KR100746630B1 - 광 근접 효과 보정 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 목표 패턴들의 원본 레이아웃을 설계하고, 레이아웃을 웨이퍼 상으로 전사하는 과정에 사용되는 최적 조건(best condition) 및 최적 조건에서 벗어나는 편심 조건(de-centered condition)들에 대한 패턴 전사 모델들을 모델링(modeling)하고, 최적 조건의 모델을 이용하여 원본 레이아웃에 대한 1차 광 근접 효과 보정(OPC)을 수행한 후, 편심 조건의 모델을 이용하여 검증(verification)하고, 검증에서 얻어진 레이아웃 에러(error)를 수정하는 2차 광 근접 효과 보정을 편심 조건의 모델을 이용하여 수행하여 광 근접 효과 보정 방법(OPC)을 제시한다. 본 발명에 따른 광 근접 효과 보정 방법은 공정허용범위(process margin)를 고려한 보정으로, 공정 변동에 대해 안정된 마스크 레이아웃을 제공할 수 있다.
OPC, 모델 베이스 접근, 최적 조건 모델링, 공정허용범위, 디포커스

Description

광 근접 효과 보정 방법{Method for optical proximity correction}
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광 근접 효과 보정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 공정허용범위(process window)를 고려한 광근접효과보정 모델링(modeling)을 위한 노광 변수 조건들을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 광근접 효과 보정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 레이아웃(layout)들이다.
본 발명은 반도체 소자 제조에 관한 것으로, 특히, 포토 마스크(photo mask) 제작 시 사용되는 광 근접 효과 보정(OPC: Optical Proximity Correction) 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 집적도가 증가함에 따라 소자에 요구되는 패턴의 크기가 급격히 축소되고 있다. 이에 따라, 패턴 형성을 위한 포토(photo) 리소그래피(lithography) 과정에서 해상력 제약에 의해, 패턴을 전사(transfer) 중에 왜 곡(distortion) 현상이 극심해지고 있다. 따라서, 리소그래피 과정의 제약을 극복하는 방법으로 광 근접 효과를 보정(OPC)과 같은 해상력을 증가시켜 하는 기술(RET; Resolution Enhancement Technology)들이 제시되고 있다.
OPC는 광 근접 효과(OPE)를 고려하여 웨이퍼 상에 전사하고자 하는 목표 패턴(target pattern)의 레이아웃을 보정하는 것으로 이해될 수 있다. 이러한 OPC 방법 중 모델 베이스(Model-based) 접근 방식은, 리소그래피 과정에서 고려된 최적 조건(best condition)을 추출하고, 이러한 최적 조건에서 추출된 데이터(data)를 이용하여 캘리브레이션(calibration)하고, 캘리브레이션된 모델을 이용하여 최적 조건의 리소그래피 과정을 고려하여 설계자의 의도에 따라 실제 패터닝이 구현되도록 마스크 레이아웃을 수정하는 과정으로 이해될 수 있다.
이때, OPC 과정은 우선적으로 패턴 전사 과정의 모델을 구하게 되는 데, 이때, 패턴을 전사하는 과정에 영향을 미치는 변수들을 고려하여 이러한 모델이 구현된다. 이때, 패턴 전사 과정에 고려되는 조건 변수들로 여러 요소들이 고려될 수 있으나, 실질적으로, 노광 과정에 사용되는 노광원의 노광 에너지(energy) 및 포커스(focus) 정도인 디포커스(defocus) 변수가 주로 고려될 수 있다. 또한, 실제 모델은 우선적으로 최적의 디포커스 및 최적의 노광 에너지를 추출하여 이러한 노광 시 최적 조건을 반영하여 실제 패턴 전사 모델이 구성되고 있다. 즉, 현재 상용화된 OPC 장비는 하나의 조건(또는 최적 조건)에서 성립된 모델, 즉, 최적 모델(best model)을 이용하여 OPC가 수행되도록 구성되고 있다.
이때, 최적 조건 또는 최적 모델은, 웨이퍼 상으로 전사하고자 설계된 패턴 이 실제 웨이퍼 상에 다른 조건 보다 정교하고 보다 더 일치하게 전사하는 것으로 평가되는 어느 하나의 조건 또는 이에 따라 구성된 모델로 이해될 수 있다.
이와 같이 최적 조건에서 설계 구현된 최적 모델을 이용하여 OPC를 수행할 경우, 실제 노광 과정이 최적 조건에서 수행될 경우에 대해서는 비교적 정확하게 모델 적용이 가능한 이점이 있다. 그런데, 실제 노광 과정을 포함하는 패턴 전사 과정에서는 웨이퍼 상의 영역 모두가 최적 조건에 해당되게 공정을 진행하기는 매우 어렵다. 즉, 웨이퍼 영역에 따른 노광 조건 등의 공정 변수의 어느 정도의 변동(variation)이 수반된다.
따라서, 실제 패턴 전사 과정에서는 실제 허용되는 공정 마진(process margin) 또는 공정허용범위(PW: Process Window)를 보다 더 확보하는 것이 매우 중요하게 인식되고 있다. 더욱이 웨이퍼 상에 실제 구현하고자 하는 패턴의 선폭(CD)이 매우 미세해짐에 따라, 패턴 전사 과정의 공정 마진이 보다 더 협소해지고 보다 정교한 패턴 전사가 요구됨에 따라, 이러한 공정 허용 범위(PW)를 확보하는 것이 매우 중요하게 인식되고 있다.
그런데, 최적 조건에서 고려된 모델 OPC의 경우, 최적 조건을 고려하여 전체적인 OPC 과정이 수행되고 있으므로, 최적 조건 이외의 패턴 전사 조건(또는 디포커스 또는 노광 에너지를 고려한 노광 조건), 즉, 최적 조건이 아닌 편심 조건(deviated condition)으로 전사된 패턴에 대해서는 적절한 OPC가 고려되지 못한 문제가 발생될 수 있다. 이는 실제 패턴 전사 과정에서 고려되는 공정 마진 또는 공정 허용 범위(PW)를 전혀 고려하지 않고, OPC 과정이 수행되는 데 주로 기인한 다. 따라서, 실제 패턴 전사 과정에서의 약간의 공정 변동(process variation)이 발생할 경우, 이러한 OPC 결과는 실질적으로 유효하지 못할 수 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 웨이퍼 상으로 보다 정교하게 패턴을 전사하도록 허용할 수 있는 마스크 레이아웃(mask layout)의 광 근접 효과 보정 방법을 제시하는 데 있다.
상기의 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명의 일 관점은, 목표 패턴들의 원본 레이아웃을 설계하는 단계, 상기 레이아웃을 웨이퍼 상으로 전사하는 과정에 사용되는 최적 조건 및 상기 최적 조건에서 벗어나는 편심 조건들에 대한 패턴 전사 모델들을 모델링(modeling)하는 단계, 상기 최적 조건의 모델을 이용하여 상기 원본 레이아웃에 대한 1차 광 근접 효과 보정(OPC)을 수행하는 단계, 상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃에 대해 상기 편심 조건의 모델을 이용하여 검증(verification)하는 단계, 및 상기 검증에서 얻어진 레이아웃 에러(error)를 수정하는 2차 광 근접 효과 보정을 수행하는 단계를 포함하는 광 근접 효과 보정 방법을 제시한다.
또 다른 본 발명의 일 관점은, 목표 패턴들의 원본 레이아웃을 설계하는 단계, 상기 레이아웃을 웨이퍼 상으로 전사하는 과정에 사용되는 최적 조건 및 상기 최적 조건에서 벗어나는 편심 조건들에 대한 패턴 전사 모델들을 모델링(modeling)하는 단계, 상기 최적 조건의 모델을 이용하여 상기 원본 레이아웃에 대한 1차 광 근접 효과 보정(OPC)을 수행하는 단계, 상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃에 대해 상기 편심 조건의 모델을 이용하여 검증(verification)하는 단계, 상기 검증 데이터로부터 상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃으로부터 에러 영역을 추출하는 단계, 상기 에러 영역에 대해 상기 편심 조건의 모델을 이용하여 2차 광 근접 효과 보정하는 단계, 상기 2차 광 근접 효과 보정 부분을 검사하는 단계, 및 상기 에러 영역의 상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃 부분을 상기 2차 광 근접 효과 보정된 레이아웃 부분으로 교체하는 단계를 포함하는 광 근접 효과 보정 방법을 제시한다.
상기 편심 조건은 상기 최적 조건에 비해 상기 패턴 전사 과정의 공정 마진(process margin) 내의 디포커스(defocus)된 조건이거나 언더 도즈(under dose) 에너지 조건 또는 오버 도즈(over dose) 노광 에너지 조건을 포함하여 설정될 수 있다.
상기 모델들 각각은 상기 최적 조건 또는 상기 편심 조건들에 의해 상기 원본 레이아웃의 상기 웨이퍼 상으로 전사된 패턴들의 선폭(CD)들의 데이터들을 반영하여 모델링될 수 있다.
상기 레이아웃 에러 또는 상기 에러 영역은 상기 검증 결과로부터 추출되는 포커스깊이(DOF), 마스크에러개선요소(MEEF), 노광 관용도(EL) 또는 선폭(CD) 값들을 고려하여 설정될 수 있다.
상기 2차 광 근접 효과 보정은 상기 편심 조건의 모델을 이용하여 수행될 수 있다.
상기 2차 광 근접 효과 보정 부분을 검사하는 단계는, 상기 에러 영역의 상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃 부분을 상기 2차 광 근접 효과 보정된 레이아웃 부분과 비교하는 단계, 상기 레이아웃들 간에 차이나는 분석 영역을 설정하는 단계, 및 상기 분석 영역에 대해 포커스깊이(DOF), 마스크에러개선요소(MEEF) 또는 선폭(CD)에 대해 검사하여 레이아웃의 적절성 여부를 검사하는 단계를 포함하여 수행될 수 있다.
본 발명에 따르면, 웨이퍼 상으로 보다 정교하게 패턴을 전사하도록 허용할 수 있는 마스크 레이아웃(mask layout)의 광 근접 효과 보정 방법을 제시할 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어져서는 안 된다. 본 발명의 실시예들은 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것으로 해석되는 것이 바람직하다.
본 발명의 실시예에서는, 공정허용범위(PW)를 고려한 광 근접 효과 보정(OPC) 모델을 수립하고, 수립된 PW-OPC 모델을 이용하여 OPC 및 검증(verification)을 수행한다. 이에 따라, 안정된 OPC 모델을 수행할 수 있다.
구체적으로, 패턴 전사 과정에서 최적 조건으로 고려하여 설정하고, 최적 조건에서 변동되는 조건을 편심 조건(deviated condition 또는 de-centered condition)으로 설정하고, 각각의 조건들에 대해서 모델링(modeling)을 위한 데이 터(data), 예컨대, 실제 웨이퍼 상으로 전사된 패턴의 선폭(CD) 측정 데이터 등을 추출한다. 추출된 데이터를 이용하여 최적 조건에 대한 최적 모델 및 편심 조건들에 대한 편심 모델(de-centered model)들을 포함하는 PW-OPC 모델을 작성한다.
작성된 PW-OPC 모델을 적용하기 위해서, 우선적으로 정상적인 조건, 즉, 최적 조건 및 이에 대해 수립된 최적 모델을 이용하여 1차 OPC를 수행한다. 이후에, 특정 거리(예컨대, 광 근접 효과에 영향을 받지 않을 거리, 즉, 대략 5×노광 파장λ 보다 큰 거리)를 나누어, 디포커스 혹은 언더(또는 오버) 도즈(under/over dose) 조건에서 모델 베이스 검증을 수행하고, 수행된 검증 결과를 바탕으로 포커스깊이(DOF: Depth Of Focus)와 마스크에러개선요소(MEEF: Mask Error Enhancement Factor) 값 등을 구한다.
이러한 DOF 또는 MEEF 값을 이용하여 문제가 발생될 수 있는 특정 영역(critical region)을 추출(classify)하고, 추출된 부분에 대해 다시 편심된 조건을 통해 OPC를 수행한다. 각각에서 구해진 레이아웃들의 CD를 기준으로 다시 미세한 최적화 작업을 수행한다. 즉, DOF, MEEF 및 CD를 측정하여 레이아웃의 적절성 여부를 판단한다. 이에 따라, 최적화된 레시피(recipe)를 구하고, 이러한 레시피를 이용하여 최종적인 OPC를 수행한다.
이와 같이 본 발명의 실시예에서는 공정 마진 또는 공정허용범위(PW)를 고려한 OPC를 수행할 수 있다. 이에 따라, 공정의 변화가 발생하더라도 특정 마진 영역 내에서 보다 안정적으로 공정을 수행할 수 있다. 따라서, 마스크 수정(revision) 회수를 감소시킬 수 있으며, 이에 따라, 마스크 제작에 소요되는 시간을 줄일 수 있다. 또한, 이러한 방법은 패턴 밀집도가 상대적으로 밀집(dense)한 한계 영역에 적절한 모델을 만들고, 또한, 상대적으로 느슨한(loose) 영역에 적절한 모델을 만들어 검증 및 최적화를 수행하도록 변형될 수도 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 따른 광 근접 효과 보정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 공정 흐름도이다. 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 공정허용범위(PW)를 고려한 광근접효과보정 모델을 위한 노광 변수 조건들을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 도면이다. 도 3 내지 도 10은 본 발명의 실시예에 따른 광 근접 효과 보정 방법을 설명하기 위해서 개략적으로 도시한 레이아웃들이다.
도 1을 참조하면, 웨이퍼 상에 전사하고자 하는 목표(target) 패턴 레이아웃을 위한 원본 마스크 레이아웃을 설계하고, 원본 레이아웃(original layout)을 웨이퍼 상으로 전사하여 형성된 시험 패턴(test pattern)들에 대해 모델 수립을 위한 모델링 데이터, 예컨대, 선폭(CD)을 측정 추출한다. 이러한 추출된 모델링 데이터를 이용하여 공정허용범위(PW) OPC 모델을 수립한다(110).
이때, 패턴 전사 과정에서의 공정 변수, 예컨대, 디포커스 또는 노광 에너지 등과 같은 노광 변수 조건들을 달리하여 여러 공정 조건에서 모델링 데이터를 추출한다. 패턴 전사 과정의 주요 공정 변수로 디포커스 정도 및 노광 에너지와 같은 노광 변수를 고려할 수 있다. 이때, 실제 공정에 사용될 조건으로 설정되는 조건을 최적 조건(best condition: 210)으로 고려할 수 있다. 이러한 최적 조건(210)은 최적 포커스(best focus) 및 최적 노광 에너지의 값들을 포함하는 조건으로 이해될 수 있다.
이러한 최적 조건(210)에 대해서 벗어나거나 편심된 조건들은, 예컨대 포지티브 디포커스(positive defocus) 조건(231)이나 마이너스 디포커스 조건(233) 또는 오버 노광 에너지 조건(over dose or over exposure energy: 235), 언더 노광 에너지 조건(under exposure energy; 237) 등으로 고려될 수 있다. 실제 노광 과정에서 최적 조건(210)으로 노광 과정 또는 장비를 설정하여 노광을 수행하더라도, 실제 웨이퍼 상에는 이러한 편심된 조건들이 적용되는 영역들이 존재하게 된다.
본 발명의 실시예에서는 이러한 최적 조건(210) 및 편심 조건들 각각에서의 OPC 모델들을 수립한다. 이러한 OPC 모델들은, 각각 최적 조건(210) 및 이러한 최적 조건(210)이 아닌 편심 조건의 공정 조건에서 모델링 데이터, 예컨대, 실제 시험 패턴들의 선폭 측정 데이터들을 추출하고, 이를 통해 추출된 데이터를 이용하여 모델링된다. 이와 같은 OPC 모델은 공정 허용 범위(PW)가 고려된 OPC 모델로 이해될 수 있다.
이후에, 최적 조건에 대해 설립된 OPC 모델, 즉, 최적 모델을 이용하여 1차 OPC를 원본 레이아웃에 대해서 수행한다(도 1의 120). 이에 따라, 도 3에 제시된 바와 같은 어떤 특정 패턴의 레이아웃(310)을 포함하는 1차 OPC된 레이아웃(300)이 설정된다. 1차 OPC된 레이아웃(300)은 제시된 특정 패턴의 레이아웃(310) 이외에 다른 여러 패턴들에 대한 레이아웃을 함께 포함하고 있는 것으로 이해될 수 있다. 또한, 1차 OPC된 레이아웃(300)은 최적 조건의 최적 모델을 이용하여 검증된 레이아웃으로 이해될 수 있다. 따라서, 이와 같은 과정은 일반적인(normal) OPC 과정과 대등한 과정으로 이해될 수 있다.
이후에, 1차 OPC된 레이아웃(300)에 대해서 최적 모델이 아닌 편심 조건에 의해 수립된 편심 모델을 이용하여 바람직하게 모델 베이스 검증(verification)을 수행한다(도 1의 130). 종래의 경우에서는 최적 모델만을 이용하므로, 검증 시 최적 모델을 이용하는 데 비해, 본 발명의 실시예에서는 최적 모델이 아닌 편심 모델을 이용한다.
이때, 검증에 이용되는 편심 모델은 편심 조건들 중 어느 하나 또는 다수, 또는 모든 조건들에 해당되는 편심 모델을 의미할 수 있다. 예컨대, 포지티브 디포커스 조건(231)이나 언더 또는 오버 노광 에너지 조건(237 또는 235)에서 모델 베이스 검증을 수행한다. 이때, 특정 거리, 예컨대, 예컨대, 광 근접 효과에 영향을 받지 않을 거리, 즉, 대략 5×노광 파장λ 보다 큰 거리로 레이아웃(300)을 나누어, 즉, 그리드(grid)로 나누어 모델 베이스 검증을 수행할 수 있다.
특정 패턴의 제1레이아웃(310)에 대한 모델 베이스 방식에 의한 시뮬레이션(simulation) 검증 결과는, 도 4에 제시된 바와 같이, 등고선(contour) 형태(410, 431, 437)로 얻어질 수 있다. 이때, 최적 조건(도 2의 210)의 경우 제1등고선(410)으로 얻어질 수 있으며, 디포커스 조건(231)이 경우 제2등고선(431)으로, 언더 노광 에너지 조건(235)의 경우 제3등고선(437)으로 검증 결과가 얻어질 수 있다.
이러한 검증 결과를 바탕으로 DOF 또는 MEEF, CD, 노광 관용도(EL: Exposure Latitude) 등의 값들을 구한다. 이때, DOF 및 MEEF, CD 등의 허용 범위를 고려하여 에러 영역(error region: A)을 설정한다. 예컨대, CD 한계(limitation), DOF 한계 및 MEEF 한계를 고려하여 에러 영역(A)을 설정한다. 에러 영역(A) 설정 시 판단 기준(criteria)의 예로는, CD 한계는 목표 패턴 선폭에 대해 3% 이상 편차를 가지는(또는 작거나) 경우로 고려될 수 있고, DOF 한계는 0.3㎛ 보다 작은 경우로 고려될 수 있으며, MEEF 한계의 경우 2보다 작을 경우를 고려하여, 이러한 한계 값들이 발생되는 영역을 에러 영역(A)으로 설정한다.
도 4에 제시된 에러 영역(A)의 경우, 최적 조건(도 2의 210)에 대한 검증 결과의 제1등고선(410)과 디포커스 편심 조건(도 2의 231)에 대한 제2등고선(431)은 여러 부분에서 이러한 한계들이 검출되는 것으로 이해될 수 있다. 따라서, 이러한 제1레이아웃(310)을 포함하는 영역(A)을 에러 영역(A)으로 설정한다. 이후에, 도 5에 제시된 바와 같이 에러 분석(error analysis)을 위해 에러 영역(A)을 추출(cut)한다(도 1의 140).
추출된 에러 영역(A)에 대해 편심 조건, 바람직하게는 디포커스 편심 조건(231)에 대한 편심 모델을 이용하여 2차 OPC를 수행한다(도 1의 150). 즉, 제1레이아웃(도 3의 310)을 편심 모델 OPC한다. 이에 따라, 도 6에 제시된 바와 같은 2차 OPC 결과 레이아웃인 제2레이아웃(320)이 얻어진다.
이후에, 최적 조건 모델 OPC된 제1레이아웃(310)과 편심 조건 모델 OPC된 제2레이아웃(320)의 결과를 도 7에 제시된 바와 같이 비교한다(도 1의 160). 이와 같은 비교를 통해 분석을 수행할 분석 영역(B)을 도 8에 제시된 바와 같이 설정한다(도 1의 170). 분석 영역(B)은 제1 및 제2레이아웃(310, 320)에서 차이가 나는 부분으로 설정될 수 있다.
이후에, 에러 영역(A)에서의 제1 및 제2레이아웃(310, 320) 차이가 나는 분석 영역(B)에 대해서 제2레이아웃(320)에 대한 적절성 여부를 분석 또는 검사(check)를 도 9에 제시된 바와 같이 수행한다(도 1의 180). 이때, 이러한 검사는 DOF, MEEF 또는 CD를 추출 검사하여, DOF, MEEF 또는 CD 한계에 대해 적절한지 여부를 판단하는 것으로 이해될 수 있다. 검사 지점(500)은 실질적으로 분석 영역(B)에 설정되는 것으로 이해될 수 있다.
이러한 검사 과정을 통해 제2레이아웃(320)의 분석 영역(B) 부분이 적절한 지 여부를 판단하여 레이아웃을 최적화(optimization)시킨다. 즉, 분석 영역(B)의 검사 지점(500)에서 추출된 DOF, MEEF 및 CD 값이 DOF, MEEF 및 CD 한계에 충족되지 않을 경우, 2차 OPC 과정을 다시 수행하게 된다. 이러한 검사 과정에서 제2레이아웃(320)이 적절한 것으로 판단될 경우, 제1레이아웃(320)을 포함하는 에러 영역(A)을 영역 선택 및 교체(select and replacement)를 통해 2차 OPC된 제2레이아웃(320)으로 교체한다(도 1의 190). 이에 따라, 도 10에 제시된 바와 같이 교체된 영역(A')에 제2레이아웃(320)을 포함하는 전체 레이아웃(300')이 구현된다.
이와 같이 얻어진 최종 레이아웃(300')은 최적 조건에 대해서 벗어나는 편심 조건, 예컨대, 디포커스 조건이 고려된 OPC, 즉, PW-OPC가 수행된 결과로 이해될 수 있다. 따라서, 실제 패턴 전사 과정에서 공정 변화가 발생되더라도, 공정 마진 영역 내에서는 보다 안정적으로 공정을 진행할 수 있다. 예컨대, 특정 영역에서 최적 포커스에서 벗어난 디포커스가 발생하더라도, 이러한 디포커스 조건이 이미 OPC 과정에서 반영되어 있으므로, 실제 웨이퍼 상에 구현되는 패턴은 애초에 설계한 패 턴으로 구현될 수 있다. 이에 따라, 공정 마진 내에서 안정적인 패턴 구현이 가능하다. 따라서, 마스크 수정 횟수 감소 및 이에 따른 마스크 제작에 소요되는 시간의 감소를 구현할 수 있다.
상술한 본 발명에 따르면, 패턴 전사 과정의 공정 마진을 고려한 OPC를 수행하여, 공정의 변화가 발생될 경우에도 특정 마진 영역 내에서는 보다 안정적인 공정을 구현할 수 있다. 이에 따라, 마스크 수정 횟수의 감소 및 마스크 제작 시간의 감소를 구현할 수 있다.
이상, 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않고, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함이 명백하다.

Claims (11)

  1. 목표 패턴들의 원본 레이아웃을 설계하는 단계;
    상기 레이아웃을 웨이퍼 상으로 전사하는 과정에 사용되는 최적 조건 및 상기 최적 조건에서 벗어나는 편심 조건들에 대한 패턴 전사 모델들을 모델링(modeling)하는 단계;
    상기 최적 조건의 모델을 이용하여 상기 원본 레이아웃에 대한 1차 광 근접 효과 보정(OPC)을 수행하는 단계;
    상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃에 대해 상기 편심 조건의 모델을 이용하여 검증(verification)하는 단계; 및
    상기 검증에서 얻어진 레이아웃 에러(error)를 수정하는 2차 광 근접 효과 보정을 수행하는 단계를 포함하는 광 근접 효과 보정 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 편심 조건은 상기 최적 조건에 비해 상기 패턴 전사 과정의 공정 마진(process margin) 내의 디포커스(defocus)된 조건이거나 언더 도즈(under dose) 에너지 조건 또는 오버 도즈(over dose) 노광 에너지 조건을 포함하여 설정되는 광 근접 효과 보정 방법.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 모델들 각각은 상기 최적 조건 또는 상기 편심 조건들에 의해 상기 원본 레이아웃의 상기 웨이퍼 상으로 전사된 패턴들의 선폭(CD)들의 데이터들을 반영하여 모델링되는 광 근접 효과 보정 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 레이아웃 에러는 상기 검증 결과로부터 추출되는 포커스깊이(DOF), 마스크에러개선요소(MEEF), 노광 관용도(EL) 또는 선폭(CD) 값들을 고려하여 설정되는 광 근접 효과 보정 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 2차 광 근접 효과 보정은 상기 편심 조건의 모델을 이용하여 수행되는 광 근접 효과 보정 방법.
  6. 목표 패턴들의 원본 레이아웃을 설계하는 단계;
    상기 레이아웃을 웨이퍼 상으로 전사하는 과정에 사용되는 최적 조건 및 상기 최적 조건에서 벗어나는 편심 조건들에 대한 패턴 전사 모델들을 모델링(modeling)하는 단계;
    상기 최적 조건의 모델을 이용하여 상기 원본 레이아웃에 대한 1차 광 근접 효과 보정(OPC)을 수행하는 단계;
    상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃에 대해 상기 편심 조건의 모델을 이 용하여 검증(verification)하는 단계;
    상기 검증 데이터로부터 상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃으로부터 에러 영역을 추출하는 단계;
    상기 에러 영역에 대해 상기 편심 조건의 모델을 이용하여 2차 광 근접 효과 보정하는 단계;
    상기 2차 광 근접 효과 보정 부분을 검사하는 단계; 및
    상기 에러 영역의 상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃 부분을 상기 2차 광 근접 효과 보정된 레이아웃 부분으로 교체하는 단계를 포함하는 광 근접 효과 보정 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 편심 조건은 상기 최적 조건에 비해 상기 패턴 전사 과정의 공정 마진(process margin) 내의 디포커스(defocus)된 조건이거나 언더 도즈(under dose) 에너지 조건 또는 오버 도즈(over dose) 노광 에너지 조건을 포함하여 설정되는 광 근접 효과 보정 방법.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 모델들 각각은 상기 최적 조건 또는 상기 편심 조건들에 의해 상기 원본 레이아웃의 상기 웨이퍼 상으로 전사된 패턴들의 선폭(CD)들의 데이터들을 반영하여 모델링되는 광 근접 효과 보정 방법.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 에러 영역은 상기 검증 결과로부터 추출되는 포커스깊이(DOF), 마스크에러개선요소(MEEF), 노광 관용도(EL) 또는 선폭(CD) 값들을 고려하여 에러 발생 부분을 포함하게 설정되는 광 근접 효과 보정 방법.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 2차 광 근접 효과 보정은 상기 편심 조건의 모델을 이용하여 수행되는 광 근접 효과 보정 방법.
  11. 제6항에 있어서,
    상기 2차 광 근접 효과 보정 부분을 검사하는 단계는
    상기 에러 영역의 상기 1차 광 근접 효과 보정된 레이아웃 부분을 상기 2차 광 근접 효과 보정된 레이아웃 부분과 비교하는 단계;
    상기 레이아웃들 간에 차이나는 분석 영역을 설정하는 단계; 및
    상기 분석 영역에 대해 포커스깊이(DOF), 마스크에러개선요소(MEEF) 또는 선폭(CD)에 대해 검사하여 레이아웃의 적절성 여부를 검사하는 단계를 포함하는 광 근접 효과 보정 방법.
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