KR101728980B1 - Apparatus for intense pulsed light sintering - Google Patents

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KR101728980B1
KR101728980B1 KR1020160036144A KR20160036144A KR101728980B1 KR 101728980 B1 KR101728980 B1 KR 101728980B1 KR 1020160036144 A KR1020160036144 A KR 1020160036144A KR 20160036144 A KR20160036144 A KR 20160036144A KR 101728980 B1 KR101728980 B1 KR 101728980B1
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이순종
우봉주
이동석
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(주)쎄미시스코
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Abstract

The present invention provides a light sintering apparatus. The light sintering apparatus comprises: a first curve unit arranged on an upper side of a left of a position of a light emitting unit to emit light to an object to be treated and formed in a convex shape upwards to reflect the light emitted from the light emitting unit towards the object to be treated; a second curve unit arranged on an upper side of a right of the position of the light emitting unit and formed in a convex shape upwards to reflect the light emitted from the light emitting unit towards the object to be treated; a first reflection wall extended downwards from a left end of the first curve unit while forming a curve; and a second reflection wall extended downwards from a right end of the second curve unit while forming a curve. A chord of the first curve unit and a chord of the second curve unit are positioned on an identical line. A right end of the first curve unit and a left end of the second curve unit form a contact point. A line extending a cross sectional center of the light emitting unit from the contact point in a longitudinal direction can be perpendicular to a substrate on which the object to be treated is formed.

Description

광소결 장치{APPARATUS FOR INTENSE PULSED LIGHT SINTERING}[0001] APPARATUS FOR INTENSE PULSED LIGHT SINTERING [0002]

본 발명은 광소결 장치에 관련된 것으로서, 보다 구체적으로는 광소결 장치에서 출사되는 광의 균일도를 향상시키는 광소결 장치에 관련된 것이다. The present invention relates to a light sintering apparatus, and more particularly to a light sintering apparatus for improving the uniformity of light emitted from a light sintering apparatus.

최근 전자기술과 정보통신기술이 발전함에 따라 스마트기기, OLED, 태양전지 등 다양한 전자기기들이 개발되고 있다. 이러한 전자기기들에 사용되는 전자소자를 제조하기 위해서 인쇄전자기술이 활용된다. Recently, various electronic devices such as smart devices, OLEDs, and solar cells are being developed as electronic and information communication technologies are developed. Printing electronic technology is utilized to produce electronic devices for use in such electronic devices.

인쇄전자기술은 전도성, 절연성, 반도체성 등을 지닌 기능성 잉크를 산업용 프린팅 공정기법을 통하여 플라스틱, 필름, 종이, 유리, 기판에 인쇄하여 원하는 기능의 전자소자를 제조하는 기술이다. 이러한 인쇄전자기술은 다양한 소재에 프린팅하는 방식으로 응용이 가능하고, 기존 전자산업과 다른 제조공정을 통한 대량 생산, 대면적화 및 공정단순화를 가능케 한다. Printed electronics technology is a technology to produce functional electronic devices with desired functions by printing functional ink with conductivity, insulation and semiconductivity on plastic, film, paper, glass and substrate through industrial printing process technique. Such printing electronic technology can be applied to various materials by printing, and it enables mass production, large area and simplification of processes through the manufacturing process different from the existing electronic industry.

인쇄전자기술의 공정은 인쇄, 건조, 소결 등의 세가지 단계로 이루어진다. 이때, 제품의 성능에 크게 영향을 미치는 단계가 소결 공정이다. 소결은 나노입자를 용화시켜 고체 형태의 기능성 박막을 만드는 것으로, 차세대 기술 분야에서 상당한 가치를 가지는 공정이다. 일반적인 소결 공정은 열 소결법, 마이크로웨이브 소결법, 레이저 소결법 등에 이루어진다. 기존 열 소결법은 고온의 진공챔버 환경에서 소결 공정이 진행되므로, 열에 취약한 유연기판에 적용이 곤란하고, 다른 소결 방법들 공정 시간이 길고, 복잡한 단계를 거쳐야 하므로, 생산성이 저하되고 제조원가가 상승하는 문제가 있다.The printing electronics process consists of three steps: printing, drying and sintering. At this time, the sintering process has a great influence on the performance of the product. Sintering is a process that has significant value in the next generation of technology by making nanoparticles dissolve to form functional thin films in solid form. Typical sintering processes are heat sintering, microwave sintering, laser sintering and so on. Since the conventional heat sintering process is carried out in a high-temperature vacuum chamber environment, it is difficult to apply to a flexible substrate susceptible to heat, and other sintering methods require a long process time and complicated steps, .

이러한 문제를 해결하기 위해서, 하기 선행기술문헌의 특허문헌에 개시된 바와 같이, 광소결 기술이 개발되었다. 광소결 기술은 제논램프에서 발생한 백색광을 전파하여 나노입자를 융화시킴으로써, 기존의 열 등을 사용하는 방법에 비해 기능성 박막을 훨씬 빠르고 대량으로 생산할 수 있다. In order to solve such a problem, a light sintering technique has been developed as disclosed in the patent documents of the following prior art documents. The optical sintering technique can dissolve the nanoparticles by propagating the white light generated from the xenon lamp, so that the functional thin film can be produced much faster and in a larger quantity than the conventional method using heat.

다만, 종래 광소결 장비는 국부적 소결만이 가능하여, 소결의 균일성이 떨어지고, 대면적 기판에 적용이 곤란하다.However, the conventional photo-sintering equipment is only capable of local sintering, resulting in poor uniformity of sintering and difficulty in application to a large-area substrate.

따라서, 현재 종래 광소결 장비의 문제점을 해결하기 위한 방안이 절실히 요구되고 있는 상황이다.Accordingly, there is an urgent need for a solution to the problems of the conventional optical sintering equipment.

한국특허공개공보 2014-0094789Korean Patent Publication No. 2014-0094789

본 발명이 해결하고자 하는 일 기술적 과제는, 광 균일도가 향상된 광소결 장치를 제공하는 데 있다. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a light sintering apparatus with improved light uniformity.

본 발명이 해결하고자 하는 다른 기술적 과제는, 롤투롤(Roll to Roll) 공정에 적합한 광소결 장치를 제공하는 데 있다.It is another object of the present invention to provide a light sintering apparatus suitable for a roll-to-roll process.

본 발명이 해결하고자 하는 기술적 과제는 상술된 것에 제한되지 않는다.The technical problem to be solved by the present invention is not limited to the above.

상기 기술적 과제를 해결하기 위해, 본 발명은 광소결 장치를 제공한다.In order to solve the above technical problems, the present invention provides a light sintering apparatus.

본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는, 피처리물로 광을 발광하는 발광부가 마련되는 위치의 좌상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물 방향으로 반사하는 제1 만곡부, 상기 발광부가 마련되는 위치의 우상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물 방향으로 반사하는 제2 만곡부, 상기 제1 만곡부의 좌측 단부에서 곡선을 이루며 하향 연장하는 제1 반사벽 및 상기 제2 만곡부의 우측 단부에서 곡선을 이루며 하향 연장하는 제2 반사벽을 포함하되, 상기 제1 만곡부의 현과 상기 제2 만곡부의 현은 동일 선 상에 위치하며, 상기 제1 만곡부의 우측 단부와 상기 제2 만곡부의 좌측 단부는 접점을 형성하며, 상기 접점에서 상기 발광부의 길이방향 단면 중심을 연장하는 선(line)은 상기 피처리물에 대하여 수직일 수 있다.A light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention is a light sintering apparatus that is disposed at a left upper side of a position where a light emitting unit that emits light as a material to be processed is provided and convex upward, A second bending section disposed on an upper right side of a position where the light emitting section is provided and having a convex upward shape and reflecting the light emitted from the light emitting section in the direction of the object to be processed, And a second reflecting wall which is curved at a right end of the second curved portion and extends downward, wherein the string of the first curved portion and the string of the second curved portion are curved at a left end of the first curved portion, Wherein the right end of the first curve portion and the left end of the second curve portion form a contact point, Ray (line) extending in the direction of the center section may be orthogonal with respect to the object to be treated.

본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치의 상기 제1 반사벽 및 상기 제2 반사벽 중 적어도 하나의 반사벽은, 상기 피처리물 방향으로 갈수록 상기 피처리물이 형성된 기판에 대하여 외측으로 벌어지는 곡선을 가질 수 있다.The reflecting wall of at least one of the first reflecting wall and the second reflecting wall of the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention is arranged so that the reflecting wall of the light sintering apparatus, Can have a curve.

본 발명의 일 실시 예에 따르면 상기 제1 반사벽 및 상기 제2 반사벽은 상기 접점에서 상기 발광부의 길이방향 단면 중심을 연장하는 선을 기준으로 서로 대칭을 이룰 수 있다.According to an embodiment of the present invention, the first reflecting wall and the second reflecting wall may be symmetrical with respect to a line extending from a center of a longitudinal section of the light emitting portion at the contact point.

본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치의 상기 제1 반사벽 및 상기 제2 반사벽 중 적어도 하나의 반사벽은 상기 피처리물이 형성된 기판 방향으로 갈수록 곡률이 감소할 수 있다.The curvature of the reflective wall of at least one of the first reflective wall and the second reflective wall of the light sintering apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention may decrease toward the substrate on which the object is formed.

본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는, 롤투롤(roll to roll) 공정에 있어서, 상기 피처리물의 이동 방향이 상기 제1 반사벽에서 상기 제2 반사벽 방향이고 상기 피처리물이 형성된 기판의 중심이 상기 접점 아래에 위치한 경우, 상기 제1 반사벽은 상기 제2 반사벽보다 상기 피처리물이 형성된 기판에 대하여 보다 외측으로 벌어질 수 있다.In the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention, in the roll to roll process, the moving direction of the object to be processed is the direction of the second reflecting wall from the first reflecting wall, When the center of the substrate is positioned below the contact point, the first reflecting wall can be opened more outwardly with respect to the substrate on which the object to be processed is formed than the second reflecting wall.

본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는, 롤투롤 공정에 있어서, 상기 피처리물의 이동 방향이 상기 제1 반사벽에서 상기 제2 반사벽 방향인 경우, 상기 제1 반사벽의 반사율은 상기 제2 반사벽의 반사율보다 낮을 수 있다.In the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention, in the roll-to-roll process, when the moving direction of the article to be processed is the direction of the second reflecting wall from the first reflecting wall, May be lower than the reflectance of the second reflecting wall.

본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치의 상기 제1 만곡부는 상기 제1 만곡부의 중심을 기준으로 대칭을 이루며, 상기 제2 만곡부는 상기 제2 만곡부의 중심을 기준으로 대칭을 이루는 광소결 장치.The first bend portion of the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention is symmetrical with respect to the center of the first bend portion and the second bend portion is symmetrical with respect to the center of the second bend portion. .

본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치의 발광부는 제논램프이며, 상기 제논램프는 상기 제1 만곡부의 우측 단부와 상기 제2 만곡부의 좌측 단부가 형성하는 접점에서 하측 방향으로 이격하여 배치될 수 있다.The light emitting unit of the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention may be a xenon lamp, and the xenon lamp may be disposed in a downward direction at a contact formed by the right end of the first curve and the left end of the second curve. have.

본 발명의 실시 예에 따르면, 피처리물로 광을 발광하는 발광부가 마련되는 위치의 좌상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물 방향으로 반사하는 제1 만곡부, 상기 발광부가 마련되는 위치의 우상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물 방향으로 반사하는 제2 만곡부, 상기 제1 만곡부의 좌측 단부에서 곡선을 이루며 하향 연장하는 제1 반사벽 및 상기 제2 만곡부의 우측 단부에서 곡선을 이루며 하향 연장하는 제2 반사벽;을 포함하되, 상기 제1 만곡부의 우측 단부와 상기 제2 만곡부의 좌측 단부는 접점을 형성하며, 상기 접점에서 상기 발광부의 길이방향 단면 중심을 연장하는 선(line)은 상기 피처리물에 대하여 수직을 형성할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, there is provided a light emitting device comprising: a light emitting device that is disposed at a left upper side of a position where a light emitting portion that emits light to a material to be processed is provided, A second bending portion disposed on an upper right side of the position where the light emitting portion is provided and having a convex upward shape and reflecting the light emitted from the light emitting portion in the direction of the object to be processed, And a second reflective wall curved at a right end of the second curved portion and extending downward, wherein a right end of the first curved portion and a left end of the second curved portion are connected to a contact point And a line extending from the contact point in the longitudinal direction of the light emitting unit may form a vertical line with respect to the object to be processed.

발광부의 길이방향 단면 중심에서 제1 만곡부와 제2 만곡부의 접점을 연장하는 선은 피처리물에 대하여 수직을 형성하므로, 발광부에서 출사된 광은 피처리물에 대하여 높은 균일도를 가지고 조사될 수 있다.The line extending from the center of the cross section in the longitudinal direction of the light emitting section to the contact point between the first curve section and the second curve section forms a perpendicular to the object to be processed so that the light emitted from the light emitting section can be irradiated with a high uniformity have.

또한, 제1 반사벽 및 제2 반사벽은 곡선을 이루며 하향 연장하는 구조를 가짐으로써, 발광부에서 출사된 광 균일도를 보다 향상시키는 효과를 제공할 수 있다. The first reflection wall and the second reflection wall have a curved shape and extend downward, thereby providing an effect of further improving the light uniformity emitted from the light emitting portion.

본 발명의 효과는 상술된 것에 제한되지 않으며 이하의 설명에 의하여 보다 명확하게 이해될 수 있다. The effects of the present invention are not limited to those described above and can be understood more clearly by the following description.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치의 분해 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반사갓을 설명하기 위한 것으로서, 도 1의 A-A'라인에 따른 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.
도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반사벽을 설명하기 위한 것으로서, 도 1의 A-A'라인에 대응되는 단면도이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광소결 장치를 이용한 롤투롤 도전막 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.
1 is an exploded perspective view of a light sintering apparatus according to a first embodiment of the present invention.
2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG. 1 for explaining a reflector according to a first embodiment of the present invention.
3 is a flowchart illustrating a method of forming a conductive film using the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view corresponding to line A-A 'of FIG. 1 for illustrating a reflective wall according to a second embodiment of the present invention.
5 is a view for explaining a roll-to-roll conductive film forming method using the light sintering apparatus according to the second embodiment of the present invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명할 것이다. 그러나 본 발명의 기술적 사상은 여기서 설명되는 실시 예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화 될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시 예는 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되는 것이다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the technical spirit of the present invention is not limited to the embodiments described herein but may be embodied in other forms. Rather, the embodiments disclosed herein are provided so that the disclosure can be thorough and complete, and will fully convey the scope of the invention to those skilled in the art.

본 명세서에서, 어떤 구성요소가 다른 구성요소 상에 있다고 언급되는 경우에 그것은 다른 구성요소 상에 직접 형성될 수 있거나 또는 그들 사이에 제 3의 구성요소가 개재될 수도 있다는 것을 의미한다. 또한, 도면들에 있어서, 형상 및 영역들의 두께는 기술적 내용의 효과적인 설명을 위해 과장된 것이다. In this specification, when an element is referred to as being on another element, it may be directly formed on another element, or a third element may be interposed therebetween. Further, in the drawings, the shapes and thicknesses of regions are exaggerated for an effective description of the technical content.

또한, 본 명세서의 다양한 실시 예 들에서 제1, 제2, 제3 등의 용어가 다양한 구성요소들을 기술하기 위해서 사용되었지만, 이들 구성요소들이 이 같은 용어들에 의해서 한정되어서는 안 된다. 이들 용어들은 단지 어느 구성요소를 다른 구성요소와 구별시키기 위해서 사용되었을 뿐이다. 따라서, 어느 한 실시 예에 제 1 구성요소로 언급된 것이 다른 실시 예에서는 제 2 구성요소로 언급될 수도 있다. 여기에 설명되고 예시되는 각 실시 예는 그것의 상보적인 실시 예도 포함한다. 또한, 본 명세서에서 '및/또는'은 전후에 나열한 구성요소들 중 적어도 하나를 포함하는 의미로 사용되었다.Also, while the terms first, second, third, etc. in the various embodiments of the present disclosure are used to describe various components, these components should not be limited by these terms. These terms have only been used to distinguish one component from another. Thus, what is referred to as a first component in any one embodiment may be referred to as a second component in another embodiment. Each embodiment described and exemplified herein also includes its complementary embodiment. Also, in this specification, 'and / or' are used to include at least one of the front and rear components.

명세서에서 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다. 또한, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징이나 숫자, 단계, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 배제하는 것으로 이해되어서는 안 된다. 또한, 본 명세서에서 "연결"은 복수의 구성 요소를 간접적으로 연결하는 것, 및 직접적으로 연결하는 것을 모두 포함하는 의미로 사용된다. The singular forms "a", "an", and "the" include plural referents unless the context clearly dictates otherwise. It is also to be understood that the terms such as " comprises "or" having "are intended to specify the presence of stated features, integers, Should not be understood to exclude the presence or addition of one or more other elements, elements, or combinations thereof. Also, in this specification, the term "connection " is used to include both indirectly connecting and directly connecting a plurality of components.

또한, 본 명세서에서 동일, 수직, 대칭이라는 표현은, 완전히 동일, 수직, 대칭되는 경우 뿐 아니라 실질적으로 동일, 수직, 대칭되는 경우를 포함하는 개념이다. 또한, 본 명세서에서 동일, 수직, 대칭이라는 표현은 설계치가 동일, 수직, 대칭하는 경우 뿐 아니라, 제품 상에서의 동일, 수직, 대칭하는 경우를 포함하는 개념이다.Also, in this specification, the expression "same, vertical, and symmetric" is a concept including not only completely identical, vertically, symmetric but also substantially the same, vertical, and symmetrical case. In this specification, the expression "same, vertical, and symmetric" includes not only the case where the design values are the same, the vertical and the symmetry but also the case where the design is the same, vertical and symmetrical on the product.

또한, 하기에서 본 발명을 설명함에 있어 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략할 것이다.In the following description of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the subject matter of the present invention rather unclear.

도 1은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치의 분해 사시도이다.1 is an exploded perspective view of a light sintering apparatus according to a first embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치는, 발광부(10)에서 출사된 광을 피처리물(1) 방향으로 반사하는 반사갓(30) 및 반사벽(40)을 포함할 수 있다. 나아가, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는 상기 반사갓(30) 및 반사벽(40) 외측에 위치하는 하우징(70)을 더 포함할 수 있다.1, the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention includes a reflection sheath 30 and a reflection wall 40 for reflecting light emitted from the light emitting portion 10 toward the target 1, . ≪ / RTI > Further, the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a housing 70 positioned outside the reflection gutters 30 and the reflection walls 40.

본 발명의 일 실시 예에 따른 피처리물(1)은 플라스틱, 필름, 종이, 유리, 기판(S) 등에 패터닝된 미세금속입자 및 전구체 등으로서, 광소결되는 대상 물질을 의미할 수 있다. 예를 들어, 피처리물(1)은 구리, 철, 몰리브데넘, 니켈, 알루미늄, 금, 백금 등의 금속뿐만 아니라, 티타늄옥사이드, 리튬코발트산화물, 실리콘산화물 등의 세라믹을 포함할 수 있다. 피처리물(1)은 나노 또는 마이크로 크기일 수 있는데, 이 경우에 입자의 표면적 비가 커지게 되어, 높은 광흡수도를 제공할 수 있다. 또한, 예를 들어, 피처리물(1)은 기판(S) 상에 인쇄된 금속 나노 잉크로서, 건조 및 소결 단계를 거쳐서 태양전지, 반도체, 디스플레이 등과 같은 전자기기의 전극으로 형성될 수 있다. 다만, 피처리물(1)이 반드시 전극을 형성하는 금속 나노 잉크에 한정되는 것은 아니다. The material 1 to be processed according to an embodiment of the present invention may be a material to be photo-sintered, such as fine metal particles and precursors patterned on a plastic film, a paper, a glass, a substrate S or the like. For example, the object 1 to be processed may contain not only metals such as copper, iron, molybdenum, nickel, aluminum, gold and platinum, but also ceramics such as titanium oxide, lithium cobalt oxide and silicon oxide. The object 1 to be treated may be nano- or micro-sized, in which case the surface area ratio of the particles becomes large, and high light absorption can be provided. In addition, for example, the object 1 to be processed is a metal nano ink printed on a substrate S, and may be formed as an electrode of an electronic device such as a solar cell, a semiconductor, a display, etc. through a drying and sintering step. However, the object to be treated 1 is not limited to the metal nano ink forming the electrodes.

이 때, 본 발명의 일 실시 예에 따른 광소결 장치는 피처리물(1)이 인쇄된 기판(S)을 고정하는 고정부(50)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 고정부(50)는 한 쌍의 반사벽(40) 사이에 피처리물(1)을 고정 배치시키되, 반사벽(40)의 말단, 즉 반사벽(40)의 최하단으로부터 소정의 간격만큼 하향으로 이격하여 피처리물(1)을 배치시킬 수 있다. 예를 들어, 상기 고정부(50)는 상기 피처리물(1)이 소결의 과정을 거치는 동안, 고정되어 있을 수도 있고, 상기 피처리물(1)이 롤투롤(roll to roll) 방식으로 이동하면서 소결되도록 이동식 고정부로서 기능할 수 있다. At this time, the light sintering apparatus according to an embodiment of the present invention may further include a fixing unit 50 for fixing the substrate S on which the article 1 is printed. The fixing unit 50 fixes the object 1 between the pair of reflective walls 40 and fixes the object 1 at a predetermined distance from the lowermost end of the reflective wall 40, The object to be processed 1 can be disposed downwardly. For example, the fixing unit 50 may be fixed while the object 1 to be processed is undergoing sintering, and the object 1 may be moved in a roll-to- So as to be sintered.

상기 발광부(10)는 상기 피처리물(1)을 광 소결하기 위한 광을 출사하기 위한 구성으로서, 예를 들어, 상기 발광부(10)는 제논램프 일 수 있다. 제논램프는 제논가스 속에서 일어나는 방전에 의해 발광하는 램프로서, 60nm 내지 2.5mm 사이의 넓은 파장대역의 광스펙트럼을 갖는 극단파 백색광을 발생시켜 상기 피처리물(1)을 소결시킬 수 있다.The light emitting unit 10 is configured to emit light for photo-sintering the object 1. For example, the light emitting unit 10 may be a xenon lamp. The Xenon lamp is a lamp which emits light by discharge occurring in the xenon gas, and can generate the extreme ultraviolet light having the light spectrum of a wide wavelength band of 60 nm to 2.5 mm, thereby sintering the object 1 to be processed.

일 실시 예에 따르면 상기 발광부(10)는 자외선 램프 또는 적외선 램프로 교체될 수 있다. 예를 들어, 상기 발광부(10)에 적외선 램프를 장착하여 상기 피처리물(10)을 건조하고 이후 상기 발광부(10)에 제논램프를 장착하여 건조된 상기 피처리물(10)을 소결할 수 있다.According to one embodiment, the light emitting unit 10 may be replaced with an ultraviolet lamp or an infrared lamp. For example, an infrared lamp may be mounted on the light emitting portion 10 to dry the object 10, and then the object 10 to be dried may be sintered by mounting a xenon lamp on the light emitting portion 10 can do.

상기 반사갓(30) 및 상기 반사벽(40)은 상기 발광부(10)에서 출사된 광을 상기 피처리물(1) 방향으로 반사하기 위한 구성일 수 있다. 상기 반사갓(30) 및 상기 반사벽(40)에 대한 상세한 설명은 도 2를 참조하여 후술하기로 한다.The reflector 30 and the reflecting wall 40 may be configured to reflect the light emitted from the light emitting unit 10 toward the object 1. [ Details of the reflector 30 and the reflecting wall 40 will be described later with reference to FIG.

상기 하우징(70)은 상기 반사갓(30) 및 상기 반사벽(40) 중 적어도 하나를 커버할 수 있다. 상기 하우징(70)은 상기 반사갓(30)의 상부면 및 상기 반사벽(40)의 외면을 둘러싸서, 상기 반사갓(30) 및 상기 반사벽(40)을 외부의 충격으로부터 보호할 수 있다.The housing 70 may cover at least one of the reflector 30 and the reflective wall 40. The housing 70 surrounds the upper surface of the reflector 30 and the outer surface of the reflective wall 40 to protect the reflector 30 and the reflective wall 40 from external impacts.

본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치는 광필터(60)를 더 포함할 수 있다. 여기서, 광필터(60)는 광 중에서 특정 파장의 대역을 갖는 성분을 선택적으로 투과시키거나 차단하는 광학소자로 기능할 수 있다. 이러한 광필터(60)는 발광부(10)보다 아래에 배치되어, 피처리물(1)로 향하는 발광부(10)에서 출사된 광의 파장 대역을 제어할 수 있다. 이때, 광필터(60)는 반사벽(40)에 의해 고정될 수 있는데, 예를 들어, 한 쌍의 반사벽(40) 각각의 내면에 광필터(60)가 슬라이딩되도록 슬라이딩홈이 형성되어, 탈착가능하게 부착될 수 있다. 다만, 광필터(60)가 반드시 반사벽(40)에 고정되거나, 또는 슬라이딩되어 탈부착되어야 하는 것은 아니다.The light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention may further include an optical filter 60. Here, the optical filter 60 can function as an optical element that selectively transmits or blocks a component having a specific wavelength band in the light. The optical filter 60 is disposed below the light emitting portion 10 and can control the wavelength band of the light emitted from the light emitting portion 10 toward the object 1. [ At this time, the optical filter 60 can be fixed by the reflective wall 40. For example, a sliding groove is formed on the inner surface of each of the pair of reflective walls 40 to slide the optical filter 60, And can be detachably attached. However, the optical filter 60 does not necessarily have to be fixed to the reflection wall 40, or slidably attached to or detached from the reflection wall 40.

이상 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치에 대하여 설명하였다. 이하 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치의 반사갓(30) 및 반사벽(40)을 상술하기로 한다.The light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention has been described above. 2, the reflector 30 and the reflecting wall 40 of the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described in detail.

도 2는 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반사갓을 설명하기 위한 것으로서, 도 1의 A-A'라인에 따른 단면도이다. 이하 도 2를 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치를 설명하기로 한다. 설명의 편의를 위하여 광필터(60)는 도시하지 아니하였다.2 is a cross-sectional view taken along line A-A 'of FIG. 1 for explaining a reflector according to a first embodiment of the present invention. Hereinafter, a light sintering apparatus according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. For convenience of explanation, the optical filter 60 is not shown.

도 2를 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치의 반사갓(30) 및 반사벽(40)은 상술한 발광부(10)에서 출사된 광이 상기 피처리물(1)의 표면에 균일하게 반사되도록 반사면을 제공할 수 있다.2, the reflector 30 and the reflecting wall 40 of the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention are arranged such that light emitted from the light emitting unit 10 described above is incident on the object 1 It is possible to provide the reflecting surface so as to be uniformly reflected on the surface.

이를 위하여, 상기 반사갓(30)은 제1 만곡부(33a) 및 제2 만곡부(33b)를 포함하여 이루어질 수 있다.To this end, the reflector 30 may include a first curved portion 33a and a second curved portion 33b.

상기 제1 만곡부(33a)는 피처리물(1)로 광을 발광하는 발광부(10)가 마련되는 위치의 좌상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상(+y 방향)으로 이루어져 상기 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물(1) 방향으로 반사할 수 있다. 또한, 상기 제1 만곡부(33a)는 상기 제1 만곡부(33a)의 중심(a2)을 기준으로 대칭을 이룰 수 있다.The first bend section 33a is disposed on the left upper side of the position where the light emitting section 10 that emits light to the object 1 to be processed is provided and has a convex upward shape (+ y direction) The reflected light can be reflected toward the object 1 to be processed. In addition, the first curve portion 33a may be symmetrical with respect to the center a2 of the first curve portion 33a.

상기 제2 만곡부(33b)는 피처리물(1)로 광을 발광하는 발광부(10)가 마련되는 위치의 우상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상(+y 방향)으로 이루어져 상기 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물(1) 방향으로 반사할 수 있다. 또한, 상기 제2 만곡부(33b)는 상기 제2 만곡부(33b)의 중심(b2)을 기준으로 대칭을 이룰 수 있다.The second curved portion 33b is disposed on the upper right side of the position where the light emitting portion 10 that emits light to the object 1 to be processed is provided and has an upward convex shape (+ y direction) The reflected light can be reflected toward the object 1 to be processed. The second bend section 33b may be symmetrical with respect to the center b2 of the second bend section 33b.

이 때, 상기 제1 만곡부(33a)의 현(a1)과 상기 제2 만곡부(33b)의 현(b1)은 동일 선 상에 위치할 수 있다. At this time, the string a1 of the first curve portion 33a and the string b1 of the second curve portion 33b may be on the same line.

또한, 상기 제1 만곡부(33a)의 우측 단부와 상기 제2 만곡부(33b)의 좌측 단부는 접점을 형성하며, 상기 접점에서 상기 발광부(10)의 길이방향 단면 중심을 연장하는 선(line, c: 이하 중심선으로 칭함)은 상기 피처리물이 형성된 기판에 대하여 수직을 이룰 수 있다. The right end of the first curve portion 33a and the left end of the second curve portion 33b form a contact point and a line extending from the contact point in the longitudinal direction of the light emitting portion 10, c: hereinafter referred to as a center line) may be perpendicular to the substrate on which the object to be processed is formed.

일 실시 예에 따르면, 상기 발광부(10)는 제1 만곡부(33a)의 우측 단부와 상기 제2 만곡부(33b)의 좌측 단부가 이루는 접점에 소정 거리(L1) 하측으로 이격하여 배치될 수 있다.According to one embodiment, the light emitting unit 10 may be disposed at a predetermined distance L 1 below a contact point between the right end of the first curve portion 33 a and the left end of the second curve portion 33 b .

또한, 상기 제1 만곡부(33a)와 상기 제2 만곡부(33b)는 상기 중심선(c)에 대하여 대칭을 이룰 수 있다.In addition, the first curve portion 33a and the second curve portion 33b may be symmetrical with respect to the center line c.

상기 반사갓(30)을 이루는 상기 제1 만곡부(33a)와 상기 제2 만곡부(33b)는 금, 은, 알루미늄, 철 등 다양한 금속, 및 세라믹, 알루미나 등 비금속 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상이 혼합되어 제조될 수 있다. 이때 반드시 반사갓(30) 그 자체가 이러한 재료로 제조되어야 하는 것은 아니고, 이러한 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상을 혼합한 혼합물이 반사갓(30)의 하부면에 코팅되어 제조될 수 있다.The first bend section 33a and the second bend section 33b of the reflector 30 may be formed of any one of a variety of metals such as gold, silver, aluminum and iron and a nonmetal material such as ceramic and alumina, . At this time, the reflector 30 itself is not necessarily made of such a material, and a mixture of any one or more of these materials may be coated on the lower surface of the reflector 30.

이로써, 상기 제1 만곡부(33a) 및 상기 제2 만곡부(33b)를 포함하는 반사갓(30)은 상기 발광부(10)에서 출사된 광이 상기 피처리물(1)이 형성된 기판(S) 표면에 균일한 강도로 도달하도록 반사면을 제공할 수 있다.Thus, the reflector 30 including the first bend section 33a and the second bend section 33b is configured such that the light emitted from the light emitting section 10 is incident on the surface S of the substrate S on which the object 1 is formed The reflective surface can be provided so as to reach uniform intensity.

만약, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반사갓과 달리, 단일 원호 형상의 반사갓 아래에 발광부가 배치되는 경우, 발광부에서 직접 피처리물의 표면으로 출사되는 광과, 발광부에서 반사갓에 반사되어 피처리물의 표면으로 조사되는 광이 중첩되게 된다. 이에 따라 종래 기술에서는 피처리물의 중심부에서의 광의 세기가 피처리물 주변부보다 높게 나타나는 문제가 있었다.In the case where the light emitting portion is disposed under the reflector of the single arc shape unlike the reflector according to the first embodiment of the present invention, light emitted from the light emitting portion directly to the surface of the object to be processed, The light irradiated onto the surface of the treated product is superimposed. Accordingly, in the prior art, there is a problem that the intensity of light at the central portion of the object appears higher than the peripheral portion of the object to be processed.

그러나, 본 발명의 제1 실시 예와 같이, 발광부(10)가 제1 만곡부(33a)와 제2 만곡부(33b)가 접하는 접점 아래에 위치함으로써, 발광부(10)에서 반사갓에 의하여 반사되어 피처리물(1)의 표면으로 출사되는 광의 세기를 줄일 수 있다. 이에 따라 본 발명의 제1 실시 예에 따르면, 피처리물의 중심부에서의 광의 세기와 피처리물 주변부에서의 광의 세기가 균일해지는 효과를 제공할 수 있다.However, as in the first embodiment of the present invention, since the light emitting portion 10 is located below the contact point where the first curve portion 33a and the second curve portion 33b are in contact with each other, The intensity of light emitted to the surface of the object 1 to be processed can be reduced. Thus, according to the first embodiment of the present invention, it is possible to provide an effect that the intensity of light at the central portion of the object to be processed and the intensity of light at the peripheral portion of the object to be processed become uniform.

한편, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치는, 상기 발광부(10)에서 방사된 광을 상기 피처리물(1) 표면으로 반사하는 반사벽(40)을 더 포함하며, 상기 반사벽(40)은 상기 제1 만곡부(33a)의 좌측 단부에서 곡선을 이루며 하향 연장하는 제1 반사벽(40a) 및 상기 제2 만곡부(33b)의 우측 단부에서 곡선을 이루며 하향 연장하는 제2 반사벽(40b)를 포함하여 이루어질 수 있다.The light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention further includes a reflection wall 40 for reflecting the light emitted from the light emitting unit 10 to the surface of the object 1, The wall 40 has a first reflective wall 40a curved at a left end of the first curved portion 33a and a second reflective wall 40b curved at a right end of the second curved portion 33b, And a wall 40b.

이 때, 상기 제1 반사벽(40a) 및 상기 제2 반사벽(40b) 중 적어도 하나의 반사벽은 상기 피처리물 (1) 방향으로 갈수록 상기 피처리물(1)에 대하여 외측으로 벌어지는 곡선 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 반사벽(40a) 및 상기 제2 반사벽(40)은 상기 접점에서 상기 발광부의 길이방향 단면 중심을 연장하는 선을 기준으로 서로 대칭을 이룰 수 있다. 이로써, 상기 제1 반사벽(40a) 및 상기 제2 반사벽(40b)의 하단 단부는 상기 피처리물(1)과 x축 방향으로 소정 거리 예를 들어, L2 거리 각각 이격하여 배치될 수 있다.At this time, at least one of the reflecting walls of the first reflecting wall 40a and the second reflecting wall 40b is curved so as to extend outward with respect to the to-be- Shape. For example, the first reflective wall 40a and the second reflective wall 40 may be symmetrical with respect to a line extending from the contact point to the longitudinal center of the light emitting portion. Thus, the lower end portions of the first reflecting wall 40a and the second reflecting wall 40b can be spaced apart from each other by a predetermined distance, for example, L2 distance in the x-axis direction .

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 반사벽(40a) 및 상기 제2 반사벽(40b) 중 적어도 하나의 반사벽은 상기 피처리물(1) 방향으로 갈수록 곡률이 감소할 수 있다. 이로써, 상기 제1 반사벽(40a)의 제1 만곡부(33a) 방향의 일 단으로부터 피처리물(1) 방향의 일 단으로 갈수록 곡선의 형태가 직선에 가까워질 수 있다. 마찬가지로, 상기 제2 반사벽(40b)의 제2 만곡부(33b) 방향의 일 단으로부터 피처리물(1) 방향의 일 단으로 갈수록 곡선의 형태가 직선에 가까워질 수 있다.According to one embodiment, the curvature of the reflecting wall of at least one of the first reflecting wall 40a and the second reflecting wall 40b may decrease toward the object 1 to be processed. As a result, the shape of the curve can be made closer to a straight line from one end of the first reflecting wall 40a in the direction of the first bending portion 33a to one end in the direction of the object 1 to be processed. Likewise, the shape of the curve from the one end in the direction of the second curved portion 33b of the second reflecting wall 40b toward one end in the direction of the article to be treated 1 can be approximated to a straight line.

상기 제1 반사벽(40a) 및 상기 제2 반사벽(40b)가 곡선을 이루며 하향 연장하는 구조를 가지기 때문에, 상기 발광부(10)에서 출사되는 광이 상기 피처리물(1) 표면으로 균일하게 향하도록 반사할 수 있다.Since the first reflecting wall 40a and the second reflecting wall 40b are curved and extend downward, the light emitted from the light emitting unit 10 is uniformly distributed to the surface of the object 1 As shown in FIG.

상기 반사벽(40)을 이루는 상기 제1 반사벽(40a)과 상기 제2 반사벽(40b)도 금, 은, 알루미늄, 철 등 다양한 금속, 및 세라믹, 알루미나 등 비금속 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상이 혼합되어 제조될 수 있다. 이때 반드시 반사벽(40) 그 자체가 이러한 재료로 제조되어야 하는 것은 아니고, 이러한 재료 중 어느 하나 또는 2가지 이상을 혼합한 혼합물이 반사벽(40)의 하부면에 코팅되어 제조될 수 있다.The first reflective wall 40a and the second reflective wall 40b constituting the reflective wall 40 may be formed of any one or two or more of metals such as gold, silver, aluminum, and iron and nonmetal materials such as ceramic and alumina Or more can be mixed and manufactured. At this time, the reflecting wall 40 itself is not necessarily made of such a material, and a mixture of any one or more of these materials may be coated on the lower surface of the reflecting wall 40. [

만약, 상기 제1 반사벽(40a) 및 상기 제2 반사벽(40b)이 직선으로 수직하는 구조를 가지는 경우에는, 상기 기판(S)의 일부 주변부에서 광의 세기가 중심부 및 단부보다 높게 나타나는 문제가 발생하게 된다.If the first reflection wall 40a and the second reflection wall 40b have a straight line structure, there is a problem that the intensity of light at a peripheral portion of the substrate S is higher than the central portion and the end portion .

그러나, 본 발명의 제1 실시 예와 같이, 상기 제1 반사벽(40a) 및 상기 제2 반사벽(40b)가 곡선을 이루며 하향 연장하는 구조를 가지는 경우에는, 반사벽과 피처리물 사이의 이격 거리 L2 사이로 불균일성을 야기하는 광이 빠져나가게 된다. 따라서, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반사벽은 상기 피처리물(1) 표면 광 균일도를 향상시키게 된다.However, when the first reflecting wall 40a and the second reflecting wall 40b are curved and have a downwardly extending structure as in the first embodiment of the present invention, Light which causes non-uniformity between the separation distance L2 is released. Therefore, the reflecting wall according to the first embodiment of the present invention improves the surface light uniformity of the object 1 to be processed.

이상 설명한, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반사갓(30) 및 반사벽(40)의 구조적 특징에 의하여, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치는 도 2의 하단에 도시된 바와 같이 피처리물 전체 표면에 걸쳐서 균일한 강도의 광을 제공할 수 있다.According to the structural features of the reflector 30 and the reflecting wall 40 according to the first embodiment of the present invention as described above, the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention has the structure as shown in the lower part of FIG. 2 It is possible to provide light of uniform intensity over the entire surface of the object to be processed.

또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반사갓(30)은 피처리물로 향하는 광의 균일도를 향상시키기 위하여 제1 보조만곡부 및 제2 보조만곡부를 더 포함할 수 있다.Also, the reflector 30 according to an embodiment of the present invention may further include a first auxiliary curved portion and a second auxiliary curved portion in order to improve the uniformity of light directed to the object to be processed.

보조만곡부는 주만곡부(33a, 34b)와 같이, 반사갓(30)의 하부면에서부터 상향으로 오목하게 함몰되어, 만곡된 형태로 형성되는데, 그 일단은 각각 주만곡부(33a, 33b)의 타단에 접할 수 있다. 보다 구체적으로 상기 제1 보조만곡부는 상기 제1 주만곡부(33a)의 좌측 단부에서 상향으로 볼록하도록 연장하며, 상기 제2 보조만곡부는 상기 제2 주만곡부(33b)의 우측 단부에서 상향으로 볼록하도록 연장할 수 있다.The auxiliary curved portions are concavely recessed upward from the lower surface of the reflector 30 as in the main curved portions 33a and 34b and are formed in a curved shape and one end thereof is in contact with the other end of the main curved portions 33a and 33b . More specifically, the first auxiliary curved portion extends upwardly from the left end of the first main folded portion 33a so as to be convex upward, and the second auxiliary curved portion is convex upward at the right end of the second main folded portion 33b You can extend it.

일 실시 예에 따르면, 상기 제1 주만곡부(33a)와 상기 제1 보조만곡부는 상기 중심선(c)을 기준으로 상기 제2 주만곡부(33b와 상기 제2 보조만곡부와 대칭을 이룰 수 있다.According to an embodiment, the first main bend portion 33a and the first auxiliary bend portion may be symmetrical to the second main bend portion 33b and the second auxiliary bend portion with respect to the center line c.

상기 제1 보조만곡부 및 제2 보조만곡부 하측에는 각각 발광부가 위치할 수 있다. 이 때, 상기 제1 보조만곡부는 및 제2 보조만곡부는 발광부의 적어도 일부를 둘러싸도록 위치할 수 있다.The light-emitting portion may be positioned below the first sub-curve portion and the second sub-curve portion. At this time, the first sub-curved portion and the second sub-curved portion may be positioned to surround at least a part of the light emitting portion.

상기 제1 보조만곡부 및 제2 보조만곡부 하측에 각각 위치하는 발광부는 상기 중심선(c)을 기준으로 대칭을 이룰 수 있다.The light emitting units located below the first sub-curvature portion and the second sub-curvature portion may be symmetrical with respect to the center line c.

이상 본 발명의 제1 실시 예에 따른 반사갓 및 반사벽을 설명하였다. 이하에서는 도 3을 참조하여, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법을 설명하기로 한다.The reflector and the reflecting wall according to the first embodiment of the present invention have been described above. Hereinafter, a conductive film forming method using the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

도 3은 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법을 설명하기 위한 순서도이다.3 is a flowchart illustrating a method of forming a conductive film using the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법은, 피처리물인 금속 나노 잉크를 인쇄하는 단계(S100) 및 제논램프에 의한 소결 단계(S200)를 포함하여 이루어질 수 있다. 이하 각 단계에 대하여 상술하기로 한다.Referring to FIG. 3, a method of forming a conductive film using a light sintering apparatus according to a first embodiment of the present invention includes a step S100 of printing a metal nano ink as an object to be processed and a step S200 of sintering with a xenon lamp . Each step will be described in detail below.

금속 나노 잉크를 인쇄하는 단계(S100)에서 금속 나노 잉크는 기판에 인쇄되어 패터닝될 수 있다. 예를 들어, 기판은 플라스틱, 필름, 종이, 유리 등이 될 수 있다. In step S100 of printing the metal nano ink, the metal nano ink may be printed on the substrate and patterned. For example, the substrate may be plastic, film, paper, glass, or the like.

제논램프에 의한 소결 단계(S200)에서, 패터닝된 금속 나노 잉크는 소결될 수 있다. 예를 들어, 상기 제논램프는 상기 발광부(10)에 마련되어, 백색광을 조사할 수 있다. 이 때, 백색광의 조사를 통한 소결은 펄스 하나를 조사하는 단펄스 소결, 백색광의 에너지를 여러 펄스로 나누어 조사하는 다중펄스 소결, 또는 다중펄스를 통해 예열한 후에 단펄스를 통해 소결하는 2스텝(2step) 소결로 이루어질 수 있다. In the sintering step S200 by the Xenon lamp, the patterned metal nano ink can be sintered. For example, the Xenon lamp may be provided in the light emitting unit 10 to emit white light. In this case, the sintering through the irradiation of white light may be performed by a single pulse sintering process for irradiating a single pulse, a multi pulse sintering process for irradiating the energy of white light into multiple pulses, or a two-step sintering process 2 step) sintering.

일 실시 예에 따르면, 단계 S100에서 인쇄된 금속 나노 잉크는 단계 S200에서 광 소결되기 전에 건조될 수 있다. 이를 위하여, 상기 발광부(10)에 적외선 램프를 장착하여 피처리물을 건조하고 상기 발광부(10)에 제논램프를 장착하여 건조된 피처리물을 소결시킬 수 있다.According to one embodiment, the metal nano ink printed in step S100 may be dried before being photo-sintered in step S200. For this, an infrared lamp is mounted on the light emitting portion 10 to dry the object to be processed, and the Xenon lamp is mounted on the light emitting portion 10 to sinter the dried object to be processed.

이로써, 단계 S200에서 제논램프에서 조사되는 광은, 상술한 반사갓(30) 및 반사벽(40)에 반사되어 피처리물 표면으로 제공되기 때문에 피처리물 표면에 대하여 균일한 광이 조사되게 된다.Thus, the light irradiated from the xenon lamp in step S200 is reflected to the surface of the object to be treated by being reflected by the reflection gutters 30 and the reflection wall 40 described above, so that uniform light is irradiated onto the surface of the object.

따라서, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치 및 이를 이용한 도전막 형성 방법에 따르면, 높은 소결 균일성을 제공할 수 있으므로 대면적 소결이 가능하다는 효과를 제공할 수 있다.Therefore, according to the light sintering apparatus and the conductive film forming method using the same according to the first embodiment of the present invention, it is possible to provide a high sintering uniformity, and thus it is possible to provide a large area sintering.

이상, 도 3을 참조하여 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치를 이용한 도전막 형성 방법을 설명하였다. 이하 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광소결 장치를 설명하기로 한다.The conductive film forming method using the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention has been described above with reference to FIG. Hereinafter, a light sintering apparatus according to a second embodiment of the present invention will be described.

이하 설명할, 본 발명의 제2 실시 예에 따르면, 피처리물을 롤투롤 공정으로 처리하는 경우, 피처리물이 연속적으로 이동하는 가운데 소결 공정이 진행된다는 공정 조건을 고려한 광소결 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 제2 실시 예를 설명함에 있어서, 앞서 설명한 제1 실시 예와 중복되는 부분에 대해서는 설명을 생략하고 차이나는 구성을 중심으로 설명하기로 한다.According to a second embodiment of the present invention to be described below, there is provided a light sintering apparatus that takes into consideration process conditions such that, when a material to be processed is processed by a roll-to-roll process, the sintering process proceeds while the object to be processed is continuously moved . In the following description of the second embodiment of the present invention, the description of the parts overlapping with those of the first embodiment described above will be omitted, and a description will be given mainly of the different configurations.

도 4는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 반사벽을 설명하기 위한 것으로서, 도 1의 A-A'라인에 대응되는 단면도이다. 설명의 편의를 위하여 광필터(60)는 도시하지 아니하였다.4 is a cross-sectional view corresponding to line A-A 'of FIG. 1 for illustrating a reflective wall according to a second embodiment of the present invention. For convenience of explanation, the optical filter 60 is not shown.

본 발명의 제2 실시 예에 따른 광소결 장치는 앞서 설명한 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치 중 반사벽 부분에 있어서 차이점이 있으므로 이를 중심으로 설명하기로 한다.The light sintering apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described mainly with respect to the reflective wall portion of the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention.

도 4를 참조하면 본 발명의 제2 실시 예에 따른 제1 반사벽(40a) 및 제2 반사벽(40b) 중 적어도 하나의 반사벽은 상기 피처리물 (1) 방향으로 갈수록 상기 피처리물(1)에 대하여 외측으로 벌어지는 곡선 형상을 가질 수 있다. 이 때, 롤투롤 공정에 있어서, 피처리물(1)의 이동 방향이 상기 제1 반사벽(40a)에서 상기 제2 반사벽(40b) 방향인 경우, 상기 제1 반사벽(40a)은 상기 제2 반사벽(40b)보다 상기 기판(S)에 대하여 보다 외측으로 벌어질 수 있다. 즉, 상기 제1 반사벽(40a)의 하단부와 기판(S) 좌측 단부 사이의 x 축 방향으로의 거리(L3)는 상기 제2 반사벽(40b)의 하단부와 기판(S)의 우측 단부 사이의 x 축 방향으로의 거리(L2) 보다 길 수 있다. 다시 말해, 기판의 길이 방향(x 축 방향) 중심이 상기 제1 만곡부(33a)와 상기 제2 만곡부(33b)가 형성하는 접점 아래에 위치한 경우, L3가 L2보다 길도록 각 반사벽의 곡률이 형성될 수 있다.Referring to FIG. 4, at least one of the reflecting walls of the first reflecting wall 40a and the second reflecting wall 40b according to the second embodiment of the present invention is arranged in such a manner that, And may have a curved shape that flares outward with respect to the body 1. At this time, in the roll-to-roll process, when the moving direction of the article 1 is from the first reflecting wall 40a to the second reflecting wall 40b, the first reflecting wall 40a The second reflecting wall 40b can be more open to the substrate S than the second reflecting wall 40b. The distance L3 in the x-axis direction between the lower end of the first reflecting wall 40a and the left end of the substrate S is larger than the distance L3 between the lower end of the second reflecting wall 40b and the right end of the substrate S. [ May be longer than the distance L2 in the x-axis direction. In other words, when the center of the substrate in the longitudinal direction (x-axis direction) is located below the contact formed by the first curved portion 33a and the second curved portion 33b, the curvature of each reflective wall is longer .

상기 제1 반사벽(40a)의 하단부가 상기 제2 반사벽(40b)의 하단부보다 바깥쪽으로 더 벌어지는 구조를 가지고 있기 때문에, 발광부(10)로부터 조사된 광의 세기는 기판(S)의 좌측 단부에서는 낮게 되고, 기판(S)의 우측 단부로 갈수록 높아지게 된다.The intensity of the light emitted from the light emitting portion 10 is lower than the intensity of the light reflected from the left end portion of the substrate S because the lower end portion of the first reflecting wall 40a is further extended outward than the lower end portion of the second reflecting wall 40b. And becomes higher toward the right end of the substrate S.

이로써, 광소결 장치 진입구의 광의 세기가 진출구의 광의 세기보다 약해지게 되므로 기판의 이동에 따라 점진적인 광소결 가능하다는 효과를 제공할 수 있다. 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광소결 장치의 롤투롤 공정에 있어서의 효과를 도 5를 참조하여 설명하기로 한다.As a result, the intensity of the light at the entrance of the light sintering apparatus becomes weaker than the intensity of the light of the exit sphere, so that the light sintering can be progressively performed according to the movement of the substrate. Effects of the roll-to-roll process of the light sintering apparatus according to the second embodiment of the present invention will be described with reference to Fig.

도 5는 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광소결 장치를 이용한 롤투롤 도전막 형성 방법을 설명하기 위한 도면이다.5 is a view for explaining a roll-to-roll conductive film forming method using the light sintering apparatus according to the second embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 롤투롤 공정으로 피처리물(1)을 소결하는 경우, 피처리물(1, 도 5 미도시)이 인쇄된 기판(S)은 제1 반사벽(40a) 하단으로 진입하여 제2 반사벽(40b) 하단으로 진출하게 된다.5, when the article 1 is sintered in the roll-to-roll process, the substrate S on which the article 1 (not shown in FIG. 5) is printed is moved to the lower end of the first reflective wall 40a Thereby advancing to the lower end of the second reflecting wall 40b.

피처리물(1)이 인쇄된 기판(S)은 상기 제1 반사벽(40a) 하단을 통하여 광소결 장치 내부로 진입하는 경우, 낮은 세기의 광에 노출되게 되고, 기판(S)이 x 축 방향으로 이동함에 따라 점진적으로 높은 세기의 광에 노출되게 된다. The substrate S on which the object 1 is printed is exposed to low intensity light when it enters the light sintering apparatus through the lower end of the first reflecting wall 40a, The light is gradually exposed to light having a high intensity.

만약, 피처리물(1)이 인쇄된 기판(S)이 상기 제1 반사벽(40a) 하단을 통하여 광소결 장치 내부로 진입하는 시점부터 강한 세기의 광이 조사되는 경우, 피처리물에 포함된 바인더(binder)가 터지게 되는 문제가 발생할 수 있다. If light having a strong intensity is irradiated from the time when the substrate S on which the object 1 to be processed is printed enters the inside of the light sintering apparatus through the lower end of the first reflecting wall 40a, A problem may arise that the binder that has been deteriorated is broken.

그러나, 본 발명의 제2 실시 예와 같이, 피처리물(1)이 인쇄된 기판(S)이 상기 제1 반사벽(40a) 하단을 통하여 광소결 장치 내부로 진입하는 경우에는 낮은 세기의 광을 제공하여 바인더를 서서히 제거하고, 바인더가 제거된 상태에서 기판(S)이 x 축 방향으로 이동함에 따라 강한 세기의 광이 조사되게 되면 안정적인 광소결이 가능하다는 효과를 제공할 수 있다.However, as in the second embodiment of the present invention, when the substrate S having the object 1 printed thereon enters the inside of the light sintering apparatus through the lower end of the first reflecting wall 40a, It is possible to provide an effect that stable light sintering is possible when light of strong intensity is irradiated as the substrate S moves in the x-axis direction in a state where the binder is removed.

이상 본 발명의 제1 및 제2 실시 예에 따른 광소결 장치를 설명하였다. 앞서 설명한 바와 같이, 본 발명의 제1 실시 예에 따른 광소결 장치는 높은 소결 균일성을 제공할 수 있으며, 본 발명의 제2 실시 예에 따른 광소결 장치는 롤투롤 공정에 있어서 광소결 안정성을 향상시킬 수 있다.The light sintering apparatus according to the first and second embodiments of the present invention has been described above. As described above, the light sintering apparatus according to the first embodiment of the present invention can provide high sintering uniformity, and the light sintering apparatus according to the second embodiment of the present invention can improve the light sintering stability in the roll- Can be improved.

본 발명의 제2 실시 예를 설명함에 있어서, 제1 반사벽이 제2 반사벽보다 외측으로 벌어지도록 구성하여 기판 진입구의 광 세기를 약화시켰으나, 이와 달리, 제1 반사벽과 제2 반사벽의 구성은 제1 실시 예와 동일하게 하고 제1 반사벽 표면이 제2 반사벽보다 낮은 반사율을 가지도록 구성함으로써, 기판 진입구의 광 세기를 약화시킬 수 있음은 물론이다.In the description of the second embodiment of the present invention, the first reflection wall is configured to spread outward beyond the second reflection wall to weaken the light intensity at the substrate entrance, but alternatively, the first reflection wall and the second reflection wall It is needless to say that the configuration is the same as that of the first embodiment and the first reflection wall surface is configured to have a reflectance lower than that of the second reflection wall, so that the light intensity at the substrate entrance can be weakened.

이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the scope of the present invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. It will also be appreciated that many modifications and variations will be apparent to those skilled in the art without departing from the scope of the invention.

1: 피처리물 10: 발광부
30: 반사갓 33a: 제1 만곡부
33b: 제2 만곡부 40: 반사벽
40a: 제1 반사벽 40b: 제2 반사벽
50: 고정부 60: 광필터
70: 하우징 S: 기판
C: 중심선
1: object to be processed 10:
30: reflector 33a: first bend
33b: 2nd bend section 40: reflecting wall
40a: first reflecting wall 40b: second reflecting wall
50: fixing part 60: optical filter
70: housing S: substrate
C: Center line

Claims (8)

피처리물로 광을 발광하는 발광부가 마련되는 위치의 좌상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물 방향으로 반사하는 제1 만곡부;
상기 발광부가 마련되는 위치의 우상측에 배치되고 상향으로 볼록한 형상으로 이루어져 상기 발광부에서 출사된 광을 상기 피처리물 방향으로 반사하는 제2 만곡부;
상기 제1 만곡부의 좌측 단부에서 곡선을 이루며 하향 연장하는 제1 반사벽; 및
상기 제2 만곡부의 우측 단부에서 곡선을 이루며 하향 연장하는 제2 반사벽;을 포함하되,
상기 제1 만곡부의 현과 상기 제2 만곡부의 현은 동일 선 상에 위치하며, 상기 제1 만곡부의 우측 단부와 상기 제2 만곡부의 좌측 단부는 접점을 형성하며, 상기 접점에서 상기 발광부의 길이방향 단면 중심을 연장하는 선(line)은 상기 피처리물이 형성된 기판에 대하여 수직인 광소결 장치.
A first bending portion disposed at a left upper side of a position where a light emitting portion that emits light as an object to be processed is provided and which has a convex upward shape and reflects light emitted from the light emitting portion toward the object to be processed;
A second bending portion disposed on an upper right side of a position where the light emitting portion is provided and having a convex upward shape and reflecting the light emitted from the light emitting portion toward the object to be processed;
A first reflecting wall curved at a left end of the first curve portion and extending downward; And
And a second reflecting wall curved at a right end of the second curved portion and extending downward,
Wherein the first curved portion and the second curved portion are located on the same line, and the right end of the first curved portion and the left end of the second curved portion form a contact, And a line extending from the center is perpendicular to the substrate on which the object to be processed is formed.
제1 항에 있어서,
상기 제1 반사벽 및 상기 제2 반사벽 중 적어도 하나의 반사벽은, 상기 피처리물 방향으로 갈수록 상기 피처리물이 형성된 기판에 대하여 외측으로 벌어지는 곡선을 가지는 광소결 장치.
The method according to claim 1,
Wherein at least one of the reflecting walls of the first reflecting wall and the second reflecting wall has a curved line extending outward with respect to the substrate on which the object to be processed is formed as going toward the object to be processed.
제2 항에 있어서,
상기 제1 반사벽 및 상기 제2 반사벽은 상기 접점에서 상기 발광부의 길이방향 단면 중심을 연장하는 선을 기준으로 서로 대칭을 이루는 광소결 장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the first reflecting wall and the second reflecting wall are symmetrical with respect to each other with reference to a line extending from a center of the lengthwise end face of the light emitting portion at the contact point.
제1 항에 있어서,
상기 제1 반사벽 및 상기 제2 반사벽 중 적어도 하나의 반사벽은 상기 피처리물이 형성된 기판 방향으로 갈수록 곡률이 감소하는 광소결 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the reflective wall of at least one of the first reflective wall and the second reflective wall has a curvature decreasing toward the substrate in which the object to be processed is formed.
제1 항에 있어서,
롤투롤(roll to roll) 공정에 있어서, 상기 피처리물의 이동 방향이 상기 제1 반사벽에서 상기 제2 반사벽 방향이고 상기 피처리물이 형성된 기판의 중심이 상기 접점 하측에 위치한 경우, 상기 제1 반사벽은 상기 제2 반사벽보다 상기 피처리물이 형성된 기판에 대하여 보다 외측으로 벌어지는 광소결 장치.
The method according to claim 1,
In the roll-to-roll process, when the moving direction of the object to be processed is the direction of the second reflecting wall from the first reflecting wall and the center of the substrate on which the object to be processed is formed is located below the contact, And the one reflection wall flares outwardly with respect to the substrate on which the object to be processed is formed than the second reflection wall.
제1 항에 있어서,
롤투롤 공정에 있어서, 상기 피처리물의 이동 방향이 상기 제1 반사벽에서 상기 제2 반사벽 방향인 경우, 상기 제1 반사벽의 반사율은 상기 제2 반사벽의 반사율보다 낮은 광소결 장치.
The method according to claim 1,
In the roll-to-roll process, the reflectance of the first reflecting wall is lower than that of the second reflecting wall when the moving direction of the object to be processed is the direction of the second reflecting wall from the first reflecting wall.
제1 항에 있어서,
상기 제1 만곡부는 상기 제1 만곡부의 중심을 기준으로 대칭을 이루며, 상기 제2 만곡부는 상기 제2 만곡부의 중심을 기준으로 대칭을 이루는 광소결 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first curved portion is symmetrical with respect to the center of the first curved portion, and the second curved portion is symmetrical with respect to the center of the second curved portion.
제1 항에 있어서,
상기 발광부는 제논램프이며, 상기 제논램프는 상기 제1 만곡부의 우측 단부와 상기 제2 만곡부의 좌측 단부가 형성하는 접점에서 하측 방향으로 이격하여 배치되는 광소결 장치.
The method according to claim 1,
Wherein the light emitting unit is a xenon lamp and the xenon lamp is disposed in a downward direction at a contact formed by the right end of the first curve and the left end of the second curve.
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