KR101644581B1 - Transparent display and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

각 픽셀을 구동하도록 투명한 기판 상에 마련된 투명한 박막트랜지스터 백플레인과, 유기발광소자의 유기발광층이 형성되어 발광이 이루어지는 픽셀 영역을 가지는 투명 디스플레이가 개시된다. 개시된 투명 디스플레이에서, 유기발광소자는, 픽셀 영역에 대응하는 위치에 형성된 양극 전극과, 양극 전극 상에 형성되는 유기 발광층과, 유기발광층을 덮는 제1스트라이프영역과 이 제1스트라이프 영역에 크로스되는 방향으로 픽셀의 중심에서 벗어난 영역에 제1스트라이프 영역보다 작은 폭을 가지도록 형성된 제2스트라이프 영역을 포함하는 음극 전극을 포함한다.A transparent thin film transistor backplane provided on a transparent substrate for driving each pixel and a transparent display having a pixel region in which an organic light emitting layer of an organic light emitting element is formed and light is emitted. In the disclosed transparent display, the organic light emitting element includes an anode electrode formed at a position corresponding to the pixel region, an organic light emitting layer formed on the anode electrode, a first stripe region covering the organic light emitting layer, and a second stripe region crossing the first stripe region And a second stripe region formed so as to have a width smaller than the first stripe region in an area off the center of the pixel.

Description

투명 디스플레이 및 그 제조 방법{Transparent display and method for manufacturing the same}Transparent display and method of manufacturing same

투명 디스플레이 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 광투과도를 개선한 투명 디스플레이 및 그 제조 방법에 관한 것이다.And more particularly, to a transparent display having improved light transmittance and a method of manufacturing the transparent display.

디스플레이 구현을 위한 박막트랜지스터 백플레인(TFT backplane)을 투명 전극물질 배선과 가시광 영역에 광을 투과하는 산화물 반도체를 사용하여 제조하는 경우, 투명 디스플레이를 구현할 수 있다.A transparent display can be realized when a thin film transistor backplane (TFT backplane) for implementing a display is manufactured by using a transparent electrode material wiring and an oxide semiconductor which transmits light in a visible light region.

예를 들어, 박막트랜지스터 백플레인 상에 유기발광소자(OLED:Organic Light Emitting Devices) 등을 도포하면, 투명한 유기발광 디스플레이를 제작할 수 있다.For example, when organic light emitting devices (OLEDs) are coated on a thin film transistor backplane, a transparent organic light emitting display can be manufactured.

불투명 재질로 형성되는 음극 전극 패턴 구조를 개선하여 광투과도가 우수한 투명 디스플레이 및 그 제조 방법을 제공한다.Provided is a transparent display having improved light transmittance by improving the structure of a cathode electrode pattern formed of an opaque material and a method of manufacturing the same.

본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이는, 각 픽셀을 구동하도록 투명한 기판 상에 마련된 투명한 박막트랜지스터 백플레인과; 유기발광소자의 유기발광층이 형성되어 발광이 이루어지는 픽셀 영역을 가지며, 상기 유기발광소자는, 상기 픽셀 영역에 대응하는 위치에 형성된 양극 전극과; 상기 양극 전극 상에 형성되는 유기 발광층과; 상기 유기발광층을 덮는 제1스트라이프영역과, 상기 제1스트라이프 영역에 크로스되는 방향으로 픽셀의 중심에서 벗어난 영역에 상기 제1스트라이프 영역보다 작은 폭을 가지도록 형성된 제2스트라이프 영역을 포함하는 음극 전극;을 포함한다.A transparent display according to an embodiment of the present invention includes: a transparent thin film transistor backplane provided on a transparent substrate to drive each pixel; Wherein the organic light emitting device has a pixel region in which an organic light emitting layer of the organic light emitting device is formed to emit light, the organic light emitting device comprising: an anode electrode formed at a position corresponding to the pixel region; An organic light emitting layer formed on the anode electrode; A cathode electrode including a first stripe region covering the organic light emitting layer and a second stripe region formed so as to have a smaller width than the first stripe region in an area off the center of the pixel in a direction crossing the first stripe region; .

상기 박막트랜지스터 백플레인은, 스위칭용 박막트랜지스터와 이에 연결된 구동용 박막트랜지스터를 포함하며, 상기 기판 상에 상기 픽셀 영역의 일측으로부터 상기 스위칭용 박막트랜지스터 및 구동용 박막트랜지스터가 형성된 영역 일측으로 연장되는 데이터 라인이 형성되며, 상기 제2스트라이프 영역은 상기 데이터 라인이 존재하는 영역을 덮도록 형성될 수 있다.The thin film transistor backplane includes a switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected to the switching thin film transistor and the driving thin film transistor. The thin film transistor backplane has a data line extending from one side of the pixel region to one side of the region where the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are formed. And the second stripe region may be formed to cover an area where the data line is present.

본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이 제조방법은, 각 픽셀을 구동하도록 투명한 기판 상에 마련된 투명한 박막트랜지스터 백플레인이 형성되고, 픽셀 영역에 유기 발광소자의 양극 전극 및 유기발광층이 형성된 기판을 준비하는 단계와; 상기 준비된 기판 상에 상기 유기발광층을 덮는 제1스트라이프영역과, 상기 제1스트라이프 영역에 크로스되는 방향으로 픽셀의 중심에서 벗어난 영역에 상기 제1스트라이프 영역보다 작은 폭을 가지도록 형성된 제2스트라이프 영역을 포함하는 음극 전극을 형성하는 단계;를 포함한다.A method of manufacturing a transparent display according to an embodiment of the present invention includes the steps of preparing a transparent thin film transistor backplane formed on a transparent substrate to drive each pixel and a substrate on which an anode electrode of an organic light emitting element and an organic light emitting layer are formed in a pixel region Wow; A first stripe region covering the organic light emitting layer on the prepared substrate and a second stripe region formed so as to have a smaller width than the first stripe region in an area off the center of the pixel in a direction crossing the first stripe region, And forming a cathode electrode including the anode electrode.

상기 음극 전극을 형성하는 단계는, 상기 준비된 기판 상에 상기 제1스트라이프영역에 대응하는 개구를 가지는 제1새도우마스크를 위치시키고, 이 제1새도우마스크를 통해 음극 전극 물질을 상기 준비된 기판 상에 증착시켜, 상기 음극 전극의 제1스트라이프 영역을 형성하는 단계와; 상기 준비된 기판 상에 상기 제2스트라이프영역에 대응하는 개구를 가지는 제2새로우마스크를 위치시킨 다음, 상기 제2새도우마스크를 통해 음극 전극 물질을 상기 준비된 기판 상에 증착시켜, 상기 음극 전극의 제2스트라이프 영역을 형성하는 단계;를 포함한다.Wherein the step of forming the cathode electrode comprises the steps of positioning a first shadow mask having an opening corresponding to the first stripe region on the prepared substrate and depositing a cathode electrode material on the prepared substrate through the first shadow mask Thereby forming a first stripe region of the cathode electrode; Placing a second new mask having an opening corresponding to the second stripe region on the prepared substrate and then depositing a cathode electrode material on the prepared substrate through the second shadow mask, And forming a stripe region.

본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이에 따르면, 광투과도를 저해하는 음극 전극의 면적을 줄일 수 있기 때문에 투명 디스플레이의 광 투과도를 높일 수 있다.According to the transparent display according to the embodiment of the present invention, since the area of the cathode electrode that hinders light transmittance can be reduced, the light transmittance of the transparent display can be increased.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이에 적용될 수 있는 유기발광소자의 적층 구조의 일 예를 보여준다.
도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이의 픽셀을 개략적으로 보인 평면도로, 도 2는 유기발광소자의 음극 전극이 생략된 상태를 보여주며, 도 3은 유기발광소자의 음극 전극이 형성된 상태를 보여준다.
도 4a 및 도 4b는 도 3의 음극 전극를 제조하는 과정을 개략적으로 보여준다.FIG. 1 shows an example of a stacked structure of an organic light emitting diode applicable to a transparent display according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 2 and 3 are plan views schematically illustrating pixels of a transparent display according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a state in which a cathode electrode of an organic light emitting device is omitted, Is formed.
4A and 4B schematically show a process of manufacturing the cathode electrode of FIG.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이에 적용될 수 있는 유기발광소자(OLED:1)의 적층 구조의 일 예를 보여준다. FIG. 1 shows an example of a stacked structure of an organic light emitting diode (OLED) 1 applicable to a transparent display according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 유기발광소자(1)는, 투명 박막트랜지스터 백플레인(Transparent TFT Backplane:10) 상에 형성되는 양극 전극(Anode:20), 유기발광층(30) 및 음극 전극(Cathode:40)을 포함한다. 유기발광층(30)은 양극 전극(20)과 음극 전극(40) 사이에 형성되며, 홀 주입층(HIL:Hole Injection Layer), 홀 수송층(HTL:Hole Transfer Layer), 발광 물질층(EML:Emission Material Layer), 전자 수송층(ETL:Electron Transfer Layer), 전자 주입층(EIL:Electron Injection Layer) 등을 포함할 수 있다.1, an organic light emitting diode 1 includes an anode 20, an organic light emitting layer 30, and a cathode 40 formed on a transparent TFT backplane 10, . The organic light emitting layer 30 is formed between the anode electrode 20 and the cathode electrode 40 and includes a hole injection layer (HIL), a hole transport layer (HTL), a light emitting material layer Material layer, an electron transfer layer (ETL), an electron injection layer (EIL), and the like.

양극 전극(20)은 인듐-틴 옥사이드(ITO), 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속 산화물을 사용할 수 있다. 음극 전극(40)은, 전자의 주입이 쉽게 이루어지도록, 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 리듐(Li)과 같은 일함수가 낮은 금속을 사용할 수 있다. 이때, 이러한 물질들은 불투명하기 때문에, 유기발광소자(1)를 적용한 투명 디스플레이의 투과도를 상당히 감소시킬 수 있다. 따라서, 음극 전극(40)에 의한 투과도 감소를 최소화하기 위해, 예를 들어, Mg:Ag 등의 물질을 얇게 증착하여 투과도를 최적화시킨 구조로 사용한다. 하지만, 이러한 음극 전극(40)의 투과도는 여전히 가시광 영역에서 60% 정도를 넘기 어렵다. The anode electrode 20 can use a transparent conductive metal oxide including indium-tin oxide (ITO), indium-zinc-oxide (IZO). The cathode electrode 40 may be made of a metal having a low work function such as calcium (Ca), aluminum (Al), magnesium (Mg), or lithium (Li) so that electrons can be injected easily. At this time, since these materials are opaque, the transmittance of the transparent display using the organic light emitting element 1 can be significantly reduced. Therefore, in order to minimize the decrease in the transmittance by the cathode electrode 40, for example, a material such as Mg: Ag is thinly deposited to optimize the transmittance. However, the transmittance of the cathode electrode 40 is still difficult to exceed about 60% in the visible light region.

도 2 및 도 3은 본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이의 픽셀을 개략적으로 보인 평면도이다. 도 2는 유기발광소자(1)의 음극 전극(40)이 생략된 상태를 보여주며, 도 3은 유기발광소자(1)의 음극 전극(40)이 형성된 상태를 보여준다. 도 2 및 도 3에 도시된 픽셀은 단색 구동형인 경우, 단일 픽셀을 나타내며, 칼라 구동형인 경우, 하나의 칼라 요소를 나타내는 서브 픽셀을 나타낸다. 본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이는, 실질적으로는 도 2 및 도 3의 픽셀이 행렬 배치된 형태를 가진다.Figures 2 and 3 are plan views schematically illustrating pixels of a transparent display according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a state in which the cathode electrode 40 of the organic light emitting element 1 is omitted, and FIG. 3 shows a state in which the cathode electrode 40 of the organic light emitting element 1 is formed. The pixels shown in Figs. 2 and 3 represent a single pixel in the monochromatic driving type, and a subpixel in the case of the color driving type, which represent one color element. The transparent display according to the embodiment of the present invention has a form in which pixels of FIGS. 2 and 3 are arranged in a matrix.

도 2 및 도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이는 각 픽셀을 구동하도록 투명한 기판(5) 상에 마련된 투명한 박막트랜지스터 백플레인(10)과, 유기발광소자(1)의 유기발광층(30)이 형성되어 발광이 이루어지는 픽셀 영역(50)을 가진다. 유기발광소자(1)는 도 1을 참조로 전술한 바와 마찬가지로, 양극 전극(20), 유기발광층(30) 및 음극 전극(40)을 포함한다.2 and 3, a transparent display according to an embodiment of the present invention includes a transparent thin film transistor backplane 10 provided on a transparent substrate 5 for driving each pixel, And a pixel region 50 in which a light emitting layer 30 is formed to emit light. The organic light emitting device 1 includes an anode electrode 20, an organic light emitting layer 30, and a cathode electrode 40, as described above with reference to FIG.

박막트랜지스터 백플레인(10)은 투명 전극물질 배선과 가시광 영역에서 광을 투과하는 산화물 반도체를 사용하여 제작된다. 이 박막트랜지터 백플레인(10)은 각 픽셀 또는 서브 픽셀 별로, 픽셀 영역(50)을 정의하도록 마련되고, 스위칭용 박막트랜지스터(60)와 이에 연결된 구동용 박막트랜지스터(70)를 포함한다. The thin film transistor backplane 10 is fabricated using a transparent electrode material wiring and an oxide semiconductor which transmits light in a visible light region. The thin film transistor backplane 10 is provided to define a pixel region 50 for each pixel or subpixel and includes a switching thin film transistor 60 and a driving thin film transistor 70 connected thereto.

기판(5) 예컨대, 절연 기판상에는 게이트 라인(81)과, 이 게이트 라인(81)과 교차하는 데이터 라인(83)과, 데이터 라인(83)과 교차하고 게이트 라인(81)과 나란하게 형성된 전원 라인(85)을 구비한다. 스위칭용 박막트랜지스터(60)는 게이트 라인(81) 및 데이터 라인(83)과 접속된다. 구동용 박막트랜지스터(70)는, 스위칭용 박막트랜지스터(60) 및 전원 라인(85)과, 유기발광소자(1)의 음극 전극(40) 사이에 접속된다. 스토리지 캐패시터는 전원 라인(85)과 스위칭용 박막트랜지스터(60)의 드레인 전극 사이에 접속된다.A gate line 81 and a data line 83 intersecting the gate line 81 are formed on the substrate 5 such as an insulating substrate and a power supply line 83 which intersects the data line 83 and is formed in parallel with the gate line 81 Line < / RTI > The switching thin film transistor 60 is connected to the gate line 81 and the data line 83. The driving thin film transistor 70 is connected between the switching thin film transistor 60 and the power source line 85 and the cathode electrode 40 of the organic light emitting element 1. The storage capacitor is connected between the power supply line 85 and the drain electrode of the switching thin film transistor 60.

게이트 라인(81)은 스위칭용 박막트랜지스터(60)에 스캔 신호를 공급하며, 데이터 라인(83)은 스위칭용 박막트랜지스터(60)에 데이터 신호를 공급하며, 전원 라인(85)은 구동용 박막트랜지스터(70)에 전원 신호를 공급한다. 스위칭용 박막트랜지스터(60)는 게이트 라인(81)에 스캔 펄스가 공급되면 턴-온되어 데이터 라인(83)에 공급된 데이터 신호를 구동용 박막트랜지스터(70)의 게이트 전극으로 공급한다.The gate line 81 supplies a scan signal to the switching thin film transistor 60 and the data line 83 supplies a data signal to the switching thin film transistor 60. The power line 85 is connected to the thin film transistor for driving (70). The switching thin film transistor 60 is turned on when a scan pulse is supplied to the gate line 81 to supply the data signal supplied to the data line 83 to the gate electrode of the driving thin film transistor 70.

구동용 박막트랜지스터(70)는 그 게이트 전극으로 공급되는 데이터 신호에 응답하여 전원 라인(85)으로부터 유기발광소자(1)로 공급되는 전류를 제어하여 유기발광소자(1)의 발광을 조절하게 된다. 이를 위해, 구동용 박막트랜지스터(70)는 스위칭용 박막트랜지스터(60)의 드레인 전극과 접속된 게이트 전극, 전원 라인(85)과 접속된 소스 전극, 이 소스 전극과 마주하며 유기발광소자(1)의 양극 전극(20)과 접속된 드레인 전극을 구비한다. The driving thin film transistor 70 controls the current supplied to the organic light emitting element 1 from the power supply line 85 in response to the data signal supplied to the gate electrode thereof to control the light emission of the organic light emitting element 1 . The driving thin film transistor 70 includes a gate electrode connected to the drain electrode of the switching thin film transistor 60, a source electrode connected to the power source line 85, a source electrode connected to the organic light emitting element 1, And a drain electrode connected to the anode electrode 20 of the semiconductor device.

스토리지 캐패시터는 전원 라인(85)과 구동용 박막트랜지스터(70)의 게이트 전극이 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩됨으로써 형성된다. 이러한 스토리지 캐패시터에 충전된 전압에 의해 스위칭용 박막트랜지스터(60)가 턴-오프되더라도 구동용 박막트랜지스터(70)는 다음 프레임의 데이터 신호가 공급될 때까지 일정한 전류를 공급하여 유기발광소자(1)이 발광을 유지하게 한다.The storage capacitor is formed by overlapping the power supply line 85 and the gate electrode of the driving thin film transistor 70 with a gate insulating film interposed therebetween. Even if the switching thin film transistor 60 is turned off by the voltage charged in the storage capacitor, the driving thin film transistor 70 supplies a constant current until the data signal of the next frame is supplied, Thereby maintaining the light emission.

여기서, 스위칭용 트랜지스터(60), 구동용 박막트랜지터(70) 및 스토리지 캐패시터의 구조 및 게이트 라인(81), 데이터 라인(83) 및 전원 라인(85)와의 접속 관계에 대해서는 유기발광 디스플레이 분야에서 잘 알려져 있으므로, 여기서는 그 자세한 설명 및 도시를 생략한다.The structure of the switching transistor 60, the driving thin film transistor 70 and the storage capacitor and the connection relation between the gate line 81, the data line 83 and the power source line 85 are described in the field of organic light emitting displays And therefore detailed description and illustration thereof are omitted here.

유기발광소자(1)의 양극 전극(20)은 구동용 박막트랜지스터(70)의 드레인 전극과 접속되도록 픽셀 영역(50)에 대응하는 위치에 픽셀 또는 서브 픽셀 단위로 독립적으로 형성된다. 이 양극 전극(20)이 노출되도록 격벽(25)이 형성되며, 이 양극 전극(20)과 격벽 위에 유기발광층(30)이 형성된다. 그리고, 유기발광층(30) 위에는 도 3에서와 같이, 음극 전극(40)이 형성된다. 유기발광층(30)은 예를 들어, 도 1의 층 구조를 가질 수 있다. The anode electrode 20 of the organic light emitting element 1 is independently formed in pixel or subpixel unit at a position corresponding to the pixel region 50 so as to be connected to the drain electrode of the driving thin film transistor 70. [ A barrier rib 25 is formed to expose the anode electrode 20 and an organic light emitting layer 30 is formed on the anode electrode 20 and the barrier ribs. On the organic light emitting layer 30, a cathode electrode 40 is formed as shown in FIG. The organic light emitting layer 30 may have, for example, the layer structure shown in Fig.

여기서, 유기발광소자(1)의 음극 전극(40)은 투명 디스플레이의 전면에 증착할 수 있다. 즉, 픽셀 영역(50) 및 박막트랜지스터 백플레인(10) 전체를 덮도록 음극 전극(40)이 형성될 수 있다.Here, the cathode electrode 40 of the organic light emitting element 1 can be deposited on the front surface of the transparent display. That is, the cathode electrode 40 may be formed to cover the entire pixel region 50 and the thin film transistor backplane 10.

그런데, 실질적으로 음극 전극(40)은 전술한 바와 같이, 일함수가 낮은 물질인 불투명 물질을 얇게 증착하여 형성되므로, 전술한 바와 같이 광투과도를 60% 정도 이상으로 높이기가 쉽지 않다.However, since the cathode electrode 40 is formed by thinly depositing an opaque material, which is a material having a low work function, as described above, it is difficult to increase the light transmittance to about 60% or more as described above.

도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이에서, 음극 전극(40)은 불투명 재질을 사용하는 것을 고려하여, 유기발광층(30)을 덮으면서, 음극 전극(40)이 덮지 않는 투명영역(87:도 3에서 점선으로 표시된 영역)이 확보되어 투명영역(87) 즉, 음극 전극(40)이 덮지 않는 투명 영역(87)이 최대화되도록 형성될 수 있다.3, in consideration of using an opaque material, the cathode electrode 40 of the transparent display according to the embodiment of the present invention covers the organic light emitting layer 30, A region 87 (a region indicated by a dotted line in FIG. 3) is secured and a transparent region 87, that is, a transparent region 87 in which the cathode electrode 40 is not covered, can be maximized.

상기 음극 전극(40)은, 이 음극 전극(40)에 의한 투과도 감소를 최소화하기 위해, 칼슘(Ca), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 리듐(Li)과 같은 일함수가 낮은 금속, 예를 들어, Mg:Ag등의 물질을 얇게 증착하여 투과도를 최적화시키도록 마련될 수 있다. 상기 음극 전극(40)은 투명 디스플레이의 투과도를 높일 수 있도록 도 3에서와 같이 패터닝될 수 있다.The cathode electrode 40 is formed of a metal having a low work function such as calcium (Ca), aluminum (Al), magnesium (Mg), and lithium (Li) to minimize the decrease in transmittance by the cathode electrode 40, For example, a material such as Mg: Ag may be thinly deposited to optimize the transmittance. The cathode electrode 40 may be patterned as shown in FIG. 3 to increase the transmittance of the transparent display.

즉, 음극 전극(40)은, 유기발광층(30)이 존재하는 부분을 덮는 제1스트라이프 영역(41)과, 이에 크로스되는 방향으로 픽셀의 사이드부분 즉, 데이터 라인(83)이 존재하는 영역을 덮는 제2스트라이프영역(45)을 포함하여, 투명영역(87)을 최대화화면서, 박막 금속의 저항이 높은 것을 고려한 형태로 형성될 수 있다. 제2스트라이프 영역(45)은 상기 제1스트라이프 영역(41)에 크로스되는 방향으로 픽셀의 중심에서 벗어난 영역에 제1스트라이프 영역(41)보다 작은 폭을 가지도록 형성될 수 있다. 데이터 라인(83)은 제2스트라이프 영역(41)은 픽셀 영역의 일측으로부터 스위칭용 박막트랜지스터(60) 및 구동용 박막트랜지스터(70)가 형성된 영역 일측으로 연장되어 형성되는데, 상기 제2스트라이프 영역(45)은 상기 데이터 라인(83)이 존재하는 영역을 덮도록 형성될 수 있다. 그러면, 제1스트라이프 영역(41)에서 음극 전극(40)은 60% 정도의 광투과도를 가지며, 박막트랜지스터 등이 존재하는 투명 영역(87)에서는 최대의 광투과도를 가질 수 있으므로, 투명 디스플레이의 전체 광투과도를 크게 향상시킬 수 있다. 여기서, 박막 금속은 면적이 넓을수록 저항이 낮아질 수 있으므로, 음극 전극(40)은 제1스트라이프 영역(41)에 부가하여 제2스트라이프 영역(45)을 가지도록 함으로써, 저항은 충분히 낮게 하면서, 투명 디스플레이의 전면에 음극 전극(40)을 형성하는 경우에 비해 전체적인 광투과도를 높일 수 있다.That is, the cathode electrode 40 includes a first stripe region 41 covering a portion where the organic light emitting layer 30 is present, and a region where the side portion of the pixel, that is, the data line 83, The transparent region 87 including the second stripe region 45 may be formed in a shape that maximizes the screen area and takes into account the high resistance of the thin film metal. The second stripe region 45 may be formed to have a width smaller than the first stripe region 41 in an area off the center of the pixel in a direction crossing the first stripe region 41. [ The data line 83 is formed such that the second stripe region 41 extends from one side of the pixel region to one side of the region where the switching thin film transistor 60 and the driving thin film transistor 70 are formed, 45 may be formed to cover an area where the data line 83 is present. Since the cathode electrode 40 in the first stripe region 41 has a light transmittance of about 60% and the transparent region 87 in which a thin film transistor or the like is present can have the maximum light transmittance, The light transmittance can be greatly improved. In this case, since the resistance of the thin film metal can be lowered as the area of the thin metal film is increased, the cathode electrode 40 has the second stripe region 45 in addition to the first stripe region 41, The overall light transmittance can be increased as compared with the case where the cathode electrode 40 is formed on the front surface of the display.

이때, 상기 음극 전극(40) 패터닝은 기존의 포토리소그래피(photolithography)를 사용하는 대신에, 음극 전극(40) 하부에 위치되는 유기발광층(30)의 손상을 최소화 하기 위해 새도우 마스크(shadow mask)를 사용한 증착법으로 패터닝할 수 있다.The cathode electrode 40 may be patterned using a shadow mask to minimize damage to the organic light emitting layer 30 located under the cathode electrode 40 instead of using conventional photolithography. It can be patterned by the used evaporation method.

도 4a 및 도 4b는 도 3의 음극 전극(40)을 제조하는 과정을 개략적으로 보여준다.FIGS. 4A and 4B schematically show a process of manufacturing the cathode electrode 40 of FIG.

먼저, 박막트랜지스터 백플레인(10)이 형성되고, 유기발광소자(1)의 양극 전극(20) 및 유기발광층(30)이 형성된 기판(5')을 준비한다. 이 준비된 기판(5')은 기판(5) 상에 박막트랜지스터 백플레인(10), 유기발광소자(1)의 양극 전극(20) 및 유기발광층(30)이 형성된 상태를 나타낸다.First, a thin film transistor backplane 10 is formed, and a substrate 5 'on which the anode electrode 20 and the organic light emitting layer 30 of the organic light emitting element 1 are formed is prepared. The prepared substrate 5 'shows a state in which the thin film transistor backplane 10, the anode electrode 20 of the organic luminescent element 1 and the organic luminescent layer 30 are formed on the substrate 5.

도 4a를 참조하면, 이 준비된 기판(5) 상에 제1스트라이프영역(41)에 대응하는 개구(91)를 가지는 제1새도우마스크(shadow mask:90)를 위치시킨 다음, 이 제1새도우마스크(90)를 통해 음극 전극(40) 물질을 준비된 기판(5') 상에 증착시킨다. 그러면, 음극 전극(40)의 제1스트라이프영역(41)이 형성된다.Referring to FIG. 4A, a first shadow mask 90 having an opening 91 corresponding to the first stripe region 41 is placed on the prepared substrate 5, (90) to deposit the cathode electrode (40) material onto the prepared substrate (5 '). Then, the first stripe region 41 of the cathode electrode 40 is formed.

다음으로, 상기 준비된 기판(5') 상에 제2스트라이프영역(45)에 대응하는 개구(96)를 가지는 제2새도우마스크(95)를 위치시킨 다음, 이 제2새도우마스크(95)를 통해 음극 전극(40) 물질을 준비된 기판(5') 상에 증착시킨다. 그러면 제2스트라이프영역(45)이 형성되어, 제1 및 제2스트라이프영역(41)(45)을 가지는 음극 전극(40)이 형성된다.Next, a second shadow mask 95 having an opening 96 corresponding to the second stripe region 45 is placed on the prepared substrate 5 ', and then, through this second shadow mask 95, The cathode electrode 40 material is deposited on the prepared substrate 5 '. Then, the second stripe region 45 is formed, and the cathode electrode 40 having the first and second stripe regions 41 and 45 is formed.

이와 같이 새도우 마스크를 2회 사용하여 음극 전극(40) 물질을 증착하는 경우, 원하는 패턴을 쉽게 얻을 수 있다.Thus, when the cathode electrode 40 is deposited using the shadow mask twice, a desired pattern can be easily obtained.

이러한 본 발명의 실시예에 따른 투명 디스플레이에 따르면, 기존 픽셀 구조에 비해 광투과도를 저해하는 음극 전극(40)의 면적을 줄일 수 있기 때문에 투명 디스플레이의 광 투과도를 높일 수 있다.According to the transparent display according to the embodiment of the present invention, since the area of the cathode electrode 40, which hinders light transmittance compared to the existing pixel structure, can be reduced, the light transmittance of the transparent display can be increased.

Claims (5)

각 픽셀을 구동하도록 투명한 기판 상에 마련된 투명한 박막트랜지스터 백플레인과; 유기발광소자의 유기발광층이 형성되어 발광이 이루어지는 픽셀 영역을 가지며,
상기 유기발광소자는,
상기 픽셀 영역에 대응하는 위치에 형성된 양극 전극과;
상기 양극 전극 상에 형성되는 유기 발광층과;
상기 유기발광층을 덮는 제1스트라이프영역과, 상기 제1스트라이프 영역에 크로스되는 방향으로 픽셀의 중심에서 벗어난 영역에 상기 제1스트라이프 영역보다 작은 폭을 가지도록 형성된 제2스트라이프 영역을 포함하는 음극 전극;을 포함하며,
상기 박막트랜지스터 백플레인은, 스위칭용 박막트랜지스터와 이에 연결된 구동용 박막트랜지스터를 포함하며,
상기 기판 상에 상기 픽셀 영역의 일측으로부터 상기 스위칭용 박막트랜지스터 및 구동용 박막트랜지스터가 형성된 영역 일측으로 연장되는 데이터 라인이 형성되며,
상기 제2스트라이프 영역은 상기 데이터 라인이 존재하는 영역을 덮도록 형성되는 투명 디스플레이.A transparent thin film transistor backplane provided on a transparent substrate to drive each pixel; A pixel region in which an organic light emitting layer of the organic light emitting device is formed to emit light,
The organic light-
An anode electrode formed at a position corresponding to the pixel region;
An organic light emitting layer formed on the anode electrode;
A cathode electrode including a first stripe region covering the organic light emitting layer and a second stripe region formed so as to have a smaller width than the first stripe region in an area off the center of the pixel in a direction crossing the first stripe region; / RTI >
The thin film transistor backplane includes a switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected thereto,
A data line extending from one side of the pixel region to one side of the region where the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are formed is formed on the substrate,
Wherein the second stripe region is formed to cover an area where the data line is present. 삭제delete 각 픽셀을 구동하도록 투명한 기판 상에 마련된 투명한 박막트랜지스터 백플레인이 형성되고, 픽셀 영역에 유기 발광소자의 양극 전극 및 유기발광층이 형성된 기판을 준비하는 단계와;
상기 준비된 기판 상에 상기 유기발광층을 덮는 제1스트라이프영역과, 상기 제1스트라이프 영역에 크로스되는 방향으로 픽셀의 중심에서 벗어난 영역에 상기 제1스트라이프 영역보다 작은 폭을 가지도록 형성된 제2스트라이프 영역을 포함하는 음극 전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 박막트랜지스터 백플레인은, 스위칭용 박막트랜지스터와 이에 연결된 구동용 박막트랜지스터를 포함하며,
상기 기판 상에 상기 픽셀 영역의 일측으로부터 상기 스위칭용 박막트랜지스터 및 구동용 박막트랜지스터가 형성된 영역 일측으로 연장되는 데이터 라인이 형성되며,
상기 제2스트라이프 영역은 상기 데이터 라인이 존재하는 영역을 덮도록 형성되는 투명 디스플레이 제조방법.Preparing a transparent thin film transistor backplane provided on a transparent substrate to drive each pixel, a substrate on which an anode electrode of the organic light emitting element and an organic light emitting layer are formed in a pixel region;
A first stripe region covering the organic light emitting layer on the prepared substrate and a second stripe region formed so as to have a width smaller than the first stripe region in an area off the center of the pixel in a direction crossing the first stripe region, And forming a cathode electrode,
The thin film transistor backplane includes a switching thin film transistor and a driving thin film transistor connected thereto,
A data line extending from one side of the pixel region to one side of the region where the switching thin film transistor and the driving thin film transistor are formed is formed on the substrate,
Wherein the second stripe region is formed to cover an area where the data line is present. 제3항에 있어서, 상기 음극 전극을 형성하는 단계는,
상기 준비된 기판 상에 상기 제1스트라이프영역에 대응하는 개구를 가지는 제1새도우마스크를 위치시키고, 이 제1새도우마스크를 통해 음극 전극 물질을 상기 준비된 기판 상에 증착시켜, 상기 음극 전극의 제1스트라이프 영역을 형성하는 단계와;
상기 준비된 기판 상에 상기 제2스트라이프영역에 대응하는 개구를 가지는 제2새도우마스크를 위치시킨 다음, 상기 제2새도우마스크를 통해 음극 전극 물질을 상기 준비된 기판 상에 증착시켜, 상기 음극 전극의 제2스트라이프 영역을 형성하는 단계;를 포함하는 투명 디스플레이 제조 방법.The method according to claim 3, wherein the step of forming the cathode electrode comprises:
Placing a first shadow mask having an opening corresponding to the first stripe region on the prepared substrate and depositing a cathode electrode material on the prepared substrate through the first shadow mask to form a first stripe Forming a region;
Placing a second shadow mask having an opening corresponding to the second stripe region on the prepared substrate and then depositing a cathode electrode material on the prepared substrate through the second shadow mask, And forming a stripe region. 삭제delete
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