KR101660692B1 - Substrate for organic electronic device - Google Patents

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Abstract

본 출원에서는, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치 및 그 용도를 제공할 수 있다. 본 출원에서는 우수한 배리어성을 가지고, 상기 배리어성이 장기간 동안 안정적으로 유지될 수 있는 배리어 구조물을 포함하는 기판 또는 유기전자장치와 그 용도를 제공할 수 있다. 이러한 배리어 구조물은 소위 플렉서블 소자의 구현에 효과적으로 적용될 수 있다.The present application can provide substrates for organic electronic devices, organic electronic devices, and uses thereof. The present application can provide a substrate or an organic electronic device having a barrier structure and a barrier structure capable of stably maintaining the barrier property for a long period of time and its use. Such a barrier structure can be effectively applied to the implementation of a so-called flexible element.

Description

유기전자소자용 기판{SUBSTRATE FOR ORGANIC ELECTRONIC DEVICE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate for organic electronic devices,

본 출원은, 유기전자소자용 기판 및 그 용도에 관한 것이다.The present application relates to a substrate for an organic electronic device and a use thereof.

유기발광소자(OLED, Organic Light Emitting Device), 유기태양전지, 유기 감광체(OPC) 또는 유기 트랜지스터 등과 같은 유기전자장치는, 수분 등과 같은 외부 인자에 취약한 유기물층을 포함한다. 이에 따라, 예를 들면, 특허문헌 1 내지 4 등은 유기전자장치를 외래 물질로부터 보호할 수 있는 구조들을 제안하고 있다.BACKGROUND ART Organic electronic devices such as organic light emitting devices (OLEDs), organic solar cells, organic photoconductors (OPCs), organic transistors and the like include organic layers vulnerable to external factors such as moisture. Accordingly, for example, Patent Documents 1 to 4 propose structures capable of protecting organic electronic devices from foreign substances.

미국특허 제6,226,890호U.S. Patent No. 6,226,890 미국특허 제6,808,828호U.S. Patent No. 6,808,828 일본공개특허 제2000-145627호Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-145627 일본공개특허 제2001-252505호Japanese Patent Laid-Open No. 2001-252505

본 출원은, 유기전자소자용 기판 및 그 용도를 제공한다.The present application provides substrates for organic electronic devices and uses thereof.

예시적인 유기전자소자용 기판은, 기재 필름과 상기 기재 필름의 적어도 일면에 형성되어 있는 배리어 구조물을 포함할 수 있다. 상기 배리어 구조물은, 기재 필름의 일면 또는 양면에 형성되어 있을 수 있고, 필요한 경우에 배리어 구조물은 기재 필름의 전체면에 형성되어 상기 기재 필름을 실링(sealing)하는 형태로 존재할 수도 있다.An exemplary substrate for an organic electronic device may include a substrate film and a barrier structure formed on at least one side of the substrate film. The barrier structure may be formed on one side or both sides of the base film, and if necessary, the barrier structure may be formed on the entire surface of the base film to seal the base film.

본 출원에서 용어 배리어 구조물은, 수분 또는 습기와 같은 외래 요소의 침투를 차단, 억제 또는 완화할 수 있는 구조물을 의미할 수 있다. 예를 들어, 배리어 구조물은, WVTR(water vapor transmission rate, WVTR)이 10-4 g/m2/day 이하일 수 있다. 본 명세서에서 WVTR은, 40℃ 및 90% 상대 습도 조건에서 측정기(예를 들면, PERMATRAN-W3/31, MOCON, Inc.)를 사용하여 측정된 것일 수 있다. 본 출원에서 용어 배리어층은 상기 배리어 구조물에 포함되어 있는 층으로서, 그 자체가 배리어성을 가지거나, 혹은 배리어성을 가지지 않지만, 후술하는 응력 완화층과 같이 상기 언급한 배리어 구조물의 성능을 보완 내지 강화할 수 있는 층을 의미할 수 있다.The term barrier structure in the present application may mean a structure capable of blocking, inhibiting or alleviating the penetration of foreign elements such as moisture or moisture. For example, the barrier structure may have a water vapor transmission rate (WVTR) of less than 10 -4 g / m 2 / day. The WVTR herein may be measured using a meter (e.g., PERMATRAN-W3 / 31, MOCON, Inc.) at 40 DEG C and 90% relative humidity conditions. In the present application, the term barrier layer is a layer included in the barrier structure, which itself has barrier property or does not have barrier property. However, the barrier layer is not limited to the barrier layer, It can mean a layer that can be strengthened.

기재 필름의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 기재 필름으로 업계에서 통상 플렉서블 소자의 구현에 사용될 수 있는 것으로 알려져 있는 것을 사용할 수 있다. 이러한 기재 필름의 대표적인 예로는 고분자 필름 등이 있다. 고분자 필름으로는, PI(polyimide), PEN(Polyethylene naphthalate), PC(polycarbonate), 아크릴 수지, PET(poly(ethylene terephthatle)), PES(poly(ether sulfide)) 또는 PS(polysulfone) 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The kind of the base film is not particularly limited. It is possible to use what is known in the art as a substrate film that can be used for the implementation of flexible elements in general. Typical examples of such a base film include a polymer film and the like. Examples of the polymer film include polyimide (PI), polyethylene naphthalate (PEN), polycarbonate (PC), acrylic resin, poly (ethylene terephthalate), PES (poly sulfide) But is not limited thereto.

기재 필름으로는, 배리어 구조물과의 계면 밀착성의 개선을 위하여 다양한 관능기가 도입된 것을 사용할 수 있다. 예를 들어, 히드록시기, 아미노기 또는 카복실기 등의 관능기가 도입된 기재 필름은, 상기 배리어 구조물과 우수한 계면 밀착성을 나타낼 수 있다. 상기와 같은 관능기를 기재 필름에 도입하는 방식은 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 기재 필름을 형성하는 고분자 자체가 상기와 같은 관능기를 포함하는 것을 사용하거나, 혹은 고분자가 상기 관능기를 가지지 않는 것이거나, 혹은 가지더라도 그 비율이 적은 경우에는 기재 필름의 표면을 코로나 방전 또는 플라즈마 처리하는 방식으로도 상기 관능기를 도입할 수 있다. 적절한 계면 밀착성의 확보를 위하여 상기 관능기가 도입되는 비율이 제어될 수도 있다. As the base film, various functional groups introduced may be used for improving the interfacial adhesion with the barrier structure. For example, a substrate film into which a functional group such as a hydroxyl group, an amino group, or a carboxyl group is introduced may exhibit excellent interfacial adhesion with the barrier structure. The method of introducing such a functional group into the base film is not particularly limited. For example, the polymer forming the base film itself may contain the functional group as described above, or the polymer may not have the functional group Or if the ratio is small, the functional group may be introduced by a method of corona discharge or plasma treatment on the surface of the base film. The rate at which the functional group is introduced may be controlled in order to ensure proper interface adhesion.

기재 필름으로는 투광성 필름을 사용할 수 있다. 용어 투광성 필름은, 예를 들면, 가시광 영역 중 어느 하나의 광 또는 전체 가시광 영역의 광에 대한 투과율이 50% 이상, 60% 이상, 70% 이상 또는 80% 이상인 필름을 의미할 수 있다. 기판이 적용되는 구조에 따라서는 기재 필름으로 투광성 필름이 아닌 필름을 사용할 수도 있다. 또한, 필요한 경우에 필름의 표면 등에는 알루미늄 등의 반사성 물질을 사용하여 반사층을 형성할 수도 있다. 기재 필름은, 구동용 TFT(Thin Film Transistor)가 존재하는 TFT 기재 필름일 수도 있다.As the base film, a light transmitting film can be used. The term translucent film may mean, for example, a film having a transmittance of at least 50%, at least 60%, at least 70%, or at least 80% for light in any one of the visible light regions or in the entire visible light region. Depending on the structure to which the substrate is applied, a film other than the light transmitting film may be used as the base film. If necessary, a reflective layer such as aluminum may be used to form a reflective layer on the surface of the film or the like. The base film may be a TFT base film on which a driving TFT (Thin Film Transistor) exists.

본 출원의 유기전자소자용 기판이 상기 기판측으로 광을 방출하는 유기발광장치에 적용되는 경우에 기재 필름으로는 헤이즈(haze)가 있는 것을 사용할 수 있다. 헤이즈를 가지는 경우에 기재 필름의 헤이즈는 3% 내지 90%의 범위 내에 있을 수 있다. 헤이즈의 다른 하한은, 예를 들면, 5% 또는 10% 정도일 수 있다. 또한, 헤이즈의 다른 상한은, 예를 들면, 85%, 80%, 75%, 70%, 65%, 60%, 55%, 50%, 45%, 40%, 35% 또는 30% 정도일 수 있다. 기판이 헤이즈를 가지도록 하는 방법은 특별히 제한되는 것은 아니며, 헤이즈를 발생시키기 위해 통상 적용되고 있는 방식이 적용될 수 있다. 예를 들면, 고분자 필름의 경우, 주변 고분자 매트릭스와는 상이한 굴절률을 가지고, 적절한 평균 입경을 가지는 산란 입자를 첨가하는 방식이나, 고분자 자체에 헤이즈를 나타낼 수 있도록 하는 단량체, 예를 들면, 고분자 주쇄와는 상이한 굴절률을 나타내는 단량체를 중합시키고, 이러한 고분자를 사용하여 필름을 형성하는 방법 등이 적용될 수 있다.In the case where the substrate for organic electronic devices of the present application is applied to an organic light emitting device that emits light toward the substrate side, a substrate film having a haze may be used. When having a haze, the haze of the base film may be in the range of 3% to 90%. The other lower limit of the haze may be, for example, 5% or 10%. The other upper limit of the haze may be, for example, about 85%, 80%, 75%, 70%, 65%, 60%, 55%, 50%, 45%, 40%, 35% . The method of causing the substrate to have a haze is not particularly limited, and a conventionally applied method for generating haze may be applied. For example, in the case of a polymer film, a method of adding scattering particles having a refractive index different from that of the surrounding polymer matrix and having an appropriate average particle size, or a method of adding a scattering particle having a proper average particle diameter to a monomer capable of exhibiting haze in the polymer itself, A method of polymerizing a monomer exhibiting a different refractive index, and forming a film using such a polymer may be applied.

기재 필름은 열팽창계수(CTE)가 약 5 ppm/℃ 내지 70ppm/℃의 범위 내에 있을 수 있다. 이러한 범위는 유기물층과 무기물층이 혼재되어 있는 구조에서 발생할 수 있는 층간 박리 등의 결함의 방지에 유리할 수 있다.The substrate film may have a coefficient of thermal expansion (CTE) in the range of about 5 ppm / 占 폚 to 70 ppm / 占 폚. Such a range may be advantageous for preventing defects such as delamination, which may occur in a structure in which an organic material layer and an inorganic material layer are mixed.

기재 필름은 유리전이온도가 약 200℃ 이상일 수 있다. 이러한 범위는 유기전자장치의 제조 과정에서의 증착 또는 패턴을 위한 고온 공정에서 적합할 수 있다. 유리전이온도는, 다른 예시에서 약 210℃ 이상, 약 220℃ 이상, 약 230℃ 이상, 약 240℃ 이상 또는 약 250℃ 이상일 수 있다. 유리전이온도의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 400℃, 350℃ 또는 300℃ 정도일 수 있다.The base film may have a glass transition temperature of about 200 캜 or higher. This range may be suitable for high temperature processes for deposition or patterning in the fabrication of organic electronic devices. In another example, the glass transition temperature may be at least about 210 ° C, at least about 220 ° C, at least about 230 ° C, at least about 240 ° C, or at least about 250 ° C. The upper limit of the glass transition temperature is not particularly limited and may be, for example, about 400 캜, 350 캜 or 300 캜.

기재 필름은 표면 거칠기(RMS, Root Mean Square)가 약 0.1 nm 내지 5 nm의 범위 내로 조절될 수 있다. 이러한 표면 거칠기의 범위는 상부에 형성되는 층의 성능의 개선에 유리할 수 있다. 예를 들어, 상기 범위의 표면 거칠기를 가지는 기재 필름의 표면에 상기 배리어 구조물을 형성하면, 보다 탁월한 배리어성을 확보할 수 있다. 표면 거칠기는, 다른 예시에서 약 4 nm 이하, 약 3 nm 이하, 약 2.5 nm 이하 또는 약 2 nm 이하일 수 있다.The base film may be adjusted to have a root mean square (RMS) within a range of about 0.1 nm to 5 nm. This range of surface roughness can be advantageous for improving the performance of the layer formed on the top. For example, when the barrier structure is formed on the surface of the base film having the surface roughness in the above range, more excellent barrier property can be secured. The surface roughness may, in another example, be about 4 nm or less, about 3 nm or less, about 2.5 nm or less, or about 2 nm or less.

기재 필름은, 굴절률이 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.7 이상, 약 1.75 이상 또는 약 1.8 이상일 수 있다. 본 명세서에서 용어 굴절률은, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 약 550 nm 파장의 광에 대하여 측정한 굴절률이다. 유기발광장치에서 기재 필름의 상기 굴절률의 범위는 장치의 광효율을 높이는 것에 유리할 수 있다. 기재 필름의 굴절률의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 약 2.0 정도일 수 있다.The substrate film may have a refractive index of at least about 1.5, at least about 1.6, at least about 1.7, at least about 1.75, or at least about 1.8. As used herein, the term refractive index refers to the refractive index measured for light at a wavelength of about 550 nm, unless otherwise specified. The range of the refractive index of the base film in the organic light emitting device may be advantageous to increase the light efficiency of the device. The upper limit of the refractive index of the base film is not particularly limited, and may be, for example, about 2.0.

예를 들면, 높은 굴절률을 가지는 고분자를 사용하여 기재 필름을 제조하거나, 기재 필름을 제조하는 과정에서 필름 내에 고굴절률을 가지는 성분을 배합하여 전술한 범위의 굴절률의 달성이 가능할 수 있다.For example, it is possible to achieve a refractive index within the above-mentioned range by blending a component having a high refractive index in the film in the process of producing a base film using a polymer having a high refractive index or in producing a base film.

기재 필름의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 목적하는 성능, 예를 들면, 가요성, 광추출 효율 또는 배리어성을 고려하여 적정 범위에서 선택될 수 있다. 예를 들면, 기재 필름의 두께는 약 10 ㎛ 내지 약 50 ㎛의 범위 내 또는 약 20 ㎛ 내지 약 30 ㎛의 범위 내일 수 있다.The thickness of the base film is not particularly limited and may be selected within an appropriate range in consideration of the desired performance, for example, flexibility, light extraction efficiency, or barrier property. For example, the thickness of the substrate film can be in the range of about 10 microns to about 50 microns, or in the range of about 20 microns to about 30 microns.

상기 기재 필름의 적어도 일면에 존재하는 배리어 구조물은, 적어도 제 1 배리어층과 제 2 배리어층을 포함할 수 있다. 본 출원에서 제 1 배리어층과 제 2 배리어층은 배리어 구조물에 포함되는 층으로서 각각의 투영 면적의 크기에 의해 구분되는 층일 수 있다. 즉, 배리어 구조물에 포함되어 있는 층 중에서 상대적으로 큰 투영 면적을 가지는 층은 제 2 배리어층이고, 상대적으로 작은 투영 면적을 가지는 층은 제 1 배리어층일 수 있다.The barrier structure present on at least one side of the base film may include at least a first barrier layer and a second barrier layer. In the present application, the first barrier layer and the second barrier layer may be layers included in the barrier structure and may be classified by the size of the respective projected areas. That is, the layer having a relatively large projection area among the layers included in the barrier structure may be the second barrier layer, and the layer having a relatively small projection area may be the first barrier layer.

즉, 상기 배리어 구조물은, 기재 필름상에 형성되어 있는 제 1 배리어층과 상기 제 1 배리어층상에 형성되어 있는 제 2 배리어층을 포함할 수 있고, 이 때 상기 제 2 배리어층은 상기 제 1 배리어층에 비하여 넓은 투영 면적을 가질 수 있다. 본 명세서에서 용어 「투영 면적」은, 대상물(예를 들면, 상기 제 1 및 제 2 배리어층)을 그 표면의 법선 방향의 상부 또는 하부에서 관찰하였을 때에 인지되는 그 대상물의 투영의 면적을 의미한다. 따라서, 예를 들어, 제 1 배리어층의 표면이 요철 형상으로 형성되어 있는 등의 이유로 실제 표면적은 제 2 배리어층에 비하여 넓은 경우에도 상기 제 1 배리어층을 관찰하였을 경우에 인지되는 투영의 면적이 상기 제 2 배리어층을 관찰하였을 경우에 인지되는 투영의 면적에 비하여 작다면 상기 제 1 배리어층은 상기 제 2 배리어층에 비하여 작은 투영 면적을 가지는 것으로 해석된다.That is, the barrier structure may include a first barrier layer formed on the base film and a second barrier layer formed on the first barrier layer, wherein the second barrier layer is formed on the first barrier layer, Layer can have a larger projection area than the layer. The term " projection area " in this specification means an area of projection of the object which is recognized when the object (for example, the first and second barrier layers) is observed at the upper or lower portion of the normal direction of the surface thereof . Therefore, even if the actual surface area is larger than the second barrier layer, for example, because the surface of the first barrier layer is formed in a concave-convex shape, the area of the projection recognized when the first barrier layer is observed The first barrier layer is interpreted as having a smaller projected area than the second barrier layer if the area of the projection is smaller than the area of the projection recognized when the second barrier layer is observed.

도 1은 예시적인 상기 기판을 측면에서 관찰한 경우의 모식도이고, 기재 필름(101)상에 제 1 배리어층(1021)과 제 2 배리어층(1022)을 포함하는 배리어 구조물이 형성된 경우를 보여주는 도면이다. 도 1에 나타난 바와 같이, 제 2 배리어층은, 제 1 배리어층의 적어도 측면을 실링(sealing)하는 형태로 형성되어 있을 수 있다. 이와 같은 구조는, 예를 들어, 후술하는 바와 같이 제 1 배리어층이 유기 배리어층인 경우에 상기 유기 배리어층의 측면에서 침투하는 외래 물질에 의한 전체적인 배리어 구조물의 성능 저하를 방지하는 것에 효과적일 수 있다. 또한, 상기 제 1 배리어층은, 도 1과 같은 구조 또는 도 2와 같은 구조에서 무기물의 층인 제 2 배리어층에서 발생하는 응력을 완화하는 역할을 하여 전체적이 배리어 구조의 성능을 개선할 수 있다. 제 1 배리어층은, 예를 들면, 도 1에 나타난 바와 같이, 제 2 배리어층(1022)과 기재 필름(101)에 의해 밀봉되어 있는 구조를 가질 수 있다. 제 1 배리어층은, 예를 들면, 제 2 배리어층에 의해 밀봉되어 있는 구조를 가질 수도 있다. 즉, 후술하는 바와 같이 배리어 구조물은 상기 제 1 및 제 2 배리어층을 각각 2개 이상 포함할 수 있고, 이러한 경우에 상기 제 1 및 제 2 배리어층은 기재 필름상에 교대로 형성되어 있을 수 있는데, 이러한 경우에 제 1 배리어층은, 제 2 배리어층에 의해 밀봉되는 구조를 가질 수 있다. 도 2는, 2개의 제 1 배리어층(1021a, 1021b)과 2개의 제 2 배리어층(1022a, 1022b)이 배리어 구조물에 포함되어 있고, 제 1 및 제 2 배리어층이 번갈아 교대로 형성되어 있는 경우의 모식도이고, 도 2에서 제 1 배리어층(1021b)은, 제 2 배리어층(1022a, 1022b)에 의해 밀봉되어 있다. 제 1 및/또는 제 2 배리어층이 복수 포함되는 경우에 각 배리어층의 수는 특별한 제한이 없으며, 목적하는 배리어성이나 응력 완화성을 고려하여 적절한 수의 배리어층이 형성될 수 있다.FIG. 1 is a schematic view of an exemplary substrate viewed from the side, and shows a case where a barrier structure including a first barrier layer 1021 and a second barrier layer 1022 is formed on a base film 101 to be. As shown in FIG. 1, the second barrier layer may be formed to seal at least a side surface of the first barrier layer. Such a structure may be effective, for example, to prevent deterioration of the overall barrier structure due to extraneous material penetrating from the side of the organic barrier layer when the first barrier layer is an organic barrier layer, as described later have. In addition, the first barrier layer may mitigate the stress generated in the second barrier layer, which is a layer of inorganic material, in the structure as shown in FIG. 1 or the structure shown in FIG. 2, thereby improving the performance of the overall barrier structure. The first barrier layer may have a structure that is sealed by the second barrier layer 1022 and the base film 101, for example, as shown in Fig. The first barrier layer may have a structure that is sealed by, for example, a second barrier layer. That is, as described later, the barrier structure may include two or more of the first and second barrier layers, respectively. In this case, the first and second barrier layers may be alternately formed on the base film , In which case the first barrier layer may have a structure that is sealed by the second barrier layer. 2 shows a case where two first barrier layers 1021a and 1021b and two second barrier layers 1022a and 1022b are included in the barrier structure and the first and second barrier layers are alternately formed And in FIG. 2, the first barrier layer 1021b is sealed by the second barrier layers 1022a and 1022b. In the case where a plurality of first and / or second barrier layers are included, there is no particular limitation on the number of the barrier layers, and a suitable number of barrier layers can be formed in consideration of the desired barrier property and stress relaxation property.

도 3은, 상기 기판을 상기 배리어층의 법선 방향에서 관찰한 경우의 모식도이고, 도 3에 나타난 제 2 배리어층(1022)의 투영 면적은 제 1 배리어층(1021)의 투영 면적에 비하여 넓다. 하나의 예시에서 제 2 배리어층(1022)의 투영 면적(A) 및 제 1 배리어층(1021)의 투영 면적(B)의 비율(A/B)은, 예를 들면, 1.04 이상, 1.06 이상, 1.08 이상, 1.1 이상 또는 1.15 이상일 수 있다. 제 2 배리어층의 투영 면적이 제 1 배리어층의 투영 면적에 비하여 넓다면, 전술한 제 1 배리어층이 밀봉된 구조의 구현이 가능하기 때문에 상기 투영 면적의 비율(A/B)의 상한은 특별히 제한되지 않는다. 일반적인 기판의 제작 환경을 고려하면 상기 비율(A/B)은, 예를 들면, 약 2.0 이하, 약 1.5 이하, 약 1.4 이하, 약 1.3 이하 또는 약 1.25 이하일 수 있다. 3 is a schematic view of the substrate in a direction normal to the barrier layer. The projected area of the second barrier layer 1022 shown in Fig. 3 is larger than the projected area of the first barrier layer 1021. Fig. In one example, the ratio (A / B) of the projected area A of the second barrier layer 1022 and the projected area B of the first barrier layer 1021 is 1.04 or more, 1.06 or more, 1.08 or more, 1.1 or more, or 1.15 or more. If the projected area of the second barrier layer is larger than the projected area of the first barrier layer, the upper limit of the ratio (A / B) of the projected area can be specifically It is not limited. The ratio A / B may be, for example, about 2.0 or less, about 1.5 or less, about 1.4 or less, about 1.3 or less, or about 1.25 or less, considering a general substrate manufacturing environment.

도 3와 같이 제 2 배리어층은, 상부에서 관찰한 때에 제 1 배리어층의 모든 주변부를 벗어난 영역을 포함하는 영역까지 형성되어 있을 수 있다. 이를 통해 제 1 배리어층이 제 2 배리어층에 의해 둘러싸이고, 외부로 노출되지 않는 구조를 형성할 수 있다.As shown in FIG. 3, the second barrier layer may be formed up to a region including an area deviating from all the peripheral portions of the first barrier layer when viewed from above. Thereby forming a structure in which the first barrier layer is surrounded by the second barrier layer and is not exposed to the outside.

배리어 구조물에서 제 1 배리어층은 유기 배리어층이고, 제 2 배리어층은 무기 배리어층일 수 있다. 본 출원에서 용어 유기 배리어층은, 배리어 구조물에 포함되어 있는 층 중에서 유기물을 중량을 기준으로 55% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상 또는 90% 이상 포함하는 층을 의미할 수 있다. 또한, 본 출원에서 용어 무기 배리어층은, 배리어 구조물에 포함되어 있는 층 중에서 무기물을 중량을 기준으로 55% 이상, 60% 이상, 70% 이상, 80% 이상 또는 90% 이상 포함하는 층을 의미할 수 있다. In the barrier structure, the first barrier layer may be an organic barrier layer and the second barrier layer may be an inorganic barrier layer. The term organic barrier layer in the present application may mean a layer comprising at least 55%, at least 60%, at least 70%, at least 80%, or at least 90% by weight of the organic material in the layers included in the barrier structure . In addition, the term inorganic barrier layer in the present application means a layer containing at least 55%, at least 60%, at least 70%, at least 80%, or at least 90% of the inorganic material in the layers included in the barrier structure .

이와 같이 유기 배리어층과 무기 배리어층이 교대로 적층되어 있는 구조에서 상기 무기 배리어층이 유기 배리어층에 비하여 넓은 투영 면적을 가지도록 형성함으로써, 우수한 배리어성을 가지면서도 내구성이 우수한 배리어 구조물을 형성할 수 있다. 예를 들면, 배리어성을 나타내는 무기 배리어층과 인접하여 존재하는 유기 배리어층은, 응력 완화층(stress releasing layer)으로의 역할을 수행할 수 있어서, 무기 배리어층만이 존재하는 경우에 비하여 배리어 구조물의 내구성 등을 우수하게 유지할 수 있다. 이러한 구조에서 무기 배리어층이 유기 배리어층에 비하여 넓은 투영 면적으로 가지고, 그 측면을 실링(sealing)하는 형태로 형성됨으로써 배리어 구조물의 유기 배리어층이 외래 인자의 침투 경로가 되어 배리어 구조물의 성능이 저하되는 현상도 방지할 수 있다. 예를 들면, 후술하는 바와 같이 상기 제 1 배리어층은, iCVD층일 수 있고, 상기 제 2 배리어층은 ALD층일 수 있는데, 유기 배리어층인 제 1 배리어층이 iCVD층이고, 무기 배리어층인 제 2 배리어층이 ALD층인 경우, 전술한 바와 같은 효과는 보다 극대화될 수 있다.In the structure in which the organic barrier layer and the inorganic barrier layer are alternately stacked as described above, the inorganic barrier layer is formed to have a larger projected area as compared with the organic barrier layer, thereby forming a barrier structure having excellent barrier properties and excellent durability . For example, the organic barrier layer adjacent to the inorganic barrier layer exhibiting barrier properties can serve as a stress releasing layer, so that compared to the case where only the inorganic barrier layer is present, Durability and the like can be excellently maintained. In this structure, the inorganic barrier layer has a larger projected area than that of the organic barrier layer, and the side surface is sealed so that the organic barrier layer of the barrier structure becomes an infiltration path of the foreign factor, Can also be prevented. For example, as described below, the first barrier layer may be an iCVD layer and the second barrier layer may be an ALD layer, wherein the first barrier layer, which is an organic barrier layer, is an iCVD layer, If the barrier layer is an ALD layer, the effects as described above can be further maximized.

제 1 배리어층은, 예를 들면, 유기 고분자 또는 유무기 혼성 고분자를 포함하는 층일 수 있다. 제 1 배리어층에 포함될 수 있는 유기 고분자 또는 유무기 혼성 고분자의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 유기 고분자는, 제 1 배리어층이 후술하는 탄성 계수를 가지도록 선택될 수 있다. 이러한 선택에 의해 제 1 배리어층에 의한 응력 완화 효과를 확보할 수 있다. 이러한 범위의 탄성 계수를 가지는 제 1 배리어층은 전술한 응력 완화층으로서의 기능을 보다 효과적으로 수행할 수 있다.The first barrier layer may be, for example, a layer containing an organic polymer or an organic / inorganic hybrid polymer. The kind of the organic polymer or organic / inorganic hybrid polymer that can be included in the first barrier layer is not particularly limited. For example, the organic polymer may be selected so that the first barrier layer has a modulus of elasticity described later. By this selection, the stress relaxation effect by the first barrier layer can be ensured. The first barrier layer having the elastic modulus in this range can more effectively function as the stress relieving layer described above.

제 1 배리어층에 포함되는 유기 고분자 또는 유무기 혼성 고분자는, 예를 들면, 유기실리콘 고분자 또는 아크릴레이트 고분자일 수 있다. 상기와 같은 고분자는, 오가노실록산 화합물이나 아크릴레이트 화합물과 같은 단량체를 중합시켜서 형성할 수 있다.The organic polymer or organic / inorganic hybrid polymer included in the first barrier layer may be, for example, an organic silicon polymer or an acrylate polymer. Such a polymer can be formed by polymerizing a monomer such as an organosiloxane compound or an acrylate compound.

이 경우 사용될 수 있는 단량체의 종류는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 상기 오가노실록산 화합물로는, 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 화합물을 사용할 수 있다.In this case, the kind of the monomer that can be used is not particularly limited. For example, as the organosiloxane compound, a compound represented by the following formula (1) or (2) may be used.

[화학식 1][Chemical Formula 1]

R1(R1 2SiO)nR1 R 1 (R 1 2 SiO) n R 1

[화학식 2](2)

Figure 112014127107838-pat00001
Figure 112014127107838-pat00001

화학식 1 및 2에서 R1, Rd 및 Re는 각각 독립적으로 수소, 히드록시기, 에폭시기, 알콕시기 또는 1가 탄화수소기이되, R1 중 적어도 하나는 알케닐기이고, Rd 및 Re 중 적어도 하나는 알케닐기이며, n은 1 내지 10의 범위 내의 수이고, o은 3 내지 10의 범위 내의 수이다.In each formula (I) and from 2 R 1, R d and R e are independently hydrogen, a hydroxyl group, an epoxy group, an alkoxy group or a monovalent being hydrocarbon odd, at least one of R 1 is an alkenyl group, at least one of R d and R e Is an alkenyl group, n is a number in the range of 1 to 10, and o is a number in the range of 3 to 10.

본 출원에서 용어 「에폭시기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 3개의 고리 구성 원자를 가지는 고리형 에테르(cyclic ether) 또는 상기 고리형 에테르를 포함하는 화합물로부터 유도된 1가 잔기를 의미할 수 있다. 에폭시기로는 글리시딜기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등이 예시될 수 있다. 상기에서 지환식 에폭시기는, 지방족 탄화수소 고리 구조를 포함하고, 상기 지방족 탄화수소 고리를 형성하고 있는 2개의 탄소 원자가 또한 에폭시기를 형성하고 있는 구조를 포함하는 화합물로부터 유래되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 지환식 에폭시기로는, 6개 내지 12개의 탄소 원자를 가지는 지환식 에폭시기가 예시될 수 있고, 예를 들면, 3,4-에폭시시클로헥실에틸기 등이 예시될 수 있다.The term " epoxy group " in the present application, unless otherwise specified, may mean a monovalent residue derived from a cyclic ether having a cyclic ether having three ring constituent atoms . As the epoxy group, a glycidyl group, an epoxy alkyl group, a glycidoxyalkyl group or an alicyclic epoxy group can be exemplified. The alicyclic epoxy group may be a monovalent residue derived from a compound containing a structure containing an aliphatic hydrocarbon ring structure and having a structure in which two carbon atoms forming the aliphatic hydrocarbon ring also form an epoxy group. As the alicyclic epoxy group, an alicyclic epoxy group having 6 to 12 carbon atoms can be exemplified, and for example, 3,4-epoxycyclohexylethyl group and the like can be exemplified.

본 명세서에서 용어 「1가 탄화수소기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소와 수소로 이루어진 화합물 또는 그러한 화합물의 유도체로부터 유도되는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 예를 들면, 상기 1가 탄화수소기는, 1개 내지 25개의 탄소 원자를 포함할 수 있다. 1가 탄화수소기로는, 알킬기, 알케닐기, 알키닐기 또는 아릴기 등이 예시될 수 있다. As used herein, the term " monovalent hydrocarbon group " may mean a monovalent residue derived from a compound consisting of carbon and hydrogen or a derivative of such a compound, unless otherwise specified. For example, the monovalent hydrocarbon group may contain 1 to 25 carbon atoms. As the monovalent hydrocarbon group, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group can be exemplified.

본 명세서에서 용어 「알킬기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 의미할 수 있다. 상기 알킬기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있다. 또한, 상기 알킬기는 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.The term "alkyl group" as used herein may mean an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms or 1 to 4 carbon atoms, unless otherwise specified. The alkyl group may be linear, branched or cyclic. In addition, the alkyl group may be optionally substituted with one or more substituents.

본 명세서에서 용어 「알케닐기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알케닐기를 의미할 수 있다. 상기 알케닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있고, 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.The term "alkenyl group" as used herein may mean an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms unless otherwise specified. The alkenyl group may be linear, branched or cyclic and may optionally be substituted with one or more substituents.

본 명세서에서 용어 「알키닐기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 탄소수 2 내지 20, 탄소수 2 내지 16, 탄소수 2 내지 12, 탄소수 2 내지 8 또는 탄소수 2 내지 4의 알키닐기를 의미할 수 있다. 상기 알키닐기는 직쇄형, 분지쇄형 또는 고리형일 수 있고, 임의적으로 하나 이상의 치환기로 치환되어 있을 수 있다.The term "alkynyl group" as used herein may mean an alkynyl group having 2 to 20 carbon atoms, 2 to 16 carbon atoms, 2 to 12 carbon atoms, 2 to 8 carbon atoms, or 2 to 4 carbon atoms unless otherwise specified. The alkynyl group may be linear, branched or cyclic and may optionally be substituted with one or more substituents.

본 명세서에서 용어 「아릴기」는, 특별히 달리 규정하지 않는 한, 벤젠 고리 또는 2개 이상의 벤젠 고리가 하나 또는 2개 이상의 탄소 원자를 공유하면서 축합 또는 결합된 구조를 포함하는 화합물 또는 그 유도체로부터 유래하는 1가 잔기를 의미할 수 있다. 아릴기의 범위에는 통상적으로 아릴기로 호칭되는 관능기는 물론 소위 아르알킬기(aralkyl group) 또는 아릴알킬기 등도 포함될 수 있다. 아릴기는, 예를 들면, 탄소수 6 내지 25, 탄소수 6 내지 21, 탄소수 6 내지 18 또는 탄소수 6 내지 12의 아릴기일 수 있다. 아릴기로는, 페닐기, 디클로로페닐, 클로로페닐, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 벤질기, 톨릴기, 크실릴기(xylyl group) 또는 나프틸기 등이 예시될 수 있다.The term "aryl group" as used herein refers to a benzene ring or a benzene ring derived from a compound or a derivative thereof having a structure in which two or more benzene rings are condensed or bonded while sharing one or more carbon atoms May mean a monovalent residue. The range of the aryl group may include a so-called aralkyl group or an arylalkyl group as well as a functional group ordinarily called an aryl group. The aryl group may be, for example, an aryl group having 6 to 25 carbon atoms, 6 to 21 carbon atoms, 6 to 18 carbon atoms, or 6 to 12 carbon atoms. Examples of the aryl group include a phenyl group, dichlorophenyl, chlorophenyl, phenylethyl, phenylpropyl, benzyl, tolyl, xylyl group or naphthyl group.

본 출원에서 상기 에폭시기 또는 1가 탄화수소기에 임의적으로 치환되어 있을 수 있는 치환기로는, 염소 또는 불소 등의 할로겐, 글리시딜기, 에폭시알킬기, 글리시독시알킬기 또는 지환식 에폭시기 등의 에폭시기, 아크릴로일기, 메타크릴로일기, 이소시아네이트기, 티올기 또는 1가 탄화수소기 등이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.Examples of the substituent that may optionally be substituted in the epoxy group or monovalent hydrocarbon group in the present application include halogen such as chlorine or fluorine, epoxy group such as glycidyl group, epoxy alkyl group, glycidoxyalkyl group or alicyclic epoxy group, acryloyl group , A methacryloyl group, an isocyanate group, a thiol group, or a monovalent hydrocarbon group, but the present invention is not limited thereto.

단량체로 사용될 수 있는 아크릴레이트 화합물의 종류도 특별히 제한되지 않는다. 아크릴레이트 화합물로는, 예를 들면, 탄소수 1 내지 20, 탄소수 1 내지 16, 탄소수 1 내지 12, 탄소수 1 내지 8 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기를 가지는 알킬 (메타)아크릴레이트, 글리시딜 (메타)아크릴레이트와 같은 에폭시기를 가지는 아크릴레이트, 히드록시알킬 (메타)아크릴레이트, 이소보르닐 (메타)아크릴레이트와 같은 지환식 고리 구조를 포함하는 아크릴레이트 등의 화합물이나. 다관능성 아크릴레이트 화합물 등이 적용될 수 있다. 상기에서 다관능 아크릴레이트의 예로는, 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 트리(메타)아크릴레이트, 프로필렌옥시드 변성 트리메틸롤프로판 트리(메타)아크릴레이트, 3 관능형 우레탄 (메타)아크릴레이트, 트리스(메타)아크릴록시에틸이소시아누레이트, 디글리세린 테트라(메타)아크릴레이트, 펜타에리쓰리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 프로피온산 변성 디펜타에리쓰리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 카프로락톤 변성 디펜타에리쓰리톨 헥사(메타)아크릴레이트 및 우레탄 (메타)아크릴레이트로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 물질이 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The kind of the acrylate compound that can be used as the monomer is also not particularly limited. Examples of the acrylate compound include alkyl (meth) acrylates having 1 to 20 carbon atoms, 1 to 16 carbon atoms, 1 to 12 carbon atoms, 1 to 8 carbon atoms and 1 to 4 carbon atoms, Acrylate having an alicyclic ring structure such as hydroxyalkyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, and the like. Polyfunctional acrylate compounds and the like can be applied. Examples of the polyfunctional acrylate include trimethylolpropane tri (meth) acrylate, dipentaerythritol tri (meth) acrylate, propionic acid modified dipentaerythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol (Meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trifunctional urethane (meth) acrylate, tris (meth) acryloxyethylisocyanurate, diglycerin tetra (Meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, caprolactone-modified dipentaerythritol tetra (metha) acrylate, propionic acid-modified dipentaerythritol penta ) Acrylate, and urethane (meth) acrylate can be exemplified, but are not limited thereto .

상기와 같은 단량체를 사용하여 제 1 배리어층을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않지만, 제 1 배리어층의 물성이나 공정의 편의성 등을 고려하여 상기 제 1 배리어층은, iCVD(initiated chemical vapor deposition) 방식으로 형성할 수 있다. 이에 따라 상기 제 1 배리어층은 iCVD층일 수 있다. 본 출원에서 용어 iCVD층은, iCVD 방식으로 형성된 층을 의미할 수 있다. iCVD 방식을 적용하여 제 1 배리어층을 형성하는 구체적인 방식은 특별히 제한되지 않으며, 공지의 방식이 적용될 수 있다.The method of forming the first barrier layer by using the above-mentioned monomers is not particularly limited, but the first barrier layer may be formed by an iCVD (initiated chemical vapor deposition) method in consideration of the physical properties of the first barrier layer, . Accordingly, the first barrier layer may be an iCVD layer. The term iCVD layer in the present application may mean a layer formed by an iCVD method. A specific method of forming the first barrier layer by applying the iCVD method is not particularly limited, and a known method can be applied.

제 1 배리어층의 두께는 특별히 제한되지 않고, 목적하는 물성, 예를 들면, 배리어 구조물의 배리어성이나 제 1 배리어층의 응력 완화성 등을 고려하여 적정 범위로 조절할 수 있으며, 예를 들면, 약 10 nm 내지 100 nm의 범위 내에서 적정 두께가 선택될 수 있다. 상기에서 제 1 배리어층의 두께는, 예를 들어, 배리어 구조물 내에 2개 이상의 제 1 배리어층이 존재하는 경우, 복수 존재하는 제 1 배리어층 중 어느 한 층의 두께이거나, 혹은 상기 복수 존재하는 제 1 배리어층들의 평균 두께이거나, 혹은 복수 존재하는 모든 제 1 배리어층의 합계 두께일 수 있다.The thickness of the first barrier layer is not particularly limited and may be adjusted to an appropriate range in consideration of desired physical properties, for example, barrier properties of the barrier structure and stress relaxation properties of the first barrier layer. For example, A suitable thickness within the range of 10 nm to 100 nm may be selected. The thickness of the first barrier layer may be, for example, the thickness of any one of the plurality of first barrier layers when there are two or more first barrier layers in the barrier structure, 1 barrier layers, or may be the total thickness of all of the plurality of first barrier layers present.

제 1 배리어층은 적정한 탄성 계수(Modulus of Elasticity)를 가지도록 형성될 수 있다. 제 1 배리어층의 탄성 계수는, 예를 들면, 함께 형성되는 제 2 배리어층의 종류에 따라서 적절한 응력 완화가 가능한 범위에서 조절될 수 있다. 하나의 예시에서 제 1 배리어층의 23℃에서의 탄성 계수(Modulus of Elasticity)는 20 GPa 이하, 15 GPa 이하 또는 10 GPa 이하일 수 있다. 다른 예시에서 제 1 배리어층의 23℃에서의 탄성 계수는, 20 GPa 이상, 30 GPa 이상, 40 GPa 이상 또는 50 GPa 이상일 수 있다. 탄성 계수가 20 GPa 이상인 경우에 그의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니지만, 예를 들면, 약 200 GPa 이하, 180 GPa 이하, 160 GPa 이하, 140 GPa 이하, 120 GPa 이하 또는 100 GPa 이하일 수 있다. 이러한 중간층은, 배리어 구조물과 전극층간에서 발생할 수 있는 응력을 완화하는 역할을 하여 내구성 등에 기여할 수 있다.The first barrier layer may be formed to have an appropriate modulus of elasticity. The modulus of elasticity of the first barrier layer can be adjusted within a range in which appropriate stress relaxation is possible according to, for example, the type of the second barrier layer formed together. In one example, the Modulus of Elasticity of the first barrier layer at 23 DEG C may be less than or equal to 20 GPa, less than or equal to 15 GPa, or less than or equal to 10 GPa. In another example, the modulus of elasticity of the first barrier layer at 23 占 폚 may be greater than 20 GPa, greater than 30 GPa, greater than 40 GPa, or greater than 50 GPa. When the modulus of elasticity is 20 GPa or more, the upper limit thereof is not particularly limited, but may be, for example, about 200 GPa or less, 180 GPa or less, 160 GPa or less, 140 GPa or less, 120 GPa or 100 GPa or less. Such an intermediate layer serves to mitigate the stress that may occur between the barrier structure and the electrode layer, thereby contributing to durability and the like.

무기 배리어층인 제 2 배리어층은, 적어도 2층 이상의 얇은 층의 다층 구조를 포함할 수 있다. 제 2 배리어층을 이와 같이 다층 구조로 형성하는 경우에 무기물층의 형성 과정에서 발생할 수 있는 결정화를 적정 범위로 억제하여 우수한 물성, 예를 들면, 배리어성을 구현할 수 있다. 무기물층인 제 2 배리어층을 일반적인 증착 방식으로 형성하는 경우에 재료의 속성상 결정화가 진행될 가능성이 높고, 이에 따라 형성된 배리어층의 성능이 떨어질 수 있다. 그렇지만, 후술하는 바와 같이 형성되는 무기물층을 금속 산화물과 같은 산화물층으로 하는 방식, 얇은 두께의 층을 복수회 반복 형성시키는 방식, 상기 복수회 반복 형성 시에 인접하는 각 서브층의 재료를 다르도록 제어하는 방식 및 상기 각 서브층의 재료를 서로 다르게 하되, 각 서브층이 모두 금속 산화물과 같은 산화물층이 되도록 하는 방식 중 어느 하나의 방식을 채용함으로써 적절한 결정화도를 나타내어 우수한 배리어성을 가지는 무기물층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 다층 구조의 채용을 통하여 배리어성을 가지는 무기물층에는 부여하기 어려웠던 물성, 예를 들면 고굴절률을 겸비한 무기물층을 형성할 수 있다.The second barrier layer which is the inorganic barrier layer may include a multilayer structure of at least two or more thin layers. When the second barrier layer is formed in such a multi-layered structure, the crystallization that may occur during the formation of the inorganic layer can be suppressed to an appropriate range to realize excellent physical properties, for example, barrier property. In the case of forming the second barrier layer, which is an inorganic layer, by a general deposition method, there is a high possibility that the crystallization of the material proceeds in accordance with the property of the material, and the performance of the barrier layer thus formed may be deteriorated. However, a method in which an inorganic material layer to be formed as described below is made to be an oxide layer such as a metal oxide, a method in which a thin layer is repeatedly formed a plurality of times, a method in which materials of adjacent sub- And a method of controlling the material of each sub-layer to be different from each other, and each sub-layer being an oxide layer such as a metal oxide is adopted, whereby an inorganic layer having an excellent barrier property . In addition, by employing the multilayer structure, it is possible to form an inorganic layer having physical properties, for example, a high refractive index, which are difficult to impart to the barrier layer.

제 2 배리어층은, 예를 들면, 수분 및 산소 등의 외부 인자의 침투를 완화, 방지 또는 억제할 수 있는 것으로 알려진 소재를 사용하여 형성할 수 있다. 이러한 소재로는, In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti 및 Ni 등의 금속; TiO, TiO2, Ti3O3, Al2O3, MgO, SiO, SiO2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, ZrO2, Nb2O3 및 CeO2 등의 금속 산화물; SiN 등의 금속 질화물; SiON 등의 금속 산질화물; 또는 MgF2, LiF, AlF3 및 CaF2 등의 금속 불화물 등이나 기타 흡수율 1% 이상인 흡수성 재료나 흡수 계수 0.1% 이하인 방습성 재료 등으로 알려진 재료들이 포함될 수 있다. 제 2 배리어층은 상기 재료 중 어느 하나 혹은 2종 이상을 포함할 수 있다.The second barrier layer can be formed using a material known to mitigate, prevent or inhibit the penetration of external factors such as moisture and oxygen, for example. Examples of such materials include metals such as In, Sn, Pb, Au, Cu, Ag, Al, Ti and Ni; Metal oxides such as TiO, TiO2, Ti3O3, Al2O3, MgO, SiO, SiO2, GeO, NiO, CaO, BaO, Fe2O3, Y2O3, ZrO2, Nb2O3 and CeO2; Metal nitrides such as SiN; Metal oxynitrides such as SiON; Or metal fluorides such as MgF2, LiF, AlF3, and CaF2, and other known materials such as an absorbent material having a water absorption rate of 1% or more and a moisture-proof material having an absorption coefficient of 0.1% or less. The second barrier layer may comprise any one or two or more of the above materials.

무기물층의 두께는 목적 용도에 따른 효과에 따라 결정될 수 있고, 그 범위는 특별히 제한되지 않으나, 하나의 예시에서 약 10 nm 내지 100 nm, 10 nm 내지 90 nm, 10 nm 내지 80 nm, 10 nm 내지 70 nm, 10 nm 내지 60 nm, 10 nm 내지 50 nm 또는 20 nm 내지 50 nm의 범위 내일 수 있다. 상기에서 제 2 배리어층의 두께는, 예를 들어, 배리어 구조물 내에 2개 이상의 제 2 배리어층이 존재하는 경우, 복수 존재하는 제 2 배리어층 중 어느 한 층의 두께이거나, 혹은 상기 복수 존재하는 제 2 배리어층들의 평균 두께이거나, 혹은 복수 존재하는 모든 제 2 배리어층의 합계 두께일 수 있다.The thickness of the inorganic layer can be determined according to the effect depending on the purpose of use, and the range is not particularly limited, but in one example, about 10 nm to 100 nm, 10 nm to 90 nm, 10 nm to 80 nm, 70 nm, 10 nm to 60 nm, 10 nm to 50 nm, or 20 nm to 50 nm. The thickness of the second barrier layer may be, for example, the thickness of any one of the plurality of second barrier layers when there are two or more second barrier layers in the barrier structure, 2 barrier layers, or it may be the total thickness of all the plurality of second barrier layers present.

제 2 배리어층은 단층 또는 다층 구조일 수 있지만, 적절한 결정화도의 확보 등을 위해 다층 구조인 것이 요구될 수 있다. 다층 구조는, 동종 또는 이종의 무기물층이 적층된 구조를 포함할 수 있다. 제 2 배리어층을 다층 구조로 형성하는 것은 우수한 계면 밀착성을 가지고, 적절한 결정화도를 가지는 제 2 배리어층을 형성하는 것에 기여할 수 있다. 또한, 다층 구조로 제 2 배리어층을 형성하는 것은 후술하는 높은 굴절률의 배리어 구조물의 형성에도 기여할 수 있다.The second barrier layer may be a single layer or a multilayer structure, but it may be required to have a multi-layer structure for securing an appropriate degree of crystallinity and the like. The multi-layer structure may include a structure in which the same or different inorganic layers are laminated. The formation of the second barrier layer in a multilayer structure can contribute to formation of the second barrier layer having a good crystallinity with good interface adhesion. In addition, the formation of the second barrier layer with a multilayer structure can contribute to the formation of a barrier structure having a high refractive index, which will be described later.

다층 구조인 경우에 제 2 배리어층은, 적어도 제 1 서브층과 제 2 서브층의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기에서 제 1 및 제 2 서브층은, 전술한 제 1 배리어층에 의해 분할되어 있는 구조이거나, 혹은 서로 접촉하고 있는 구조일 수 있다. 예를 들어, 도 2를 참조하면, 2개의 제 2 배리어층(1022a, 1022b) 중 어느 하나가 제 1 서브층이고, 다른 하나는 제 2 서브층이거나, 상기 2개의 제 2 배리어층(1022a, 1022b) 중에서 적어도 한 층이 상기 제 1 및 제 2 서브층을 동시에 포함하는 다층 구조일 수 있다.In the case of a multi-layer structure, the second barrier layer may include a laminated structure of at least a first sub-layer and a second sub-layer. The first and second sub-layers may be a structure in which the first barrier layer is divided by the first barrier layer or a structure in which the first and second sub-layers are in contact with each other. 2, one of the two second barrier layers 1022a, 1022b is a first sublayer and the other is a second sublayer, or the two second barrier layers 1022a, 1022b may have a multi-layer structure including the first and second sub-layers at the same time.

제 2 배리어층에 요구되는 결정화도, 배리어성 내지는 굴절률 등을 고려하여 제 1 및 제 2 서브층의 두께가 조절될 수 있다. 예를 들면, 제 1 및 제 2 서브층의 두께는 모두 7 nm 이하, 6 nm 이하, 5 nm 이하, 4 nm 이하, 3 nm 이하 또는 2 nm 이하의 범위에서 조절될 수 있다. 서브층의 두께의 하한은 특별히 제한되지 않는다. 상기 서브층은 그 두께가 얇을수록 계면 밀착성, 결정화도, 배리어성 및 굴절률 조절 등에 대한 기여도가 증가하지만, 상기 서브층의 두께가 얇아지면, 목적 두께에 도달하기 위하여 필요한 공정수가 증가할 수 있다. 따라서, 상기 서브층 두께의 하한은 목적하는 두께 등을 고려하여 적정 범위로 설정할 수 있고, 예를 들면, 약 0.1 nm 이상의 범위에서 조절될 수 있다.The thicknesses of the first and second sub-layers can be adjusted in consideration of the degree of crystallization, barrier property, refractive index, etc. required for the second barrier layer. For example, the thicknesses of the first and second sub-layers may all be adjusted in the range of 7 nm or less, 6 nm or less, 5 nm or less, 4 nm or less, 3 nm or less, or 2 nm or less. The lower limit of the thickness of the sub-layer is not particularly limited. As the thickness of the sub-layer becomes thinner, the number of processes required to reach the target thickness may increase, while the contribution to the interface adhesion, crystallinity, barrier property and refractive index control increases. Therefore, the lower limit of the sub-layer thickness can be set in an appropriate range in consideration of the desired thickness and the like, and can be adjusted within a range of, for example, about 0.1 nm or more.

계면 밀착성, 결정화도, 배리어성 및 굴절률 등을 고려하여, 다층 구조의 제 2 배리어층에 포함되는 모든 서브층의 두께는 상기 범위 내에서 조절될 수 있다. 이 경우에 제 2 배리어층은 두께가 10 nm, 9 nm, 8 nm, 7 nm, 6 nm 또는 5 nm를 초과하는 서브층은 포함하지 않을 수 있다.  Considering the interface adhesion, crystallinity, barrier properties and refractive index, the thicknesses of all the sublayers included in the second barrier layer of the multi-layer structure can be adjusted within the above range. In this case, the second barrier layer may not include sub-layers with thicknesses exceeding 10 nm, 9 nm, 8 nm, 7 nm, 6 nm or 5 nm.

제 2 배리어층 내에 포함되는 서브층의 수는 특별히 제한되지 않는다. 상기는 서브층의 두께와 목적하는 제 2 배리어층의 두께에 따라 결정될 수 있다. 하나의 예시에서 상기 제 2 배리어층은, 2개 내지 50개의 서브층을 포함할 수 있다. 상기 범위에서 서브층은 4개 이상, 6개 이상, 8개 이상 또는 10개 이상 포함될 수 있다. 또한, 상기 범위 내에서 서브층은 45개 이하, 40개 이하, 35개 이하, 30개 이하, 25개 이하, 20개 이하 또는 15개 이하로 포함될 수 있다. 제 2 배리어층이 3개 이상의 서브층을 포함하는 경우에 각 서브층은 모두 상기 제 1 또는 제 2 서브층일 수 있고, 그 외에 제 3 서브층 또는 그 이상의 서브층도 포함할 수 있다.The number of sub-layers contained in the second barrier layer is not particularly limited. The above can be determined according to the thickness of the sub-layer and the thickness of the desired second barrier layer. In one example, the second barrier layer may comprise from 2 to 50 sub-layers. In this range, the sub-layer may include four or more, six or more, eight or more, or ten or more sub-layers. Also, within this range, the sublayer may be comprised of no more than 45, no more than 40, no more than 35, no more than 30, no more than 25, no more than 20, or no more than 15 sub-layers. In the case where the second barrier layer comprises three or more sub-layers, each sub-layer may be either the first or second sub-layer, and may also include a third sub-layer or further sub-layers.

서브층은 다양한 재료로 형성할 수 있으나, 계면 밀착성, 결정화도, 배리어성 및 굴절률 등에 기여하는 측면에서 다양한 금속 또는 비금속의 산화물, 질화물 또는 산질화물 등으로 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2 서브층은 산화물층, 질화물층 또는 산질화물층일 수 있다. 필요하다면, 제 2 배리어층에 포함되는 모든 서브층은 상기 산화물로 형성될 수 있다. 이러한 경우에 사용할 수 있는 산화물의 종류는 특별히 제한되지 않고, 상기 언급한 배리어층의 형성이 가능한 산화물 중 적정하게 선택될 수 있다. 서브층 중에서 서로 접촉하고 있는 서브층들은 각기 다른 재료로 형성되는 것이 계면 밀착성, 결정화도, 배리어성 및 굴절률 등에 기여할 수 있다. 따라서, 상기 제 1 및 제 2 서브층이 서로 접촉하고 있다면, 상기는 서로 다른 재료, 예를 들면, 서로 다른 산화물, 질화물 또는 산질화물로 형성될 수 있다. 제 2 배리어층이 상기한 바와 같이 제 3 서브층, 제 4 서브층 또는 그 이상의 서브층을 포함하는 경우에도 역시 서로 접촉하고 있는 서브층은 다른 재료, 예를 들면 다른 산화물로 형성되는 것이 유리할 수 있다. The sub-layer may be formed of various materials, but may be formed of various metal or non-metal oxides, nitrides or oxynitrides from the viewpoint of contributing to the interface adhesion, crystallinity, barrier properties and refractive index. Thus, the first and second sub-layers may be an oxide layer, a nitride layer or an oxynitride layer. If necessary, all of the sub-layers included in the second barrier layer may be formed of the oxide. The kind of the oxide that can be used in this case is not particularly limited, and it is possible to appropriately select among the oxides capable of forming the above-mentioned barrier layer. The sub-layers which are in contact with each other among the sub-layers may be formed of different materials may contribute to the interface adhesion, crystallinity, barrier property and refractive index. Thus, if the first and second sub-layers are in contact with each other, they may be formed of different materials, for example, different oxides, nitrides or oxynitrides. If the second barrier layer comprises a third sublayer, a fourth sublayer or more sublayer as described above, it may also be advantageous for the sublayer in contact with it to be formed of other materials, for example other oxides have.

제 1 서브층은 제 1 굴절률을 가지고, 제 2 서브층은 상기 제 1 굴절률과는 다른 제 2 굴절률을 가질 수 있다. 이러한 층을 적층하면, 전술한 효과를 확보하면서도 제 2 배리어층의 굴절률을 상기 언급한 범위로 조절하는 것에 유리할 수 있다. 제 1 굴절률과 제 2 굴절률의 차이의 절대값은, 예를 들면, 0.1 이상일 수 있다. 상기 절대값은 다른 예시에서 0.2 이상, 0.3 이상, 0.4 이상, 0.5 이상 또는 0.6 이상일 수 있다. 또한, 상기 절대값은 다른 예시에서 2 이하, 1.8 이하, 1.6 이하, 1.4 이하 또는 1.2 이하의 범위 내에 있을 수 있다. 제 1 및 제 2 굴절률 각각의 범위는 상기 굴절률의 범위가 확보된다면 특별히 제한되지 않으나, 예를 들면 제 1 서브층의 굴절률은, 1.4 내지 1.9의 범위 내이고, 제 2 서브층의 굴절률은 2.0 내지 2.6의 범위 내일 수 있다. 상기와 같은 제 1 및 제 2 서브층은, 각각 금속 산화물층일 수 있다. 예를 들어, 상기 제 1 서브층의 적합한 소재로는, Al2O3 등이 있고, 제 2 서브층에 적합한 소재로는 TiO2, ZrO2, HfO2, La2O5 또는 TaO5 등이 있지만, 각각 전술한 굴절률을 가지면서, 최종적인 적층 구조가 배리어성을 가질 수 있다면, 이 외에도 다양한 소재가 적용될 수 있다. The first sub-layer may have a first refractive index, and the second sub-layer may have a second refractive index different from the first refractive index. When these layers are laminated, it may be advantageous to adjust the refractive index of the second barrier layer to the above-mentioned range while ensuring the above-mentioned effect. The absolute value of the difference between the first refractive index and the second refractive index may be, for example, 0.1 or more. The absolute value may be 0.2 or more, 0.3 or more, 0.4 or more, 0.5 or more, or 0.6 or more in other examples. Further, the absolute value may be in the range of 2 or less, 1.8 or less, 1.6 or less, 1.4 or 1.2 or less in other examples. For example, the refractive index of the first sub-layer is in the range of 1.4 to 1.9, and the refractive index of the second sub-layer is in the range of 2.0 to 2.9, while the refractive index of the second sub- 2.6. ≪ / RTI > The first and second sub-layers as described above may each be a metal oxide layer. For example, Al 2 O 3 and the like are suitable materials for the first sub-layer, and TiO 2 , ZrO 2 , HfO 2 , La 2 O 5 or TaO 5 are suitable materials for the second sub- However, as long as the final laminated structure can have barrier properties while having the above-mentioned refractive index, various materials can be applied.

제 2 배리어층 또는 각 서브층은, 공지의 방식을 통해 형성할 수 있으나, 계면 밀착성의 확보 등의 관점에서 ALD(Atomic Layer Deposition) 방식으로 형성하는 것이 유리하다. ALD 방식은, 예를 들면, 유기금속과 같은 전구체와 물과 같은 전구체를 번갈아 피착 표면상에 증착시키는 과정을 포함하고, 이 과정에서 상기 전구체들의 단층(monolayer)이 번갈아 형성되면서 상호 반응하여 제 2 배리어층이 형성될 수 있다. 이러한 ALD 방식에 의해 형성되는 층은, 기재 필름에 소정 관능기, 예를 들면, 전술한 히드록시기 등이 존재할 경우에 그 관능기와 형성 과정에서 반응할 수 있고, 이에 따라 목적하는 계면 밀착성이 확보될 수 있다. 본 명세서에서 특별히 달리 규정하지 않는 한, 용어 ALD층은 ALD 방식으로 형성된 층을 의미할 수 있다. The second barrier layer or each sub-layer can be formed by a known method, but it is advantageous to form it by an ALD (Atomic Layer Deposition) method from the viewpoint of securing the interface adhesion. The ALD process involves, for example, depositing a precursor, such as an organic metal, and a precursor, such as water, alternately on the surface of the deposit, wherein the monolayer of the precursors is alternately formed, A barrier layer may be formed. When a predetermined functional group such as the above-mentioned hydroxy group is present in the base film, the layer formed by the ALD method can react with the functional group during the formation process, thereby securing the desired interfacial adhesion . Unless otherwise specifically stated herein, the term ALD layer may refer to a layer formed in an ALD fashion.

ALD 방식 외에 적용될 수 있는 제 2 배리어층 또는 서브층의 형성 방식으로는, 스퍼터링(sputtering), PLD(Pulsed Laser Deposition), 전자빔 증착(Electron beam evaporation), 열증착(thermal evaporation) 또는 L-MBE(Laser Molecular Beam Epitaxy) 등과 같은 PVD(physical Vapor Deposition) 또는 MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition), HVPE(Hydride Vapor Phase Epitaxy), iCVD(initiated chemical vapor deposition) 또는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 등의 CVD(Chemical Vapor Deposition) 등의 방식이 예시될 수 있다. 필요한 경우에 상기 방식 중에서 사용 소재에 따라 적절한 방식을 선택함으로써 제 2 배리어층의 성능을 극대화할 수 있다.The second barrier layer or the sub-layer may be formed by sputtering, pulsed laser deposition (PLD), electron beam evaporation, thermal evaporation, or L-MBE Such as PVD (physical vapor deposition), MOCVD (metal organic chemical vapor deposition), HVPE (hydride vapor phase epitaxy), iCVD (initiated chemical vapor deposition) or PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition), such as Laser Molecular Beam Epitaxy (Chemical Vapor Deposition) may be exemplified. If necessary, the performance of the second barrier layer can be maximized by selecting an appropriate method according to the material used in the above method.

상기와 같은 제 1 및 제 2 배리어층을 포함하는 배리어 구조물은, 기재 필름과의 굴절률의 차이가 가능한 작은 것이 적절할 수 있다. 이러한 경우는 특히 광추출 효율이 우수한 기판을 형성하는 것에 기여할 수 있다. 예를 들면, 배리어 구조물과 기재 필름과의 굴절률의 차이의 절대값은, 약 1 이하, 약 0.7 이하, 약 0.5 이하 또는 약 0.3 이하일 수 있다. 따라서, 기재 필름이 전술한 바와 같은 높은 굴절률을 가지는 경우에는 배리어 구조물에도 그와 동등한 수준의 굴절률이 확보되어야 한다. 예를 들면, 배리어 구조물의 굴절률은, 약 1.5 이상, 약 1.6 이상, 약 1.7 이상 또는 약 1.75 이상일 수 있다. 본 출원의 기판이 적용되는 유기전자장치가 유기발광장치인 경우, 기재 필름의 상기 굴절률의 범위는 장치의 광효율을 높이는 것에 유리할 수 있다. 배리어 구조물의 굴절률의 상한은 특별히 제한되는 것은 아니며, 예를 들면, 약 2.0 정도일 수 있다.The barrier structure including the first and second barrier layers as described above may preferably be as small as possible with a difference in refractive index from the base film. Such a case can contribute to formation of a substrate particularly excellent in light extraction efficiency. For example, the absolute value of the difference in refractive index between the barrier structure and the substrate film may be about 1 or less, about 0.7 or less, about 0.5 or less, or about 0.3 or less. Therefore, when the base film has a high refractive index as described above, the barrier structure must have a refractive index equivalent to that of the base film. For example, the refractive index of the barrier structure may be about 1.5 or more, about 1.6 or more, about 1.7 or more, or about 1.75 or more. When the organic electronic device to which the substrate of the present application is applied is an organic light emitting device, the range of the refractive index of the base film may be advantageous to increase the light efficiency of the device. The upper limit of the refractive index of the barrier structure is not particularly limited, and may be, for example, about 2.0.

기재 필름에 상기와 같은 구조의 배리어 구조물을 형성하는 방식은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 목적하는 구조와 배리어층의 수 등을 고려하여 기재 필름상에 iCVD 방식으로 제 1 배리어층을 형성하는 공정과 ALD 방식으로 제 2 배리어층을 형성하는 공정을 번갈아 수행하여 상기 배리어 구조물을 형성할 수 있다. 이 과정에서 제 1 배리어층의 형성 시에 마스킹 공정을 적용하거나, 혹은 제 1 배리어층을 형성하고, 일부의 제 1 배리어층을 제거한 후에 다시 제 2 배리어층을 형성하는 방식으로 상기 구조의 배리어 구조물을 형성할 수 있다.The manner of forming the barrier structure of the above structure on the base film is not particularly limited. For example, in consideration of the desired structure and the number of barrier layers, the step of forming the first barrier layer by the iCVD method and the step of forming the second barrier layer by the ALD method are alternately performed on the base film, Can be formed. In this process, the barrier structure of the above structure is applied in such a manner that a masking process is applied in forming the first barrier layer, or a first barrier layer is formed, and a second barrier layer is formed again after removing a part of the first barrier layer Can be formed.

본 출원의 기판은 또한 추가적인 층으로서, 상기 배리어 구조물상에 존재하는 전극층을 포함할 수 있다.The substrate of the present application may also comprise, as an additional layer, an electrode layer present on the barrier structure.

전극층으로는, 유기전자장치에서 통상 사용되는 정공 주입성 또는 전자 주입성 전극층이 사용될 수 있다. 상기 전극층은 투명 전극층이거나, 반사 전극층일 수 있다.As the electrode layer, a hole injecting or electron injecting electrode layer commonly used in an organic electronic device can be used. The electrode layer may be a transparent electrode layer or a reflective electrode layer.

정공 주입성인 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 높은 일 함수(work function)를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있고, 필요한 경우에 투명 또는 반사 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 예를 들면, 정공 주입성 전극층은, 일 함수가 약 4.0 eV 이상인 금속, 합금, 전기 전도성 화합물 또는 상기 중 2종 이상의 혼합물을 포함할 수 있다. 이러한 재료로는, 금 등의 금속, CuI, ITO(Indium Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ZTO(Zinc Tin Oxide), 알루미늄 또는 인듐이 도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘 인듐 옥사이드, 니켈 텅스텐 옥사이드, ZnO, SnO2 또는 In2O3 등의 산화물 재료나, 갈륨 니트라이드와 같은 금속 니트라이드, 아연 세레나이드 등과 같은 금속 세레나이드, 아연 설파이드와 같은 금속 설파이드 등이 예시될 수 있다. 투명한 정공 주입성 전극층은, 또한, Au, Ag 또는 Cu 등의 금속 박막과 ZnS, TiO2 또는 ITO 등과 같은 고굴절의 투명 물질의 적층체 등을 사용하여서도 형성할 수 있다.The electrode layer capable of injecting holes can be formed using, for example, a material having a relatively high work function, and can be formed using a transparent or reflective material when necessary. For example, the hole-injecting electrode layer may comprise a metal, an alloy, an electrically conductive compound or a mixture of two or more thereof having a work function of about 4.0 eV or more. As such a material, metal such as gold, CuI, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc tin oxide (ZTO), zinc oxide doped with aluminum or indium, magnesium indium oxide, nickel tungsten oxide, Metal oxides such as ZnO, SnO 2 or In 2 O 3, metal nitrides such as gallium nitride, metal serenides such as zinc serenide, and metal sulfides such as zinc sulfide. The transparent positive hole injecting electrode layer can also be formed by using a metal thin film of Au, Ag or Cu and a laminate of a transparent material of high refractive index such as ZnS, TiO 2 or ITO.

정공 주입성 전극층은, 증착, 스퍼터링, 화학 증착 또는 전기화학적 수단 등의 임의의 수단으로 형성될 수 있다. 또한, 필요에 따라서 형성된 전극층은 공지된 포토리소그래피나 새도우 마스크 등을 사용한 공정을 통하여 패턴화될 수도 있다. The hole injecting electrode layer may be formed by any means such as vapor deposition, sputtering, chemical vapor deposition or electrochemical means. In addition, the electrode layer formed according to need may be patterned through a process using known photolithography, shadow mask, or the like.

전자 주입성 전극층은, 예를 들면, 상대적으로 작은 일 함수를 가지는 재료를 사용하여 형성할 수 있으며, 예를 들면, 상기 정공 주입성 전극층의 형성을 위해 사용되는 소재 중에서 적절한 투명 또는 반사 소재를 사용하여 형성할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 전자 주입성 전극층도, 예를 들면, 증착법 또는 스퍼터링법 등을 사용하여 형성할 수 있으며, 필요한 경우에 적절히 패터닝될 수 있다. The electron injecting electrode layer can be formed using, for example, a material having a relatively small work function. For example, a transparent or reflective material suitable for forming the hole injecting electrode layer may be used However, the present invention is not limited thereto. The electron injecting electrode layer can also be formed using, for example, a vapor deposition method or a sputtering method, and can be appropriately patterned when necessary.

전극층의 두께는, 예를 들면, 약 90 nm 내지 200 nm, 90 nm 내지 180 nm 또는 약 90 nm 내지 150 nm 정도의 두께를 가지도록 형성될 수 있다.The thickness of the electrode layer may be formed to have a thickness of, for example, about 90 nm to 200 nm, 90 nm to 180 nm, or about 90 nm to 150 nm.

본 출원은 또한 유기전자장치에 대한 것이다. 상기 유기전자장치는, 기재 필름과 상기 기재 필름상에 형성되어 있는 소자 영역을 포함할 수 있다. 상기에서 소자 영역은 상기 기재 필름상에 순차 형성되어 있는 제 1 전극층, 유기물층 및 제 2 전극층을 포함할 수 있다. 상기 유기전자장치는, 상기 기재 필름과 소자 영역의 사이 또는 상기 소자 영역의 제 2 전극층의 상부에 형성되어 있는 배리어 구조물을 포함할 수 있다. 상기 배리어 구조물로는, 상기 유기전자소자용 기판의 항목에서 기술한 것과 동종의 배리어 구조물을 사용할 수 있다. 소자 영역과 기재 필름의 사이에 배리어 구조물을 가지는 유기전자장치는, 전술한 기판상에 소자 영역을 형성하여 제조할 수 있고, 제 2 전극층의 상부에 배리어 구조물을 포함하는 유기전자장치는, 제 2 전극층 상에 상기 기술한 방식으로 배리어 구조물을 형성하여 제조할 수 있다.The present application is also directed to organic electronic devices. The organic electronic device may include a base film and an element region formed on the base film. The device region may include a first electrode layer, an organic layer, and a second electrode layer sequentially formed on the base film. The organic electronic device may include a barrier structure formed between the base film and the device region or above the second electrode layer of the device region. As the barrier structure, a barrier structure similar to that described in the item of the organic electronic element substrate can be used. An organic electronic device having a barrier structure between the device region and the substrate film can be manufactured by forming an element region on the above-described substrate, and an organic electronic device including a barrier structure on the second electrode layer, And then forming a barrier structure on the electrode layer in the above-described manner.

유기전자장치에 포함되는 제 1 및 제 2 전극층과 유기물층의 종류는 특별히 제한되지 않고, 공지의 소재가 적용될 수 있다. 예를 들면, 상기 제 1 및 제 2 전극층으로는, 상기 기판 관련 항목에서 설명한 정공 주입성 또는 전자 주입성 전극이 사용될 수 있고, 유기물층으로도, 예를 들면, 공지의 유기발광장치의 제조에 사용되는 유기물층이 적용될 수 있다.The types of the first and second electrode layers and the organic layer included in the organic electronic device are not particularly limited, and known materials can be applied. For example, as the first and second electrode layers, a hole injecting property or an electron injecting electrode described in the above-mentioned substrate-related items can be used, and also as an organic material layer, for example, in the production of a known organic light emitting device Organic layer may be applied.

예를 들면, 상기 유기물층은 적어도 1개 또는 2개 이상의 발광 유닛을 포함할 수 있다. 이와 같은 구조에서 발광 유닛에서 발생한 광은 제 1 및 제 2 전극층 중 어느 하나인 반사 전극층에 의해 반사되는 과정 등을 거쳐서 제 1 및 제 전극층 중 다른 하나인 투명 전극층측으로 방출될 수 있다.For example, the organic layer may include at least one or two or more light emitting units. In such a structure, light generated in the light emitting unit may be emitted toward the transparent electrode layer, which is the other one of the first and second electrode layers, through a process of being reflected by the reflective electrode layer, which is one of the first and second electrode layers.

발광 유닛이 2개 이상 존재하는 경우에는 적절한 발광을 위하여 상기 복수의 발광 유닛의 사이에 중간 전극층 또는 전하발생층이 추가로 존재할 수 있다. 따라서 발광 유닛들은 전하 발생 특성을 가지는 중간 전극층이나 전하 발생층(CGL; Charge Generating Layer) 등에 의해 분할되어 있는 구조를 가질 수도 있다.When there are two or more light emitting units, an intermediate electrode layer or a charge generating layer may further be present between the plurality of light emitting units for proper light emission. Therefore, the light emitting units may have a structure in which the light emitting units are divided by an intermediate electrode layer having a charge generating characteristic or a charge generating layer (CGL).

발광 유닛을 구성하는 재료는 특별히 제한되지 않는다. 업계에서는 다양한 발광 중심 파장을 가지는 형광 또는 인광 유기 재료가 공지되어 있으며, 이러한 공지의 재료 중에서 적절한 종류를 선택하여 상기 발광 유닛을 형성할 수 있다. 발광 유닛의 재료로는, 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이트)알루미늄(III)(tris(4-methyl-8-quinolinolate)aluminum(III))(Alg3), 4-MAlq3 또는 Gaq3 등의 Alq 계열의 재료, C-545T(C26H26N2O2S), DSA-아민, TBSA, BTP, PAP-NPA, 스피로-FPA, Ph3Si(PhTDAOXD), PPCP(1,2,3,4,5-pentaphenyl-1,3-cyclopentadiene) 등과 같은 시클로페나디엔(cyclopenadiene) 유도체, DPVBi(4,4’-bis(2,2’-diphenylyinyl)-1,1’-biphenyl), 디스티릴 벤젠 또는 그 유도체 또는 DCJTB(4-(Dicyanomethylene)-2-tert-butyl-6-(1,1,7,7,-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran), DDP, AAAP, NPAMLI, ; 또는 Firpic, m-Firpic, N-Firpic, bon2Ir(acac), (C6)2Ir(acac), bt2Ir(acac), dp2Ir(acac), bzq2Ir(acac), bo2Ir(acac), F2Ir(bpy), F2Ir(acac), op2Ir(acac), ppy2Ir(acac), tpy2Ir(acac), FIrppy(fac-tris[2-(4,5’-difluorophenyl)pyridine-C’2,N] iridium(III)) 또는 Btp2Ir(acac)(bis(2-(2’-benzo[4,5-a]thienyl)pyridinato-N,C3’) iridium(acetylactonate)) 등과 같은 인광 재료 등이 예시될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 발광 유닛은, 상기 재료를 호스트(host)로 포함하고, 또한 페릴렌(perylene), 디스티릴비페닐(distyrylbiphenyl), DPT, 퀴나크리돈(quinacridone), 루브렌(rubrene), BTX, ABTX 또는 DCJTB 등을 도펀트로 포함하는 호스트-도펀트 시스템(Host-Dopant system)을 가질 수도 있다.The material constituting the light emitting unit is not particularly limited. Fluorescent or phosphorescent organic materials having various luminescent center wavelengths are known in the art, and a suitable kind of such known materials can be selected to form the light emitting unit. Examples of materials for the light emitting unit include tris (4-methyl-8-quinolinolate) aluminum (III) (Alg3), 4-MAlq3 or Gaq3 (C26H26N2O2S), DSA-amine, TBSA, BTP, PAP-NPA, Spiro-FPA, Ph3Si (PhTDAOXD), PPCP (1,2,3,4,5-pentaphenyl- Cyclopentadiene), DPVBi (4,4'-bis (2,2'-diphenylyinyl) -1,1'-biphenyl), distyrylbenzene or a derivative thereof, or DCJTB (4- (Dicyanomethylene) -2-tert-butyl-6- (1,1,7,7, -tetramethylgulolidyl-9-enyl) -4Hpyran), DDP, AAAP, NPAMLI; (AcAc), BzqIr (AcAc), Bo2Ir (AcAc), F2Ir (Bpy), F2r (AcAc), BF2P (acac), op2Ir (acac), ppy2Ir (acac), tpy2Ir (acac), FIrppy (fac-tris [2- (4,5'-difluorophenyl) pyridine-C'2, N] iridium a phosphorescent material such as acac (bis (2- (2'-benzo [4,5-a] thienyl) pyridinato-N, C3') iridium (acetylacetonate) . The light emitting unit may include the above material as a host and may also include perylene, distyrylbiphenyl, DPT, quinacridone, rubrene, BTX, ABTX or DCJTB And a host-dopant system including the dopant as a dopant.

발광 유닛은 또한 후술하는 전자 수용성 유기 화합물 또는 전자 공여성 유기 화합물 중에서 발광 특성을 나타내는 종류를 적절히 채용하여 형성할 수도 있다.The light emitting unit may also be formed by appropriately employing a kind that exhibits light emission characteristics among electron-accepting organic compounds or electron-donating organic compounds described below.

유기물층은, 발광 유닛을 포함하는 한, 이 분야에 공지된 다른 다양한 기능성층을 추가로 포함하는 다양한 구조로 형성될 수 있다. 유기물층에 포함될 수 있는 층으로는, 전자 주입층, 정공 저지층, 전자 수송층, 정공 수송층 및 정공 주입층 등이 예시될 수 있다.The organic material layer may be formed in various structures, including various other functional layers known in the art, as long as the organic material layer includes a light emitting unit. Examples of the layer that can be included in the organic material layer include an electron injecting layer, a hole blocking layer, an electron transporting layer, a hole transporting layer, and a hole injecting layer.

전자 주입층 또는 전자 수송층은, 예를 들면, 전자 수용성 유기 화합물(electron accepting organic compound)을 사용하여 형성할 수 있다. 상기에서 전자 수용성 유기 화합물로는, 특별한 제한 없이 공지된 임의의 화합물이 사용될 수 있다. 이러한 유기 화합물로는, p-테르페닐(p-terphenyl) 또는 쿠아테르페닐(quaterphenyl) 등과 같은 다환 화합물 또는 그 유도체, 나프탈렌(naphthalene), 테트라센(tetracene), 피렌(pyrene), 코로넨(coronene), 크리센(chrysene), 안트라센(anthracene), 디페닐안트라센(diphenylanthracene), 나프타센(naphthacene) 또는 페난트렌(phenanthrene) 등과 같은 다환 탄화수소 화합물 또는 그 유도체, 페난트롤린(phenanthroline), 바소페난트롤린(bathophenanthroline), 페난트리딘(phenanthridine), 아크리딘(acridine), 퀴놀린(quinoline), 키노사린(quinoxaline) 또는 페나진(phenazine) 등의 복소환화합물 또는 그 유도체 등이 예시될 수 있다. 또한, 플루오르세인(fluoroceine), 페리렌(perylene), 프타로페리렌(phthaloperylene), 나프타로페리렌(naphthaloperylene), 페리논(perynone), 프타로페리논, 나프타로페리논, 디페닐부타디엔(diphenylbutadiene), 테트라페닐부타디엔(tetraphenylbutadiene), 옥사디아졸(oxadiazole), 아르다진(aldazine), 비스벤조옥사조린(bisbenzoxazoline), 비스스티릴(bisstyryl), 피라진(pyrazine), 사이크로펜타디엔(cyclopentadiene), 옥신(oxine), 아미노퀴놀린(aminoquinoline), 이민(imine), 디페닐에틸렌, 비닐안트라센, 디아미노카르바졸(diaminocarbazole), 피란(pyrane), 티오피란(thiopyrane), 폴리메틴(polymethine), 메로시아닌(merocyanine), 퀴나크리돈(quinacridone) 또는 루부렌(rubrene) 등이나 그 유도체, 일본특허공개 제1988-295695호, 일본특허공개 제1996-22557호, 일본특허공개 제1996-81472호, 일본특허공개 제1993-009470호 또는 일본특허공개 제1993-017764호 등의 공보에서 개시하는 금속 킬레이트 착체 화합물, 예를 들면, 금속 킬레이트화 옥사노이드화합물인 트리스(8-퀴놀리노라토)알루미늄[tris(8-quinolinolato)aluminium], 비스(8-퀴놀리노라토)마그네슘, 비스[벤조(에프)-8-퀴놀뤼노라토]아연{bis[benzo(f)-8-quinolinolato]zinc}, 비스(2-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 트리스(8-퀴놀리노라토)인디엄[tris(8-quinolinolato)indium], 트리스(5-메틸-8-퀴놀리노라토)알루미늄, 8-퀴놀리노라토리튬, 트리스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)갈륨, 비스(5-클로로-8-퀴놀리노라토)칼슘 등의 8-퀴놀리노라토 또는 그 유도체를 배립자로 하나 이상 가지는 금속 착체, 일본특허공개 제1993-202011호, 일본특허공개 제1995-179394호, 일본특허공개 제1995-278124호 또는 일본특허공개 제1995-228579호 등의 공보에 개시된 옥사디아졸(oxadiazole) 화합물, 일본특허공개 제1995-157473호 공보 등에 개시된 트리아진(triazine) 화합물, 일본특허공개 제1994-203963호 공보 등에 개시된 스틸벤(stilbene) 유도체나, 디스티릴아릴렌(distyrylarylene) 유도체, 일본특허공개 제1994-132080호 또는 일본특허공개 제1994-88072호 공보 등에 개시된 스티릴 유도체, 일본특허공개 제1994-100857호나 일본특허공개 제1994-207170호 공보 등에 개시된 디올레핀 유도체; 벤조옥사졸(benzooxazole) 화합물, 벤조티아졸(benzothiazole) 화합물 또는 벤조이미다졸(benzoimidazole) 화합물 등의 형광 증백제; 1,4-비스(2-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(3-메틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(4-메틸스티릴)벤젠, 디스티릴벤젠, 1,4-비스(2-에틸스티릴)벤질, 1,4-비스(3-에틸스티릴)벤젠, 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-메틸벤젠 또는 1,4-비스(2-메틸스티릴)-2-에틸벤젠 등과 같은 디스티릴벤젠(distyrylbenzene) 화합물; 2,5-비스(4-메틸스티릴)피라진, 2,5-비스(4-에틸스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(1-나프틸)비닐]피라진, 2,5-비스(4-메톡시스티릴)피라진, 2,5-비스[2-(4-비페닐)비닐]피라진 또는 2,5-비스[2-(1-피레닐)비닐]피라진 등의 디스티릴피라진(distyrylpyrazine) 화합물, 1,4-페닐렌디메틸리딘, 4,4’-페닐렌디메틸리딘, 2,5-크실렌디메틸리딘, 2,6-나프틸렌디메틸리딘, 1,4-비페닐렌디메틸리딘, 1,4-파라-테레페닐렌디메텔리딘, 9,10-안트라센디일디메틸리딘(9,10-anthracenediyldimethylidine) 또는 4,4’-(2,2-디-티-부틸페닐비닐)비페닐, 4,4’-(2,2-디페닐비닐)비페닐 등과 같은 디메틸리딘(dimethylidine) 화합물 또는 그 유도체, 일본특허공개 제1994-49079호 또는 일본특허공개 제1994-293778호 공보 등에 개시된 실라나민(silanamine) 유도체, 일본특허공개 제1994-279322호 또는 일본특허공개 제1994-279323호 공보 등에 개시된 다관능 스티릴 화합물, 일본특허공개 제1994-107648호 또는 일본특허공개 제1994-092947호 공보 등에 개시되어 있는 옥사디아졸 유도체, 일본특허공개 제1994-206865호 공보 등에 개시된 안트라센 화합물, 일본특허공개 제1994-145146호 공보 등에 개시된 옥시네이트(oxynate) 유도체, 일본특허공개 제1992-96990호 공보 등에 개시된 테트라페닐부타디엔 화합물, 일본특허공개 제1991-296595호 공보 등에 개시된 유기 삼관능 화합물, 일본특허공개 제1990-191694호 공보 등에 개시된 쿠마린(coumarin)유도체, 일본특허공개 제1990-196885호 공보 등에 개시된 페리렌(perylene) 유도체, 일본특허공개 제1990-255789호 공보 등에 개시된 나프탈렌 유도체, 일본특허공개 제1990-289676호나 일본특허공개 제1990-88689호 공보 등에 개시된 프탈로페리논(phthaloperynone) 유도체 또는 일본특허공개 제1990-250292호 공보 등에 개시된 스티릴아민 유도체 등도 저굴절층에 포함되는 전자 수용성 유기 화합물로서 사용될 수 있다. 또한, 상기에서 전자 주입층은, 예를 들면, LiF 또는 CsF 등과 같은 재료를 사용하여 형성할 수도 있다. The electron injection layer or the electron transport layer can be formed using, for example, an electron accepting organic compound. As the electron-accepting organic compound in the above, any known compound can be used without any particular limitation. Examples of such organic compounds include polycyclic compounds or derivatives thereof such as p-terphenyl or quaterphenyl, naphthalene, tetracene, pyrene, coronene, ), Polycyclic hydrocarbon compounds or derivatives thereof such as chrysene, anthracene, diphenylanthracene, naphthacene or phenanthrene, phenanthroline, Heterocyclic compounds or derivatives thereof such as bathophenanthroline, phenanthridine, acridine, quinoline, quinoxaline, or phenazine may be exemplified. It is also possible to use at least one of fluoroceine, perylene, phthaloperylene, naphthaloperylene, perynone, phthaloferrinone, naphthoferrinone, diphenylbutadiene ( diphenylbutadiene, tetraphenylbutadiene, oxadiazole, aldazine, bisbenzoxazoline, bisstyryl, pyrazine, cyclopentadiene, and the like. Oxine, aminoquinoline, imine, diphenylethylene, vinyl anthracene, diaminocarbazole, pyrane, thiopyrane, polymethine, Quinacridone or rubrene or derivatives thereof, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1988-295695, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1996-22557, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1996-81472, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1993-009470 or Japanese Patent Application Laid- For example, tris (8-quinolinolato) aluminum, a metal chelated oxanoid compound, bis (8-quinolinolato) aluminum, Bis (benzo (f) -8-quinolinolato] zinc}, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum, Tris (8-quinolinolato) indium], tris (5-methyl-8-quinolinolato) aluminum, 8- quinolinolato lithium, tris (5- Quinolinolato) gallium, bis (5-chloro-8-quinolinolato) calcium and the like, metal complexes having at least one of 8-quinolinolato or a derivative thereof as an arbiter, Japanese Patent Laid- Oxadiazole compounds disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 1995-179394, 1995-278124, and 1995-228579, Stilbene derivatives, distyrylarylene derivatives, and the like disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open (kokai) No. 1994-132080 Styryl derivatives disclosed in JP-A-1994-88072 and the like, diolefin derivatives disclosed in JP-A-1994-100857 and JP-A-1994-207170, and the like; Fluorescent brightening agents such as benzooxazole compounds, benzothiazole compounds or benzoimidazole compounds; Bis (4-methylstyryl) benzene, distyrylbenzene, 1,4-bis (2-methylstyryl) benzene, Bis (2-methylstyryl) benzene, 1,4-bis (3-ethylstyryl) benzene, Methylstyryl) -2-ethylbenzene, and the like; Bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5-bis (4-methylstyryl) pyrazine, 2,5- Bis [2- (4-biphenyl) vinyl] pyrazine such as bis (4-methoxystyryl) pyrazine, 2,5-bis [2- Distyrylpyrazine compounds, 1,4-phenylenedimethylidene, 4,4'-phenylenedimethylidyne, 2,5-xylenedimethylidyne, 2,6-naphthylenedimethylidyne, 1,4-biphenylene dimethyl (9,10-anthracenediyldimethylidine) or 4,4 '- (2,2-di-t-butylphenylvinyl) biphenyl , Dimethylidine compounds such as 4,4 '- (2,2-diphenylvinyl) biphenyl and derivatives thereof, silane disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-49079 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-293778 Silanamine derivatives, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-279322 or Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-279323 The disclosed polyfunctional styryl compounds, oxadiazole derivatives disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1994-107648 or Japanese Patent Laid-Open Publication No. 1994-092947, anthracene compounds disclosed in Japanese Patent Application Laid-open No. 1994-206865, Oxynate derivatives disclosed in JP-A-1994-145146 and the like, tetraphenylbutadiene compounds disclosed in JP-A-1992-96990 and the like, organic trifunctional compounds disclosed in JP-A-1991-296595, Coumarin derivatives disclosed in JP-A-1990-191694 and the like, perylene derivatives disclosed in JP-A-1990-196885 and the like, naphthalene derivatives disclosed in JP-A-1990-255789, A phthaloperynone derivative disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 1990-289676 or Japanese Patent Laid-Open No. 1990-88689, -250292 and the like can also be used as an electron-accepting organic compound contained in the low refractive layer. In addition, the electron injection layer may be formed using a material such as LiF or CsF.

정공 저지층은, 주입된 정공이 발광 유닛을 지나 전자 주입성 전극층으로 진입하는 것을 방지하여 소자의 수명과 효율을 향상시킬 수 있는 층이고, 필요한 경우에 공지의 재료를 사용하여 발광 유닛과 전자 주입성 전극층의 사이에 적절한 부분에 형성될 수 있다.The hole blocking layer is a layer capable of preventing the injected holes from entering the electron injecting electrode layer through the light emitting unit to improve the lifetime and efficiency of the device. If necessary, the hole blocking layer can be formed by using a known material, It can be formed at an appropriate portion between the entering electrode layers.

정공 주입층 또는 정공 수송층은, 예를 들면, 전자 공여성 유기 화합물(electron donating organic compound)을 포함할 수 있다. 전자 공여성 유기 화합물로는, N,N’,N’-테트라페닐-4,4’-디아미노페닐, N,N’-디페닐-N,N’-디(3-메틸페닐)-4,4’-디아미노비페닐, 2,2-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)프로판, N,N,N’,N’-테트라-p-톨릴-4,4’-디아미노비페닐, 비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)페닐메탄, N,N’-디페닐-N,N’-디(4-메톡시페닐)-4,4’-디아미노비페닐, N,N,N’,N’-테트라페닐-4,4’-디아미노디페닐에테르, 4,4’-비스(디페닐아미노)쿠아드리페닐[4,4’-bis(diphenylamino)quadriphenyl], 4-N,N-디페닐아미노-(2-디페닐비닐)벤젠, 3-메톡시-4’-N,N-디페닐아미노스틸벤젠, N-페닐카르바졸, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)시크로헥산, 1,1-비스(4-디-p-트리아미노페닐)-4-페닐시크로헥산, 비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)페닐메탄, N,N,N-트리(p-톨릴)아민, 4-(디-p-톨릴아미노)-4’-[4-(디-p-톨릴아미노)스티릴]스틸벤, N,N,N’,N’-테트라페닐-4,4’-디아미노비페닐 N-페닐카르바졸, 4,4’-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐, 4,4”-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-테르페닐, 4,4’-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌, 4,4’-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐페닐아미노]비페닐, 4,4”-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-테르페닐, 4,4’-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(8-플루오란테닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐, 4,4’-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐(4,4’-bis[N-(1-coronenyl)-N-phenylamino]biphenyl), 2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌, 2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌, 2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌, 4,4”-비스[N,N-디(2-나프틸)아미노]테르페닐, 4,4’-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)페닐]아미노}비페닐, 4,4’-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐, 2,6-비스[N,N-디-(2-나프틸)아미노]플루오렌 또는 4,4”-비스(N,N-디-p-톨릴아미노)테르페닐, 및 비스(N-1-나프틸)(N-2-나프틸)아민 등과 같은 아릴 아민 화합물이 대표적으로 예시될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.The hole injecting layer or the hole transporting layer may include, for example, an electron donating organic compound. Examples of the electron donating organic compound include N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminophenyl, N, N'- N, N ', N'-tetra-p-tolyl-4,4'-diaminobiphenyl, Phenyl, N, N'-di (4-methoxyphenyl) -4,4'-diaminobiphenyl, N, N'- (N, N ', N'-tetraphenyl-4,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-bis (diphenylamino) quadriphenyl] 4-N, N-diphenylaminostilbene, N-phenylcarbazole, 1,1-bis (4-methoxy- Bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethanesulfonate, 1,1-bis (4-di- N, N, N-tri (p-tolyl) amine, 4- (di-p- tolylamino) -4 ' N ', 4,4'-diaminobiphenyl N-phenylcarbazole, 4,4'-bis [N- (1-naphthyl) -N- -Bis [N- (2-naphthyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4'- -Bis [N- (1-naphthyl) -N-phenylamino] naphthalene, 4,4'-bis [ Phenyl) amino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (1-anthryl) -N-phenylamino] -p- , 4'-bis [N- (2-phenanthryl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-perylenyl) -N-phenylamino] biphenyl, 4,4'-bis [N- (2-pyrenyl) Bis [N- (1-coronenyl) -N-phenylamino] biphenyl), 2,6-bis Di-p-tolylamino) naphthalene, 2,6-bis [di- (1-naphthyl) amino] naphthalene, N, N-di (2-naphthyl) amino] terphenyl, 4,4'-bis [ -Bis [N-phenyl-N- (2-pyrenyl) amino] biphenyl, 2, N-di- (2-naphthyl) amino] fluorene or 4,4 "-bis (N, N-di-p- tolylamino) terphenyl, Naphthyl) (N-2-naphthyl) amine, and the like are exemplified, but not limited thereto.

정공 주입층이나 정공 수송층은, 유기화합물을 고분자 중에 분산시키거나, 상기 유기 화합물로부터 유래한 고분자를 사용하여 형성할 수도 있다. 또한, 폴리파라페닐렌비닐렌 및 그 유도체 등과 같이 소위 π-공역 고분자(π-conjugated polymers), 폴리(N-비닐카르바졸) 등의 정공 수송성 비공역 고분자 또는 폴리실란의 σ-공역 고분자 등도 사용될 수 있다.The hole injecting layer or the hole transporting layer may be formed by dispersing an organic compound in a polymer or by using a polymer derived from the organic compound. Further, hole-transporting non-conjugated polymers such as? -Conjugated polymers and poly (N-vinylcarbazole) such as polyparaphenylenevinylene and derivatives thereof,? -Conjugated polymers of polysilanes, etc. may also be used .

정공 주입층은, 구리프탈로시아닌과 같은 금속 프탈로시아닌이나 비금속 프탈로시아닌, 카본막 및 폴리아닐린 등의 전기적으로 전도성인 고분자 들을 사용하여 형성하거나, 상기 아릴 아민 화합물을 산화제로 하여 루이스산(Lewis acid)과 반응시켜서 형성할 수도 있다. The hole injection layer may be formed by using a metal phthalocyanine such as copper phthalocyanine, a nonmetal phthalocyanine, a carbon film and an electrically conductive polymer such as polyaniline, or by reacting the arylamine compound with an Lewis acid using the arylamine compound as an oxidizing agent You may.

유기물층의 구체적인 구조는 특별히 제한되지 않는다. 이 분야에서는 정공 또는 전자 주입 전극층과 유기물층, 예를 들면, 발광 유닛, 전자 주입 또는 수송층, 정공 주입 또는 수송층을 형성하기 위한 다양한 소재 및 그 형성 방법이 공지되어 있으며, 상기 유기전자장치의 제조에는 상기와 같은 방식이 모두 적용될 수 있다.The specific structure of the organic material layer is not particularly limited. In this field, various materials for forming a hole or electron injection electrode layer and an organic material layer, for example, a light emitting unit, an electron injection or transport layer, a hole injection or transport layer, and a forming method thereof are known. May be applied.

유기전자장치는 전술한 구성 외에도 유기발광장치의 형성에 적합한 것으로 알려진 공지의 다른 구성도 필요에 따라 포함할 수 있다.The organic electronic device may include other known configurations that are known to be suitable for forming an organic light emitting device in addition to the above-described configuration, as needed.

본 출원은 또한 상기 유기전자장치, 예를 들면, 유기발광장치의 용도에 관한 것이다. 상기 유기발광장치는, 예를 들면, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display)의 백라이트, 조명, 각종 센서, 프린터, 복사기 등의 광원, 차량용 계기 광원, 신호등, 표시등, 표시장치, 면상발광체의 광원, 디스플레이, 장식 또는 각종 라이트 등에 효과적으로 적용될 수 있다. 하나의 예시에서 본 출원은, 상기 유기발광소자를 포함하는 조명 장치에 관한 것이다. 상기 조명 장치 또는 기타 다른 용도에 상기 유기발광소자가 적용될 경우에, 상기 장치 등을 구성하는 다른 부품이나 그 장치의 구성 방법은 특별히 제한되지 않고, 상기 유기발광소자가 사용되는 한, 해당 분야에 공지되어 있는 임의의 재료나 방식이 모두 채용될 수 있다.The present application also relates to the use of said organic electronic device, for example an organic light emitting device. The organic light emitting device may be a backlight of a liquid crystal display (LCD), an illumination device, a light source such as various sensors, a printer, a copying machine, a vehicle instrument light source, a traffic light, a display, A light source, a display, a decoration, or various lights. In one example, the present application relates to a lighting device comprising the organic light-emitting device. In the case where the organic light emitting device is applied to the illumination device or other use, the other components constituting the device or the like and the constitution method of the device are not particularly limited. As long as the organic light emitting device is used, Any of the materials or methods may be employed.

본 출원에서는, 유기전자소자용 기판, 유기전자장치 및 그 용도를 제공할 수 있다. 본 출원에서는 우수한 배리어성을 가지고, 상기 배리어성이 장기간 동안 안정적으로 유지될 수 있는 배리어 구조물을 포함하는 기판 또는 유기전자장치와 그 용도를 제공할 수 있다. 이러한 배리어 구조물은 소위 플렉서블 소자의 구현에 효과적으로 적용될 수 있다.The present application can provide substrates for organic electronic devices, organic electronic devices, and uses thereof. The present application can provide a substrate or an organic electronic device having a barrier structure and a barrier structure capable of stably maintaining the barrier property for a long period of time and its use. Such a barrier structure can be effectively applied to the implementation of a so-called flexible element.

도 1 내지 3은 예시적인 유기전자소자용 기판을 보여주는 도면이다.1 to 3 are views showing an exemplary organic electronic element substrate.

이하, 본 출원에 따른 실시예 및 본 출원에 따르지 않는 비교예를 통하여 본 출원을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 출원의 범위가 하기 제시된 실시예에 의해 제한되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present application will be described in more detail by way of examples according to the present application and comparative examples not complying with the present application, but the scope of the present application is not limited by the following examples.

실시예 1. Example 1.

가로 및 세로의 길이가 각각 10 cm인 기재 필름(PI(polyimide) 필름)에 하기의 방식으로 제 1 배리어층과 제 2 배리어층을 포함하는 배리어 구조물을 형성하였다. 우선 PI 필름을 캐리어 기판인 유리 기판 상에 위치시키고, iCVD 방식으로 제 1 배리어층을 형성하였다. 이 때 제 1 배리어층은, 상기 기재 필름의 중앙부에 상기 기재 필름에 비하여 작은 면적으로 형성시켰다. 제 1 배리어층은, 단량체로서 트리비닐트리메틸사이클로실록산을 사용한 iCVD 방식으로 형성하였고, 공지의 iCVD 방식에 따라서 단량체의 기화 및 개시제의 라디칼화가 가능한 고온 필라멘트에 상기 단량체와 개시제의 혼합물을 통과시켜 개시제의 열분해 및 단량체의 기화 등을 진행한 후에 상기 단량체의 기상 중합을 상기 PI 필름의 표면에서 유도하여 약 50 nm의 두께로 제 1 배리어층을 형성하였다. 이어서, ALD(Atomic Layer Deposition) 방식으로 제 1 배리어층이 형성된 기재 필름의 전체 표면에 제 2 배리어층을 형성하여, 전체적으로 도 1 및 3에 나타난 바와 같은 구조로 제 1 배리어층(1021)과 제 2 배리어층(1022)을 포함하는 배리어 구조물을 형성하였다. 제 2 배리어층은 단독 증착 시에 굴절률이 약 1.6 내지 1.8 정도인 Al2O3의 층(제 1 서브층)과 단독 증착 시에 굴절률이 약 2.0 내지 2.4 정도인 TiO2의 층(제 2 서브층)을 번갈아 증착하여 최종적으로 굴절률이 약 1.8 내지 2.2의 범위 내 정도가 되도록 형성하였다. Al2O3의 층은 공지의 ALD 방식에 따라서 약 200℃의 온도에서 전구체인 트리메틸알루미늄과 물을 번갈아 흡착 및 반응시켜 형성하였으며, TiO2의 층은 역시 공지된 ALD 방식에 따라서 전구체인 테트라클로로티탄(TiCl4)과 물을 약 200℃의 온도에서 번갈아 흡착 및 반응시켜 형성하였다. 제 2 배리어층의 구조는 Al2O3(두께: 약 4.5 nm)/TiO2(두께: 약 6.3 nm)/Al2O3(두께: 약 3.9 nm)/TiO2(두께: 약 5.8 nm)/Al2O3(두께: 약 3.8 nm)/TiO2(두께: 약 5.8 nm)와 같았다. 상기 배리어 구조물에 대하여 결정화의 발생 여부를 확인한 결과 결정화는 관찰되지 않았다. 또한, 상기 배리어 구조물이 형성된 기판의 WVTR은 약 10-5 g/m2/day 정도였다. 상기에서 WVTR은, 40℃ 및 90% 상대 습도의 조건에서 측정 기기(Permatran-W3/31, Mocon, Inc)를 사용하여 제조사의 매뉴얼에 따라 평가하였다.
A barrier structure including a first barrier layer and a second barrier layer was formed on a base film (PI (polyimide) film having a length of 10 cm and a length of 10 cm each) in the following manner. First, the PI film was placed on a glass substrate as a carrier substrate, and a first barrier layer was formed by an i-CVD method. At this time, the first barrier layer was formed at a central portion of the base film with a smaller area than the base film. The first barrier layer was formed by an iCVD method using trivinyltrimethylcyclosiloxane as a monomer, and a mixture of the monomer and an initiator was passed through a high-temperature filament, which was capable of vaporizing the monomer and radicalizing the initiator according to a known iCVD method, After pyrolysis and vaporization of monomers, the gas phase polymerization of the monomer was induced on the surface of the PI film to form a first barrier layer having a thickness of about 50 nm. Next, a second barrier layer is formed on the entire surface of the base film having the first barrier layer formed by an ALD (Atomic Layer Deposition) method, so that the first barrier layer 1021 and the second barrier layer 2 < / RTI > barrier layer 1022. < RTI ID = 0.0 > The second barrier layer is a layer of Al 2 O 3 (first sub-layer) having a refractive index of about 1.6 to 1.8 at the time of single deposition and a layer of TiO 2 having a refractive index of about 2.0 to 2.4 at the time of single deposition Layer) were alternately deposited and finally formed so as to have a refractive index within a range of about 1.8 to 2.2. The Al 2 O 3 layer was formed by alternately adsorbing and reacting trimethylaluminum and water, which are precursors, at a temperature of about 200 ° C. in accordance with the known ALD method, and the layer of TiO 2 was formed by tetrachloro Titanium (TiCl 4 ) and water were alternately adsorbed and reacted at a temperature of about 200 ° C. The structure of the second barrier layer is Al 2 O 3 (thickness: about 4.5 nm) / TiO 2 (thickness: about 6.3 nm) / Al 2 O 3 (thickness: about 3.9 nm) / TiO 2 / Al 2 O 3 (thickness: about 3.8 nm) / TiO 2 (thickness: about 5.8 nm). Crystallization was not observed on the barrier structure as a result of checking whether or not the crystallization occurred. The WVTR of the substrate on which the barrier structure was formed was about 10-5 g / m 2 / day. The WVTR was evaluated according to the manufacturer's manual using a measuring instrument (Permatran-W3 / 31, Mocon, Inc) at 40 DEG C and 90% relative humidity.

실시예 2. Example 2.

제 2 배리어층의 구조는 Al2O3(두께: 약 4.5 nm)/TiO2(두께: 약 6.3 nm)/Al2O3(두께: 약 3.9 nm)/TiO2(두께: 약 5.8 nm)의 구조를 가지도록 형성한 것을 제외하고는 실시에 1과 동일한 방식으로 배리어 구조물을 형성하였다. 형성된 배리어 구조물에 대하여 결정화의 발생 여부를 확인한 결과 결정화는 관찰되지 않았으며, WVTR은 약 10-4 g/m2/day 정도였다.
The structure of the second barrier layer is Al 2 O 3 (thickness: about 4.5 nm) / TiO 2 (thickness: about 6.3 nm) / Al 2 O 3 (thickness: about 3.9 nm) / TiO 2 Barrier structure was formed in the same manner as in Example 1 except that the barrier structure was formed so as to have the structure shown in Fig. Crystallization of the formed barrier structure was confirmed, and WVTR was about 10 -4 g / m 2 / day.

실시예 3. Example 3.

제 1 배리어층을 형성하는 iCVD 공정에서 단량체로서 1,3,5-트리비닐-1,1,3,5,5-펜타메틸트리실록산을 적용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 배리어 구조물을 형성하였다. 상기 배리어 구조물에 대하여 결정화의 발생 여부를 확인한 결과 결정화는 관찰되지 않았으며, WVTR은 약 10-5 g/m2/day 정도였다.
The barrier structure was prepared in the same manner as in Example 1 except that 1,3,5-trivinyl-1,1,3,5,5-pentamethyltrisiloxane was used as a monomer in the iCVD process for forming the first barrier layer. . Crystallization of the barrier structure was confirmed, and the WVTR was about 10 -5 g / m 2 / day.

실시예 4. Example 4.

제 1 배리어층을 형성하는 iCVD 공정에서 단량체로서 글리시딜 메타크릴레이트를 적용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 배리어 구조물을 형성하였다. 상기 배리어 구조물에 대하여 결정화의 발생 여부를 확인한 결과 결정화는 관찰되지 않았으며, WVTR은 약 10-5 g/m2/day 정도였다.
A barrier structure was formed in the same manner as in Example 1, except that glycidyl methacrylate was used as a monomer in the iCVD process for forming the first barrier layer. Crystallization of the barrier structure was confirmed, and the WVTR was about 10 -5 g / m 2 / day.

비교예 1. Comparative Example 1

iCVD 방식에 따른 제 1 배리어층을 기재 필름의 전체 표면에 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 배리어 구조물을 형성하였다. 상기 배리어 구조물에 대하여 결정화의 발생 여부를 확인한 결과 결정화는 관찰되지 않았으나, WVTR은 약 10-1 g/m2/day 정도였다.A barrier structure was formed in the same manner as in Example 1, except that the first barrier layer according to the iCVD method was formed on the entire surface of the base film. Crystallization of the barrier structure was confirmed, but WVTR was about 10 -1 g / m 2 / day.

101: 기재 필름
1021, 1021a, 1021b: 제 1 배리어층
1022, 1022a, 1022b: 제 2 배리어층
101: base film
1021, 1021a, and 1021b: a first barrier layer
1022, 1022a, 1022b: a second barrier layer

Claims (16)

기재 필름; 및 상기 기재 필름의 일면에 존재하는 배리어 구조물을 포함하고, 상기 배리어 구조물은 상기 기재 필름상에 형성되어 있는 제 1 배리어층과 상기 제 1 배리어층상에 형성되어 있고, 상기 제 1 배리어층에 비하여 넓은 투영 면적을 가지는 제 2 배리어층을 포함하며,
상기 제 1 배리어층은 유기실리콘 고분자를 포함하는 유기 배리어층이고, 상기 제 2 배리어층은 무기 배리어층이며, 상기 유기실리콘 고분자는 오가노실록산 화합물인 유기전자소자용 기판.
A base film; And a barrier structure existing on one surface of the base film, wherein the barrier structure is formed on the first barrier layer and the first barrier layer formed on the base film, and the barrier structure has a larger width than the first barrier layer And a second barrier layer having a projection area,
Wherein the first barrier layer is an organic barrier layer comprising an organosilicon polymer, the second barrier layer is an inorganic barrier layer, and the organosilicon polymer is an organosiloxane compound.
제 1 항에 있어서, 제 1 배리어층은, 제 2 배리어층에 의해 밀봉되어 있거나, 제 2 배리어층과 기재 필름에 의해 밀봉되어 있는 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the first barrier layer is sealed by the second barrier layer or is sealed by the second barrier layer and the substrate film. 제 1 항에 있어서, 배리어 구조물은 제 1 및 제 2 배리어층을 각각 2개 이상 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 배리어층은 기재 필름상에 교대로 형성되어 있는 유기전자소자용 기판.The organic electronic device substrate according to claim 1, wherein the barrier structure comprises two or more first and second barrier layers, respectively, and the first and second barrier layers are alternately formed on the base film. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 제 1 배리어층은 iCVD층이고, 제 2 배리어층은 ALD층인 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the first barrier layer is an iCVD layer and the second barrier layer is an ALD layer. 삭제delete 제 1 항에 있어서, 제 2 배리어층은, 제 1 및 제 2 서브층을 포함하는 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the second barrier layer comprises first and second sub-layers. 제 7 항에 있어서, 제 1 및 제 2 서브층은 각각 두께가 7 nm 이하인 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 7, wherein the first and second sub-layers are each 7 nm or less in thickness. 제 1 항에 있어서, 제 2 배리어층은, 두께가 7 nm를 초과하는 층을 포함하지 않는 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 1, wherein the second barrier layer does not include a layer having a thickness exceeding 7 nm. 제 7 항에 있어서, 제 1 서브층 또는 제 2 서브층은 산화물층, 질화물층 또는 산질화물층인 유기전자소자용 기판.8. The substrate for an organic electronic device according to claim 7, wherein the first sub-layer or the second sub-layer is an oxide layer, a nitride layer or an oxynitride layer. 제 7 항에 있어서, 제 1 서브층과 제 2 서브층은 서로 접촉된 상태로 적층되어 있고, 상기 제 1 및 제 2 서브층은 서로 다른 산화물, 질화물 또는 산질화물을 포함하는 유기전자소자용 기판.The organic electronic device according to claim 7, wherein the first sub-layer and the second sub-layer are laminated in contact with each other, and the first and second sub-layers are formed on the substrate for organic electronic devices comprising different oxides, nitrides or oxynitrides . 제 7 항에 있어서, 제 1 서브층의 굴절률은, 1.4 내지 1.9의 범위 내에 있고, 제 2 서브층의 굴절률은 2.0 내지 2.6의 범위 내에 있는 유기전자소자용 기판.The organic electronic element substrate according to claim 7, wherein the refractive index of the first sub-layer is in the range of 1.4 to 1.9, and the refractive index of the second sub-layer is in the range of 2.0 to 2.6. 제 1 항에 있어서, 배리어 구조물과 기재 필름의 굴절률의 차이가 1 이하인 유기전자소자용 기판.The substrate for an organic electronic device according to claim 1, wherein the difference in refractive index between the barrier structure and the base film is 1 or less. 기재 필름; 및 상기 기재 필름상에 순차 존재하는 제 1 전극층, 유기물층 및 제 2 전극층을 가지는 소자 영역을 포함하는 유기전자장치로서, 상기 기재 필름과 상기 소자 영역의 사이 또는 상기 소자 영역의 제 2 전극층의 상부에 존재하는 배리어 구조물을 포함하며, 상기 배리어 구조물은 상기 기재 필름상에 형성되어 있는 제 1 배리어층과 상기 제 1 배리어층상에 형성되어 있고, 상기 제 1 배리어층에 비하여 넓은 투영 면적을 가지는 제 2 배리어층을 포함하며,
상기 제 1 배리어층은 유기실리콘 고분자를 포함하는 유기 배리어층이고, 상기 제 2 배리어층은 무기 배리어층이며, 상기 유기실리콘 고분자는 오가노실록산 화합물인 유기전자소자.
A base film; And an element region having a first electrode layer, an organic material layer and a second electrode layer sequentially present on the base film, wherein the organic electronic device is provided between the base film and the element region, or on an upper portion of the second electrode layer in the element region Wherein the barrier structure is formed on a first barrier layer formed on the base film and the first barrier layer, and a second barrier layer having a larger projected area than the first barrier layer, Layer,
Wherein the first barrier layer is an organic barrier layer comprising an organosilicon polymer, the second barrier layer is an inorganic barrier layer, and the organosilicon polymer is an organosiloxane compound.
제 14 항의 유기전자소자를 포함하는 디스플레이용 광원.A light source for a display comprising the organic electronic device of claim 14. 제 14 항의 유기전자소자를 포함하는 조명 기기.14. A lighting device comprising the organic electronic device of claim 14.
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