KR101688444B1 - 리소그래피 장치용 회전 가능 프레임 - Google Patents

리소그래피 장치용 회전 가능 프레임 Download PDF

Info

Publication number
KR101688444B1
KR101688444B1 KR1020147029049A KR20147029049A KR101688444B1 KR 101688444 B1 KR101688444 B1 KR 101688444B1 KR 1020147029049 A KR1020147029049 A KR 1020147029049A KR 20147029049 A KR20147029049 A KR 20147029049A KR 101688444 B1 KR101688444 B1 KR 101688444B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flange
shaft
frame
axis
lens
Prior art date
Application number
KR1020147029049A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140144225A (ko
Inventor
아르노 블리커
토마스 카스텐밀러
야거 피터 드
하이네 멀더
코엔 자알
테오도루스 페트루스 마리아 캐디
대니 필립스
루드 비렌스
로저 티머만스
Original Assignee
에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. filed Critical 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이.
Publication of KR20140144225A publication Critical patent/KR20140144225A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101688444B1 publication Critical patent/KR101688444B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70008—Production of exposure light, i.e. light sources
    • G03F7/7005—Production of exposure light, i.e. light sources by multiple sources, e.g. light-emitting diodes [LED] or light source arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70716—Stages
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G03F7/70075—Homogenization of illumination intensity in the mask plane by using an integrator, e.g. fly's eye lens, facet mirror or glass rod, by using a diffusing optical element or by beam deflection
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70275—Multiple projection paths, e.g. array of projection systems, microlens projection systems or tandem projection systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G03F7/70291—Addressable masks, e.g. spatial light modulators [SLMs], digital micro-mirror devices [DMDs] or liquid crystal display [LCD] patterning devices
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70358—Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging
    • G03F7/70366—Rotary scanning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/70391—Addressable array sources specially adapted to produce patterns, e.g. addressable LED arrays
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70383—Direct write, i.e. pattern is written directly without the use of a mask by one or multiple beams
    • G03F7/704—Scanned exposure beam, e.g. raster-, rotary- and vector scanning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70475—Stitching, i.e. connecting image fields to produce a device field, the field occupied by a device such as a memory chip, processor chip, CCD, flat panel display
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

방사 빔을 타겟 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템은, 접선 방향 및 방사상 방향을 정하는 축을 중심으로 회전하도록 구성되는 회전 가능 프레임(8)과, 여기서 회전 가능 프레임은 접선 방향 또는 방사상 방향으로만 방사 빔을 포커싱하도록 구성된 렌즈를 유지함; 접선 방향 또는 방사상 방향 중의 다른 하나의 방향으로만 방사 빔을 포커싱하도록 구성된 실질적으로 정지 상태의 렌즈를 포함하는 정지부를 포함한다. 회전 가능 프레임에 의해 유지된 렌즈에 모멘트가 가해지는 것을 방지하기 위한 방안이 제공된다.

Description

리소그래피 장치용 회전 가능 프레임{ROTATABLE FRAME FOR A LITHOGRAPHIC APPARATUS}
관련 출원에 대한 교차 참조
본 출원은 2012년 4월 11일자로 출원된 미국 가특허 출원 번호 61/622,922의 이점을 청구하며, 이 특허 출원은 그 전체 내용이 원용에 의해 본 명세서에 통합된다.
발명의 분야
본 발명은 회전 가능 프레임, 리소그래피 장치, 투영 시스템, 방사선을 포커싱하는 방법, 및 디바이스 제조 방법에 관한 것이다.
리소그래피 또는 노광 장치는 기판 또는 기판의 일부분 상에 원하는 패턴을 부여하는 장치이다. 리소그래피 또는 노광 장치는 예컨대 집적회로(IC), 평판 디스플레이, 및 미세한 특징부(feature)를 갖는 기타 디바이스 또는 구조의 제조에 사용될 수 있다. 종래의 리소그래피 또는 노광 장치에서는, 마스크 또는 레티클(reticle)로 지칭될 수도 있는 패터닝 장치가 집적회로, 평판 디스플레이, 또는 기타 디바이스의 개별 층에 대응하는 회로 패턴을 생성하기 위해 사용될 수 있다. 이 패턴은 예컨대 기판 상에 제공된 방사선-감응재(레지스트)의 층 위에의 이미징(imaging)을 통해 기판(예컨대, 실리콘 웨이퍼 또는 글래스 플레이트) 상에 또는 기판의 일부분 상에 전사될 수 있다.
회로 패턴 대신, 패터닝 장치는 기타 패턴 예컨대 컬러 필터 패턴 또는 도트의 매트릭스를 생성하기 위해 이용될 수도 있다. 종래의 마스크 대신, 패터닝 장치는 회로 패턴 또는 기타 적용 가능한 패턴을 발생하는 개별 제어 가능 요소의 어레이를 포함하는 패터닝 어레이를 포함할 수 있다. 종래의 마스크 기반 시스템에 비교되는 이러한 "마스크없는(maskleess)" 시스템의 장점은, 패턴이 보다 신속하고 보다 저렴한 비용으로 제공되거나 및/또는 변경될 수 있다는 점이다.
그러므로, 마스크없는 시스템은 프로그래머블 패터닝 장치(예컨대, 공간 광 변조기, 콘트라스트 디바이스 등)를 포함한다. 프로그래머블 패터닝 장치는 개별 제어 가능 요소의 어레이를 이용하여 원하는 패턴을 형성하도록 프로그래밍(예컨대, 전자적으로 또는 광학적으로)된다. 프로그래머블 패터닝 장치의 타입은 마이크로-미러 어레이, 액정 디스플레이(LCD) 어레이, 격자 광 밸브 어레이, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(self-emissive contrast device)의 어레이 등을 포함한다. 프로그래머블 패터닝 장치는 또한 예컨대 타겟(예컨대 기판) 상에 투영되는 방사선의 스팟을 이동시키거나 또는 방사 빔을 타겟(예컨대 기판)으로부터 멀어지도록, 예컨대 방사 빔 흡수기에 단속적으로 지향시키도록 구성된 전기 광학 편향기(electro-optical deflector)로 형성될 수 있다. 어느 쪽의 이러한 구성에서도, 방사 빔은 연속적인 것으로 될 수 있다.
마스크없는 리소그래피 또는 노광 장치는 예컨대 기판의 타겟 부분 상에 패턴을 생성할 수 있는 광학 컬럼이 제공될 수 있다. 광학 컬럼은 빔을 방출하도록 구성된 자기 발광 콘트라스트 디바이스 및 빔의 적어도 일부분을 타겟 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템이 제공될 수 있다. 리소그래피 또는 노광 장치는 광학 컬럼 또는 광학 컬럼의 일부분을 기판에 대하여 이동시키기 위해 액추에이터가 제공될 수 있다. 예컨대 광학 컬럼 또는 광학 컬럼의 일부분의 이동에 의해, 빔은 기판에 대하여 이동될 수 있다. 빔의 이동 동안 자기 발광 콘트라스트 디바이스를 "온" 또는 "오프"로 스위칭함으로써, 기판 상의 패턴이 생성될 수도 있다.
예컨대 방사 빔을 타겟(예컨대, 기판의) 상에 프린팅하는 정확도를 향상시키는 것이 요망된다.
본 발명의 실시예에 따라, 축을 중심으로 회전하도록 구성되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임이 제공되며, 상기 회전 가능 프레임은, 샤프트; 및 축에 대하여 각도를 이루며 방사상의 외측으로 연장되고, 렌즈를 유지하도록 구성된 플랜지를 포함하며, 상기 플랜지가 상기 샤프트의 상위 부분과 하위 부분 사이에 위치되며, 상기 상위 부분 및 상기 하위 부분은 회전 동안 상기 상위 부분에 의해 상기 플랜지에 가해지는 모멘트가 상기 하위 부분에 의해 상기 플랜지에 가해지는 모멘트의 반대이면서 실질적으로 동등하게 된다.
본 발명의 실시예에 따라, 축을 중심으로 회전하도록 구성되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임이 제공되며, 상기 회전 가능 프레임은, 샤프트; 및 축에 대하여 각도를 이루며 방사상의 외측으로 연장되고, 렌즈를 유지하도록 구성된 플랜지를 포함하며, 회전 동안, 상기 플랜지의 축방향에서의 일측 상의 상기 샤프트의 부분이 상기 플랜지에 실질적으로 모멘트를 가하지 않는다.
본 발명의 실시예에 따라, 축을 중심으로 회전하도록 구성되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임이 제공되며, 상기 회전 가능 프레임은, 샤프트; 및 축에 대하여 각도를 이루며 방사상의 외측으로 연장되고, 렌즈를 유지하도록 구성된 플랜지를 포함하며, 상기 플랜지는 상기 샤프트의 축방향에서의 중앙부를 바라보는 상기 플랜지의 표면 상의 리세스 또는 돌출 림(rim)을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따라, 축을 중심으로 회전하도록 구성되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임이 제공되며, 상기 회전 가능 프레임은, 샤프트; 및 축에 대하여 각도를 이루며 방사상의 외측으로 연장되고, 렌즈를 유지하도록 구성된 플랜지를 포함하며, 상기 플랜지는 상기 플랜지보다 더욱 플렉서블한 커넥터에 의해 상기 샤프트에 연결된다.
본 발명의 실시예에 따라, 방사 빔을 타겟 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템이 제공되며, 상기 투영 시스템은, 접선 방향(tangential direction) 및 방사상 방향(radial direction)을 정하는 축을 중심으로 회전하도록 구성된 회전 가능 프레임을 포함하고, 상기 회전 가능 프레임이 방사 빔을 접선 방향 또는 방사상 방향으로만 포커싱하도록 구성된 렌즈를 유지하며, 상기 투영 시스템은 또한 접선 방향 또는 방사상 방향의 다른 하나의 방향으로만 방사 빔을 포커싱하도록 구성된 실질적으로 정지 상태의 렌즈를 포함하는 정지부를 포함한다.
본 발명의 실시예에 따라, 리소그래피 장치를 이용하여 방사 빔을 타겟 상으로 포커싱하는 방법이 제공되며, 상기 방법은, 방사 빔을 회전 가능 프레임에 의해 유지된 렌즈로 축을 중심으로 회전하도록 구성된 회전 가능 프레임의 접선 방향 또는 방사상 방향으로만 포커싱하는 단계와, 방사 빔을 실질적으로 정지 상태의 렌즈에 의해 접선 방향 또는 방사상 방향의 다른 하나의 방향으로만 포커싱하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예를 대응하는 도면 부호가 대응하는 부분을 나타내고 있는 첨부의 개략 도면을 참조하여 단지 일례로만 설명할 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치 또는 노광 장치의 일부분을 도시하는 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 도 1의 리소그래피 장치 또는 노광 장치의 일부분에 대한 평면도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치 또는 노광 장치의 일부분에 대한 매우 개략적인 투시도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 도 3의 리소그래피 장치 또는 노광 장치에 의한 타겟 상에의 투영의 개략 평면도이다.
도 5는 본 발명의 실시예의 일부분을 횡단면도로 도시하는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 회전 가능 프레임을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따른 회전 가능 프레임의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 8은 본 발명의 실시예에 따른 회전 가능 프레임의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 9는 본 발명의 실시예에 따른 회전 가능 프레임의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 10은 본 발명의 실시예에 따른 회전 가능 프레임의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 회전 가능 프레임의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예에 따른 회전 가능 프레임의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 13은 본 발명의 실시예에 따른 투영 시스템의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 14는 본 발명의 실시예에 따른 투영 시스템의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 15는 본 발명의 실시예에 따른 투영 시스템의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 16은 본 발명의 실시예에 따른 투영 시스템의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 17은 본 발명의 실시예에 따른 투영 시스템의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 18은 본 발명의 실시예에 따른 투영 시스템의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 19는 본 발명의 실시예에 따른 투영 시스템의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
도 20은 본 발명의 실시예에 따른 회전 가능 프레임의 일부분을 개략적으로 도시하는 도면이다.
본 발명의 실시예는 예컨대 자기 발광 콘트라스트 디바이스의 어레이 또는 어레이들로 구성될 수 있는 프로그래머블 패터닝 장치를 포함할 수도 있는 장치에 관한 것이다. 이러한 장치에 관한 더 많은 정보는 PCT 특허 출원 공개 번호 WO 2010/032224 A2, 미국 특허 출원 공개 번호 US 2011-0188016, 미국 특허 출원 번호 US 61/473,636, 및 미국 특허 출원 번호 61/524,190에서 찾아볼 수 있으며, 이들 공개 특허 또는 특허 출원은 그 전체 내용이 원용에 의해 본 명세서에 통합된다. 그러나, 본 발명의 실시예는 예컨대 위에서 설명한 것을 포함한 어떠한 형태의 프로그래머블 패터닝 장치와도 함께 이용될 수 있다.
도 1은 리소그래피 또는 노광 장치의 일부분에 대한 개략 횡단면도를 도시하는 도면이다. 본 실시예에서, 리소그래피 또는 노광 장치는 반드시 그러할 필요는 없지만 아래에 추가로 설명되는 바와 같이 X-Y 평면에서 실질적으로 정지 상태인 개별 제어 가능 요소를 갖는다. 리소그래피 또는 노광 장치(1)는 기판을 유지하기 위한 기판 테이블(2) 및 기판 테이블(2)을 6까지의 자유도로 이동시키기 위한 위치설정 장치(3)를 포함한다. 기판은 레지스트 코팅된 기판이어도 된다. 일실시예에서, 기판은 웨이퍼이다. 일실시예에서, 기판은 다각형(예컨대, 직사각형) 기판이다. 일실시예에서, 기판은 유리판이다. 일실시예에서, 기판은 플라스틱 기판이다. 일실시예에서, 기판은 호일(foil)이다. 일실시예에서, 본 장치는 롤-투-롤 제조(roll-to-roll manufacturing)에 적합하다.
리소그래피 또는 노광 장치(1)는 또한 복수의 빔을 방출하도록 구성된 복수의 개별 제어 가능 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 포함한다. 일실시예에서, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 방사선 에미터이며, 예컨대 발광 다이오드(LED), 유기 LED(OLED), 폴리머 LED(PLED), 광섬유 레이저, 또는 레이저 다이오드(예컨대, 솔리드 스테이트 레이저 다이오드)와 같은 방사선 방출 다이오드이다. 일실시예에서, 개별 제어 가능 요소(4)의 각각은 청색-자색(blue-violet) 레이저 다이오드(예컨대, Sanyo 모델 번호 DL-3146-151)이다. 이러한 다이오드는 Sanyo, Nichia, Osram, 및 Nitride와 같은 회사에 의해 공급될 수 있다. 일실시예에서, 다이오드는 예컨대 약 365 nm 또는 약 405 nm의 파장을 갖는 UV 방사선을 방출한다. 일실시예에서, 다이오드는 0.5∼250 mW의 범위에서 선택된 출력 파워 및 필요한 경우 적어도 50 mW의 출력 파워를 제공할 수 있다. 일실시예에서, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 포함할 수 있는 디바이스(60)의 출력 파워는 250 mW보다 클 수도 있다. 일실시예에서, 레이저 다이오드(네이키드 다이)의 크기는 100∼800 마이크로미터의 범위에서 선택된다. 일실시예에서, 레이저 다이오드는 0.5∼5 ㎛2의 범위에서 선택된 발광 면적을 갖는다. 일실시예에서, 레이저 다이오드는 5∼44도의 범위에서 선택된 발산각(divergence angle)을 갖는다. 일실시예에서, 다이오드는 약 6.4×108 W/(㎡·sr)보다 크거나 동일한 총 밝기를 제공하기 위한 구성(예컨대, 발광 면적, 발산각, 출력 파워 등)을 갖는다.
자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 프레임(5) 상에 배치되고, Y-방향 및/또는 X-방향을 따라 연장할 수 있다. 하나의 프레임(5)이 도시되어 있지만, 본 장치는 도 2에 도시된 바와 같이 복수의 프레임(5)을 가질 수도 있다. 프레임(5) 상에는 렌즈(12) 또한 배치되어 있다. 프레임(5)과 그에 따라 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 렌즈(12)는 X-Y 평면에서 실질적으로 정지 상태이다. 프레임(5), 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 렌즈(12)는 액추에이터(7)에 의해 Z-방향으로 이동될 수 있다. 이와 달리 또는 이에 부가하여, 렌즈(12)는 이 특정 렌즈에 관련된 액추에이터에 의해 Z-방향으로 이동될 수도 있다. 필요한 경우, 각각의 렌즈(12)에 액추에이터가 제공될 수도 있다.
자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 빔을 방출하도록 구성될 수 있으며, 투영 시스템(12, 14, 18)은 빔을 예컨대 기판의 타겟 부분 상에 투영하도록 구성될 수 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 및 투영 시스템은 광학 컬럼(optical column)을 형성한다. 리소그래피 장치 또는 노광 장치(1)는 광학 컬럼 또는 그 일부분을 기판에 대하여 이동시키기 위해 액추에이터(예컨대, 모터)(11)를 포함할 수 있다. 필드 렌즈(field lens)(14) 및 이미징 렌즈(18)가 배치되어 있는 프레임(8)은 액추에이터로 회전 가능하게 될 수도 있다. 필드 렌즈(14)와 이미징 렌즈(18)의 조합은 이동 가능 광학장치(9)를 형성한다. 사용 시에, 프레임(8)은 예컨대 도 2에 화살표로 나타낸 방향으로 자신의 축(10)을 중심으로 회전한다. 프레임(8)은 액추에이터(예컨대, 모터)(11)를 이용하여 축(10)을 중심으로 회전된다. 또한, 프레임(8)은 이동 가능 광학장치(9)가 기판 테이블(2)에 관련하여 변위될 수 있도록 모터(7)에 의해 Z 방향으로 이동될 수 있다.
애퍼처를 그 안에 갖고 있는 애퍼처 구조체(13)가 렌즈(12)와 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4) 사이에서 렌즈(12) 위에 위치될 수 있다. 애퍼처 구조체(13)는 렌즈(12), 연관된 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4), 또는 인접한 렌즈(12)와 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 회절 작용을 제한할 수 있다.
도시된 장치는 프레임(8)을 회전시키고 이와 동시에 기판 테이블(2) 상의 기판을 광학 컬럼 아래로 이동시킴으로써 사용될 수 있다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 렌즈가 서로 실질적으로 정렬되는 때에 렌즈(12, 14, 18)를 통해 빔을 방출할 수 있다. 렌즈(14, 18)를 이동시킴으로써 예컨대 기판 상의 빔의 이미지가 기판의 일부분에 걸쳐 스캐닝된다. 동시에 기판 테이블(2) 상의 기판을 광학 컬럼 아래로 이동시킴으로써, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이미지를 받게 되는 기판(17)의 부분 또한 이동한다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 컨트롤러의 제어 하에서 고속으로 "온"과 "오프"(예컨대, "오프"인 때에는 출력을 갖지 않거나 또는 임계치 아래의 출력을 갖고, "온"인 때에는 임계치 위의 출력을 가짐)로 스위칭하고, 광학 컬럼 또는 광학 컬럼의 일부분의 회전을 제어하고, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 세기를 제어하고, 기판의 속도를 제어함으로써, 기판 상의 레지스트층에 원하는 패턴이 이미징될 수 있다.
도 1에 도시된 컨트롤러(500)는 리소그래피 장치의 전체적인 동작을 제어하고, 특히 여기에서 설명되는 프로세스를 수행한다. 컨트롤러(500)는 중앙 처리 장치와 휘발성 및/또는 비휘발성 저장 장치를 포함하는 적합하게 프로그래밍된 범용 컴퓨터로서 구현될 수 있다. 필요한 경우, 컴퓨터는 키보드 및 스크린과 같은 하나 이상의 입력 및 출력 디바이스, 하나 이상의 네트워크 접속부, 및/또는 리소그래피 장치의 다양한 부분들에 대한 하나 이상의 인터페이스를 포함할 수 있다. 컴퓨터를 제어하는 것과 리소그래피 장치를 제어하는 것 간의 일대일 관계가 반드시 필요한 것은 아니라는 것을 이해할 것이다. 본 발명의 실시예에서, 하나의 컴퓨터가 복수의 리소그래피 장치를 제어할 수 있다. 본 발명의 실시예에서, 복수의 네트워크 연결된 컴퓨터가 하나의 리소그래피 장치를 제어하도록 사용될 수 있다. 컨트롤러(500)는 또한 리소그래피 장치가 그 일부를 형성하는 리소셀(lithocell) 또는 클러스터에서의 하나 이상의 관련 프로세스 디바이스 및 기판 핸들링 디바이스를 제어하도록 구성될 수도 있다. 컨트롤러(500)는 또한 리소셀 또는 클러스터의 감독 제어 시스템 및/또는 제조 설비의 전체적인 제어 시스템에 대한 하위 요소가 되도록 구성될 수도 있다.
도 2는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 갖는 도 1의 장치의 개략 평면도를 도시하고 있다. 도 1에 도시된 장치(1)와 같이, 장치(1)는 기판(17)을 유지하기 위한 기판 테이블(2)과, 기판 테이블(2)을 6까지의 자유도로 이동시키기 위한 위치설정 장치(3)와, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)와 기판(17) 간의 정렬을 판정하고, 기판(17)이 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 투영에 대한 레벨에 있는지를 판정하기 위한 정렬/레벨 센서(19)를 포함한다. 도시된 바와 같이, 기판(17)은 직사각 형상을 갖지만, 이에 추가하여 또는 이와 달리 둥근 기판이 처리될 수도 있다.
자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 프레임(15) 상에 배치된다. 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 방사선 방출 다이오드, 예컨대 청색-자색 레이저 다이오드와 같은 레이저 다이오드이어도 된다. 또한, 도 2에 도시된 바와 같이, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)는 X-Y 평면으로 연장하는 어레이(21)로 배치될 수 있다.
어레이(21)는 기다란 라인이어도 된다. 일실시예에서, 어레이(21)는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 1차원 어레이이어도 된다. 일실시예에서, 어레이(21)는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 2차원 어레이이어도 된다.
화살표로 나타낸 방향으로 회전할 수도 있는 회전 프레임(8)이 제공될 수 있다. 회전 프레임은 각각의 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 이미지를 제공하기 위해 렌즈(14, 18)(도 1에 도시된)가 제공될 수 있다. 리소그래피 또는 노광 장치는 기판에 대해 프레임(8) 및 렌즈(14, 18)를 포함하는 광학 컬럼을 회전시키기 위해 액추에이터가 제공될 수 있다.
도 3은 회전 프레임(8)의 둘레에 렌즈(14, 18)가 제공된 회전 프레임(8)에 대한 매우 개략적인 투시도이다. 복수의 빔, 이 예에서는 10개의 빔이 렌즈 중의 하나에 입사되고, 예컨대 기판 테이블(2)에 의해 유지된 기판(17)의 타겟 부분 상에 투영된다. 일실시예에서, 복수의 빔은 일직선으로 배열된다. 회전 가능 프레임은 액추에이터(도시하지 않음)를 통해 축(10)을 중심으로 회전할 수 있다. 회전 가능 프레임(8)의 회전의 결과, 빔은 연속 렌즈(14, 18)(필드 렌즈(14) 및 이미징 렌즈(18)) 상에 입사될 것이며, 도 4를 참조하여 보다 상세하게 설명되는 바와 같이, 각각의 연속 렌즈에의 입사 시에 기판(17)의 표면의 일부분을 따라 진행하도록 렌즈에 의해 편향될 것이다. 일실시예에서, 각각의 빔은 각자의 소스, 즉 자기 발광 콘트라스트 디바이스, 예컨대 레이저 다이오드(도 3에 도시되지 않음)에 의해 생성된다. 도 3에 도시된 배열에서, 빔은 빔들 사이의 거리를 감소시켜 더 많은 수의 빔이 동일한 렌즈를 통해 투영되도록 하고 아래에 설명되는 해상도 요건(resolution requirement)을 달성할 수 있도록 하기 위해 세그먼트화된 미러(30)에 의해 편향되고 함께 모아진다.
회전 가능 프레임이 회전함에 따라, 빔이 연속 렌즈 상에 입사된다. 렌즈가 빔에 의해 조사(irradiation)될 때마다, 빔이 렌즈의 표면 상에 입사되는 장소가 이동한다. 렌즈 상의 빔의 입사 장소에 따라 빔이 상이하게(예컨대, 상이한 편향으로) 타겟 상에 투영되므로, 빔(타겟에 도달할 때의)은 후속 렌즈의 각각의 통과로 스캐닝 이동(scanning movement)을 이루게 될 것이다. 이 원리는 도 4를 참조하여 추가로 설명된다.
도 4는 회전 가능 프레임(8)의 일부분에 대한 매우 개략적인 평면도이다. 제1 세트의 빔은 B1으로 표시되고, 제2 세트의 빔은 B2로 표시되며, 제3 세트의 빔은 B3로 표시된다. 각각의 세트의 빔은 회전 가능 프레임(8)의 각자의 렌즈 세트(14, 18)를 통해 투영된다. 회전 가능 프레임(8)이 회전함에 따라, 빔 B1은 스캐닝 이동으로 기판(17) 상에 투영되며, 이에 의해 영역 A14를 스캐닝한다. 유사하게, 빔 B2는 영역 A24를 스캔하고, 빔 B3는 영역 A34를 스캔한다. 대응하는 액추에이터에 의한 회전 가능 프레임(8)의 회전과 동시에, 기판(17) 및 기판 테이블은 D 방향으로 이동된다. D 방향은 도 2에 도시된 바와 같이 X-축을 따르는 것일 수도 있다. D 방향은 영역 A14, A24, A34에서의 빔의 스캐닝 방향에 실질적으로 수직을 이룰 수도 있다.
제2 액추에이터에 의한 D 방향으로의 이동(예컨대, 대응하는 기판 테이블 모터에 의한 기판 테이블의 이동)의 결과, 회전 가능 프레임(8)의 연속 렌즈에 의해 투영될 때의 빔의 연속 스캔은 실질적으로 서로 연접하도록 투영된다. 이것은 빔 B1의 각각의 연속 스캔에 대해서는 실질적으로 연접하는 영역 A11, A12, A13, A14(영역 A11, A12, A13은 이전에 스캐닝되었고, A14는 도 4에 도시된 바와 같이 현재 스캐닝되고 있음)를 발생하고, 빔 B2에 대해서는 영역 A21, A22, A23, A24(영역 A21, A22, A23은 이전에 스캐닝되었고, A24는 도 4에 도시된 바와 같이 현재 스캐닝되고 있음)를 발생하고, 빔 B3에 대해서는 영역 A31, A32, A33, A34(영역 A31, A32, A33은 이전에 스캐닝되었고, A34는 도 4에 도시된 바와 같이 현재 스캐닝되고 있음)를 발생한다. 이에 의해, 기판 표면의 영역 A1, A2 및 A3는 회전 가능 프레임(8)을 회전시키면서 D 방향으로 기판을 이동시킴으로써 커버될 수 있다.
동일한 렌즈를 통한 복수의 빔의 투영은 더 짭은 기간 내에서(회전 가능 프레임(8)의 동일한 회전 속도에서) 전체 기판의 처리를 가능하게 한다. 이것은 렌즈의 각각의 통과 동안 복수의 빔이 각각의 렌즈로 기판(17)을 스캔하기 때문이다. 이것은 연속 스캔 동안 D 방향으로의 변위(displacement)가 증가되게 한다. 달리 말하면, 주어진 처리 시간 동안, 복수의 빔이 동일한 렌즈를 통해 기판 상에 투영될 때에, 회전 가능 프레임의 회전 속도가 감소될 수 있다. 이것은 높은 회전 속도로 인한 회전 가능 프레임의 변형, 마모, 진동, 요동(turbulence) 등과 같은 작용을 감소시키는 것이 가능하다.
일실시예에서, 복수의 빔은 도 4에 도시된 바와 같이 렌즈(14, 18)의 회전의 접선에 대해 각도를 이루며 배열된다. 일실시예에서, 복수의 빔은 각각의 빔이 인접한 빔의 스캐닝 경로에 연접하거나 중첩하도록 배열된다.
복수의 빔을 동일한 렌즈에 의해 한번에 투영하는 특징의 추가의 효과는 공차의 완화에서 찾을 수 있다. 렌즈의 공차(위치설정, 광 투영 등)로 인해, 연속 영역 A11, A12, A13, A14(및/또는 영역 A21, A22, A23, A24 및/또는 영역 A31, A32, A33, A34)의 위치는 서로에 대하여 어느 정도의 위치설정 부정확도를 나타낼 수도 있다. 따라서, 연속 영역 A11, A12, A13, A14들 간의 어느 정도의 중첩이 필요할 수도 있다. 하나의 빔의 예컨대 10%가 중첩되는 경우에, 처리 속도는 한번에 하나의 빔이 동일한 렌즈를 통과하는 경우에 10%의 동일한 비율로 감소될 것이다. 동일한 렌즈를 통해 한번에 5개 이상의 빔이 투영되는 상황에서는, 5개 이상의 투영된 라인마다 10%의 동일한 중첩(위의 예에서 하나의 빔에 대해 언급한 것과 마찬가지로)이 제공될 것이며, 그러므로 전체 중첩이 대략 5 이상의 비율로 2% 또는 그 미만으로 감소됨으로써, 전체적인 처리 속도에 대한 영향이 현저하게 낮아지게 된다. 유사하게, 적어도 10개의 빔을 투영하는 것은 전체 중첩을 대략 10의 비율로 감소시킬 수 있다. 그러므로, 기판의 처리 시간에 미치는 공차의 영향은, 복수의 빔이 동일한 렌즈에 의해 한번에 투영되는 특징에 의해 감소될 수 있다. 이에 부가하여 또는 이와 달리, 복수의 빔을 동일한 렌즈에 의해 한번에 투영하는 경우 처리에 미치는 공차의 영향이 낮아지기 때문에, 중첩이 보다 많이 허용될 수 있다(그러므로, 더 큰 공차 범위가 허용됨).
복수의 빔을 동일한 렌즈를 통해 한번에 투영하는 것에 추가하여 또는 복수의 빔을 동일한 렌즈를 통해 한번에 투영하는 것과는 달리, 인터레이싱 기술이 이용될 수도 있지만, 인터레이싱 기술은 렌즈들 간의 비교적 더욱 엄격한 정합을 요구할 수 있다. 그러므로, 렌즈들 중의 동일한 렌즈를 통해 한번에 기판 상에 투영되는 적어도 2개의 빔은 상호 간격(mutual spacing)을 가지며, 본 장치는 빔의 후속 투영이 그 간격에 투영되도록 광학 컬럼에 대하여 기판을 이동시키기 위해 제2 액추에이터를 작동하도록 구성될 수 있다.
하나의 그룹의 연속 빔들 간의 D 방향에서의 거리를 감소시키기 위해(이에 의해 예컨대 D 방향에서 더 높은 분해능을 달성함), 빔들은 D 방향에 대하여 서로에 대해 대각으로 배열될 수도 있다. 이 간격은 광 경로에 세그먼트화된 미러(30)를 제공함으로써 추가로 감소될 수 있으며, 이때 각각의 세그먼트가 빔들 중의 각자의 빔을 반사시키고, 이러한 세그먼트가 미러 상에 입사될 때의 빔들 사이의 간격에 대하여 미러에 의해 반사될 때의 빔들 사이의 간격을 감소시키도록 배열된다. 이러한 작용은 또한 각각의 빔이 각자의 광섬유에 입사되는 복수의 광섬유에 의해 달성될 수도 있다. 이러한 광섬유는 광 경로를 따라 빔들 사이의 간격을 감소시키도록 배열된다. 그 결과, 광섬유의 하류에서의 빔 간격이 광섬유의 상류에서의 빔 간격보다 작게 된다.
또한, 이러한 작용은 각각의 입력이 각자의 빔을 수신하는 복수의 입력을 갖는 통합된 광 도파관 회로를 이용하여 달성될 수도 있다. 통합된 광 도파관 회로는, 광 경로를 따라, 통합된 광 도파관 회로의 상류에서의 빔들 사이의 간격에 대하여, 통합된 광 도파관 회로의 하류에서의 빔들 사이의 간격이 줄어들도록 배치된다.
기판 상에 투영되는 이미지의 초점을 제어하기 위한 시스템이 제공될 수 있다. 전술한 배치에서 광학 컬럼의 일부 또는 전부에 의해 투영된 이미지의 초점을 조정하기 위한 구성이 제공될 수 있다.
일실시예에서, 투영 시스템은 레이저 유기 재료 전달(laser induced material transfer)에 의해 재료(예컨대, 금속)의 드롭플릿(droplet)의 국소적인 침적을 야기하기 위해 디바이스가 위에 형성될 기판(17) 위의 재료의 층으로 형성된 기판 상에 하나 이상의 방사 빔을 투영한다.
도 5를 참조하면, 레이저 유기 재료 전달의 물리적인 메카니즘이 도시되어 있다. 일실시예에서, 방사 빔(200)은 재료(202)의 플라즈마 브레이크다운(plasma breakdown) 아래의 세기에서 실질적으로 투명한 재료(202)(예컨대, 글래스)를 통해 포커싱된다. 재료(202) 위에 가로놓여져 있는 도너 재료층(donor material layer)(204)(예컨대, 금속막)으로 형성된 기판 상에서 표면 열 흡수가 발생한다. 열 흡수는 도너 재료(204)의 용융을 야기한다. 또한, 가열은 도너 재료층(204) 및 그에 따라 도너 구조체(예컨대, 플레이트)(208)로부터 도너 재료 드롭플릿(206)의 전방 가속(forward acceleration)을 야기하는 전방 방향으로의 유기 압력 기울기(induced pressure gradient)를 초래한다. 그러므로, 도너 재료 드롭플릿(206)은 도너 재료층(204)으로부터 제거되고, 디바이스가 형성될 기판(17)을 향해 기판(17) 상으로 이동된다(중력의 도움으로 또는 중력의 도움없이). 빔(200)을 도너 플레이트(208) 상의 적절한 위치로 향하도록 함으로써, 도너 재료 패턴이 기판(17) 상에 침적될 수 있다. 일실시예에서는, 빔은 도너 재료층(204) 상에 포커싱된다.
일실시예에서, 도너 재료의 전달을 야기하기 위해 하나 이상의 짧은 펄스(short pulse)가 이용된다. 일실시예에서, 펄스는 준일차원 전방 가열(quasi one dimensional forward heat) 및 용융된 재료의 물질 이동(mass transfer)을 획득하기 위해 수 피코초(picosecond) 또는 펨토초(femtosecond) 길이로 될 수 있다. 이러한 짧은 펄스는 재료층(204)에서의 측방의 열 흐름을 거의 없게 하거나 전혀 없게 하고, 그에 따라 도너 구조체(208) 상의 열 부하를 거의 없게 하거나 전혀 없게 하는 것이 용이하다. 짧은 펄스는 재료의 신속한 용융 및 전방 가속을 가능하게 한다(예컨대, 금속과 같은 기화된 재료가 자신의 전방 방향성을 상실하여 스플래터링 침적(splattering deposition)을 야기할 것이다). 짧은 펄스는 재료를 기화 온도 아래이지만 가열 온도 바로 위까지 가열할 수 있다. 예컨대, 알루미늄에 대해, 약 900 내지 1000 ℃의 온도가 바람직하다.
일실시예에서, 레이저 펄스의 사용을 통해, 일정량의 재료(예컨대, 금속)가 100 내지 1000 nm 드롭플릿의 형태로 도너 구조체(208)로부터 기판(17)으로 전달된다. 일실시예에서, 도너 재료는 금속을 포함하거나 근본적으로 금속으로 이루어진다. 일실시예에서, 금속은 알루미늄이다. 일실시예에서, 재료층(204)은 막의 형태로 된다. 일실시예에서, 막은 또 다른 몸체 또는 층에 부착된다. 전술한 바와 같이, 몸체 또는 층은 유리이어도 된다.
도 1은 본 발명의 실시예를 도시한다. 리소그래피 장치(1)는 정지부 및 이동부를 포함하는 투영 시스템(50)을 포함한다. 투영 시스템은 예컨대 도 1에 도시된 바와 같이 렌즈(12, 14)를 포함할 수 있다. 투영 시스템(50)은 복수의 방사 빔을 기판(17) 상의 지점 상으로 투영하도록 구성된다. 이 지점은 패턴에 기초하여 선택된다. 패턴은 기판(17) 상에 형성될 것이다. 일실시예에서, 패턴은 포토레지스트 재료의 층에 형성된다. 일실시예에서, 패턴은 도너 재료의 층에 형성되고, 도너 재료가 후속하여 디바이스의 층에 대응 패턴을 형성한다.
도 1은 리소그래피 장치(1)의 사용 동안 축(10)을 중심으로 회전하는 프레임(8)을 도시하고 있다. 프레임(8)은 자신의 회전 또는 병진운동(translation)의 결과로 변형될 수 있다. 예컨대, 프레임(8)의 하나 이상의 부분이 회전의 결과로 방사상 방향으로 확장될 수 있다. 리소그래피 장치(1)에서의 회전하거나 또는 이동하는 장비의 하나 이상의 다른 부분 또한 자신의 각자의 회전 또는 기타 이동의 결과로 변형될 수도 있다.
도 1의 프레임(8)은 하나 이상의 필드 렌즈(14) 및 하나 이상의 이미징 렌즈(18)를 유지하도록 구성될 수 있다. 이들 렌즈는 리소그래피 장치(1)의 이미징 정확도를 향상시키기 위해 서로에 대해 및 리소그래피 장치(1)에 대해 정확하게 위치되는 것이 요망된다.
구체적으로, 리소그래피 장치(1)가 사용될 수 있는 한 가지 프린팅 방법에서, 방사선 스팟 브러시의 각각의 스와이프(each swipe of the radiation spot brush)는 연속적인 띄(band) 대신 라인의 패턴을 발생한다. 방사선 스팟 브러시의 후속의 스와이프는 이전의 스와이프(들)에서 기록된 라인들 사이의 공간(의 일부)을 채우도록 하는 타이밍으로 된다. 이 동작을 반복하고, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 스위칭 "온" 및 "오프"와 타겟(예컨대, 기판(17))의 이동의 타이밍을 적절하게 맞추는 것은, 기판(17) 상의 연속적으로 채워진 표면을 발생하게 한다. 이 프린팅 방법은 인터레이스 프린팅(interlaced printing)으로 불리운다.
인터레이스 프린팅에서, 각각의 라인은 높은 정밀도로 자신의 이웃에 대해 위치(즉, 프린트)되어야 한다. 이 경우에, 높은 정밀도는 예컨대 100 nm 이내를 의미한다. 각각의 라인이 타겟 상에 프린트되는 위치는 프레임(8) 상의 렌즈(14, 18)의 위치설정에 직접 관련된다. 이와 같이, 이들 렌즈(14, 18)는 예컨대 100 nm 이내의 정밀도로 프레임(8) 상에 위치되는 것이 바람직하다. 기계적으로는, 이것은 특히 제조 공차 외에 작동 동안 렌즈(14, 18)에 가해지는 원심력으로 인하여 매우 곤란하다.
예컨대, 렌즈(14, 18)가 프레임(8)의 이동 동안 서로에 대해 및 리소그래피 장치(1)에 대해 더욱 정확하게 위치되는 리소그래피 장치(1)를 제공하는 것이 바람직하다. 렌즈(14, 18)를 서로에 대해 및 리소그래피 장치(1)에 대해 정밀하게 위치시키는 방법에 관한 제약들을 감소시키는 것이 바람직하다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 프레임(8)을 도시한다. 도 6의 축(10)의 좌측 부분은 움직이지 않고 있는 상태의 프레임(8)의 횡단면도를 나타낸다. 도 6의 축(10)의 우측 부분은 회전 동안 프레임(8)의 외부에서 본 것이다.
일실시예에서, 프레임(8)은 샤프트(70) 및 플랜지(62)를 포함한다. 플랜지(62)는 축(10)에 관련하여 각도 α로 방사상으로 외측으로 연장된다. 플랜지(62)는 하나 이상의 렌즈(14, 18)를 유지하도록 구성된다. 하나 이상의 렌즈는 예컨대 필드 렌즈(14) 또는 이미징 렌즈(18)일 것이다.
일실시예에서, 프레임(8)은 플랜지가 연장되는 각도 α가 연속적인 범위의 회전 속도에 걸쳐 실질적으로 일정하도록 구성된다. 여기에서, 실질적으로 일정하다는 것은 예컨대 각도 α가 기껏해야 1 mrad 만큼 변화된다는 것을 의미한다. 회전의 방향은 상관없다.
전술한 바와 같이, 회전하는 장비는 회전의 결과로 방사상 방향으로 확장된다. 확장의 양은 부분적으로는 그 장비의 부분의 반경 및 회전 속도에 의해 결정된다. 도 6에 도시된 바와 같이, 프레임(8)의 반경은 프레임(8)의 높이(Z 방향에서의)에 걸쳐 달라지게 된다. 예컨대, 플랜지(62)는 샤프트(70)의 외측 반경(R3)보다 큰 외측 반경(R1)을 갖는다(도 7을 참조).
그 결과, 프레임(8)의 몇몇 부분은 프레임(8)의 다른 부분보다 더 큰 확장 스트레스를 받게 된다. 프레임(8)에 걸쳐서의 확장 스트레스의 차이는 프레임(8)의 휘어짐(deflection) 또는 틸트를 유발한다. 플랜지(62)의 경우에, 휘어짐은 프레임(8)의 회전 속도가 변화되는 때에 플랜지(62)가 연장되는 각도 α를 달라지게 할 수 있다. 이것은 도 6에 개략적으로 도시되어 있다.
도 6의 우측편 부분에서, 플랜지(64)는 프레임(8)이 회전할 때 휘어짐을 겪게 된다. 도 6의 좌측편은 움직이지 않는 상태(즉, 0의 회전 속도)에서 플랜지(64)가 축(10)에 대해 각도 β로 연장한다는 것을 보여주며, 여기서 각도 β는 약 90도이다. 도 6의 우측편은 프레임(8)이 회전할 때 프레임(8)이 휘어짐을 겪게 되어, 플랜지(64)가 축(10)에 대해 90도―θ 의 각도로 연장한다는 것을 보여주고 있다. 이러한 휘어짐은 플랜지(64)에 의해 유지된 렌즈(18)가 방사 빔을 타겟 상으로 포커싱하는 위치를 변경시켜 바람직하지 않을 것이다.
플랜지(62)가 연장되는 각도 α가 연속적인 범위의 회전 속도에 걸쳐 실질적으로 일정하도록 프레임(8)을 구성함으로써, 프레임(8)의 휘어짐이 감소된다. 그 결과, 프레임(8)의 회전 속도가 변화되는 때에, 플랜지(62)에 의해 유지된 하나 이상의 렌즈(14, 18)에 의해 수행된 방사 빔의 포커싱은 더욱 일관적으로 된다.
프레임(8)의 회전은 특정한 점에서의 프레임(8)의 반경을 약 80 ㎐의 회전 속도에서 약 50 ㎛에서부터 약 100 ㎛까지만큼 변화시킬 수 있다. 이들 값은 스틸로 이루어진 프레임(8)에 대한 것이다. 일반적으로, 프레임(8)의 회전 속도가 더 커질수록, 프레임(8)의 반경의 확장이 더 커지게 된다. 예컨대, 회전 속도가 약 140 ㎐이면, 프레임(8) 상의 특정한 점의 반경의 변화는 약 150 ㎛에서부터 내지 약 300 ㎛까지의 오더(즉, 80 ㎐의 회전 속도에 대한 것의 3배 더 큼)로 될 수 있다. 프레임(8)에 걸쳐서의 반경의 불균일은 80 ㎐의 회전 속도에 대해서는 약 0.5 mrad에서부터 약 5 mrad까지의 또는 약 140 ㎐의 회전 속도에 대해서는 약 1.5 mrad에서부터 약 15 mrad까지의 휘어짐 틸트(deflection tilt)를 발생할 수 있다.
그러므로, 일실시예에서, 프레임(8)의 회전 속도의 불균일이, 종래 기술에 비하여 감소되는 휘어짐 틸트를 발생하는 시스템이 제공된다. 일실시예에서, 프레임(8)은 플랜지(62)가 연장되는 각도 α가 연속적인 범위의 회전 속도에 걸쳐 최고 1 mrad만큼 변화되도록 구성된다. 일실시예에서, 각도 α는 연속적인 범위의 회전 속도에 걸쳐 기껏해야 약 0.5 mrad 및 필요한 경우 기껏해야 약 0.1 mrad만큼 변화된다.
일실시예에서, 연속적인 범위의 회전 속도는 하한치 0을 갖는다. 그러므로, 플랜지(62)가 연장되는 각도 α는 프레임(8)이 정지 상태인 때부터 프레임(8)이 연속적인 범위의 회전 속도의 상한치로 회전하는때까지 실질적으로 일정하게 유지된다. 일실시예에서, 연속적인 범위의 회전 속도는 적어도 80 ㎐, 필요한 경우 적어도 100 ㎐, 및 필요한 경우 적어도 140 ㎐의 상한치를 갖는다. 연속적인 범위의 회전 속도는 특별하게 제한되지 않고, 200 ㎐ 또는 그 이상의 상한치를 가질 수도 있다.
프레임(8)이 자신의 전체 높이(Z 방향에서의)에 걸쳐 일정한 반경을 갖지 않음으로써, 프레임(8)은 비교적 낮은 중량을 가질 수 있다. 이것은 프레임(8)의 긴급 정지(emergency stop) 동안 안정성을 증가시키고, 프레임(8)이 속도를 높이기 위해 더 적은 양의 에너지를 요구한다는 것을 의미한다.
플랜지(62)가 연장되는 각도 α가 연속적인 범위의 회전 속도에 걸쳐 실질적으로 일정하도록 프레임(8)을 구성하는 다양한 방법이 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 프레임(8)은 플랜지(62)가 플랜지(62)의 양측편 상의 샤프트(70)로 인해 모멘트를 겪게 되는 대칭적 설계를 포함할 수 있으며, 이 2개의 모멘트는 서로 상쇄된다. 일실시예에서, 각도 α는 실질적으로 직각이다. 이 경우, 하나 이상의 렌즈(14, 18)는 실질적으로 플랜지(62)의 평면에 위치될 수 있다. 그러나, 플랜지(62)는 직각과는 다른 각도, 예컨대 85도로 축(10)에 관련하여 연장될 수 있다.
플랜지(62)의 휘어짐 틸트는 샤프트(70)에 의해 플랜지(62) 상에 가해지는 모멘트의 결과인 것으로 고려될 수 있다. 일반적으로, 샤프트(70)는 플랜지(62)보다 작은 반경을 가질 수 있다. 도 6에 도시된 바와 같이, 샤프트(70)가 확장될 때, 샤프트(70)의 하위 부분(63)은 힌지 포인트(hinge point)(91)에 대해 틸팅될 것이다. 물론, 힌지 포인트(91)는 실제로는 단일 포인트이기보다는 축(10) 주위를 연장하는 환형(annulus)이다. 이것은 샤프트(70)의 하위 부분(63)이 플랜지(64)에 모멘트를 가하게 하며, 그러므로 도 6의 우측편 부분에 나타낸 바와 같이 플랜지(64)가 휘어지게 하거나 틸팅되게 한다.
도 6의 대칭 설계에서, 샤프트(70)의 상위 부분(61)에 의해 플랜지(62)에 가해진 모멘트는 샤프트(70)의 하위 부분(63)에 의해 플랜지(62) 상에 가해진 모멘트와 실질적으로 동등하면서 반대이다.
그 결과, 샤프트(70)는 회전의 축(10)에 직각을 이루는 축을 중심으로 하는 전체적인 모멘트를 플랜지(62)에 실질적으로 가하지 않게 된다. 플랜지(64)의 휘어짐은 단지 휘어지지 않은 플랜지(62)와의 비교를 위해 도 6에 도시되어 있다.
샤프트(70)의 상위 부분(61) 및 하위 부분(63)이 실질적으로 동등하면서 반대의 모멘트들을 플랜지(62)에 가하도록 하는데 도움을 주기 위한 한 가지 방법은 샤프트(70)의 하위 부분(63)의 횡단면에 대응하는 상위 부분(61)의 횡단면을 갖게 하는 것이다. 그러나, 일실시예에서는, 상위 부분(61)의 횡단면이 샤프트의 하위 부분(63)의 횡단면과 상이하다. 이것은 예컨대 도 6에 도시되어 있다.
샤프트(70)에 의해 플랜지에 가해지는 모멘트는 아래의 수식 (1)에 의해 주어진다:
Figure 112014098716673-pct00001
(1)
G는 프레임(8)의 전단 탄성률(shear modulus)을 나타낸다. ΔR은 프레임(8)의 수직 범위(vertical extent)를 따른 상이한 점들 간의 프레임(8)의 반경에서의 차이를 나타낸다. 구체적으로, ΔR은 ΔRz=i - ΔRz=i-1과 동등하다. ΔP는 프레임(8)의 "대단히 작은" 각도 부분(라디언 단위의)을 나타낸다. 이것은 비대칭적 프레임(8)이 2차원적 문제로서 고려되도록 한다. R1은 샤프트(70)의 외측 반경을 나타낸다. R0는 샤프트(70)의 내측 반경을 나타낸다. 그리고, z는 프레임(8)의 회전의 축(10)을 따른 수직 좌표를 나타낸다.
도 6에 나타낸 바와 같이, 일실시예에서, 프레임(8)은 회전의 축(10)을 따라 구멍부(66)를 포함한다. 구멍부(66)는 예컨대 액추에이터 및/또는 베어링을 위한 공간을 허용하기 위해 제공될 수 있다. 그러나, 구멍부(66)는 일실시예에서는 제공되지 않을 수도 있다. 이 경우, 액추에이터 및/또는 베어링은 프레임(8)의 외측에 위치될 수도 있다.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 프레임(8)을 개략적으로 도시한다. 도 7 내지 도 12의 각각의 도면에는, 프레임(8)의 하나의 반부의 횡단면이 도시되어 있다. 일실시예에서, 프레임(8)은 축(10)을 중심으로 실질적으로 원대칭을 이루는 형상을 갖는다.
도 7에 도시된 실시예에서, 플랜지(62)의 축방향에서의 일측 상의 샤프트(70)의 부분은 실질적으로 플랜지(62)에 모멘트를 가하지 않는다. 이 경우, 플랜지(62)의 반대측 상의(축방향에서의) 샤프트(70)의 대응하는 부분에 의해 플랜지(62)에 가해지는 모멘트의 균형을 맞출 필요는 없다. 이것은 플랜지(62)의 일측 상의 샤프트(70)가 플랜지(62)에 실질적으로 모멘트를 가하지 않기 때문이다.
플랜지(62)에 실질적으로 모멘트를 가하지 않는 샤프트(70)의 부분을 달성하는 한 가지 방법은, 플랜지(62)의 내측 반경(R0)과 플랜지(62)의 외측 반경(R1)의 곱이 샤프트(70)의 내측 반경(R2)과 샤프트(70)의 외측 반경(R3)의 곱과 실질적으로 동등하도록 플랜지(62) 및 샤프트(70)의 내측 반경과 외측 반경을 선택하는 것이다. 즉, R0R1=R2R3인 것이 요망된다.
플랜지(62)와 샤프트(70)의 내측 반경과 외측 반경의 곱이 정확하게 동일한 것은 필수적이지 않다. 예컨대, R0R1 곱은 R2R3 곱과 기껏해야 20%, 기껏해야 10%, 기껏해야 5%만큼 상이할 수 있다. 구체적으로, R0R1 곱이 R2R3 곱의 10% 이내이면, 플랜지(62)의 휘어짐에서의 커다란 감소가 있게 되어, 프레임(8)의 회전 속도가 약 140 ㎐까지의 회전 속도로 변화할 때에 플랜지(62)가 실질적으로 일정한 각도 α로 연장될 수 있다. 플랜지(62)에 인접한 샤프트(70)의 부분 외에, 샤프트(70)의 나머지 부분은 플랜지(62)에 미치는 영향을 갖는다. 그러므로, 샤프트(70)의 몇몇 부분에 대해서는, R0R1과 R2R3가 동등한 것으로부터 상당히 벗어날 수도 있다. 그러나, 플랜지(62)에 인접한 샤프트(70)의 부분은 플랜지(62)에 대한 가장 큰 영향을 갖는다.
프레임(8)에 구멍부(66)가 없는 경우, R0R1과 R2R3가 동등하게 되는 것이 용이하게 충족된다. 그러나, 이 경우에는(즉, 프레임(8)에 구멍부(66)가 없는 경우에는), 샤프트(70)와 플렌지(62)가 실질적으로 동알한 양으로 확장되어 전체적인 휘어짐이 실질적으로 없도록, 플랜지(62)의 외측 반경(R1)이 샤프트(70)의 외측 반경(R3)과 실질적으로 동등하게 되는 것이 요망된다.
R0R1=R2R3(±10% 이내까지)를 충족하는 호환가능한 반경을 제공함으로써, 플랜지(62)와 샤프트(70)가 교차하는 횡단면에 유사한 확장 스트레스가 가해진다. 이와 같이, 플랜지(62)와 샤프트(70) 간에는 부하 평형상태(loading equilibrium)가 있으며, 그러므로 샤프트(70)의 결과로 실질적으로 플랜지(62)의 휘어짐이 없다.
도 8, 도 9 및 도 10은 각각 플랜지(62)가 샤프트(70)에 의해 가해지는 모멘트로부터 적어도 부분적으로 디커플링되는 실시예를 도시한다. 일실시예에서, 플랜지(62)는 플랜지(62)보다 더욱 플렉서블한 커넥터(80, 90)에 의해 샤프트(70)에 연결된다. 예컨대, 커넥터(80, 90)는 플랜지(62)보다 얇게 되어도 된다.
플랜지(62)를 샤프트(70)에 의해 가해진 모멘트로부터 적어도 부분적으로 디커플링함으로써, 샤프트(70)에 의한 결과로서의 플랜지(62)의 휘어짐이 감소된다. 이것은 프레임(8)의 회전 동안 플랜지(62)에 의해 유지되는 렌즈(14, 18)의 초점 평면의 정확도를 향상시키는데 도움을 준다.
도 8은 플랜지(62)가 멤브레인(membrane)의 형태를 취하는 커넥터(80)에 의해 샤프트(70)에 연결되는 실시예를 도시하고 있다. 샤프트(70)가 연속적인 범위의 회전 속도에 걸쳐 축(10)에 대해 다양하게 틸팅되는 때에, 커넥터(80)는 플랜지(62)가 연장하는 각도 α가 실질적으로 일정하도록 플렉스(flex)한다.
프레임(8)의 회전 속도가 변화되는 때에, 샤프트(70)는 축(10)에 대하여 다양하게 틸팅된다. 도 8에 도시된 바와 같이, 샤프트(70)는 힌지 포인트(91)를 중심으로 회전의 축(10)에 대하여 틸트되거나 휘어질 수 있다. 전술한 바와 같이, 힌지 포인트(91)는 사실은 특정한 점이기 보다는 회전의 축(10)의 둘레에 연장하는 환형이다. 도 8에서(도 9 및 도 10에서와 마찬가지로), 파선은 프레임(8)이 회전하고 있을 때의 프레임(8)의 위치를 나타낸다. 프레임(8)이 정지하고 있을 때(도 8 내지 도 10에 실선으로 도시된)와 프레임(8)이 회전하고 있을 때(도 8 내지 도 10에 파선으로 도시된)에 대하여 플랜지(62)의 연장의 각도는 실질적으로 일정하다.
도 9에 도시된 바와 같이, 일실시예에서, 커넥터는 자신의 연결부(힌지 포인트(92)에서의)에서부터 샤프트(70)까지 연장되는 샤프트 연결 부분(90)을 샤프트(70)의 축방향에서의 중간부(94)쪽에 포함한다. 이 실시예에서, 플랜지(62)는 샤프트(70) 상에 모멘트를 가하고, 이 모멘트는 힌지 포인트(91)를 중심으로 샤프트(70)의 휘어짐을 야기한다. 힌지 포인트(92)에서 회전의 중심을 갖는 추가의 모멘트가 가해진다. 이와 같이, 프레임(8)은 감소된 플랜지 휘어짐을 위해 설계될 수 있다. 일실시예에서, 추가의 모멘트는 힌지 포인트(91)에 대한 휘어짐과 반대이면서 실질적으로 동등한 플랜지(62)의 휘어짐을 발생한다.
도 9에 도시된 바와 같이, 일실시예에서, 커넥터(90)는 커넥터(90)가 샤프트(70)에 연결되는 위치(92)보다 샤프트(70)의 축방향에서의 중앙부(94)에 더 근접한 위치에서 플랜지(62)에 연결된다.
도 10은 커넥터가 자신의 연결부에서부터 플랜지(62)까지 연장되는 플랜지 연결 부분(95)을 샤프트(70)의 축방향에서의 중앙부(94)쪽에 포함하는 실시예를 도시하고 있다. 플랜지 연결 부분(95)의 용도는 프레임(8)의 회전 동안 플랜지(62)의 수직 변위를 감소시키기 위한 것이다. 플랜지(62)는 도 10에 도시된 힌지 포인트(93)에서 회전의 중심을 갖는 추가의 모멘트를 발생한다.
일실시예에서, 샤프트(70)가 연속적인 범위의 회전 속도에 걸쳐 축(10)에 대하여 다양하게 틸팅되는 때에, 커넥터(80, 90)는 플랜지(62)의 축(10)을 따른 위치가 실질적으로 일정하도록 일정하도록 플렉스한다. 이것은 플랜지(62)의 수직 위치에 미치고 그리고 그에 따라 플랜지(62)에 의해 유지된 렌즈(14, 18)에 의해 제공되는 포커싱에 미치는 프레임(8)의 회전의 작용을 감소시키데 도움을 준다.
일실시예에서, 플랜지 연결 부분(95) 및/또는 커넥터(90)는 방사상 내측에서부터 방사상 외측으로 점차적으로 감소되는 두께를 갖는다. 일실시예에서, 플랜지 연결 부분(95) 및 커넥터(90)는 도 10에 도시된 바와 같이 톱니 형상을 갖는다.
도 11은 본 발명의 실시예에 따른 프레임(8)의 일부분을 개략적으로 도시한다. 도 11 및 도 12에서, 실선은 정지하고 있을 때의 프레임(8)의 위치를 나타내고, 파선은 프레임(8)이 축(10)을 중심으로 회전하고 있을 때의 프레임(8)의 위치를 나타낸다.
프레임(8)이 회전할 때, 플랜지(62)는 샤프트(70)에 모멘트를 가한다. 이것은 샤프트(70)가 힌지 포인트(91)를 중심으로 틸트되거나 휘어지게 한다. 플랜지(62)에 미치는 그 결과의 틸트 또는 휘어짐을 보상하기 위해, 플랜지(62)는 샤프트(70)의 축방향에서의 중앙부(94)를 바라보고 있는 플랜지(62)의 표면 상에 리세스(110)를 포함한다.
일실시예에서, 리세스(110)는 축(10) 주위에 연장하는 연속적인 리세스이다. 그러나, 예컨대, 리세스(110)는 그 사이에 불연속부를 갖는 일련의 리세스 또는 오목부를 포함할 수 있다. 일실시예에서, 리세스(110)는 실질적으로 원형이고 프레임(8)과 동심을 이룬다.
리세스(110)는 플랜지(62)의 주변 부분을 프레임(8)의 나머지로부터 부분적으로 분리시킨다. 리세스(110)는 플랜지(62)의 부분적으로 분리된 주변부(periphery)의 비대칭적 서스펜션(non-symetric suspension)을 제공한다. 그 결과, 이 주변 부분은 원래의 플랜지 휘어짐을 상쇄하는(counteract) 모멘트를 제공한다. 도 11에 도시된 바와 같이, 이 모멘트는 힌지 포인트(111)에 대한 플랜지(62)의 주변 부분의 휘어짐 또는 틸팅을 발생한다. 리세스(110)의 결과로, 휘어짐의 힌지 포인트(111)는 그렇지 않은 경우에서보다 낮아지게 된다.
도 12는 본 발명의 실시예를 도시하고 있다. 도 12에 도시된 바와 같이, 플랜지(62)는 샤프트(70)의 축방향에서의 중앙부(94)를 바라보는 플랜지(62)의 표면 상에 돌출 림(rim)(120)을 포함한다. 돌출 림(120)은 플랜지(62)와 샤프트(70) 사이의 연결부 상에 모멘트를 가한다. 이것을 이루기 위한 한 가지 방법은 돌출 림(120)이 플랜지(62)가 돌출 림에게 허용하는 것보다 더 많이 확장되고자 "하는" 것으로 고려하는 것이다.
카운터 모멘트를 가하는 돌출 림(120)을 제공함으로써, 원래의 플랜지 휘어짐은 돌출 림(120)의 존재에 의해 적어도 부분적으로 상쇄된다. 돌출 림(120)의 치수를 선택함으로써, 원래의 플랜지 휘어짐이 상쇄되어, 플랜지(62)의 주변 부분이 프레임(8)의 회전 속도에 상관없이 회전의 축(10)에 대해 실질적으로 동일한 각도로 유지될 수 있다.
일실시예에서, 플랜지(62)에 의해 유지되는 렌즈(14, 18)는 플랜지(62)의 주변 부분에 유지된다. 이와 같이, 렌즈(14, 18)는 프레임(8)의 회전 속도에 상관없이 실질적으로 일정한 각도로 유지된다.
일실시예에서, 돌출 림(120)은 프레임(8)의 회전의 축(10)의 둘레에 연장되는 연속적인 돌출 림(120)이다. 그러나, 예컨대, 일실시예에서는, 돌출 림(120)이 불연속부를 포함한다. 돌출 림(120)은 길게 늘어질 수도 있고 또는 길게 늘어지지 않을 수도 있는 복수의 돌기를 포함할 수 있다. 일실시예에서, 돌출 림(120)은 실질적으로 원형이고 프레임(8)과 동심을 이룬다.
림 또는 리세스가 플랜지(62)의 대향 표면 상에, 즉 샤프트(70)의 중앙부(94)로부터 떨어져 바라보는 표면 상에 위치되면, 림 또는 리세스는 플랜지(62)의 증가된 틸트 또는 휘어짐을 발생할 것이다.
일실시예에서, 일체식 부품은 커넥터(80, 90), 플랜지(62) 및 샤프트(70)를 포함한다. 프레임(8)은 예컨대 스틸로 이루어질 수도 있다. 그러나, 다른 적합한 재료 또한 이용될 수 있다. 일실시예에서, 프레임(8)은 샤프트(70), 커넥터(80, 90) 및 플랜지(62)에 대응하는 별도의 부품의 어셈블리이다. 일실시예에서, 프레임(8)은 "속이 채워져 있으며(solid)", 이것은 회전의 축(10)을 따라 구멍부(66)가 없다는 것을 의미한다. 프레임(8)은 일체식이어도 되고 또는 다양한 부분으로부터 조립될 수도 있다.
일실시예에서, 프레임(8)은 제2 플랜지(64)를 포함한다. 예컨대, 일실시예에서, 플랜지(62)는 하나 이상의 필드 렌즈(14)를 유지한다. 또는, 일실시예에서, 제2 플랜지(64)가 하나 이상의 이미징 렌즈(18)를 유지한다. 일실시예에서, 프레임(8)은 제2 플랜지가 연장되는 각도 β가 연속적인 범위의 회전 속도에 걸쳐 실질적으로 일정하도록 구성된다.
본 발명의 실시예는 원하지 않는 플랜지 휘어짐을 적어도 부분적으로 보상하거나 방지할 수 있게 한다. 플랜지 휘어짐은 그렇지 않은 경우에는 리소그래피 장치(1)에서의 광학장치가 잘못 정렬되게 할 수 있다. 본 발명의 실시예는 정렬된 광학장치를 보유하면서 일정 범위의 각속도에 걸쳐 이용될 수 있는 프레임(8)을 제공하기 위해 이용될 수 있다. 본 발명의 실시예는 광학장치를 특정한 각속도에 대해 정렬되도록 하기 위해 임의의 교정 또는 인터페이스 조정을 요구하지 않을 수도 있다.
프레임(8)은 견고하게 되도록 설계될 수 있다. 프레임(8)은 예컨대 이동부를 필요로 하지 않을 수도 있고 또한 프레임(8)의 중량을 증가시키는 대형의 가외의 부품을 요구하지 않을 수 있기 때문에 비교적 용이하고 저렴하게 제조될 수 있다.
도 13은 본 발명의 실시예를 도시한다. 도 13은 방사 빔(또는 복수의 방사 빔)을 타겟(예컨대, 기판(17)) 상으로 투영하도록 구성된 투영 시스템(50)을 도시한다. 일실시예에서, 투영 시스템(50)은 프레임(8) 및 고정부(130)를 포함한다.
프레임(8)은 접선 방향(tangential direction) 및 방사상 방향을 정하는 축(10)을 중심으로 회전하도록 구성된다. 예컨대, 방사상 방향은 축(10)으로부터 방사상의 외측으로 연장한다. 방사상 방향은 축(10)에 대해 수직을 이룬다. 접선 방향은 방사상 방향에 대해 수직을 이루고, 축(10)에 수직을 이루는 평면에 있다.
일실시예에서, 프레임(8)은 프레임의 이동으로 움직이게 되는 하나 이상의 렌즈(141)를 유지한다. 렌즈(141)는 접선 방향 또는 방사상 방향으로만 방사 빔을 포커싱하도록 구성된다.
일실시예에서, 정지부(130)는 하나 이상의 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)를 포함한다. 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)는 접선 방향 또는 방사상 방향의 다른 하나의 방향으로만 방사선을 포커싱하도록 구성된다. 정지부(130)는 리소그래피 장치(1)에 대해 정지 상태이다.
그러므로, 접선 방향 및 방사상 방향으로 방사 빔을 포커싱하는 기능은 렌즈 141과 실질적으로 정지 상태의 렌즈 142가 분담하게 된다. 이것은 프레임에 의해 유지된 렌즈가 방사 빔을 접선 방향과 방사상 방향 모두로 포커싱하는 기능을 수행하는 다른 시스템과 상이하다.
본 발명의 실시예에 따라, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)는 타겟 상의 방사 빔의 접선 방향 위치 또는 방사상 방향 위치 중의 하나를 전체적으로 결정한다. 그 결과, 타겟 상의 방사 빔의 위치에 대한 이러한 양태는 프레임(8)에 의해 유지된 렌즈(141)의 위치에 의해 영향을 받지 않는다. 프레임(8)의 회전 속도가 변화될 때의 렌즈(141)의 어떠한 이동도 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)에 의해 전체적으로 결정되는 타겟 상의 방사 빔의 위치의 양태에 영향을 주지 않는다.
일실시예에서, 렌즈(141)는 접선 방향으로 방사 빔을 포커싱하도록 구성되며, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)는 방사상 방향으로 방사 빔을 포커싱하도록 구성된다. 방사 빔의 방사상 방향의 위치설정은 타겟 상에의 방사 빔에 의해 그려지는 라인의 위치를 결정한다. 전술한 인터레이스 프린팅의 시스템에서, 라인은 예컨대 100 nm 내의 매우 높은 정확도로 위치된다. 방사 빔을 방사상 방향으로 포커싱하는 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)를 제공함으로써, 타겟 상의 방사 빔의 방사상 방향 위치는 프레임(8)에서의 렌즈(141)의 방사상 위치에 의해 실질적으로 영향을 받지 않는다. 그러므로, 타겟 상의 방사 빔의 위치설정의 정확도가 향상된다. 이것은 인터레이스 프린팅을 더욱 실현 가능하게 한다.
인터레이스 프린팅을 수행함으로써, 프레임(8)에서의 상이한 렌즈(141)에 의해 포커싱되는 방사 빔의 피치를 좁히기 위해 피치 컨버터를 리소그래피 장치(1)에 제공하는 것이 필요하지 않게 될 수 있다. 이것은, 인터레이스 프린팅에서는, 후속하는 패턴의 라인들이 타겟 상의 연속 패턴을 형성하기 위해 갭 내에 인터레이스하므로, 피치가 비교적 커지게 될 수 있기 때문이다.
일실시예에서, 렌즈(141)는 방사 빔을 일정한 배율(magnification)로 확대하고, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)가 방사 빔을 동일한 배율로 확대한다. 접선 방향 및 방사상 방향에서의 배율은 렌즈(141) 및 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)의 각각의 렌즈의 위치 및 초점 거리에 의해 영향을 받는다. 구체적으로, 광학 경로를 따른 렌즈의 위치는 배율에 영향을 준다. 렌즈의 위치 및 초점 거리를 선택함으로써, 접선 방향 및 방사상 방향에서의 배율은 실질적으로 동등하게 될 수 있다. 그러나, 일실시예에서, 접선 방향에서의 배율은 방사상 방향에서의 배율과 상이하다. 이것은 예컨대 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)가 타원형 소스를 포함하는 경우에는 바람직할 것이다. 이 경우에, 접선 방향과 방사상 방향에서의 상이한 배율을 가짐으로써, 타원형 소스가 보상될 수 있다.
일실시예에서, 렌즈(141)는 필드 렌즈(141)이다. 일실시예에서, 프레임(8)은 필드 렌즈(141)로부터 축방향으로 이격된 하나 이상의 이미징 렌즈(181)를 유지한다. 프레임(8)은 2개의 플랜지(62, 64)를 포함할 수 있다. 플랜지 62는 필드 렌즈(141)를 유지할 수 있고, 플랜지 64는 이미징 렌즈(181)를 유지할 수 있다.
일실시예에서, 프레임(8)은 100개 이상의 필드 렌즈(141) 및/또는 100개 이상의 이미징 렌즈(181)를 유지한다. 예컨대, 약 120개 내지 약 150개 범위의 각각의 필드 렌즈(141) 및/또는 이미징 렌즈(181)가 프레임(8)에 유지될 수 있다. 이와 같이, 각각의 렌즈(141, 181)의 폭은 프레임(8)의 크기에 의해 제한된다.
자유 작동 거리(free working distance)는 렌즈의 개구수(numerical aperture, NA) 및 폭에 의해 결정된다. 더 긴 자유 작동 거리가 바람직하다. 렌즈의 폭이 클수록, 자유 작동 거리가 더 길어진다. 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182)는 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182)가 렌즈(141, 181)와 동일한 폭 제약(width restriction)을 갖지 않기 때문에 렌즈(141, 181)보다 큰 폭을 갖도록 구성될 수 있다. 이에 따라, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182)는 렌즈(141, 181)보다 더 큰 자유 작동 거리를 가질 수 있다. 본 발명의 실시예는 리소그래피 장치(1)의 광학장치를 위한 설계 영역이 확대될 수 있도록 한다. 본 발명의 실시예에 따른 리소그래피 장치(1)는 매우 작은 피치로 변환하기 위해 피치 컨버터를 요구하지 않을 수 있다.
일실시예에서, 투영 시스템(50)은 서로 축방향으로 이격된 2개 이상의 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182)를 포함한다. 예컨대, 접선 방향 및 방사상 방향에서의 필드 포커싱을 함께 제공하기 위해 필드 렌즈(141)와 짝을 이루는 하나 이상의 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)가 있을 것이다. 또 다른 실질적으로 정지 상태의 렌즈(182)는 이미징 평면에서의 접선 방향 및 방사상 방향 모두로 포커싱하기 위해 이미징 렌즈(181)와 조합될 수 있다.
도 14는 본 발명의 실시예를 도시한다. 도 14에 도시된 바와 같이, 일실시예에서, 축방향에서 하나 이상의 필드 렌즈(141)와 하나 이상의 이미징 렌즈(181) 사이에 2개 이상의 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182)가 배치된다.
도 15는 하나 이상의 필드 렌즈(141) 및 하나 이상의 이미징 렌즈(181)의 각각이 2개 이상의 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182)의 각자의 렌즈의 축방향에서의 광학적으로 하류에 배치되는 실시예를 도시한다.
도 14 및 도 15에 도시된 실시예는 광학계의 가장 큰 전체적인 자유 작동 거리를 제공한다. 이것은 도 14 및 도 15에 도시된 실시예의 특별한 장점이다.
도 16은 축방향에서 2개 이상의 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182) 사이에 하나 이상의 필드 렌즈(141) 및 하나 이상의 이미징 렌즈(181)가 배치되는 실시예를 도시한다.
실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182) 둘 모두를 프레임(8) 외측에 위치시킴으로써, 도 16의 투영 시스템(50)은 제조 및 유지가 비교적 용이하다. 그러므로, 도 16에 도시된 실시예는 기계적으로 이점이 있다.
도 17은 하나 이상의 필드 렌즈(141) 및 하나 이상의 이미징 렌즈(181)의 각각이 2개 이상의 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182)의 각자의 렌즈의 축방향에서의 광학적으로 상류에 배치되는 실시예를 도시한다.
도 18은 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142) 및 복수의 이동 렌즈(141)를 평면도로 도시하고 있다. 도 18에 도시된 바와 같이, 일실시예에서, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)는 단일 피스로 이루어진다. 즉, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)는 일체식일 수 있다. 일실시예에서, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)는 프레임(8)의 접선 방향으로 연장한다. 일실시예에서, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)는 프레임(8)의 접선 방향에 대응하는 곡선 형상을 갖는다. 이것은 예컨대 도 18에 도시되어 있다.
그러나, 이것은 반드시 그러할 필요는 없다. 예컨대, 도 19에 도시된 바와 같이, 일실시예에서, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)는 중첩하는 세그먼트로 이루어진다. 일실시예에서, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)는 접선 방향으로 중첩하는 복수의 실질적으로 정지 상태의 서브 렌즈(1421)를 포함한다. 여기에서, 접선 방향으로 중첩한다는 표현은 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142)를 방사상 방향을 따라 볼 때에 실질적으로 정지 상태의 렌즈가 연속적인 것으로 보인다는 것을 의미한다.
일실시예에서는, 복수의 실질적으로 정지 상태의 서브 렌즈(1421)의 각각이 일직선이다. 그러나, 일실시예에서는, 실질적으로 정지 상태의 서브 렌즈(1421)의 하나 이상이 곡선형이다. 특히, 이 곡선은 프레임(8)의 접선 방향을 따를 수 있다.
도 20은 커넥터가 자신의 연결부로부터 플랜지(62)까지 연장하는 플랜지 연결 부분(95)을 샤프트(70)의 축방향에서의 중앙부(94)쪽에 포함하는 실시예를 도시하고 있다. 일실시예에서, 커넥터(90)는 커넥터(90)가 플랜지(62)에 연결되는 위치(92)보다는 샤프트(70)의 축방향에서의 중앙부(94)에 더 근접한 위치에서 샤프트(70)에 연결된다.
커넥터는 돌기(201)를 포함한다. 일실시예에서, 돌기(201)는 커넥터(90)의 "힌지" 포인트에 위치된다. 돌기(201)의 원심력은 커넥터가 프레임(8)의 회전 동안 직선화되게 하는데 도움을 준다. 이것은 플랜지(62)의 팁에서의 변형을 더 적게 한다. 커넥터(90)는 한 피스의 재료로 형성되거나 또는 서로 부착된 여러 개의 부분에 의해 형성될 수 있다. 예컨대, 일실시예에서, 돌기(201)는 커넥터(90)의 나머지와 분리된 피스의 재료로 형성된다. 일실시예에서, 돌기는 커넥터(90)의 나머지보다 높은 밀도를 갖는 재료로 형성된다.
일실시예에서, 하나 이상의 렌즈(141, 181)가 실린더 렌즈(cylinder lens)를 포함한다. 실린더 렌즈는 접선 방향 또는 방사상 방향 중의 하나의 방향으로만 방사 빔을 포커싱하는데 적합하다. 이 기능을 수행하는데 적합한 다른 타입의 렌즈가 이용될 수도 있다.
일실시예에서, 실질적으로 정지 상태의 렌즈(142, 182)는 실린더 렌즈를 포함한다. 일실시예에서, 렌즈(141, 181)는 방사상 방향으로 연장한다. 이것은 예컨대 도 18 및 도 19에 도시되어 있다.
본 발명의 실시예는 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)를 더욱 최적화된 레이아웃으로 배열함으로써 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)의 개수를 예컨대 거의 40%만큼 감소시킬 수 있다.
본 발명의 실시예는, 방사상 방향에서의 위치설정이 레이저-파이어링 타이밍(laser-firing timing)(즉, 자기 발광 콘트라스트 디바이스(4)가 턴온되고 턴오프되는 타이밍)에 의해 조작될 수 있고, 필요한 경우에 조정될 수 있는 실질적으로 정지 상태의 광학장치에 의해 접선 위치설정이 고정되기 때문에, 방사 빔의 더욱 정확한 위치설정을 가능하게 할 수 있다.
본 발명의 실시예는 인터레이스 프린팅을 가능하게 한다. 이것은 외란(disturbance)에 대한 통합 성질로 인한 국부적인 외란에 대해 덜 민감하게 한다.
디바이스 제조 방법에 따라, 디스플레이, 집적회로 또는 임의의 다른 아이템과 같은 디바이스는 패턴이 위에 투영되는 기판으로부터 제조될 수 있다.
본 명세서에서는 집적회로(IC)의 제조에 있어서 리소그래피 장치 또는 노광 장치의 사용예에 대해 특정하게 언급하였지만, 본 명세서에서 설명된 리소그래피 장치 또는 노광 장치는 집적된 광 시스템, 자기 도메인 메모리(magnetic domain memory)용 유도 및 검출 패턴, 평판 디스플레이, 액정 디스플레이(LCD), 박막 자기 헤드 등의 제조와 같은 기타 응용예들을 가질 수 있음을 이해하여야 한다. 당업자라면, 이러한 다른 응용예의 맥락에서, 본 명세서에서의 "웨이퍼" 또는 "다이"와 같은 어떠한 용어의 사용도 각각 "기판" 또는 "타겟 부분"과 같은 좀더 일반적인 용어의 동의어로 간주될 수 있음을 이해할 것이다. 본 명세서에서 언급되는 기판은, 노광 전후에, 예컨대 트랙(전형적으로 기판에 레지스트층을 도포하고 노광된 레지스트를 현상하는 장치), 계측 장비, 및/또는 검사 장치에서 처리될 수 있다. 적용 가능한 곳에서, 이러한 기판 처리 장치와 기타 기판 처리 장치에 본 명세서의 개시 내용이 적용될 수 있다. 또한, 예컨대 다층 집적회로를 생성하기 위하여 기판이 복수 회 처리될 수 있으므로, 본 명세서에 사용되는 기판이라는 용어는 이미 복수 회 처리된 층들을 포함하고 있는 기판을 지칭할 수도 있다.
문맥이 허용하는 곳에서의 "렌즈"라는 용어는 굴절성, 회절성, 반사성, 자기성, 전자기성, 및 정전성 광 콤포넌트 또는 이들의 조합을 포함하는 다양한 타입의 광 콤포넌트들 중의 어느 하나를 지칭할 수도 있다.
위의 설명은 예시를 위한 것으로 본 발명을 제한하지 않는다. 그러므로, 아래에 정해진 청구항의 범위에서 벗어나지 않고서도 전술한 바와 같은 본 발명에 대하여 수정이 이루어질 수도 있다는 것은 당업자에게는 자명할 것이다.

Claims (15)

  1. 축을 중심으로 회전하도록 구성되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임에 있어서,
    샤프트; 및
    축에 대하여 각도를 이루며 방사상의 외측으로 연장되고, 렌즈를 유지하도록 구성된 플랜지를 포함하며,
    상기 플랜지가 상기 샤프트의 상위 부분과 하위 부분 사이에 위치되며, 상기 상위 부분 및 상기 하위 부분은 회전 동안 상기 상위 부분에 의해 상기 플랜지에 가해지는 모멘트가 상기 하위 부분에 의해 상기 플랜지에 가해지는 모멘트와 반대이고 이를 상쇄하도록 구성된,
    리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 상위 부분의 횡단면이 상기 하위 부분의 횡단면과 상이한, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 상위 부분의 횡단면이 상기 하위 부분의 횡단면에 대응하는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  4. 축을 중심으로 회전하도록 구성되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임에 있어서,
    샤프트; 및
    축에 대하여 각도를 이루며 방사상의 외측으로 연장되고, 렌즈를 유지하도록 구성된 플랜지를 포함하며,
    회전 동안, 상기 플랜지의 축방향에서의 일측 상의 상기 샤프트의 부분이 상기 플랜지에 모멘트를 가하지 않고,
    상기 플랜지는 상기 축으로부터의 거리가 R0인 내측 에지와, 상기 축으로부터의 거리가 R1인 외측 에지를 가지며, 상기 프레임에 인접한 상기 샤프트의 부분은 상기 축으로부터의 거리가 R2인 내측 에지와, 상기 축으로부터의 거리가 R3인 외측 에지를 가지며, R0와 R1의 곱과 R2와 R3의 곱의 차이가 10% 이하인,
    리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  5. 축을 중심으로 회전하도록 구성되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임에 있어서,
    샤프트; 및
    축에 대하여 각도를 이루며 방사상의 외측으로 연장되고, 렌즈를 유지하도록 구성된 플랜지를 포함하며,
    상기 플랜지는 상기 샤프트의 축방향에서의 중앙부를 바라보는 상기 플랜지의 표면 상의 리세스 또는 돌출 림(rim)을 포함하며,
    상기 리세스는 상기 플랜지의 주변부를 상기 프레임의 나머지로부터 부분적으로 분리시켜 상기 플랜지의 부분적으로 분리된 주변부의 비대칭적 서스펜션을 제공하고, 그로 인해 상기 프레임의 회전 중에 발생하는 플랜지 휘어짐을 상쇄하는 카운터 모멘트를 제공하고,
    상기 돌출 림은 상기 플랜지와 상기 샤프트 사이의 연결부 상에 카운터 모멘트를 가하고, 상기 카운터 모멘트는 상기 프레임의 회전 중에 발생하는 플랜지의 휘어짐을 상쇄하는,
    리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  6. 축을 중심으로 회전하도록 구성되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임에 있어서,
    샤프트; 및
    축에 대하여 각도를 이루며 방사상의 외측으로 연장하고, 렌즈를 유지하도록 구성된 플랜지를 포함하며,
    상기 플랜지는 상기 플랜지보다 더욱 플렉서블한 커넥터에 의해 상기 샤프트에 연결되며,
    상기 플랜지는 상기 샤프트에 의해 가해진 모멘트로부터 적어도 부분적으로 디커플링되는,
    리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 커넥터는 상기 플랜지보다 얇은, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  8. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 플랜지는, 회전 동안 상기 커넥터가 플레스(flex)하도록 상기 커넥터에 의해 상기 샤프트에 연결되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  9. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    회전 동안, 축을 따른 상기 플랜지의 위치가 변화하는 회전 속도(varying rotational speed)에 걸쳐 일정하도록 상기 커넥터가 플렉스하도록 구성되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  10. 제6항 또는 제7항에 있어서,
    상기 커넥터는, 연결부로부터 상기 샤프트까지 연장하는 샤프트 연결 부분을 상기 샤프트의 축방향에서의 중앙부쪽에 포함하는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 커넥터는 상기 커넥터가 상기 샤프트에 연결되는 위치보다 상기 샤프트의 축방향에서의 중앙부에 더 근접한 위치에서 상기 플랜지에 연결되는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 커넥터는 연결부에서부터 상기 플랜지까지 연장하는 플랜지 연결 부분을 상기 샤프트의 축방향에서의 중앙부쪽에 포함하는, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  13. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 플랜지는 상기 축으로부터의 거리가 R0인 내측 에지와, 상기 축으로부터의 거리가 R1인 외측 에지를 가지며, 상기 프레임에 인접한 상기 샤프트의 부분은 상기 축으로부터의 거리가 R2인 내측 에지와, 상기 축으로부터의 거리가 R3인 외측 에지를 가지며, R0와 R1의 곱과 R2와 R3의 곱의 차이가 10% 이하인, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 R0와 R1의 곱은 상기 R2와 R3의 곱과 동등한, 리소그래피 장치에 사용하기 위한 회전 가능 프레임.
  15. 삭제
KR1020147029049A 2012-04-11 2013-01-30 리소그래피 장치용 회전 가능 프레임 KR101688444B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261622922P 2012-04-11 2012-04-11
US61/622,922 2012-04-11
PCT/EP2013/051800 WO2013152877A1 (en) 2012-04-11 2013-01-30 Rotatable frame for a lithographic apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140144225A KR20140144225A (ko) 2014-12-18
KR101688444B1 true KR101688444B1 (ko) 2016-12-21

Family

ID=47683714

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147029049A KR101688444B1 (ko) 2012-04-11 2013-01-30 리소그래피 장치용 회전 가능 프레임

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20150034788A1 (ko)
JP (1) JP5922838B2 (ko)
KR (1) KR101688444B1 (ko)
NL (1) NL2010204A (ko)
WO (1) WO2013152877A1 (ko)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4692603A (en) 1985-04-01 1987-09-08 Cauzin Systems, Incorporated Optical reader for printed bit-encoded data and method of reading same
JP2006191062A (ja) 2004-12-28 2006-07-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2011104175A1 (en) * 2010-02-23 2011-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS645016A (en) * 1987-06-26 1989-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd Scanning type projection aligner
US7012768B2 (en) * 2000-12-27 2006-03-14 Ntn Corporation Optical pick-up
WO2007142215A1 (ja) * 2006-06-05 2007-12-13 Bridgestone Corporation 防振装置
CN102203674B (zh) 2008-09-22 2015-08-12 Asml荷兰有限公司 光刻设备、可编程图案形成装置和光刻方法
EP2359193B1 (en) * 2008-12-05 2013-02-13 Micronic Mydata AB Rotating arm for writing an image on a workpiece
US8570613B2 (en) * 2009-03-06 2013-10-29 Micronic Laser Systems Ab Lithographic printing system with placement corrections
JP5598936B2 (ja) * 2009-09-01 2014-10-01 マイクロニック アーベー パターン生成システム
WO2013029879A1 (en) * 2011-08-30 2013-03-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, method of setting up a lithographic apparatus and device manufacturing method
NL2009902A (en) * 2011-12-27 2013-07-01 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4692603A (en) 1985-04-01 1987-09-08 Cauzin Systems, Incorporated Optical reader for printed bit-encoded data and method of reading same
JP2006191062A (ja) 2004-12-28 2006-07-20 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置及びデバイス製造方法
WO2011104175A1 (en) * 2010-02-23 2011-09-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Also Published As

Publication number Publication date
JP5922838B2 (ja) 2016-05-24
US20150034788A1 (en) 2015-02-05
NL2010204A (en) 2013-10-15
KR20140144225A (ko) 2014-12-18
WO2013152877A1 (en) 2013-10-17
JP2015516681A (ja) 2015-06-11
US20160349628A1 (en) 2016-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI494708B (zh) 微影裝置、可程式化之圖案化器件及微影方法
KR101680130B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
JP5815869B2 (ja) リソグラフィ装置、リソグラフィ装置のセットアップ方法、及びデバイス製造方法
KR101607181B1 (ko) 리소그래피 노광 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101688444B1 (ko) 리소그래피 장치용 회전 가능 프레임
KR101633761B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
KR101501967B1 (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법
US8896815B2 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101671418B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법, 및 감쇠기를 제조하는 방법
KR101643679B1 (ko) 가요성 기판의 로딩 방법 및 리소그래피 장치
KR101616764B1 (ko) 리소그래피 장치, 디바이스 제조 방법, 및 컴퓨터 프로그램
KR20140099474A (ko) 리소그래피 장치 및 디바이스 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)