KR101696209B1 - 박막증착장치 - Google Patents

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KR101696209B1 KR1020150134652A KR20150134652A KR101696209B1 KR 101696209 B1 KR101696209 B1 KR 101696209B1 KR 1020150134652 A KR1020150134652 A KR 1020150134652A KR 20150134652 A KR20150134652 A KR 20150134652A KR 101696209 B1 KR101696209 B1 KR 101696209B1
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Abstract

본 발명은 박막증착장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막증착장치는 챔버, 상기 챔버의 내측에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부, 상기 기판을 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 샤워헤드, 상기 공정가스가 유입되는 가스유입구가 구비된 리드 및 상기 가스유입구를 관통하여 구비되며 상기 공정가스를 분산시키도록 회전 가능하게 구비되는 배플을 구비하는 것을 특징으로 한다.

Description

박막증착장치 {Thin film deposition apparatus}
본 발명은 박막증착장치에 대한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판(이하, '기판'이라 함) 상에 박막을 형성하기 위한 증착법으로 화학기상증착법 (CVD;Chemical Vapor Deposition)과, 원자층증착법(ALD;Atomic Layer Deposition)을 비롯하여 다양한 기술이 개발되었다.
기판에 박막을 증착하는 경우에 박막의 두께를 소정의 오차범위에서 일정하게 유지하는 것이 필요하다. 박막 두께의 균일도는 박막의 품질을 좌우하는 중요 인자 중의 하나이기 때문이다.
그런데, 기판에 대한 증착 작업 후에 기판의 일부 영역에서 박막의 두께가 상이한 경우 종래에는 기판의 일부 영역에 대한 박막의 두께를 달리 증착하여 기판의 균일도를 유지하는 것이 곤란하였다.
또한, 기판에 대한 증착작업을 하는 경우에 일부 고객의 요구에 따라 기판에서 박막의 두께를 달리하는 것이 필요한데, 종래 증착 방법으로는 기판의 일부 영역에서 박막의 두께를 달리하여 증착하는 것이 곤란하였다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 기판에 박막을 증착하는 경우에 기판의 일부 영역에서 증착되는 박막의 두께를 상이하게 할 수 있는 박막증착장치를 제공하는데 목적이 있다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 챔버, 상기 챔버의 내측에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부, 상기 기판지지부를 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 샤워헤드, 상기 공정가스 또는 세정가스가 유입되는 가스유입구가 구비되며 상기 챔버의 개구된 상부를 밀폐하는 리드 및 상기 가스유입구를 관통하여 구비되며 상기 공정가스를 분산시키도록 회전 가능하게 구비되는 배플을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 가스유입구의 외측에 구비되는 회전구동부를 더 구비하고, 상기 배플은 상기 회전구동부에 연결되어 회전 가능하게 구비된다.
한편, 상기 회전구동부는 상기 가스유입구의 외측에 구비되는 고정자 및 상기 고정자에 대응하여 회전 가능하게 구비되는 회전자를 구비하고, 상기 배플은 상기 회전자에 연결되어 회전 가능하게 구비된다.
이 경우, 상기 회전구동부의 실링을 유지하는 자성유체실(magnetic fluid seal)을 더 구비한다.
한편, 상기 공정가스가 공급되는 제1 유로와, 상기 세정가스가 공급되며 상기 제1 유로와 구별되는 제2 유로를 구비한다. 이 경우, 상기 제1 유로는 상기 배플의 외면과 상기 가스유입구의 내주 사이의 공간을 통해 상기 챔버의 내부와 연통되고, 상기 제2 유로는 상기 배플의 내측 개구부를 통해 상기 챔버의 내부와 연통된다.
나아가, 상기 배플에는 상기 세정가스를 분산시키는 분산부를 더 구비한다.
한편, 상기 배플은 상기 회전구동부와 연결되며 내부에 개구부가 형성된 연결부와, 상기 연결부의 외주의 적어도 일부 영역에서 방사상으로 연장된 날개부를 구비한다.
이때, 상기 기판에 증착되는 박막의 두께를 조절하도록 상기 배플의 회전속도가 조절될 수 있다.
예를 들어, 상기 연결부의 외주를 따라 상기 날개부가 일부 영역에만 구비된 경우에 상기 날개부가 상기 연결부의 회전에 따라 소정의 위상 범위에 해당하는 경우에 상기 배플의 회전속도가 변화할 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 발명의 박막증착장치에 따르면 기판에 박막을 증착하는 경우에 기판의 일부 영역에서 증착되는 박막의 두께를 상이하게 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치를 도시한 단면도,
도 2 내지 도 6은 다양한 실시예에 따른 배플을 도시한 도면,
도 7 내지 도 8은 상기 배플의 회전속도 프로파일을 도시한 그래프이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 박막증착장치에 대해 살펴보기로 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막증착장치(1000)의 구성을 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 상기 박막증착장치(1000)는 챔버(100), 상기 챔버(100)의 내측에 구비되어 기판(W)이 안착되는 기판지지부(200)와, 상기 기판을 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 샤워헤드(300)와, 상기 공정가스가 유입되는 가스유입구(122)가 구비된 챔버리드(120) 및 상기 가스유입구(122)를 관통하여 구비되며 상기 공정가스를 분산시키도록 회전 가능하게 구비되는 배플(500)을 구비한다.
상기 박막증착장치(1000)는 기판(W)이 수용되어 처리되는 처리공간을 제공하는 챔버(100)를 구비한다. 상기 챔버(100)의 내부에서는 기판(W)이 안착되는 기판지지부(200)를 구비할 수 있다. 상기 기판지지부(200)는 상기 기판(W)이 상기 챔버(100)로 인입되는 경우, 또는 상기 기판(W)이 상기 챔버(100)에서 외부로 인출되는 경우에 상기 기판(W)의 인입 또는 인출동작을 원활하게 하기 위하여 상하로 이동 가능하게 구비될 수 있다.
상기 챔버(100)의 내부의 상부에는 상기 기판을 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 샤워헤드(300)를 구비할 수 있다. 상기 공정가스는 예를 들어 원료가스(source gas) 또는 반응가스(reactant gas) 등으로 구성될 수 있으며, 상기 기판(W)에 대한 공정의 종류, 박막의 성질 등에 따라 다양하게 구성될 수 있다.
한편, 상기 챔버(100)의 내부에서 상기 기판(W)에 대한 증착작업 등을 수행하는 경우에 상기 기판(W)뿐만 아니라 상기 기판지지부(200) 등 원하지 않는 영역에 박막이 증착(이하, '퇴적물'이라고 함)될 수 있다. 전술한 퇴적물은 상기 챔버(100)의 내부에서 공정가스의 흐름을 방해할 수 있으며, 나아가 상기 챔버(100)의 내부에서 수행되는 작업의 효율을 떨어뜨릴 수 있다. 따라서, 상기 챔버(100)의 내부에 형성된 상기 퇴적물 등과 같은 불순물을 제거하기 위하여 상기 챔버(100)의 내부로 세정가스를 공급할 수 있다. 상기 세정가스는 플루오르 가스 등으로 구성될 수 있는데 이에 한정되지는 않는다.
상기 챔버(100)는 상기 기판지지부(200)와 후술하는 각종 구성요소가 수용되는 몸체부(110)와 상기 몸체부(110)의 개구된 상부를 밀폐하는 챔버리드(120)를 구비한다. 상기 챔버리드(120)에 전술한 샤워헤드(300)가 구비될 수 있으며, 상기 공정가스가 상기 챔버(100) 내부로 유입되는 가스유입구(122)가 형성될 수 있다. 한편, 상기 챔버(100) 내부에서 상기 기판(W)에 대한 처리작업을 수행하는 경우에 플라즈마(plasma)를 활용할 수 있으며, 이때 상기 챔버리드(120)는 상부전극의 역할을 하며 전술한 기판지지부(200)가 하부전극의 역할을 한다. 즉, 상기 챔버리드(120)와 기판지지부(200) 사이에 전압이 걸리어 플라즈마를 발생시켜 처리작업을 수행하게 된다.
상기 챔버리드(120)의 가스유입구(122)의 상부에는 절연부(400)를 구비할 수 있다. 상기 챔버리드(120)가 상부전극의 역할을 하는 경우에 전기적 절연을 위해 상기 절연부(400)를 구비할 수 있다. 상기 절연부(400)는 예를 들어 세라믹 재질 등으로 제작될 수 있다.
한편, 기판에 박막을 증착하는 경우에 박막의 두께를 소정의 오차범위에서 일정하게 유지하는 것이 필요하다. 박막 두께의 균일도는 박막의 품질을 좌우하는 중요 인자 중의 하나이기 때문이다. 그런데, 기판에 대한 증착 작업 후에 기판의 일부 영역에서 박막의 두께가 상이한 경우 종래에는 기판의 일부 영역에 대한 박막의 두께를 달리 증착하여 기판의 균일도를 유지하는 것이 곤란하였다.
또한, 기판에 대한 증착작업을 하는 경우에 일부 고객의 요구에 따라 기판의 일부 영역에서 박막의 두께를 달리하는 것이 필요한데, 종래 일반적인 증착 방법으로는 기판의 일부 영역에서 박막의 두께를 달리하여 증착하는 것이 곤란하였다.
따라서, 본 실시예에 따른 박막증착장치(1000)는 전술한 문제점을 해결하기 위하여 상기 기판(W)의 일부 영역에서 박막의 두께를 달리하여 증착할 수 있도록 상기 가스유입구(122)를 관통하여 구비되며 상기 공정가스를 분산시키도록 회전 가능하게 구비되는 배플(500)을 구비할 수 있다. 즉, 상기 배플(500)의 회전에 의해 상기 공정가스를 분산시키게 되며, 나아가 상기 배플(500)의 형상 또는 상기 배플(500)의 회전속도에 따라 상기 기판(W)이 일부 영역에 증착되는 박막의 두께를 달리할 수 있다. 이에 대해서는 이후에 상세히 살펴본다.
상기 챔버리드(120)의 가스유입구(122)의 외측 또는 상부에는 회전구동부(700)를 구비하고, 상기 배플(500)은 상기 회전구동부(700)에 연결되어 회전 가능하게 구비된다. 구체적으로, 상기 회전구동부(700)는 상기 가스유입구(122)의 외측에 구비되는 고정자(710) 및 상기 고정자(710)에 대응하여 회전 가능하게 구비되는 회전자(730)를 구비할 수 있다. 이때, 상기 고정자(710)는 전술한 절연부(400)의 상부에 위치하고, 상기 고정자(710)의 내측으로 상기 회전자(730)가 구비될 수 있다. 상기 고정자(710)와 회전자(730) 사이의 자기장 및 전류의 영향에 의해 상기 회전자(730)가 회전하게 되며, 이에 대해서는 이미 널리 알려져 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.
도면에 도시된 바와 같이 상기 회전자(730)가 상기 배플(500)과 연결되어 상기 회전자(730)의 회전에 의해 상기 배플(500)도 함께 회전하게 된다. 예를 들어, 상기 회전자(730)의 연장부(720)가 상기 절연부(400) 및 가스유입구(122)를 관통하여 상기 챔버(100)의 내부로 연장되고, 상기 연장부(720)의 하단부에 상기 배플(500)이 연결될 수 있다.
한편, 상기 박막증착장치(1000)는 상기 회전구동부(700)가 회전하여 상기 배플(500)을 회전시키는 경우에 상기 회전구동부(700)의 실링을 유지하여 상기 챔버(100) 내부의 압력을 유지하는 실링부(800)를 더 구비할 수 있다. 상기 실링부(800)는 예를 들어 자성유체실(magnetic fluid seal)로 구성될 수 있다.
전술한 바와 같은 구성을 가지는 박막증착장치(1000)에서 상기 배플(500)의 회전에 의한 상기 공정가스의 분산 또는 이동을 원활하게 하기 위하여 상기 공정가스가 상기 챔버(100)의 내부로 유입되는 제1 유로(A)는 상기 배플(500)의 외면과 상기 가스유입구(122)의 내주 사이의 공간을 통해 상기 챔버(100) 내부와 연통될 수 있다.
즉, 상기 공정가스가 도면에 도시된 바와 같이 상기 절연부(400)를 통해 상기 연장부(720)의 외면과 상기 가스유입구(122)의 내주 사이의 공간으로 공급되면 상기 연장부(720)의 회전에 의해 상기 가스유입구(122)를 지나기 전에 상기 공정가스에 회전 운동이 발생하게 된다. 이어서, 상기 공정가스가 상기 가스유입구(122)를 지나면서 상기 연장부(720)의 하단부에 위치한 상기 배플(500)의 회전운동에 의해 상기 샤워헤드(300)의 내측에서 분산되며, 상기 배플(500)의 형상 또는 상기 배플(500)의 회전속도에 따라 상기 샤워헤드의 내측에서 분산되는 양이 달라지게 된다.
한편, 세정가스가 상기 챔버(100)의 내부로 유입되는 제2 유로(B)는 상기 배플(500)의 내측 개구부를 통해 상기 챔버(100)의 내부와 연통된다. 즉, 상기 제2 유로(B)는 가스도입부(900), 실링부(800) 및 절연부(400)를 관통하여 상기 챔버(100)의 내부로 연장되며 상기 배플(500)에 형성된 개구부(512)를 통해 상기 챔버(100)의 내부와 연통된다. 이때, 상기 배플(500)에는 상기 제2 유로(B)를 통해 공급된 세정가스를 분산시키는 분산부(600)를 더 구비할 수 있다. 상기 분산부(600)는 디퓨저(diffuser)의 역할을 하여 상기 세정가스를 상기 샤워헤드(300)의 내측에서 분산시키는 역할을 하게 된다.
결국, 본 실시예에서는 상기 공정가스가 공급되는 제1 유로(A)와, 상기 세정가스가 공급되는 제2 유로(B)를 구비하며, 상기 제1 유로(A)와 제2 유로(B)는 구별되어 형성된다. 따라서, 공정가스와 세정가스의 혼합을 방지하여 보다 효율적으로 각 공정을 수행할 수 있다.
도 2 내지 도 6은 본 발명의 다양한 실시예에 따른 배플의 형상을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 상기 배플(500)은 상기 회전구동부(700)와 연결되며 내부에 개구부(512)가 형성된 연결부(510)와, 상기 연결부(510)의 외주의 적어도 일부 영역에서 방사상으로 연장된 날개부(530)를 구비할 수 있다.
상기 연결부(510)는 상기 회전구동부(700)의 회전자(730)와 연결되며, 내측에 개구부(512)가 형성된다. 상기 개구부(512)를 통해 전술한 세정가스가 유입되는 제2 유로(B)가 상기 챔버(100)의 내부로 연통된다.
한편, 상기 날개부(530)는 상기 연결부(510)의 외주에 구비되며, 상기 연결부(510)의 외주의 적어도 일부에서 방사상으로 연장 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 날개부(530)는 도 2에 도시된 바와 같이 3개로 구성되어 상기 연결부(510)에서 방사상으로 연장 형성되며 그 표면이 굴곡진 소위 '프로펠러 타입(propeller type)'의 날개(532, 534, 536)로 형성될 수 있다.
도 2의 배플(500)은 예를 들어, 상기 기판(W)의 중앙부에 비해 외곽부 또는 가장자리 영역의 박막의 두께가 더 얇은 경우에 상기 외곽부의 박막의 두께를 두껍게 하는데 사용될 수 있다. 이후에 상세히 살펴본다.
도 3은 다른 실시예에 따른 배플을 도시한다.
도 3에 따른 배플(1500)은 상기 연결부(1510)와 날개부(1530)를 구비하며, 상기 날개부(1530)는 방사상으로 연장 형성되되 그 표면이 평평한 다수개의 날개(1532)를 구비할 수 있다. 도 2 및 도 3에서 상기 날개부를 구성하는 날개의 개수는 일예를 들어 설명한 것에 불과하며, 이에 한정되지는 않는다.
한편, 도 4는 상기 연결부(2510)의 외주를 따라 전영역에 상기 날개부(2530)가 형성된 실시예를 도시하며, 도 5의 배플(3500)은 상기 날개부(3530)가 상기 연결부(3510)의 외주를 따라 대략 절반의 영역만 형성된 실시예를 도시한다. 즉, 상기 날개부는 상기 연결부의 외주를 따라 전영역에 형성되거나, 또는 적어도 일부 영역에 형성될 수 있다.
한편, 도 6은 다른 실시예에 따른 배플(4500)을 도시한다. 도 6에 따른 배플(4500)의 날개부(4530)는 연결부(4510)의 외주에서 돌출 형성된 단일 날개부(4530)로 구성된다. 이 경우, 도 2에 따른 실시예에서 단일 날개를 구비한 형태로 구성될 수 있다.
이하, 상기 기판(W)의 일부 영역에서 다른 영역에 비해 상기 박막의 두께가 상이한 경우, 예를 들어 상기 기판(W)의 일부 영역에서 다른 영역에 비해 상기 박막의 두께가 상대적으로 얇은 경우에 상기 목표 영역에 증착되는 박막의 두께를 다른 영역에 비해 두껍게 할 수 있는 방법에 대해서 살펴보기로 한다.
먼저, 상기 기판(W)의 중앙부에 비해 외곽부 또는 가장자리 영역의 박막의 두께가 더 얇은 경우에 도 2, 도 3, 도 4와 같이 상기 날개부의 날개가 상기 연결부의 외주를 따라 전영역 또는 일정한 간격으로 형성된 경우에 상기 배플(500, 1500, 2500)을 사용할 수 있다. 도 7은 상기 배플의 회전속도를 도시한 그래프이다. 도 7에서 가로축은 상기 연결부의 외주를 따라 임의의 지점을 기준점으로 설정된 위상각(°)을 도시하며, 세로축은 속도의 비율(%)을 도시한다. 세로축에서 100%는 상기 배플이 회전할 수 있는 최고속도를 의미한다. 상기 배플의 회전속도는 상기 배플의 날개부의 크기, 상기 샤워헤드의 내부 체적 및 기판의 크기 등에 따라 다양하게 변화할 수 있다. 따라서, 본 명세서에서는 상기 배플의 회전속도를 절대값으로 표시하는 대신 상기 배플의 최고속도에 대한 상대적인 비율로서 표시한다.
도 7을 참조하면, 상기 배플(500, 1500, 2500)이 상대적으로 낮은 속도(L1)로 회전하게 되면 상기 기판(W)의 중앙부와 외곽부에 증착되는 박막의 두께가 대략 비슷하다. 반면에, 상기 배플(500, 1500, 2500)이 상대적으로 높은 속도(L2)로 회전하게 되면 상기 기판(W)의 중앙부에 공급되는 공정가스의 양에 비해 상기 배플(500, 1500, 2500)의 회전에 의한 원심력에 의해 상기 기판(W)의 외곽부로 공급되는 공정가스의 양이 상대적으로 많아지게 된다. 따라서, 상기 기판(W)의 외곽부에 증착되는 박막의 두께가 상기 중앙부에 증착되는 박막의 두께에 비해 상대적으로 두껍게 된다. 결국, 박막의 두께가 얇았던 상기 기판(W)의 외곽부의 박막의 두께를 두껍게 함으로써 상기 기판(W)의 전영역의 박막의 균일도를 향상시킬 수 있다.
한편, 상기 기판(W)의 일부 영역(이하, '목표 영역'이라 함)에서 박막의 두께가 다른 영역에 비해 더 얇은 경우에 전술한 도 5 및 도 6와 같이 상기 연결부의 외주의 일부 영역에만 상기 날개부가 형성된 배플(3500, 4500)을 사용할 수 있다. 도 8은 상기 배플의 회전속도를 도시한 그래프이다.
도 8을 참조하면, 상기 배플(3500, 4500)이 회전하는 경우에 상기 기판(W)에 증착되는 박막의 두께를 조절하도록 상기 배플(3500, 4500)의 회전속도가 조절될 수 있다. 즉, 상기 배플(3500, 4500)의 회전속도가 일정하게 유지되는 것이 아니라, 상기 기판(W)에 증착되는 박막의 두께를 조절할 수 있도록 상기 배플(3500, 4500)의 회전속도가 조절될 수 있다.
구체적으로, 상기 기판(W)의 목표 영역에서 박막의 두께가 다른 영역에 비해 더 얇은 경우에 상기 배플(3500, 4500)이 회전하는 경우에 상기 배플(3500, 4500)의 날개부(3530, 4530)가 상기 목표 영역을 향하는 경우, 예를 들어 상기 연결부(3510, 4510)의 외주를 따라 위상각을 설정하는 경우에 상기 배플(3500, 4500)의 날개부(3530, 4530)가 상기 목표 영역의 위치에 대응하는 위상 범위를 지나는 경우에 상기 배플(3500, 4500)의 회전속도가 상대적으로 변화될 수 있다.
즉 상기 배플(3500, 4500)이 소정의 속도로 회전하는 경우에 상기 배플(3500, 4500)의 날개부(3530, 4530)가 상기 목표 영역의 위치에 대응하는 위상을 통과하는 경우에만 상기 배플(3500, 4500)의 회전속도가 상대적으로 빨라질 수 있다. 상기 날개부(3530, 4530)가 상기 목표 영역에 대응하는 위상 영역에서 빨라지는 경우에 상기 배플(3500, 4500)의 날개부(3530, 4530)에 의한 원심력이 커져서 상기 날개부(3530, 4530)에 의해 상기 목표 영역으로 공급되는 공정가스의 양이 상대적으로 많아지게 된다. 따라서, 상기 목표 영역에 증착되는 박막의 두께를 다른 영역에 비해 더 두껍게 할 수 있게 된다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
100...챔버
200...기판지지부
300...샤워헤드
400...절연부
500...배플
600...분산부
700...회전구동부
800...실링부
900...가스도입부
1000...박막증착장치

Claims (10)

  1. 처리공간을 제공하는 챔버;
    상기 챔버의 처리공간의 하부에 구비되어 기판이 안착되는 기판지지부;
    공정가스 또는 세정가스가 유입되는 가스유입구가 구비되며 상기 챔버의 개구된 상부를 밀폐하는 챔버리드; 및
    상기 챔버리드의 하부에 구비되며 상기 기판을 향해 공정가스 또는 세정가스를 공급하는 샤워헤드; 및
    상기 가스유입구를 관통하여 상기 챔버리드와 샤워헤드 사이에 구비되며 상기 공정가스 또는 세정가스를 분산시키도록 회전 가능하게 구비되는 배플;을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 가스유입구가 구비된 상기 챔버리드의 상부에 구비되는 회전구동부를 더 구비하고,
    상기 배플은 상기 회전구동부에 연결되어 회전 가능하게 구비되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 회전구동부는 상기 가스유입구의 외측에 구비되는 고정자 및 상기 고정자에 대응하여 회전 가능하게 구비되는 회전자를 구비하고,
    상기 배플은 상기 회전자에 연결되어 회전 가능하게 구비되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 회전구동부의 실링을 유지하는 자성유체실(magnetic fluid seal)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 배플의 외면과 상기 챔버리드의 상기 가스유입구의 내주 사이의 공간을 통해 상기 챔버의 내부와 연통되어 상기 공정가스가 공급되는 제1 유로와, 상기 세정가스가 공급되며 상기 챔버리드의 상기 가스유입구를 관통하는 상기 배플의 내측 개구부를 통해 상기 챔버의 내부와 연통되어 상기 제1 유로와 구별되는 제2 유로를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  6. 삭제
  7. 제5항에 있어서,
    상기 배플에는 상기 세정가스를 분산시키는 분산부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 배플은
    상기 회전구동부와 연결되며 내부에 개구부가 형성된 연결부와,
    상기 연결부의 외주의 적어도 일부 영역에서 방사상으로 연장된 날개부를 구비하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 기판에 증착되는 박막의 두께를 조절하도록 상기 배플의 회전속도가 조절되는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 연결부의 외주를 따라 상기 날개부가 일부 영역에만 구비된 경우에 상기 기판에 임의의 목표영역을 설정하고 상기 날개부가 상기 연결부의 회전에 따라 상기 목표영역의 위치에 대응하는 위상 범위에 해당하는 경우에 상기 배플의 회전속도가 변화하는 것을 특징으로 하는 박막증착장치.
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