KR101648760B1 - 전자전달 버퍼층 고분자 소재 및 이를 적용한 유기전자소자 - Google Patents

전자전달 버퍼층 고분자 소재 및 이를 적용한 유기전자소자 Download PDF

Info

Publication number
KR101648760B1
KR101648760B1 KR1020150047380A KR20150047380A KR101648760B1 KR 101648760 B1 KR101648760 B1 KR 101648760B1 KR 1020150047380 A KR1020150047380 A KR 1020150047380A KR 20150047380 A KR20150047380 A KR 20150047380A KR 101648760 B1 KR101648760 B1 KR 101648760B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
organic
solar cell
organic solar
transport layer
Prior art date
Application number
KR1020150047380A
Other languages
English (en)
Inventor
문상진
신원석
송창은
이종철
이상규
신재우
Original Assignee
한국화학연구원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국화학연구원 filed Critical 한국화학연구원
Priority to KR1020150047380A priority Critical patent/KR101648760B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101648760B1 publication Critical patent/KR101648760B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H01L51/42
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F216/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical
    • C08F216/02Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and at least one being terminated by an alcohol, ether, aldehydo, ketonic, acetal or ketal radical by an alcohol radical
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08FMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED BY REACTIONS ONLY INVOLVING CARBON-TO-CARBON UNSATURATED BONDS
    • C08F220/00Copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical or a salt, anhydride ester, amide, imide or nitrile thereof
    • C08F220/02Monocarboxylic acids having less than ten carbon atoms; Derivatives thereof
    • C08F220/10Esters
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L2031/0344Organic materials
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

본 발명은 전자전달층과 광활성층 사이에 폴리비닐아세테이트로부터 부분 가수분해된 폴리비닐알코올을 버퍼층으로 도입한 역구조 유기전자소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 투명전극, 전자전달층, 버퍼층, 광활성층, 정공전달층 및 금속전극의 구조를 포함하는 유기 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.

Description

전자전달 버퍼층 고분자 소재 및 이를 적용한 유기전자소자 {Polymer electron transporting buffer material and organo-electronic devices using the same}
본 발명은 전자전달층과 광활성층 사이에 폴리비닐아세테이트로부터 부분 가수분해된 폴리비닐알코올을 버퍼층으로 도입한 역구조 유기전자소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 투명전극, 전자전달층, 버퍼층, 광활성층, 정공전달층 및 금속전극의 구조를 포함하는 유기 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
유기전자소자 기술은 유기물을 전자소자에 응용한 것으로 유기태양전지, 유기발광다이오드, 유기트랜지스터, 유기광센서 등 다양한 분야로 확대되어 왔다. 그 중 유기태양전지는 광기전력 효과(photovoltaic effect)를 통해 전류를 발생시키는 태양전지의 일종으로 전극/유기 광활성층/전극 구조로 이루어져있다.
광기전력 효과는 전자 도너(electron donor)와 전자 억셉터(electron acceptor) 물질의 접합구조로 이루어진 광활성층에 빛을 조사하였을 때, 도너에서 전자(electron)-정공(hole) 쌍(exciton)이 형성된다. 엑시톤(exciton)은 임의의 방향으로 확산하다가 일부는 재결합하여 손실되고 억셉터와의 계면에 도달하면 전자와 정공으로 분리되고, 양쪽 전극의 일함수 차이로 형성된 내부 전기장에 따라 각 전극을 향해 이동한다.
유기태양전지는 전하의 이동에 따라 정구조 유기 태양전지와 역구조 유기태양전지의 두 가지 구조로 구분된다.
역구조의 유기 태양전지는 전도성 투명 전극을 양극으로 사용하는 통상적 구조의 유기 태양전지 대비, 매우 우수한 안정성 및 향상된 수명을 갖는 것으로 알려져 있다. 유기 태양전지의 일반적인 구조에서 음극으로 사용되는 대표적인 금속은 Al이다. 하지만 Al은 낮은 일함수를 갖기 때문에 공기 중에서 쉽게 산화되는 문제점이 있다. 이러한 일반적인 구조의 유기 태양전지는 포장을 하지 않은 상태에서 공기 중에 짧은 시간 노출시에도 소자의 효율이 떨어지는 장기적 안정성의 문제를 가지고 있다.
이런 문제를 해결하기 위한, 역구조의 유기 태양전지는 투명전도성 전극의 음극/금속 산화물을 포함하는 전자전달층/광활성층/정공전달층/금속 양극이 순차적으로 적층된 구조를 가진다. 이러한 역구조에서는 금속 전극을 양극으로 하여, Al이 아닌 일함수가 높은 Ag와 같은 금속 전극을 양극으로 사용함으로써, 공기 중 산화를 방지할 수 있어 안정성이 향상될 뿐만 아니라, 정공 수송층보다 높은 일함수를 갖기 때문에 전자와 정공의 흐름 방향이 원활하다.
그러나, 종래의 역구조 유기 태양전지는 무기산화물을 전자전달층으로 사용하여 유기 광활성층의 소재와 극성 차이가 많이 나므로 접촉력이 떨어진다. 따라서 광활성층으로부터 전자전달층으로의 전자 전달이 원활하지 않게 되어 유기태양전지 소자 제작 시 광전변환효율이 저하되는 문제점이 발생하였다.
한국 공개특허공보 제 2014-0106034 호
본 발명의 목적은 유기 광활성층으로부터 무기 전자전달층의 접촉면에서 전자 전달의 장벽을 해결하기 위한 방안으로, 전자 전달이 원활하게 하기 위하여 두 층간의 극성 차이를 줄일 수 있는 중간 극성을 가지는 혹은 극성 부분은 무기전달층 쪽으로 배향하고 비극성 부분은 유기물 광활성 쪽으로 배향하는 버퍼층을 도입하여 유기태양전지 소자 제작 시 광전변환효율이 저하되는 문제점을 해결하고자 한다. 또한 본 발명은 폴리비닐아세테이트를 부분 가수분해한 폴리비닐알코올을 유기태양전지의 버퍼층 소재로 이용하여 유기태양전지의 성능을 향상시키는 유기전자소자를 제공하는데 있다.
본 발명은, 기판 위에 순차적으로 형성된 투명전극, 전자전달층, 버퍼층, 광활성층, 정공전달층 및 금속전극을 포함하는 유기전자소자에서, 상기 버퍼층은 폴리비닐아세테이트로부터 부분 가수분해된 중합체를 포함하는 유기전자소자를 제공한다.
또한 본 발명은, 상기 유기전자소자를 포함하는 유기태양전지, 유기발광다이오드, 유기트랜지스터, 유기광센서에 응용할 수 있다.
본 발명은 폴리비닐알코올을 도입하여 계면 극성의 변화로 인해 접촉력이 향상되기 때문에 광활성층에서 생성된 전자를 전자전달층으로 원활하게 이동시킬 수 있다. 이를 역구조 유기태양전지의 버퍼층으로 사용함으로써 높은 에너지 변환효율을 나타내는 유기태양전지를 제공하는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 유기태양전지의 구조이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1과 비교예 1,2에 따른 유기태양전지의 전류밀도-전압 그래프이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1과 비교예 1,2에 따른 유기태양전지의 EQE 그래프이다.
도 4는 본 발명의 실시예2와 비교예 3,4에 따른 유기태양전지의 전류밀도-전압 그래프이다.
도 5은 본 발명의 실시예2와 비교예 3,4에 따른 유기태양전지의 EQE 그래프이다.
본 발명은 유기 광활성층으로부터 무기 전자전달층으로의 전자 전달이 원활하게 하기 위하여 두 층간의 극성 차이를 줄일 수 있는 중간 극성을 가지는 버퍼층을 도입한 것을 특징으로 한다. 보다 상세하게는 폴리비닐아세테이트를 부분 가수분해한 폴리비닐알코올을 유기태양전지의 버퍼층 소재로 이용하여 유기태양전지의 성능을 향상시키는 유기전자소자를 제공하는데 있다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하고자 한다.
본 발명의 폴리비닐알코올 버퍼층은 전자전달층과 광활성층 간의 계면 극성을 완충하여 무기 전자전달층과 유기 광활성층의 접촉성을 좋게하는데 목적이 있다.
폴리비닐알코올은 폴리비닐 아세테이트로부터 부분 가수분해된 것으로서,
[화학식 1]
Figure 112015032853674-pat00001
가수분해율 (a/a+b)*100 값이 0몰% 내지 80몰% 이며, 중량평균분자량은 1,000 내지 5,000,000 이다. 가수분해율 값이 20몰% 내지 40몰% 인것이 에너지전환효율에 있어서, 더욱 바람직하다.(0몰%인 것은 폴리비닐아세테이트이다.)
본 발명에 따른 폴리비닐알코올 버퍼층을 이용한 유기태양전지 소자는 역구조 형태의 태양전지 소자(inveted solar cells)로 구분되고, 역구조형태의 태양전지 소자를 상세히 설명하면 아래의 내용과 같다.
도 1은 본 발명의 역구조(inverted structure) 유기태양전지의 모식도를 나타낸 것으로써, 하부로부터 기판, 투명전극(ITO), 전자전달층(ZnO), 버퍼층(Interfacial modifier), 광활성층(Photo-active layer), 정공전달층(MoO3) 및 금속전극(Ag)이 순차적으로 적층된 구조를 갖는다.
본 발명에서, 소자 제작에 사용되는 상기 기판은 투명한 재질이라면 사용가능하고, 더욱 바람직하게는 유리, 석영판 또는 PET(polyethylene terephthalate), PEN(polyethylene naphthelate), PP(polypropylene), PI(polyimide), PC(polycarbornate), PS(polystylene), POM(polyoxymethylene), AS 수지(acrylonitrile styrene copolymer), ABS 수지(acrylonitrile butadiene styrene copolymer) 및 TAC(Triacetyl cellulose) 등을 포함하는 투명한 합성 수지필름에서 선택되는 물질로 제조될 수 있다.
투명전극은 상기 기판을 통과한 빛이 광활성층에 도달하도록 광투과성 물질인 것이 바람직하며, 광활성층에서 생성된 전자를 받아 외부 회로로 전달하는 음극의 역할을 수행할 수 있다. ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorinated Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), AZO(aluminum doped Zinc Oxide), ATO(antimony tin oxide)등이 있으며, 또한 Ag nanowire, Ag mesh 등의 금속이 도입된 투명 전도성 기판도 사용가능하다. 바람직하게는 ITO를 사용하는 것이 좋다.
상기 투명전극 위에 전자전달층을 적층한다. 전자전달층은 코팅을 통해 도입되는데, 통상적으로 일함수가 큰 무기산화물을 사용할 수 있다. 구체적으로는 산화아연(ZnO), 이산화티타늄(TiO2), 이산화주석(SnO2) 탄산세슘(Cs2CO3)등이 있으며 본 실시예에서는 ZnO를 사용하였다. 전자전달층은 스핀코팅의 방법 외에도 딥코팅, 스크린 프린팅, 잉크젯 프린팅, 그라비아 프린팅, 스프레이 코팅, 닥터블레이드, 브러쉬 페인팅 등의 방법을 응용할 수 있으며, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 전자전달층 위에 버퍼층을 적층한다. 본 발명의 버퍼층은 폴리비닐알코올을 메탄올, 에탄올, 프로필알콜, 부틸알콜 등의 고분자를 녹일 수 있는 유기용매 하나 또는 하나 이상의 혼합물로 이루어진 용매에 녹인 후 스핀코팅, 슬롯다이코팅, 블레이딩, 스프레이, 잉크젯 등의 방법으로 도포하여 박막을 형성하는 단계를 포함하여 제조할 수 있다.
이때, 폴리비닐 알코올 버퍼층의 두께는 계면 특성을 향상시켜 전자 전달의 기능을 원활하기 때문에 1 - 20 ㎚ 범위인 것이 바람직하다.
상기 버퍼층은 무기물 산화물과 유기물, 또는 무기물과 유기물 사이에 버퍼층으로 사용할 수 있다.
상기 버퍼층 위에 광활성층을 적층한다. 광활성층은 통상적으로 저분자의 경우 도너(doner)와 억셉터(accepter)를 적층하여 사용할 수 있고, 고분자의 경우 도너(doner)와 억셉터(accepter)를 클로로벤젠 (chlorobenzene) 이나 디클로로벤젠 (1,2-di(ethenyl)benzene) 같은 용매에 녹여 혼합시킨 후 단일박막으로 형성하여 사용할 수 있다. 구체적인 예로 저분자의 경우, 도너 물질로는 프탈로시아닌(phthalocyanine) 계열인 CuPC (Copper phthalocyanine), ZnPC (Zinc phthalocyanine), SubPC(Subphthalocyanine), 억셉터 물질로는 C60 (Fullenene) 등이 있다.
도너 고분자로는 공액 고분자일 수 있으며, 폴리플루오렌(polyfluorene)계, 폴리아닐린(polyaniline)계, 폴리카바졸(polycarbazole)계, 폴리비닐카바졸(polyvinylcarbazole)계, 폴리페닐렌(polyphenylene)계, 폴리페닐렌비닐렌(polyphenylenevinylene)계, 폴리실란(polysilane)계, 폴리티아졸(polythiazole)계일 수 있으며, 바람직하게는 폴리사이오펜(polythiophene)계 일 수 있다.
구체적으로는 P3HT (poly(3-hexylthiophene)), PCPDTBT (Poly[2,1,3-benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-
ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b']dithiophene-2,6-diyl]]), PTB7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), 등이 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
억셉터로는 플러렌(fullerene)계 화합물을 포함하는 화합물로써, PC61BM([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester), PC71BM ([6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ester), PC81BM ([6,6]-phenyl-C81-butyric acid methyl ester)과 같은 플러렌 유도체 등일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
상기 광활성층은 도너와 억셉터로 이루어지며, 도너:억셉터 중량비가 1:0.5 내지 1:4로 배합 될 수 있다.
광활성층은 진공증착 또는 용액공정 방법을 통해 형성할 수 있다. 용액공정은 스핀코팅(spin coating), 슬롯다이코팅, 잉크젯 프린팅 (ink jet printing), 스크린 프린팅 (screen printing) 등의 다양한 방법으로 형성이 가능하며, 형성된 각각의 두께는 다양하게 조절할 수 있다. 본 실시예에서는 스핀코팅 방법을 통해 광활성층을 적층 하였다.
상기 광활성층 위에 정공전달층을 적층하였다. 정공전달층으로는 당해 기술분야에서 통상적으로 사용되는 유기물 또는 무기물, 유기무기합성물을 사용할 수 있다. 구체적으로 PEDOT:PSS (Poly(3,4-ethylenedioxythiophene:poly (styrenesulfonate)), MoO3, WO3, V2O5, NiO 등이 있다. 본 발명에서는 MoO3 을 진공 증착방법을 통해 증착하여 사용하였다.
상기 광활성층 위에 금속전극을 적층하였다. 정공을 수집하여 외부 회로에 전달하는 양극의 역할을 하는 층으로서, 금속전극은 대기 중 노출에 대한 산화 안정성이 큰 물질인 것이 바람직하며, 예를 들어, Cu, Ag, Au, W, Ni 및 Ti과 같이 일함수가 높은 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 금속전극은 진공증착법, 전자빔증착법, 스퍼터링법, 이온도금법 또는 화학적 증착에 의해 형성하거나, 금속을 포함한 전극 형성용 페이스트를 도포한 후 열처리하여 형성할 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다.
이하 본 발명을 실시예를 통해 상세히 설명한다. 단, 하기 실시예는 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명이 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다.
[실시예1]
1. 폴리비닐알코올의 제조
폴리비닐알코올은 폴리비닐 아세테이트로부터 부분 가수분해된 것으로서, 폴리비닐아세테이트는 Aldrich에서 구매한 분자량(Mw) 140,000 인 것을 사용하였다. 320 ml의 아세트산에 25g의 폴리비닐알코올을 녹인 후 160 ml의 증류수와 20 ml의 35-37% 염산을 혼합한다. 이후 70도에서 교반하며 시간에 따라 40 ml씩의 샘플을 추출하여 정제한다.
15분 ~ 180분 사이에서 추출한 용액은 증류수 500 ml에 넣어 침전시킨 후 침전물을 필터한다. 침전물을 다시 소량의 메탄올에 녹인 후 증류수에 침전시킨다. 이후 뷰흐너 깔때기를 이용하여 고분자 침전물을 얻은 이후 진공에서 하루동안 건조시킨다.
240분 ~ 1260분 사이에서 추출한 용액은 10%의 증류수가 포함된 아세톤 250ml 에 침전시킨 후 침전물을 필터한다. 침전물을 소량의 메탄올에 녹인 후 500 ml 아세톤에 침전시켜 침전물을 얻고, 이후 뷰흐너 깔때기를 이용하여 고분자 침전물을 얻은 이후 진공에서 하루동안 건조시킨다.
건조된 고분자를 1H-NMR을 사용하여 가수분해 시킨 반응시간에 따른 가수분해된 정도를 분석한 결과 15분은 6.8%, 60분은 15.8%, 90분은 22.6%, 150분은 33.6%, 240분은 44.4%, 360분은 54.6%, 1260분은 69.3% 임을 확인할 수 있었다.
2. 유기태양전지의 제조
음극인 ITO (Indium Tin Oxide)가 코팅된 유리 기판을 세척용액이 포함된 탈이온수에 담궈, 초음파 세척기에 15분간 세척한다. 다음 탈이온수, 아세톤, IPA로 각각 3번씩 세정한 뒤, 130℃ 오븐에서 5시간 건조 시킨다. 이렇게 세척된 ITO 유리 기판은 15분 동안 자외선/오존 처리를 한 뒤, 스핀코팅 공정을 통하여 전자전달층인 ZnO를 30nm 두께로 ITO 유리 기판 위에 코팅한다.
폴리비닐아세테이트로부터 부분 가수분해된 가수분해율이 하기 표1에 기재된 바와 같은 폴리비닐알코올을 0.1 wt/vol%의 농도로 메탄올 용매에 용해시키고 1-20 nm의 두께로 ZnO 코팅 층 위에 스핀코팅 하였다.
다음으로 광활성층 도너고분자 PTB7과 억셉터고분자 PC71BM을 1 : 1.5의 중량비로 혼합한 광전변환층 재료를 클로로벤젠 용매에 1.5중량%의 농도로 용해시키고, 상기의 버퍼층 위에 광활성층 용액을 0.45 μm 시린지 필터로 거른 후 스핀코팅한다. 스핀코팅한 다음 120℃에서 10분간 열처리하여 130 ㎚ 두께의 광전변환층을 도입하였다.
박막을 건조시킨 후 진공증착기에 옮긴 후 MoO3를 2×10-6 torr에서 0.1 nm/s의 속도에서 10 nm의 두께로 증착한다. 그 후 바로 같은 압력에서 Ag를 0.3 ~ 0.5 nm/s의 속도로 100nm의 두께로 증착하여 유기태양전지 소자를 제작하였다. 제작된 소자의 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[비교예1]
상기 버퍼층을 도입하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법 및 조건으로 유기태양전지를 제조하였다. 제작된 소자의 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[비교예2]
가수분해율이 98몰%인 폴리비닐알코올(Aldrich의 분자량(Mw) 13,000)을 버퍼층에 도입한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법 및 조건으로 유기태양전지를 제조하였다. 제작된 소자의 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예2]
상기 광활성층 도너고분자 P3HT과 억셉터고분자 PC61BM을 도입한 것을 제외하고는, 실시예 1과 동일한 방법 및 조건으로 유기태양전지를 제조하였다. 제작된 소자의 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[비교예3]
상기 버퍼층을 도입하지 않은 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법 및 조건으로 유기태양전지를 제조하였다. 제작된 소자의 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
[비교예4]
가수분해율이 98몰%인 폴리비닐알코올을 버퍼층에 도입한 것을 제외하고는, 실시예 2와 동일한 방법 및 조건으로 유기태양전지를 제조하였다. 제작된 소자의 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
Figure 112015032853674-pat00002
Figure 112015032853674-pat00003
표 1과 표 2는 실시예 1 내지 2 및 비교예 1내지 4의 제작된 소자의 전기 광학적 특성을 측정하였으며, 전류밀도-전압 (J-V)특성을 Oriel 1000W solar simulator에 의해 100 mW/cm2 (AM 1.5 G)로써 태양광을 모사한 조명하에서 측정하였다.
도 2는 본 발명의 실시예1과 비교예1,2에 따른 유기태양전지의 전류밀도-전압 그래프이다. 도 3은 본 발명의 실시예1과 비교예1,2에 따른 유기태양전지의 EQE(external quantum efficiency) 그래프이다. 도 4는 본 발명의 실시예2와 비교예3,4에 따른 유기태양전지의 전류밀도-전압 그래프이다. 도 5은 본 발명의 실시예2와 비교예3,4에 따른 유기태양전지의 EQE 그래프이다.
전기광학적 특성 중, Voc는 개방전압(open circuit voltage)을 나타내고, Jsc는 광단략전류밀도(short circuit current)를 나타내고, FF는 충전인자(Fill factor)를 나타내고, PCE는 에너지전환효율(Power conversion efficiency)을 나타낸다. 필팩터 (Fill factor) 및 에너지전환효율은 하기 수학식 1 및 수학식 2에 의해 산출되었다.
[수학식 1]
Figure 112015032853674-pat00004
[수학식 2]
Figure 112015032853674-pat00005
상기 수학식에서, Vmp는 최대 전력점에서 전압값, Imp는 전류밀도, Voc는 개방전압, Isc는 광단락전류, Jsc는 광단략전류밀도이다.
표 1 에 나타난 바와 같이, 폴리비닐알코올 버퍼층을 도입하고 PTB7:PC71BM 기반인 광활성층을 유기태양전지 소자의 경우, 실시예 1의 유기태양전지가 버퍼층을 도입하지 않은 비교예 1에 비해, 뛰어난 에너지전환효율을 나타내고 있는 것을 알 수 있다.
또한 가수분해가 98몰% 진행된 비교예 2의 경우에 비하여 실시예 1의 에너지전환효율이 우수하다는 것을 알 수 있다.
마찬가지로, 표 2에 나타난 바와 같이, 폴리비닐알코올 버퍼층을 도입하고 P3HT:PC61BM 기반인 광활성층을 유기태양전지 소자의 경우, 실시예 2의 유기태양전지가 버퍼층을 도입하지 않은 비교예 3에 비해, 뛰어난 에너지전환효율을 나타내고 있는 것을 알 수 있다. 또한 가수분해가 98몰% 진행된 비교예 4의 경우에 비하여 실시예2의 에너지전환효율이 우수하다는 것을 알 수 있다.
본 발명에 따른 실시예 모두 비교예 보다 에너지전환효율이 훨씬 우수함을 알 수 있으며, 가수분해율이 20~40몰% 사이, 특히 22.4몰%의 경우 성능이 매우 뛰어남을 확인할 수 있다.
본 발명의 버퍼층은 전자전달층, 광활성층, 정공전달층으로 구성된 유기태양전지, 유기발광다이오드, 유기트랜지스터 등 다양한 유기전자 소자의 버퍼층에 적용될 수 있으며, 본 발명의 버퍼층은 광활성층과 전자전달층 사이에서 극성의 완충 효과로 인해 전자전달을 향상시키는 것을 알 수 있었다.
본 발명은 상술한 특정의 실시예 및 설명에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능하며, 그와 같은 변형은 본 발명의 보호 범위 내에 있게 된다.

Claims (8)

  1. 기판 위에 순차적으로 형성된 투명전극, 전자전달층, 버퍼층, 광활성층, 정공전달층 및 금속전극을 포함하는 유기전자소자에서, 상기 버퍼층은 폴리비닐아세테이트로부터 부분 가수분해된 하기 화학식 2의 중합체를 포함하는 유기전자소자.
    [화학식 2]
    Figure 112016028915949-pat00012

    [화학식 2에 있어서,
    가수분해율 (a/a+b)*100 값이 10몰% 내지 60몰%이며,
    중량평균분자량은 1,000 내지 5,000,000 이다.]
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 가수분해율(a/a+b)*100 값이 20몰% 내지 40몰%인 유기전자소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 중합체를 무기물 산화물과 유기물, 또는 무기물과 유기물 사이에 버퍼층으로 사용하는 유기전자소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 광활성층은 도너와 억셉터로 이루어지며, 도너 :억셉터 중량비가 1:0.5 내지 1:4로 배합된 유기전자소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 전자전달층은 ZnO, TiO2, SnO2, 또는 Cs2CO3인 무기산화물을 포함하는 유기전자소자.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 정공전달층은 MoO3, NiO, V2O5 또는 WO3인 무기산화물을 포함하는 유기전자소자.
  8. 제 1항 및 제 3항 내지 제 7항에서 선택되는 어느 한 항의 유기전자소자를 포함하는 유기태양전지.
KR1020150047380A 2015-04-03 2015-04-03 전자전달 버퍼층 고분자 소재 및 이를 적용한 유기전자소자 KR101648760B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150047380A KR101648760B1 (ko) 2015-04-03 2015-04-03 전자전달 버퍼층 고분자 소재 및 이를 적용한 유기전자소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150047380A KR101648760B1 (ko) 2015-04-03 2015-04-03 전자전달 버퍼층 고분자 소재 및 이를 적용한 유기전자소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101648760B1 true KR101648760B1 (ko) 2016-08-17

Family

ID=56873888

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150047380A KR101648760B1 (ko) 2015-04-03 2015-04-03 전자전달 버퍼층 고분자 소재 및 이를 적용한 유기전자소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101648760B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180131172A (ko) * 2017-05-31 2018-12-10 울산과학기술원 올인원 단분자 및 이를 포함하는 단분자 유기 태양전지
KR20180131112A (ko) * 2017-05-31 2018-12-10 부경대학교 산학협력단 신규 저분자 전해질을 포함하는 음극 버퍼층을 가지는 고분자 태양전지

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000045277A (ko) * 1998-12-30 2000-07-15 김영환 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
JP2012084889A (ja) * 2010-10-11 2012-04-26 Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation 有機太陽電池及びその製造方法
KR20140003998A (ko) * 2012-06-29 2014-01-10 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트 기반 메조다공 박막 태양전지 제조 기술
KR20140106034A (ko) 2013-02-25 2014-09-03 경희대학교 산학협력단 플렉서블 유기 태양전지 및 이를 제조하는 장치와 방법
KR20140134781A (ko) * 2013-05-14 2014-11-25 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층 및 이를 이용한 유기전자 소자

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000045277A (ko) * 1998-12-30 2000-07-15 김영환 유기전계 발광소자 및 그의 제조방법
JP2012084889A (ja) * 2010-10-11 2012-04-26 Pohang Univ Of Science & Technology Academy-Industry Cooperation 有機太陽電池及びその製造方法
KR20140003998A (ko) * 2012-06-29 2014-01-10 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트 기반 메조다공 박막 태양전지 제조 기술
KR20140106034A (ko) 2013-02-25 2014-09-03 경희대학교 산학협력단 플렉서블 유기 태양전지 및 이를 제조하는 장치와 방법
KR20140134781A (ko) * 2013-05-14 2014-11-25 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 극성용매로 계면처리된 전하선택적 계면전송층 및 이를 이용한 유기전자 소자

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180131172A (ko) * 2017-05-31 2018-12-10 울산과학기술원 올인원 단분자 및 이를 포함하는 단분자 유기 태양전지
KR20180131112A (ko) * 2017-05-31 2018-12-10 부경대학교 산학협력단 신규 저분자 전해질을 포함하는 음극 버퍼층을 가지는 고분자 태양전지
KR102009245B1 (ko) * 2017-05-31 2019-08-09 부경대학교 산학협력단 신규 저분자 전해질을 포함하는 음극 버퍼층을 가지는 고분자 태양전지
KR102018291B1 (ko) * 2017-05-31 2019-09-05 울산과학기술원 올인원 단분자 및 이를 포함하는 단분자 유기 태양전지

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP3451399B1 (en) Organic electronic element and method for manufacturing same
Kadam et al. Optimization of ZnO: PEIE as an electron transport layer for flexible organic solar cells
KR20110133717A (ko) 유기 태양 전지 및 그 제조 방법
CN106256029B (zh) 有机太阳能电池及其制造方法
KR101705468B1 (ko) 양면형 태양전지
KR100927721B1 (ko) 광전변환소자 및 이의 제조방법
US20190180946A1 (en) Organic-inorganic hybrid solar cell and method for manufacturing organic-inorganic hybrid solar cell
Yu et al. Optimization of the energy level alignment between the photoactive layer and the cathode contact utilizing solution-processed hafnium acetylacetonate as buffer layer for efficient polymer solar cells
KR20130027725A (ko) 유기 전자 소자 및 그 제조방법
KR101334222B1 (ko) 태양 전지 및 그 제조 방법
JP5681932B2 (ja) 封止を備えたオールスプレー式シースルー型有機ソーラアレイ
JP2013089685A (ja) 有機光電変換素子およびこれを用いた太陽電池
KR101582264B1 (ko) 유기 박막용 조성물, 유기 박막 및 상기 유기 박막을 포함하는 전자 소자
KR101648760B1 (ko) 전자전달 버퍼층 고분자 소재 및 이를 적용한 유기전자소자
KR101701670B1 (ko) 산소와 할로겐 원자로 개질 된 n형 반도체를 갖는 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법
WO2012160911A1 (ja) 有機発電素子
KR20150002055A (ko) Igzo를 포함하는 역구조 유기 태양전지 및 그의 제조 방법
JP5298961B2 (ja) 有機光電変換素子の製造方法
Duan et al. Interface engineering for high performance bulk-heterojunction polymeric solar cells
KR101458565B1 (ko) 유기 태양전지 및 이의 제조방법
KR101434090B1 (ko) 세슘카보네이트가 블랜딩된 산화아연 전자수송층이 구비된 유기 태양전지 및 그의 제조방법
KR101608504B1 (ko) 유기 태양전지 및 이의 제조방법
KR102192312B1 (ko) 균일한 단위셀 성능을 가지는 역구조 유기태양전지 모듈의 제조방법
KR20160067340A (ko) 유기 태양 전지 및 이의 제조방법
KR101743865B1 (ko) 유기태양전지용 정공수송재료 및 이를 위한 전도성 고분자의 일함수 조절방법

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190711

Year of fee payment: 4