KR101668873B1 - Organic light emitting diode display device - Google Patents

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KR101668873B1 KR1020090120187A KR20090120187A KR101668873B1 KR 101668873 B1 KR101668873 B1 KR 101668873B1 KR 1020090120187 A KR1020090120187 A KR 1020090120187A KR 20090120187 A KR20090120187 A KR 20090120187A KR 101668873 B1 KR101668873 B1 KR 101668873B1
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Abstract

본 발명은 유기전계발광표시장치를 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 복수개의 서브 픽셀 영역이 구획된 기판; 및 상기 기판의 서브 픽셀 영역에 버퍼층, 액티브층, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 게이트 전극, 층간절연막, 보호층 및 오버코트층을 포함하는 어레이 영역과, 상기 어레이 영역 상부에 애노드 전극과, 적색, 녹색 및 청색 유기발광층이 적층된 백색 유기발광층 및 캐소드 전극을 포함하는 유기발광다이오드 영역을 포함하고, 상기 백색 유기발광층은 상기 적색, 녹색 및 청색 유기발광층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 청색 유기발광층은 상기 애노드 전극과 인접하고, 상기 적색과 녹색 유기발광층들은 상기 캐소드 전극과 인접하도록 형성된 것을 특징으로 한다.The present invention discloses an organic electroluminescent display device. The organic electroluminescent display of the present invention comprises: a substrate on which a plurality of sub-pixel regions are partitioned; And an array region including a buffer layer, an active layer, a gate insulating film, a source / drain electrode, a gate electrode, an interlayer insulating film, a protective layer and an overcoat layer in a sub pixel region of the substrate, an anode electrode on the array region, Wherein the organic light emitting diode includes a white organic light emitting layer in which a green organic light emitting layer and a blue organic light emitting layer are stacked, and an organic light emitting diode region including a cathode electrode, wherein the white organic light emitting layer has the red, green, and blue organic light emitting layers sequentially laminated, And the red and green organic light emitting layers are adjacent to the cathode electrode.

본 발명은 백색 유기발광층을 포함하는 유기발광다이오드 영역에서 적, 녹, 청색 파장대의 광스펙트럼을 얻을 수 있도록 설계하고, TFT를 포함하는 어레이 영역에서는 적, 녹, 청색 파장 대에서 각각 가장 높은 투과율 특성을 갖도록 설계하여 투과율 특성과 색재현율 특성을 개선한 효과가 있다.The present invention is designed to obtain an optical spectrum of red, green and blue wavelength ranges in an organic light emitting diode region including a white organic light emitting layer. In the array region including TFTs, the highest transmittance characteristic So that the transmittance characteristic and the color reproducibility characteristic are improved.

유기전계발광, 백색, 파장, 투과율, 색재현 Organic electroluminescence, white, wavelength, transmittance, color reproduction

Description

유기전계발광표시장치{ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an organic light-

본원 발명은 유기전계발광표시장치에 관한 것이다.The present invention relates to an organic light emitting display.

최근에 평판표시장치의 표시품질을 높이고 대화면화를 시도하는 연구들이 활발히 진행되고 있다. 이들 중 전계발광표시장치는 스스로 발광하는 자발광 소자이다. 전계발광표시장치는 전자 및 정공 등의 캐리어를 이용하여 형광물질을 여기 시킴으로써 비디오 영상을 표시하게 된다. 이 전계발광표시장치는 사용하는 재료에 따라 무기 전계발광표시장치와 유기 전계발광표시장치로 크게 나누어진다. 상기 유기 전계발광표시장치는 100~200V의 높은 전압을 필요로 하는 무기 전계발광표시장치에 비해 5~20V 정도의 낮은 전압으로 구동됨으로써 직류 저전압 구동이 가능하다.Recently, researches for increasing the display quality of a flat panel display device and attempting to make it larger have been actively conducted. Of these, electroluminescent display devices are self-luminous devices that emit themselves. The electroluminescence display device displays a video image by exciting a fluorescent material using carriers such as electrons and holes. This electroluminescent display device is largely divided into an inorganic electroluminescent display device and an organic electroluminescent display device depending on the material used. The organic light emitting display device can be driven at a low voltage of about 5 to 20 V as compared with an inorganic light emitting display device requiring a high voltage of 100 to 200 V,

또한, 유기 전계발광표시장치는 넓은 시야각, 고속 응답성, 고 콘트라스트비(contrast ratio) 등의 뛰어난 특징이 있으므로, 그래픽 디스플레이의 픽셀(pixel), 텔레비젼 영상 디스플레이나 표면 광원(Surface Light Source)의 픽셀로서 사용될 수 있으며, 얇고 가벼우며 색감이 좋기 때문에 차세대 평면 디스플레 이로써 적합하다.Since the organic light emitting display device has excellent characteristics such as a wide viewing angle, a high speed response, and a high contrast ratio, the pixel of the graphic display, the pixel of the television image display or the surface light source It is thin, light and well-suited for next-generation flat displays.

한편, 이러한 유기 전계발광표시장치의 구동방식으로는 별도의 박막트랜지스터를 구비하지 않는 패시브 매트릭스 방식(Passive matrix type)과, 박막트랜지스터를 구비하는 액티브 매트릭스형 전계발광표시장치로 구분된다.The driving method of the organic light emitting display device is classified into a passive matrix type which does not include a separate thin film transistor, and an active matrix type electroluminescence display device which includes a thin film transistor.

최근에는 고해상도나 대화면을 요구하는 차세대 디스플레이 제조를 위한 액티브 매트릭스형 전계발광표시장치가 사용되고 있다.In recent years, an active matrix type electroluminescent display device for a next generation display requiring a high resolution or a large screen has been used.

또한, 종래에는 유기 전계발광표시장치의 서브 픽셀 단위로 적(R), 녹(G), 청(B)색 유기발광층을 형성하여 적색, 녹색, 청색의 서브 픽셀을 단위 픽셀로 사용하였으나, 최근에는 서브 픽셀에 적(R), 녹(G), 청(B)색 유기발광층을 적층하여 백(W) 색 유기발광층을 사용하고 있다.In addition, conventionally, red, green and blue subpixels are used as unit pixels by forming red (R), green (G) and blue (B) organic emission layers in units of subpixels of an organic light emitting display A red (W) color organic light emitting layer is used by laminating red (R), green (G) and blue (B) organic emitting layers on subpixels.

하지만, 백(W)색 유기발광층을 사용하는 경우에는 각각의 서브 픽셀에 대응되도록 기판 상에 적, 녹, 청, 백색 컬러필터층을 형성하고, 이들 컬러필터층들의 표면을 평탄화하기 위하여 오버코트층을 형성하는데, 이로 인하여 서브 픽셀의 투과율과 색재현율이 떨어지는 문제가 발생한다.However, when a white (W) color organic light emitting layer is used, red, green, blue and white color filter layers are formed on the substrate so as to correspond to the respective sub pixels, and an overcoat layer is formed However, this causes a problem that the transmittance and the color recall ratio of the subpixel deteriorate.

즉, 종래와 같이 서브 픽셀 단위로 적색, 녹색, 청색 유기발광층을 형성하는 구조를 기준으로 백색 유기발광층과 컬러필터층을 구비한 유기 전계발광표시장치의 광학 설계를 할 수 없는 문제점이 있다.That is, there is a problem that it is not possible to design an organic light emitting display device including a white organic light emitting layer and a color filter layer based on a structure in which red, green, and blue organic light emitting layers are formed on a subpixel unit basis.

왜냐하면, 구조적으로 컬러필터층과 오버코트층이 삽입되면서 광진행 거리와 경로가 변하였기 때문이다.This is because the structure of the color filter layer and the overcoat layer are inserted so that the light traveling distance and path change.

본 발명은 백색 유기발광층을 포함하는 영역과 박막트랜지스터(TFT: Thin Film Transistor, 이하 "TFT"라함)를 포함하는 어레이 영역을 분리하여 광학 설계를 함으로써 투과율 특성과 색재현율을 향상시킬 수 있는 유기전계발광표시장치를 제공함에 있다.The present invention relates to an organic electroluminescent device capable of improving transmittance characteristics and color reproducibility by separating an area including a white organic light emitting layer and an array area including a thin film transistor (hereinafter referred to as "TFT & Emitting display device.

상기와 같은 과제를 해결하기 위한 본 발명의 유기전계발광표시장치는, 복수개의 서브 픽셀 영역이 구획된 기판; 및 상기 기판의 서브 픽셀 영역에 버퍼층, 액티브층, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 게이트 전극, 층간절연막, 보호층 및 오버코트층을 포함하는 어레이 영역과, 상기 어레이 영역 상부에 애노드 전극과, 적색, 녹색 및 청색 유기발광층이 적층된 백색 유기발광층 및 캐소드 전극을 포함하는 유기발광다이오드 영역을 포함하고,According to an aspect of the present invention, there is provided an organic light emitting display including: a substrate having a plurality of sub-pixel regions defined therein; And an array region including a buffer layer, an active layer, a gate insulating film, a source / drain electrode, a gate electrode, an interlayer insulating film, a protective layer and an overcoat layer in a sub pixel region of the substrate, an anode electrode on the array region, A white organic light emitting layer in which green and blue organic light emitting layers are stacked, and an organic light emitting diode region including a cathode electrode,

상기 백색 유기발광층은 상기 적색, 녹색 및 청색 유기발광층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 청색 유기발광층은 상기 애노드 전극과 인접하고, 상기 적색과 녹색 유기발광층들은 상기 캐소드 전극과 인접하도록 형성된 것을 특징으로 한다.Wherein the white organic emission layer is formed by sequentially laminating the red, green, and blue organic emission layers, the blue organic emission layer is adjacent to the anode electrode, and the red and green organic emission layers are adjacent to the cathode electrode .

여기서, 상기 유기발광다이오드 영역 중 상기 애노드 전극과 백색 유기발광층의 두께는 2000~4000Å의 값을 갖고, 상기 어레이 영역 중 상기 버퍼층, 게이트 절연막, 층간절연막 및 보호층의 적층 두께는 0.5~2㎛의 값을 갖으며, 상기 보호층은 SiO2 계열의 막과 SiNx 계열의 막이 적층된 이중막으로 형성되고, 이들 SiO2 막의 두께는 600~1000Å과 SiNx 막의 두께는 4000~4500Å의 값을 갖는 것을 특징으로 한다.The thickness of the anode electrode and the white organic light emitting layer in the organic light emitting diode region is 2000 to 4000 Å. The thickness of the buffer layer, the gate insulating film, the interlayer insulating film, and the protective layer in the array region is 0.5 to 2 μm And the protective layer is formed of a double layer in which a SiO 2 -based film and a SiN x -based film are laminated, and the thickness of the SiO 2 film is 600 to 1000 Å and the SiN x And the thickness of the film has a value of 4000 to 4500 ANGSTROM.

본 발명은 백색 유기발광층을 포함하는 유기발광다이오드 영역에서 적, 녹, 청색 파장대의 광스펙트럼을 얻을 수 있도록 설계하고, TFT를 포함하는 어레이 영역에서는 적, 녹, 청색 파장 대에서 각각 가장 높은 투과율 특성을 갖도록 설계하여 투과율 특성과 색재현율 특성을 개선한 효과가 있다.The present invention is designed to obtain an optical spectrum of red, green and blue wavelength ranges in an organic light emitting diode region including a white organic light emitting layer. In the array region including TFTs, the highest transmittance characteristic So that the transmittance characteristic and the color reproducibility characteristic are improved.

또한, 본 발명의 백색 유기발광층에 적층된 적, 녹, 청색 유기발광층의 위치를 조절하여 적, 녹, 청색 파장 대의 최고 값들이 포함되는 백색광을 얻을 수 있도록 한 효과가 있다. In addition, the position of the red, green and blue organic light emitting layers deposited on the white organic light emitting layer of the present invention can be adjusted to obtain white light including the highest values of red, green and blue wavelength band.

이하, 본 발명의 실시예들은 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The following embodiments are provided by way of example so that those skilled in the art can fully understand the spirit of the present invention. Therefore, the present invention is not limited to the embodiments described below, but may be embodied in other forms. In the drawings, the size and thickness of the device may be exaggerated for convenience. Like reference numerals designate like elements throughout the specification.

도 1은 본 발명에 따른 백색 유기전계발광표시장치의 구조를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a white organic light emitting display device according to the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 백색 유기전계발광표시장치는 서브 픽셀 단위로 TFT가 형성되어 있는 어레이 영역(X)과, 백색 유기발광층(160) 및 적(R), 녹(G), 청(B), 백(W)색 컬러필터층이 형성된 유기발광다이오드 영역(Y)으로 구분되어 있다.Referring to FIG. 1, the white organic light emitting display device of the present invention includes an array region X in which TFTs are formed in subpixel units, a white organic light emitting layer 160, red (R), green (B), and a white (W) color filter layer is formed.

상기 어레이 영역은 기판(100)이 다수개의 서브 픽셀 영역으로 구분되고, 서브 픽셀 영역에는 TFT가 형성되어 있다. 상기 TFT는 기판(100) 상에 형성된 액티브층(104), 상기 액티브층(104)과 대응되면서 게이트 절연막(102)을 사이에 두고 형성된 게이트 전극(101), 상기 게이트 전극(101)을 사이에 두고 상기 액티브층(104)의 소스 영역과 드레인 영역에 각각 연결되어 있는 소스/드레인 전극(107a,107b)으로 구성되어 있다. 상기 액티브층(104) 형성 전에 기판(100) 상에 버퍼층(미도시)을 추가적으로 형성할 수 있다.In the array region, the substrate 100 is divided into a plurality of sub-pixel regions, and TFTs are formed in the sub-pixel regions. The TFT includes an active layer 104 formed on a substrate 100, a gate electrode 101 formed so as to correspond to the active layer 104 and sandwiching the gate insulating film 102 therebetween, And source / drain electrodes 107a and 107b connected to the source region and the drain region of the active layer 104, respectively. A buffer layer (not shown) may be additionally formed on the substrate 100 before the active layer 104 is formed.

상기 소스/드레인 전극(107a, 107b)은 게이트 전극(101) 상에 형성되어 있는 층간절연막(110) 상에 형성되며, 상기 층간절연막(110)과 게이트 절연막(102)을 관통하여 형성된 콘택홀을 통하여 상기 액티브층(104)의 소스/드레인 영역과 전기적으로 연결되어 있다.The source / drain electrodes 107a and 107b are formed on the interlayer insulating film 110 formed on the gate electrode 101 and have contact holes formed through the interlayer insulating film 110 and the gate insulating film 102 Drain regions of the active layer 104 through the source / drain regions.

또한, 상기 소스/드레인 전극(107a, 107b)이 형성된 기판(100) 상에는 컬러필터층 형성을 위해 추가적으로 보호층(111)이 형성되어 있다.In addition, a protective layer 111 is further formed on the substrate 100 on which the source / drain electrodes 107a and 107b are formed to form a color filter layer.

상기 유기발광다이오드 영역은 어레이 영역에 형성된 보호층(111) 상에 각 서브 픽셀 영역 단위로 적(R), 녹(G), 청(B)색 컬러필터층(180a, 180b, 180c)과 백(W)색 컬러필터층(180d)이 형성되어 있다. 상기 백색 컬러필터층(180d)은 상기 적, 녹, 청색 컬러필터층(180a, 180b, 180c) 상에 형성되는 오버코트층(120)을 사용한다. 즉, 백색 컬러필터층(180d)은 별도의 컬러필터층을 형성하지 않고 백색 서브 픽셀에 대응하는 영역에서 패터닝된 오버코트층(120)을 사용한다.The organic light emitting diode region includes red (R), green (G), and blue (B) color filter layers 180a, 180b, and 180c and a white (B) color filter layer on the protective layer 111 formed in the array region, W) color filter layer 180d are formed. The white color filter layer 180d uses an overcoat layer 120 formed on the red, green and blue color filter layers 180a, 180b and 180c. That is, the white color filter layer 180d uses the patterned overcoat layer 120 in the region corresponding to the white subpixels without forming a separate color filter layer.

상기 적, 녹, 청색 컬러필터층(180a, 180b, 180c)과 백색 컬러필터층(180d) 상에는 유기전계발광다이오드의 애노드(anode) 전극(140)이 형성되어 있고, 상기 애노드 전극(140) 상에는 백색 유기발광층(160)이 서브 픽셀 영역을 구분하는 뱅크층(121)을 사이에 두고 기판(100)의 전면에 형성되어 있다.An anode electrode 140 of an organic electroluminescent diode is formed on the red, green and blue color filter layers 180a, 180b and 180c and the white color filter layer 180d. On the anode electrode 140, A light emitting layer 160 is formed on the entire surface of the substrate 100 with a bank layer 121 for separating sub pixel regions therebetween.

상기 백색 유기발광층(160) 상에는 유기전계발광다이오드의 캐소드(Cathode) 전극(170)이 기판(100)의 전면에 형성되어 있다.A cathode electrode 170 of the organic electroluminescent diode is formed on the white organic light emitting layer 160 on the front surface of the substrate 100.

본 발명의 유기전계발광표시장치는 어레이 영역에서는 적, 녹, 청색 파장 대에서 최대의 투과율을 특성이 나타나도록 두께를 조절하고, 유기발광다이오드 영역에서는 백색 유기발광층 내에 포함된 적색, 녹색, 청색 발광층의 광스펙트럼이 각각 최대가 되도록 하여 투과율과 색재현 특성을 향상시켰다.The organic electroluminescent display device according to the present invention is characterized in that the thickness of the organic light emitting display device is adjusted so that the maximum transmittance is exhibited in the red, green, and blue wavelength bands in the array region, Respectively, to improve the transmittance and color reproduction characteristics.

특히, 유기발광다이오드 영역에서 애노드 전극(140)과 백색 유기발광층(160)을 포함하는 두께를 2000Å~4000Å가 되도록 하고, 백색 유기발광층(160)에 적층된 유기발광층들 중 청색 발광층의 위치를 상기 애노드 전극(140)과 근접하게 배치하여 적색, 녹색, 청색 유기발광층들에서 발생되는 각각의 광파장대에서 최고의 세기(intensity)가 되도록 하였다.Particularly, in the organic light emitting diode region, the thickness including the anode electrode 140 and the white organic light emitting layer 160 is 2000 Å to 4000 Å, and the position of the blue light emitting layer among the organic light emitting layers stacked on the white organic light emitting layer 160 is defined as And disposed near the anode electrode 140 so as to have the highest intensity at each light wave generated in the red, green, and blue organic light emitting layers.

또한, 어레이 영역에서는 기판(100)과 오버코트층(120)을 제외한 두께를 0.5㎛~2㎛가 되도록 설계하여 투과율이 최대가 되도록 설계한다.In addition, in the array area, the thickness except for the substrate 100 and the overcoat layer 120 is designed to be 0.5 탆 to 2 탆 so as to maximize the transmittance.

이에 대한 본 발명의 구체적인 설명은 아래 도 2 내지 도 6의 설명을 참조한다.A specific description of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 6 below.

도 2는 도 1의 A 영역의 유기발광다이오드 구조를 도시한 도면이다.2 is a view showing the structure of the organic light emitting diode in region A of FIG.

도 2를 참조하면, 본 발명의 유기전계발광표시장치의 유기발광다이오드는 애노드 전극(140) 상에 제 1 정공주입/수송층(hole injection/transporting layer:141), 청색 유기발광층(142), 제 1 전자주입/수송층(electron injection/transporting layer: 143), 충전대층(Charge Generation Layer: 144), 제 2 정공주입/수송층(145), 적색/녹색 유기발광층(146), 제 2 전자주입/수송층(147) 및 캐소드 전극(170)이 순차적으로 적층되어 있다.Referring to FIG. 2, the organic light emitting diode of the organic light emitting display of the present invention includes a first hole injection / transport layer 141, a blue organic light emitting layer 142, 1 electron injection / transport layer 143, a charge generation layer 144, a second hole injection / transport layer 145, a red / green organic emission layer 146, a second electron injection / A cathode electrode 147 and a cathode electrode 170 are sequentially stacked.

특히, 본 발명에서는 적색/녹색 유기발광층(146)은 상기 캐소드 전극(170)과 인접한 영역에 배치하고, 청색 유기발광층(142)은 애노드 전극(140)과 인접한 영역에 배치한다.Particularly, in the present invention, the red / green organic light emitting layer 146 is disposed in a region adjacent to the cathode electrode 170, and the blue organic light emitting layer 142 is disposed in an area adjacent to the anode electrode 140.

또한, 도면에 도시된 바와 같이, 캐소드 전극(170)을 제외한 유기발광다이오드의 전체 두께를 2000Å~4000Å가 되도록 설계한다.In addition, as shown in the figure, the organic light emitting diode except for the cathode electrode 170 has a total thickness of 2000 Å to 4000 Å.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 유기발광다이오드에서 적색/녹색 유기발광층과 청색 유기발광층의 광스펙트럼을 도시한 도면이다.3A and 3B are diagrams showing optical spectra of a red / green organic light emitting layer and a blue organic light emitting layer in the organic light emitting diode according to the present invention.

도 3a를 참조하면, 적색/녹색 유기발광층이 유기발광다이오드의 캐소드 전극과 인접하는 경우에는 적색과 녹색 광파장(500nm 이상의 파장대)의 세기가 모두 높 게 나타나고 있음을 볼 수 있다.Referring to FIG. 3A, when the red / green organic light emitting layer is adjacent to the cathode electrode of the organic light emitting diode, the intensity of red and green light wavelengths (wavelength band of 500 nm or more) are all high.

도 3b를 참조하면, 청색 유기발광층이 유기발광다이오드의 애노드 전극과 인접한 구조에서는 청색 광파장(430nm 영역)의 세기가 높게 나타나고 있음을 볼 수 있다.Referring to FIG. 3B, in the structure in which the blue organic light emitting layer is adjacent to the anode electrode of the organic light emitting diode, the intensity of the blue light wavelength (430 nm region) is high.

즉, 본 발명과 같이 적색/녹색 유기발광층을 캐소드 전극과 근접하게 배치하고, 청색 유기발광층을 애노드 전극과 근접하게 배치함으로써, 적색, 녹색 및 청색에 대응하는 광파장들의 각각이 최고의 피크 값을 갖게 된다. 이로 인하여 유기전계발광표시장치의 색재현 특성을 향상시킬 수 있다.That is, by arranging the red / green organic light emitting layer close to the cathode electrode and arranging the blue organic light emitting layer close to the anode electrode as in the present invention, each of the light wavelengths corresponding to red, green and blue has the highest peak value . Accordingly, the color reproduction characteristics of the organic light emitting display device can be improved.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 유기발광다이오드 영역의 두께에 대응하는 광파장의 세기를 도시한 그래프와 측정값들을 나타내는 도면이다.4A and 4B are graphs showing measured values and intensity of light corresponding to the thickness of the organic light emitting diode region of the present invention.

도 4a 및 도 4b를 참조하면, 도 3a와 도 3b에서는 본 발명의 백색 유기발광층에 포함되어 있는 적, 녹, 청색 유기발광층의 위치에 따라 광스펙트럼의 특성을 설명하였다.Referring to FIGS. 4A and 4B, the characteristics of the optical spectrum according to the positions of the red, green, and blue organic light emitting layers included in the white organic light emitting layer of the present invention are illustrated in FIGS. 3A and 3B.

여기서는 본 발명의 유기발광다이오드의 두께에 대응하는 광스펙트럼의 특성을 실험 데이터로 제시하였다.Here, the characteristics of the light spectrum corresponding to the thickness of the organic light emitting diode of the present invention are shown as experimental data.

유기발광다이오드의 영역의 두께가 2360Å에서 2660Å으로 갈수록 도 4a에 도시된 바와 같이 적색, 녹색, 청색 파장대의 피크 값이 모두 높아지고 있음을 볼 수 있다.As shown in FIG. 4A, the peak values of the red, green, and blue wavelength ranges increase as the thickness of the region of the organic light emitting diode decreases from 2360 Å to 2660 Å.

도 4b에 도시한 측정값에서도 본 발명에서 설정한 범위의 두께에서 점점 휘 도가 높아지고 있음으로 볼 수 있다.It can be seen that the measured value shown in FIG. 4B gradually increases in the thickness of the range set in the present invention.

도 5는 도 1의 B 영역을 도시한 도면이다.Fig. 5 is a view showing area B in Fig.

도 5를 참조하면, 오버코트층(120)을 중심으로 하측 방향으로 보호층(111), 층간절연막(110), 게이트 절연막(102), 버퍼층(230)이 기판(100) 상에 순차적으로 적층되어 있다. 상기 버퍼층(230)은 선택적으로 형성 가능하다.5, a protective layer 111, an interlayer insulating layer 110, a gate insulating layer 102, and a buffer layer 230 are sequentially stacked on a substrate 100 in a downward direction around an overcoat layer 120 have. The buffer layer 230 may be selectively formed.

본 발명에서는 상기 기판(100)과 오버코트층(120)을 제외한 버퍼층(230), 게이트 절연막(102) 및 층간절연막(110)의 두께를 0.5㎛~2㎛가 되도록 설계한다.The buffer layer 230, the gate insulating layer 102, and the interlayer insulating layer 110 except for the substrate 100 and the overcoat layer 120 are designed to have a thickness of 0.5 to 2 占 퐉.

상기 오버코트층(120)은 2~5㎛의 두께를 갖고, 보호층(111)은 SiO2 계열과 SiNx 계열의 막을 이중으로 형성한다. 상기 보호층(111)의 SiO2 막의 두께는 500~1500Å, SiNx 막의 두께는 2500~4500Å의 두께를 갖는다. 상기 보호층(111)은 SiNx 계열의 단일막을 사용하는 경에는 4000~4500Å의 두께를 갖는다.The overcoat layer 120 has a thickness of 2 ~ 5㎛, protective layer 111 is to form a film of SiO 2 and SiN x Series series in duplicate. The thickness of the SiO 2 film of the protective layer 111 is 500 to 1500 Å, the thickness of the SiN x The thickness of the film has a thickness of 2500 to 4500 ANGSTROM. The protective layer 111 has a thickness of 4000 to 4500 ANGSTROM when a single film of SiNx series is used.

또한, 층간절연막(110)도 SiO2 막과 SiNx 막을 이중으로 형성하는데, 이들 막의 두께는 2900~3500Å과 200~500Å의 값을 갖는다. SiO2 계열의 막으로 형성하는 게이트 절연막(102)의 두께는 300~800Å의 값을 갖고, 버퍼층(SiO2)을 형성하는 경우에는 1000~4000Å의 두께를 갖도록 형성한다.In addition, the interlayer insulating film 110 also has a SiO 2 film and a SiN x film, both of which have a thickness of 2900 to 3500 Å and a thickness of 200 to 500 Å. The thickness of the gate insulating film 102 formed of a SiO 2 -based film is 300 to 800 Å, and the thickness of the buffer insulating layer 102 is 1000 to 4000 Å when the buffer layer (SiO 2 ) is formed.

도 6은 본 발명의 어레이 영역의 구체적인 두께에 대응하는 투과율 특성을 도시한 도면이다.6 is a diagram showing transmittance characteristics corresponding to a specific thickness of the array region of the present invention.

도 6을 참조하면, 본 발명의 어레이 영역에서 기판과 오버코트층을 제외한 버퍼층, 게이트 절연막 및 층간절연막의 두께를 0.5㎛~2㎛가 되도록 설계하였다.Referring to FIG. 6, the buffer layer, the gate insulating film, and the interlayer insulating film except for the substrate and the overcoat layer are designed to have a thickness of 0.5 to 2 μm in the array region of the present invention.

이 중, 상기 오버코트층의 두께를 2~5㎛로 한 다음, 이중층으로 형성된 보호층은 SiO2 막의 두께는 800Å, SiNx 막의 두께는 4200Å, 이중층으로 형성되는 층간절연막의 SiO2 막의 두께는 3150Å, SiNx 막의 두께는 300Å, 게이트 절연막(SiO2)의 두께는 600Å 및 버퍼층(SiO2)의 두께를 3000Å으로 하였다.Among them, the thickness of the overcoat layer to 2 ~ 5㎛ Next, the protective layer formed of the double layer is SiO 2 film thickness is 800Å, SiN x The thickness of the SiO 2 film of the double-layered interlayer insulating film was 3150 Å, the thickness of the SiN x film was 300 Å, the thickness of the gate insulating film (SiO 2 ) was 600 Å, and the thickness of the buffer layer (SiO 2 ) was 3000 Å.

도면에 도시된 바와 같이, 적색, 녹색, 청색 파장대에서 각각 최대의 투과율을 갖는 것을 볼 수 있다. 즉, 430nm 파장 대역, 480nm 파장 대역, 580nm 파장 대역 및 680nm 파장 대역에서 각각 투과율이 거의 1에 가까운 값을 갖는 것을 볼 수 있다.As shown in the figure, it can be seen that the transmittance is maximum in each of the red, green and blue wavelength ranges. That is, it can be seen that the transmittance is close to 1 in the 430 nm wavelength band, the 480 nm wavelength band, the 580 nm wavelength band and the 680 nm wavelength band, respectively.

특히, 종래 보호층을 SiNX 계열의 단일 막을 사용하는 경우 보다 SiO2 막을 추가한 이중층 막을 사용하는 경우에 적색, 녹색, 청색 투과율 특성이 모두 개선되었음을 볼 수 있다.Particularly, when the double layer film in which the SiO 2 film is added is used as compared with the case where the single protective film of SiN x series is used as the conventional protective layer, the red, green and blue transmittance characteristics are all improved.

도 1은 본 발명에 따른 백색 유기전계발광표시장치의 구조를 도시한 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a structure of a white organic light emitting display device according to the present invention.

도 2는 도 1의 A 영역의 유기발광다이오드 구조를 도시한 도면이다.2 is a view showing the structure of the organic light emitting diode in region A of FIG.

도 3a 및 도 3b는 본 발명에 따른 유기발광다이오드에서 적색/녹색 유기발광층과 청색 유기발광층의 광스펙트럼을 도시한 도면이다.3A and 3B are diagrams showing optical spectra of a red / green organic light emitting layer and a blue organic light emitting layer in the organic light emitting diode according to the present invention.

도 4a 및 도 4b는 본 발명의 유기발광다이오드 영역의 두께에 대응하는 광파장의 세기를 도시한 그래프와 측정값들을 나타내는 도면이다.4A and 4B are graphs showing measured values and intensity of light corresponding to the thickness of the organic light emitting diode region of the present invention.

도 5는 도 1의 B 영역을 도시한 도면이다.Fig. 5 is a view showing area B in Fig.

도 6은 본 발명의 어레이 영역의 구체적인 두께에 대응하는 투과율 특성을 도시한 도면이다.6 is a diagram showing transmittance characteristics corresponding to a specific thickness of the array region of the present invention.

(도면의 주요 부분에 대한 참조 부호의 설명) (Description of Reference Numbers to Main Parts of the Drawings)

X: 어레이 영역 Y: 유기발광다이오드 영역X: array region Y: organic light emitting diode region

100: 기판 102: 게이트 절연막100: substrate 102: gate insulating film

104: 액티브층 101: 게이트 전극104: active layer 101: gate electrode

107a,107b: 소스/드레인 전극 111: 보호층107a, 107b: source / drain electrode 111: protective layer

Claims (10)

복수개의 서브 픽셀 영역이 구획된 기판; 및A substrate on which a plurality of sub-pixel regions are partitioned; And 상기 기판의 서브 픽셀 영역에 버퍼층, 액티브층, 게이트 절연막, 소스/드레인 전극, 게이트 전극, 층간절연막, 보호층 및 오버코트층을 포함하는 어레이 영역과An array region including a buffer layer, an active layer, a gate insulating film, a source / drain electrode, a gate electrode, an interlayer insulating film, a protective layer and an overcoat layer in a sub- 상기 어레이 영역 상부에 애노드 전극과, 적색, 녹색 및 청색 유기발광층이 적층된 백색 유기발광층 및 캐소드 전극을 포함하는 유기발광다이오드 영역을 포함하고,And an organic light emitting diode region including an anode electrode, a white organic light emitting layer in which red, green, and blue organic light emitting layers are stacked, and a cathode electrode on the array region, 상기 백색 유기발광층은 상기 적색, 녹색 및 청색 유기발광층이 순차적으로 적층되어 있고, 상기 청색 유기발광층은 상기 애노드 전극과 인접하고, 상기 적색과 녹색 유기발광층들은 상기 캐소드 전극과 인접하도록 형성되며,Wherein the white organic light emitting layer is formed by sequentially laminating the red, green, and blue organic light emitting layers, the blue organic light emitting layer is adjacent to the anode electrode, the red and green organic light emitting layers are adjacent to the cathode electrode, 상기 보호층과 상기 오버코트층 사이에 서브 픽셀 영역 단위로 형성된 적,녹,청색 컬러필터층을 더 포함하고, 상기 복수의 서브 픽셀 영역 중 백색 서브 픽셀 영역에 대응되는 영역에 배치된 오버코트층을 사용하여 백색 컬러필터층을 형성하는 유기전계발광표시장치.Green, and blue color filter layers formed between the protective layer and the overcoat layer in units of subpixel regions, and using an overcoat layer disposed in a region corresponding to a white subpixel region among the plurality of subpixel regions, And forming a white color filter layer. 제 1 항에 있어서, 상기 유기발광다이오드 영역 중 상기 애노드 전극과 백색 유기발광층의 두께는 2000~4000Å의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display of claim 1, wherein the thickness of the anode and the white organic light emitting layer in the organic light emitting diode region is 2000 to 4000 Å. 제 1 항에 있어서, 상기 어레이 영역 중 상기 버퍼층, 게이트 절연막, 층간 절연막 및 보호층의 적층 두께는 0.5~2㎛의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display device according to claim 1, wherein the thickness of the buffer layer, the gate insulating film, the interlayer insulating film, and the protective layer in the array region has a value of 0.5 to 2 占 퐉. 제 1 항에 있어서, 상기 보호층은 SiO2 계열의 막과 SiNx 계열의 막이 적층된 이중막으로 형성되고, 이들 SiO2 막의 두께는 500~1500Å과 SiNx 막의 두께는 2500~4500Å의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.[2] The method of claim 1, wherein the protective layer is formed of a double-layered SiO 2 -based film and a SiN x -based film, the SiO 2 film having a thickness of 500 to 1500 Å and the SiN x And the thickness of the film has a value of 2500 to 4500 ANGSTROM. 제 1 항에 있어서, 상기 층간절연막은 SiO2 계열의 막과 SiNx 계열의 막이 적층된 이중막으로 형성되고, 이들 SiO2 막의 두께는 2900~3500Å과 SiNx 막의 두께는 200~500Å의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The method of claim 1, wherein the interlayer insulating film is formed of a double-layer film in which a SiO 2 -based film and a SiN x -based film are stacked, and the thickness of the SiO 2 film is from 2900 to 3500 Å and the thickness of the SiN x film is from 200 to 500 Å And the organic light emitting display device. 제 1 항에 있어서, 상기 게이트 절연막의 두께는 300~800Å의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display as claimed in claim 1, wherein the gate insulating layer has a thickness of 300 to 800 ANGSTROM. 제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층은 SiO2 계열의 막으로 형성되고, 두께는 1000~4000Å의 값을 갖는 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치.The organic electroluminescent display device according to claim 1, wherein the buffer layer is formed of a SiO 2 -based film and has a thickness of 1000 to 4000 Å. 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서, 상기 백색 유기발광층은 충전대층을 더 포함하고, 상기 충전대층은 상기 청색 유기발광층과 상기 적색/녹색 유기발광층 사이에 배치되는 유기전계발광표시장치.The organic light emitting display as claimed in claim 1, wherein the white organic light emitting layer further comprises a charging base layer, and the charging base layer is disposed between the blue organic light emitting layer and the red / green organic light emitting layer.
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