KR101678647B1 - 광학 근접 효과 보상 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 광학 근접 효과의 보상 방법은 제 1 원본 레이아웃을 설계하는 단계와, 상기 제 1 원본 레이아웃에 대해 디자인 룰을 체크하는 단계와, 상기 제 1 원본 레이아웃에 대해 에어리얼 이미지 인텐시티 맵(aerial image intensity map)을 작성하는 단계와, 상기 제 1 원본 레이아웃의 ILS(image log slope) 커브의 진폭변동(oscillation) 정도가 특정 임계값 이하가 될 때까지 상기 제 1 원본 레이아웃의 타겟을 재설정(retargeting)하여 제 2 원본 레이아웃을 설계하는 단계와, 상기 제 2 원본 레이아웃에 대하여 광학 근접 효과를 보상하는 단계와, 광학 근접 효과가 보상된 상기 제 2 원본 레이아웃에 대하여 검증하는 단계와, 상기 제 2 원본 레이아웃에 대하여 마스크를 제작하는 단계를 포함하여, X축과 Y축이 교차하는 패턴을 강한 OAI를 이용하여 패터닝하는 경우에도 에어리얼 이미지의 진폭변동 현상을 최소화함으로써 패터닝 마진을 향상시켜 반도체 소자의 특성을 향상시키는 효과를 제공한다.

Description

광학 근접 효과 보상 방법{Method for processing optical proximity correction}
본 발명은 광학 근접 효과의 보상 방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 에어리얼 이미지의 진폭변동 현상 최소화하는 광학 근접 효과의 보상 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조하기 위해 포토 리소그라피 공정에 사용되는 패턴을 형성하기 위해서는 노광장비, 감광막 등과 함께 노광마스크가 요구된다. 노광마스크란 반도체 기판에 반복적으로 패턴을 형성하기 위하여 사용되는 원판으로서, 축소 투영 비율에 따라 4배 내지 5배 크기의 크롬 패턴의 형성된 석영판으로 이루어진 것이다. 이러한 레티클 상의 패턴은 동일한 레이아웃(layout) 패턴에 대하여 동일한 임계치수를 가져야 한다. 즉 패턴의 충실성(fidelity)이 레티클 제작에 중요한 요소가 되는 것이다. 최근 반도체 소자의 선폭이 감소함에 따라 이러한 충실성의 요구는 더욱더 증대되고 있다.
한편, 반도체 소자의 고집적화로 인하여 점차 패턴이 미세해짐에 따라 노광공정을 통하여 반도체 기판에 투영되는 패턴들은 실제 노광마스크 패턴의 이미지와 다르게 된다. 특히 노광마스크 패턴들 중에서 이웃하는 패턴과의 간격이 가까운 경우에는 이웃하는 패턴들 서로에게 영향을 주어 패턴을 왜곡하여 구현한다. 이러한 현상을 광학 근접 효과라고 한다.
이러한 광학 근접 효과는 레이아웃을 이용한 시뮬레이션을 통하여 얻어지는 컨투어 이미지(contour image)를 이용하여 실제 패터닝공정을 수행하지 아니하고 실제 웨이퍼에서 구현되는 패턴의 이미지를 예측하여, 레이아웃의 임계치수(critical dimension)가 갖는 특정 스펙(specification)을 만족하지 못하는 취약지점(weak point)을 유발시킨다. 보다 구체적으로 취약지점은 수많은 공정 변수에 따라 레이아웃의 임계치수와 컨투어이미지의 임계치수가 일치하지 않는 지점을 의미한다. 이때, 취약지점들이 쉽게 유발되는 영역은 이웃하는 패턴들의 간격이 좁은 패턴들이거나, 폭이 좁은 패턴들을 포함한다.
특히, 반도체 소자의 고집적화로 인해 강한 OAI(off axis illumination)을 사용하면서 2D 레이아웃의 경우에는 컨투어 떨림 현상(contour ringing effecting)이 발생하여, 일반적인 광학 근접 효과 보상(optical proximity effect crrrection)으로는 에어리얼 이미지 인텐시티(aerial image intensity)의 진폭변동(oscillation)을 피할 수 없다. 이러한 진동으로 인해 패터닝 마진이 감소하는 문제가 있다.
도 1a는 2D 레이아웃을 나타낸 도면이고, 도 1b는 2D 원본 레이아웃에 대한 에어리얼 이미지를 나타낸 도면이고, 도 1c는 2D 원본 레이아웃에 대한 에어리얼 인텐시티 프로파일을 나타낸 그래프이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, X축과 Y축이 교차하는 패턴을 포함하는 원본 레이아웃을 강한 OAI를 이용하여 패터닝하는 경우 하나의 축방향(Y축 방향)에 대하여 인텐시티 진폭변동(oscillation)현상이 유발되어 도 1b에 도시된 바와 같이, 에어리얼 이미지에도 진폭변동(oscillation) 현상을 유발하여 점선과 같은 형태의 에어리얼 이미지가 아닌 실선과 같은 형태의 에어리얼 이미지를 구현하여 패터닝 마진이 열화된다. 이러한 에어리얼 이미지의 인텐시티의 프로파일은 도 1c의 'A'와 같이 열화되는 문제가 있다.
본 발명은 X축과 Y축이 교차하는 패턴의 경우 강한 OAI을 이용하여 패터닝하는 경우 에어리얼 이미지의 진폭변동 현상을 유발하여 패터닝 마진을 저하시키는 문제를 해결하고자 한다.
본 발명의 광학 근접 효과의 보상 방법은 제 1 원본 레이아웃을 설계하는 단계와, 상기 제 1 원본 레이아웃에 대해 디자인 룰을 체크하는 단계와, 상기 제 1 원본 레이아웃에 대해 에어리얼 이미지 인텐시티 맵(aerial image intensity map)을 작성하는 단계와, 상기 제 1 원본 레이아웃의 ILS(image log slope) 커브의 진폭변동(oscillation) 정도가 특정 임계값 이하가 될 때까지 상기 제 1 원본 레이아웃의 타겟을 재설정(retargeting)하여 제 2 원본 레이아웃을 설계하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 원본 레이아웃은 X축 및 Y축이 교차하는 패턴을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 디자인 룰을 체크하는 단계는 디자인 룰(design rule)의 규칙에 부합되는지 여부를 확인하는 검사 과정인 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 특정 임계값은 상기 제 1 원본 레이아웃의 크기 및 형태에 따라 달라지는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 2 원본 레이아웃을 형성하는 단계는 상기 제 1 원본 레이아웃의 폭을 좁히거나 넓히는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 1 원본 레이아웃의 상기 ILS(image log slope) 커브의 진폭변동(oscillation) 정도는 상기 제 2 원본 레이아웃의 상기 ILS(image log slope) 커브의 진폭변동(oscillation) 정도보다 큰 것을 특징으로 한다.
그리고, 제 2 원본 레이아웃을 설계하는 단계 이후, 상기 제 2 원본 레이아웃에 대하여 광학 근접 효과를 보상하는 단계와, 상기 제 2 원본 레이아웃에 대하여 마스크를 제작하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 제 2 원본 레이아웃에 대하여 광학 근접 효과를 보상하는 단계 이후, 상기 광학 근접 효과가 보상된 상기 제 2 원본 레이아웃에 대하여 검증하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 검증하는 단계는 프로세스 윈도우 조건에서 결함의 여부를 검증하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 프로세스 윈도우 조건은 베스트 컨디션(best condition), 디포커스(defocus), 오버 도즈(over dose) 또는 언더 도즈(under dose)의 조건을 포함하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 상기 결함은 병목(necking) 또는 브리지(bridge)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명은 X축과 Y축이 교차하는 패턴을 강한 OAI를 이용하여 패터닝하는 경우에도 에어리얼 이미지의 진폭변동 현상을 최소화함으로써 패터닝 마진을 향상시켜 반도체 소자의 특성을 향상시키는 효과를 제공한다.
도 1a는 2D 원본 레이아웃을 나타낸 도면.
도 1b는 2D 원본 레이아웃에 대한 에어리얼 이미지를 나타낸 도면.
도 1c는 2D 원본 레이아웃에 대한 에어리얼 인텐시티 프로파일을 나타낸 그래프.
도 2는 본 발명에 따른 광학 근접 효과의 보상 방법을 나타낸 순서도.
도 3a은 제 1 원본 레이아웃을 나타낸 도면.
도 3b는 제 1 원본 레이아웃에 대한 에어리얼 이미지 인텐시티 맵을 나타낸 도면.
도 3c는 도 3b에서 화살표가 표시된 부분에 대한 에어리얼 인텐시티 프로파일(ILS 커브)을 나타낸 그래프.
도 3d는 제 2 원본 레이아웃을 나타낸 도면.
도 3e는 제 2 원본 레이아웃에 대한 에어리얼 이미지 인텐시티 맵을 나타낸 도면.
도 3f는 제 2 원본 레이아웃에 대한 에어리얼 인텐시티 프로파일을 나타낸 그래프.
도 3g는 광학 근접 효과가 보상된 제 2 원본 레이아웃을 나타낸 도면.
도 3h는 광학 근접 효과가 보상된 제 2 원본 레이아웃에 대한 패터닝 이미지 도면.
이하에서는 본 발명에 따라 첨부된 실시예를 참조하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명에 따른 광학 근접 효과의 보상 방법을 나타낸 순서도이다.
먼저, 제 1 원본 레이아웃(Original layout,100)을 설계한다(S100). 여기서, 제 1 원본 레이아웃은 X축과 Y축이 교차하는 패턴을 포함하는 것이 바람직하다. 예를들면, 도 3a와 같은 형태의 제 1 원본 레이아웃을 포함하는 것이 바람직하다. 제 1 원본 레이아웃은 다양한 형태 및 크기의 폴리곤(polygon) 패턴들을 반도체 소자의 회로를 구성하는 데 요구되는 위치 및 형태로 배치시킴으로써 구성된다. 이를 위해 다양한 폴리곤 패턴들을 필요한 위치에 배치(placement)시키고 루트(route)로 연계시키는 과정이 반복 수행되는 것이 일반적이다.
이어서, 제 1 원본 레이아웃(100)에 대한 디자인 룰 체크(Design Rule check,DRC) 공정을 수행한다(S110).
디자인 룰 체크는 제 1 원본 레이아웃을 설계한 후, 설계된 제 1 원본 레이아웃에 대해 디자인 룰(design rule)의 규칙 듀티(duty)에 부합되는 지 여부를 확인하는 검사 과정이다. 제 1 원본 레이아웃의 최소 이격 간격(minimum space), 최소 라인 선폭(minimum line width) 또는 최소 오버랩(minimum overlap) 등에 대해 설정된 규칙 듀티(duty)를 이용하여, 제 1 원본 레이아웃에 에러(error)가 유발될 수 있는 지점, 즉, 핫 스팟(hot spot)을 검출하기 위해 수행되고 있다. 이때, 디자인 룰 체크 과정은 구현하고자 하는 회로 패턴의 목표 라인 선폭 및 목표 이격 간격에 적용될 디자인 룰의 듀티가 수치 등으로 리스트(list)된 룰 테이블(rule table) 또는 룰 파일(rule file)을 이용하여, 검사 지점에서의 설계된 제 1 원본 레이아웃을 구성하는 폴리곤 패턴의 선폭이 룰 테이블 상의 해당 디자인 룰 듀티에 부합되는 지를 판단하고 있다.
이러한 룰 테이블은 제 1 원본 레이아웃 상의 폴리곤 패턴들의 밀도(density)나 크기를 고려하여 검사 지점의 폴리곤 패턴의 선폭이나 이격 간격만을 고려한 듀티들로 작성된다. 예컨대, 룰 테이블은 선폭 및 이격간격만을 변수로 고려한 테스트 패턴(test pattern)들에 대해 수행된 테스트 노광 과정의 결과 데이터(data)를 이용하여, 해당 선폭 및 이격 간격을 구현하는 데 적용될 듀티를 추출하고, 이러한 듀티들을 해당 선폭 및 이격 간격에 대해 리스트되게 구성되고 있다.
그 다음, 제 1 원본 레이아웃에 대한 에어리얼 이미지 인텐시티 맵(aerial image intensity map)을 작성한다(S120).
에어리얼 이미지는 상용 시뮬레이션 툴을 이용해 설계된 제 1 원본 레이아웃 데이터에 노광 장비 조건을 주어 얻어지는 에이리얼 이미지를 말한다. 따라서, 에어리얼 이미지에 포함된 패턴들은 설계된 샘플 패턴에 대한 형상만 출력되는 것이 바람직하다. 에어리얼 이미지를 시뮬레이션 하기 위해서는 마스크 상의 레이아웃은 물론 노광 장비의 노광 조건 예를 들어, NA(Numerical Aperture), σ(partial coherence factor) 등이 요구되며, 이들을 통해서 에이러얼 이미지를 사전에 예측할 수 있다. 본 단계에서 얻어지는 에어리얼 이미지 인텐시티 맵은 원본 레이아웃에 대한 패턴을 그대로 에어리얼 이미지화한 상태이기 때문에 도 3b에 도시된 바와 같이 원본 레이아웃 보다 심하게 왜곡된 형태로 구현될 수 있다.
그 다음, 도 3c에서와 같이, 에어리얼 이미지 인텐시티 맵에 대해 ILS(image log slope)의 진폭 변동(oscillation) 정도(ILS 커브의 폭,α)를 측정하고 특정 임계값과 비교하여 ILS의 진폭변동 정도가 특정 임계값보다 작은지 판단한다(S130). 여기서, 특정 임계값은 패턴의 크기 또는 형태에 따라 상이한 값을 가지므로 한정할 수 없다. ILS의 진폭변동 정도가 특정 임계값보다 작은 경우(Yes)에는 원본 레이아웃에 대한 광학 근접 효과 보상을 수행하는 단계(S140)으로 이동하고, ILS의 진폭변동 정도가 특정 임계값보다 큰 경우(No)에는 제 1 원본 레이아웃의 타겟을 재설정하는 단계(S150)로 이동한다.
본 단계에서의 ILS는 제 1 원본 레이아웃에 대한 패턴을 그대로 에어리얼 이미지화한 상태에서 측정되었기 때문에 도 3c의 'B'와 같이 ILS 커브의 진폭변동(oscillation)이 심하게 나타난다. 이와 같이 ILS 커브의 진폭변동이 심하게 나타나 ILS 커브의 변동폭(α)이 특정 임계값보다 큰 경우에는 판단(No)하고, 제 1 원본 레이아웃의 타겟을 재설정하는 단계(S150)로 이동한다. 이하에서는 제 1 원본 레이아웃의 타겟을 재설정하는 단계(S150)에 대해 자세히 설명한다.
제 1 원본 레이아웃의 타겟을 재설정하는 단계(S150)는 ILS 커브의 진폭변동 정도를 최소화하는 것으로 도 3d에 도시된 바와 같이 제 1 원본 레이아웃의 폭을 좁히거나 넓히는 것이 적용될 수 있다. 이와 같이 제 1 원본 레이아웃의 타겟을 재설정함으로써 X축과 Y축이 교차하는 패턴에서 유발되는 ILS 커브의 진폭변동을 최소화하여 패터닝 마진을 향상시킬 수 있다. 이하에서는 편의상 타겟이 재설정된 제 1 원본 레이아웃을 '제 2 원본 레이아웃(100a)'이라 한다.
그 다음, 제 2 원본 레이아웃(100a)에 대해서 도 3e에 도시된 바와 같이 에어리얼 이미지 인텐시티 맵을 작성한다(S120). 여기서, 제 2 원본 레이아웃(100a)에 대한 에어리얼 이미지 인텐시티 맵은 원본 레이아웃(100)에 대한 에어리얼 이미지 인텐시티 맵 보다 패턴의 왜곡 정도가 심하지 않다. 즉, 원본 레이아웃(100)의 형상과 거의 유사한 형상을 나타낸다. 이어서, 도 3f와 같이, 제 2 원본 레이아웃(100a)의 에어리얼 이미지 인텐시티 맵에 대한 ILS 프로파일을 측정하여 ILS 커브의 진폭변동 정도(ILS 커브의 폭)가 특정 임계값 보다 작은지 판단한다(S130).
본 단계에서는 제 2 원본 레이아웃에 대한 ILS를 나타내기 때문에 도 3c의 'B'에 도시된 ILS 커브의 폭(α)보다 작은 폭(β)을 갖는다. 이는 X축과 Y축이 교차하는 패턴에서 패터닝 마진이 향상되어 패턴의 왜곡 정도가 작아짐을 의미한다.
이와 같이, X축과 Y축이 교차하는 패턴에서 패터닝 마진이 향상된 제 2 레이아웃(100a)에 대하여 광학 근접 효과를 보상한다(S140). 여기서 광학 근접 효과 보상은 도 3g에 도시된 바와 같이, 제 1 원본 레이아웃의 형태로 웨이퍼 상에 구현될 수 있도록 하는 작업으로, 종래의 광학 근접 효과 보상 방법과 동일하다. 즉, 제 1 원본 레이아웃과 동일한 형태로 웨이퍼 상에 구현되지 않고 왜곡된 형태로 구현된 패턴을 통하여 캘리브레이션을 수행한 후, 시뮬레이션 모델링함으로써 원본 레이아웃에 가까운 최종패턴의 이미지를 얻을 수 있도록 하는 작업이다. 참고로 캘리브레이션은 노광마스크 패턴 해상도 이하의 패턴들을 추가하거나 제거하는 방법을 사용하여 원본 레이아웃과 왜곡된 패턴의 차이를 최소화시키는 과정으로 이해될 수 있다. 예를 들면, 라인-엔드 처리(line-end treatment) 또는 산란 바 삽입(insertion of scattering bars)이 사용된다. 상기 라인-엔드 처리는 라인 패턴의 끝단부가 라운딩되는 문제를 극복하기 위해, 코너 세리프 패턴(coner serif pattern) 또는 해머 패턴(hammer pattern)을 추가하는 방법이고, 상기 산란 바 삽입은 패턴 밀도에 따른 패턴의 선폭 변화를 최소화하기 위해 분해능 이하의 산란바들(sub-resolution scattering bars)을 추가하는 방법이다.
그 다음, 광학 근접 효과의 보상이 정확하게 이루어졌는지 검증(Verification)한다(S160).
본 단계에서는 초점 심도(Depth Of Focus), 노광 크기(Exposure Latitude) 마진을 확보한 마스크를 제작하기 위하여 프로세스 윈도우(process window) 조건(condition)에서 핫 스팟 결함(hot spot defect)의 여부를 검증하는 것이 바람직하다. 예를들면 베스트 컨디션, 디포커스, 오버 도즈(over dose), 언더 도즈(under dose)에서 병목(necking), 브리지(bridge) 등의 결함이 있는지에 대한 검증하는 것이 바람직하다.
그 다음, 검증된 제 2 원본 레이아웃에 대하여 마스크 제작을 수행한다(S170). 이와 같이 제작된 마스크를 이용한 패터닝으로 형성된 패턴의 이미지는 도 3h를 참조한다. 도 3h의 이미지는 도 3a의 제 1 원본 레이아웃(100)로부터 큰 왜곡됨 없이 거의 유사한 형태를 가짐을 알 수 있다. 이는 X축과 Y축이 교차하는 패턴에서 ILS의 진폭변동 정도를 최소화함으로써 반도체 소자의 특성을 향상시킬 수 있다.
본 발명은 기재된 실시예에 한정하는 것이 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않는 한 다양하게 수정 및 변형을 할 수 있음은 당업자에게 자명하다고 할 수 있는 바, 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속하는 것이다.

Claims (11)

  1. 제 1 원본 레이아웃을 설계하는 단계;
    상기 제 1 원본 레이아웃에 대해 디자인 룰을 체크하는 단계;
    상기 제 1 원본 레이아웃에 대해 제 1 에어리얼 이미지 인텐시티 맵(aerial image intensity map)을 작성하는 단계;
    상기 제 1 에어리얼 이미지 인텐시티 맵에 대한 ILS(image log slope) 커브의 진폭변동(oscillation) 정도를 특정 임계값과 비교하는 단계; 및
    상기 ILS 커브의 진폭변동 정도가 상기 임계값 보다 큰 경우 상기 제 1 원본 레이아웃의 타겟을 재설정(retargeting)하여 제 2 원본 레이아웃을 설계하고, 상기 ILS 커브의 진폭변동 정도가 상기 임계값 보다 작은 경우 상기 제 1 원본 레이아웃에 대한 광학 근접 효과 보상을 수행하는 단계를 포함하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  2. 청구항 2은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 원본 레이아웃은
    X축 및 Y축이 교차하는 패턴을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  3. 청구항 3은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 디자인 룰을 체크하는 단계는
    디자인 룰(design rule)의 규칙에 부합되는지 여부를 확인하는 검사 과정인 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  4. 청구항 4은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 특정 임계값은
    상기 제 1 원본 레이아웃의 크기 및 형태에 따라 달라지는 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  5. 청구항 5은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 원본 레이아웃을 형성하는 단계는
    상기 제 1 원본 레이아웃의 폭을 좁히거나 넓히는 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  6. 청구항 6은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 원본 레이아웃의 상기 ILS(image log slope) 커브의 진폭변동(oscillation) 정도는 상기 제 2 원본 레이아웃의 상기 ILS(image log slope) 커브의 진폭변동 (oscillation) 정도보다 큰 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  7. 청구항 7은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 1에 있어서,
    상기 제 2 원본 레이아웃을 설계한 이후,
    상기 제 2 원본 레이아웃에 대해 제 2 에어리얼 이미지 인텐시티 맵을 작성하는 단계; 및
    상기 제 2 에어리얼 이미지 인텐시티 맵에 대한 ILS 커브의 진폭변동 정도를 상기 임계값과 비교하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  8. 청구항 8은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 7에 있어서,
    상기 제 2 에어리얼 이미지 인텐시티 맵에 대한 상기 ILS 커브의 진폭변동 정도가 임계값 보다 작은 경우 상기 제 2 원본 레이아웃에 대한 광학 근접 효과 보상을 수행하는 단계; 및
    상기 광학 근접 효과 보상된 상기 제 2 원본 레이아웃에 대하여 검증하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 8에 있어서,
    상기 검증하는 단계는
    프로세스 윈도우 조건에서 결함의 여부를 검증하는 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  10. 청구항 10은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 9에 있어서,
    상기 프로세스 윈도우 조건은
    베스트 컨디션(best condition), 디포커스(defocus), 오버 도즈(over dose) 또는 언더 도즈(under dose)의 조건을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
  11. 청구항 11은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    청구항 9에 있어서,
    상기 결함은 병목(necking) 또는 브리지(bridge)를 포함하는 것을 특징으로 하는 광학 근접 효과의 보상 방법.
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