend section 36a: 1st 1-2 secondary bend section
40a: first reflecting wall 60: optical filter
S: substrate C: center line
10b: 2-1 light emitting portion 20b: 2-2 light emitting portion
30b: second reflecting mirror 33b: 2nd-1st main bend portion
34b: 2nd-2nd bend section 35b: 2nd-1st auxiliary bend section
36b: second-second auxiliary bending section 40b: second reflecting wall

Claims

The light emitted from the 1-1 light emitting portion is disposed on the upper left side and the upper right side of the position where the 1-1 light emitting portion extending in the first longitudinal direction is provided, A first reflector including a first-first main curve portion and a first-second main curve portion that are reflected by the first reflecting core;
And a second convex portion disposed on the upper left side and the upper right side of the position where the 2-1th light emitting portion extending in parallel or intersecting with the first longitudinal direction is provided, A second reflector provided adjacent to the first reflector, the second reflector including a second-first main curve portion and a second-second main curve portion that are reflected toward the substrate on which the object to be processed is formed; And
And a partition wall provided between the first reflector and the second reflector, the partition wall having a shape of a superimposed light beam.

The method according to claim 1,
Wherein the 1-1 light emitting portion and the 2-1 light emitting portion each further include an adapter at one end in the longitudinal direction, and the 1-1 second light emitting portion of the first reflector and the 2- 1 light emitting portions are orthogonal to each other.

3. The method of claim 2,
The partition wall includes a first inclined surface extending in the first longitudinal direction and adjacent to the 1-1 light emitting portion and a second inclined surface positioned adjacent to the 2-1 light emitting portion, Wherein the partition walls have a shape of a lower light-tight shape by the first and second inclined surfaces.

The method of claim 3,
Wherein the inclined starting portion of the first inclined surface is located at an upper end of the inclined starting portion of the second inclined surface.

The method of claim 3,
Wherein the inclination starting portion of the first inclined surface and the inclined starting portion of the second inclined surface are located on the same line.

The method according to claim 1,
Wherein the barrier ribs have an inverted triangular shape.

The method according to claim 1,
Wherein an end of the barrier rib has an inverted trapezoidal shape with a wide upper side and a narrow lower side.

The method according to claim 1,
Wherein the strings of the first and second main bends and the first and second main bending portions and the strings of the second main bending portion and the second main bending portion are on the same line.

The method according to claim 1,
The first reflector extends from the left end of the first-first main bend portion and extends from the right end of the first-first auxiliary bend portion and the first-second main bend portion which are convex upward, Further comprising a curved portion,
The second reflector extends from the left end of the second-first main bend portion and extends from the right end of the second-first auxiliary bend portion and the second-second main bend portion which are convex upward, and the upwardly convex second- Further comprising a curved portion.

10. The method of claim 9,
The first 1-1 light emitting portion is located below the contact formed by the right end portion of the 1-1 parental bend portion and the left end portion of the 1-2 first main bend portion, And the second end of the second main bent portion is located below the contact formed by the right end of the curved portion and the left end of the second-
The first 1-1 second auxiliary bending portion and the 1-2 first light emitting portion located below the 1-2 second auxiliary bending portion
And a 2-2 light emitting portion located below the 2-1 auxiliary curved portion and the 2-2 auxiliary curved portion.