KR101642606B1 - Substrate for organic electronic device - Google Patents

Substrate for organic electronic device

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KR101642606B1
KR101642606B1 KR1020140186260A KR20140186260A KR101642606B1 KR 101642606 B1 KR101642606 B1 KR 101642606B1 KR 1020140186260 A KR1020140186260 A KR 1020140186260A KR 20140186260 A KR20140186260 A KR 20140186260A KR 101642606 B1 KR101642606 B1 KR 101642606B1
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Abstract

본 출원은, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치, 상기 기판 또는 장치의 제조 방법, 디스플레이용 광원 및 조명 기기에 관한 것이다. 본 출원의 유기전자소자용 기판은, 예를 들면, 수분이나 산소 등과 같은 외래 물질이 유입되는 것을 차단하여 내구성이 향상되고, 광추출 효율 등을 포함하는 성능이 우수한 유기전자장치를 형성할 수 있다.The present invention relates to a substrate for an organic electronic device, an organic electronic device, a method for manufacturing the substrate or the device, a light source for a display, and a lighting device. The substrate for organic electronic devices of the present application can prevent organic substances such as moisture and oxygen from flowing into the organic electronic device substrate to improve durability and form organic electronic devices having excellent performance including light extraction efficiency .

Description

유기전자소자용 기판{SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTRONIC DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate for organic electronic devices,

본 출원은, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치, 상기 기판 또는 장치의 제조 방법, 광원 및 조명 기기에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate for an organic electronic device, an organic electronic device, a method for manufacturing the substrate or the device, a light source, and a lighting device.

유기전자소자(OED; Organic Electronic Device)는, 예를 들면, 특허문헌 1에 개시된 바와 같이 전류를 전도할 수 있는 유기 재료의 층을 하나 이상 포함하는 소자이다. 유기전자소자의 종류에는 유기발광소자(OLED), 유기태양전지, 유기 감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등이 포함된다.An organic electronic device (OED) is an element including at least one layer of an organic material capable of conducting electric current, for example, as disclosed in Patent Document 1. [ Examples of the organic electronic device include an organic light emitting diode (OLED), an organic solar cell, an organic photoconductor (OPC), or an organic transistor.

대표적인 유기전자소자인 유기발광소자는, 통상적으로 기판, 제 1 전극층, 유기층 및 제 2 전극층을 순차로 포함한다. 소위 하부 발광형 소자(bottom emitting device)로 호칭되는 구조에서는, 제 1 전극층이 투명 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 반사 전극층으로 형성될 수 있다. 또한, 소위 상부 발광형 소자(top emitting device)로 호칭되는 구조에서는 제 1 전극층이 반사 전극층으로 형성되고, 제 2 전극층이 투명 전극층으로 형성되기도 한다. 전극층에 의해서 주입된 전자(electron)와 정공(hole)이 유기층에 존재하는 발광층에서 재결합(recombination)되어 광이 생성될 수 있다. 광은 하부 발광형 소자에서는 기판측으로 상부 발광형 소자에서는 제 2 전극층측으로 방출될 수 있다. An organic light emitting device, which is a typical organic electronic device, typically includes a substrate, a first electrode layer, an organic layer, and a second electrode layer sequentially. In a structure referred to as a so-called bottom emitting device, the first electrode layer may be formed of a transparent electrode layer, and the second electrode layer may be formed of a reflective electrode layer. In a structure referred to as a top emitting device, the first electrode layer may be formed as a reflective electrode layer, and the second electrode layer may be formed as a transparent electrode layer. Electrons and holes injected by the electrode layer can be recombined in the light emitting layer existing in the organic layer to generate light. Light can be emitted toward the substrate in the bottom emission type device and toward the second electrode layer side in the top emission type device.

유기발광소자의 구조에서 투명 전극층으로 일반적으로 사용되는 ITO(Indium Tin Oxide), 유기층 및 통상적으로 유리인 기판의 굴절률은 각각 대략적으로 2.0, 1.8 및 1.5 정도이다. 이러한 굴절률의 관계에 의해서, 예를 들어, 하부 발광형의 소자의 발광층에서 생성된 광은 유기층과 제 1 전극층의 계면 또는 기판 내에서 전반사(total internal reflection) 현상 등에 의해 트랩(trap)되고, 매우 소량의 광만이 방출된다. Refractive indices of ITO (Indium Tin Oxide), an organic layer and a glass substrate, which are generally used as a transparent electrode layer in the structure of an organic light emitting device, are approximately 2.0, 1.8 and 1.5, respectively. Due to the relationship of the refractive indexes, for example, the light generated in the light emitting layer of the bottom emission type device is trapped by the total internal reflection phenomenon or the like at the interface between the organic layer and the first electrode layer or within the substrate, Only a small amount of light is emitted.

최근에는 플렉서블 소자(flexible device)에 대한 관심이 높아지면서, 상기 유기발광소자의 구조에서 유리 기판을 고분자 기판과 같은 플렉서블 소재로 대체하고자 하는 기술에 대한 수요가 증가하고 있다. 그러나, 이러한 고분자 기판의 경우, 유리 기반의 기판에 비해 내열 및 내습 환경에 더 취약하기 때문에, 유기전자소자에 적용하기 어려운 문제점이 있다.In recent years, and the increasing demand for technology to replace a glass substrate in the structure of a high As the organic light emitting element of interest to the flexible element (flexible device) to a flexible material such as a polymer substrate. However, in the case of such a polymer substrate, it is more vulnerable to heat and humidity environment than a glass-based substrate, and thus it is difficult to apply it to an organic electronic device.

일본 공개특허공보 제1996-176293호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 1996-176293

본 출원은, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치, 상기 기판 또는 장치의 제조 방법, 광원 및 조명 기기를 제공한다.The present application provides a substrate for an organic electronic device, an organic electronic device, a method for manufacturing the substrate or the device, a light source, and a lighting device.

본 출원의 예시적인 유기전자소자용 기판은, 플렉서블 기재층, 배리어층 및 전극층을 포함할 수 있다. 유기전자소자용 기판은, 상기 플렉서블 기재층, 배리어층 및 투명전극층이 순차로 적층된 구조일 수 있다. 도 1은 플렉서블 기재층(101), 배리어층(102) 및 투명전극층(103)을 순차로 포함하는 유기전자소자용 기판(1)을 예시적으로 나타낸다. An exemplary organic electronic element substrate of the present application may include a flexible substrate layer, a barrier layer, and an electrode layer. The substrate for an organic electronic device may have a structure in which the flexible base layer, the barrier layer, and the transparent electrode layer are sequentially laminated. Fig. 1 exemplarily shows an organic electronic element substrate 1 including a flexible substrate layer 101, a barrier layer 102 and a transparent electrode layer 103 in sequence.

플렉서블 기재층은 광추출 성능이 우수한 유기전자소자용 기판의 구현 측면에서 적절한 헤이즈를 나타낼 수 있다. 플렉서블 기재층은 예를 들어, 30% 내지 80% 범위 내의 헤이즈를 나타낼 수 있다. 보다 구체적으로, 플렉서블 기재층의 헤이즈의 하한은 30% 이상, 32.5% 이상, 35% 이상, 37.5% 이상, 40% 이상, 42.5 % 이상, 45% 이상, 47.5% 이상, 50% 이상, 52.5% 이상, 55% 이상일 수 있고, 헤이즈의 상한은 80% 이하, 77.5% 이하, 75% 이하, 72.5% 이하, 70% 이하, 67.5% 이하, 65% 이하, 62.5% 이하, 60% 이하, 57.5% 이하 또는 55% 이하일 수 있다. 본 출원에서 헤이즈는, 공지의 헤이즈 측정 기기를 통해 측정된 수치일 수 있으며, 예를 들어, HM-150 장치를 이용하여 JIS K 7105 규격에 따라서 측정한 수치일 수 있다. 플렉서블 기재층의 헤이즈가 상기 범위를 나타내는 경우, 유기층에서 전달되는 광을 적절하게 산란, 굴절 또는 회절시켜 기판 내에서 전반사 현상 등을 감소시킬 수 있으므로, 광추출 성능이 우수한 유기전자장치를 구현할 수 있다.The flexible substrate layer may exhibit an appropriate haze in terms of the implementation of the substrate for an organic electronic device having excellent light extraction performance. The flexible substrate layer may exhibit haze, for example, in the range of 30% to 80%. More specifically, the lower limit of the haze of the flexible substrate layer is 30% or more, 32.5% or more, 35% or more, 37.5% or more, 40% or more, 42.5% or more, 45% or more, 47.5% or more, 50% or more, 52.5% Or more and 55% or more and the upper limit of the haze is 80% or less, 77.5% or less, 75% or less, 72.5% or less, 70% or less, 67.5% or less, 65% or less, 62.5% or less, Or 55% or less. The haze in the present application may be a numerical value measured through a known haze measuring instrument, for example, a value measured in accordance with JIS K 7105 using an HM-150 apparatus. When the haze of the flexible base layer is in the above range, the light transmitted from the organic layer can be appropriately scattered, refracted or diffracted to reduce the total reflection phenomenon in the substrate, and thus an organic electronic device having excellent light extraction performance can be realized .

플렉서블 기재층으로는, 투광성 기재층을 사용할 수 있다. 플렉서블 기재층이 투광성 기재층인 경우 유기전자소자용 기판이 하부 발광(bottom emission)형 유기전자소자에 적용되는 경우에 유리할 수 있다. 플렉서블 기재층은 예를 들어, 가시광 영역 내의 적어도 어느 한 파장의 광 또는 전체 가시광 영역에 대한 투과율이 80% 이상, 82% 이상, 84% 이상, 86% 이상, 88% 이상 또는 90% 이상일 수 있다. As the flexible base layer, a light-transmitting base layer can be used. When the flexible substrate layer is a light-transmitting substrate layer, it may be advantageous when the substrate for organic electronic devices is applied to a bottom emission type organic electronic device. The flexible substrate layer may have a transmittance of 80% or more, 82% or more, 84% or more, 86% or more, 88% or more, or 90% or more of the light of at least one wavelength in the visible light region or the entire visible light region .

플렉서블 기재층은 기재 물질 및 고굴절 입자를 포함할 수 있다. 고굴절 입자는 기재 물질 내에 분산된 상태로 존재할 수 있다. 도 2는 기재 물질(201) 및 고굴절 입자(202)를 포함하는 플렉서블 기재층(101)을 예시적으로 나타낸다. 플렉서블 기재층의 두께는 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있고, 예를 들면, 10㎛ 내지 100㎛ 범위 내의 두께를 가질 수 있다. The flexible substrate layer may include a base material and high refractive index particles. The high-refraction particles may be dispersed in the base material. Figure 2 illustrates by way of example a flexible substrate layer 101 comprising a substrate material 201 and high refractive index particles 202. The thickness of the flexible base layer can be suitably selected within a range not to impair the purpose of the present application, and can have a thickness in the range of, for example, 10 mu m to 100 mu m.

플렉서블 기재층은 기재 물질 및 고굴절 입자의 굴절률을 서로 상이하도록 선택하여 포함함으로써 적절한 헤이즈를 나타낼 수 있다. 예를 들어, 기재 물질 및 고굴절 입자의 굴절률 차이가 0.1 내지 0.5 범위 내일 수 있다. 보다 구체적으로, 굴절률 차이는, 0.1 이상, 0.12 이상, 0.14 이상, 0.16 이상, 0.18 이상, 0.2 이상, 0.22 이상, 0.24 이상, 0.26 이상, 0.28 이상, 0.30 이상, 0.32 이상, 0.34 이상, 0.36 이상, 0.38 이상. 0.40 이상, 0.42 이상, 0.44 이상, 0.46 이상 또는 0.48 이상일 수 있고, 0.5 이하, 0.48 이하, 0.46 이하, 0.44 이하, 0.42 이하, 0.40 이하, 0.38 이하, 0.36 이하, 0.34 이하, 0.32 이하, 0.30 이하, 0.28 이하, 0.26 이하, 0.24 이하, 0.22 이하, 0.20 이하, 0.18 이하, 0.16 이하, 0.14 이하 또는 0.12 이하일 수 있다. 상기에서 굴절률 차이는 고굴절 입자의 굴절률에서 기재 물질의 굴절률을 뺀 값을 의미할 수 있다. 기재 물질 및 고굴절 입자의 굴절률 차이가 상기 범위 내인 경우 목적하는 헤이즈를 나타낼 수 있을 뿐만 아니라, 광추출 성능이 우수한 유기전자장치를 구현할 수 있다. 본 명세서에서 언급되는 굴절률은, 가시광 영역 내의 적어도 어느 한 파장의 광에 대하여 측정된 굴절률, 예를 들어, 약 550 nm의 파장의 광에 대하여 측정된 굴절률일 수 있다.The flexible substrate layer can exhibit appropriate haze by selectively including the refractive indexes of the base material and the high-refraction particles so as to be different from each other. For example, the refractive index difference between the base material and the high refractive index particles may be within the range of 0.1 to 0.5. More specifically, the refractive index difference is at least 0.1, at least 0.12, at least 0.14, at least 0.16, at least 0.18, at least 0.2, at least 0.22, at least 0.24, at least 0.26, at least 0.28, at least 0.30, at least 0.32, at least 0.34, at least 0.36, More than 0.38. 0.40 or more, 0.40 or more, 0.40 or more, 0.46 or more, or 0.48 or more, and 0.5 or less, 0.48 or less, 0.46 or less, 0.44 or less, 0.42 or less, 0.40 or less, 0.28 or less, 0.26 or less, 0.24 or less, 0.22 or less, 0.20 or less, 0.18 or less, 0.16 or less, 0.14 or less or 0.12 or less. The refractive index difference may be a value obtained by subtracting the refractive index of the base material from the refractive index of the high-refractive index particles. When the refractive index difference between the base material and the high refractive index particles is within the above range, not only the desired haze can be exhibited, but also an organic electronic device having excellent light extraction performance can be realized. The refractive index referred to herein may be a refractive index measured for light of at least one wavelength in the visible light region, for example, a refractive index measured for light of a wavelength of about 550 nm.

플렉서블 기재층 내의 기재 물질 및 고굴절 입자의 함량 비율을 목적하는 물성을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 고굴절 입자는 기재 물질 100 중량% 대비 0.5 중량% 내지 30 중량%의 비율로 포함될 수 있다. 보다 구체적으로, 고굴절 입자는 기재물질 100 중량% 대비, 0.5 중량% 이상, 1 중량% 이상, 2 중량% 이상, 4 중량% 이상, 6 중량% 이상, 8 중량% 이상, 10 중량% 이상, 12 중량% 이상, 14 중량% 이상, 16 중량% 이상, 18 중량% 이상, 20 중량% 이상, 22 중량% 이상, 24 중량% 이상, 26 중량% 이상, 28 중량% 이상 또는 29 중량% 이상의 비율로 포함될 수 있고, 30 중량% 이하, 28 중량% 이하, 26 중량% 이하, 24 중량% 이하, 22 중량% 이하, 20 중량% 이하, 18 중량% 이하, 16 중량% 이하, 14 중량% 이하, 12 중량% 이하, 10 중량% 이하, 8 중량% 이하, 6 중량% 이하, 4 중량% 이하, 2 중량% 이하 또는 1 중량% 이하의 범위로 포함될 수 있다. 플렉서블 기재층 내의 기재 물질 및 고굴절 입자의 함량 비율이 상기 범위 내인 경우, 우수한 광추출 성능을 나타내도록 적절한 헤이즈를 나타내는 유기전자장치용 기판을 구현하는데 유리할 수 있다. 플렉서블 기재층을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않으나 예를 들어, 기재 물질 및 고굴절 입자를 포함하는 조성물을 코팅한 후 열의 인가 또는 광의 조사 등의 방식을 통해 형성할 있다. The ratio of the content of the base material and the high refractive index particles in the flexible base layer can be appropriately selected within a range that does not impair the desired physical properties. For example, the high-refraction particles may be contained in a proportion of 0.5% by weight to 30% by weight based on 100% by weight of the base material. More specifically, the high-refraction particles may be used in an amount of 0.5 wt% or more, 1 wt% or more, 2 wt% or more, 4 wt% or more, 6 wt% or more, 8 wt% or more, 10 wt% or more, At least 14 weight percent, at least 16 weight percent, at least 18 weight percent, at least 20 weight percent, at least 22 weight percent, at least 24 weight percent, at least 26 weight percent, at least 28 weight percent, or at least 29 weight percent Up to 30 weight percent, up to 28 weight percent, up to 26 weight percent, up to 24 weight percent, up to 22 weight percent, up to 20 weight percent, up to 18 weight percent, up to 16 weight percent, up to 14 weight percent, 12 Up to 10% by weight, up to 8% by weight, up to 6% by weight, up to 4% by weight, up to 2% by weight or up to 1% by weight. When the content ratio of the base material and the high-refraction particle in the flexible base material layer is within the above range, it may be advantageous to realize a substrate for an organic electronic device exhibiting an appropriate haze so as to exhibit excellent light extraction performance. The method for forming the flexible substrate layer is not particularly limited. For example, the composition including the base material and the high-refractive-index particles may be coated and then formed through heat application or light irradiation.

기재 물질은 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절한 굴절률을 가질 수 있다. 기재 물질은 예를 들어, 1.5 내지 1.9 범위 내의 굴절률을 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 기재 물질은 1.5 이상, 1.55 이상, 1.6 이상, 1.65 이상, 1.7, 1.75 이상, 1.8 이상 또는 1.85 이상의 굴절률을 가질 수 있으며, 1.9 이하, 1.85 이하, 1.8 이하, 1.75 이하, 1.7 이하, 1.65 이하, 1.6 이하, 또는 1.55 이하의 굴절률을 가질 수 있다. 이러한 기재 물질로는 예를 들어, 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설파이드, 폴리설폰 또는 아크릴 수지 등을 사용할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 기재 물질로는, 공정온도 또는 광추출 성능의 측면에서 폴리이미드를 사용할 수 있다.The base material may have an appropriate refractive index to the extent that the purpose of the present application is not impaired. The base material may have a refractive index, for example, in the range of 1.5 to 1.9. More specifically, the base material may have a refractive index of at least 1.5, at least 1.55, at least 1.6, at least 1.65, at least 1.7, at least 1.75, at least 1.8 or at least 1.85 and may have a refractive index of 1.9 or less, 1.85 or less, 1.8 or less, A refractive index of 1.65 or less, 1.6 or less, or 1.55 or less. Examples of the base material include, but are not limited to, polyamic acid, polyimide, polyethylene naphthalate, polyether ether ketone, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone or acrylic resin no. As the base material, polyimide may be used in terms of process temperature or light extraction performance.

기재 물질로 폴리이미드를 사용하는 경우, 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 폴리이미드를 사용할 수 있다. 이러한 고굴절의 폴리이미드는, 예를 들면, 불소 이외의 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등이 도입된 단량체를 사용하여 제조할 수 있다. When a polyimide is used as the base material, a polyimide having a refractive index of about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.65 or more, or about 1.7 or more can be used. Such a high refractive index polyimide can be produced, for example, by using a monomer into which a halogen atom other than fluorine, a sulfur atom or a phosphorus atom is introduced.

상기 고굴절의 폴리이미드로는, 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.65 이상 또는 약 1.7 이상인 폴리아믹산을 이미드화한 것을 사용할 수 있다. 상기 폴리아믹산으로는, 예를 들면, 카복실기 등과 같이 입자와 결합할 수 있는 부위가 존재하여 입자의 분산 안정성을 향상시킬 수 있는 폴리아믹산을 사용할 수 있다. 폴리아믹산으로는, 예를 들면, 하기 화학식 1의 반복 단위를 포함하는 화합물을 사용할 수 있다.As the polyimide having high refractive index, a polyimic acid having a refractive index of about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.65 or more, or about 1.7 or more may be used. As the polyamic acid, there can be used, for example, a polyamic acid capable of improving the dispersion stability of the particles due to existence of a site capable of bonding with the particles such as a carboxyl group. As the polyamic acid, for example, a compound containing a repeating unit represented by the following formula (1) can be used.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112014124517515-pat00001
Figure 112014124517515-pat00001

화학식 1에서 n은 양의 수, 예를 들면, 1 이상의 양의 수일 수다.In formula (1), n may be a positive number, for example, a number in an amount of 1 or more.

상기 반복 단위는 임의적으로 하나 이상의 치환기에 의해 치환되어 있을 수 있다. 치환기로는, 불소 외의 할로겐 원자, 페닐기, 벤질기, 나프틸기 또는 티오페닐기 등과 같은 할로겐 원자, 황 원자 또는 인 원자 등을 포함하는 관능기가 예시될 수 있다.The repeating unit may be optionally substituted by one or more substituents. Examples of the substituent include functional groups including a halogen atom other than fluorine, a halogen atom such as a phenyl group, a benzyl group, a naphthyl group or a thiophenyl group, a sulfur atom or a phosphorus atom.

폴리아믹산은, 상기 화학식 1의 반복 단위만으로 형성되는 단독 중합체이거나, 화학식 1의 반복 단위 외의 다른 단위를 함께 포함하는 블록 또는 랜덤 공중합체일 수 있다. 공중합체의 경우에 다른 반복 단위의 종류나 비율은 예를 들면, 목적하는 굴절률, 내열성이나 투광율 등을 저해하지 않는 범위에서 적절하게 선택될 수 있다. The polyamic acid may be a homopolymer formed only from the repeating unit represented by the formula (1), or may be a block or a random copolymer including units other than the repeating unit represented by the formula (1). In the case of a copolymer, the kind and ratio of other repeating units can be appropriately selected within a range that does not impair the desired refractive index, heat resistance, and light transmittance, for example.

화학식 1의 반복 단위의 구체적인 예로는, 하기 화학식 2의 반복 단위를 들 수 있다.Specific examples of the repeating unit of the formula (1) include repeating units of the following formula (2).

[화학식 2](2)

Figure 112014124517515-pat00002
Figure 112014124517515-pat00002

화학식 2에서 n은 양의 수, 예를 들면, 1 이상의 양의 수일 수다.In the formula (2), n may be a positive number, for example, a number in an amount of 1 or more.

상기 폴리아믹산은 예를 들면, GPC(Gel Permeation Chromatograph)로 측정한 표준 폴리스티렌 환산 중량평균분자량이 10,000 내지 100,000 또는 약 10,000 내지 50,000 정도일 수 있다. 화학식 1의 반복 단위를 가지는 폴리아믹산은 또한, 가시 광선 영역에서의 광 투과율이 80% 이상, 85% 이상 또는 90% 이상이며, 내열성이 우수하다.The polyamic acid may have a weight average molecular weight of about 10,000 to about 100,000 or about 10,000 to about 50,000, for example, in terms of standard polystyrene measured by GPC (Gel Permeation Chromatograph). The polyamic acid having the repeating unit represented by the formula (1) has a light transmittance of not less than 80%, not less than 85%, or not less than 90% in the visible light region and is excellent in heat resistance.

고굴절 입자의 굴절률은 기재 물질의 굴절률에 비하여 더 높은 것을 선택하여 사용할 수 있다. 고굴절 입자의 굴절률은 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 고굴절 입자는 예를 들어, 1.8 내지 2.4 범위 내의 굴절률의 가질 수 있다. 보다 구체적으로, 고굴절 입자는 1.8 이상, 1.85 이상, 1.9 이상, 1.95 이상, 2.0 이상, 2.05 이상,, 2.1 이상, 2.15 이상, 2.2 이상, 2.25 이상, 2.3 이상 또는 2.35 이상의 굴절률을 가질 수 있고, 2.4 이하, 2.35 이하, 2.3 이하, 2.25 이하, 2.2 이하, 2.15 이하, 2.1 이하, 2.05 이하, 2.0 이하, 1.95 이하, 1.9 이하 또는 1.85 이하의 굴절률을 가질 수 있다. The index of refraction of the high refractive index particles can be selected higher than the refractive index of the base material. The refractive index of the high refractive index particles can be suitably selected within a range that does not impair the object of the present application. The high refractive index particles may have refractive indices in the range of 1.8 to 2.4, for example. More specifically, the high refractive index particles may have a refractive index of 1.8 or more, 1.85 or more, 1.9 or more, 1.95 or more, 2.0 or more, 2.05 or more, 2.1 or more, 2.15 or more, 2.2 or more, 2.25 or more, 2.3 or more, The refractive index may be 2.35 or less, 2.3 or less, 2.25 or less, 2.2 or less, 2.15 or less, 2.1 or less, 2.05 or less, 2.0 or less, 1.95 or less, 1.9 or less or 1.85 or less.

고굴절 입자는 구형, 타원형, 다면체 또는 무정형과 같은 형상을 가질 수 있으나, 상기 형태는 특별히 제한되는 것은 아니다. 또한, 고굴절 입자의 크기는 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 고굴절 입자는, 예를 들면, 1 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm 또는 10 nm 내지 45 nm 정도의 평균 입경을 가질 수 있다. The high refractive index particles may have a shape such as spherical, elliptical, polyhedral or amorphous, but the shape is not particularly limited. Further, the size of the high-refraction particles can be suitably selected within a range not to impair the purpose of the present application. The high refractive index particles may be, for example, from 1 nm to 100 nm, from 10 nm to 90 nm, from 10 nm to 80 nm, from 10 nm to 70 nm, from 10 nm to 60 nm, from 10 nm to 50 nm, Of the average particle diameter.

고굴절 입자로는, 예를 들면, 폴리스티렌 또는 그 유도체, 아크릴 수지 또는 그 유도체, 실리콘 수지 또는 그 유도체, 또는 노볼락 수지 또는 그 유도체 등과 같은 유기 재료, 또는 알루미나, 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 또는 산화 지르코늄과 같은 무기 재료를 포함하는 입자 등이 예시될 수 있다. 고굴절 입자는, 상기 재료 중에 어느 하나의 재료만을 포함하거나, 상기 중 2종 이상의 재료를 포함하여 형성될 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 의하면, 고굴절 입자로서 굴절률이 약 1.8인 알루미늄 산화물(Al2O3)을 사용할 수 있다. Examples of the high-refractive index particles include organic materials such as polystyrene or a derivative thereof, an acrylic resin or a derivative thereof, a silicone resin or a derivative thereof, or a novolak resin or a derivative thereof, or an organic material such as alumina, aluminosilicate, titanium oxide or zirconium oxide And the like can be exemplified. The high-refraction particles may include only one of the above-mentioned materials, or may be formed of two or more of the above materials. According to one embodiment of the present application, aluminum oxide (Al 2 O 3 ) having a refractive index of about 1.8 can be used as high refractive index particles.

상기 플렉서블 기재층 상에는 배리어층이 형성되어 있을 수 있다. 본 출원에서 용어 「배리어층」은 대기 중의 산소, 수분, 질소 산화물, 황 산화물 또는 오존의 투과를 방지하는 기능을 갖는 층을 의미할 수 있다. 배리어층은 유기전자장치의 우수한 광추출 측면에서 적절한 굴절률을 나타낼 수 있다. 배리어층은 예를 들어, 1.7 내지 1.9 범위 내의 굴절률을 나타낼 수 있다. 배리어층의 굴절률이 상기 범위를 만족하는 경우, 예를 들면, 기판에서 전반사 현상을 감소시킬 수 있으므로 광추출 성능이 우수한 유기전자장치를 구현할 수 있다.A barrier layer may be formed on the flexible base layer. The term " barrier layer " in the present application may mean a layer having a function of preventing permeation of oxygen, moisture, nitrogen oxides, sulfur oxides or ozone in the atmosphere. The barrier layer may exhibit an appropriate refractive index in terms of good light extraction of the organic electronic device. The barrier layer may exhibit refractive indices in the range of, for example, 1.7 to 1.9. When the refractive index of the barrier layer satisfies the above range, for example, the total reflection phenomenon can be reduced in the substrate, so that an organic electronic device having excellent light extraction performance can be realized.

배리어층으로는 상기 굴절률 범위를 나타내며, 수분 및 산소 등의 소자 열화를 촉진하는 물질들이 소자로 들어가는 것을 방지하는 기능을 갖는 재료를 선택하여 사용할 수 있다. 배리어층은 무기물 또는 유기물을 포함할 수 있다. 배리어층은 예를 들어, 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물 또는 금속 불화물을 포함할 수 있다. 보다 구체적으로, 배리어층은 In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti 및 Ni 등의 금속; TiO, TiO2, Ti3O3 , Al2O3, MgO, SiO, SiO2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, ZrO2, Nb2O3 및, CeO2및 등의 금속 산화물; SiN 등의 금속 질화물; SiON 등의 금속 산질화물; MgF2, LiF, AlF3 및 CaF2 등의 금속 불화물을 포함할 수 있다. 배리어층은 또한, 유기물로서 폴리아크릴레이트, 폴리메타아크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌, 폴리디클로로디플루오로에틸렌, 또는 클로로트리플루오로에틸렌과 디클로로디플루오로에틸렌의 공중합체; 적어도 1종의 코모노머를 포함한 코모노머 혼합물과 테트라플루오로에틸렌의 공중합에 의해 획득된 공중합체; 공중합 주쇄에 환상 구조를 갖는 함불소 공중합체; 흡수율 1% 이상인 흡수성 재료; 및 흡수 계수 0.1% 이하인 방습성 재료를 포함할 수 있다. 본 출원의 일 실시예에 의하면, 배리어층으로 굴절률이 약 1.75인 Al2O3와 TiO2의 복합막 또는 동일 무기막과 유기막의 적층구조를 사용할 수 있다. As the barrier layer, a material having a function of preventing the entry of substances promoting deterioration of elements such as moisture and oxygen into the device, which represents the refractive index range, can be selected and used. The barrier layer may comprise an inorganic or organic material. The barrier layer may comprise, for example, a metal, a metal oxide, a metal nitride, a metal oxynitride or a metal fluoride. More specifically, the barrier layer may be formed of a metal such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti, and Ni; TiO, TiO 2, Ti 3 O 3, Al 2 O 3, MgO, SiO, SiO 2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe 2 O 3, Y2O 3, ZrO 2, Nb 2 O 3 and, CeO 2, and ; Metal nitrides such as SiN; Metal oxynitrides such as SiON; MgF 2 , LiF, AlF 3, and CaF 2 . The barrier layer may also comprise at least one organic material selected from the group consisting of polyacrylate, polymethacrylate, polyethylene, polypropylene, polymethylmethacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene, Ethylene, or copolymers of chlorotrifluoroethylene and dichlorodifluoroethylene; A copolymer obtained by copolymerizing tetrafluoroethylene with a comonomer mixture comprising at least one comonomer; A fluorine-containing copolymer having a cyclic structure in the copolymer main chain; An absorbent material having an absorption rate of 1% or more; And a moisture-proof material having an absorption coefficient of 0.1% or less. According to one embodiment of the present application, a composite film of Al 2 O 3 and TiO 2 having a refractive index of about 1.75 or a laminated structure of the same inorganic film and organic film can be used as the barrier layer.

배리어층은 단층 구조이거나 또는 복층 구조일 수 있다. 단층 구조는, 1 종류의 배리어층의 재료를 포함할 수 있고, 또는 2 종류 이상의 배리어층의 재료를 혼합하여 포함할 수도 있다. 복층 구조는, 상기 단층 구조가 2층 이상 적층된 구조일 수 있고, 예를 들어, TiO2층과 Al2O3층이 순차적으로 적층된 복층 구조일 수 있다. The barrier layer may be a single layer structure or a multi-layer structure. The single-layer structure may include a material of one kind of barrier layer, or may include a mixture of two or more kinds of materials of the barrier layer. The multi-layer structure may be a structure in which two or more single-layer structures are stacked, and may be a multi-layer structure in which, for example, a TiO 2 layer and an Al 2 O 3 layer are sequentially stacked.

배리어층의 두께는 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있다. 예를 들어, 배리어층의 두께는 5 nm 내지 1000 nm, 7 nm 내지 750 nm 또는 10 nm 내지 500 nm 일 수 있다. 배리어층의 두께가 상기 수치범위를 만족하는 경우, 대기 중의 산소 및 수분의 투과를 방지하기 위한 배리어 기능이 충분하고, 적절한 광투과율을 가져 투명 기판의 투명성을 유지할 수 있다. 배리어층의 광 투과율은, 특별히 제한되지 않으며, 의도된 용도에 따라서 적합하게 선택될 수 있다. 예를 들어, 배리어층의 광 투과율은, 약 80% 이상, 85%이상 또는 90%이상일 수 있다. The thickness of the barrier layer can be suitably selected within a range not to impair the purpose of the present application. For example, the thickness of the barrier layer may be from 5 nm to 1000 nm, from 7 nm to 750 nm, or from 10 nm to 500 nm. When the thickness of the barrier layer satisfies the above numerical range, a barrier function for preventing permeation of oxygen and moisture in the atmosphere is sufficient, and transparency of the transparent substrate can be maintained with an appropriate light transmittance. The light transmittance of the barrier layer is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended use. For example, the light transmittance of the barrier layer may be at least about 80%, at least 85%, or at least 90%.

배리어층이 형성된 유기전자소자용 기판은 수증기 투과율(water vapor transmission rate, WVTR)이 10-4 g/m2/day 이하일 수 있다. 상기 수증기 투과율은, 예를 들면, 온도가 40℃ 및 상대 습도가 90%인 조건에서 측정된 값일 수 있다. 상기 수증기 투과율은, 예를 들면, 수증기 투과율 측정기(PERMATRAN-W3/31, MOCON, Inc. 에 의해 제조)를 사용하여 측정될 수 있다. 배리어층이 상기 수치 범위를 만족하는 경우, 고열, 고습 환경에서도, 수분이나 산소 등의 외래 물질의 침투에 의하여 컬(curl) 현상 등이 발생하지 않기 때문에, 내구성이 우수하고 이로 인해 성능이 우수한 유기전자소자를 구현할 수 있다. The organic electronic device substrate having the barrier layer formed thereon may have a water vapor transmission rate (WVTR) of 10 -4 g / m 2 / day or less. The water vapor transmission rate may be, for example, a value measured at a temperature of 40 DEG C and a relative humidity of 90%. The water vapor transmission rate can be measured using, for example, a water vapor permeability meter (PERMATRAN-W3 / 31, manufactured by MOCON, Inc.). When the barrier layer satisfies the above numerical range, curl phenomenon or the like does not occur due to penetration of extraneous substances such as moisture and oxygen even in a high temperature and high humidity environment, and therefore, the barrier layer has excellent durability, An electronic device can be realized.

배리어층은 ALD(Atomic Layer Deposition)법, 진공증착법, 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, MBE(분자선 에피택시) 법, 클러스터 이온빔법, 이온도금법, 플라즈마 중합법, 플라즈마 CVD 법, 레이저 CVD 법, 열 CVD 법, 가스 소스 CVD 법 또는 코팅법에 의해 형성될 수 있고, 본 출원의 일 실시예에 의하면, 배리어층은 ALD법에 의해 형성된 원자층 증착층일 수 있다.The barrier layer may be formed by any one of ALD (Atomic Layer Deposition) method, vacuum deposition, sputtering, reactive sputtering, MBE (molecular beam epitaxy), cluster ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, plasma CVD method, Method, a gas source CVD method, or a coating method. According to one embodiment of the present application, the barrier layer may be an atomic layer deposition layer formed by the ALD method.

배리어층 상에는 투명전극층이 형성될 수 있다. 투명전극층은 유기전자장치의 우수한 광추출 측면에서 적절한 굴절률을 나타낼 수 있다. 투명전극층은 예를 들어, 예를 들면 1.8 내지 2.0 범위 내의 굴절률을 나타낼 수 있다. 투명전극층의 굴절률이 상기 범위를 만족하는 경우, 예를 들면, 기판에서 전반사 현상을 감소시킬 수 있으므로 광추출 성능이 우수한 유기전자장치를 구현할 수 있다. 투명전극층은 투명 전도성 산화물을 포함할 수 있다. 투명 전도성 산화물로는 ITO, IZO, GaZO, ZnO, 또는 SnO2 등이 예시될 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. A transparent electrode layer may be formed on the barrier layer. The transparent electrode layer can exhibit an appropriate refractive index in terms of excellent light extraction of the organic electronic device. The transparent electrode layer may exhibit a refractive index within a range of, for example, 1.8 to 2.0. When the refractive index of the transparent electrode layer satisfies the above range, for example, the total reflection phenomenon can be reduced in the substrate, so that an organic electronic device having excellent light extraction performance can be realized. The transparent electrode layer may include a transparent conductive oxide. Examples of the transparent conductive oxide include, but are not limited to, ITO, IZO, GaZO, ZnO, or SnO 2 .

투명전극층의 두께는 본 출원의 목적을 손상시키지 않는 범위 내에서 적절히 선택될 수 있고, 예를 들면, 약 90 nm 내지 200 nm, 90 nm 내지 180 nm 또는 약 90 nm 내지 150 nm 정도의 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 투명전극층을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 필요에 따라서 투명전극층은 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다.The thickness of the transparent electrode layer may be suitably selected within a range not to impair the purpose of the present application and may be, for example, about 90 nm to 200 nm, 90 nm to 180 nm, or about 90 nm to 150 nm thick . The method of forming the transparent electrode layer is not particularly limited and may be formed by any means such as, for example, vapor deposition, sputtering, chemical vapor deposition, or electrochemical means. If necessary, the transparent electrode layer may be patterned through a process using known photolithography, shadow mask, or the like.

본 출원은 또한 유기전자장치에 관한 것이다. 유기전자장치는 전술한 유기전자소자용 기판을 포함할 수 있다. 유기전자장치는 예를 들어, 헤이즈가 30% 내지 80%의 범위 내인 플렉서블 기재층; 상기 플렉서블 기재층상에 형성되어 있으며, 굴절률이 1.7 내지 1.9 범위 내인 배리어층; 및 상기 배리어층상에 형성되어 있으며, 굴절률이 1.8 내지 2.0 범위 내인 투명 전극층; 상기 투명 전극층상에 형성되어 있는 유기층 및 상기 유기층상에 형성되어 있는 제 2 전극층을 포함하되, 상기 플렉서블 기재층은 기재 물질 및 상기 기재 물질과 굴절률 차이가 0.1 내지 0.5 범위 내인 고굴절 입자를 포함할 수 있다. 상기에서, 플렉서블 기재층, 배리어층 및 투명 전극층에 관한 구체적인 사항은 유기전자소자용 기판의 항목에서 전술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다. The present application also relates to organic electronic devices. The organic electronic device may include the substrate for the organic electronic device described above. Organic electronic devices include, for example, a flexible substrate layer having a haze in the range of 30% to 80%; A barrier layer formed on the flexible base layer and having a refractive index within a range of 1.7 to 1.9; And a transparent electrode layer formed on the barrier layer and having a refractive index within a range of 1.8 to 2.0; And a second electrode layer formed on the organic layer, wherein the flexible substrate layer includes a base material and high refractive index particles having a refractive index difference of 0.1 to 0.5 with the base material have. In the above, specific details regarding the flexible substrate layer, the barrier layer, and the transparent electrode layer can be applied to the same items as described above in the item of the organic electronic element substrate.

유기층은 예를 들어, 발광층을 포함할 수 있다. 이 경우, 2 전극층을 반사성 전극층을 구현하면 유기층의 발광층에서 발생한 광이 광학 기능성층을 거쳐서 기재층측으로 방사되는 하부 발광형 소자를 구현할 수 있다. The organic layer may include, for example, a light emitting layer. In this case, if a two-electrode layer is formed as a reflective electrode layer, a bottom emission type device in which light generated in the emission layer of the organic layer is emitted toward the substrate layer through the optically functional layer can be realized.

유기전자소자는 유기발광소자(OLED)일 수 있다. 이 경우, 상기 유기전자소자는, 예를 들면, 발광층을 포함하는 유기층이 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 개재된 구조를 가질 수 있다. 이 경우, 투명 전극층은 정공 주입 전극층이고 제 2 전극층은 전자 주입 전극층일 수 있다.The organic electronic device may be an organic light emitting diode (OLED). In this case, the organic electronic device may have, for example, a structure in which an organic layer including a light emitting layer is interposed between the hole injection electrode layer and the electron injection electrode layer. In this case, the transparent electrode layer may be a hole injection electrode layer and the second electrode layer may be an electron injection electrode layer.

전자 및 정공 주입성 전극층의 사이에 존재하는 유기층은, 적어도 1층 이상의 발광층을 포함할 수 있다. 유기층은 2층 이상의 복수의 발광층을 포함할 수도 있다. 2층 이상의 발광층을 포함되는 경우에는, 발광층들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있다.The organic layer present between the electron and hole injecting electrode layers may include at least one luminescent layer. The organic layer may include a plurality of light emitting layers of two or more layers. When two or more light emitting layers are included, the light emitting layers may have a structure in which the light emitting layers are divided by an intermediate electrode layer having charge generating characteristics, a charge generating layer (CGL) or the like.

발광층은, 예를 들면, 이 분야에 공지된 다양한 형광 또는 인광 유기 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 발광층의 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4'-bis(2,2'-diphenylyinyl)-1,1'-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5 -difluorophenyl)pyridine-C'2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2'-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3')iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광층은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.The light-emitting layer can be formed, for example, by using various fluorescent or phosphorescent organic materials known in the art. Examples of the material of the light-emitting layer include tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III) (aluminum (III)) (Alg3), 4-MAlq3 or Gaq3 Alq series materials, C-545T (C 26 H 26 N 2 O 2 S), DSA-amine, TBSA, BTP, PAP-NPA, Spiro-FPA, Ph 3 Si (PhTDAOXD), PPCP , 4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene), cyclopenadiene derivatives such as 4,4'-bis (2,2'-diphenylyinyl) -1,1'-biphenyl, Benzene or a derivative thereof or DCJTB (4- (Dicyanomethylene) -2-tert-butyl-6- (1,1,7,7, -tetramethyljulolidyl-9-enyl) -4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI; Or Firpic, m-Firpic, N- Firpic, bon 2 Ir (acac), (C 6) 2 Ir (acac), bt 2 Ir (acac), dp 2 Ir (acac), bzq 2 Ir (acac), bo 2 Ir (acac), F 2 Ir (bpy), F 2 Ir (acac), op 2 Ir (acac), ppy 2 Ir (acac), tpy 2 Ir (acac), FIrppy (fac-tris [2- ( 4,5-difluorophenyl) pyridine-C'2, N] iridium (III)) or Btp 2 Ir (acac) ') iridium (acetylacetonate)), and the like, but the present invention is not limited thereto. The light emitting layer may contain the above material as a host and may also include perylene, distyrylbiphenyl, DPT, quinacridone, rubrene, BTX, ABTX or DCJTB. And may have a host-dopant system including a dopant.

발광층은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수 있다.The light-emitting layer can be formed by suitably employing a kind that exhibits luminescence characteristics among electron-accepting organic compounds or electron-donating organic compounds described below.

유기층은, 발광층을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.The organic layer may be formed with various structures, including various other functional layers known in the art, as long as the layer includes a light emitting layer. Examples of the layer that can be included in the organic layer include an electron injecting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, a hole transporting layer, and a hole injecting layer.

전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4'-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4'-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4 -(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다. The electron injection layer or the electron transport layer can be formed using, for example, an electron accepting organic compound. As the electron-accepting organic compound in the above, any known compound can be used without any particular limitation. Examples of such organic compounds include polycyclic compounds or derivatives thereof such as p-terphenyl or quaterphenyl, naphthalene, tetracene, pyrene, coronene, ), Polycyclic hydrocarbon compounds or derivatives thereof such as chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene or phenanthrene, phenanthroline, Heterocyclic compounds or derivatives thereof such as bathophenanthroline, phenanthridine, acridine, quinoline, quinoxaline, or phenazine may be exemplified. It is also possible to use at least one of fluoroceine, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perynone, phthaloferrinone, naphthoferrinone, diphenylbutadiene ( diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazole, aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, and the like. Oxine, aminoquinoline, imine, diphenylethylene, vinyl anthracene, diaminocarbazole, pyrane, thiopyrane, polymethine, Quinacridone or rubrene or derivatives thereof, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1988-295695, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1996-22557, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1996-81472, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1993-009470 or Japanese Patent Application Laid- For example, tris (8-quinolinolato) aluminum, a metal chelated oxanoid compound, bis (8-quinolinolato) aluminum, Bis (benzo (f) -8-quinolinolato] zinc}, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, Tris (8-quinolinolato) indium], tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8- quinolinolato lithium, tris (5- Quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium and the like, metal complexes having at least one of 8-quinolinolato or a derivative thereof as an arbiter, Japanese Patent Laid- Oxadiazole compounds disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1995-179394, 1995-278124, and 1995-228579, Stilbene derivatives, distyrylarylene derivatives, and the like disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open (kokai) No. 1994-132080 Styryl derivatives disclosed in JP-A-1994-88072 and the like, diolefin derivatives disclosed in JP-A-1994-100857 and JP-A-1994-207170, and the like; Fluorescent brightening agents such as benzooxazole compounds, benzothiazole compounds or benzoimidazole compounds; Bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, Bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, Methylstyryl) -2-ethylbenzene, and the like; Bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5- Bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine such as bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- Distyrylpyrazine compounds, 1,4-phenylenedimethylidene, 4,4'-phenylenedimethylidyne, 2,5-xylenedimethylidyne, 2,6-naphthylenedimethylidyne, 1,4-biphenylene dimethyl (9,10-anthracenediyldimethylidine) or 4,4 '- (2,2-di-t-butylphenylvinyl) biphenyl , Dimethylidine compounds such as 4,4- (2,2-diphenylvinyl) biphenyl or derivatives thereof, silanamine disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-49079 or Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-293778 silanamine derivatives, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-279322 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-279323 Oxadiazole derivatives disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-109264, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-206865 and the like, an anthracene compound disclosed in Japanese Patent Oxynate derivatives disclosed in JP-A-1994-145146 and the like, tetraphenylbutadiene compounds disclosed in JP-A-1992-96990 and the like, organic trifunctional compounds disclosed in JP-A-1991-296595, A coumarin derivative disclosed in JP-A-1990-191694, a perylene derivative disclosed in JP-A-1990-196885, a naphthalene derivative disclosed in JP-A-1990-255789, Phthaloperynone derivatives disclosed in JP-A No. 1990-289676 or JP-A No. 1990-88689 or a derivative of phthaloperynone derivatives disclosed in JP-A No. 1990-25029 Styrylamine derivatives disclosed in, for example, Japanese Patent Laid-open Publication No. 2 (1990) can also be used as electron-accepting organic compounds contained in the low refractive layer. In addition, the electron injection layer may be formed using a material such as LiF or CsF.

정공 저지층은, 주입된 정공이 발광층을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광층과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.The hole blocking layer is a layer which can prevent the injected holes from entering the electron injecting electrode layer through the light emitting layer to improve the lifetime and efficiency of the device. If necessary, the hole blocking layer can be formed using a known material, As shown in FIG.

정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노페닐, N,N'-디페닐-N,N'-디(3-메틸페닐)-4,4'-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N'-디페닐-N,N'-디(4-메톡시페닐)-4,4'-디아미노비페닐, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노디페닐에테르, 4,4'-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4'-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4'-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4'-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4'-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The hole injecting layer or the hole transporting layer may include, for example, an electron donating organic compound. Examples of the electron donating organic compound include N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N, N'- N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, Phenyl, N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N, N'- (N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl] 4-N, N-diphenylaminostilbene, N-phenylcarbazole, 1,1-bis (4-methoxy- Bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethanesulfonate, 1,1-bis (4-di- N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di-p- tolylamino) -4 ' N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminobis N-phenylcarbazole, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, Phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (3-acenaphthenyl) -N (2-naphthyl) Phenylamino] biphenyl, 1,5-bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] naphthalene, 4,4'- Bis [N- (2-phenanthryl) -biphenylphenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-pyrenyl) - N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (1-choronenyl) - N-phenylamino] biphenyl), 2,6-bis (di-p-tolylamino) naphthalene, 2,6-bis (1-naphthyl) amino] naphthalene, 2,6-bis [N- (1-naphthyl) Bis [N, N-di (2-naphthyl) amino] terphenyl, 4,4'-bis { Bis [N, N-di- (2-naphthyl) amino] fluorene or 4,4'-bis (N, N-di-p-tolylamino) terphenyl and bis (N-1-naphthyl) (N-2-naphthyl) amine and the like are exemplified. It is not.

정공 주입층이나 정공 수송층은, 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자(π-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 π-공역 고분자 등도 사용될 수 있다.The hole injecting layer or the hole transporting layer may be formed by dispersing an organic compound in a polymer or by using a polymer derived from the organic compound. Further, a hole-transporting non-conjugated polymer such as a? -Conjugated polymer, poly (N-vinylcarbazole), or a? -Conjugated polymer of a polysilane, such as polyparaphenylenevinylene and its derivatives, .

정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다. The hole injection layer may be formed by using a metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, a nonmetal phthalocyanine, a carbon film and an electrically conductive polymer such as polyaniline, or by reacting the arylamine compound with an Lewis acid using the arylamine compound as an oxidizing agent You may.

예시적으로 유기발광소자는, 순차적으로 형성된 (1) 정공 주입 전극층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (2) 정공 주입 전극층/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (3) 정공 주입 전극층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (4) 정공 주입 전극층/정공 주입층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (5) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (6) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/전자장벽층/유기 발광층/전자 주입 전극층의 형태; (7) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/유기 발광층/부착개선층/전자 주입 전극층의 형태; (8) 정공 주입 전극층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태; (9) 정공 주입 전극층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (10) 정공 주입 전극층/무기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (11) 정공 주입 전극층/유기 반도체층/절연층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태; (12) 정공 주입 전극층/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/절연층/전자 주입 전극층의 형태 또는 (13) 정공 주입 전극층/절연층/정공 주입층/정공 수송층/유기 발광층/전자 주입층/전자 주입 전극층의 형태를 가질 수 있으며, 경우에 따라서는 정공 주입 전극층과 전자 주입 전극층의 사이에 적어도 2개의 발광층이 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층 또는 전하 발생층(CGL: Charge Generating Layer)에 의해 분할되어 있는 구조의 유기층을 포함하는 형태를 가질 수도 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Illustratively, the organic light emitting device includes (1) a form of a hole injection electrode layer / an organic light emitting layer / electron injecting electrode layer formed sequentially; (2) a form of a hole injection electrode layer / a hole injection layer / an organic light emitting layer / an electron injection electrode layer; (3) a form of a hole injection electrode layer / an organic light emitting layer / an electron injection layer / an electron injection electrode layer; (4) a form of a hole injection electrode layer / a hole injection layer / an organic light emitting layer / an electron injection layer / an electron injection electrode layer; (5) a form of a hole injection electrode layer / an organic semiconductor layer / an organic light emitting layer / an electron injecting electrode layer; (6) the form of the hole injection electrode layer / organic semiconductor layer / electron barrier layer / organic light emitting layer / electron injection electrode layer; (7) Forms of hole injecting electrode layer / organic semiconductor layer / organic light emitting layer / adhesion improving layer / electron injecting electrode layer; (8) Forms of hole injecting electrode layer / hole injecting layer / hole transporting layer / organic light emitting layer / electron injecting layer / electron injecting electrode layer; (9) Forms of hole injecting electrode layer / insulating layer / organic light emitting layer / insulating layer / electron injecting electrode layer; (10) Forms of hole injecting electrode layer / inorganic semiconductor layer / insulating layer / organic light emitting layer / insulating layer / electron injecting electrode layer; (11) Forms of hole injecting electrode layer / organic semiconductor layer / insulating layer / organic light emitting layer / insulating layer / electron injecting electrode layer; (12) Hole injection electrode layer / Insulation layer / Hole injection layer / Hole transport layer / Organic light emitting layer / Insulation layer / Electron injection electrode layer or (13) Hole injection electrode layer / Insulating layer / Hole injection layer / Hole transport layer / The light emitting layer may have a shape of an injection layer / electron injecting electrode layer, and in some cases, at least two light emitting layers may be disposed between the hole injecting electrode layer and the electron injecting electrode layer as an intermediate electrode layer or a charge generating layer (CGL) But the present invention is not limited thereto.

이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기층, 예를 들면, 발광층, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.In this field, various materials for forming a hole or electron injection electrode layer and an organic layer such as a light emitting layer, an electron injection or transport layer, a hole injection or transport layer, and a forming method thereof are known. All of the same methods can be applied.

유기전자장치는, 봉지 구조를 추가로 포함할 수 있다. 상기 봉지 구조는, 유기전자장치의 유기층으로 수분이나 산소 등과 같은 외래 물질이 유입되지 않도록 하는 보호 구조일 수 있다. 봉지 구조는, 예를 들면, 글라스캔 또는 금속캔 등과 같은 캔이거나, 상기 유기층의 전면을 덮고 있는 필름일 수 있다. 봉지 구조는, 필요한 경우, 산화 칼슘, 산화 베릴륨 등의 금속 산화물, 염화 칼슘 등과 같은 금속 할로겐화물 또는 오산화 인 등과 같은 수분 흡착제 또는 게터재 등을 포함할 수 있다. 수분 흡착제 또는 게터재는, 예를 들면, 필름 형태의 봉지 구조의 내부에 포함되어 있거나, 혹은 캔 구조의 봉지 구조의 소정 위치에 존재할 수 있다. 봉지 구조는 또한 배리어 필름이나 전도성 필름 등을 추가로 포함할 수 있다. The organic electronic device may further include an encapsulation structure. The encapsulation structure may be a protective structure that prevents foreign substances such as moisture, oxygen and the like from being introduced into the organic layer of the organic electronic device. The sealing structure may be a can, such as a glass can or a metal can, or may be a film covering the entire surface of the organic layer. The encapsulation structure may include, if necessary, a metal oxide such as calcium oxide or beryllium oxide, a moisture absorbent such as a metal halide such as calcium chloride or phosphorous pentoxide, or a getter material. The moisture adsorbent or getter material may be contained in, for example, a film-type sealing structure or may exist at a predetermined position of the sealing structure of the can structure. The encapsulation structure may further include a barrier film, a conductive film, and the like.

본 출원은 또한 유기전자소자용 기판 또는 유기전자장치의 제조방법에 관한 것이다. 상기 제조 방법은 예를 들어, 전술한 유기전자소자용 기판 또는 유기전자장치의 제조 방법일 수 있다. The present application also relates to a substrate for an organic electronic device or a method of manufacturing an organic electronic device. The manufacturing method may be, for example, the substrate for an organic electronic device or the manufacturing method of an organic electronic device described above.

유기전자소자용 기판은, 예를 들어 헤이즈가 30% 내지 80%의 범위 내인 플렉서블 기재층 상에 굴절률이 1.7 내지 1.9 범위 내인 배리어층을 형성하고, 상기 배리어층상에 굴절률이 1.8 내지 2.0 범위 내인 투명전극층을 형성하고, 상기 플렉서블 기재층은 기재 물질 및 상기 기재 물질과 굴절률 차이가 0.1 내지 0.5 범위 내인 고굴절 입자를 포함하도록 형성하는 것에 의하여 제조될 수 있다. 상기에서, 플렉서블 기재층, 배리어층 및 투명 전극층에 관한 구체적인 사항은 유기전자소자용 기판의 항목에서 전술한 내용이 동일하게 적용될 수 있다.The substrate for an organic electronic device may be formed by forming a barrier layer having a refractive index within a range of 1.7 to 1.9 on a flexible base layer having a haze within a range of 30% to 80%, forming a transparent layer having a refractive index within a range of 1.8 to 2.0 on the barrier layer And the flexible substrate layer is formed by forming the electrode layer so as to include the base material and the high refractive index particles having a refractive index difference of 0.1 to 0.5 with the base material. In the above, specific details regarding the flexible substrate layer, the barrier layer, and the transparent electrode layer can be applied to the same items as described above in the item of the organic electronic element substrate.

플렉서블 기재층의 형성 방법은 특별히 제한되지 않으나 예를 들어, 전술한 기재 물질 및 고굴절 입자를 포함하는 조성물을 코팅한 후 열의 인가 또는 광의 조사 등의 방식을 통해 형성할 있다. 배리어층의 형성 방법은 특별히 제한되지 않으나, 예를 들어 전술한 배리어층의 재료를 사용하여 ALD(Atomic Layer Deposition) 법, 진공 증착법, 스퍼터링법, 반응성 스퍼터링법, MBE (분자선 에피택시) 법, 클러스터 이온빔법, 이온도금법, 플라즈마 중합법, 플라즈마 CVD 법, 레이저 CVD 법, 열 CVD 법, 가스 소스 CVD 법, 및 코팅법에 의하여 형성할 수 있으며 본 출원의 일 실시예에 따르면, ALD법을 선택하여 사용할 수 있다. 또한, 투명전극층의 형성 방법도 특별히 제한되지 않으며, 전술한 투명전극층의 재료를 사용하여 공지의 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 방식 등의 임의의 방식으로 형성할 수 있다.The method of forming the flexible substrate layer is not particularly limited. For example, the substrate material and the composition including the high-refractive-index particles may be coated and then formed by heat application or light irradiation. The method of forming the barrier layer is not particularly limited. For example, the barrier layer may be formed by using the above-mentioned material of the barrier layer, such as ALD (Atomic Layer Deposition) method, vacuum deposition method, sputtering method, reactive sputtering method, MBE (molecular beam epitaxy) It can be formed by ion beam method, ion plating method, plasma polymerization method, plasma CVD method, laser CVD method, thermal CVD method, gas source CVD method, and coating method. According to one embodiment of the present application, Can be used. The method of forming the transparent electrode layer is not particularly limited, and can be formed by any of known methods such as vapor deposition, sputtering, chemical vapor deposition or electrochemical method using the material of the above-described transparent electrode layer.

유기전자장치의 제조 방법은, 상기 기술한 방법에 따라 제조된 유기전자소자용 기판 상에, 예를 들면, 적어도 발광층을 포함할 수 있는 유기층과 제 2 전극층을 순차로 형성하고, 필요에 따라 추가로 봉지 구조를 형성하는 것을 포함할 수 있다. 상기 제 2 전극층을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않고, 전술한 제 2 전극층의 재료를 사용하여 공지의 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 방식 등의 임의의 방식으로 형성할 수 있다. 또한, 상기 유기층 및 봉지구조는 공지된 방식으로 형성할 수 있다.An organic electronic device is manufactured by sequentially forming an organic layer and a second electrode layer, which may include at least a light emitting layer, on a substrate for an organic electronic device manufactured according to the above-described method, Lt; RTI ID = 0.0 > a < / RTI > The method of forming the second electrode layer is not particularly limited, and the second electrode layer may be formed by any known method such as evaporation, sputtering, chemical vapor deposition, or electrochemical method using the material of the second electrode layer. Further, the organic layer and the sealing structure can be formed in a known manner.

본 출원은 또한 상기 기술한 유기전자장치, 예를 들면, 유기발광장치의 용도에 관한 것이다. 상기 유기발광장치는, 예를 들면, 디스플레이용 광원, 예를 들어 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다. 하나의 예시에서 본 출원은, 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 상기 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 상기 유기발광소자가 적용될 경우에, 상기 장치 등을 구성하는 다른 부품이나 그 장치의 구성 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 유기발광소자가 사용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료나 방식이 모두 채용될 수 있다.The present application also relates to the use of the above-described organic electronic devices, for example, organic light emitting devices. The organic light emitting device may be a light source for a display, for example, a backlight of a liquid crystal display (LCD), an illuminator, a light source such as various sensors, a printer or a copying machine, a vehicle instrument light source, , A display device, a light source of a planar light-emitting body, a display, a decoration, or various lights. In one example, the present application relates to a lighting device comprising the organic light-emitting device. In the case where the organic light emitting device is applied to the illumination device or other use, the other components constituting the device or the like and the constitution method of the device are not particularly limited. As long as the organic light emitting device is used, Any of the materials or methods may be employed.

본 출원의 유기전자소자용 기판은, 예를 들면, 수분이나 산소 등과 같은 외래 물질이 유입되는 것을 차단하여 내구성이 향상되고, 광추출 효율 등을 포함하는 성능이 우수한 유기전자장치를 형성할 수 있다.The substrate for organic electronic devices of the present application can prevent organic substances such as moisture and oxygen from flowing into the organic electronic device substrate to improve durability and form organic electronic devices having excellent performance including light extraction efficiency .

도 1은 유기전자소자용 기판을 예시적으로 나타낸다.
도 2는 플렉서블 기재층을 예시적으로 나타낸다.
도 3은 유기전자장치를 예시적으로 나타낸다.
도 4는 실시예 및 비교예의 파장에 대한 발광 스펙트럼 결과 그래프이다.
Fig. 1 exemplarily shows a substrate for an organic electronic device.
Fig. 2 exemplarily shows a flexible substrate layer.
Figure 3 illustrates an exemplary organic electronic device.
4 is a graph of the emission spectral results for the wavelengths of Examples and Comparative Examples.

이하, 본 출원에 따른 실시예를 통하여 본 출원을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present application will be described in more detail by way of examples according to the present application, but the scope of the present application is not limited by the following examples.

실시예Example 1 One

유리 기판 상에, 기재 물질로서 굴절률이 1.6인 폴리이미드, 및 고굴절 입자로서 굴절률이 1.8인 Al2O3(평균 입경: 20~30nm)를 5%의 중량 비율로 배?한 코팅 재료를 코팅하여 두께가 약 25~30um인 플렉서블 기재층을 형성하였다. 이어서, 상기 플렉서블 기재층 상에 ALD(Atomic Layer Deposition) 방식으로 굴절률이 1.75인 Al2O3와 TiO2의 복합막을 두께가 약 30~50nm가 되도록 배리어층을 형성하였다. 이어서, 상기 배리어층 상에 스퍼터링 방식으로 굴절률이 약 1.8~1.9인 ITO 투명전극층을 약 100~150nm의 두께가 되도록 형성하였다. 형성된 플렉서블 기재층에 대하여 HM-150을 이용하여 JIS K 7105방식으로 헤이즈를 평가한 결과, 헤이즈가 60%로 측정되었다. 이어서, 상기 투명전극층상에 증착 방식을 통해 알파-NPD(N,N'-Di-[(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl]-1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine)를 포함하는 정공 주입층및 발광층(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine (TCTA):Firpic, TCTA:Fir6)을 순차 형성하였다. 이어서, 상기 발광층의 상부에 전자 수송성 화합물인TCTA(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine)를 장착하여 전자 수송층을 약 70 nm의 두께로 형성하였다. 이어서, 전자 주입성 반사 전극으로서 알루미늄(Al)전극을 진공 증착 방식으로 상기 전자 수송층의 상부에 형성하여 소자를 제조하였다. 이어서 Ar 가스 분위기의 글로브 박스에서 상기 소자에 봉지 구조를 부착하여 유기발광장치를 제조하였다. On the glass substrate, a coating material in which a polyimide having a refractive index of 1.6 as a base material and Al 2 O 3 (average particle diameter: 20 to 30 nm) having a refractive index of 1.8 as a high-refractive index particle were dispersed in a weight ratio of 5% Thereby forming a flexible base layer having a thickness of about 25 to 30 um. Subsequently, a barrier layer was formed on the flexible substrate layer so that the composite film of Al 2 O 3 and TiO 2 having a refractive index of 1.75 was made to have a thickness of about 30 to 50 nm by an ALD (Atomic Layer Deposition) method. Then, an ITO transparent electrode layer having a refractive index of about 1.8 to 1.9 was formed on the barrier layer to a thickness of about 100 to 150 nm by a sputtering method. The haze of the formed flexible substrate layer was evaluated by the JIS K 7105 method using HM-150, and the haze was measured at 60%. Then, on the transparent electrode layer, an alpha-NPD (N, N'-Di- [(1-naphthyl) -N, N'- diphenyl] (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) -triphenylamine (TCTA): Firpic, TCTA: Fir6) was sequentially formed on the light emitting layer. A transporting compound TCTA (4,4 ', 4 "-tris (N-carbazolyl) -triphenylamine) was added to form an electron transport layer having a thickness of about 70 nm. Subsequently, an aluminum (Al) electrode was formed as an electron injecting reflective electrode on the electron transporting layer by a vacuum vapor deposition method to manufacture a device. Subsequently, a sealing structure was attached to the device in a glove box in an Ar gas atmosphere to prepare an organic light emitting device.

실시예Example 2 2

플렉서블 기재층 형성 시에, 고굴절 입자로서 Al2O3를 1%의 중량 비율로 배합한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 유기발광장치를 제조하였다 형성된 플렉서블 기재층에 대하여 HM-150을 이용하여 JIS K 7105방식으로 헤이즈를 평가한 결과, 헤이즈가 30%로 측정되었다.An organic light emitting device was fabricated in the same manner as in Example 1, except that Al 2 O 3 was added at a weight ratio of 1% as high refractive index particles at the time of forming the flexible base layer. HM-150 was added to the formed flexible substrate layer And the haze was evaluated by the JIS K 7105 method. As a result, the haze was measured to be 30%.

비교예Comparative Example 1 One

플렉서블 기재층 형성 시에, 고굴절 입자를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 유기발광장치를 제조하였다 형성된 플렉서블 기재층에 대하여 HM-150을 이용하여 JIS K 7105방식으로 헤이즈를 평가한 결과, 헤이즈가 2%로 측정되었다.An organic light emitting device was manufactured in the same manner as in Example 1 except that high refractive index particles were not used at the time of forming the flexible base layer. The HMIS 150 was used to evaluate the haze of the formed flexible substrate layer in accordance with JIS K 7105 As a result, haze was measured at 2%.

비교예Comparative Example 2 2

플렉서블 기재층 형성 시에, 고굴절 입자 대신에 굴절률이 1.5인 굴절률 입자(Silica, 평균 입경: 300~500nm)를 10%의 중량 비율로 배합한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 유기발광장치를 제조하였다. 형성된 플렉서블 기재층에 대하여 HM-150을 이용하여 JIS K 7105방식으로 헤이즈를 평가한 결과, 헤이즈가 60%로 측정되었다.Except that refractive index particles having a refractive index of 1.5 (Silica, average particle diameter: 300 to 500 nm) were compounded at a weight ratio of 10% in place of the high-refractive index particles at the time of forming the flexible base layer, . The haze of the formed flexible substrate layer was evaluated by the JIS K 7105 method using HM-150, and the haze was measured at 60%.

비교예Comparative Example 3 3

플렉서블 기재층을 형성하지 않은 유리 기판을 기재층으로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방식으로 유기발광장치를 제조하였다.
An organic light emitting device was produced in the same manner as in Example 1 except that a glass substrate on which a flexible substrate layer was not formed was used as a base layer.

시험예Test Example 1: 유기발광장치의 성능 평가 1: Performance evaluation of organic light emitting device

실시예 1 내지 2 및 비교예 1 내지 3의 유기발광장치에 대하여 양자 효율(Quantum Efficiency), CCT (상관색온도, Correlated Color Temperature), CRI(연색성지수, Color Rendering Index), Duv(Delta uv color) 및 CIE color (x, y)를 공지의 방식으로 평가한 후 그 결과를 표 1에 나타내었고, 파장에 대한 발광 스펙트럼을 공지의 방식으로 측정한 후 그 결과를 도 4에 나타내었다. Quantum Efficiency, CCT (Correlated Color Temperature), CRI (Color Rendering Index), and Duv (Delta uv color) were measured for the organic light emitting devices of Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 to 3, And CIE color (x, y) were evaluated in a known manner. The results are shown in Table 1, and the emission spectrum for the wavelength was measured in a known manner, and the results are shown in FIG.

하기 표 1에 나타낸 바와 같이, 실시예 1(헤이즈: 60%, △n: 0.2) 및 실시예 2(헤이즈: 30%, △n: 0.2)의 경우 양자 효율이 약 35% 이상으로 우수한 광추출 성능을 나타냈다. 특히, 실시예 1의 경우 약 45%의 양자 효율을 나타내며 현저히 우수한 광추출 성능을 나타냈다.As shown in the following Table 1, when the quantum efficiency was about 35% or more in Example 1 (haze: 60%, Δn: 0.2) and Example 2 (haze: 30%, Δn: 0.2) Performance. In particular, Example 1 exhibited quantum efficiency of about 45% and exhibited remarkably excellent light extraction performance.

비교예 1(헤이즈: 2%, △n: 0.2) 및 비교예 2(헤이즈: 60%, △n: -0.1)는 실시예에 비하여 낮은 양자 효율을 나타내며 광추출 성능이 우수하지 못한 것을 알 수 있다. 한편, 비교예 3은 실시예 2와 유사한 양자 효율을 나타내지만, 유리 기판을 자체를 기재층으로 사용한 것이기 때문에 플렉서블 소자의 구현에 부적합하다. It was found that Comparative Example 1 (haze: 2%, Δn: 0.2) and Comparative Example 2 (haze: 60%, Δn: -0.1) have. On the other hand, the comparative example 3 shows a quantum efficiency similar to that of the example 2, but is unsuitable for the implementation of a flexible device because the glass substrate itself is used as a base layer.

또한, 도 4에 나타낸 바와 같이 실시예 1 내지 2의 경우 비교예 1 내지 2에 비하여 거의 모든 스펙트럼 영역에서 발광 세기가 증가되었고, 특히 실시예 1(헤이즈: 60%, △n: 0.2)은 비교예 1 내지 2에 비하여 발광 세기가 현저히 증가됨을 알 수 있다. 4, the luminescence intensities were increased in almost all spectral regions as compared with Comparative Examples 1 and 2 in Examples 1 and 2. Particularly, Comparative Example 1 (haze: 60%, Δn: 0.2) It can be seen that the luminescence intensity is remarkably increased as compared with Examples 1 and 2.

기재층 Haze(%)Base layer Haze (%) 굴절률
차이
(△n)
Refractive index
Difference
(? N)
양자
효율
(%)
quantum
efficiency
(%)
CCTCCT CRICRI DuvDuv CIE color
(x, y)
CIE color
(x, y)
실시예 1Example 1 6060 0.20.2 44.844.8 37223722 8686 -0.0009-0.0009 (0.393, 0.382)(0.393, 0.382) 실시예 2Example 2 3030 0.20.2 35.635.6 37083708 8686 0.00060.0006 (0.395, 0.386)(0.395, 0.386) 비교예 1Comparative Example 1 22 0.20.2 28,228,2 36943694 8787 0.00090.0009 (0.396, 0.388)(0.396, 0.388) 비교예 2Comparative Example 2 6060 -0.1-0.1 33.033.0 38073807 8787 0.00230.0023 (0.391, 0.388)(0.391, 0.388) 비교예 3Comparative Example 3 유리 기판Glass substrate 35.435.4 40644064 8989 0.00520.0052 (0.381, 0.388)(0.381, 0.388)

101: 플렉서블 기재층
102: 배리어층
103: 투명전극층
1011: 기재 물질
1012: 고굴절 입자
301: 유기층
302: 제 2 전극층
101: Flexible substrate layer
102: barrier layer
103: transparent electrode layer
1011: Base material
1012: high-refraction particle
301: organic layer
302: second electrode layer

Claims (18)

헤이즈가 30% 내지 80%의 범위 내인 플렉서블 기재층 및 상기 플렉서블 기재층상에 형성되어 있으며, 굴절률이 1.7 내지 1.9 범위 내인 배리어층; 및 상기 배리어층상에 형성되어 있으며, 굴절률이 1.8 내지 2.0 범위 내인 투명 전극층을 포함하고, 상기 플렉서블 기재층은 기재 물질 및 상기 기재 물질과 굴절률 차이가 0.1 내지 0.5 범위 내이고, 굴절률이 1.8 내지 2.15 범위 내인 고굴절 입자를 포함하는 유기전자소자용 기판. A flexible base layer having a haze within a range of 30% to 80% and a barrier layer formed on the flexible base layer and having a refractive index within a range of 1.7 to 1.9; And a transparent electrode layer formed on the barrier layer and having a refractive index in a range of 1.8 to 2.0, wherein the flexible base layer has a refractive index difference of 0.1 to 0.5 with respect to the base material and the base material, a refractive index in a range of 1.8 to 2.15 A substrate for an organic electronic device comprising high refractive index particles. 제 1 항에 있어서,
플렉서블 기재층은 가시 광선 영역 내의 적어도 어느 한 파장에 대한 광 투과율이 80% 이상인 유기전자소자용 기판.
The method according to claim 1,
Wherein the flexible base layer has a light transmittance of 80% or more with respect to at least one wavelength in a visible light region.
제 1 항에 있어서,
기재 물질은 굴절률이 1.5 내지 1.9 범위 내인 유기전자소자용 기판.
The method according to claim 1,
Wherein the base material has a refractive index in the range of 1.5 to 1.9.
제 1 항에 있어서,
기재 물질은 폴리아믹산, 폴리이미드, 폴리에틸렌나프탈레이트, 폴리에테르에테르케톤, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에테르설파이드, 폴리설폰 아크릴 수지, 폴리스타이렌 또는 에폭시 수지를 포함하는 유기전자소자용 기판.
The method according to claim 1,
Wherein the substrate material comprises polyamic acid, polyimide, polyethylene naphthalate, polyether ether ketone, polycarbonate, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone acrylic resin, polystyrene or epoxy resin.
제 1 항에 있어서,
고굴절 입자의 굴절률이 기재 물질의 굴절률에 비하여 더 높은 유기전자소자용 기판.
The method according to claim 1,
Wherein the refractive index of the high refractive index particles is higher than that of the base material.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
고굴절 입자는 폴리스티렌 또는 그 유도체, 아크릴 수지 또는 그 유도체, 실리콘 수지 또는 그 유도체, 또는 노볼락 수지 또는 그 유도체, 알루미나, 알루미노 실리케이트, 산화 티탄 및 산화 지르코늄으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기전자소자용 기판.
The method according to claim 1,
The high-refractive-index particle may be at least one selected from the group consisting of polystyrene or a derivative thereof, an acrylic resin or a derivative thereof, a silicone resin or a derivative thereof, or a novolak resin or a derivative thereof, an alumina, an aluminosilicate, a titanium oxide or a zirconium oxide. Substrate for device.
제 1 항에 있어서, 배리어층은 무기물 또는 유기물을 포함하는 유기전자소자용 기판. The substrate for an organic electronic device according to claim 1, wherein the barrier layer comprises an inorganic material or an organic material. 제 8 항에 있어서,
무기물은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 산화질화물 및 금속 불화물로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기전자소자용 기판.
9. The method of claim 8,
Wherein the inorganic material comprises at least one selected from the group consisting of a metal, a metal oxide, a metal nitride, a metal oxynitride, and a metal fluoride.
제 8 항에 있어서,
유기물은 폴리아크릴레이트, 폴리메타아크릴레이트, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리이미드, 폴리우레아, 폴리테트라플루오로에틸렌, 폴리클로로트리플루오로에틸렌 및 폴리디클로로디플루오로에틸렌으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 유기전자소자용 기판.
9. The method of claim 8,
The organic material is selected from polyacrylates, polymethacrylates, polyethylene, polypropylene, polymethylmethacrylate, polyimide, polyurea, polytetrafluoroethylene, polychlorotrifluoroethylene and polydichlorinated difluoroethylene And at least one organic metal compound.
제 1 항에 있어서,
투명 전극층은 투명 전도성 산화물을 포함하는 유기전자소자용 기판.
The method according to claim 1,
Wherein the transparent electrode layer comprises a transparent conductive oxide.
제 11 항에 있어서,
투명 전도성 산화물은 ITO, IZO, GaZO, ZnO또는 SnO2인 유기전자소자용 기판.
12. The method of claim 11,
Wherein the transparent conductive oxide is ITO, IZO, GaZO, ZnO or SnO 2 .
헤이즈가 30% 내지 80%의 범위 내인 플렉서블 기재층 상에 굴절률이 1.7 내지 1.9 범위 내인 배리어층을 형성하고, 상기 배리어층상에 굴절률이 1.8 내지 2.0 범위 내인 투명 전극층을 형성하고, 상기 플렉서블 기재층은 기재 물질 및 상기 기재 물질과 굴절률 차이가 0.1 내지 0.5 범위 내이고, 굴절률이 1.8 내지 2.15 범위 내인 고굴절 입자를 포함하도록 형성하는 유기전자소자용 기판의 제조 방법. Forming a barrier layer having a refractive index within a range of 1.7 to 1.9 on a flexible base layer having a haze within a range of 30% to 80%, forming a transparent electrode layer having a refractive index within a range of 1.8 to 2.0 on the barrier layer, Wherein the base material and the base material are formed so as to include high refractive index particles having a refractive index difference within a range of 0.1 to 0.5 and a refractive index within a range of 1.8 to 2.15. 헤이즈가 30% 내지 80%의 범위 내인 플렉서블 기재층; 상기 플렉서블 기재층상에 형성되어 있으며, 굴절률이 1.7 내지 1.9 범위 내인 배리어층; 및 상기 배리어층상에 형성되어 있으며, 굴절률이 1.8 내지 2.0 범위 내인 투명 전극층; 상기 투명 전극층상에 형성되어 있는 유기층 및 상기 유기층상에 형성되어 있는 제 2 전극을 포함하고, 상기 플렉서블 기재층은 기재 물질 및 상기 기재 물질과 굴절률 차이가 0.1 내지 0.5 범위 내이고, 굴절률이 1.8 내지 2.15 범위 내인 고굴절 입자를 포함하는 유기전자장치. A flexible substrate layer having a haze within a range of 30% to 80%; A barrier layer formed on the flexible base layer and having a refractive index within a range of 1.7 to 1.9; And a transparent electrode layer formed on the barrier layer and having a refractive index within a range of 1.8 to 2.0; And a second electrode formed on the organic layer, wherein the flexible substrate layer has a refractive index difference of 0.1 to 0.5 with respect to the base material and the base material, RTI ID = 0.0 > 2.15. ≪ / RTI > 제 14 항에 있어서,
유기층은 발광층을 포함하는 유기전자장치.
15. The method of claim 14,
Wherein the organic layer comprises a light emitting layer.
제 13 항의 방법에 따라 제조된 유기전자소자용 기판의 투명 전극층상에 유기층 및 제 2 전극을 순차 형성하는 것을 포함하는 유기전자장치의 제조방법.A method for manufacturing an organic electronic device, comprising sequentially forming an organic layer and a second electrode on a transparent electrode layer of a substrate for an organic electronic device manufactured according to the method of claim 13. 제 14 항의 유기전자장치를 포함하는 디스플레이용 광원.A light source for a display comprising the organic electronic device of claim 14. 제 14 항의 유기전자장치를 포함하는 조명 기기.

14. A lighting device comprising the organic electronic device of claim 14.

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