KR101693840B1 - Paste composition for solar cell front electrode and solar cell using thereof - Google Patents

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강성구
김진현
심지명
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송영준
박준걸
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Abstract

The present invention relates to a paste composition for solar cell front electrode and a solar cell using the same. According to the present invention, the paste composition can be used for manufacturing the front electrode of the solar cell and has an advantage of being environmentally friendly due to low composition of lead oxide. According to the present invention, the paste composition for solar cell front electrode has excellent etching performance and has high energy conversion efficiency due to low contact resistance with a reflection preventive film.

Description

태양전지 전면전극용 페이스트 조성물 및 이를 이용한 태양전지 {Paste composition for solar cell front electrode and solar cell using thereof}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a paste composition for a front electrode of a solar cell and a solar cell using the paste composition,

본 발명은 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물, 이를 이용하여 형성된 태양전지에 관한 것이다.The present invention relates to a paste composition for a solar cell front electrode, and a solar cell formed using the same.

태양전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜 주는 반도체 소자로서, 반도체 웨이퍼, 반사방지막, 전면전극 및 후면전극으로 이루어져 있다. 태양전지는 입사되는 태양광에 의해 반도체 웨이퍼의 P-N 접합 광전 효과가 유도되고, 이로부터 발생된 전자들이 전극을 통해 외부로 흐르는 전류를 제공한다.A solar cell is a semiconductor device that converts solar energy into electrical energy. It is composed of a semiconductor wafer, antireflection film, front electrode, and back electrode. In solar cells, the P-N junction photoelectric effect of a semiconductor wafer is induced by incident solar light, and electrons generated from the P-N junction photoelectric effect provide a current flowing through the electrode to the outside.

이 중 전면전극은 웨이퍼의 일면에 금속 페이스트를 도포하여 전면전극을 형성한다. 금속, 글래스 프릿 등을 포함하는 페이스트 조성물을 일반적인 스크린 프린팅 방법 등에 의해 기판에 도포하여 특정 형상의 전극 회로를 형성하고, 건조 및 소성함으로써 전도성을 부여한다.The front electrode forms a front electrode by applying a metal paste to one surface of the wafer. A paste composition including a metal, glass frit, and the like is applied to a substrate by a general screen printing method or the like to form an electrode circuit of a specific shape, followed by drying and firing, thereby imparting conductivity.

특히, 전면전극은 태양전지의 가장 상부에 위치하므로, 빛 가림손실(shading loss)은 최소화하면서 전기 전도도는 증대시켜야 하기 때문에 우수한 접착력과 낮은 접촉 저항 특성을 갖는 금속 페이스트의 개발이 요구되고 있다. 이 중 금속 페이스트의 중요 조성물인 글래스 프릿(Glass frit)에 대한 연구가 활발하다. Particularly, since the front electrode is located at the uppermost part of the solar cell, the electrical conductivity must be increased while minimizing the shading loss, so that development of a metal paste having excellent adhesion and low contact resistance characteristics is required. Among them, research on glass frit, which is an important composition of metal paste, is actively studied.

글래스 프릿은 반사방지막과 계면 반응을 일으켜 반사방지막을 에칭하게 되는데, 이는 산화-환원 반응으로서 일부 원소가 환원되어 부산물로 생성된다. 종래의 글래스 프릿 분말은 산화납(PbO)의 함유량이 높아, 계면 반응 후 납이 환원되어 환경적으로 문제점이 있었다.The glass frit causes an interfacial reaction with the antireflection film to etch the antireflection film, which is an oxidation-reduction reaction in which some elements are reduced to form byproducts. Conventional glass frit powders have a high content of lead oxide (PbO) and have lead to environmental problems due to reduction of lead after the interface reaction.

따라서, 친환경적이면서도 종래보다 더욱 우수한 변환 효율 및 저항 특성을 제공할 수 있는 태양전지 전면전극용 페이스트에 대한 요구는 계속되고 있는 실정이다. Accordingly, there is a continuing need for a solar cell front electrode paste which is eco-friendly and can provide conversion efficiency and resistance characteristics superior to those of the prior art.

한국 공개특허공보 제2011-0074392호Korean Patent Publication No. 2011-0074392

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 산화납의 함유량을 낮추고, 우수한 변환효율을 가지는 태양전지 전면전극 형성용 페이스트 조성물을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a paste composition for forming a front electrode of a solar cell having a reduced content of lead oxide and an excellent conversion efficiency.

또한 본 발명은 본 발명의 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물을 이용하여 제조된 태양전지를 제공하는 것이다.The present invention also provides a solar cell manufactured using the paste composition for a solar cell front electrode according to the present invention.

본 발명은 고효율의 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물에 관한 것으로, 본 발명의 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물은 BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high-efficiency paste composition for a front electrode of a solar cell,

전도성 금속 분말; Conductive metal powder;

TeO2 20 내지 60wt%, PbO 1 내지 30wt%, ZnO 1 내지 20wt% 및 Bi2O3 1 내지 30wt%를 포함하는 글래스 프릿; 및 Glass frit comprising 20 to 60 wt% of TeO 2 , 1 to 30 wt% of PbO, 1 to 20 wt% of ZnO and 1 to 30 wt% of Bi 2 O 3 ; And

유기 비히클;을 포함하는 것이다.An organic vehicle.

본 발명의 상기 글래스 프릿은 SiO2, ZnO, Li2O, B2O3, Al2O3, CuO, Na2O, ZrO2, MgO, P2O5, CaO, BaO, SnO, SrO, K2O, TiO2 및 MnO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있다.The glass frit of the present invention is a glass frit having a glass frit composed of SiO 2 , ZnO, Li 2 O, B 2 O 3 , Al 2 O 3 , CuO, Na 2 O, ZrO 2 , MgO, P 2 O 5 , CaO, BaO, K 2 O, TiO 2, and MnO 2 .

본 발명의 글래스 프릿은 TeO2 20 내지 60wt%, PbO 1 내지 30wt%, ZnO 1 내지 20wt%, Bi2O3 1 내지 30wt%, Li2O 0.1 내지 5wt%, SiO2 0.1 내지 15wt% 및 B2O3 0.1 내지 10wt%를 포함 할 수 있다.The glass frit of the present invention comprises 20 to 60 wt% of TeO 2 , 1 to 30 wt% of PbO, 1 to 20 wt% of ZnO, 1 to 30 wt% of Bi 2 O 3 , 0.1 to 5 wt% of Li 2 O, 0.1 to 15 wt% of SiO 2 , 2 O 3 0.1 to 10 wt%.

본 발명의 글래스 프릿은 페이스트 조성물에 대하여, 0.1 내지 15wt%로 포함될 수 있다.The glass frit of the present invention may be contained in an amount of 0.1 to 15 wt% with respect to the paste composition.

본 발명의 전도성 금속 분말은 은, 금, 구리, 니켈, 알루미늄, 팔라듐, 크롬, 코발트, 주석, 납, 아연, 철, 텅스텐, 마그네슘 및 이들의 합금에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다. 상기 전도성 금속 분말은 페이스트 조성물에 대하여, 60 내지 99.5 중량%로 포함될 수 있다.The conductive metal powder of the present invention may include at least one selected from silver, gold, copper, nickel, aluminum, palladium, chromium, cobalt, tin, lead, zinc, iron, tungsten, magnesium and alloys thereof. The conductive metal powder may be contained in an amount of 60 to 99.5% by weight based on the paste composition.

본 발명의 상기 유기 비히클은 유기 바인더가 용매에 용해된 것이며, 상기 유기 비히클은 페이스트 조성물에 대하여, 0.1 내지 35 중량%로 포함될 수 있다. 상기 유기 바인더는 셀룰로오스계 수지, 아크릴계 수지 및 폴리비닐계 수지 중에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.The organic vehicle of the present invention is an organic binder dissolved in a solvent, and the organic vehicle may be contained in an amount of 0.1 to 35% by weight based on the paste composition. The organic binder may include at least one selected from a cellulose resin, an acrylic resin and a polyvinyl resin.

본 발명은 상기 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물로 제조되는 태양전지 전면전극 및 이를 포함하는 태양전지를 제공할 수 있다.The present invention can provide a solar cell front electrode made of the paste composition for the front electrode of the solar cell and a solar cell including the same.

본 발명에 따른 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물은 태양전지의 전면전극의 제조에 사용될 수 있으며, 산화납의 함유량이 적어 친환경적인 장점이 있다.The paste composition for a front electrode of a solar cell according to the present invention can be used for manufacturing a front electrode of a solar cell and has a small amount of lead oxide and is environmentally friendly.

본 발명에 따른 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물은 우수한 에칭능력을 가지는 동시에 반사방지막과의 접촉저항도 낮아 이로 형성된 태양전지용 전면전극을 채용한 태양전지는 높은 에너지 전환효율을 가진다.The solar cell front electrode paste composition according to the present invention has an excellent etching ability and a low contact resistance with the antireflection film, and thus the solar cell employing the front electrode for solar cell has high energy conversion efficiency.

이하 본 발명의 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물을 상세히 설명한다. 이때, 사용되는 기술 용어 및 과학 용어에 있어서 다른 정의가 없다면, 이 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 통상적으로 이해하고 있는 의미를 가지며, 하기의 설명 및 첨부 도면에서 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있는 공지 기능 및 구성에 대한 설명은 생략한다. Hereinafter, the paste composition for a solar cell front electrode of the present invention will be described in detail. Hereinafter, the technical and scientific terms used herein will be understood by those skilled in the art without departing from the scope of the present invention. Descriptions of known functions and configurations that may be unnecessarily blurred are omitted.

본 발명에 있어, 태양전지(solar cell)는 태양에너지를 전기에너지로 변환시켜 주는 반도체 소자로서, 반도체 웨이퍼, 반사방지막, 전면전극 및 후면전극으로 이루어진 것을 의미한다.In the present invention, a solar cell is a semiconductor device that converts solar energy into electrical energy, and is formed of a semiconductor wafer, an antireflection film, a front electrode, and a rear electrode.

본 발명은 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물에 관한 것으로, The present invention relates to a paste composition for a solar cell front electrode,

전도성 금속 분말; Conductive metal powder;

TeO2 20 내지 60wt%, PbO 1 내지 30wt%, ZnO 1 내지 20wt% 및 Bi2O3 1 내지 30wt% 포함하는 글래스 프릿; 및 Glass frit comprising 20 to 60 wt% of TeO 2 , 1 to 30 wt% of PbO, 1 to 20 wt% of ZnO and 1 to 30 wt% of Bi 2 O 3 ; And

유기 비히클;을 포함하는 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물에 관한 것이다.An organic vehicle; and a paste composition for a solar cell front electrode.

본 발명의 전면전극용 페이스트 조성물에 포함되는 글래스 프릿은 소성 공정 중 반사 방지막을 에칭하고, 전도성 금속 분말과 웨이퍼 사이의 접착력을 향상시키고 소성 온도를 보다 낮추는 효과를 유도할 수 있다. The glass frit contained in the paste composition for a front electrode of the present invention can induce an effect of improving the adhesion between the conductive metal powder and the wafer and lowering the firing temperature by etching the antireflection film during the firing process.

상기 글래스 프릿은 반사방지막과 계면 반응을 일으켜 반사방지막을 에칭하게 되는데, 이는 산화-환원 반응으로서 일부 원소가 환원되어 부산물로 생성될 수 있다. 종래의 글래스 프릿 분말은 산화납(PbO)의 함유량이 높아, 계면 반응 후 납이 환원되어 환경적으로 문제점이 있었다.The glass frit undergoes an interfacial reaction with the antireflection film to etch the antireflection film, which is an oxidation-reduction reaction, and some elements may be reduced to form a byproduct. Conventional glass frit powders have a high content of lead oxide (PbO) and have lead to environmental problems due to reduction of lead after the interface reaction.

이에 본 발명의 전면전극용 페이스트 조성물은 기존의 사용하던 산화납의 함량을 낮추고, ZnO 및 Bi2O3 의 함유량을 높여 친환경적이며 에칭능력이 우수한 전면전극용 페이스트 조성물을 도입하였다.Thus, the paste composition for a front electrode of the present invention lowers the content of lead oxide used and increases the content of ZnO and Bi 2 O 3 A paste composition for front electrode which is environmentally friendly and excellent in etching ability is introduced.

또한, 본 발명의 전면전극용 페이스트 조성물은 TeO2를 함유함으로써 기판과 전면전극사이의 접착력을 높이는 동시에 에칭능력을 더욱 향상시키고 반사방지막과의 접촉저항을 낮추어 개방전압을 높일 수 있다.Also, since the paste composition for a front electrode of the present invention contains TeO 2 , the adhesion between the substrate and the front electrode can be enhanced, the etching ability can be further improved, and the contact resistance with the antireflection film can be reduced to increase the open circuit voltage.

본 발명의 글래스 프릿은 태양전지의 광효율을 높이기 위하여 글래스 프릿 전체 함유량에 대하여 TeO2 20 내지 60wt%, PbO 1 내지 30wt%, ZnO 1 내지 20wt% 및 Bi2O3 1 내지 30wt%를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The glass frit of the present invention may contain 20 to 60 wt% of TeO 2 , 1 to 30 wt% of PbO, 1 to 20 wt% of ZnO and 1 to 30 wt% of Bi 2 O 3 based on the total glass frit content to increase the light efficiency of the solar cell But is not limited thereto.

본 발명의 상기 글래스 프릿은 여기 전압 효과의 개선을 위해, SiO2, ZnO, Li2O, B2O3, Al2O3, CuO, Na2O, ZrO2, MgO, P2O5, CaO, BaO, SnO, SrO, K2O, TiO2, 및 MnO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 더 포함할 수 있으며, 보다 바람직하게는 Li2O, SiO2, B2O3를 더 포함할 수 있다.In order to improve the excitation voltage effect, the glass frit of the present invention may be formed of SiO 2 , ZnO, Li 2 O, B 2 O 3 , Al 2 O 3 , CuO, Na 2 O, ZrO 2 , MgO, P 2 O 5 , CaO, BaO, SnO, SrO, K 2 O, TiO 2, and may further include at least one selected from the group consisting of MnO 2, more preferably more the Li 2 O, SiO 2, B 2 O 3 .

상기 여기 전압이란, 원자나 분자를 충돌시켜 여기 하는데에 필요한 최소 에너지를 주기 위하여 필요한 전압을 말하는 것으로, 태양전지 효율을 개선 시키는 효과를 나타낸다.The excitation voltage refers to a voltage required to give the minimum energy required to collide and excite an atom or a molecule, thereby exhibiting an effect of improving the solar cell efficiency.

상기 Li2O, SiO2, B2O3 함유량은 제한되는 것은 아니나, 바람직하게는 Li2O 0.1 내지 5wt%, SiO2 0.1 내지 15wt%, 및 B2O3 0.1 내지 10wt%를 포함할 있으며, 본 발명의 글래스 프릿은 바람직하게는 TeO2 20 내지 60wt%, PbO 1 내지 30wt%, ZnO 1 내지 20wt%, Bi2O3 1 내지 30wt%, Li2O 0.1 내지 5wt%, SiO2 0.1 내지 15wt%, 및 B2O3 0.1 내지 10wt%를 포함할 수 있다.The Li 2 O, SiO 2 , B 2 O 3 Content but are not limited, preferably the Li 2 O 0.1 to 5wt%, SiO 2 0.1 to 15wt%, and B 2 O 3 0.1 to may comprise 10wt%, the glass frit of the present invention preferably TeO 2 20 to 60wt%, PbO 1 to 30wt%, ZnO 1 to 20wt%, Bi 2 O 3 1 to 30wt%, Li 2 O 0.1 to 5wt%, SiO 2 0.1 to 15wt%, and B 2 O 3 0.1 to 10wt% . ≪ / RTI >

본 발명의 글래스 프릿은 산소를 포함하는 망목 구조(network structure), 구체적으로는 불규칙 망목 구조(random network structure)를 가지는 산소 다면체로 구성될 수 있다. 글래스 프릿의 연화점은 300 내지 500℃인 것이 좋고, 상기 범위내에서 유리 용융물의 점도가 적절하여 전극 형성에 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다.The glass frit of the present invention can be composed of an oxygen-containing network structure, specifically an oxygen-polyhedron having a random network structure. The softening point of the glass frit is preferably from 300 to 500 ° C, and the viscosity of the glass melt is suitably within the above range, but is not limited thereto.

본 발명의 글래스 프릿은 우수한 변환 효율을 가지고, 저항 상승 및 납땜성저하를 방지하기 위해, 페이스트 조성물에 대하여 0.1 내지 15wt%로 포함될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The glass frit of the present invention may include, but is not limited to, 0.1 to 15% by weight based on the paste composition, to have excellent conversion efficiency and to prevent increase in resistance and lowering in solderability.

상기 글래스 프릿은 통상의 방법을 사용하여 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 조성비로 첨가하여 900 내지 1300℃의 조건에서 용융시키고, 급냉(quenching)할 수 있다. 혼합된 조성물을 볼밀(ball mill) 디스크밀(disk mill) 또는 플라네터리밀(planetary mill) 등에 의해 분쇄 하여 글래스 프릿을 얻을 수 있다.The glass frit can be prepared by a conventional method. For example, it can be added at the composition ratio described above and melted at a temperature of 900 to 1300 DEG C and quenched. The mixed composition may be pulverized by a ball mill disk mill or a planetary mill to obtain glass frit.

글래스 프릿은 평균입경(D50)이 0.1 내지 5㎛, 바람직하게 는 0.5 내지 3㎛가 될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The glass frit may have an average particle diameter (D50) of 0.1 to 5 mu m, preferably 0.5 to 3 mu m, but is not limited thereto.

본 발명의 상기 전도성 금속 분말은 태양전지의 전극을 제조하는데, 통상적으로 사용되는 금속 분말일 수 있으며, 예를 들면, 은, 금, 구리, 니켈, 알루미늄 팔라듐, 크롬, 코발트, 주석, 납, 아연, 철, 텅스텐, 마그네슘 및 이들의 합금에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있으며, 바람직하게는 우수한 전기전도도를 가지며, 실리콘과 같은 결정질 무기 반도체와 강한 계면 결착이 이루어지는 은(Ag) 일 수 있다. The conductive metal powder of the present invention may be a commonly used metal powder to produce an electrode of a solar cell. For example, silver, gold, copper, nickel, aluminum palladium, chromium, cobalt, tin, , Iron (Fe), tungsten (W), magnesium (Mg), and alloys thereof, preferably silver (Ag) having excellent electrical conductivity and strong interface bonding with a crystalline inorganic semiconductor such as silicon.

전도성 금속 분말, 바람직하게는 은 분말의 순도는 80% 이상, 바람직하게는 95% 이상인 은 분말을 사용할 수 있으나, 전극으로서 통상 요구되는 조건을 만족시키기 위한 순도라면 특별히 한정되는 것은 아니다.Silver powder having a conductivity of at least 80%, preferably at least 95% can be used for the conductive metal powder, preferably silver powder, but it is not particularly limited as long as it is a purity for satisfying the conditions generally required for the electrode.

전도성 금속 분말의 형상은 본 발명의 기술 분야에 알려진 형상이라면 특별히 제한되지 않고 적용될 수 있다. 예를 들면 구형, 플레이크(flake)형, 또는 이들의 조합을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. The shape of the conductive metal powder is not particularly limited as long as it is a shape known in the technical field of the present invention. For example, spheres, flakes, or combinations thereof, but are not limited thereto.

또한 전도성 금속 분말의 입경은 원하는 소성 속도와 전극을 형성하는 공정의 영향 등을 고려하여 적절한 범위로 조절될 수 있다. 본 발명에서는 접촉 저항이 낮아지는 효과를 나타내기 위해 상기 전도성 금속 분말의 평균입경은 약 0.1 내지 5㎛의 크기를 가질 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Also, the particle size of the conductive metal powder can be adjusted to an appropriate range in consideration of the desired baking speed and the influence of the process of forming the electrode. In the present invention, the average particle diameter of the conductive metal powder may be about 0.1 to 5 mu m to exhibit the effect of lowering the contact resistance, but the present invention is not limited thereto.

본 발명의 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물에 있어, 전도성 금속 분말은 페이스트의 점도가 낮아지거나 상분리가 되지 않고, 경제적인 측면에서 60 내지 99.5 중량%, 좋게는 70 내지 99.5 중량%, 보다 좋게는 80 내지 99.5 중량%의 전도성 금속 분말을 포함할 수 있다.In the paste composition for a front electrode for a solar cell of the present invention, the conductive metal powder has a viscosity of 60 to 99.5% by weight, preferably 70 to 99.5% by weight, more preferably 80 To 99.5% by weight of the conductive metal powder.

본 발명의 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물은 점도를 조절하는 역할 및 고상 입자들의 분산매 역할을 하는 유기 비히클을 포함할 수 있다. 유기 비히클은 유기 바인더가 용매에 용해된 바인더 용액일 수 있다.The paste composition for a solar cell front electrode of the present invention may include an organic vehicle that plays a role of controlling viscosity and serves as a dispersion medium of solid particles. The organic vehicle may be a binder solution in which the organic binder is dissolved in a solvent.

본 발명의 유기 바인더는 통상적으로 사용되는 유기 바인더이면 무방하며, 셀룰로오스계 수지, 아크릴계 수지 및 폴리비닐계 수지 중에서 선택되는 하나 이상을 포함할 수 있다.The organic binder of the present invention may be any conventional organic binder, and may include at least one selected from a cellulose resin, an acrylic resin, and a polyvinyl resin.

구체적인 예로, 유기 바인더는 메틸셀룰로오스, 에틸셀룰오로스, 카르복시메틸셀룰로스, 니트로셀롤로오스, 하이드록시셀룰로오스, 에틸 하이드록시에틸 셀룰로오스, 폴리메타크릴레이트, 아크릴산 에스테르, 부틸아크릴레이트, 폴리비닐알콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐부티랄 등에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. As a specific example, the organic binder may be selected from the group consisting of methylcellulose, ethylcellulose, carboxymethylcellulose, nitrocellulose, hydroxyethylcellulose, ethylhydroxyethylcellulose, polymethacrylate, acrylic acid ester, butyl acrylate, polyvinyl alcohol, poly Vinyl pyrrolidone, polyvinyl butyral, and the like.

상기 유기 비히클의 용매는 유기 바인더를 용해하는 유기 용매일 수 있는데, 구체적인 예로, 파인유, 디에틸렌글리콜모노에틸아세테이트, 디에틸글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 테르피네올, 메틸 글루타르산, 디(2-에틸헥실)프탈레이트, 디에틸프탈레이트, 다이아이소노닐 아디프산, 이염기성 에스테르 등에서 선택되는 하나 이상의 용매일 수 있다.The solvent of the organic vehicle can be an organic solvent for dissolving the organic binder. Specific examples thereof include pine oil, diethylene glycol monoethyl acetate, diethyl glycol monobutyl ether, diethylene glycol monobutyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether , Ethylene glycol monobutyl ether acetate, terpineol, methyl glutaric acid, di (2-ethylhexyl) phthalate, diethyl phthalate, diisononyl adipic acid, dibasic ester and the like.

본 발명의 유기 비히클에 함유되는 유기 바인더의 함량은, 유기 비히클의 10 내지 30 중량%의 유기 바인더를 함유할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The content of the organic binder in the organic vehicle of the present invention may be 10 to 30% by weight of the organic vehicle, but is not limited thereto.

본 발명의 유기 비히클은 전도성 금속 분말을 용이하게 분산시키고 태양전지의 고효율을 유지하기 위해서 전체 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물에 대하여, 0.1 내지 35 중량% 범위, 더욱 좋게는 10 내지 25 중량%로 포함된 것이 바람직하나, 이에 제한되는 것은 아니다. The organic vehicle of the present invention is contained in an amount of 0.1 to 35% by weight, more preferably 10 to 25% by weight, based on the whole solar cell front electrode paste composition in order to easily disperse the conductive metal powder and maintain high efficiency of the solar cell But is not limited thereto.

본 발명의 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물은 필요에 따라 통상적으로 알려져 있는 첨가제를 더 함유할 수 있다. 첨가제의 일 예로 증점제, 요변제, 안정화제, 분산제, 칙소제, 레벨링제, 소포제 등에서 선택되는 하나 이상의 물질을 포함할 수 있다. 첨가제의 양은 페이스트 조성물에 대하여 약 0.1 내지 10wt%로 더 포함될 수 있으나, 최종적으로 얻어지는 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물의 특성에 의존하여 결정될 수 있다.The paste composition for a solar cell front electrode of the present invention may further contain additives conventionally known as necessary. One example of the additive may include at least one substance selected from a thickener, a thixotropic agent, a stabilizer, a dispersant, a stabilizer, a leveling agent, an antifoaming agent and the like. The amount of the additive may be further included in an amount of about 0.1 to 10 wt% relative to the paste composition, but may be determined depending on the finally obtained characteristics of the paste composition for a front electrode for a solar cell.

또한, 본 발명은 상기 페이스트 조성물을 이용하여 형성된 태양전지 전면전극을 제공할 수 있다. In addition, the present invention can provide a solar cell front electrode formed using the paste composition.

본 발명의 전면전극은 상기 페이스트 조성물을 웨이퍼 기판 상에 인쇄하고 건조 및 소성하는 공정을 통하여 형성될 수 있다. 인쇄방법은 스크린 프린팅, 그라비아 프린팅, 오프셋 프린팅, 롤투롤 프린팅, 에어로졸 프린팅, 제트 프린팅 등을 이용할 수 있으며, 특별히 이러한 인쇄 방식에 제한되는 것은 아니다. The front electrode of the present invention can be formed through a process of printing, drying and baking the paste composition on a wafer substrate. The printing method may be screen printing, gravure printing, offset printing, roll-to-roll printing, aerosol printing, jet printing, and the like.

또한, 본 발명은 상기 태양전지 전면전극을 포함하는 태양전지를 제공할 수 있다. 본 발명의 태양전지는 우수한 변환 효율 및 저항 특성을 제공함으로써 태양전지의 발전 효율을 크게 향상시킬 수 있다. In addition, the present invention can provide a solar cell including the solar cell front electrode. The solar cell of the present invention can greatly improve the power generation efficiency of a solar cell by providing excellent conversion efficiency and resistance characteristics.

본 발명의 일 실시예에 따른 태양전지는 다음과 같다. A solar cell according to an embodiment of the present invention is as follows.

제 1 반도체 층; 상기 제 1 반도체층 상부에 형성되는 제 2 반도체층; 상기 제 2 반도체층 상부에 형성되는 반사방지막; 상기 반사방지막을 관통하여 제 2 반도체층에 접속되는 전면 전극; 및 상기 반도체층의 배면에 형성되는 후면 전극을 포함한다.A first semiconductor layer; A second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer; An anti-reflection film formed on the second semiconductor layer; A front electrode connected to the second semiconductor layer through the antireflection film; And a back electrode formed on a back surface of the semiconductor layer.

상기 반도체 층에 사용되는 반도체 물질은 구체적으로 결정질 규소 일 수 있고, 예컨대 실리콘 웨이퍼가 사용될 수 있다. 상기 제 1 반도체 층 및 상기 제 2 반도체 층 중 하나는 p형 불순물로 도핑된 반도체 층일 수 있으며, 다른 하나는 n형 불순물로 도핑된 반도체 층일 수 있다. P형 불순물은 3족 원소(B, Ga, In 등)가 도핑되고, N형 불순물은 5족 원소(P, As, Sb 등)가 도핑될 수 있다. The semiconductor material used for the semiconductor layer may be specifically crystalline silicon, for example, a silicon wafer may be used. One of the first semiconductor layer and the second semiconductor layer may be a semiconductor layer doped with a p-type impurity, and the other may be a semiconductor layer doped with an n-type impurity. The P-type impurity may be doped with a Group 3 element (B, Ga, In, etc.), and the N-type impurity may be doped with a Group 5 element (P, As, Sb, etc.).

상기 반도체층 사이 계면에 P-N 접합이 형성되고, 이는 태양광을 받아 광기전력효과에 의해 전류를 발생시키는 부분이다. 광기전력효과에 의해 발생된 전자와 정공은 각각 P층 및 N층으로 끌어 당겨져 각각 하부 및 상부와 접합된 전극으로 이동하며, 전극에 부하를 걸어 여기에서 발생한 전기를 이용할 수 있다. A P-N junction is formed at the interface between the semiconductor layers, which is a portion that receives sunlight and generates current by the effect of photovoltaic power. The electrons and holes generated by the photovoltaic effect are attracted to the P layer and the N layer, respectively, and are moved to the electrodes bonded to the lower and upper layers, respectively.

상기 제 2반도체 층의 상부에는 반사방지막이 형성될 수 있다. 상기 반사방지막은 태양전지 전면으로 입사되는 태양광의 반사율을 감소시킨다. 태양광의 반사율이 감소되면 P-N접합까지 도달하는 광량이 증대되어 태양전지의 단락전류가 증가되고, 태양전지의 변환효율이 향상될 수 있다.An anti-reflection film may be formed on the second semiconductor layer. The anti-reflection film reduces the reflectance of sunlight incident on the front surface of the solar cell. When the reflectance of sunlight is reduced, the quantity of light reaching the P-N junction is increased, so that the short-circuit current of the solar cell is increased and the conversion efficiency of the solar cell can be improved.

상기 반사방지막은 빛을 적게 흡수하고 절연성이 있는 물질로 만들어질 수 있으며, 예컨대 질화규소(SiNx), 산화규소(SiO2), 산화티타늄(TiO2), 산화알루미늄(Al2O3), 산화마그네슘(MgO), 산화세륨(CeO2) 및 이들의 조합일 수 있으며, 단일 또는 복수 층으로 형성될 수 있다.The anti-reflection film is absorbing less light and may be made of a material that has insulating properties, such as silicon nitride (SiNx), silicon oxide (SiO 2), titanium oxide (TiO 2), aluminum oxide (Al 2 O 3), magnesium oxide (MgO), cerium oxide (CeO 2 ), and combinations thereof, and may be formed as a single layer or a plurality of layers.

상기 반사방지막 상부에는 전면 전극이 형성될 수 있고, 상기 반도체층의 배면에는 후면 전극이 형성 될 수 있다. 상기 전극은 전도성 금속 분말을 포함하는 페이스트 조성물을 반도체 웨이퍼에 인쇄한 후 열처리를 수행하여 형성될 수 있다.A front electrode may be formed on the anti-reflection layer, and a rear electrode may be formed on the rear surface of the semiconductor layer. The electrode may be formed by printing a paste composition containing a conductive metal powder on a semiconductor wafer and then performing a heat treatment.

상기 반사방지막은 화학적 처리에 의해 일부를 제거할 수도 있다. CVD(화학 증착), PECVD(플라즈마 강화 화학 증착), 스퍼터링, 또는 다른 방법에 의해 침착될 수 있다. 반사방지막 일부의 제거에 의해, 반도체 기재와 페이스트 조성물의 전도체 사이의 전기접촉이 개선될 수 있다. 페이스트 조성물은 반사방지막 상에 패턴으로, 예를 들어, 접속 라인을 갖는 버스바(bus bar)로 인쇄될 수 있다. 인쇄는 스크린 인쇄, 도금, 압출, 잉크젯, 형상 또는 다중 인쇄(shaped or multiple printing), 또는 리본(ribbon)에 의해 이루어질 수 있다.  The anti-reflection film may be partially removed by a chemical treatment. CVD (chemical vapor deposition), PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), sputtering, or other methods. By the removal of the antireflection film part, electrical contact between the semiconductor substrate and the conductor of the paste composition can be improved. The paste composition may be printed on the antireflective film in a pattern, for example, with a bus bar having connection lines. Printing can be done by screen printing, plating, extrusion, inkjet, shape or multiple printing, or ribbon.

전극 형성 공정에서는, 페이스트 조성물을 가열하여 전도성 금속 분말을 소성할 수 있다. 전형적으로 소성 온도는 페이스트 조성물로부터 유기 물질 뿐만 아니라 존재하는 임의의 기타 유기 물질의 번아웃(burnout)이 가능하도록 설정할 수 있다. 일실시 형태에서, 소성 온도는 750 내지 950℃일 수 있다.In the electrode forming step, the paste composition may be heated to sinter the conductive metal powder. Typically, the firing temperature can be set to allow burnout of organic material as well as any other organic material present from the paste composition. In one embodiment, the firing temperature may be 750 to 950 캜.

이하 실시예를 통해 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 다만 하기 실시예는 본 발명을 상세히 설명하기 위한 하나의 참조일 뿐이며, 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. It should be understood, however, that these examples are for illustrative purposes only and are not to be construed as limiting the scope of the invention.

[실시예 1 내지 6] [Examples 1 to 6]

1. 글래스 프릿의 제조1. Manufacture of glass frit

하기 표 1에 기재된 성분들을 표시된 비율(중량%)로 혼합한 다음, 1,100℃에서 30분동안 용융시킨 후 순수(H2O)로 Quenching하여 급냉시켰다. 급냉된 유리 용융물은 Attrition-mill 분쇄기로 분쇄하여, 1~3 ㎛의 입경을 갖는 글래스 프릿을 제조하였다. The ingredients listed in Table 1 below were mixed in the indicated ratios (wt.%), Then melted at 1,100 ° C for 30 minutes and quenched by quenching with pure water (H 2 O). The quenched glass melt was pulverized with an Attrition-mill grinder to prepare a glass frit having a particle size of 1 to 3 mu m.

하기 표 1에 각 실시예에 해당하는 글래스 프릿의 성분 및 함량을 나타내었다.Table 1 below shows the contents and contents of glass frit corresponding to each example.

2. 페이스트 조성물의 제조2. Preparation of paste composition

상기에서 제조된 글래스 프릿을 사용하여 페이스트 조성물을 각각 제조하였다. 전도성 금속 분말은 0.1~3㎛의 입경을 갖는 은 분말을 90wt%를 사용하였다. 글래스 프릿은 2wt% 사용하였다. 유기 바인더로는 셀룰로오스 에스테르(EASTMAN사 CAB) 와 에틸 셀룰로오스 수지(AQUALON사 ECN)를 각각 1wt%로 사용하였다.Each of the paste compositions was prepared using the glass frit prepared above. The conductive metal powder used was 90 wt% of silver powder having a particle size of 0.1 to 3 탆. Glass frit was used in 2 wt%. As the organic binder, cellulose ester (EASTMAN CAB) and ethyl cellulose resin (AQUALON ECN) were used as 1 wt%, respectively.

유기 용제로는 TXIB(Trimethyl Pentanyl Diisobutylate) 2wt% 디베이직 에스테르(Dibasic ester, TCI사 Dimethyl adipate /dimethyl glutarate/ dimethyl succinate 혼합물) 3wt% BC(BUTYL CARBITOL) 1wt%를 사용하였다.As the organic solvent, 1 wt% of TXIB (Trimethyl Pentanyl Diisobutylate) 2 wt% Dibasic ester (dimethyl adipate / dimethyl glutarate / dimethyl succinate mixture) 3 wt% BC (BUTYL CARBITOL) was used.

3. 태양전지의 제조3. Manufacture of solar cell

태양전지의 제조는 156mm 단결정 실리콘 웨이퍼를 이용하여 관상로(tube furnace)에서 810℃로 POCl3을 사용하는 확산 공정을 통해 인(P)을 도핑하여 90Ω/sq 시트 저항을 가지는 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 상에 화학기상증착법(PECVD 방법)으로 전구체 SiH4와 NH3를 사용하여 실리콘 질화막을 증착하여 70nm두께로 형성하여 반사방지막을 형성하였다. The solar cell is manufactured by doping phosphorus (P) through a diffusion process using POCl 3 at 810 ° C in a tube furnace using a 156 mm single crystal silicon wafer to form a semiconductor layer having a sheet resistance of 90 Ω / sq , A silicon nitride film was deposited on the semiconductor layer using the precursors SiH 4 and NH 3 by chemical vapor deposition (PECVD) to form a 70 nm thick anti-reflective film.

후면 전극에는 은 분말 대신, 알루미늄 분말 포함하는 상기의 전극 페이스트 조성물을 이용하여 후면에 스크린 프린팅법으로 30um두께로 도포한 후 250℃의 건조로에서 60초간 건조하였다. 전면전극은 본 발명의 실시예 및 비교예에서 제조된 페이스트 조성물을 이용하여 스크린 프린팅법으로 20um 두께로 도포하고 이후 200℃의 건조로에서 60초간 건조하였다. 인쇄가 완료된 태양전지는 820℃의 벨트 소성로에서 1분간 소성과정을 진행하여 태양전지를 제작하였다. 제작된 태양전지의 특성 평가 결과를 하기 표 2에 나타내었다. The rear electrode was coated with the above electrode paste composition including aluminum powder in a thickness of 30 μm by screen printing method and then dried in a drying furnace at 250 ° C. for 60 seconds. The front electrode was applied by screen printing using a paste composition prepared in Examples and Comparative Examples of the present invention to a thickness of 20 m and then dried in a drying furnace at 200 DEG C for 60 seconds. The printed solar cell was fired in a belt firing furnace at 820 ° C for 1 minute to produce a solar cell. The evaluation results of the characteristics of the manufactured solar cell are shown in Table 2 below.

[비교예 1 내지 3][Comparative Examples 1 to 3]

하기 표 1의 글래스 프릿의 성분이 상이한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법 및 조건으로 태양전지를 제조하였다. 제작된 태양전지의 특성 평가 결과를 하기 표 2에 나타내었다. A solar cell was fabricated in the same manner and under the same conditions as in Example 1, except that the components of the glass frit in Table 1 were different. The evaluation results of the characteristics of the manufactured solar cell are shown in Table 2 below.

(단위:wt%)(Unit: wt%) 실시예1Example 1 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예5Example 5 실시예6Example 6 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 TeOTeO 22 58.758.7 49.349.3 49.349.3 54.354.3 59.359.3 53.753.7 65.365.3 55.355.3 39.339.3 PbOPbO 1010 1515 1515 1515 1515 2020 00 00 1515 ZnOZnO 88 88 33 33 33 88 88 88 33 BiBi 22 OO 33 15.615.6 2020 2525 2020 1515 10.610.6 2020 3030 3535 SiOSiO 22 22 22 22 22 22 22 22 22 22 BB 22 OO 33 22 22 22 22 22 22 00 00 22 LiLi 22 OO 3.73.7 3.73.7 3.73.7 3.73.7 3.73.7 3.73.7 4.74.7 4.74.7 3.73.7 TotalTotal 100100 100100 100100 100100 100100 100100 100100 100100 100100

[특성 평가][Characteristic evaluation]

1. 3bus bar 구조, finegr 선폭 50um, finer line 개수 105개의 패턴으로 인쇄/소성된 태양전지를 제작하여 특성 평가를 진행하였다. 제조된 태양전지의 전기 광학적 특성을 측정하였으며, 전류밀도-전압 (J-V)특성은 Oriel 1000W solar simulator에 의해 100 mW/cm2 (AM 1.5 G)의 조명하에서 측정하였다. 측정값을 하기 수학식 1을 통해 에너지 전환효율(%)로 나타내었다. 상기 전환효율은 단위면적당 입사하는 빛 에너지에 대한 태양전지의 출력의 비율을 의미한다. 1. Printed / fired solar cells were fabricated with a pattern of 3 bus bar, finegr line width of 50um and number of finer lines of 105 patterns. The electro - optical characteristics of the fabricated solar cell were measured and the current density - voltage (JV) characteristics were measured under an illumination of 100 mW / cm 2 (AM 1.5 G) by an Oriel 1000 W solar simulator. The measured values are expressed as energy conversion efficiency (%) through the following equation (1). The conversion efficiency means a ratio of output of the solar cell to incident light energy per unit area.

직렬저항값은 시뮬레이터의 J-V 특성 측정 후 계산되어지며 FF 와 상관관계를 이해하는데 활용된다.The series resistance value is calculated after measuring the J-V characteristics of the simulator and is used to understand the correlation with FF.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112015096214675-pat00001
Figure 112015096214675-pat00001

Voc는 개방전압(open circuit voltage, V)을 나타내고, Jsc는 광 단락전류 밀도(short circuit current, mA/cm2)를 나타내고, 필팩터는 충전인자(Fill factor, %), Pin은 입사광의 세기로 100 mW/cm2을 나타낸다. Voc denotes an open circuit voltage (V), Jsc denotes a short circuit current (mA / cm 2 ), a fill factor denotes a fill factor (%), Pin denotes an intensity of incident light To 100 mW / cm < 2 & gt ;.

2. 리본 접착력은 1.2mm 폭의 모듈 제작용 리본을 활용하여 평가하였다. 리본의 구성성분은 Pb/Sn=60/40 비율로 되어 있으며, KESTOR 955 flux를 표면에 입혀서 제작된 태양전지의 bus bar 상단에 납땜하여 부착시킨다.2. The adhesive strength of the ribbon was evaluated by using a ribbon for module production of 1.2 mm width. The composition of the ribbon is Pb / Sn = 60/40 ratio. Solder the KESTOR 955 flux onto the top of the bus bar of the solar cell which is coated on the surface.

KESTOR 955 flux 용액에 200mm 길이로 자른 리본을 1분간 담가 두었다가 100도에서 10분간 건조시켜서 준비한다. 이를 SEMTEK社 SCB-130B manual soldering 설비를 이용하여 태양전지에 부착시킨다. 납땜은 태양전지 busbar 상단에 flux가 입혀진 리본을 위치시키고, 300℃에서 1분간 가열하는 방식으로 진행한다.KESTOR 955 Rinse 200 mm long ribbon in flux solution for 1 minute and dry at 100 degrees for 10 minutes. This is attached to the solar cell using the SEMTEK SCB-130B manual soldering equipment. Soldering is done by placing the fluxed ribbon on top of the solar cell busbar and heating it at 300 ℃ for 1 minute.

부착이 완료된 리본은 IMADA社의 DS2-20N 장비를 이용하여 부착력을 측정한다. 이때, 리본과 태양전지의 각도는 180도를 유지한다.The attached ribbon is measured using IMADA DS2-20N equipment. At this time, the angle between the ribbon and the solar cell is maintained at 180 degrees.

실시예Example 1 One 실시예2Example 2 실시예3Example 3 실시예4Example 4 실시예5Example 5 실시예6Example 6 비교예1Comparative Example 1 비교예2Comparative Example 2 비교예3Comparative Example 3 전환효율 Conversion efficiency
(%)(%)
19.1319.13 19.1419.14 19.1319.13 1919 18.9418.94 19.1119.11 17.1417.14 18.4518.45 16.9716.97
충전인자Charging factor
(%)(%)
78.09 78.09 78.00 78.00 78.94 78.94 77.75 77.75 77.45 77.45 78.09 78.09 71.38 71.38 75.40 75.40 69.86 69.86
직렬저항 Series resistance
(( ))
8.23 8.23 8.12 8.12 7.70 7.70 8.29 8.29 8.48 8.48 8.04 8.04 10.06 10.06 9.06 9.06 11.70 11.70
리본접착력 (Ribbon Adhesion ( N)N) 3.50 3.50 4.49 4.49 3.70 3.70 3.39 3.39 3.18 3.18 3.94 3.94 1.88 1.88 2.49 2.49 5.96 5.96

본 발명에 따른 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물에 의해 제조된 태양전지는 표 2에 정리된 바와 같이, 본 발명의 실시예가 비교예에 비해 전극과 태양전지 기판 간의 직렬 저항이 감소함을 알 수 있었다. 이로 인해, 개방전압 및 충전인자 특성이 향상되어, 우수한 태양전지 에너지 전환효율을 가짐을 알 수 있었다. As shown in Table 2, the solar cell manufactured by the paste composition for the front electrode of the solar cell according to the present invention showed that the series resistance between the electrode and the solar cell substrate was decreased in the embodiment of the present invention compared with the comparative example . As a result, it was found that the open-circuit voltage and the charging factor characteristics were improved and the solar cell energy conversion efficiency was excellent.

또한 리본 접착력을 확인한 결과, 본 발명의 실시예가 비교예에 비해 강한 접착력을 가지고 있는 것을 확인하였다. 이는 리본 부착력이 약할 경우 태양전지를 모듈화가 불가능하기 때문에, 본 발명의 페이스트 조성물에 따른 태양전지 모듈은 우수한 안전성을 가지는 것을 확인할 수 있었다.As a result of checking the adhesive strength of the ribbons, it was confirmed that the embodiment of the present invention had a stronger adhesive force than the comparative example. This is because it is impossible to modularize the solar cell when the adhesive force of the ribbon is weak, and thus it has been confirmed that the solar cell module according to the paste composition of the present invention has excellent safety.

이상과 같이 본 발명에서는 특정된 사항들과 한정된 실시예에 의해 설명되었으나 이는 본 발명의 보다 전반적인 이해를 돕기 위해서 제공된 것일 뿐, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. Although the present invention has been described with reference to the specific embodiments and the exemplary embodiments, it is to be understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the present invention. Various modifications and variations are possible in light of the above teaching.

따라서, 본 발명의 사상은 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등하거나 등가적 변형이 있는 모든 것들은 본 발명 사상의 범주에 속한다고 할 것이다.Accordingly, the spirit of the present invention should not be construed as being limited to the embodiments described, and all of the equivalents or equivalents of the claims, as well as the following claims, belong to the scope of the present invention .

Claims (10)

전도성 금속 분말;
TeO2 20 내지 60wt%, PbO 1 내지 30wt%, ZnO 1 내지 20wt%, Bi2O3 1 내지 30wt%, Li2O 0.1 내지 5wt%, SiO2 0.1 내지 15wt% 및 B2O3 0.1 내지 10wt%으로 이루어진 글래스 프릿; 및
유기 비히클;을 포함하는 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물.
Conductive metal powder;
Wherein the composition comprises 20 to 60 wt% of TeO 2 , 1 to 30 wt% of PbO, 1 to 20 wt% of ZnO, 1 to 30 wt% of Bi 2 O 3 , 0.1 to 5 wt% of Li 2 O, 0.1 to 15 wt% of SiO 2 and 0.1 to 10 wt% of B 2 O 3 % Glass frit; And
An organic vehicle; and a paste composition for a solar cell front electrode.
제 1항에 있어서,
상기 글래스 프릿은 Al2O3, CuO, Na2O, ZrO2, MgO, P2O5, CaO, BaO, SnO, SrO, K2O, TiO2 및 MnO2로 이루어진 군으로부터 선택되는 하나 이상을 더 포함하는 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the glass frit is at least one selected from the group consisting of Al 2 O 3 , CuO, Na 2 O, ZrO 2 , MgO, P 2 O 5 , CaO, BaO, SnO, SrO, K 2 O, TiO 2 and MnO 2 Wherein the paste composition for solar cell front electrode further comprises:
삭제delete 제 1항에 있어서,
상기 글래스 프릿은 페이스트 조성물에 대하여, 0.1 내지 15중량%로 포함되는 것인 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the glass frit is contained in an amount of 0.1 to 15% by weight based on the paste composition.
제 1항에 있어서,
상기 전도성 금속 분말은 은, 금, 구리, 니켈, 알루미늄, 팔라듐, 크롬, 코발트, 주석, 납, 아연, 철, 텅스텐, 마그네슘 및 이들의 합금에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive metal powder includes at least one selected from silver, gold, copper, nickel, aluminum, palladium, chromium, cobalt, tin, lead, zinc, iron, tungsten, magnesium, Composition.
제 1항에 있어서,
상기 전도성 금속 분말은 페이스트 조성물에 대하여, 60 내지 99.5 중량%로 포함되는 것인 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the conductive metal powder is contained in an amount of 60 to 99.5% by weight based on the paste composition.
제 1항에 있어서,
상기 유기 비히클은 페이스트 조성물에 대하여, 0.1 내지 35 중량%로 포함되는 것인 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the organic vehicle is contained in an amount of 0.1 to 35% by weight based on the paste composition.
제 1항에 있어서,
상기 유기 비히클은 유기 바인더가 용매에 용해된 것인 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물.
The method according to claim 1,
Wherein the organic vehicle is an organic binder in which the organic binder is dissolved in a solvent.
제 8항에 있어서,
상기 유기 바인더는 셀룰로오스계 수지, 아크릴계 수지 및 폴리비닐계 수지 중에서 선택되는 하나 이상을 포함하는 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물.
9. The method of claim 8,
Wherein the organic binder includes at least one selected from the group consisting of a cellulosic resin, an acrylic resin, and a polyvinyl resin.
제 1항, 제 2항, 제 4항 내지 제 9항 중에서 선택되는 어느 한 항에 따른 태양전지 전면전극용 페이스트 조성물로 제조되는 태양전지.A solar cell produced from the paste composition for a solar cell front electrode according to any one of claims 1, 2, 4,
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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019017656A1 (en) * 2017-07-17 2019-01-24 한화첨단소재 주식회사 Glass frit, paste comprising same for forming perc solar cell electrode, and perc solar cell electrode
KR20190028038A (en) * 2017-09-08 2019-03-18 대주전자재료 주식회사 Paste composition of solar cell front electrode and manufacturing method thereof
CN109935641A (en) * 2017-12-18 2019-06-25 三星Sdi株式会社 It is used to form the constituent of electrode of solar battery and the electrode using its preparation
KR20200125245A (en) * 2019-04-26 2020-11-04 쌩-고벵 글래스 프랑스 Coated article and method for manufacturing the same
US10898952B2 (en) 2018-04-23 2021-01-26 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming electrode, electrode manufactured using the same and solar cell
WO2021042419A1 (en) * 2019-09-04 2021-03-11 南通天盛新能源股份有限公司 Paste for n-type solar cell front fine grids and preparation method therefor
KR20210094380A (en) * 2020-01-21 2021-07-29 박태호 Glass frit and electrode paste composition for solar cell comprising the same

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108428492B (en) * 2018-02-28 2020-01-14 洛阳师范学院 Solar cell front electrode slurry
CN111403079B (en) * 2020-03-30 2021-07-23 成都银盛新材料有限公司 Conductive paste for back electrode of PERC crystalline silicon solar cell and preparation method thereof
CN114464690B (en) * 2020-08-28 2023-02-07 晶科能源股份有限公司 Solar cell grid line structure and photovoltaic module
CN113772959B (en) * 2021-09-14 2023-05-02 黄山市晶特美新材料有限公司 High-reflection low-temperature crystallized glass slurry for double-glass solar cell module and preparation method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110074392A (en) 2009-12-24 2011-06-30 엘지이노텍 주식회사 Paste composition for front electrode of high-efficiency silicon solar cell and silicon solar cell comprising the same
KR20130064659A (en) * 2011-12-08 2013-06-18 제일모직주식회사 Electrode paste composition for solar cell and electrode prepared using the same
KR20140062573A (en) * 2012-11-12 2014-05-26 제일모직주식회사 Electrode paste for solar cell and electrode prepared thereof
KR20140119246A (en) * 2013-03-27 2014-10-10 제일모직주식회사 Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4590866B2 (en) * 2001-11-05 2010-12-01 旭硝子株式会社 Glass ceramic composition
CN1953942B (en) * 2005-04-04 2011-08-17 松下电器产业株式会社 Glass composition for covering electrodes and glass paste containing the same
US7736546B2 (en) * 2008-01-30 2010-06-15 Basf Se Glass frits
JP5414409B2 (en) * 2009-01-16 2014-02-12 日立粉末冶金株式会社 Low melting glass composition, low-temperature sealing material and electronic component using the same
KR20110064074A (en) * 2009-12-07 2011-06-15 동우 화인켐 주식회사 New glass frit, the glass frit paste composition for sealing an electric device, and sealing method of an electric device using the same
JP4868079B1 (en) * 2010-01-25 2012-02-01 日立化成工業株式会社 N-type diffusion layer forming composition, n-type diffusion layer manufacturing method, and solar cell manufacturing method
WO2011140197A1 (en) * 2010-05-04 2011-11-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
CN103915127B (en) * 2013-01-03 2017-05-24 上海匡宇科技股份有限公司 Front silver paste for high sheet resistance silicon-based solar cell and preparing method of front silver paste
EP2913139B1 (en) * 2014-02-26 2019-04-03 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC A glass comprising molybdenum and lead in a solar cell paste

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110074392A (en) 2009-12-24 2011-06-30 엘지이노텍 주식회사 Paste composition for front electrode of high-efficiency silicon solar cell and silicon solar cell comprising the same
KR20130064659A (en) * 2011-12-08 2013-06-18 제일모직주식회사 Electrode paste composition for solar cell and electrode prepared using the same
KR20140062573A (en) * 2012-11-12 2014-05-26 제일모직주식회사 Electrode paste for solar cell and electrode prepared thereof
KR20140119246A (en) * 2013-03-27 2014-10-10 제일모직주식회사 Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019017656A1 (en) * 2017-07-17 2019-01-24 한화첨단소재 주식회사 Glass frit, paste comprising same for forming perc solar cell electrode, and perc solar cell electrode
KR20190028038A (en) * 2017-09-08 2019-03-18 대주전자재료 주식회사 Paste composition of solar cell front electrode and manufacturing method thereof
KR101972384B1 (en) * 2017-09-08 2019-08-19 대주전자재료 주식회사 Paste composition of solar cell front electrode and manufacturing method thereof
CN109935641A (en) * 2017-12-18 2019-06-25 三星Sdi株式会社 It is used to form the constituent of electrode of solar battery and the electrode using its preparation
CN109935641B (en) * 2017-12-18 2022-05-20 常州聚和新材料股份有限公司 Composition for forming solar cell electrode and electrode prepared using the same
US10898952B2 (en) 2018-04-23 2021-01-26 Samsung Sdi Co., Ltd. Composition for forming electrode, electrode manufactured using the same and solar cell
KR20200125245A (en) * 2019-04-26 2020-11-04 쌩-고벵 글래스 프랑스 Coated article and method for manufacturing the same
KR102655096B1 (en) * 2019-04-26 2024-04-04 쌩-고벵 글래스 프랑스 Coated article and method for manufacturing the same
WO2021042419A1 (en) * 2019-09-04 2021-03-11 南通天盛新能源股份有限公司 Paste for n-type solar cell front fine grids and preparation method therefor
KR20210094380A (en) * 2020-01-21 2021-07-29 박태호 Glass frit and electrode paste composition for solar cell comprising the same
KR102283727B1 (en) 2020-01-21 2021-08-02 박태호 Glass frit and electrode paste composition for solar cell comprising the same

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