KR101693935B1 - 미세전자기계시스템(mems) 디바이스 - Google Patents

미세전자기계시스템(mems) 디바이스 Download PDF

Info

Publication number
KR101693935B1
KR101693935B1 KR1020140154377A KR20140154377A KR101693935B1 KR 101693935 B1 KR101693935 B1 KR 101693935B1 KR 1020140154377 A KR1020140154377 A KR 1020140154377A KR 20140154377 A KR20140154377 A KR 20140154377A KR 101693935 B1 KR101693935 B1 KR 101693935B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
verification mass
mass portion
movement
spring
verification
Prior art date
Application number
KR1020140154377A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160054843A (ko
Inventor
유 엔 슈
쉬 치에 린
치아 유 우
Original Assignee
리치테크 테크놀로지 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 리치테크 테크놀로지 코포레이션 filed Critical 리치테크 테크놀로지 코포레이션
Priority to KR1020140154377A priority Critical patent/KR101693935B1/ko
Publication of KR20160054843A publication Critical patent/KR20160054843A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101693935B1 publication Critical patent/KR101693935B1/ko

Links

Images

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B7/00—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems
    • B81B7/02—Microstructural systems; Auxiliary parts of microstructural devices or systems containing distinct electrical or optical devices of particular relevance for their function, e.g. microelectro-mechanical systems [MEMS]
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces

Abstract

본 발명은 MEMS 디바이스를 제공한다. MEMS 디바이스는, 기판; 2개 이상의 슬롯을 구비하는 검증 질량부를 포함하는데, 각각의 슬롯은 제1 내부 공간부 및 개구부를 포함하고, 상기 제1 내부 공간부는 상기 개구부보다 상기 검증 질량부의 중심 영역에 상대적으로 가까우며; 각각 상응하는 슬롯내에 배치되어 상기 기판에 연결되는, 2개 이상의 앵커; 각각 상응하는 슬롯내에 배치되어 상응하는 앵커에 연결되는, 2개 이상의 링크; 및 상기 검증 질량부의 다차원 이동을 보조하고, 상기 검증 질량부의 주변을 둘러싸며, 상기 링크와 상기 앵커를 통해 상기 기판에 연결되는 다차원 스프링 구조체를 포함한다. 다차원 스프링 구조체는 검증 질량부의 면외 이동 및 면내 이동을 보조하기 위한 제1 및 제2 스프링을 포함한다.

Description

미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스{MIRCO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEM (MEMS) DEVICE}
본 발명은 미세전자기계시스템(MIRCO-ELECTRO-MECHANICAL SYSTEM; MEMS) 디바이스에 관한 것으로, 특히 검증 질량부(proof mass) 및 상기 검증 질량부의 중심 영역내의 하나 이상의 앵커(anchors)에 연결된 다차원 스프링 구조체를 포함하는 MEMS 디바이스에 관한 것이다.
MEMS 디바이스는 현재 공지된 디바이스이며, MEMS 디바이스의 하나의 공통 적용은 이동을 감지하는 것이다. 도 1은 미국등록특허번호 제8,459,114호에 따른 종래기술의 MEMS 디바이스(10)를 도시하며, 3개의 검증 질량부(11, 12 및 13)가 3차원 이동 감지를 위해 제공된다. 검증 질량부(11, 12 및 13)는 상이한 질량과 크기를 가지며, 따라서 각각의 치수는 이동을 감지하기 위해 상이한 설계를 요구하며; 그결과, 전체 구조가 복잡해진다. 검증 질량부(11, 12 및 13)를 고정단(14)에 연결하는 앵커는 반드시 MEMS 디바이스(10)의 중심 영역에 있지 않으며, 따라서 제조공정 중에 또는 작동 중에 온도 변화로부터 발생하는 스트레스가 구조의 왜곡을 초래하여, MEMS 디바이스(10)의 정밀도를 감소시킬 수 있다.
도 2는 미국등록특허번호 제7,637,160호에 따른 다른 종래기술의 MEMS 디바이스(20)를 도시한다. MEMS 디바이스(20)의 검증 질량부(21)는 Y방향의 양쪽에서 앵커(22)에 의해 기판(23)에 연결된다. MEMS 디바이스(20)는 단지 기판(23)에 평행한 평면내 이동(도 2에서, X 및 Y 방향으로의)만을 감지할 수 있다. MEMS 디바이스(20)는 3차원 이동을 감지할 수 없으며, 왜곡이 여전히 발생할 수 있다.
도 3은 미국등록특허 제7,134,340호에 따른 또다른 종래기술의 MEMS 디바이스(30)를 도시한다. 여기서, MEMS 디바이스(30)는 대칭 구조를 가지고, 도 3은 MEM 디바이스(30)의 1/4 부분도를 도시한다. MEMS 디바이스(30)의 검증 질량부(31)는 링크(32), 스프링(33), 및 앵커(34)를 통해 기판(도시안됨)에 연결된다. 링크(32)는 변형 또는 왜곡을 방지하기 위하여 다중 앵커(34)를 통해 기판에 연결된다. 레이아웃 설계는 어느 정도 변형 또는 왜곡의 문제를 감소시키지만, 검증 질량부(31)의 이동을 2차원 이동으로 제한시켜서, 제조공정의 복잡성을 증가시킨다.
상기한 관점에서, 종래기술의 MEMS 디바이스는 3차원 이동을 감지할 수 없으며, 또는 큰 스트레스를 지탱할 수 없어, 큰 오프셋을 초래할 수 있다. 종래기술의 단점을 해결하기 위하여, 본 발명은 큰 스트레스 하에서 작은 오프셋을 가지면서 다차원 이동을 감지할 수 있는 MEMS 디바이스를 제공한다.
본 발명의 관점에 따르면, MEMS 디바이스가 제공된다. MEMS 디바이스는, 기판; 2개 이상의 슬롯을 구비하는 검증 질량부를 포함하는데, 각각의 슬롯은 제1 내부 공간부 및 개구부를 포함하고, 상기 제1 내부 공간부는 상기 개구부보다 상기 검증 질량부의 중심 영역에 상대적으로 가까우며; 각각 상응하는 슬롯내에 배치되어 상기 기판에 연결되는, 2개 이상의 앵커; 각각 상응하는 슬롯내에 배치되어 상응하는 앵커에 연결되는, 2개 이상의 링크; 및 상기 검증 질량부의 다차원 이동을 보조하고, 상기 검증 질량부의 주변을 둘러싸며, 상기 링크와 상기 앵커를 통해 상기 기판에 연결되는 다차원 스프링 구조체를 포함하며; 상기 다차원 스프링 구조체는, 상기 검증 질량부의 면외(out-of-plane) 이동을 보조하기 위해 상기 검증 질량부에 연결되는, 다수의 제1 스프링; 및 다수의 제2 스프링을 포함하며, 각각의 제2 스프링은, 상기 검증 질량부의 면내(in-plane) 이동을 보조하기 위하여, 상응하는 하나의 링크와 상응하는 하나의 제1 스프링 사이에 직접적으로 또는 간접적으로 연결된다.
일실시예에서, 2개 이상의 슬롯, 2개 이상의 링크, 및 2개 이상의 앵커는 각각 대칭적으로 배치된다.
일실시예에서, 제1 스프링은 상기 검증 질량부의 2개의 대향 측부에 연결되며, 2개 이상의 슬롯의 개구부는 상기 검증 질량부의 다른 2개의 대향 측부에 연결된다.
일실시예에서, 제1 스플링은 상기 검증 질량부의 회전 이동을 보조하기 위한 회전가능한 스프링이다.
일실시예에서, 회전축은 2개의 제1 스프링을 연결하는 가상 선을 따라 형성되며, 검증 질량부는 상기 회전 이동이 편심 이동이 되도록 회전축의 대향 측부에 편재되어 있다.
일실시예에서, 제1 스프링은 상기 검증 질량부의 면외 이동을 보조하기 위한 병진 스프링이며, 면외 이동은 병진 면외 이동이다.
일실시예에서, 하나 이상의 앵커는 각각의 슬롯내에 배치되며, 각각의 슬롯내의 링크는 동일한 슬롯내의 모든 앵커에 연결된다.
일실시예에서, 다차원 이동은 3차원 이동이다.
일실시예에서, 다차원 스프링 구조체는 프레임형 구조체를 가지며, 검증 질량부는 상기 프레임형 구조체의 제2 내부 공간부내에 있다.
일실시예에서, 다차원 스프링 구조체는, 상기 검증 질량부를 수용하기 위한 제2 내부 공간부를 포함하는, 외부 프레임; 각각 2개 이상의 상응하는 링크에 연결되는, 2개 이상의 내부 빔; 및 제1 스프링 및 제2 스프링을 포함하는데, 상기 외부 프레임은 상기 제2 스프링을 통해 내부 빔에 연결되고, 상기 외부 프레임은 상기 제1 스프링을 통해 상기 검증 질량부에 연결되며, 내부 빔과 외부 프레임 사이에는 검증 질량부의 부분이 없다.
본 발명의 목적, 기술적 상세, 특징 및 효과는, 이하의 실시예의 상세한 설명에 관련하여, 도면을 참고하여, 더욱 잘 이해될 것이다.
본 발명에 따르면, 큰 스트레스 하에서 작은 오프셋을 가지면서 다차원 이동을 감지할 수 있는 MEMS 디바이스의 제공이 가능해진다.
도 1, 도 2, 및 도 3은 3개의 종래기술의 MEMS 디바이스를 도시한다.
도 4a는 본 발명의 일실시예에 따른 MEMS 디바이스를 도시하고, 도 4b는 도 4a에 따른 부분도를 도시한다.
도 4c는 본 발명의 일실시예에 따른 다차원 스프링 구조체를 도시한다.
도 5 및 도 6은 각각 본 발명의 2개의 실시예에 따른 2개의 MEMS 디바이스를 도시한다.
본 발명의 상세한 설명을 통해 참조되는 바와 같은 도면들은 단지 예시적인 목적을 위해 구성요소 또는 구조적 부품 사이의 상호관계를 보여주는 것이지만, 실제 축적에 따라 작도되지 않는다.
도 4a 내지 도 4c를 참조하면, 이는 본 발명의 하나의 관점에 따른 MEMS 디바이스(40)를 도시한다. MEMS 디바이스(40)는, 기판(41); 2개 이상의 슬롯(421)을 구비하는 검증 질량부(42)를 포함하는데, 각각의 슬롯(421)은 내부 공간부(4211) 및 개구부(4212)를 포함하고(도 4a의 부분도가 되는 도 4b에 도시된 바와 같이), 내부 공간부(4212)는 개구부(4211)보다 검증 질량부(42)의 중심 영역(C)에 상대적으로 가까우며(도 4a에 도시된 바와 같이); 2개 이상의 링크(44) 및 2개 이상의 앵커(45)를 포함하고, 각각의 링크는 하나 이상의 상응하는 앵커(45)에 연결되며, 각각 연결된 링크(44)와 앵커(45)의 세트는 상응하는 슬롯내에 배치되고; 그리고 검증 질량부(42)의 다차원 이동을 보조하기 위한 다차원 스프링 구조체(43)(도 4c를 참조하면, 다차원 스프링 구조체(43)는 실선에 의해 도시되는 반면, 다른 구조적 부품들은 점선에 의해 도시된다)를 포함하며, 상기 다차원 스프링 구조체는(43)는 검증 질량부(42)의 주변을 둘러싸며, 링크(44)와 앵커(45)를 통해 기판(41)에 연결되어진다. (도 4a에 도시된 보기에서, 다수의 앵커(45)가 각각의 슬롯(421) 내에 도시되고 있으며; 각각의 링크(44)는 동일한 슬롯(421) 내의 임의 수의 앵커(45)에, 이를테면 이에 제한되지는 않지만 모든 앵커(45)에 연결될 수 있다.) 다차원 스프링 구조체(42)는 검증 질량부(42)의 면외(out-of-plane) 이동(예를 들면, 도 4a에 도시된 바와 같은 탄성 회전 이동)을 보조하기 위하여 검증 질량부(42)에 연결되는 다수의 제1 스프링(S1)을 포함한다. 다차원 스프링 구조체(42)는 상기 검증 질량부(42)의 면내(in-plane) 이동(예를 들면, 도 4a에 도시된 바와 같은 병진 탄성 이동(M2 및 M3))을 보조하기 위하여 다수의 제2 스프링(S2)을 포함한다. 각각의 제2 스프링은 상응하는 링크(44)와 상응하는 제1 스프링(S1) 사이에 직접적으로 또는 간접적으로 연결된다. 일실시예에서, 2개 이상의 슬롯(421), 2개 이상의 링크(44), 및 2개 이상의 앵커(45)는 각각 대칭적으로 배치된다. 일실시예에서, 제1 스프링(S1)은 검증 질량부(42)의 2개의 대향 측부에 연결되며, 2개 이상의 슬롯(421)의 개구부(4212)는 검증 질량부(42)의 다른 2개의 대향 측부에 연결된다(또는 제공된다).
검증 질량부(42)는 하나 이상의 이동가능한 전극을 형성하며, 하나 이상의 고정 전극이 MEMS 디바이스(40) 내의 상응하는 위치에 제공된다. 검증 질량부(42)가 이동할 때, 이동가능한 전극과 고정 전극 사이의 캐패시턴스가 변화하며, 그결과 MEMS 디바이스(40)의 이동이 감지될 수 있다. 용량성 이동 감지는 본 기술분야의 당업자들에 의해 공지되어 있으므로, 중요한 세부사항은 본 명세서에서 생략한다. 고정 전극의 위치는 필요에 따라 배열될 수 있다.
일실시예에서, MEMS 디바이스(40)의 검증 질량부(42)는 단일 질량부이고; 그러나, 질량부의 개수는 하나 이상일 수 있다. 예를 들면, 검증 질량부(42)는 서로 직접 연결되지 않는 2개 이상의 질량부(도시안됨)를 포함할 수 있으며, 각각의 질량부는 상이한 방향에서의 이동을 감지하기 위한 것이다.
일실시예에서, 검증 질량부(42)의 다차원 이동은 편심(eccentric) 이동이며, 도 4a를 참조하라. 제1 스프링을 연결하는 가상의 연결선을 따라 형성되는 축(AA')과 관련하여, 검증 질량부(42)의 질량(mass)은 축(AA')의 양쪽에 편재되어 있으며, 따라서 축(AA')과 관련한 검증 질량부(42)의 회전 이동은 편심 이동이다. 검증 질량부(42)의 불균일한 질량 분포는 다양한 방법으로 달성될 수 있다. 일실시예에서, 축(AA')은 검증 질량부(42)의 기하학적 중심선으로부터 떨어져 배치될 수 있다. 다른 실시예에서, 검증 질량부(42)의 불균일한 질량 분포는 검증 질량부(42)에 하나 이상의 트렌치(46)를 제공함으로써 달성될 수 있다. 도 4a에 도시된 바와 같은 트렌치(46)는 단지 예시적 목적을 위한 것이고; 트렌치(46)의 수, 형상, 또는 위치는 변경될 수 있다. 축(AA')와 관련한 검증 질량부(42)의 불균일한 질량 분포에 기인하여, X-Y 평면에서의 X방향에 따른 검증 질량부(42)의 면내 이동은 또한 편심 이동이다.
일실시예에서, 검증 질량부(42)의 질량은 축(BB')의 양쪽에 편재되도록 설계될 수 있으며, Y방향에 따른 검증 질량부(42)의 면내 이동(X-Y 평면에서)은 또한 편심 이동이 될 수 있다.
편심 이동을 초래하는 불균일한 질량 분포는 미분 캐패시턴스 측정에 의해 감지 정밀도를 개선할 수 있지만, 본 발명은 이에 제한되지 않으며, 모든 차원에서의 검증 질량부(42)의 이동은 모두 편심 이동 대신에 단순히 병진 이동이 될 수 있다.
예를 들면, 도 5는 본 발명의 일실시예에 따른 MEMS 디바이스(50)를 도시하는데, 검증 질량부(52)는 제1 스프링(S1)을 따라 회전할 수 없으며, 따라서 검증 질량부(52)의 면외(out-of-plane) 이동(방향 Z는 X-Y 평면에 관련하여 면외 이동이다)은 단순히 병진 이동이다. 열적 왜곡을 방지하기 위하여, 오른쪽의 2개의 제1 스프링(S1) 및 왼쪽의 2개의 제1 스프링(S1)은 바람직하게 오른쪽의 중심 및 왼쪽의 중심에 가깝게, 예를 들어 검증 질량부(52)의 좌측 및 우측의 중간 1/3 범위 내에 배치된다. 열적 왜곡 문제가 더 중요한 경우에, 제1 스프링은 검증 질량부(52)의 우측 및 좌측의 중간 1/4 범위 내에 배치될 수 있다. 그러나, 본 발명의 범위는 상기한 일례의 범위에 제한되지 않는다.
전술한 실시예에서, 다차원 이동은 3차원 탄성 이동으로서 기술된다. 그러나, 본 발명은 2차원 탄성 이동(예를 들면, X, Y, 및 Z 방향을 감지하기 위한 고정 전극 중 하나는 1 미만의 차원이 감지되도록 제거될 수 있다)을 감지하기 위해 적용가능하며, 또한 3차원 이상의 이동(예를 들면, X, Y, 및 Z 차원에 부가하여, 각속도 또는 중력의 감지)을 감지하기 위해 적용가능하다. 다차원 탄성 이동의 차원 수는 실제 필요에 따라 변형될 수 있다.
다차원 스프링 구조체(43)의 주요 기능은 검증 질량부(42)의 다차원 이동을 보조하기 위해 검증 질량부(42)를 탄성적으로 연결하는 것이며, 검증 질량부(42)의 슬롯(421) 내의 앵커(45)에 검증 질량부(42)를 연결하는 것이다. 다차원 스프링 구조체(43)는, 다차원 스프링 구조체(43)가 전술한 기능들을 제공할 수 있는 한, 임의 구조 및 레이아웃을 가지도록 설계될 수 있다. 일실시예에서, 다차원 스프링 구조체(43)는 프레임형 구조를 가지고, 검증 질량부(42)는 프레임형 구조의 내부 공간부(431) 내에 있으며, 도 4a 및 도 4c를 참조하라.
구체적으로, 다차원 스프링 구조체(43)는, 검증 질량부(42)를 수용하기 위한 내부 공간부(431)를 포함하는, 외부 프레임(433)을 포함하고; 각각 2개 이상의 상응하는 링크(44)에 연결되는 2개 이상의 내부 빔(432)을 포함하는데, 2개 이상의 내부 빔(432)은 2개 이상의 상응하는 링크(44)와 2개 이상의 상응하는 앵커(45)을 통해 각각 MEMS 디바이스(40)의 기판(41)에 연결되고, 여기서 앵커(45)는 검증 질량부(42)의 슬롯(421) 내에 배치되며; 제1 스프링(S1)과 제2 스프링(S2)을 포함하는데, 여기서 외부 프레임(433)은 제2 스프링(S2)을 통해 내부 빔(432)에 연결되며, 외부 프레임(433)은 제1 스프링(S1)을 통해 검증 질량부(42)에 연결되어, 검증 질량부(42)의 다차원 탄성 이동(M1, M2, 및 M3)을 보조한다. 내부 빔(432)과 외부 프레임(433) 사이에는 검증 질량부(42)의 부분이 없다는 점에 유의하라. 따라서, 다차원 스프링 구조체(43)는 프레임형 구조를 가지며, 검증 질량부(42)는 프레임형 구조의 내부 공간부(431) 내에 있다.
도 4a, 도 4c, 및 도 5에 도시된 실시예에서, 링크(44)는 정사각형 또는 직선 형상을 가진다. 도 6의 다른 실시예에서, MEMS 디바이스(60)는 전술한 링크와 다른 형상을 갖는 링크(61)를 포함하며, 이는 링크가 임의 형상에 제한되지 않음을 보여준다. 게다가, 슬롯의 형상은 도 4a 내지 도 4c, 및 도 5에 도시된 형상에 제한되지 않는다.
본발명은 구체적인 실시예를 참조하여 상당히 상세하게 설명되었다. 이러한 설명은 예시적인 목적을 위한 것이고, 본 발명의 범위를 제한하는 것이 아니라고 이해되어야 한다. 본 기술 분야의 당업자는 본 발명의 사상 내에서 변형 및 변경을 쉽게 고려할 수있다. 본 발명의 실시예 또는 청구항은 본 발명의 목적 또는 장점을 모두 달성할 필요가 없다.
발명의 명칭과 요약서는 검색을 보조하기 위해 제공되며, 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.

Claims (10)

  1. 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스에 있어서,
    기판;
    2개 이상의 슬롯을 구비하는 검증 질량부를 포함하는데, 각각의 슬롯은 제1 내부 공간부 및 개구부를 포함하고, 상기 제1 내부 공간부는 상기 개구부보다 상기 검증 질량부의 중심 영역에 상대적으로 가까우며;
    각각 상응하는 슬롯내에 배치되어 상기 기판에 연결되는, 2개 이상의 앵커;
    각각 상응하는 슬롯내에 배치되어 상응하는 앵커에 연결되는, 2개 이상의 링크; 및
    상기 검증 질량부의 다차원 이동을 보조하고, 상기 검증 질량부의 주변을 둘러싸며, 상기 링크와 상기 앵커를 통해 상기 기판에 연결되는 다차원 스프링 구조체를 포함하며;
    상기 다차원 스프링 구조체는,
    상기 검증 질량부의 면외(out-of-plane) 이동을 보조하기 위해 상기 검증 질량부에 연결되는, 다수의 제1 스프링; 및
    다수의 제2 스프링을 포함하며, 각각의 제2 스프링은, 상기 검증 질량부의 면내(in-plane) 이동을 보조하기 위하여, 상응하는 하나의 링크와 상응하는 하나의 제1 스프링 사이에 연결되는 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
  2. 제1항에 있어서,
    2개 이상의 슬롯, 2개 이상의 링크, 및 2개 이상의 앵커는 평면을 기준으로 상하 대칭적으로 배치되는 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
  3. 제1항에 있어서,
    제1 스프링은 상기 검증 질량부의 2개의 대향 측부에 연결되며, 2개 이상의 슬롯의 개구부는 상기 검증 질량부의 다른 2개의 대향 측부에 연결되는 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
  4. 제1항에 있어서,
    제1 스프링은 상기 검증 질량부의 회전 이동을 보조하기 위한 회전가능한 스프링인 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
  5. 제4항에 있어서,
    회전축은 2개의 제1 스프링을 연결하는 가상 선을 따라 형성되며, 검증 질량부의 질량은 상기 회전 이동이 편심 이동이 되도록 회전축의 양쪽에 편재되어 있는 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
  6. 제1항에 있어서,
    제1 스프링은 상기 검증 질량부의 면외 이동을 보조하기 위한 병진 스프링이며, 면외 이동은 병진 면외 이동인 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
  7. 제1항에 있어서,
    하나 이상의 앵커는 각각의 슬롯내에 배치되며, 각각의 슬롯내의 링크는 동일한 슬롯내의 모든 앵커에 연결되는 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
  8. 제1항에 있어서,
    다차원 이동은 3차원 이동인 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
  9. 제1항에 있어서,
    다차원 스프링 구조체는 프레임형 구조체를 가지며, 검증 질량부는 상기 프레임형 구조체의 내부 공간부(431) 내에 있는 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
  10. 제1항에 있어서,
    다차원 스프링 구조체는,
    상기 검증 질량부를 수용하기 위한 제2 내부 공간부를 포함하는, 외부 프레임;
    각각 2개 이상의 상응하는 링크에 연결되는, 2개 이상의 내부 빔; 및
    제1 스프링 및 제2 스프링을 포함하는데, 상기 외부 프레임은 상기 제2 스프링을 통해 내부 빔에 연결되고, 상기 외부 프레임은 상기 제1 스프링을 통해 상기 검증 질량부에 연결되며, 내부 빔과 외부 프레임 사이에는 검증 질량부의 부분이 없는 것을 특징으로 하는 미세전자기계시스템(MEMS) 디바이스.
KR1020140154377A 2014-11-07 2014-11-07 미세전자기계시스템(mems) 디바이스 KR101693935B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140154377A KR101693935B1 (ko) 2014-11-07 2014-11-07 미세전자기계시스템(mems) 디바이스

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140154377A KR101693935B1 (ko) 2014-11-07 2014-11-07 미세전자기계시스템(mems) 디바이스

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160054843A KR20160054843A (ko) 2016-05-17
KR101693935B1 true KR101693935B1 (ko) 2017-01-06

Family

ID=56109459

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140154377A KR101693935B1 (ko) 2014-11-07 2014-11-07 미세전자기계시스템(mems) 디바이스

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101693935B1 (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100431004B1 (ko) 2002-02-08 2004-05-12 삼성전자주식회사 회전형 비연성 멤스 자이로스코프
US20080078246A1 (en) 2006-09-29 2008-04-03 Li Gary G Methods and apparatus for a MEMS gyro sensor

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100436367B1 (ko) * 2001-12-14 2004-06-19 삼성전자주식회사 수직 진동 질량체를 갖는 멤스 자이로스코프
FR2983574B1 (fr) * 2011-12-06 2014-01-10 Sagem Defense Securite Capteur angulaire inertiel de type mems equilibre et procede d'equilibrage d'un tel capteur

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100431004B1 (ko) 2002-02-08 2004-05-12 삼성전자주식회사 회전형 비연성 멤스 자이로스코프
US20080078246A1 (en) 2006-09-29 2008-04-03 Li Gary G Methods and apparatus for a MEMS gyro sensor

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160054843A (ko) 2016-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106370889B (zh) 具有双重质量块和集成式阻尼结构的多轴惯性传感器
TWI748157B (zh) 一種ｍｅｍｓ加速度計
CN102608354B (zh) 具有双检验块的mems传感器
US10209070B2 (en) MEMS gyroscope device
US9815687B2 (en) MEMS device and corresponding micromechanical structure with integrated compensation of thermo-mechanical stress
JP6448793B2 (ja) ３軸ｍｅｍｓジャイロ
CN103238074B (zh) 加速度计
KR101754634B1 (ko) 2자유도 감지 모드를 갖는 멤스 자이로스코프
US20160187371A1 (en) Acceleration sensor
CN104897147A (zh) 一种mems三轴陀螺仪
KR20170092691A (ko) 관성 측정 모듈 및 ３축 가속도계
JP2018514397A (ja) 微小電気機械静電容量型センサの構造体およびデバイス
CN108020686B (zh) 具有改进配置的mems三轴加速度计
JP2018514397A5 (ko)
CN107782299B (zh) 一种两轴mems陀螺仪
JP6260063B2 (ja) 平行板コンデンサ及びこれを含む加速度センサ
US9733269B2 (en) Micro-electro-mechanical system (MEMS) device with multi-dimensional spring structure and frame
KR101693935B1 (ko) 미세전자기계시스템(mems) 디바이스
US20160169927A1 (en) Mirco-electro-mechanical system device
CN104535797A (zh) 一种单片双轴蝶翼式微机械加速度计
CN204679079U (zh) 一种mems三轴陀螺仪
US20160138666A1 (en) Micromechanical spring for an inertial sensor
US9964561B2 (en) Acceleration sensor
Bazaz et al. Monolithic tri-axes nickel-based accelerometer design verified through finite element analysis
KR101189098B1 (ko) 탄성체를 공유하는 3축 가속도 센서

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191111

Year of fee payment: 6