KR101862605B1 - Oganic electro-luminesence display panel and manufactucring method of the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상을 억제하면서 효율을 증가시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 라인, 데이터 라인 및 전원 라인이 교차되게 형성되어 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 형성된 구동 박막 트랜지스터와, 상기 구동 박막 트랜지스터와 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 공통층과, 상기 유기 전계 발광 소자 상에 형성된 제2 전극을 구비한 유기 전계 발광 소자와, 상기 녹색 및 청색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 한 영역에 형성되며, 상기 백색 서브 화소 영역에 형성되어 색시야각에 따른 컬러 쉬프트를 보상하는 광보상층을 포함하는 것을 특징으로 한다. The present invention relates to an organic light emitting display panel capable of increasing efficiency while suppressing a color shift phenomenon depending on a viewing angle, and a method of manufacturing the same, wherein the gate line, the data line and the power supply line are crossed to form red, green, A first electrode connected to the driving thin film transistor; an organic common layer formed on the first electrode; and a second electrode formed on the organic electroluminescent element. An organic electroluminescent device and an optical compensation layer formed in at least one of the green and blue sub pixel regions and compensating a color shift according to a color viewing angle formed in the white sub pixel region.

Description

유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법{OGANIC ELECTRO-LUMINESENCE DISPLAY PANEL AND MANUFACTUCRING METHOD OF THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to an organic electroluminescence display panel and an organic electroluminescent display panel,

본 발명은 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 특히 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상을 억제하면서 효율을 증가시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic light emitting display panel and a method of manufacturing the same, and more particularly, to an organic light emitting display panel and a method of manufacturing the same, which can increase efficiency while suppressing a color shift phenomenon depending on a viewing angle.

다양한 정보를 화면으로 구현해 주는 영상 표시 장치는 정보 통신 시대의 핵심 기술로 더 얇고 더 가볍고 휴대가 가능하면서도 고성능의 방향으로 발전하고 있다. 이에 음극선관(CRT)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 평판 표시 장치로 유기 발광층의 발광량을 제어하여 영상을 표시하는 유기 전계 발광 표시 장치 등이 각광받고 있다. 유기 전계 발광 표시 장치(Organic Light Emitting Device: OLED)는 전극 사이의 얇은 발광층을 이용한 자발광 소자로 종이와 같이 박막화가 가능하다는 장점을 갖고 있다. 이러한, 유기 전계 발광 표시 장치(OLED)는 능동형 매트릭스 OLED(PMOLED)와 수동형 매트릭스 OLED(AMOLED)로 나눠지게 된다. The image display device that realizes various information on the screen is a core technology of the information communication age and it is becoming thinner, lighter, more portable and higher performance. An organic light emitting display device for displaying an image by controlling the amount of light emitted from the organic light emitting layer by using a flat panel display capable of reducing weight and volume, which is a disadvantage of a cathode ray tube (CRT), has attracted attention. An organic light emitting display (OLED) is a self-luminous element using a thin light emitting layer between electrodes and has an advantage that it can be thinned like a paper. The organic light emitting display OLED is divided into an active matrix OLED (PMOLED) and a passive matrix OLED (AMOLED).

이때, 액티브 매트릭스 OLED(AMOLED)는 3색(R, G, B) 서브 화소로 구성된 화소들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 각 서브 화소는 유기 전계 발광 소자와, 그 유기 전계 발광 소자를 구동하는 셀 구동부를 포함한다. 셀 구동부는 스캔 신호를 공급하는 게이트 라인과, 비디오 데이터 신호를 공급하는 데이터 라인과, 공통 전원 신호를 공급하는 공통 전원 라인 사이에 접속된 적어도 2개의 박막 트랜지스터와 스토리지 캐패시터로 구성되어 유기 전계 발광 소자의 양극을 구동한다. At this time, the active matrix OLED (AMOLED) displays images by arranging pixels composed of three color (R, G, B) sub-pixels in a matrix form. Each sub-pixel includes an organic electroluminescent element and a cell driver for driving the organic electroluminescent element. The cell driver includes at least two thin film transistors and a storage capacitor connected between a gate line for supplying a scan signal, a data line for supplying a video data signal, and a common power supply line for supplying a common power supply signal, As shown in Fig.

이러한, 유기 전계 발광 소자는 도 1에 도시된 바와 같이 시야각에 따른 청색(Blue)과 옐로우-그린(Yellow-Green)의 Intensity 감소량의 차이로 인해 도 2에 도시된 바와 같이 컬러 쉬프트 현상이 발생된다. As shown in FIG. 1, a color shift phenomenon occurs in the organic electroluminescent device as shown in FIG. 2 due to the difference in intensity of blue and yellow-green depending on the viewing angle .

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 창안된 것으로서, 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상을 억제하면서 효율을 증가시킬 수 있는 유기 전계 발광 표시 패널 및 그의 제조 방법을 제공하는 것이다. The present invention has been made to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide an organic light emitting display panel and a method of manufacturing the same, which can increase the efficiency while suppressing the color shift phenomenon according to the viewing angle.

이를 위하여, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 게이트 라인, 데이터 라인 및 전원 라인이 교차되게 형성되어 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 형성된 구동 박막 트랜지스터와, 상기 구동 박막 트랜지스터와 접속된 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 형성된 유기 공통층과, 상기 유기 전계 발광 소자 상에 형성된 제2 전극을 구비한 유기 전계 발광 소자와, 상기 녹색 및 청색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 한 영역에 형성되며, 상기 백색 서브 화소 영역에 형성되어 색시야각에 따른 컬러 쉬프트를 보상하는 광보상층을 포함하는 것을 특징으로 한다. For this, the organic light emitting display panel according to the present invention includes a driving thin film transistor formed in each of the red, green, blue and white sub pixel regions so as to cross the gate line, the data line and the power source line, An organic electroluminescent device having a first electrode, an organic common layer formed on the first electrode, and a second electrode formed on the organic electroluminescent device; And an optical compensation layer formed on the white sub-pixel region to compensate for a color shift according to a color viewing angle.

그리고, 상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 형성된 구동 박막 트랜지스터 상에 형성된 유기 보호막과, 상기 유기 보호막 상에 상기 적색, 녹색, 청색 서브 화소 영역 각각에 대응되도록 형성된 R,G,B 컬러 필터와, 상기 R,G,B 컬러 필터 상에 형성된 오버코트층을 더 포함한다. G, and B formed to correspond to the red, green, and blue sub-pixel regions, respectively, on the organic passivation layer formed on the driving thin film transistors formed in the red, green, A color filter, and an overcoat layer formed on the R, G, and B color filters.

또한, 상기 광보상층은 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물로 형성되는 것을 특징으로 한다. The optical compensation layer may be formed of an organic material, an inorganic material, or an organic metal compound.

그리고, 상기 광보상층은 TiOx, SiNx, SiO2,TaO2, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성되는 것을 특징으로 한다. In addition, the optical compensation layer is characterized by being composed of one layer of TiOx, SiNx, SiO 2, TaO 2, NIOx, MgF, CaF or, formed of at least two layers.

또한, 상기 광보상층과 제1 전극 및 유기 공통층의 총 두께는 5000~5500Å으로 형성되는 것을 특징으로 한다. The total thickness of the optical compensation layer, the first electrode, and the organic common layer may be in the range of 5000 to 5500 angstroms.

본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법은 게이트 라인, 데이터 라인 및 전원 라인이 교차되게 형성되어 마련된 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와, 상기 녹색 및 청색 서브 화소 영역 중 적어도 어느 한 영역과, 상기 백색 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하는 단계와, 상기 구동 박막 트랜지스터와 접속된 제1 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 전극 상에 유기 공통층을 형성하는 단계와, 상기 유기 공통층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. A method of fabricating an organic light emitting display panel according to the present invention includes the steps of forming a driving thin film transistor in each of red, green, blue and white sub pixel regions formed so as to intersect a gate line, a data line and a power supply line, Forming a first electrode connected to the driving thin film transistor, forming an organic layer on the first electrode, forming a second electrode connected to the driving thin film transistor on the first electrode, A step of forming a common layer, and a step of forming a second electrode on the organic common layer.

그리고, 상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각의 구동 박막 트랜지스터 상에 유기 보호막을 형성하는 단계와, 상기 유기 보호막 상에 상기 적색, 녹색, 청색 서브 화소 영역 각각에 대응되도록 R,G,B 컬러 필터를 형성하는 단계와, 상기 R,G,B 컬러 필터 상에 오버코트층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다. The method of claim 1, further comprising: forming an organic passivation layer on the driving TFTs of the red, green, blue, and white sub-pixel regions, respectively; forming red, green, and blue sub- B color filter, and forming an overcoat layer on the R, G, and B color filters.

또한, 상기 광보상층은 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물로 형성하는 것을 특징으로 한다. The optical compensation layer may be formed of an organic material, an inorganic material, or an organic metal compound.

그리고, 상기 광보상층은 TiOx, SiNx, SiO2,TaO2, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성하는 것을 특징으로 한다. In addition, the optical compensation layer is made or as one layer of TiOx, SiNx, SiO 2, TaO 2, NIOx, MgF, CaF, characterized by forming at least two layers.

또한, 광보상층과 제1 전극 및 유기 공통층의 총 두께는 5000~5500Å으로 형성되는 것을 특징으로 한다. The total thickness of the optical compensation layer, the first electrode, and the organic common layer may be 5000 to 5500 ANGSTROM.

본 발명의 유기 전계 발광 표시 패널은 G,B,W 서브 화소 영역 각각에 광보상층을 형성하여 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상을 억제하면서 R 서브 화소 영역에는 광보상층을 형성하지 않음으로써 효율을 증가시킬 수 있으며, 구동 전압을 감소시킬 수 있다.The organic light emitting display panel of the present invention has an optical compensation layer formed in each of the G, B, and W sub pixel regions to suppress the color shift phenomenon according to the viewing angle, while preventing the optical compensation layer from being formed in the R sub pixel region, And the driving voltage can be reduced.

도 1은 시야각에 따른 청색(B)과 옐로우-그린(YG)의 Intensity를 나타낸 그래프이다.
도 2는 시야각에 따른 컬러 쉬프트 현상을 나타낸 그래프이다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 R,G,B 서브 화소 영역에 대한 등가 회로도들이다.
도 4는 도 3a 내지 도 3d에 도시된 R,G,B 서브 화소 영역에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 단면도이다.
도 5는 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성한 경우에 따른 EM Peak과 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하지 않은 경우에 따른 EM Peak을 나타낸 그래프이다.
도 6은 구동 전압에 전류 밀도 변화를 나타낸 그래프이다.
도 7a 내지 도 7f는 도 4에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다.
1 is a graph showing the intensities of blue (B) and yellow-green (YG) according to viewing angles.
2 is a graph showing a color shift phenomenon according to a viewing angle.
3A to 3D are equivalent circuit diagrams for R, G, and B sub pixel regions according to the present invention.
FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic light emitting display panel according to the R, G, and B sub pixel regions shown in FIGS.
5 is a graph showing EM peaks according to the case where the optical compensation layer is formed in the R sub pixel region and EM peaks according to the case where the optical compensation layer is not formed in the R sub pixel region.
6 is a graph showing a change in current density with respect to a driving voltage.
FIGS. 7A to 7F are cross-sectional views illustrating a method of fabricating an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present invention shown in FIG.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시 예를 상세하게 설명한다. 본 발명의 구성 및 그에 따른 작용 효과는 이하의 상세한 설명을 통해 명확하게 이해될 것이다. 본 발명의 상세한 설명에 앞서, 동일한 구성 요소에 대해서는 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 동일한 부호로 표시하며, 공지된 구성에 대해서는 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 구체적인 설명은 생략하기로 함에 유의한다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The configuration of the present invention and the operation and effect thereof will be clearly understood through the following detailed description. Before describing the present invention in detail, the same components are denoted by the same reference symbols as possible even if they are displayed on different drawings. In the case where it is judged that the gist of the present invention may be blurred to a known configuration, do.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 예를 도 3 내지 도 7e를 참조하여 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 3 to 7E.

도 3a 내지 도 3d는 본 발명에 따른 R,G,B 서브 화소 영역에 대한 등가 회로도들이고, 도 4는 도 3a 내지 도 3d에 도시된 R,G,B 서브 화소 영역에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 단면도이다. 3A to 3D are equivalent circuit diagrams for the R, G, and B sub pixel regions according to the present invention, and FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the organic light emitting display panel according to the R, G, Fig.

도 3a 내지 도 3d를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널은 게이트 라인(GL), 데이터 라인(DL) 및 전원 라인(PL)의 교차로 형성된 다수의 서브 화소 영역을 구비한다. 3A to 3D, an organic light emitting display panel according to an exemplary embodiment of the present invention includes a plurality of sub pixel regions formed at intersections of a gate line GL, a data line DL, and a power source line PL .

다수의 서브 화소 영역은 R 서브 화소 영역, G 서브 화소 영역, B 서브 화소, W 서브 화소 영역으로 구성되며, R,G,B,W 서브 화소 영역들이 매트릭스 형태로 배열되어 화상을 표시하게 된다. 이러한, 다수의 서브 화소 영역은 도 3a에 도시된 바와 같이 R,G,B,W 서브 화소 영역들이 게이트 라인과 나란하게 일렬로 1행 X 4열과 같이 배치될 수 있으며, 도 3b에 도시된 바와 같이 데이터 라인과 나란하게 일렬로 4행 X 1열과 같이 배치될 수 있다. R,G,B,W 서브 화소 영역 순서로 배치되었으나, R,B,G,W 서브 화소 영역 순서로 배치되거나, W,R,G,B 화소 영역 순서로 배치될 수 있으므로 배치 순서는 한정되지 않으며, 사용자의 필요에 따라 변경 가능하다. The R, G, B, and W sub-pixel regions are arranged in a matrix form to display an image. The sub-pixel region includes an R sub-pixel region, a G sub-pixel region, a B sub-pixel, and a W sub-pixel region. As shown in FIG. 3A, the plurality of sub-pixel regions may be arranged in a line-by-a-row arrangement in a line-by-row manner with the gate lines, and the row, And may be arranged in a row of 4 rows X 1 columns in parallel with the data lines. R, G, B, and W sub pixel areas, but the arrangement order may not be limited because it may be arranged in the order of R, B, G, and W sub pixel areas or in the order of W, R, G, It can be changed according to the needs of the user.

또한, R,B,G,W 서브 화소 영역은 도 3c 및 도 3d에 도시된 바와 같이 2행 X 2열로 배열될 수 있다. 예를 들어, 도 3c에 도시된 바와 같이 R 서브 화소 영역은 제2i(여기서, i=1 이상의 자연수)-1 번째 데이터 라인(DL2i-1)과 제2i-1 번째 게이트 라인(GL2i-1)의 교차 영역에 형성되며, G 서브 화소 영역은 제2i번째 데이터 라인(DL2i)과 제2i-1번째 게이트 라인(GL2i-1)의 교차 영역에 형성되며, B 서브 화소 영역은 제2i-1번째 데이터 라인(DL2i-1)과 제2i번째 게이트 라인(GL2i)의 교차 영역에 형성되며, W 서브 화소 영역은 제2i번째 데이터 라인(DL2i)과 제2i번째 게이트 라인(GL2i)의 교차 영역에 형성되어 배치될 수 있다. In addition, the R, B, G, and W sub-pixel regions may be arranged in two rows and two columns as shown in Figs. 3C and 3D. For example, as shown in FIG. 3C, the R sub-pixel region includes a first i-th data line DL2i-1 and a (2i-1) th gate line GL2i-1, Th sub-pixel region is formed in the intersection region of the (i-1) -th gate line GL2i-1 and the (2i-1) th data line DL2i, Th data line DL2i-1 and the second i-th gate line GL2i, and the W sub-pixel region is formed in the intersection region of the second i-th data line DL2i and the second i-th gate line GL2i .

그리고, 도 1d에 도시된 바와 같이 R 서브 화소 영역은 제2i-1 번째 데이터 라인인(DL2i-1)과 제2i-1 번째 게이트 라인인(GL2i-1)의 교차 영역에 형성되며, B 서브 화소 영역은 제2i번째 데이터 라인인(DL2i)과 제2i-1번째 게이트 라인(GL2i-1)의 교차 영역에 형성되며, G 서브 화소 영역은 제2i-1 번째 데이터 라인(DL2i-1)과 제2i번째 게이트 라인(GL2i)의 교차 영역에 형성되며, W 서브 화소 영역은 제2i번째 데이터 라인(DL2i)과 제2i번째 게이트 라인(GL2i)의 교차 영역에 형성되어 배치될 수 있다. As shown in FIG. 1D, the R sub-pixel region is formed at the intersection of the (DL2i-1) th data line and the (2i-1) th gate line GL2i-1, The pixel region is formed in the intersection region of the (2i) -th data line DL2i and the (2i-1) th gate line GL2i-1, Th second gate line GL2i and the W sub pixel region may be formed in an intersection region of the second i-th data line DL2i and the second i-th gate line GL2i.

이러한, R,G,B,W 서브 화소 영역 각각에는 셀 구동부(200)와, 셀 구동부(200)와 접속된 유기 전계 발광 소자를 구비한다. Each of the R, G, B, and W sub pixel regions includes a cell driver 200 and an organic electroluminescent device connected to the cell driver 200.

셀 구동부(200)는 게이트 라인(GL) 및 데이터 라인(DL)과 접속된 스위치 박막 트랜지스터(TS)와, 스위치 박막 트랜지스터(TS) 및 전원 라인(PL)과 유기 전계 발광 소자의 제1 전극(122) 사이에 접속된 구동 박막 트랜지스터(TD)와, 전원 라인(PL)과 스위치 박막 트랜지스터(TS)의 드레인 전극(110) 사이에 접속된 스토리지 커패시터(C)를 구비한다. The cell driver 200 includes a switch thin film transistor TS connected to the gate line GL and the data line DL, a switch thin film transistor TS and a power line PL and a first electrode of the organic electroluminescent device And a storage capacitor C connected between the power supply line PL and the drain electrode 110 of the switch thin film transistor TS.

스위치 박막 트랜지스터(TS)의 게이트 전극은 게이트 라인(GL)과 접속되고 소스 전극은 데이터 라인(DL)과 접속되며 드레인 전극은 구동 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극 및 스토리지 캐패시터(C)와 접속된다. 구동 박막 트랜지스터(TD)의 소스 전극은 전원 라인(PL)과 접속되고 드레인 전극(110)은 제1 전극(122)과 접속된다. 스토리지 캐패시터(C)는 전원 라인(PL)과 구동 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극 사이에 접속된다. The gate electrode of the switch thin film transistor TS is connected to the gate line GL and the source electrode thereof is connected to the data line DL while the drain electrode is connected to the gate electrode of the driving thin film transistor TD and the storage capacitor C . The source electrode of the driving thin film transistor TD is connected to the power supply line PL and the drain electrode 110 is connected to the first electrode 122. [ The storage capacitor C is connected between the power supply line PL and the gate electrode of the driving thin film transistor TD.

스위치 박막 트랜지스터(TS)는 게이트 라인(GL)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 공급된 데이터 신호를 스토리지 캐패시터(C) 및 구동 박막 트랜지스터(TD)의 게이트 전극으로 공급한다. 구동 박막 트랜지스터(TD)는 게이트 전극으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(PL)으로부터 유기 전계 발광 소자로 공급되는 전류(I)을 제어함으로써 유기 전계 발광 소자의 발광량을 조절하게 된다. 그리고, 스위치 박막 트랜지스터(TS)가 턴-오프되더라도 스토리지 캐패시터(C)에 충전된 전압에 의해 구동 박막 트랜지스터(TD)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류(I)를 공급하여 유기 전계 발광 소자가 발광을 유지하게 한다.The switch thin film transistor TS is turned on when a scan pulse is supplied to the gate line GL to supply the data signal supplied to the data line DL to the gate electrode of the storage capacitor C and the drive thin film transistor TD do. The driving thin film transistor TD controls the amount of light emitted from the organic electroluminescent device by controlling the current I supplied from the power supply line PL to the organic electroluminescent device in response to a data signal supplied to the gate electrode. Even if the switch thin film transistor TS is turned off, the driving thin film transistor TD supplies the constant current I until the data signal of the next frame is supplied by the voltage charged in the storage capacitor C, Thereby causing the electroluminescent element to maintain luminescence.

구동 박막 트랜지스터(TD)는 도 4에 도시된 바와 같이 기판(100) 상에 게이트 전극(102), 유기 전계 발광 소자의 제1 전극(122)과 접속된 드레인 전극(110), 드레인 전극(110)과 마주하는 소스 전극(108), 게이트 절연막(112)을 사이에 두고 게이트 전극(102)과 중첩되게 형성되어 소스 전극(108)과 드레인 전극(110) 사이에 채널을 형성하는 활성층(114), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)과의 오믹 접촉을 위하여 채널부를 제외한 활성층(114) 사이에 형성된 오믹 접촉층(116)을 구비한다. 또한, 구동 박막 트랜지스터(TD) 상에는 구동 박막 트랜지스터가 형성된 기판(100)을 평탄화시키기 위해 유기 절연 물질의 유기 보호막(118)이 형성된다. 또는, 구동 박막 트랜지스터(TD) 상의 보호막은 무기 절연 물질로 형성된 무기 보호막과 유기 절연 물질로 형성된 유기 보호막으로 두 층으로 형성될 수 있다. The driving thin film transistor TD includes a gate electrode 102 on the substrate 100, a drain electrode 110 connected to the first electrode 122 of the organic electroluminescent device, a drain electrode 110 An active layer 114 formed to overlap the gate electrode 102 with the gate insulating film 112 sandwiched therebetween and forming a channel between the source electrode 108 and the drain electrode 110, And an ohmic contact layer 116 formed between the active layers 114 except for the channel region for ohmic contact with the source electrode 108 and the drain electrode 110. An organic passivation layer 118 of an organic insulating material is formed on the driving thin film transistor TD to planarize the substrate 100 on which the driving thin film transistor is formed. Alternatively, the protective film on the driving thin film transistor (TD) may be formed of an organic protective film formed of an inorganic insulating material and an organic protective film formed of an organic insulating material.

유기 전계 발광 소자는 구동 박막 트랜지스터(TD)의 드레인 전극(110)과 접속된 제1 전극(122)과, 제1 전극(122)을 노출시키는 뱅크홀(132)이 형성된 뱅크 절연막(130)과, 제1 전극(122) 상에 유기 공통층(134)과, 유기 공통층(134) 위에 형성된 제2 전극(136)이 구비된다. The organic electroluminescent device includes a first electrode 122 connected to the drain electrode 110 of the driving thin film transistor TD and a bank insulating film 130 formed with a bank hole 132 for exposing the first electrode 122, An organic common layer 134 on the first electrode 122 and a second electrode 136 formed on the organic common layer 134 are provided.

제1 전극(122)은 양극(Anode)으로 TCO(Transparent Conductive Oxide; 이하, TCO), ITO(Indum Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등과 같은 투명 도전 전극으로 형성된다. 그리고, 제2 전극(136)은 음극(Cathode)으로 알루미늄(Al)과 같이 반사성 금속 재질로 형성된다. 도 4에 도시된 바와 같이 본 발명은 배면 발광을 할 수 있지만, 제1 및 제2 전극(122,136)의 재질에 따라 배면, 전면, 양면 발광을 할 수 있다. The first electrode 122 may be a transparent conductive electrode such as a transparent conductive oxide (TCO), an indium tin oxide (ITO), or an indium zinc oxide (IZO) . The second electrode 136 is a cathode and is formed of a reflective metal material such as aluminum (Al). As shown in FIG. 4, the present invention can emit backlight, but it may emit back, front, or both sides depending on the material of the first and second electrodes 122 and 136.

유기 공통층(134)은 제1 전극(122) 상에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층(Emitting Layer;EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer;ETL), 전자 주입층(Electron Injection Layer;EIL)이 순차적으로 적층된 구조를 가진다. 이때, 발광층은 하나의 호스트에 인광 Yellow-Green 도펀트(phosphorescence Yellow-phosphorescence Green)를 도핑하여 이루어지거나, 두 개의 호스트에 인광 Yellow-Green 도펀트를 도핑하여 이루어진다. The organic common layer 134 may include a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), and an electron injection layer (EIL) are sequentially stacked. At this time, the light emitting layer is formed by doping a host with a phosphorescence yellow-phosphorescence green or by doping two hosts with a phosphorescent yellow-green dopant.

이러한, 유기 전계 발광 소자는 제1 전극(122)과 제2 전극(136) 사이에 전압을 인가하면 제1 전극(122)으로부터 정공(hole)이 제2 전극(136)으로부터 전자(electron)가 주입되어 발광층에서 재결합하여 이로 인해 엑시톤(exiciton)이 생성되며, 이 엑시톤이 기저상태로 떨어지면서 빛이 배면(Bottom)으로 방출하게 된다. When a voltage is applied between the first electrode 122 and the second electrode 136, holes are injected from the first electrode 122 into the second electrode 136, The excitons are recombined in the light emitting layer to generate exits. The excitons fall to the ground state, and light is emitted to the bottom.

컬러 필터는 R 서브 화소 영역의 보호막 상에 R 컬러 필터(124R)가 형성되어 적색(R)을 출사하며, G 서브 화소 영역의 보호막 상에 G 컬러 필터(124G)가 형성되어 녹색(G)을 출사하며, B 서브 화소 영역의 보호막 상에 B 컬러 필터(124B)가 형성되어 청색(B)을 출사하며, W 서브 화소 영역의 보호막 상에는 컬러 필터가 형성되지 않으며, 백색(W)을 출사한다. 또한, 각 R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B) 상에 평탄화를 위해 오버코트층(126)을 형성한다. In the color filter, an R color filter 124R is formed on the protective film of the R sub pixel area to emit red (R), and a G color filter 124G is formed on the protective film of the G sub pixel area to generate green A B color filter 124B is formed on the protective film of the B sub pixel area to emit blue light B and a color filter is not formed on the protective film of the W sub pixel area and white light W is emitted. Further, an overcoat layer 126 is formed on each of the R, G, and B color filters 124R, 124G, and 124B for planarization.

광보상층(128)은 시야각 개선을 위해 오버코트층(126)과 제1 전극(122) 사이에 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물로 형성된다. 도 2에 도시된 바와 같이 광보상층(128)은 R 서브 화소 영역에는 형성되지 않으며, G 서브 화소 영역, B 서브 화소 영역, W 서브 화소 영역에 형성될 수 있다. 이때, W 서브 화소 영역에는 광보상층(128)을 필히 형성해야하며, G 서브 화소 영역 및 B 서브 화소 영역 중 어느 적어도 한 영역에 형성할 수 있다. 하지만, R 서브 화소 영역에는 유기 전계 발광 소자의 구동 전압을 낮추며, 효율을 증가시키기 위해 필히 광보상층을 형성하지 않아야 된다. 이에 대한 설명은 도 5 및 도 6, [표 1] 및 [표 2]를 결부하여 추후 설명하기로 한다. The optical compensation layer 128 is formed of an organic or inorganic or organic metal compound between the overcoat layer 126 and the first electrode 122 for improving the viewing angle. As shown in FIG. 2, the optical compensation layer 128 is not formed in the R sub-pixel region but may be formed in the G sub-pixel region, the B sub-pixel region, and the W sub-pixel region. At this time, the optical compensating layer 128 must be formed in the W sub pixel area, and it can be formed in at least one of the G sub pixel area and the B sub pixel area. However, in the R sub-pixel region, the driving voltage of the organic electroluminescent device must be lowered and the optical compensation layer should not be formed in order to increase the efficiency. The description will be made later with reference to Figs. 5 and 6, [Table 1] and [Table 2].

광보상층(128) 재료로는 TiOx, SiNx, SiO2,TaO2, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성할 수 있다. 광보상층(128)과 제1 전극(122) 및 유기 공통층(134)의 총 두께는 5000~5500Å의 범위를 갖도록 형성되며, 이 두께는 하기의 [수학식 1]을 만족해야 된다. To the optical compensation layer 128 material is made or with a layer of TiOx, SiNx, SiO 2, TaO 2, NIOx, MgF, CaF, can be formed by at least two layers. The total thickness of the optical compensating layer 128, the first electrode 122, and the organic common layer 134 is in the range of 5000 to 5500 ANGSTROM, and the thickness thereof should satisfy the following formula (1).

Figure 112011073259866-pat00001
Figure 112011073259866-pat00001

[수학식 1]에서 n은 굴절율, d는 두께, λ는 블루 피크 파장을 의미한다. In Equation (1), n denotes a refractive index, d denotes a thickness, and? Denotes a blue peak wavelength.

도 5는 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성한 경우에 따른 EM Peak과 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하지 않은 경우에 따른 EM Peak을 나타낸 그래프이다. 또한, 도 6은 구동 전압에 전류 밀도 변화를 나타낸 그래프이다. 5 is a graph showing EM peaks according to the case where the optical compensation layer is formed in the R sub pixel region and EM peaks according to the case where the optical compensation layer is not formed in the R sub pixel region. 6 is a graph showing a change in current density with respect to a driving voltage.

우선, 유기 발광 전계 발광 소자의 발광 피크(EL Peak)는 각 발광층 물질이 가지고 있는 고유의 색을 표시하는 광발광의 피크(Photoluminesecence Peak;이하, PL Peak)와 유기 발광 소자 구조 내부의 유기물 적층체의 발광 피크(Emittance Peak; 이하, EM Peak)의 곱에 의해 결정된다.First, the emission peak (EL peak) of the organic luminescent electroluminescent element is determined by a photoluminescence peak (PL peak) indicating an intrinsic color of each luminescent layer material and an organic EL layer (Hereinafter referred to as " EM peak ").

이때, 시야각 관점에서 보면 광발광의 피크(PL Peak)와 유기물 적층체의 발광 피크(EM Peak)의 Peak가 일치하거나 EM Peak 가 PL Peak 대비 단파장에 있어야 시야각 특성이 향상된다. 이는 Blue PL Peak과 Yellow-Green Peak 모두 적용되는 내용이다. In view of the viewing angle, the PL peak of the light emission and the peak of the EM peak of the organic laminate match, or the viewing angle characteristic is improved when the EM peak is in a shorter wavelength than the PL peak. This applies to both Blue PL Peak and Yellow-Green Peak.

도 1에 도시된 바와 같이 시야각에 따른 청색(Blue)와 옐로우-그린(Yellow-Green)의 Intensity 감소량의 차이로 인해 도 2에 도시된 바와 같이 컬러 쉬프트(Color Shift) 현상이 발생된다. 이에 따라, R,G,B,W 서브 화소 영역 각각에 광보상층을 형성하여 EM Peak을 단파장 방향으로 이동시켜 PL Peak와 EM Peak을 일치시킨다. 이와 같이, 광보상층을 형성함으로써 컬러 쉬프트가 억제되어 색시야각 특성이 향상될 수 있다. As shown in FIG. 1, a color shift phenomenon occurs as shown in FIG. 2 due to the difference in intensity of blue and yellow-green depending on the viewing angle. Accordingly, an optical compensation layer is formed in each of the R, G, B, and W sub pixel regions to move the EM peak in the short wavelength direction to match the PL peak and the EM peak. Thus, by forming the optical compensation layer, color shift can be suppressed and the color viewing angle characteristics can be improved.

하지만, R,G,B,W 서브 화소 영역 모두에 광보상층을 형성할 경우에 색시야각의 특성은 향상되나, EM Peak이 단파장으로 이동하게 됨으로써 장파장 영역인 Red의 Intensity는 감소하게 된다. 이에 따라, R 서브 화소 영역의 효율이 감소하게 된다. However, when the optical compensation layer is formed in the R, G, B, and W sub-pixel regions, the characteristic of the color viewing angle is improved. However, as the EM peak shifts to a short wavelength, the intensity of red, which is a long wavelength region, decreases. As a result, the efficiency of the R sub-pixel region is reduced.

따라서, 본 발명의 R 서브 화소 영역에는 광보상층을 형성하지 않음으로써 효율은 상승시키고, 구동 전압을 감소시켰다. 이를 도 5 및 도 6을 결부하여 설명하기로 한다. Therefore, by not forming the optical compensation layer in the R sub-pixel region of the present invention, the efficiency is increased and the driving voltage is reduced. This will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG.

도 5는 광보상층을 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 적용한 표시 장치에 따른 그래프와, R 서브 화소 영역을 제외한 G,B,W 서브 화소 영역에 적용한 본 발명에 따른 그래프를 나타낸 도면이다. FIG. 5 is a graph according to the present invention applied to the G, B, and W sub pixel regions except for the R sub pixel region, and a graph according to the display device in which the optical compensation layer is applied to all the R, G, B, and W sub pixel regions FIG.

구체적으로, 제1 곡선(20)은 광보상층의 두께를 1200Å으로 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 형성한 경우이며, 제2 곡선(22)은 광보상층의 두께를 1600Å으로 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 형성한 경우이며, 제3 곡선(24)은 광보상층의 두께를 2400Å으로 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 형성한 경우이며, 제4 곡선(26)은 광보상층을 R 서브 화소 영역에는 형성하지 않고, 나머지 G,B,W 서브 화소 영역에 형성한 경우를 나타낸 그래프이다. Specifically, the first curve 20 represents the case where the thickness of the optical compensation layer is 1200 Å in the R, G, B, and W sub pixel regions, the second curve 22 represents the case where the thickness of the optical compensation layer is 1600 Å G, B and W sub-pixel regions, and the third curve 24 represents the case where the thickness of the optical compensation layer is formed in all the R, G, B, and W sub pixel regions at 2400 angstroms. 4 curve 26 is a graph showing a case where the optical compensating layer is formed in the remaining G, B, and W sub pixel areas, not in the R sub pixel area.

도 5에 도시된 바와 같이 제1 내지 제3 곡선(20,22,24)은 광보상층을 R,G,B,W 서브 화소 영역에 모두 형성한 경우에 A 영역과 같이 R 서브 화소 영역의 EM Peak의 Intensity가 감소된 것을 알 수 있다. 하지만, 본 발명(제4 곡선;26)은 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하지 않으므로 R 서브 화소 영역의 EM Peak의 Intensity가 감소되지 않음을 알 수 있다. 5, the first to third curved lines 20, 22, and 24 are formed in the R, G, B, and W sub-pixel regions, respectively. It can be seen that the intensity of the EM peak is reduced. However, since the present invention (the fourth curve 26) does not form the optical compensation layer in the R sub pixel area, it can be seen that the intensity of the EM peak in the R sub pixel area is not reduced.

또한, [표 1] 및 [표 2]는 R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성한 경우에 따른 비교예와, R 서브 화소 영역에 광보상층을 형성하지 않은 경우에 따른 본 발명의 실시예를 나타낸 결과값이다. [Table 1] and [Table 2] show a comparative example according to the case where the optical compensation layer is formed in the R sub pixel area and a comparative example according to the embodiment of the present invention according to the case where the optical compensation layer is not formed in the R sub pixel area .

  비교예Comparative Example
(R,G,B,W 서브 화소 영역에 (In the R, G, B, and W sub pixel areas 광보상층Optical compensation layer 모두 형성) All formed)
RedRed 광보상층Optical compensation layer 제거( remove( 본발명Invention ))
  RR GG BB WW TotalTotal // AveAve .. RR GG BB WW TotalTotal // AveAve .. WhiteWhite 효율 ( efficiency ( CdCD /A)/ A) 5.65 5.65 29.97 29.97 2.67 2.67 69.98 69.98   6.55 6.55 29.97 29.97 2.67 2.67 69.98 69.98   패널 panel 휘도Luminance (( CdCD /m2)/ m2) 3.0 3.0 4.0 4.0 2.9 2.9 43.1 43.1 53.0 53.0 3.0 3.0 4.0 4.0 2.9 2.9 43.1 43.1 53.0 53.0 패널 전류 (A)Panel current (A) 1.04 1.04 0.27 0.27 2.15 2.15 1.22 1.22 4.68 4.68 0.900.90 0.27 0.27 2.15 2.15 1.22 1.22 4.53 4.53 전류밀도 (Current density ( mAmA // cm2cm2 )) 1.56 1.56 0.40 0.40 2.15 2.15 1.22 1.22 1.33 1.33 1.34 1.34 0.40 0.40 2.15 2.15 1.22 1.22 1.28 1.28 전류비Current ratio 0.48 0.48 0.12 0.12 1.00 1.00 0.57 0.57   0.42 0.42 0.12 0.12 1.00 1.00 0.57 0.57   패널 효율Panel efficiency 5.9 5.9 8.0 8.0 5.7 5.7 85.6 85.6 22.5 22.5 5.9 5.9 8.0 8.0 5.7 5.7 85.6 85.6 23.2 23.2

비교예Comparative Example
(R,G,B,W 서브 화소 영역에 (In the R, G, B, and W sub pixel areas 광보상층Optical compensation layer 모두 형성) All formed)
RedRed 광보상층Optical compensation layer 제거(본 발명) Removal (invention)
cdCD /A/ A 5.60 5.60 6.55 6.55 전류(w Current (w PolPol .).) 36.446 36.446 31.160 31.160 pixelpixel 별 전류 (Star current uAuA )) 17.576 17.576 15.027 15.027 전류 밀도 (Current density ( mAmA // cm2cm2 )) 43.704 43.704 37.365 37.365 VoledVoled (V) (V) 8.18.1 7.97.9

[표 1] 및 [표 2]에 기재된 바와 같이, 비교 예의 효율은 5.6(cd/A)이며, 본 발명의 실시 예에 따른 효율은 6.55(cd/A)으로 비교 예에 비해 5.6--> 6.55(cd/A)로 증가하였다. As shown in Table 1 and Table 2, the efficiency of the comparative example is 5.6 (cd / A) and the efficiency according to the embodiment of the present invention is 6.55 (cd / A) 6.55 (cd / A).

또한, [표 1],[표 2] 및 도 6에 도시된 바와 같이 비교 예의 구동 전압은 8.1(V)이며, 본 발명의 실시 예에 따른 전압은 7.9(V)으로 비교 예에 비해 본 발명의 실시 예의 구동 전압이 0.2(V) 감소하게 되었다. In addition, as shown in [Table 1], [Table 2] and Fig. 6, the driving voltage of the comparative example is 8.1 (V) The driving voltage of the embodiment of the present invention is reduced by 0.2 (V).

이와 같이, 본 발명은 광보상층을 G,B,W 서브 화소 영역에는 형성하여 시야각에 따른 컬러 쉬프트를 억제하였으며, R 서브 화소 영역에는 광보상층을 형성하지 않아 효율은 증가시키고, 소비 전력은 감소시켰다. As described above, according to the present invention, the optical compensation layer is formed in the G, B, and W sub-pixel regions to suppress the color shift according to the viewing angle, and the efficiency is increased by not forming the optical compensation layer in the R sub- Respectively.

한편, 패널 효율 관점에서는 EM Peak와 PL Peak이 최대로 일치할 때 패널 효율이 최대가 되기 때문에 이를 고려하여 광보상층(128)과 제1 전극(122) 및 유기 공통층(134)의 총 두께는 5000~5500Å의 범위를 갖도록 형성되어야 한다. 이에 대한 수치는 소자의 효율과 시야각특성을 고려한 최적의 수치이다In view of the panel efficiency, the panel efficiency is maximized when the EM peak and the PL peak are maximally matched. Therefore, the total thickness of the optical compensation layer 128, the first electrode 122, and the organic common layer 134 Should be formed to have a range of 5000 to 5500 ANGSTROM. The numerical values are optimal values considering the efficiency of the device and the viewing angle characteristics

도 7a 내지 도 7e는 도 4에 도시된 본 발명의 실시 예에 따른 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법을 나타낸 단면도들이다. 7A to 7E are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing an organic light emitting display panel according to an embodiment of the present invention shown in FIG.

도 7a를 참조하면, 기판(100) 상에 게이트 전극(106), 게이트 절연막(112), 반도체 패턴(115), 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)이 포함된 구동 박막 트랜지스터가 형성된다. 7A, a driving thin film transistor including a gate electrode 106, a gate insulating film 112, a semiconductor pattern 115, a source electrode 108, and a drain electrode 110 is formed on a substrate 100 .

구체적으로, 기판(100) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 게이트 금속층이 형성된다. 게이트 금속층으로는 Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo 합금, Cu 합금, Al 합금, Mo-Ti 합금 등과 같이 금속 물질로 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 게이트 금속층이 패터닝됨으로써 게이트 전극(102)이형성된다. Specifically, a gate metal layer is formed on the substrate 100 through a deposition method such as a sputtering method. The gate metal layer is used as a metal material such as Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Mo alloys, Cu alloys, Al alloys, Mo-Ti alloys, Subsequently, the gate metal layer is patterned by the photolithography process and the etching process, thereby forming the gate electrode 102.

그런 다음, 게이트 전극(102)이 형성된 기판(100) 상에 산화 실리콘(SiOx) 또는 질화 실리콘(SiNx) 등의 무기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 게이트 절연막(112)이 형성된다. 그런 다음, 게이트 절연막(112)이 형성된 기판(100) 상에 비정질 실리콘층 및 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 순차적으로 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 비정질 실리콘층 및 불순물(n+ 또는 p+)이 도핑된 비정질 실리콘층이 패터닝됨으로써 활성층(114) 및 오믹 접촉층(116)을 포함하는 반도체 패턴(115)이 형성된다.An inorganic insulating material such as silicon oxide (SiOx) or silicon nitride (SiNx) is formed on the entire surface of the substrate 100 on which the gate electrode 102 is formed, thereby forming the gate insulating film 112. Then, an amorphous silicon layer and an amorphous silicon layer doped with impurities (n + or p +) are sequentially formed on the substrate 100 on which the gate insulating film 112 is formed. Subsequently, the amorphous silicon layer doped with the amorphous silicon layer and the impurity (n + or p +) is patterned by the photolithography process and the etching process, thereby forming the semiconductor pattern 115 including the active layer 114 and the ohmic contact layer 116 .

이후, 반도체 패턴이 형성된 기판(100) 상에 스퍼터링 방ㅂ버 등의 증착 방법을 통해 데이터 금속층이 형성된다. 여기서 데이터 금속층으로는 티타늄(Ti), 텅스텐(W), 알루미늄(Al)계 금속, 몰리브덴(Mo), 구리(Cu) 등이 이용된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 데이터 금속층이 패터닝됨으로써 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)이 형성된다. 그런 다음, 소스 전극(108) 및 드레인 전극(110)을 마스크로 이들(108,110) 사이에 위치하는 오믹 접촉층(116)이 제거됨으로써 활성층(114)이 노출된다.Thereafter, a data metal layer is formed on the substrate 100 on which the semiconductor pattern is formed through a deposition method such as a sputtering method. The data metal layer is made of titanium (Ti), tungsten (W), aluminum (Al), molybdenum (Mo), copper (Cu) Then, the source metal layer 108 and the drain electrode 110 are formed by patterning the data metal layer by a photolithography process and an etching process. Then, the active layer 114 is exposed by removing the ohmic contact layer 116 located between the source electrode 108 and the drain electrode 110 as a mask.

상술한 바와 같이 반도체 패턴(115)과, 소스 및 드레인 전극(108,110) 각각은 개별적으로 형성되므로 이들을 형성하기 위해서는 2개의 마스크가 필요하다. 이외에도 마스크 수를 줄이기 위해 반도체 패턴(115), 소스 및 드레인 전극(108,110)은 회절 마스크 또는 반투과 마스크를 이용하여 한 번의 마스크 공정을 통해 동시에 형성가능하다. As described above, since the semiconductor pattern 115 and the source and drain electrodes 108 and 110 are formed separately, two masks are required to form them. In addition, to reduce the number of masks, the semiconductor pattern 115 and the source and drain electrodes 108 and 110 can be simultaneously formed through a single mask process using a diffraction mask or a semi-transmission mask.

도 7b를 참조하면, 소스 및 드레인 전극(108,110)이 형성된 기판(100) 상에 유기 보호막(118)이 형성되며, R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B) 각각이 해당 서브 화소 영역 각각에 형성된다. 7B, the organic protective layer 118 is formed on the substrate 100 on which the source and drain electrodes 108 and 110 are formed, and the R, G, and B color filters 124R, 124G, Respectively.

구체적으로, 소스 및 드레인 전극(108,110)이 형성된 기판(100) 상에 아크릴계 수지와 같은 유기 절연 물질이 전면 형성됨으로써 유기 보호막(118)이 형성된다. 이어서, 적색(R)이 착색된 적색 컬러 레지스트를 도포한 후, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 R 서브 화소 영역의 유기 보호막(118) 상에 적색 컬러 필터(124R)가 형성된다. 이후, 녹색(G)이 착색된 녹색 컬러 레지스트를 도포한 후, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 G 서브 화소 영역의 유기 보호막(118) 상에 녹색 컬러 필터(124G)가 형성된다. 그리고, 청색(B)이 착색된 청색 컬러 레지스트를 도포한 후, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 B 서브 화소 영역의 유기 보호막(118) 상에 청색 컬러 필터(124B)가 형성된다. 이에 따라, R,G,B 서브 화소 영역 각각에 R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B)가 형성된다. Specifically, an organic insulating material such as an acrylic resin is formed on the entire surface of the substrate 100 on which the source and drain electrodes 108 and 110 are formed, thereby forming the organic passivation layer 118. Subsequently, a red color resist with red (R) color is applied, and then a red color filter 124R is formed on the organic protective film 118 in the R sub pixel area by a photolithography process and an etching process. Thereafter, a green color filter 124G colored green (G) is applied, and then a green color filter 124G is formed on the organic protective film 118 in the G sub pixel region by a photolithography process and an etching process. After the blue color resist with blue (B) color is applied, a blue color filter 124B is formed on the organic protective film 118 in the B sub pixel area by a photolithography process and an etching process. Thus, R, G, and B color filters 124R, 124G, and 124B are formed in the R, G, and B sub pixel regions, respectively.

도 7c를 참조하면, R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B)이 형성된 기판(100) 상에 오버코트층(126)이 형성되며, G,B,W 서브 화소 영역 각각에 광보상층(128)이 형성된다. 7C, an overcoat layer 126 is formed on a substrate 100 on which R, G and B color filters 124R, 124G and 124B are formed, and an overcoat layer 126 is formed on each of the G, (128) are formed.

구체적으로, R,G,B 컬러 필터(124R,124G,124B)이 형성된 기판 상에 아크릴계 수지와 같은 유기 절연 물질로 오버코트층(126)이 형성된다. 그런 다음, 오버코트(126)층 상에 유기물 또는 무기물 또는 유기 금속 화합물 전면 도포하여 광보상층(128)이 형성된다. 광보상층(128)은 TiOx, SiNx, SiO2,TaO2, NIOx, MgF, CaF 중 한 층으로 이루어지거나, 적어도 두 층으로 형성할 수 있다. 광보상층(128)과 제1 전극(122) 및 유기 공통층(134)의 총 두께는 5000~5500Å의 범위를 갖도록 형성된다. Specifically, the overcoat layer 126 is formed of an organic insulating material such as acrylic resin on the substrate on which the R, G, and B color filters 124R, 124G, and 124B are formed. An optical compensation layer 128 is then formed by applying over the organic or inorganic or organic metal compound on the overcoat layer 126. An optical compensation layer 128 is made or as one layer of TiOx, SiNx, SiO 2, TaO 2, NIOx, MgF, CaF, can be formed by at least two layers. The total thickness of the light compensation layer 128, the first electrode 122, and the organic common layer 134 is formed to be in the range of 5000 to 5500 ANGSTROM.

이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 오버코트층과 광보상층이 패터닝됨으로써 해당 서브 화소 영역의 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극을 노출시키는 화소 컨택홀을 형성하며, G,B,W 서브 화소 영역 각각에 광보상층이 형성된다. 또한, 광보상층은 G 서브 화소 영역 및 B 서브 화소 영역 중 적어도 어느 한 영역에 형성할 수 있으며, W 서브 화소 영역에는 필히 형성한다. The overcoat layer and the optical compensation layer are patterned by a photolithography process and an etching process to form a pixel contact hole exposing the drain electrode of the driving thin film transistor in the corresponding sub pixel area. A compensation layer is formed. Further, the optical compensation layer can be formed in at least one of the G sub pixel region and the B sub pixel region, and is formed in the W sub pixel region.

도 7d를 참조하면, 광 보상층(128)이 형성된 기판(100) 상에 제1 전극(122)이 형성된다. Referring to FIG. 7D, a first electrode 122 is formed on a substrate 100 having an optical compensation layer 128 formed thereon.

구체적으로, 유기 보호막(126)이 형성된 기판(100) 상에 스퍼터링 방법 등의 증착 방법을 통해 TCO(Transparent Conductive Oxide; 이하, TCO), ITO(Indum Tin Oxide; 이하,ITO), IZO(Indum Zinc Oxide; 이하,IZO) 등의 투명한 금속 재질이 형성된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 투명한 금속 재질이 패터닝됨으로써 제1 전극(122)이 형성된다. A transparent conductive oxide (TCO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium tin oxide (ITO) and the like are deposited on a substrate 100 on which an organic protective layer 126 is formed by a deposition method such as a sputtering method. Oxide (IZO)) is formed on the surface of the substrate. Then, the first electrode 122 is formed by patterning a transparent metal material by a photolithography process and an etching process.

도 7e를 참조하면, 제1 전극(122)이 형성된 기판(100) 상에 뱅크홀(132)을 가지는 뱅크 절연막(130)이 형성된다. Referring to FIG. 7E, a bank insulating film 130 having a bank hole 132 is formed on a substrate 100 having a first electrode 122 formed thereon.

구체적으로, 제1 전극이 형성된 기판 상에 포토 아크릴과 같은 유기 절연 물질로 형성된 뱅크 절연막이 전면 도포된다. 이어서, 포토리소그래피 공정 및 식각 공정으로 뱅크 절연막이 패터닝됨으로써 제1 전극이 노출된 뱅크 홀을 가지는 뱅크 절연막이 형성된다. Specifically, a bank insulating film formed of an organic insulating material such as photoacryl is coated on the substrate on which the first electrode is formed. Subsequently, the bank insulating film is patterned by the photolithography process and the etching process, thereby forming the bank insulating film having the bank holes in which the first electrode is exposed.

도 7f를 참조하면, 뱅크 절연막(130)이 형성된 기판(100) 상에 유기 공통층(134)이 형성되고, 유기 공통층(134) 상에 제2 전극(136)이 형성된다. 7F, the organic common layer 134 is formed on the substrate 100 on which the bank insulating layer 130 is formed, and the second electrode 136 is formed on the organic common layer 134.

구체적으로, 제1 전극(122) 상에 정공 주입층(Hole Injection Layer;HIL), 정공 수송층(Hole Transport Layer;HTL), 발광층(Emitting Layer;EML), 전자 수송층(Electron Transport Layer;ETL), 전자 주입층(Electron Injection Layer;EIL)이 포함된 유기 공통층(134)이 형성된다. 그런 다음, 유기 공통층(134) 상에 은(Ag)이 증착됨으로써 제2 전극(136)이 형성된다. Specifically, a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), an emission layer (EML), an electron transport layer (ETL), a light emitting layer An organic common layer 134 including an electron injection layer (EIL) is formed. Then, silver (Ag) is deposited on the organic common layer 134 to form the second electrode 136.

이상의 설명은 본 발명을 예시적으로 설명한 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 본 발명의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형이 가능할 것이다. 따라서 본 발명의 명세서에 개시된 실시 예들은 본 발명을 한정하는 것이 아니다. 본 발명의 범위는 아래의 특허청구범위에 의해 해석되어야 하며, 그와 균등한 범위 내에 있는 모든 기술도 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석해야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the present invention, and various modifications may be made by those skilled in the art without departing from the spirit of the present invention. Accordingly, the embodiments disclosed in the specification of the present invention are not intended to limit the present invention. The scope of the present invention should be construed according to the following claims, and all the techniques within the scope of equivalents should be construed as being included in the scope of the present invention.

100 : 기판 102 : 게이트 전극
108 : 소스 전극 110: 드레인 전극
112 : 게이트 절연막 114: 액티브층
116 : 버퍼막 118 : 유기 보호막
120 : 화소 컨택홀 122 : 제1 전극
124R,124G,124B : 적색, 녹색, 청색 컬러 필터
128 : 광보상층 130 : 뱅크 절연막
132 : 뱅크홀 134 : 유기 공통층
136 : 제2 전극
100: substrate 102: gate electrode
108: source electrode 110: drain electrode
112: gate insulating film 114: active layer
116: buffer film 118: organic protective film
120: pixel contact hole 122: first electrode
124R, 124G, and 124B: Red, green, and blue color filters
128: optical compensation layer 130: bank insulating film
132: bank hole 134: organic common layer
136: Second electrode

Claims (10)

적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 상에 위치하는 구동 박막 트랜지스터들;
상기 구동 박막 트랜지스터들 상에 위치하는 오버 코트층;
상기 오버코트층 상에 위치하고, 상기 적색 서브 화소 영역과 중첩하는 상기 오버코트층을 노출하는 광보상층; 및
상기 광보상층 상에 위치하고, 해당 구동 박막 트랜지스터와 접속된 제1 전극들, 상기 제1 전극들 상에 위치하는 유기 공통층 및 상기 유기 공통층 상에 위치하는 제2 전극을 구비한 유기 전계 발광 소자를 포함하되,
상기 광보상층에 의해 상기 녹색, 상기 청색 및 상기 백색 서브 화소 영역의 발광 피크(Emittance Peak; EM Peak)가 단파장 방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
Driving thin film transistors located on the red, green, blue and white sub pixel regions;
An overcoat layer disposed on the driving thin film transistors;
An overcoat layer disposed over the overcoat layer and overcoat layer overlying the overcoat layer; And
An organic light emitting layer disposed on the optical compensation layer and including first electrodes connected to the driving thin film transistor, an organic common layer positioned on the first electrodes, and a second electrode located on the organic common layer, Device,
And the emissive peaks (EM peaks) of the green, blue, and white sub-pixel regions are shifted in the short wavelength direction by the optical compensation layer.
제1항에 있어서,
상기 구동 박막 트랜지스터들과 상기 오버코트층 사이에 위치하는 유기 보호막; 및
상기 유기 보호막과 상기 오버코트층 사이에 위치하고, 상기 적색, 녹색, 청색 서브 화소 영역 각각에 대응되는 R,G,B 컬러 필터를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
The method according to claim 1,
An organic passivation layer disposed between the driving thin film transistors and the overcoat layer; And
And an R, G, and B color filters disposed between the organic passivation layer and the overcoat layer and corresponding to the red, green, and blue sub-pixel regions, respectively.
삭제delete 제1항에 있어서,
상기 광보상층은 TiOx, SiNx, SiO2,TaO2, NIOx, MgF, CaF 중 하나로 이루어진 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
The method according to claim 1,
The optical compensation layer is TiOx, SiNx, SiO 2, TaO 2, the organic light emitting display panel comprises a layer made of one of NIOx, MgF, CaF.
제1항에 있어서
상기 광보상층과 제1 전극 및 유기 공통층의 총 두께는 5000~5500Å으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널.
The method of claim 1, wherein
Wherein the total thickness of the optical compensation layer, the first electrode, and the organic common layer is 5000 to 5500 ANGSTROM.
게이트 라인, 데이터 라인 및 전원 라인이 교차되게 형성되어 마련된 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각에 구동 박막트랜지스터를 형성하는 단계와;
상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각의 구동 박막 트랜지스터 상에 오버코트층을 형성하는 단계와;
상기 오버코트층 상에 광보상층을 형성하는 단계와;
상기 적색 서브 화소 영역 상에 형성된 상기 광보상층을 제거하는 단계와;
상기 오버코트층 및 상기 광보상층 상에 각 서브 화소 영역의 상기 구동 박막 트랜지스터와 접속된 제1 전극들을 형성하는 단계와;
상기 제1 전극들 상에 유기 공통층을 형성하는 단계와;
상기 유기 공통층 상에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하되,
상기 녹색, 상기 청색 및 상기 백색 서브 화소 영역의 발광 피크(Emittance Peak; EM Peak)는 상기 광보상층에 의해 단파장 방향으로 이동되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.
Forming a driving thin film transistor in each of the red, green, blue and white sub pixel regions formed so as to cross the gate line, the data line and the power source line;
Forming an overcoat layer on the driving thin film transistors of each of the red, green, blue and white sub pixel regions;
Forming an optical compensation layer on the overcoat layer;
Removing the optical compensation layer formed on the red sub pixel region;
Forming first electrodes connected to the driving thin film transistor in each sub pixel region on the overcoat layer and the optical compensation layer;
Forming an organic common layer on the first electrodes;
And forming a second electrode on the organic common layer,
Wherein the emissive peaks (EM peaks) of the green, blue, and white sub-pixel regions are shifted in the short wavelength direction by the optical compensation layer.
제6항에 있어서,
상기 적색, 녹색, 청색 및 백색 서브 화소 영역 각각의 구동 박막 트랜지스터와 상기 오버코트층 사이에 유기 보호막을 형성하는 단계와;
상기 유기 보호막과 상기 오버코트층 사이에 상기 적색, 녹색, 청색 서브 화소 영역 각각에 대응되도록 R,G,B 컬러 필터를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Forming an organic passivation layer between the driving thin film transistor of each of the red, green, blue and white sub pixel regions and the overcoat layer;
And forming an R, G, and B color filter between the organic passivation layer and the overcoat layer to correspond to the red, green, and blue sub-pixel regions, respectively.
삭제delete 제6항에 있어서,
상기 광보상층은 TiOx, SiNx, SiO2,TaO2, NIOx, MgF, CaF 중 하나로 이루어진 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.
The method according to claim 6,
The optical compensation layer is TiOx, SiNx, SiO 2, TaO 2, NIOx, MgF, method of manufacturing an organic light emitting display panel comprises a layer made of one of CaF.
제6항에 있어서,
광보상층과 제1 전극 및 유기 공통층의 총 두께는 5000~5500Å으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시 패널의 제조 방법.
The method according to claim 6,
Wherein the total thickness of the optical compensation layer, the first electrode, and the organic common layer is in the range of 5000 to 5500 ANGSTROM.
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