KR101623182B1 - 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드 운용 방법 - Google Patents

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KR101623182B1
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Abstract

펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드의 주기를 설정하는 방법으로서, 로우-듀티 모드의 주기는 가용 구간과 비가용 구간이 반복적으로 나타나는 패턴을 가지며, 가용 구간을 페이징 주기의 페이징 청취 구간을 포함하도록 설정한다. 매크로셀에 중첩되는 서비스 영역을 가지는 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드의 주기를 설정하는 방법으로서, 펨토셀 기지국의 서비스 영역이 매크로셀에 중첩되는 정도를 고려하여 비가용 구간을 설정한다. 로우-듀티 모드로 운용되는 복수의 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드의 주기를 설정하는 방법으로서, 복수의 기지국에 동일한 주기를 설정할 수 있다.

Description

펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드 운용 방법{METHOD OF LOW-DUTY MODE OPERATION IN FEMTOCELL BASE STATION}
본 발명은 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드를 운용하는 방법이다.
펨토셀(femtocell) 기지국(Base Station, BS)이란 매크로셀(macrocell)에 비해서 좁은 서비스 영역을 가지는 펨토셀을 관리하는 초소형 기지국을 말한다. 펨토셀은 매크로셀의 커버리지가 미치지 못하는 실내에서 통화 품질을 향상시키고, 매크로셀의 부하를 분담하는 역할을 수행하며, 통신 비용을 절감시킬 수 있다. 그러나 펨토셀은 매크로셀과의 간섭으로 펨토셀과 매크로셀 내의 단말(Mobile Station, MS) 성능을 저하시킬 수 있다. 이러한 문제를 해결하기 위해 펨토셀 기지국은 정상 모드(normal mode) 이외에 로우-듀티 모드(Low-Duty Mode, LDM)를 지원한다.
펨토셀 기지국은 펨토셀에 단말이 존재하지 않거나 펨토셀에 존재하는 단말이 모두 유휴 상태(idle/sleep mode)에 있는 경우에, 로우-듀티 모드로 진입한다. 로우-듀티 모드는 가용 구간(Available Interval, AI)과 비가용 구간(UnAvailable Interval, UAI)이 번갈아 가면서 나타나는 주기 패턴(pattern of Low Duty mode Cycle, 앞으로 "로우 듀티 모드 주기 패턴"이라고 함)을 가진다. 펨토셀 기지국은 로우 듀티 모드 주기 패턴을 고려하여 운용되는데, 가용 구간 동안에는 무선 채널(air interface)이 활성화되어 단말과 동기화, 페이징, 레인징 또는 데이터 트래픽 전송 등을 하고, 비가용 구간 동안에는 무선 채널로 전송하지 않는다.
본 발명이 해결하려는 과제는 단말이 효율적으로 펨토셀 기지국을 스캐닝하고, 펨토셀 기지국과 인접한 기지국 사이의 간섭을 줄일 수 있는 로우 듀티 모드 주기 패턴을 제공하는 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드를 운용하는 방법으로서, 페이징 청취 구간과 페이징 비가용 구간을 포함하는 페이징 주기를 관리하는 단계, 상기 페이징 주기를 고려하여 가용 구간과 비가용 구간을 포함하는 로우-듀티 모드의 주기 패턴을 설정하는 단계, 그리고 상기 주기 패턴에 따라 상기 로우-듀티 모드를 운용하는 단계를 포함한다.
상기 설정하는 단계는 상기 가용 구간을 상기 페이징 청취 구간을 포함하도록 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 설정하는 단계는 상기 비가용 구간을 상기 페이징 비가용 구간보다 짧게 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 운용하는 단계는 상기 가용 구간 동안 무선 채널을 활성화하여 통신하는 단계, 그리고 상기 비가용 구간 동안, 상기 무선 채널로 전송을 수행하지 않는 단계를 포함할 수 있다.
상기 관리하는 단계는 복수의 페이징 주기를 관리하는 단계를 포함하며, 상기 설정하는 단계는 상기 복수의 페이징 주기에 각각 대응하는 복수의 상기 로우-듀티 모드의 주기 패턴을 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 운용하는 단계는 상기 복수의 로우-듀티 모드의 주기 패턴에서 적어도 하나의 가용 구간이 나타나면, 상기 로우-듀티 모드를 상기 가용 구간으로 운용하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드를 운용하는 방법으로서, 상기 펨토셀 기지국의 서비스 영역이 매크로셀 기지국의 서비스 영역과 중첩되는 정도를 판단하는 단계, 상기 중첩되는 정도를 고려하여 가용 구간과 비가용 구간을 포함하는 로우-듀티 모드의 주기 패턴을 설정하는 단계, 그리고 상기 주기 패턴에 따라 상기 로우-듀티 모드를 운용하는 단계를 포함한다.
상기 설정하는 단계는 중첩되는 정도가 클수록 상기 비가용 구간을 길게 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 설정하는 단계는 상기 가용 구간을 상기 펨토셀 기지국에 설정되어 있는 페이징 주기의 페이징 청취 구간을 포함하도록 설정하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 복수의 펨토셀 기지국을 포함하는 기지국 그룹 중 어느 하나의 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드를 운용하는 방법으로서, 상기 로우-듀티 모드로 진입하는 단계, 그리고 상기 복수의 펨토셀 기지국에 대해서 동일하게 설정되어 있으며, 가용 구간과 비가용 구간을 포함하는 로우-듀티 모드의 주기 패턴에 따라 상기 로우-듀티 모드를 운용하는 단계를 포함한다.
상기 방법은 상기 가용 구간에 상기 어느 하나의 펨토셀 기지국이 관리하는 페이징 주기의 페이징 청취 구간이 포함되지 않는 경우, 상기 페이징 청취 구간을 상기 가용 구간에 포함되도록 이동시키는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 방법은 상기 페이징 청취 구간이 이동되었음을 알리는 메시지를 단말에게 전송하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 가용 구간에 상기 어느 하나의 펨토셀 기지국이 관리하는 페이징 주기의 페이징 청취 구간이 포함되지 않는 경우, 상기 운용하는 단계는 상기 주기 패턴에 상기 페이징 청취 구간을 포함하는 가용 구간을 추가하여 상기 주기 패턴을 변경하는 단계, 그리고 변경한 주기 패턴에 따라 상기 로우-듀티 모드를 운용하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 복수의 펨토셀 기지국은 동일한 주파수를 사용하는 기지국을 포함할 수 있다.
상기 복수의 펨토셀 기지국은 동일한 페이징 그룹 식별자를 사용하는 기지국을 포함할 수 있다.
상기 방법은 상기 가용 구간을 상기 페이징 그룹에서 사용하는 페이징 주기의 페이징 청취 구간을 포함하도록 설정할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면 로우-듀티 모드로 동작하는 펨토셀 기지국과 인접한 기지국 사이의 간섭을 최소화하면서, 단말에서 펨토셀 기지국을 빠르게 스캐닝할 수 있도록 한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 펨토셀 기지국과 매크로셀 기지국을 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 2 내지 도 4는 본 발명의 한 실시예에 따른 페이징 주기를 고려한 로우-듀티 모드 운용 방법을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 매크로셀과의 중첩 정도를 고려한 로우-듀티 모드 운용 방법을 나타내는 도면이다.
도 6과 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 복수의 페이징 그룹에서의 로우-듀티 모드 운용 방법을 나타내는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 그리고 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 유사한 도면 부호를 붙였다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
본 명세서에서 단말(terminal)은 이동국(Mobile Station, MS), 이동 단말(Mobile Terminal, MT), 가입자국(Subscriber Station, SS), 휴대 가입자국(Portable Subscriber Station, PSS), 사용자 장치(User Equipment, UE), 접근 단말(Access Terminal, AT) 등을 지칭할 수도 있고, 단말, 이동 단말, 가입자국, 휴대 가입자 국, 사용자 장치, 접근 단말 등의 전부 또는 일부의 기능을 포함할 수도 있다.
본 명세서에서 기지국(Base Station, BS)은 접속점(Access Point, AP), 무선 접속국(Radio Access Station, RAS), 노드B(Node-B), eNB(Evolved Node-B), 송수신 기지국(Base Transceiver Station, BTS), MMR(Mobile Multihop Relay)-BS 등을 지칭할 수도 있고, 접속점, 무선 접속국, 노드B, eNB, 송수신 기지국, MMR-BS 등의 전부 또는 일부의 기능을 포함할 수도 있다.
이제 본 발명의 한 실시예에 따른 로우-듀티 모드를 운용하는 방법에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 한 실시예에 따른 펨토셀 기지국과 매크로셀 기지국을 개략적으로 나타내는 도면이다
도 1을 참고하면, 무선 통신 시스템은 복수의 펨토셀 기지국(100-400)과 매크로셀 기지국(500)을 포함하며, 각 기지국(100-500)은 일정 셀 영역(10-50)을 관리한다. 매크로셀(50)과 펨토셀(10-40)은 중첩되어 있을 수 있으며, 매크로셀 기지국(500)은 펨토셀 기지국(100-400)을 관리할 수 있다.
단말(600)은 기지국(100-500)에 접속하여 데이터를 송수신한다. 단말은 일정 시간 동안 송수신할 데이터가 없는 경우, 유휴 모드로 진입할 수 있다. 유휴 모드로 진입하는 단말은, 기지국(100-500)으로부터 페이징 그룹 식별자(Paging Group ID, PGID), 페이징 주기(paging cycle), 페이징 오프셋(paging offset) 등을 포함하는 페이징 정보를 수신한다. 페이징 그룹 식별자는 기지국이 포함된 페이징 그룹을 나타내는 식별자이고, 페이징 주기는 페이징 청취 구간(Paging Listening Interval, PLI)과 페이징 비가용 구간(Paging Unavailable Interval, PUI)을 포함하며, 페이징 청취 구간에서 단말은 방송 채널(broadcasting channel)에 대한 모니터링을 수행한다. 페이징 오프셋은 특정 단말을 호출할 수 있는 시점을 결정할 때 사용되는 파라미터로서, 단말은 페이징 주기에서 페이징 오프셋만큼 기다린 후 페이징 청취 구간을 가진다.
펨토셀 기지국(100-400)은 펨토셀(10-40)에 단말이 존재하지 않거나, 단말이 유휴 모드일 때 로우-듀티 모드(Low-Duty Mode, LDM)로 운용될 수 있다. 로우-듀티 모드는 가용 구간(AI)과 비가용 구간(UAI)이 일정 길이로 반복되는 주기적 패턴으로 운용되거나, 가용 구간(AI)과 비가용 구간(UAI)이 임의의 길이로 나타나는 비주기적 패턴으로 운용될 수 있다.
단말(600)은 초기 망 진입(initial network entry)을 하거나 핸드오버하기 위해 펨토셀 기지국(100-400)을 스캐닝하는데, 단말(600)은 로우-듀티 모드의 비가용 구간(UAI)에서는 펨토셀 기지국(100-400)을 스캐닝하지 못하므로, 가용 구간(AI)을 기다린 후 가용 구간(AI) 동안 스캐닝한다. 그리고 단말(600)이 가용 구간(AI)의 첫 프레임부터 스캐닝하지 못하는 경우, 단말(600)은 다음 가용 구간(AI)에서 프리앰블(preamble)을 스캐닝한다. 또한 단말(600)은 여러 개의 프리앰블을 스캐닝해야 하는 경우, 하나의 가용 구간(AI)에서 펨토셀 기지국(100-400) 스캐닝을 완료하지 못할 수 있다. 따라서 비가용 구간(UAI)이 길어지면 단말(600)의 스캐닝 시간은 길어지고, 단말(600)의 스캐닝 지연을 줄이기 위해 가용 구간(AI)이 길어지면 매크로셀 기지국(500)과의 간섭이 증가하게 된다. 이와 같이 가용 구간(AI)과 비가용 구간(UAI)은 그 길이에 따라 단말(600)과 기지국(100-500)의 성능에 영향을 미치게 된다. 다음에서 펨토셀 기지국(100-400)에서 단말(600)의 스캐닝 지연을 줄이면서 인접 셀과의 간섭을 줄이기 위한 로우 듀티 모드 주기 패턴을 설정하는 방법에 대해 살펴본다.
도 2 내지 도 4는 각각 본 발명의 한 실시예에 따른 로우-듀티 모드 운용 방법을 나타내는 도면이다.
도 2 내지 도 4를 참고하면, 로우-듀티 모드에서 펨토셀 기지국은 설정된 페이징 주기, 즉 펨토셀 기지국이 관리하는 페이징 주기를 고려하여 로우 듀티 모드 주기 패턴을 설정한다. 이때, 로우 듀티 모드 주기 패턴의 가용 구간(AI)에 페이징 주기의 페이징 청취 구간(PLI)이 포함되도록 설정한다.
구체적으로 도 2를 참고하면, 한 실시예에 따른 펨토셀 기지국은 페이징 주기(21)와 로우 듀티 모드 주기 패턴(22)의 한 주기를 동일하게 하고, 로우 듀티 모드 주기 패턴(22)의 가용 구간(AI)을 페이징 주기(21)의 페이징 청취 구간(PLI)을 포함하도록 설정할 수 있다. 그리고 가용 구간(AI)의 길이는 페이징 청취 구간(PLI)과 같거나 길게 설정할 수 있다. 또한 로우 듀티 모드 주기 패턴은 페이징 주기에 의존하기 때문에 페이징 주기의 설정에 따라 단말의 스캐닝 성능이 달라질 수 있다.
도 3을 참고하면, 다른 실시예에 따른 펨토셀 기지국은 로우 듀티 모드 주기 패턴(32)의 가용 구간(AI)을 페이징 주기(31)의 페이징 청취 구간(PLI)을 포함하도록 설정하고, 비가용 구간(UAI)을 페이징 비가용 구간(PUI)보다 짧게 설정하여 가용 구간(AI)이 페이징 청취 구간(PLI)보다 자주 발생하도록 할 수 있다. 이 경우, 자주 발생하는 가용 구간(AI)으로 단말의 펨토셀 기지국 스캐닝 성능이 향상될 수 있다.
도 4를 참고하면, 또 다른 실시예에 따른 펨토셀 기지국은 관리하는 복수의 페이징 주기를 고려하여 로우-듀티 모드를 운용한다. 이때, 로우-듀티 모드의 가용 구간(AI)을 모든 페이징 주기의 페이징 청취 구간(PLI)을 포함하도록 설정한다. 이를 위해 펨토셀 기지국은 복수의 페이징 주기에 대응하는 복수의 로우 듀티 모드 주기 패턴을 설정하고, 복수의 로우 듀티 모드 주기 패턴을 고려하여 로우-듀티 모드를 운용할 수 있다. 예를 들어, 펨토셀 기지국이 관리하는 단말에 설정된 복수의 페이징 주기(41, 42)에 대응하여 로우 듀티 모드 주기 패턴(43, 44)을 각각 설정한다. 이때 각 로우 듀티 모드 주기 패턴은 도 2와 도 3에서 설명한 바와 같이, 로우 듀티 모드 주기 패턴(43, 44)의 가용 구간(AI)을 페이징 주기(41, 42)의 페이징 청취 구간(PLI)을 포함하도록 설정한다. 그리고 펨토셀 기지국은 설정된 복수의 로우 듀티 모드 주기 패턴(43, 44)에서 적어도 하나의 가용 구간(AI)이 나타나면 로우-듀티 모드의 가용 구간(AI)으로 동작한다(45).
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 로우-듀티 모드 운용 방법을 나타내는 도면이다.
다시 도 1을 참고하면, 펨토셀 기지국(400)의 서비스 영역(40)은 매크로셀 기지국(500)의 서비스 영역(50)과 부분적으로 중첩되어 있지만, 펨토셀 기지국(100-300)의 서비스 영역(10-30)은 매크로셀 기지국(500)의 서비스 영역(50)에 완전히 포함되어 있다. 도 5에 도시한 바와 같이 서비스 영역이 완전히 중첩되는 경우의 로우 듀티 모드 주기 패턴(51)은 서비스 영역이 부분적으로 중첩되는 경우의 로우 듀티 모드 주기 패턴(52)에 비해 비가용 구간(UAI)을 길게 설정한다. 즉, 펨토셀 기지국은 매크로셀 기지국과 중첩되는 서비스 영역이 클수록 로우-듀티 모드의 비가용 구간(UAI)을 길게 설정한다.
펨토셀 기지국의 서비스 영역이 매크로셀에 전부 포함되는 경우, 단말은 비가용 구간이 길어져 펨토셀 기지국의 스캐닝이 지연될 수 있지만, 단말은 매크로셀 기지국으로부터 무선 연결을 유지할 수 있기 때문에 서비스 연속성을 보장할 수 있다. 그리고 비가용 구간(UAI)이 길게 설정되므로 매크로셀과의 간섭이 줄어들 수 있다.
펨토셀 기지국의 일부 서비스 영역이 매크로셀에 중첩되는 경우, 단말이 펨토셀 기지국을 스캐닝할 때 지연이 발생하면 단말의 서비스 연속성이 보장되지 않을 수 있다. 따라서 스캐닝 지연을 줄이기 위해 가용 구간(AI)이 자주 발생되도록 비가용 구간(UAI)을 짧게 설정한다.
이와 같이, 펨토셀 기지국의 서비스 영역이 매크로셀에 중첩되는 정도를 고려하여 비가용 구간(UAI)을 설정하는 경우에, 도 2 내지 도 4에 도시한 바와 같이 가용 구간(AI)이 페이징 청취 구간(PLI)을 포함하도록 설정할 수 있다.
도 6과 도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 로우-듀티 모드 운용 방법을 나타내는 도면이다.
복수의 펨토셀 기지국에 동일한 통합 로우 듀티 모드 주기 패턴(61)을 설정할 수 있다. 여기서 복수의 펨토셀 기지국은 동일한 주파수를 사용하는 펨토셀 기지국일 수 있다. 이 경우, 각 펨토셀 기지국은 다른 페이징 주기(62, 63)를 가지게 되어 가용 구간(AI)에 일부 펨토셀 기지국에 설정된 페이징 주기(62)의 페이징 청취 구간(PLI)이 포함되더라도, 다른 펨토셀 기지국에 설정된 페이징 주기(63)의 페이징 청취 구간(PLI)이 포함되지 못할 수 있다. 이와 같이 통합 로우 듀티 모드 주기 패턴(61)의 가용 구간(AI)에 페이징 청취 구간(PLI)이 포함되지 못한 펨토셀 기지국은 페이징 청취 구간(PLI)에 대응하는 가용 구간(AI)을 더 포함하도록 변경한 패턴(64)으로 운용될 수 있다.
도 7을 참고하면, 통합 로우 듀티 모드 주기 패턴(71)의 가용 구간(AI)에 페이징 주기(72)의 페이징 청취 구간(PLI)이 포함되지 못한 펨토셀 기지국은 자신의 페이징 주기(72)를 가용 구간(AI)에 페이징 청취 구간(PLI)이 포함되는 페이징 주기(73)로 변경할 수 있다. 이때, 페이징 주기(72)에서 페이징 청취 구간(PLI)의 페이징 오프셋을 가용 구간(AI) 내로 이동시켜 변경할 수 있다. 그리고 페이징 오프셋을 이동시킨 기지국은 이를 단말에 알리기 위한 메시지를 전송할 수 있다.
동일한 페이징 그룹 식별자(PGID)를 사용하는 복수의 펨토셀 기지국은 도 2 또는 도 3에서 설명한 바와 같은 방법으로 통합 로우 듀티 모드 주기 패턴을 운용할 수 있다. 동일한 페이징 그룹 식별자를 사용하는 기지국은 동일한 페이징 주기를 가지므로, 가용 구간(AI)을 페이징 청취 구간(PLI)을 포함하도록 설정할 수 있다. 이때 동일한 페이징 그룹 식별자를 사용하는 기지국은 동일한 페이징 주기를 가지므로, 페이징 오프셋 이동 없이 가용 구간(AI)에 페이징 청취 구간(PLI)이 포함되도록 설정할 수 있다.
이와 같은 방법으로 펨토셀 기지국에서 로우 듀티 모드 주기 패턴을 설정하는 경우, 단말이 펨토셀 기지국을 스캐닝하여 접속하기 위해서는 로우 듀티 모드 주기 패턴을 미리 알고 있어야 한다. 단말은 펨토셀 기지국으로부터 로우 듀티 모드 주기 패턴을 획득하거나 펨토셀과 중첩되어 있는 매크로셀 기지국으로부터 수신하는 브로드캐스트 또는 유니캐스트 메시지를 통해 로우 듀티 모드 주기 패턴을 획득할 수 있다. 또는 단말이 펨토셀에 초기 망 진입을 시도하는 경우, 펨토셀 등록 시 수신하는 유니캐스트 메시지, 예를 들면, AAI_REG-RSP 메시지를 통해 로우 듀티 모드 주기 패턴을 획득할 수 있다.
이상에서 본 발명의 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.

Claims (16)

  1. 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드를 운용하는 방법으로서,
    페이징 청취 구간과 페이징 비가용 구간을 포함하는 페이징 주기를 관리하는 단계,
    상기 페이징 주기를 고려하여 가용 구간과 비가용 구간을 포함하는 로우-듀티 모드의 주기 패턴을 설정하는 단계, 그리고
    상기 주기 패턴에 따라 상기 로우-듀티 모드를 운용하는 단계
    를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  2. 제1항에서,
    상기 설정하는 단계는 상기 가용 구간을 상기 페이징 청취 구간을 포함하도록 설정하는 단계를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  3. 제2항에서,
    상기 설정하는 단계는 상기 비가용 구간을 상기 페이징 비가용 구간보다 짧게 설정하는 단계를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  4. 제1항에서,
    상기 운용하는 단계는
    상기 가용 구간 동안 무선 채널을 활성화하여 통신하는 단계, 그리고
    상기 비가용 구간 동안, 상기 무선 채널로 전송을 수행하지 않는 단계를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  5. 제1항에서,
    상기 관리하는 단계는 복수의 페이징 주기를 관리하는 단계를 포함하며,
    상기 설정하는 단계는 상기 복수의 페이징 주기에 각각 대응하는 복수의 상기 로우-듀티 모드의 주기 패턴을 설정하는 단계를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 운용하는 단계는 상기 복수의 로우-듀티 모드의 주기 패턴에서 적어도 하나의 가용 구간이 나타나면, 상기 로우-듀티 모드를 상기 가용 구간으로 운용하는 단계를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  7. 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드를 운용하는 방법으로서,
    상기 펨토셀 기지국의 서비스 영역이 매크로셀 기지국의 서비스 영역과 중첩되는 정도를 판단하는 단계,
    상기 중첩되는 정도를 고려하여 가용 구간과 비가용 구간을 포함하는 로우-듀티 모드의 주기 패턴을 설정하는 단계, 그리고
    상기 주기 패턴에 따라 상기 로우-듀티 모드를 운용하는 단계
    를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  8. 제7항에서,
    상기 설정하는 단계는 중첩되는 정도가 클수록 상기 비가용 구간을 길게 설정하는 단계를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  9. 제7항에서,
    상기 설정하는 단계는 상기 가용 구간을 상기 펨토셀 기지국에 설정되어 있는 페이징 주기의 페이징 청취 구간을 포함하도록 설정하는 단계를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  10. 복수의 펨토셀 기지국을 포함하는 기지국 그룹 중 어느 하나의 펨토셀 기지국에서 로우-듀티 모드를 운용하는 방법으로서,
    상기 로우-듀티 모드로 진입하는 단계, 그리고
    상기 복수의 펨토셀 기지국에 대해서 동일하게 설정되어 있으며, 가용 구간과 비가용 구간을 포함하는 로우-듀티 모드의 주기 패턴에 따라 상기 로우-듀티 모드를 운용하는 단계
    를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  11. 제10항에서,
    상기 가용 구간에 상기 어느 하나의 펨토셀 기지국이 관리하는 페이징 주기의 페이징 청취 구간이 포함되지 않는 경우,
    상기 페이징 청취 구간을 상기 가용 구간에 포함되도록 이동시키는 단계를 더 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  12. 제11항에서,
    상기 페이징 청취 구간이 이동되었음을 알리는 메시지를 단말에게 전송하는 단계를 더 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  13. 제10항에서,
    상기 가용 구간에 상기 어느 하나의 펨토셀 기지국이 관리하는 페이징 주기의 페이징 청취 구간이 포함되지 않는 경우,
    상기 운용하는 단계는,
    상기 주기 패턴에 상기 페이징 청취 구간을 포함하는 가용 구간을 추가하여 상기 주기 패턴을 변경하는 단계, 그리고
    변경한 주기 패턴에 따라 상기 로우-듀티 모드를 운용하는 단계
    를 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  14. 제10항에서,
    상기 복수의 펨토셀 기지국은 동일한 주파수를 사용하는 기지국을 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  15. 제10항에서,
    상기 복수의 펨토셀 기지국은 동일한 페이징 그룹 식별자를 사용하는 기지국을 포함하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
  16. 제15항에서,
    상기 가용 구간을 상기 페이징 그룹에서 사용하는 페이징 주기의 페이징 청취 구간을 포함하도록 설정하는 로우-듀티 모드 운용 방법.
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