KR101659248B1 - Inductor and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
본 발명은 인덕터 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 박막형으로 제조되어 얇은 두께를 유지하고 소형화가 가능하면서도 고주파 및 고전류에서도 자성 손실에 따른 효율 저하를 방지할 수 있으며, 충진율을 향상시킴으로써 고투자율, 고효율 및 높은 Isat 값을 나타낼 수 있는 인덕터에 관한 것이다.More particularly, the present invention relates to an inductor and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to an inductor and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to an inductor and a method of manufacturing the same. An inductor capable of exhibiting magnetic permeability, high efficiency and high Isat value.
Description
본 발명은 인덕터에 관한 것으로, 보다 상세하게는 IT 디바이스 등에 구비되어 노이즈(Noise)를 제거할 수 있는 인덕터에 관한 것이다.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an inductor, and more particularly, to an inductor capable of removing noise from an IT device or the like.
인덕터(inductor)는 저항, 커패시터와 더불어 전자회로를 이루어 노이즈(Noise)를 제거하는 대표적인 수동소자로써, 전자기적 특성을 이용하여 커패시터와 조합하여 특정 주파수 대역의 신호를 증폭시키는 공진회로, 필터(Filter) 회로 등의 구성에 사용된다.
An inductor is a passive element that removes noise by forming an electronic circuit together with a resistor and a capacitor. The inductor is a resonant circuit that amplifies a signal of a specific frequency band by combining with a capacitor using electromagnetic characteristics, a filter ) Circuit and the like.
한편, 휴대폰, 노트북 PC 등 디지털 기기 및 멀티미디어 제품 등 각종 전기전자 정보통신기기가 소형 경량화 및 박형화되는 추세에 따라 인덕터도 소형이면서 고밀도의 자동 표면 실장이 가능한 칩으로의 전환이 급속도로 이루어져 왔으며, 이에 도금으로 올려진 코일 도선 위에 자성 분말을 수지와 혼합시켜 형성시킨 박막형 인덕터의 개발이 이어지고 있다.
On the other hand, as electronic devices such as mobile phones, notebook PCs, and multimedia products have become smaller and lighter and thinner, various inductors have been rapidly converted to chips capable of automatic surface mounting with a small size and high density. A thin film type inductor formed by mixing a magnetic powder with a resin on a coiled lead wire by plating has been developed.
점점 소형 경량화 및 박형화되는 추세에 더불어 높은 인덕턴스(Inductance, L) 또는 미세용량, 높은 품질계수(Quality Factor, Q), 높은 자기 공진 주파수(Self Resonant Frequency, SRF, 낮은 직류저항(Rdc) 및 높은 내전류 특성(Rated Current)의 제품이 요구되고 있다.
(LF) or fine capacitance, a high quality factor (Q), a high self resonant frequency (SRF), a low direct current resistance (Rdc), and a high inductance A product having a rated current is required.
정해진 단위 부피에서 높은 인덕턴스(Inductance)를 얻기 위해서는 높은 투자율의 재료가 요구되며, 통상 이러한 높은 투자율을 얻기 위해서는 입도가 큰 자성체를 사용한다. In order to obtain a high inductance at a predetermined unit volume, a material having a high permeability is required. Normally, a magnetic substance having a large grain size is used in order to obtain such a high magnetic permeability.
그러나 이러한 큰 입자는 주파수 및 사용 전류가 커지면 자성 손실(Core Loss)에 따른 효율이 저하되는 문제점이 있다. 따라서 고주파에서의 효율 저하를 막기 위해서는 입자 크기는 줄이는 것이 필요하다.
However, such a large particle has a problem that the efficiency according to the magnetic loss (core loss) deteriorates when the frequency and the used current become large. Therefore, it is necessary to reduce the particle size in order to prevent the decrease in the efficiency at high frequencies.
다만, 작은 입자를 사용할 경우 큰 입자에 비하여 투자율이 낮아 인덕턴스(Inductance)가 감소하는 문제가 있으므로 충진율을 높여 투자율을 높이는 방안이 필수적이다. 도 1은 종래의 박막형 인덕터의 단면도를 도시한 것으로, 균일한 입자의 자성체를 사용하기 때문에 충진율이 낮아 충분한 투자율을 얻지 못하는 문제점이 있었다.
However, when small particles are used, there is a problem that the inductance is reduced because the permeability is lower than that of the large particles, so it is essential to increase the permeability by increasing the filling rate. FIG. 1 is a cross-sectional view of a conventional thin-film type inductor. Since a uniform magnetic particle is used, the filling rate is low and a sufficient permeability can not be obtained.
아래의 특허문헌 1은 입도 분포가 5~30㎛인 금속 자성 분말의 자성층을 사용한 코일장치를 개시하고 있다. 그러나 특허문헌 1의 발명은 균일한 입도의 자성체 입자로 구성되기 때문에 충분한 충진율을 확보할 수 없어 투자율 향상에 한계가 있는 문제점이 있다.
The following Patent Document 1 discloses a coil device using a magnetic layer of a metallic magnetic powder having a particle size distribution of 5 to 30 탆. However, since the invention of Patent Document 1 is composed of magnetic particles having a uniform particle size, a sufficient filling rate can not be ensured and there is a limitation in improving the permeability.
본 발명에 따른 일 실시형태의 목적은 박막형으로 제조되어 얇은 두께를 유지하고 소형화가 가능하며, 충진율을 향상시킴으로써 고투자율, 고효율 및 높은 Isat 값을 가지는 인덕터 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
An object of one embodiment according to the present invention is to provide an inductor having a high permeability, a high efficiency and a high Isat value by improving the packing ratio while maintaining a thin thickness and miniaturization, and a manufacturing method thereof.
상술한 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시형태는,In order to solve the above-described problems, according to one embodiment of the present invention,
절연 기판을 포함하는 자성체 본체; 및 상기 절연 기판의 적어도 일면에 형성되는 내부 도체 패턴부;를 포함하며, 상기 자성체 본체는 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자를 포함하고, 상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 철(Fe)을 포함하는 금속이며, 상기 제 1 자성입자는 장축의 길이가 15 ㎛ 이상의 조분이고, 상기 제 2 자성입자는 장축의 길이가 5 ㎛ 이하의 미분으로 이루어지며, 1MHz 이상의 고주파에서 인덕턴스 값이 1.0uH 이상인 인덕터를 제공한다.
A magnetic body body including an insulating substrate; And an inner conductor pattern portion formed on at least one surface of the insulating substrate, wherein the magnetic body main body includes first magnetic particles and second magnetic particles, wherein the first magnetic particles and the second magnetic particles are made of iron (Fe ), The first magnetic particle has a major axis length of 15 m or more, the second magnetic particle has a major axis length of 5 m or less, and has an inductance value of 1.0 RTI ID = 0.0 > uH. < / RTI >
본 발명의 일 실시형태의 인덕터은 박막형으로 제조되어 얇은 두께를 유지하고 소형화가 가능하면서도 고주파 및 고전류에서도 자성 손실에 따른 효율 저하를 방지할 수 있으며, 충진율을 향상시킴으로써 고투자율, 고효율 및 높은 Isat 값을 나타낼 수 있다.
The inductor according to one embodiment of the present invention can be manufactured in a thin film shape to maintain a thin thickness and to miniaturize it, and also to prevent a decrease in efficiency due to magnetic loss even at a high frequency and a high current and to improve a filling rate, thereby realizing a high permeability, a high efficiency and a high Isat value .
도 1은 종래의 인덕터의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 인덕터의 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 I-I' 선에 의한 단면도이다.
도 4는 도 2의 인덕터의 제조 방법을 개략적으로 설명하는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시형태에 따른 인덕터의 WT 방향 단면부를 주사전자현미경(SEM, Scanning Eletron Microscope)으로 2,000배 확대하여 관찰한 사진이다.
도 6은 본 발명의 일 실시형태에 따른 인덕터의 WT 방향 단면부를 주사전자현미경(SEM, Scanning Eletron Microscope)으로 2,000배 확대하여 관찰한 사진이다.1 is a cross-sectional view of a conventional inductor.
2 is a perspective view of an inductor according to an embodiment of the present invention.
3 is a sectional view taken along the line II 'shown in FIG.
4 is a view for schematically explaining a manufacturing method of the inductor of FIG.
5 is a photograph of a section of the inductor in the WT direction in an enlarged scale of 2,000 times by a scanning electron microscope (SEM) according to an embodiment of the present invention.
6 is a photograph of a section of the inductor in the W-T direction facing the inductor according to an embodiment of the present invention, magnified by 2,000 magnifications using a scanning electron microscope (SEM).
이하, 구체적인 실시예 및 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시형태를 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시형태로 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시형태는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to specific embodiments and the accompanying drawings. However, the embodiments of the present invention can be modified into various other forms, and the scope of the present invention is not limited to the embodiments described below. The embodiments of the present invention are provided to enable those skilled in the art to more fully understand the present invention.
또한, 각 실시예의 도면에 나타나는 동일한 사상의 범위 내의 기능이 동일한 구성요소는 동일한 참조부호를 사용하여 설명한다.
The same reference numerals are used to designate the same components in the same reference numerals in the drawings of the embodiments.
인덕터Inductor
도 2는 본 발명의 일 실시형태에 따른 인덕터의 개략 사시도이며, 도 3는 도 2에 도시된 I-I' 선에 의한 단면도이다.FIG. 2 is a schematic perspective view of an inductor according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line I-I 'shown in FIG.
도 2 및 도 3을 참조하면, 인덕터의 일 예로써 전원 공급 회로의 전원 라인에 사용되는 박막형 인덕터(10)가 개시된다. 상기 인덕터은 칩 인덕터 이외에도 칩 비즈(chip beads), 칩 필터(chip filter) 등으로 적절하게 응용될 수 있다.
Referring to FIGS. 2 and 3, a
상기 박막형 인덕터(10)는 자성체 본체(50), 절연 기판(23). 내부 도체 패턴부(42, 44) 및 외부 전극(80)을 포함한다.
The thin
상기 자성체 본체(50)는 육면체 형상일 수 있으며, 도 2에 표시된 L, W 및 T는 각각 길이 방향, 폭 방향, 두께 방향을 나타낸다.The
상기 자성체 본체(50)는 두께 방향 양 단면, 길이 방향의 양 단면 및 폭 방향의 양 단면을 포함할 수 있다. 상기 자성체 본체(50)는 길이 방향의 길이가 폭 방향의 길이보다 큰 직육면체의 형상을 가질 수 있다.
The
상기 자성체 본체(50) 내부에 형성되는 상기 절연 기판(23)은 전해 도금(electroplating)으로 내부 도체 패턴부(42, 44)를 형성할 수 있는 재질이면 특별하게 제한되지 않으며 예를 들어, 에폭시 수지 등을 포함하여 얇은 박막으로 형성될 수 있다.
The
상기 절연 기판(23)의 일면에 코일 형상의 패턴을 가지는 내부 도체 패턴부(42)가 형성될 수 있으며, 상기 절연 기판(23)의 반대 면에도 코일 형상의 패턴을 가지는 내부 도체 패턴부(44)가 형성될 수 있다. 상기 절연 기판(23)의 일면에 형성되는 내부 도체 패턴부(42)의 일 단부는 자성체 본체(50)의 길이 방향의 일 단면으로 노출될 수 있으며, 절연 기판(23)의 반대 면에 형성되는 내부 도체 패턴부(44)의 일 단부는 자성체 본체(50)의 길이 방향의 타 단면으로 노출될 수 있다.
An inner
또한, 상기 절연 기판(23)의 일면과 반대 면에 형성되는 내부 도체 패턴부(42, 44)는 상기 절연 기판(23)에 형성되는 비아 전극(46)을 통해 전기적으로 접속될 수 있다.
The internal
상기 절연 기판(23) 중앙부에는 절연 기판을 관통하는 홀이 형성될 수 있으며, 상기 홀은 자성체 본체를 형성하는 금속계 연자성 재료 등의 자성체로 충진되어 코어부(71)를 형성할 수 있다. 자성체로 충진되는 코어부(71)를 형성함에 따라 인덕턴스를 향상시킬 수 있다.A hole penetrating the insulating substrate may be formed at the center of the
상기 자성체 본체(50)의 길이 방향의 양 단면에는 노출되는 상기 내부 도체 패턴부(42, 44)와 접속하도록 외부전극(80)이 형성될 수 있다. 상기 내부 도체 패턴부(42, 44), 비아 전극(46), 외부전극(80)은 전기 전도성이 뛰어난 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
한편, 상기 자성체 본체(50)는 보다 구체적으로, 제1 자성입자(52)와 제2 자성 입자(53)를 포함하며, 상기 제 1 자성입자(52) 및 제 2 자성입자는 철(Fe)을 포함하는 비정질 금속이며, 상기 제 1 자성입자는 장축의 길이가 15 ㎛ 이상의 조분이고, 상기 제 2 자성입자는 장축의 길이가 5 ㎛ 이하의 미분으로 이루어진다.
The first
본 발명의 일 실시형태의 박막형 인덕터(10)의 단면도인 도 3을 살펴보면, 자성체 본체(50)는 조분의 제 1 자성 입자(52)와 미분의 제 2 자성 입자(53)이 혼합되어 형성된다.
3, which is a cross-sectional view of the
이와 같이 입도 분포가 상이한 제 1 자성 입자(52) 및 제 2 자성 입자(53)를 혼합하여 자성체 본체(50)를 형성함으로써 충진율을 향상시키는 효과가 있으며, 이에 따라 투자율이 현저히 향상되어 인덕턴스 및 Isat 값이 향상될 수 있다.
By forming the
상기 제 1 자성입자(52) 및 제 2 자성입자(53)는 철(Fe) 이외에 적어도 3 이상의 금속을 더 포함하는 비정질 금속일 수 있다. The first
조분의 제 1 자성입자(52) 뿐만 아니라 미분의 제 2 자성입자(53)도 비정질 금속으로 형섬됨으로써 인덕턴스 등의 성능 향상에 유리한 효과가 있으며, 비정질 금속일 때 입자의 형상도 구형을 이루기 쉬워 충진율 향상에도 효과적일 수 있다.
As well as the first
상기 제 1 자성입자(52) 및 제 2 자성입자(53)는 철(Fe)과, 규소(Si), 붕소(B), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 3 이상의 금속을 포함하는 비정질 금속일 수 있으며 예를 들어, Fe-Si-B-Cr 계 비정질 금속일 수 있다. The first
상기 제 1 자성입자(52)와 제 2 자성입자(53)는 동일한 종류의 비정질 금속일 수도 있으며, 각각 다른 종류의 비정질 금속을 선택할 수도 있다.
The first
상기 제 1 자성입자(52)의 입도 분포 D50은 제 2 자성입자(53)의 입도 분포 D50에 비하여 4 내지 13.5 배 클 수 있다. The first particle size distribution D 50 of the
여기서, 입도 분포 D50은 1,000배로 촬영한 SEM(Scanning Eletron Microscope) 사진의 1 시야 당 면적을 12.5㎛2로 하였을 때, 50 시야분에 해당하는 자성 입자의 입도를 구하여 입도가 작은 순서대로 나열하고, 각 입도의 누계가 시야 전체의 50%에 달하는 순위의 입도를 그 시야에서의 입도 분포 D50으로 정의하였다.Here, the particle size distribution D 50 is When the area per field of view of the SEM (Scanning Eletron Microscope) photograph taken at 1,000 times was taken as 12.5 占 퐉 2 , the particle sizes of the magnetic particles corresponding to 50 fields of view were obtained and the particle sizes were listed in ascending order of size, The particle size of the order of 50% of the total was defined as the particle size distribution D 50 in that field of view.
제 1 자성입자(52)의 입도 분포 D50이 제 2 자성입자(53)의 입도 분포 D50에 비하여 4 내지 13.5배 클 때 충진율이 현저히 향상되고, 투자율이 증가하여 인덕턴스가 현저히 향상되는 효과가 있다. (표 3 참조)
When the first distribution D 50 particle size of the
보다 구체적으로, 상기 제 1 자성 입자(52)의 입도 분포 D50은 제 2 자성 입자(53)의 입도 분포 D50 에 비하여 15 내지 18 ㎛ 클 수 있다. 제 1 자성 입자(52)와 제 2 자성 입자(53)의 입도 분포 D50 의 차가 15㎛ 미만이거나 18㎛ 를 초과할 경우 충진율 향상의 효과가 미비하여 인덕턴스 향상이 적어질 수 있다.
More specifically, the first particle size distribution D 50 of the
상기 제 1 자성 입자(52)는 입도 분포 D50 이 18 내지 22 ㎛ 일 수 있다. 제 1 자성 입자(52)의 입도 분포 D50 가 18 내지 22 ㎛ 일 때, 고주파에서의 자성 손실이 적으면서도 높은 투자율을 확보할 수 있다. 제 1 자성 입자(52)의 입도 분포 D50 이 18 ㎛ 미만일 경우 충분한 투자율을 확보할 수 없으며, 22 ㎛를 초과할 경우 고주파수 및 고전류에서의 효율이 현저히 감소하는 문제가 발생할 수 있다.
The first
또한, 상기 제 2 자성 입자(53)는 입도 분포 D50 이 2 내지 4 ㎛ 일 수 있다. 제 2 자성 입자(53)의 입도 분포 D50 가 2 내지 4 ㎛ 일 때, 제 1 자성 입자(52)와 혼합되어 충진율이 현저히 향상되고 투자율이 현저히 향상될 수 있다. 제 2 자성 입자(53)의 입도 분포 D50 이 2 ㎛ 미만이거나 4 ㎛를 초과하는 경우 충진율의 향상이 미비하고 투자율이 감소하는 문제가 발생할 수 있다.
In addition, the second
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 6 : 4 내지 8 : 2의 중량비로 혼합하여 자성체 본체(50)를 형성할 수 있다. The first magnetic particles and the second magnetic particles may be mixed at a weight ratio of 6: 4 to 8: 2 to form the
이때, 자성체 본체(50)를 파단하여 일 단면을 관찰하면, 상기 조분의 제 1 자성입자(52) 및 제 2 자성입자(53)가 차지하는 단면적 비가 10 : 1 내지 18 : 1 일 수 있다. 상기 제 1 자성입자(52)와 제 2 자성입자(53)가 상기 범위 내의 단면적 비가 나타날 때 충진율이 현저히 향상되고 고투자율을 나타낼 수 있다.
At this time, when the
본 발명의 일 실시형태에 따른 상기 자성체 본체(50)는 충진율(density)이 80% 이상을 만족할 수 있다. The
입도 분포 D50 이 3 ㎛인 자성 입자를 균일하게 형성한 경우(비교예 1) 충진율(density)이 62.7%에 불과하나, 본 발명의 일 실시형태에 따라 입도 분포 D50이 20 ㎛인 제 1 자성입자와 입도 분포 D50 이 3 ㎛인 제 2 자성입자를 7 : 3의 중량비로 혼합 형성한 경우(실시예 5) 충진율(density)이 76.1%로 약 14% 이상 향상되었다. (표 1 참조)Particle size distribution D 50 According to one embodiment of the present invention, the first magnetic particles having a particle size distribution D 50 of 20 탆 and the particle size distribution (particle size distribution) When the second magnetic particles having a distribution D 50 of 3 탆 were mixed and formed at a weight ratio of 7: 3 (Example 5), the packing density was improved to 76.1% by about 14% or more. (See Table 1)
이에 따라 본 발명의 일 실시형태에 따른 박막형 인덕터(10)는 고투자율, 고효율 및 높은 Isat 값을 구현할 수 있다. (표 2 참조)
Accordingly, the thin
인덕터의 제조방법Manufacturing method of inductor
도 4는 도 2의 인덕터의 제조 방법을 개략적으로 설명하는 도면이다.
4 is a view for schematically explaining a manufacturing method of the inductor of FIG.
도 4(a)를 참조하면, 절연 기판(23)의 일면 및 반대 면에 내부 도체 패턴부(42, 44)를 형성한다. 내부 도체 패턴부(42, 44)의 형성 방법으로써 프린트배선판의 제조공정으로 이용되고 있는 도금, 에칭, 인쇄법, 전사법 등의 공정이 가능할 수 있으며, 내부 도체 패턴(42, 44)을 보다 두껍게 형성하기 위해서는 도금이 바람직하다. 상기 내부 도체 패턴부(42, 44)는 전기 전도성이 뛰어난 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
Referring to FIG. 4 (a), inner
상기 절연 기판(23)의 일부에는 홀을 형성하고 전도성 물질을 충진하여 비아 전극(46)을 형성할 수 있으며, 상기 비아 전극(46)을 통해 절연 기판(23)의 일면과 반대 면에 형성되는 내부 도체 패턴부(42, 44)는 전기적으로 접속될 수 있다.
A via hole may be formed in a part of the insulating
상기 절연 기판(23) 중앙부에는 절연 기판을 관통하는 홀(70)이 형성될 수 있다. 홀(70)의 형성은 드릴, 레이저, 샌드 블래스트, 펀칭 가공 등을 수행하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
A
도 4(b)를 참조하면, 절연 기판(23)의 일면 및 반대 면에 형성된 내부 도체 패턴부(42, 44)를 절연층(27)으로 피복할 수 있다.
Referring to FIG. 4 (b), the inner
다음으로, 도 4(c)를 참조하면, 상기 내부 도체 패턴(42, 44)이 형성된 절연 기판(23)의 상면 및 하면에 자성체 층을 적층하여 자성체 본체(50)를 형성할 수 있다. 자성체 층을 절연 기판(23)의 양면에 적층하고 라미네이트법이나 정수압 프레스법을 통해 압착하여 자성체 본체(50)를 형성할 수 있다. 이때, 상기 홀(70)이 자성체로 충진될 수 있도록 하여 코어부(71)를 형성할 수 있다.
4 (c), the
이때, 상기 자성체 본체(50)는 제1 자성입자와 제2 자성 입자를 포함하며, 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 철(Fe)을 포함하는 비정질 금속이며, 상기 제 1 자성입자는 장축의 길이가 15 ㎛ 이상의 조분이고, 상기 제 2 자성입자는 장축의 길이가 5 ㎛ 이하의 미분으로 이루어진다.Here, the
본 발명의 일 실시형태의 인덕터의 제조방법에 동일하게 적용되는 상술한 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자에 대한 상세한 설명은 이하 생략하도록 한다.
The detailed description of the first magnetic particles and the second magnetic particles, which are similarly applied to the method of manufacturing the inductor of one embodiment of the present invention, will be omitted hereunder.
마지막으로, 도 4(d)를 참조하면, 상기 자성체 본체(50)의 길이 방향의 양 단면에 외부전극(80)을 형성하여 박막형 인덕터(10)를 제조할 수 있다. 상기 외부전극(80)은 상기 내부 도체 패턴(42, 44)의 단부와 연결되도록 형성되며, 딥핑(dipping)법 등을 수행하여 형성할 수 있다. 상기 외부전극은 전기 전도성이 뛰어난 금속으로 형성될 수 있으며, 예를 들어, 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al) 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다.
Finally, referring to FIG. 4 (d), the thin
하기 표 1 및 표 2는 Fe-Si-B-Cr 계 비정질 금속인 제 1 자성 입자 및 제 2 자성 입자의 혼합 중량비에 따른 박막형 인덕터의 충진율, 투자율 및 인덕턴스 값의 결과를 나타낸 표이다.
The following Tables 1 and 2 are tables showing the results of the filling factor, the permeability and the inductance value of the thin film type inductor according to the mixing weight ratio of the first magnetic particles and the second magnetic particles which are Fe-Si-B-Cr amorphous metals.
Filling rate (%)
Permeability (μ)
(D50 = 20㎛)The first magnetic particle
(D 50 = 20 탆)
(D50 = 3㎛)The second magnetic particle
(D 50 = 3 탆)
하기 표 3은 Fe-Si-B-Cr 계 비정질 금속인 제 1 자성 입자 및 제 2 자성 입자의 입자 크기 비에 따른 충진율, 투자율 및 인덕턴스 값의 결과를 나타낸 표이다.
Table 3 below is a table showing the results of the filling factor, the magnetic permeability and the inductance value according to the particle size ratio of the first magnetic particles and the second magnetic particles which are Fe-Si-B-Cr amorphous metals.
(제1자성입자:제2자성입자)Mixing weight ratio
(First magnetic particles: second magnetic particles)
본 발명은 상술한 실시 형태 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니며 첨부된 청구범위에 의해 한정하고자 한다.
The present invention is not limited to the above-described embodiments and the accompanying drawings, but is intended to be limited by the appended claims.
따라서, 청구범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 당 기술분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 다양한 형태의 치환, 변형 및 변경이 가능할 것이며, 이 또한 본 발명의 범위에 속한다고 할 것이다.
It will be apparent to those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. something to do.
10 : 박막형 인덕터 46 : 비아 전극
50 : 자성체 본체 27 : 절연층
52 : 제1 자성입자 70 : 홀
53 : 제2 자성입자 71 : 코어부
23 : 절연기판 80 : 외부전극
42, 44 : 내부 도체 패턴부10: thin film type inductor 46: via electrode
50: magnetic body body 27: insulating layer
52: first magnetic particle 70: hole
53: second magnetic particle 71: core part
23: insulating substrate 80: external electrode
42, 44: inner conductor pattern portion
Claims (18)
상기 절연 기판의 적어도 일면에 형성되는 내부 도체 패턴부;를 포함하며,
상기 자성체 본체는 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자를 포함하고,
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 철(Fe)을 포함하는 금속이며,
상기 제 1 자성입자는 장축의 길이가 15 ㎛ 이상의 조분이고,
상기 제 2 자성입자는 장축의 길이가 5 ㎛ 이하의 미분으로 이루어지며,
1MHz 이상의 고주파에서 인덕턴스 값이 1.0μH 이상인 인덕터.
A magnetic body body including an insulating substrate; And
And an internal conductor pattern portion formed on at least one surface of the insulating substrate,
Wherein the magnetic body body includes first magnetic particles and second magnetic particles,
Wherein the first magnetic particle and the second magnetic particle are metals including iron (Fe)
Wherein the first magnetic particles have a major axis length of 15 m or more,
Wherein the second magnetic particle is made of a fine powder having a major axis length of 5 m or less,
An inductor having an inductance value of 1.0 μH or more at a high frequency of 1 MHz or more.
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 철(Fe) 이외에 적어도 3 이상의 금속을 더 포함하는 금속인 인덕터.
The method according to claim 1,
Wherein the first magnetic particle and the second magnetic particle are metals including at least three or more metals in addition to iron (Fe).
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 철(Fe)과, 규소(Si), 붕소(B), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 3 이상의 금속을 포함하는 금속인 인덕터.
The method according to claim 1,
Wherein the first magnetic particles and the second magnetic particles are made of a material selected from the group consisting of iron (Fe) and silicon (Si), boron (B), chromium (Cr), nickel (Ni), cobalt (Co) And a metal comprising at least three selected metals.
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 Fe-Si-B-Cr 계 금속인 인덕터.
The method according to claim 1,
Wherein the first magnetic particles and the second magnetic particles are Fe-Si-B-Cr-based metals.
상기 자성체 본체의 일 단면을 관찰했을 때 상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자가 차지하는 단면적 비는 10 : 1 내지 18 : 1 인 인덕터.
The method according to claim 1,
Wherein when observing one end surface of the magnetic body body, the first magnetic particles and the second magnetic particles Sectional area ratio of 10: 1 to 18: 1.
상기 제 1 자성입자의 입도 분포 D50은 제2 자성입자의 입도 분포 D50 에 비하여 4 내지 13.5 배 큰 것을 특징으로 하는 인덕터.
The method according to claim 1,
The particle size distribution D of the first magnetic particles50Is the particle size distribution D50 To about 13.5 times larger than that of the inductor.
상기 제 1 자성입자는 입도 분포 D50 이 18 내지 22 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 인덕터.
The method according to claim 1,
The first magnetic particles have a particle size distribution D 50 Is 18 to 22 占 퐉.
상기 제 1 자성입자의 입도 분포 D50은 제 2 자성입자의 입도 분포 D50 에 비하여 15 내지 18 ㎛ 큰 것을 특징으로 하는 인덕터.
The method according to claim 1,
The particle size distribution D 50 of the first magnetic particles is a particle size distribution D 50 Gt; 18 < / RTI >
상기 제2 자성입자는 입도 분포 D50 이 2 내지 4 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 인덕터.
The method according to claim 1,
The second magnetic particle has a particle size distribution D 50 Is 2 to 4 占 퐉.
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 6 : 4 내지 8 : 2의 중량비로 혼합된 것을 특징으로 하는 인덕터.
The method according to claim 1,
Wherein the first magnetic particles and the second magnetic particles are mixed at a weight ratio of 6: 4 to 8: 2.
상기 내부 도체 패턴이 형성된 기판의 상면 및 하면에 자성체층을 적층하고 압착하여 자성체 본체를 형성하는 단계; 를 포함하며,
상기 자성체 본체는 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자를 혼합하여 형성되며,
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 철(Fe)을 포함하는 금속이며,
상기 제 1 자성입자는 장축의 길이가 15 ㎛ 이상의 조분이고,
상기 제 2 자성입자는 장축의 길이가 5 ㎛ 이하의 미분으로 이루어지며,
1MHz 이상의 고주파에서 인덕턴스 값이 1.0μH 이상인 인덕터의 제조방법.
Forming an internal conductor pattern on at least one surface of the insulating substrate; And
Forming a magnetic body body by laminating and pressing the magnetic body layers on the upper and lower surfaces of the substrate on which the internal conductor pattern is formed; / RTI >
Wherein the magnetic body body is formed by mixing first magnetic particles and second magnetic particles,
Wherein the first magnetic particle and the second magnetic particle are metals including iron (Fe)
Wherein the first magnetic particles have a major axis length of 15 m or more,
Wherein the second magnetic particle is made of a fine powder having a major axis length of 5 m or less,
A method of manufacturing an inductor having an inductance value of 1.0 占 H or more at a high frequency of 1 MHz or more.
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 철(Fe)과, 규소(Si), 붕소(B), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 코발트(Co) 및 알루미늄(Al)으로 이루어진 군에서 선택된 적어도 3 이상의 금속을 포함하는 금속인 인덕터의 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the first magnetic particles and the second magnetic particles are made of a material selected from the group consisting of iron (Fe) and silicon (Si), boron (B), chromium (Cr), nickel (Ni), cobalt (Co) And a metal containing at least three or more metals selected.
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자는 Fe-Si-B-Cr 계 금속인 인덕터의 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the first magnetic particles and the second magnetic particles are Fe-Si-B-Cr-based metals.
상기 제 1 자성입자 및 제 2 자성입자를 6 : 4 내지 8 : 2 의 혼합 중량비로 혼합하는 인덕터의 제조방법.
12. The method of claim 11,
Wherein the first magnetic particles and the second magnetic particles are mixed at a mixing weight ratio of 6: 4 to 8: 2.
상기 제1 자성입자의 입도 분포 D50은 제2 자성입자의 입도 분포 D50에 비하여 4 내지 13.5 배 큰 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.
12. The method of claim 11,
The first particle size distribution D 50 of the magnetic particle production method of the inductor, characterized in that from 4 to 13.5 times larger than the particle size distribution D 50 of the second magnetic particles.
상기 제 1 자성입자는 입도 분포 D50 이 18 내지 22 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.
12. The method of claim 11,
The first magnetic particle production method of the inductor, characterized in that the particle size distribution D 50 18 to 22 ㎛.
상기 제 1 자성입자의 입도 분포 D50은 제 2 자성입자의 입도 분포 D50에 비하여 15 내지 18 ㎛ 큰 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.
12. The method of claim 11,
The first particle size distribution D 50 of the magnetic particle production method of the inductor, characterized in that 15 to 18 ㎛ larger than the particle size distribution D 50 of the second magnetic particles.
상기 제 2 자성입자는 입도 분포 D50 이 2 내지 4 ㎛ 인 것을 특징으로 하는 인덕터의 제조방법.12. The method of claim 11,
Wherein the second magnetic particles have a particle size distribution D 50 of 2 to 4 탆.
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