KR101642411B1 - Single-type cleaning device for cleaning a semiconductor wafer of the control and monitoring method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 웨이퍼 지지 및 회전을 위한 복수개의 스핀장치와, 상기 스핀장치에 지지되어 회전되는 웨이퍼에 약액 및 세정수를 공급하기 위한 공급장치와, 상기 스핀장치와 공급장치를 제어하기 위한 제어장치와, 상기 제어장치에 의해 제어되는 스핀장치와 공급장치의 상태를 표시하기 위한 모니터를 포함하는 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법에 있어서, 상기 스핀장치의 피처리 웨이퍼의 세정을 위한 레시피를 설정하는 레시피 설정 단계(S10)와; 상기 레시피 설정 단계(S10)에서 설정된 레시피가 실행 가능한지 여부를 확인하도록 공급장치의 약액 및 세정수의 보유량과, 스핀장치의 피처리 웨이퍼의 안착 유무를 체크하는 것을 포함하는 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)와; 상기 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)를 통해 레시피 실행 조건이 만족하면 레시피를 실행하고, 불만족이면 레시피의 실행을 중지하는 레시피 구동 단계(S30);를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a spinning apparatus comprising a plurality of spin devices for supporting and rotating a wafer, a supply device for supplying a chemical solution and cleaning water to a wafer supported by the spin device and rotated, a control device for controlling the spin device and the supply device And a monitor for displaying a state of the spinning device controlled by the control device and a monitor for displaying a state of the spinning device, the method comprising the steps of: setting a recipe for cleaning the wafer to be processed in the spinning device A recipe setting step S10; A recipe execution condition check step (S20) including checking whether the recipe set in the recipe setting step (SlO) is executable or not, the holding amount of the chemical liquid and the washing water of the feeding device, )Wow; And a recipe driving step (S30) for executing a recipe when the recipe execution condition is satisfied through the recipe execution condition check step (S20) and stopping the recipe if the recipe execution condition is unsatisfactory And a monitoring method.

Description

반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법{Single-type cleaning device for cleaning a semiconductor wafer of the control and monitoring method}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a single-type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers,

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정을 위한 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a method of controlling and monitoring a single type cleaning apparatus for semiconductor wafer cleaning.

반도체 웨이퍼를 집적 회로로 제조할 때 제조공정 중에 발생하는 잔류 물질(residual chemicals), 작은 파티클(small particles), 오염물(contaminants) 등을 제거하기 위하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 공정이 요구된다. 반도체 웨이퍼의 세정 공정은 약액처리 공정, 린스 공정, 그리고 건조 공정으로 나눌 수 있다. 약액처리 공정은 웨이퍼 상의 오염물질을 화학적 반응에 의해 식각 또는 박리시키는 공정이며, 린스 공정은 약액 처리된 반도체 웨이퍼를 탈이온수로 세척하는 공정이며, 건조 공정은 최종적으로 웨이퍼를 건조하는 공정이다. 상술한 공정을 진행하기 위하여 다양한 처리조들이 사용된다.BACKGROUND ART A process for cleaning semiconductor wafers is required to remove residual chemicals, small particles, contaminants, and the like that occur during a manufacturing process when a semiconductor wafer is manufactured into an integrated circuit. The cleaning process of semiconductor wafers can be divided into a chemical solution process, a rinsing process, and a drying process. The chemical liquid treatment step is a step of etching or peeling the contaminants on the wafer by a chemical reaction, and the rinsing step is a step of washing the semiconductor wafer treated with the chemical liquid with deionized water, and the drying step is a step of finally drying the wafer. Various treatment baths are used to carry out the above-mentioned process.

예컨대, 웨이퍼 상의 유기물을 제거하기 위해 수산화 암모늄(NH4OH), 과산화수소(H2O2), 물(H2O)의 혼합용액이 사용되는 처리조, 웨이퍼 상의 무기물을 제거하기 위해 세정액으로 염산(HCL), 과산화수소(H2O2), 물의 혼합용액이 사용되는 처리조, 그리고 자연산화막이나 무기오염 물질 제거를 위해 희석된 불산이 사용되는 처리조, 린스공정이 수행되는 처리조, 건조공정이 수행되는 처리조 등이 있다.For example, a treatment tank in which a mixed solution of ammonium hydroxide (NH4OH), hydrogen peroxide (H2O2), and water (H2O) is used to remove organic substances on the wafer, hydrochloric acid (HCL), hydrogen peroxide ), A treatment tank in which a mixed solution of water is used, a treatment tank in which diluted hydrofluoric acid is used to remove a natural oxide film or inorganic pollutants, a treatment tank in which a rinsing process is performed, and a treatment tank in which a drying process is performed.

일반적으로 사용되는 세정 장치는 상술한 처리조들이 일렬로 배치되는 세정부를 가지며, 세정부의 양단에는 각각 공정이 진행될 웨이퍼가 수용된 카세트가 놓여지는 로딩부와 세정이 완료된 웨이퍼가 수용될 카세트가 놓여지는 언로딩부가 배치 된다. 또한, 세정부 내에는 상술한 처리조들간 웨이퍼를 이송하는 이송로봇이 배치되고, 세정부와 나란한 방향으로 세정부의 측면에는 빈 카세트를 로딩부로부터 언로딩부로 이송시키는 카세트 이송부가 제공된다.A cleaning apparatus generally used has a cleaning section in which the above-described treatment vessels are arranged in a line, and a loading section in which a cassette containing a wafer to be processed is placed, and a cassette in which a cleaned wafer is to be placed, The unloading portion is disposed. A transfer robot for transferring the wafers between the processing tanks is disposed in the cleaning section and a cassette transfer section for transferring a blank cassette from the loading section to the unloading section is provided on a side surface of the cleaning section in a direction parallel to the cleaning section.

그러나 상술한 세정 장치의 경우 많은 수의 처리조들뿐 만 아니라 로딩부와 언로딩부가 각각 제공되어야 하므로 설비가 차지하는 면적이 매우 커지는 문제가 있으며, 웨이퍼의 크기가 대구경화됨에 따라 처리조의 크기도 이에 비례하여 증대되므로 상술한 문제는 더욱 커진다. 또한, 로딩부와 언로딩부간에 빈 카세트를 이송하는 카세트 이송부가 제공되어야 하므로 설비 구성이 복잡하다.
However, in the case of the above-described cleaning apparatus, not only a large number of treatment vessels but also a loading unit and an unloading unit are required to be provided. Therefore, there is a problem that the area occupied by the equipment becomes very large. The problem described above becomes even greater. Further, since the cassette transfer section for transferring the empty cassette between the loading section and the unloading section must be provided, the facility configuration is complicated.

국내등록특허공보 제10-0970804호(공고일자: 2010년07월16일)Korean Patent Registration No. 10-0970804 (Date of Publication: July 16, 2010)

본 발명의 목적은 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 레시피, 스핀, 인터락, 알림 등을 제어하고 공정상태를 모니터링하는 방법을 제공하려는데 있다.It is an object of the present invention to provide a method of controlling recipe, spin, interlock, notification, etc. of a single type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers and monitoring process conditions.

본 발명의 목적은 이상에서 언급한 목적으로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 목적들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
The objects of the present invention are not limited to the above-mentioned objects, and other objects not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기와 같은 본 발명의 목적은 웨이퍼 지지 및 회전을 위한 복수개의 스핀장치와, 상기 스핀장치에 지지되어 회전되는 웨이퍼에 약액 및 세정수를 공급하기 위한 공급장치와, 상기 스핀장치와 공급장치를 제어하기 위한 제어장치와, 상기 제어장치에 의해 제어되는 스핀장치와 공급장치의 상태를 표시하기 위한 모니터를 포함하는 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법에 있어서, 상기 스핀장치의 피처리 웨이퍼의 세정을 위한 레시피를 설정하는 레시피 설정 단계(S10)와; 상기 레시피 설정 단계(S10)에서 설정된 레시피가 실행 가능한지 여부를 확인하도록 공급장치의 약액 및 세정수의 보유량과, 스핀장치의 피처리 웨이퍼의 안착 유무를 체크하는 것을 포함하는 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)와; 상기 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)를 통해 레시피 실행 조건이 만족하면 레시피를 실행하고, 불만족이면 레시피의 실행을 중지하는 레시피 구동 단계(S30);를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법에 의해 달성된다.
It is an object of the present invention to provide a spinning apparatus for spinning and spinning a wafer, a supply device for supplying a chemical solution and washing water to a wafer supported and rotated by the spinning device, A method of controlling and monitoring a single type cleaning apparatus including a spinning device controlled by the control device and a monitor for displaying a state of a supply device, A recipe setting step (S10) of setting a recipe for the recipe; A recipe execution condition check step (S20) including checking whether the recipe set in the recipe setting step (SlO) is executable or not, the holding amount of the chemical liquid and the washing water of the feeding device, )Wow; And a recipe driving step (S30) for executing a recipe when the recipe execution condition is satisfied through the recipe execution condition check step (S20) and stopping the recipe if the recipe execution condition is unsatisfactory And monitoring methods.

본 발명에 의하면, 각 스핀장치에 안착된 피처리 웨이퍼가 상이하더라도 각 스핀장치에 따라 레시피를 달리할 수 있어 다품종 세정이 가능한 장점이 있다.According to the present invention, even if the wafers placed on the respective spin devices are different, recipes can be made different according to each spin device, and there is an advantage that multiple types of wafers can be cleaned.

또한, 세정 중 약액 또는 세정수가 세정에 충분하지 않는 등의 경우 작업자는 알림을 통해 이를 인지할 수 있기 때문에 약액 또는 세정수의 충진을 선행할 수 있어 세정이 덜 이루어진 상태로 진행되는 것을 방지하는 등 작업자가 작업상태변화를 통해 능동적으로 대처할 수 있다.Further, in the case where the chemical liquid or the washing water during cleaning is not sufficient for cleaning, the operator can recognize this through notification, so that the filling of the chemical liquid or washing water can be preceded and the washing can be prevented from proceeding to a lessened state The operator can actively cope with the change of the work state.

또한 레시피는 초기화 및 작업 중에도 변경이 가능하여 투입되는 웨이퍼의 종류가 변경되더라도 신속한 대처가 가능하다.
In addition, the recipe can be changed during initialization and operation, so that even if the type of the wafer to be introduced changes, it is possible to take quick action.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법을 나타낸 도면,
도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법을 나타낸 도면,
도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법을 설명하기 위한 세정장치의 구성을 나타낸 도면.FIG. 1 illustrates a method of controlling and monitoring a single-type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 illustrates a method of controlling and monitoring a single type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers according to another embodiment of the present invention. FIG.
3 is a view showing the configuration of a cleaning apparatus for explaining a method of controlling and monitoring a single type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers according to the present invention.

본 발명은 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법에 관한 것으로서, 웨이퍼 지지 및 회전을 위한 복수개의 스핀장치와, 상기 스핀장치에 지지되어 회전되는 웨이퍼에 약액 및 세정수를 공급하기 위한 공급장치와, 상기 스핀장치와 공급장치를 제어하기 위한 제어장치와, 상기 제어장치에 의해 제어되는 스핀장치와 공급장치의 상태를 표시하기 위한 모니터를 포함하는 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법에 있어서, BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a control and monitoring method of a single type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers, including a plurality of spin apparatuses for holding and rotating wafers, A control and monitoring method of a single type cleaning apparatus including a supply device, a control device for controlling the spin device and the supply device, and a monitor for displaying the state of the spin device and the supply device controlled by the control device As a result,

상기 스핀장치의 피처리 웨이퍼의 세정을 위한 레시피를 설정하는 레시피 설정 단계(S10)와; 상기 레시피 설정 단계(S10)에서 설정된 레시피가 실행 가능한지 여부를 확인하도록 공급장치의 약액 및 세정수의 보유량과, 스핀장치의 피처리 웨이퍼의 안착 유무를 체크하는 것을 포함하는 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)와; 상기 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)를 통해 레시피 실행 조건이 만족하면 레시피를 실행하고, 불만족이면 레시피의 실행을 중지하는 레시피 구동 단계(S30);를 포함한다.A recipe setting step (S10) of setting a recipe for cleaning the wafer to be processed of the spin device; A recipe execution condition check step (S20) including checking whether the recipe set in the recipe setting step (SlO) is executable or not, the holding amount of the chemical liquid and the washing water of the feeding device, )Wow; And a recipe driving step (S30) for executing the recipe when the recipe execution condition is satisfied through the recipe execution condition checking step (S20), and stopping the recipe if the recipe is unsatisfactory.

여기서 상기 (S10)단계의 레시피 파라미터는 약액 및 세정수의 공급순서, 공급량, 공급시간 및 웨이퍼의 회전속도를 포함하고, 상기 레시피 파라미터는 변경이 가능하다.Herein, the recipe parameters in the step (S10) include the order of supplying the chemical liquid and the washing water, the supply amount, the supply time, and the rotational speed of the wafer, and the recipe parameters can be changed.

또한, 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법은 상기 복수개의 스핀장치와, 공급장치의 상태를 모니터에 표시하고, 상기 스핀장치와 공급장치의 상태가 미리 설정한 조건을 만족하면 알림을 수행하는 단계(S40);를 더 포함하고, 상기 레시피 설정 단계(S10)의 레시피 설정은 각 스핀장치에 따라 다르게 설정된다.
The method for controlling and monitoring a single type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers according to the present invention is characterized in that a state of the plurality of spin apparatuses and the supply apparatus is displayed on a monitor and the condition of the spin apparatus and the supply apparatus is set to a preset condition (S40), and the recipe setting of the recipe setting step (S10) is set differently according to each spin device.

이하, 본 발명의 양호한 실시예를 도시한 첨부 도면들을 참조하여 상세히 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법을 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 다른 실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법을 나타낸 도면이며, 도 3은 본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법을 설명하기 위한 세정장치의 구성을 나타낸 도면이다.FIG. 1 is a view illustrating a method of controlling and monitoring a single-type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a flow chart illustrating a control and monitoring method of a single-type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers according to another embodiment of the present invention. And FIG. 3 is a view illustrating a configuration of a cleaning apparatus for explaining a method of controlling and monitoring a single-type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers according to the present invention.

일실시예에 따른 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법은 스핀장치(10)의 피처리 웨이퍼(W)(세정이 완료되기 전의 웨이퍼(W)를 의미함)의 세정을 위한 레시피를 설정하는 레시피 설정 단계(S10)와, 상기 레시피 설정 단계(S10)에서 설정된 레시피가 실행 가능한지 여부를 확인하도록 공급장치(20)의 약액 및 세정수(예컨대, 초순수(DIW:Deionized Water))의 보유량과 스핀장치(10)의 피처리 웨이퍼(W)의 안착 유무를 체크하는 것을 포함하는 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)와, 상기 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)를 통해 레시피 실행 조건이 만족하면 레시피를 실행하고, 불만족이면 레시피의 실행을 중지하는 레시피 구동 단계(S30)를 포함한다.The method for controlling and monitoring the semiconductor wafer cleaning single-type cleaning apparatus according to one embodiment is a method for controlling the cleaning and cleaning of the wafer W (meaning the wafer W before cleaning is completed) of the spin apparatus 10 (DIW: Deionized Water) of the supply unit 20 to check whether the recipe set in the recipe setting step S10 is executable or not When the recipe execution condition is satisfied through the recipe execution condition check step (S20) and the recipe execution condition check step (S20), which includes checking whether the holding amount and the wafer W of the spin apparatus 10 are seated And a recipe driving step (S30) for executing the recipe and stopping execution of the recipe if it is dissatisfied.

그리고 상기 (S10)단계의 레시피 파라미터는 약액 및 세정수의 공급순서, 공급량, 공급시간 및 웨이퍼의 회전속도를 포함하고, 상기 레시피 파라미터는 변경이 가능하다.The recipe parameters in the step (S10) include a supply order of the chemical liquid and the washing water, a supply amount, a supply time, and a rotation speed of the wafer, and the recipe parameters can be changed.

구체적으로, 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치는 도 3에 도시한 바와 같이 웨이퍼 지지 및 회전을 위한 복수개의 스핀장치(10)와, 상기 스핀장치(10)에 지지되어 회전되는 웨이퍼(W)에 약액 및 세정수를 공급하기 위한 공급장치(20)와, 상기 스핀장치(10)와 공급장치(20)를 제어하기 위한 제어장치(30)와, 상기 제어장치(30)에 의해 제어되는 스핀장치(10)와 공급장치(20)의 상태를 표시하기 위한 모니터(40)를 포함한다.More specifically, as shown in FIG. 3, the single-type cleaning apparatus for cleaning semiconductor wafers includes a plurality of spin devices 10 for holding and rotating wafers, and a plurality of wafers W supported and rotated by the spin devices 10 A control device 30 for controlling the spin device 10 and the feed device 20 and a spin device 30 controlled by the control device 30, And a monitor (40) for displaying the status of the supply device (10) and the supply device (20).

도 3에서는 스핀장치(10)가 4 개(제1 스핀장치(11), 제2 스핀장치(12), 제3 스핀장치(13), 제4 스핀장치(14)) 설치된 것으로 도시되었으나, 그 이상 또는 이하로 설치될 수 도 있다. 스핀장치(10)는 웨이퍼(W) 지지 및 회전을 위한 구성으로서, 스핀척(11a)에 웨이퍼(W)를 안착시키고 적당한 회전력을 가하여 웨이퍼(W)를 회전시킨다. 이때 웨이퍼(W)의 회전 구동 및 조절은 제어장치(30)에 의해 이루어진다.Although three spin devices 10 (first spin device 11, second spin device 12, third spin device 13 and fourth spin device 14) are shown in FIG. 3, Or more or less. The spin device 10 has a structure for supporting and rotating the wafer W and places the wafer W on the spin chuck 11a and applies a suitable rotational force to rotate the wafer W. At this time, the rotational drive and adjustment of the wafer W is performed by the control device 30.

공급장치(20)는 각 스핀장치(10)에 지지되어 회전되는 웨이퍼(W)에 약액 및 세정수를 공급하기 위한 구성으로서, 약액으로는 다양한 종류의 화학약품(chemical), 유기용제(solvent) 등일 수 있다. 그리고 공급장치(20)는 약액 및 세정수를 스핀장치(10)에 공급하기 위한 공급관(21,22,23,24,25,26,27)이 구비되어 있는데 이러한 공급관은 전자밸브가 구비되고 웨이퍼(W)의 상부 및 하부에 배치되어 웨이퍼(W)의 상부, 하부 또는 상하부에서 동시에 약액 및 세정수를 분사한다. 이때 웨이퍼(W)에 공급되는 약액 및 세정수의 공급순서, 공급량, 공급시간은 전자밸브를 제어하는 제어장치(30)로부터 이루어진다.The supply device 20 is configured to supply the chemical solution and the washing water to the wafer W supported by each of the spin devices 10 and includes various chemicals such as chemical, And so on. The supply device 20 is provided with supply pipes 21, 22, 23, 24, 25, 26, 27 for supplying the chemical solution and the washing water to the spin device 10, And the cleaning liquid is sprayed at the upper, lower, or upper and lower portions of the wafer W at the same time. At this time, the supply order, the supply amount, and the supply time of the chemical solution and the washing water supplied to the wafer W are made from the control device 30 that controls the solenoid valve.

모니터(40)는 제어장치(30)에 의해 제어되는 스핀장치(10)와 공급장치(20)의 상태를 표시하기 위한 구성으로서, 스핀장치(10)의 스핀척(11a)의 회전상태, 공급장치(20)를 통해 스핀장치(10)에 공급되는 약액 및 세정수의 공급량, 공급시간, 공급순서 등의 레시피를 표시하고, 그 밖에 레시피가 변경되거나 레시피를 수행할 수 없는 조건(스핀장치(10)에 웨이퍼(W)의 안착되지 않은 경우, 약액 또는 세정수의 보유량이 설정량 보다 적은 경우 등)이 되거나, 공급장치(20)의 상태변화(약액 또는 세정수의 보유량이 설정량 보다 적은 경우, 전자밸브의 이상 작동의 경우 등)가 있는 경우 알림이 표시된다. 또한 알림은 모니터(40)에 표시되는 것 뿐 아니라 부저 등을 통해 소리로서도 알림이 가능하다.The monitor 40 is a device for displaying the states of the spin device 10 and the supply device 20 controlled by the control device 30 and controls the rotation state of the spin chuck 11a of the spin device 10, A recipe such as a supply amount, a supply time, and a supply order of the chemical solution and the washing water supplied to the spin device 10 through the apparatus 20 is displayed and the condition (spin device 10), the amount of the chemical solution or the washing water is less than the set amount, or the state change of the supply device 20 (the amount of the chemical solution or the washing water is less than the set amount In case of abnormal operation of solenoid valve, etc.), a notification is displayed. In addition to being displayed on the monitor 40, the notification can also be notified as sound through a buzzer or the like.

스핀장치(10)의 피처리 웨이퍼(W)의 세정을 위한 레시피를 설정하는 레시피 설정 단계(S10)는 예를들어 웨이퍼(W)의 종류(예, 크기)에 따라 스핀척(11a)의 회전속도, 약액 및 세정수의 공급량, 공급시간, 공급순서 등의 레시피 파라미터를 결정하는 것을 의미한다. 그리고 레시피 파라미터가 결정되더라도 웨이퍼(W) 변경 등에 의한 요인으로 변경될 수 있다.The recipe setting step S10 for setting a recipe for cleaning the wafer W to be processed in the spin apparatus 10 is performed by rotating the spin chuck 11a in accordance with the kind (e.g., size) of the wafer W, Quot; means to determine recipe parameters such as the speed, the amount of the chemical solution and the supply amount of the washing water, the supply time, and the supply order. Even if the recipe parameter is determined, it can be changed to a factor caused by a change in the wafer W or the like.

레시피 실행 조건 체크 단계(S20)는 레시피 설정 단계(S10)에서 설정된 레시피가 실행 가능한지 여부를 확인하도록 공급장치(20)의 약액 및 세정수의 보유량과, 전자밸브의 동작상태, 스핀장치(10)의 피처리 웨이퍼(W)의 안착 유무를 체크하는 것을 포함한다. 약액 및 세정수의 보유량 체크, 웨이퍼(W)의 안착 유무 체크는 통상의 센서로 체크가 가능하다.The recipe execution condition checking step S20 is a step of checking whether the recipe set in the recipe setting step S10 is executable or not, the holding amount of the chemical liquid and the washing water of the supplying device 20, the operating state of the solenoid valve, The presence or absence of the wafer W to be processed is checked. It is possible to check the holding amount of the chemical liquid and the washing water, and check whether the wafer W is seated or not by using an ordinary sensor.

레시피 구동 단계(S30)는 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)를 통해 레시피 실행 조건이 만족하면 레시피를 실행하고, 불만족이면 레시피의 실행을 중지하는 단계로서, 이를 통해 웨이퍼(W)가 세정되지 않은 상태로 세정 시간의 경과로 인해 배출되는 것을 방지함으로써 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.The recipe driving step S30 is a step of executing the recipe when the recipe execution condition is satisfied through the recipe execution condition check step S20 and stopping the execution of the recipe when the recipe execution condition is unsatisfactory, So that the reliability of the product can be improved.

한편, 다른 실시예에서는 일실시예에 더하여 복수개의 스핀장치(10)와, 공급장치(20)의 상태를 모니터(40)에 표시하고, 상기 스핀장치(10)와 공급장치(20)의 상태가 미리 설정한 조건을 만족하면 알림을 수행하는 단계(S40)가 부가된다.In addition, in another embodiment, in addition to the embodiment, a plurality of spin devices 10 and the state of the supply device 20 are displayed on the monitor 40, and the state of the spin device 10 and the state of the supply device 20 (Step S40) is performed when a predetermined condition is satisfied.

여기서 미리 설정한 조건이라 함은 스핀장치(10)의 스핀척(11a)의 회전속도가 정상인지 유무와, 공급장치(20)의 전자밸브의 정상 작동유무와, 약액 및 세정수의 보유량이 기준치 이상인지를 체크하여 조건에 부합되지 않으면 작업자에게 모니터(40) 또는 부저 등을 통해 알림을 제공하여 작업자가 능동적으로 대처할 수 있도록 한다.Here, the predetermined condition is a condition that the rotation speed of the spin chuck 11a of the spin device 10 is normal, whether the solenoid valve of the supply device 20 is normally operated, the holding amount of the chemical solution and the washing water is a reference value And if the condition is not satisfied, the operator is informed through the monitor 40 or the buzzer or the like so that the operator can cope actively.

그리고 레시피 설정 단계(S10)의 레시피 파라미터의 설정은 각 스핀장치(10)에 따라 다르게 설정될 수 있는데 이는 각 스핀장치(10)에 투입되는 웨이퍼(W)의 종류가 다를 수 있기 때문이다. 따라서 본 발명을 이용하면 다품종 소량 생산도 가능하다.
The setting of the recipe parameters in the recipe setting step S10 may be set differently depending on each spin device 10 because the types of the wafers W to be supplied to the respective spin devices 10 may be different. Therefore, it is possible to produce a small quantity of various products by using the present invention.

이상 본 발명이 양호한 실시예와 관련하여 설명되었으나, 본 발명의 기술 분야에 속하는 자들은 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위 내에 다양한 변경 및 수정을 용이하게 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예는 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 하고, 본 발명의 진정한 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.
While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is evident that many alternatives, modifications, and variations will readily occur to those skilled in the art without departing from the spirit and scope of the invention. Therefore, it should be understood that the disclosed embodiments are to be considered in an illustrative rather than a restrictive sense, and that the true scope of the invention is indicated by the appended claims rather than by the foregoing description, and all differences within the scope of equivalents thereof, .

10: 스핀장치
20: 공급장치
30: 제어장치
40: 모니터10: Spin device
20: Feeder
30: Control device
40: Monitor

Claims (3)

웨이퍼 지지 및 회전을 위한 복수개의 스핀장치(10)와, 상기 스핀장치(10)에 지지되어 회전되는 웨이퍼(W)에 약액 및 세정수를 공급하기 위한 공급장치(20)와, 상기 스핀장치(10)와 공급장치(20)를 제어하기 위한 제어장치(30)와, 상기 제어장치(30)에 의해 제어되는 스핀장치(10)와 공급장치(20)의 상태를 표시하기 위한 모니터(40)를 포함하는 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법에 있어서,
상기 스핀장치(10)의 피처리 웨이퍼(W)의 세정을 위한 레시피 파라미터를 설정하는 레시피 설정 단계(S10)와;
상기 레시피 설정 단계(S10)에서 설정된 레시피가 실행 가능한지 여부를 확인하도록 공급장치(20)의 약액 및 세정수의 보유량과, 스핀장치(10)의 피처리 웨이퍼(W)의 안착 유무를 체크하는 것을 포함하는 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)와;
상기 레시피 실행 조건 체크 단계(S20)를 통해 레시피 실행 조건이 만족하면 레시피를 실행하고, 불만족이면 레시피의 실행을 중지하는 레시피 구동 단계(S30)와;
상기 복수개의 스핀장치(10)와, 공급장치(20)의 상태를 모니터(40)에 표시하고, 상기 스핀장치(10)와 공급장치(20)의 상태가 미리 설정한 조건을 만족하면 알림을 수행하는 단계(S40);를 포함하고,
상기 (S10)단계의 레시피 파라미터는 약액 및 세정수의 공급순서, 공급량, 공급시간 및 웨이퍼의 회전속도를 포함하고, 상기 레시피 파라미터는 변경이 가능하고,
상기 레시피 설정 단계(S10)의 레시피 파라미터 설정은 각 스핀장치(10)의 스핀척(11a)에 안착된 피처리 웨이퍼(W)의 종류에 따라 설정되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 세정용 싱글타입 세정장치의 제어 및 모니터링 방법.
A plurality of spin devices 10 for supporting and rotating the wafer, a supply device 20 for supplying a chemical solution and cleaning water to the wafer W supported and rotated by the spin device 10, A control device 30 for controlling the supply device 20 and a spin device 10 controlled by the control device 30 and a monitor 40 for displaying the state of the supply device 20. [ The method comprising the steps of: (a)
A recipe setting step (S10) of setting a recipe parameter for cleaning the target wafer (W) of the spin apparatus (10);
It is possible to check whether the reservoir of the chemical liquid and the washing water of the supply device 20 and the presence or absence of the wafer W to be processed of the spin device 10 are confirmed so as to check whether the recipe set in the recipe setting step S10 is executable A recipe execution condition check step (S20);
A recipe driving step (S30) for executing a recipe when the recipe execution condition is satisfied through the recipe execution condition checking step (S20), and stopping execution of the recipe if the recipe is unsatisfactory;
The state of the plurality of spin devices 10 and the feed device 20 is displayed on the monitor 40. When the conditions of the spin device 10 and the feed device 20 satisfy preset conditions, (S40), the method comprising:
Wherein the recipe parameters in the step (S10) include a supply order of the chemical solution and the washing water, a supply amount, a supply time, and a rotation speed of the wafer,
The recipe parameter setting of the recipe setting step S10 is set in accordance with the type of the wafer W to be placed on the spin chuck 11a of each spin device 10. The semiconductor wafer cleaning single- Method of controlling and monitoring a device.
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