KR101619814B1 - Surface contact unit and atomic layer deposition apparatus having the same - Google Patents

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KR101619814B1 KR1020140148038A KR20140148038A KR101619814B1 KR 101619814 B1 KR101619814 B1 KR 101619814B1 KR 1020140148038 A KR1020140148038 A KR 1020140148038A KR 20140148038 A KR20140148038 A KR 20140148038A KR 101619814 B1 KR101619814 B1 KR 101619814B1
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신인철
박성현
이근우
김경준
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주식회사 케이씨텍
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Abstract

Disclosed is an atomic layer deposition device capable of processing a large area substrate. A surface contact unit for a large area atomic layer deposition device comprises: a first block part placed on the lower surface of a susceptor body part; a second block part combined with the bottom of the first block part, and combined with a rotation shaft of the susceptor to combine the susceptor body part with the rotation shaft; a first contact member placed inside the first block part, and penetrating the first block part to make surface contact between an end and the lower surface of the body part; a second contact member placed inside the second block part and placed in the bottom of the first contact member, and penetrating the second block part to make surface contact between an end and the rotation shaft; and connecting part connecting the first and second contact members.

Description

면접촉 유닛 및 이를 구비하는 원자층 증착장치{SURFACE CONTACT UNIT AND ATOMIC LAYER DEPOSITION APPARATUS HAVING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a surface contact unit and an atomic layer deposition apparatus having the same,

본 발명은 원자층 증착장치에 관한 것으로, 서셉터를 접지시키는 면접촉 유닛을 구비하는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.
The present invention relates to an atomic layer deposition apparatus, and an atomic layer deposition apparatus having a surface contact unit for grounding a susceptor.

최근 반도체 제조 공정에서 반도체 소자의 집적도가 높아짐에 따라 미세가공의 요구가 증가하고 있다. 즉, 미세 패턴을 형성하고, 하나의 칩 상에 셀들을 고도로 집적시키기 위해서는 박막 두께 감소 및 고유전율을 갖는 새로운 물질개발 등을 이루어야 한다. 특히, 기판 표면에 단차가 형성되어 있는 경우 표면을 원만하게 덮어주는 단차도포성(step coverage)과 단차도포성 및 웨이퍼 내 균일성(within wafer uniformity)의 확보는 매우 중요하다. 이와 같은 요구사항을 충족시키기 위해 원자층 단위의 미소한 두께를 가지는 박막을 형성하는 방법인 원자층 증착(atomic layer deposition, ALD) 방법이 제안되고 있다.In recent years, as the degree of integration of semiconductor devices increases in semiconductor manufacturing processes, there is an increasing demand for microfabrication. That is, in order to form a fine pattern and highly integrate the cells on one chip, a new material having a thin film thickness reduction and a high dielectric constant should be developed. Particularly, when a step is formed on the surface of the substrate, it is very important to ensure step coverage, step coverage, and uniformity within the wafer, which smoothly cover the surface. An atomic layer deposition (ALD) method, which is a method of forming a thin film having a minute thickness at the atomic layer level, has been proposed to meet such a requirement.

ALD공정은 기판 표면에서 반응물질의 표면 포화 반응(surface saturated reaction)에 의한 화학적 흡착(chemisorption)과 탈착(desorption) 과정을 이용하여 단원자층을 형성하는 방법으로, 원자층 수준에서 막 두께의 제어가 가능한 박막 증착 방법이다.The ALD process is a method of forming a monolayer by using chemisorption and desorption processes by the surface saturated reaction of reactants on the surface of the substrate. Is a possible thin film deposition method.

ALD 공정은 두 가지 이상의 소스가스를 각각 교대로 유입시키고, 각 소스가스의 유입 사이에 불활성 기체인 퍼지가스를 유입시킴으로써 소스가스들이 기체 상태에서 혼합되는 것을 방지한다. 즉, 하나의 소스가스가 기판 표면에 화학적으로 흡착(chemical adsorption)된 상태에서 후속하여 다른 하나의 소스가스가 반응함으로써 기판 표면에 한층의 원자층이 생성된다. 그리고, 이와 같은 공정을 한 주기로 하여 원하는 두께의 박막이 형성될 때까지 반복한다.The ALD process alternately introduces two or more source gases, respectively, and prevents the source gases from mixing in the gaseous state by introducing purge gas, which is an inert gas, between the inlet of each source gas. That is, one source gas is chemically adsorbed on the substrate surface, and then another source gas reacts to generate a further atomic layer on the substrate surface. Then, such a process is repeated at one cycle until a thin film having a desired thickness is formed.

한편, 소스가스는 기판 표면에서만 화학적 흡착과 화학 반응이 일어나 하나의 원자층이 완전히 형성될 때까지 다른 표면 반응이 일어나지 않도록 억제되어야 한다.On the other hand, the source gas must be chemically adsorbed and chemically reacted only on the substrate surface, so that no other surface reaction occurs until one atomic layer is completely formed.

기존의 원자층 증착장치는 박막의 품질을 향상시키기 위해서 반응가스를 플라즈마로 형성하기 위한 고주파 전원이 인가된다. 이 경우, 서셉터를 접지시키는데, 서셉터가 충분히 접지되지 않는 경우, 2개의 커패시터가 존재하는 효과가 발생하게 되어서, 전기장의 크기가 정확하게 관리되지 못하고, 박막의 품질이 저하되는 문제점이 있다.
In the conventional atomic layer deposition apparatus, a high frequency power source is applied to form a reaction gas into a plasma in order to improve the quality of the thin film. In this case, the susceptor is grounded. If the susceptor is not sufficiently grounded, the effect of the presence of two capacitors is generated, so that the size of the electric field can not be accurately managed and the quality of the thin film is deteriorated.

본 발명의 실시예들에 따르면, 박막의 품질을 향상시킬 수 있도록 서셉터를 접지시킬 수 있는 면접촉 유닛 및 이를 구비하는 원자층 증착장치를 제공하기 위한 것이다.According to embodiments of the present invention, an object of the present invention is to provide a surface contact unit capable of grounding a susceptor so as to improve the quality of a thin film and an atomic layer deposition apparatus having the same.

본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other matters not mentioned can be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예들에 따르면, 원자층 증착장치의 면접촉 유닛은, 서셉터 바디부의 하면에 구비되는 제1 블록부, 상기 제1 블록부의 하부에 결합되고, 서셉터의 회전축에 결합되어서 상기 서셉터 바디부와 상기 회전축을 결합시키는 제2 블록부, 상기 제1 블록부 내부에 구비되며, 상기 제1 블록부를 관통하여 일단부가 상기 바디부 하면에 면접촉되는 제1 접촉부재, 상기 제2 블록부 내부에 구비되며 상기 제1 접촉부재 하부에 구비되고, 상기 제2 블록부를 관통하여 일단부가 상기 회전축에 면접촉되는 제2 접촉부재 및 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 연결시키는 연결부를 포함하여 구성된다.According to embodiments of the present invention, the surface contact unit of the atomic layer deposition apparatus includes a first block unit provided on a lower surface of the suscepter body unit, a second block unit provided on a lower portion of the first block unit, A second block portion coupled to the rotating shaft of the susceptor to couple the susceptor body portion and the rotating shaft, and a second block portion provided in the first block portion, one end of which penetrates through the first block portion, A second contact member provided in the second block portion and provided below the first contact member and passing through the second block portion so that one end of the second contact member is in surface contact with the rotation shaft; And a connection portion connecting the member and the second contact member.

일 측에 따르면, 상기 연결부는 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 서로 탄성적으로 연결 및 지지하고, 상기 제1 접촉부재를 상기 서셉터 바디부에 대해서 가압하도록 구비될 수 있다. 예를 들어, 상기 연결부는 스프링을 포함하고, 상기 스프링의 일단이 상기 제1 접촉부재에 연결되고 타단이 상기 제2 접촉부재에 연결될 수 있다. 그리고 상기 연결부는 상기 제1 접촉부재를 상기 바디부에 대해서 가압하도록 구비되는 판 스프링을 포함하여 구성될 수 있다. 그리고 상기 연결부는 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 전기적으로 연결시키는 연결수단을 더 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 연결수단은 일단이 상기 제1 접촉부재에 연결되고 타단이 상기 제2 접촉부재에 연결되는 금속 재질의 와이어를 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결수단은 양단이 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재에 각각 볼트 체결되도록 연결된다.According to one aspect, the connecting portion may be provided to elastically connect and support the first contact member and the second contact member to each other, and to press the first contact member against the susceptor body portion. For example, the connection portion may include a spring, one end of the spring may be connected to the first contact member, and the other end may be connected to the second contact member. The connecting portion may include a leaf spring provided to press the first contact member against the body. The connecting portion may further include connecting means for electrically connecting the first contact member and the second contact member. For example, the connecting means may include a metal wire having one end connected to the first contact member and the other end connected to the second contact member. Further, both ends of the connecting means are connected to the first contact member and the second contact member by bolts, respectively.

일 측에 따르면, 상기 연결부는 열팽창 재질로 형성될 수 있다.According to one aspect, the connection portion may be formed of a thermal expansion material.

일 측에 따르면, 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재는 금속 재질로 형성될 수 있다. 그리고 상기 서셉터 바디부는 표면에 SiC가 코팅되거나 그래파이트 재질로 형성되고, 상기 서셉터 바디부에서 상기 제1 접촉부재가 결합되는 부분에는 상기 SiC가 코팅이 생략될 수 있다. 또한, 상기 제1 블록부는 SiC 재질 또는 금속 재질로 형성되고, 상기 제2 블록부는 금속 재질로 형성될 수 있다.According to one aspect, the first contact member and the second contact member may be formed of a metal material. The susceptor body portion may be coated with SiC or formed of a graphite material, and the SiC coating may be omitted from a portion of the susceptor body portion where the first contact member is coupled. The first block unit may be formed of SiC or a metal material, and the second block unit may be formed of a metal material.

한편, 상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 본 발명의 다른 실시예들에 따르면, 원자층 증착장치는, 복수의 기판이 수용되어 증착공정이 수행되는 프로세스 챔버, 상기 프로세스 챔버 상부에 구비되며, 상기 기판에 복수의 증착가스를 각각 제공하는 샤워헤드, 상기 샤워헤드에 구비되어서 상기 기판에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부, 상기 프로세스 챔버 내부에 구비되고, 상기 복수의 기판이 수평으로 지지되고 바디부와, 상기 바디부 하부에 구비되어서 상기 바디부를 회전 가능하게 지지하되 상기 바디부와 분리되어 구비되며 접지 전원이 연결되는 회전축을 포함하는 서셉터 및 상기 바디부와 상기 회전축 사이에 구비되어서, 상기 바디부와 상기 회전축을 연결하고, 상기 바디부의 접지를 제공하는 면접촉 유닛을 포함하고, 상기 면접촉 유닛은, 서셉터 바디부의 하면에 구비되는 제1 블록부, 상기 제1 블록부의 하부에 결합되고, 서셉터의 회전축에 결합되어서 상기 서셉터 바디부와 상기 회전축을 결합시키는 제2 블록부, 상기 제1 블록부 내부에 구비되며, 상기 제1 블록부를 관통하여 일단부가 상기 바디부 하면에 면접촉되는 제1 접촉부재, 상기 제2 블록부 내부에 구비되며 상기 제1 접촉부재 하부에 구비되고, 상기 제2 블록부를 관통하여 일단부가 상기 회전축에 면접촉되는 제2 접촉부재 및 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 연결시키는 연결부를 포함하여 구성된다.According to another aspect of the present invention, there is provided an atomic layer deposition apparatus including: a process chamber in which a plurality of substrates are accommodated and a deposition process is performed; A showerhead for supplying a plurality of deposition gases to the substrate, a plasma generator for generating plasma on the substrate, the plasma generator being provided in the showerhead, the plurality of substrates being horizontally supported, A susceptor provided at a lower portion of the body and rotatably supporting the body, the susceptor including a rotating shaft provided separately from the body and connected to a ground power source, and a rotating shaft provided between the body and the rotating shaft, And a surface contact unit connecting the part with the rotating shaft and providing the ground of the body part, A second block unit coupled to a lower portion of the first block unit and coupled to a rotating shaft of the susceptor to couple the susceptor body unit and the rotating shaft to each other, A first contact member provided in the first block unit and penetrating through the first block unit and having one end in surface contact with the bottom surface of the body part; A second contact member passing through the second block portion and having one end in surface contact with the rotation shaft, and a connection portion connecting the first contact member and the second contact member.

일 측에 따르면, 상기 연결부는 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 서로 탄성적으로 연결 및 지지하고, 상기 제1 접촉부재를 상기 서셉터 바디부에 대해서 가압하도록 구비되고, 상기 연결부는 스프링을 포함하고, 상기 스프링의 일단이 상기 제1 접촉부재에 연결되고 타단이 상기 제2 접촉부재에 연결될 수 있다. 그리고 상기 연결부는 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 전기적으로 연결시키는 연결수단을 더 포함할 수 있다. 또한, 상기 연결수단은 일단이 상기 제1 접촉부재에 연결되고 타단이 상기 제2 접촉부재에 연결되는 금속 재질의 와이어를 포함할 수 있다.According to one aspect of the present invention, the connecting portion is provided to resiliently connect and support the first contact member and the second contact member to each other, and to press the first contact member against the susceptor body portion, Wherein one end of the spring is connected to the first contact member and the other end is connected to the second contact member. The connecting portion may further include connecting means for electrically connecting the first contact member and the second contact member. The connecting means may include a metal wire having one end connected to the first contact member and the other end connected to the second contact member.

일 측에 따르면, 상기 연결부는 열팽창 재질로 형성될 수 있다.According to one aspect, the connection portion may be formed of a thermal expansion material.

일 측에 따르면, 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재는 금속 재질로 형성될 수 있다. 그리고 상기 서셉터 바디부는 표면에 SiC가 코팅되거나 그래파이트 재질로 형성되고, 상기 서셉터 바디부에서 상기 제1 접촉부재가 결합되는 부분에는 상기 SiC가 코팅이 생략될 수 있다. 또한, 상기 제1 블록부는 SiC 재질 또는 금속 재질로 형성되고, 상기 제2 블록부는 금속 재질로 형성될 수 있다.
According to one aspect, the first contact member and the second contact member may be formed of a metal material. The susceptor body portion may be coated with SiC or formed of a graphite material, and the SiC coating may be omitted from a portion of the susceptor body portion where the first contact member is coupled. The first block unit may be formed of SiC or a metal material, and the second block unit may be formed of a metal material.

본 발명의 다양한 실시예는 아래의 효과 중 하나 이상을 가질 수 있다.Various embodiments of the present invention may have one or more of the following effects.

이상에서 본 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따르면, 서셉터를 완전히 접지시킴으로써 박막의 품질을 향상시킬 수 있다.
As described above, according to the embodiments of the present invention, the quality of the thin film can be improved by completely grounding the susceptor.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치의 모식도이다.
도 2는 도 1의 원자층 증착장치에서 면접촉 유닛의 확대도이다.
도 3은 도 2의 면접촉 유닛에서 접촉부재를 도시한 도면이다.
도 4는 도 3의 접촉부재의 변형 실시예를 도시한 도면이다.1 is a schematic view of an atomic layer deposition apparatus according to an embodiment of the present invention.
2 is an enlarged view of the surface contact unit in the atomic layer deposition apparatus of FIG.
3 is a view showing a contact member in the surface contact unit of Fig.
Fig. 4 is a view showing a modified embodiment of the contact member of Fig. 3;

이하, 본 발명의 일부 실시예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면 상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명의 실시예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 실시예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, some embodiments of the present invention will be described in detail with reference to exemplary drawings. It should be noted that, in adding reference numerals to the constituent elements of the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference symbols as possible even if they are shown in different drawings. In the following description of the embodiments of the present invention, a detailed description of known functions and configurations incorporated herein will be omitted when it may make the difference that the embodiments of the present invention are not conclusive.

또한, 본 발명의 실시예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제1, 제2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
In describing the components of the embodiment of the present invention, terms such as first, second, A, B, (a), and (b) may be used. These terms are intended to distinguish the constituent elements from other constituent elements, and the terms do not limit the nature, order or order of the constituent elements. When a component is described as being "connected", "coupled", or "connected" to another component, the component may be directly connected or connected to the other component, Quot; may be "connected,""coupled," or "connected. &Quot;

도 1 내지 도 4를 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 면접촉 유닛(15)과 이를 구비하는 원자층 증착장치(10)에 대해 설명하면 다음과 같다. 참고적으로, 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 원자층 증착장치(10)의 모식도이다. 그리고, 도 2는 도 1의 원자층 증착장치(10)에서 면접촉 유닛(15)의 확대도이고, 도 3은 도 2의 면접촉 유닛(15)에서 접촉부재(153, 154))를 도시한 도면이고, 도 4는 도 3의 접촉부재(153, 154)의 변형 실시예를 도시한 도면이다.Referring to FIGS. 1 to 4, the surface contact unit 15 and the atomic layer deposition apparatus 10 having the same according to an embodiment of the present invention are described as follows. For reference, FIG. 1 is a schematic diagram of an atomic layer deposition apparatus 10 according to an embodiment of the present invention. 2 is an enlarged view of the surface contact unit 15 in the atomic layer deposition apparatus 10 of Fig. 1 and Fig. 3 is a plan view of the contact members 153 and 154 in the surface contact unit 15 of Fig. 2 And Fig. 4 is a view showing a modification of the contact members 153 and 154 in Fig.

도 1을 참조하면, 원자층 증착장치(10)는, 프로세스 챔버(11), 샤워헤드(13), 서셉터(12) 및 면접촉 유닛(15)을 포함하여 구성된다.1, an atomic layer deposition apparatus 10 includes a process chamber 11, a showerhead 13, a susceptor 12, and a surface contact unit 15. [

본 실시예에서 증착 대상이 되는 기판(1)은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)일 수 있다. 그러나 기판(1)은 실리콘 웨이퍼(silicon wafer)에 한정되는 것은 아니며, LCD(liquid crystal display), PDP(plasma display panel)와 같은 평판 디스플레이 장치용으로 사용하는 글라스를 포함하는 투명 기판(1)일 수 있다.The substrate 1 to be deposited in this embodiment may be a silicon wafer. However, the substrate 1 is not limited to a silicon wafer but may be a transparent substrate 1 including a glass used for a flat panel display device such as a liquid crystal display (LCD) or a plasma display panel (PDP) .

한편, 본 실시예에서 원자층 증착장치는 생산성을 높이기 위해 복수의 기판(1)을 동시에 처리 가능한 세미배치(semi batch) 타입의 원자층 증착장치(10)가 사용될 수 있다. 여기서, 세미배치 타입의 원자층 증착장치(10)는, 동시에 복수 장의 기판(1)에 대해 증착 공정을 수행할 수 있어서 스루풋(throughput)을 향상시킬 수 있다.Meanwhile, in the present embodiment, a semi-batch type atomic layer deposition apparatus 10 capable of simultaneously processing a plurality of substrates 1 can be used to increase productivity. Here, the semi-batch type atomic layer deposition apparatus 10 can perform a deposition process on a plurality of substrates 1 at the same time, thereby improving throughput.

프로세스 챔버(11)는 기판(1)을 수용하여, 기판(1)에 대한 박막 증착 공정이 수행되는 공간을 제공한다.The process chamber 11 accommodates the substrate 1 and provides a space in which the thin film deposition process for the substrate 1 is performed.

샤워헤드(13)는 기판(1) 상부에 구비되고, 서셉터(12)와 대응되는 형태를 갖는다. 또한, 샤워헤드(13)는 기판(1)에 박막을 형성하기 위한 복수의 증착가스를 제공한다. 참고적으로, 본 실시예에서 '증착가스'는 기판(1)에 박막을 증착하기 위해서 제공되는 적어도 1종 이상의 가스를 포함하며, 기판(1)에 형성하고자 하는 박막의 구성 물질을 포함하는 소스가스(precursor gas), 소스가스와 화학적으로 반응하는 반응가스(reactance gas), 및 소스가스와 반응가스를 퍼지 시키기 위한 퍼지가스(purge gas)를 포함한다.The showerhead 13 is provided on the substrate 1 and has a shape corresponding to the susceptor 12. [ In addition, the showerhead 13 provides a plurality of deposition gases for forming a thin film on the substrate 1. For reference, the 'deposition gas' in this embodiment includes at least one kind of gas provided for depositing a thin film on the substrate 1, and includes a source including a constituent material of the thin film to be formed on the substrate 1 A precursor gas, a reactance gas chemically reacting with the source gas, and a purge gas for purifying the source gas and the reactive gas.

여기서, 샤워헤드(13)는 반응가스를 제공하는 부분에 반응가스를 플라즈마 상태로 만들어 기판(1)에 제공할 수 있도록 고주파 전원(161)이 인가된다. 도면에서 미설명 도면부호 16은 전원부(16)이다.Here, the showerhead 13 is supplied with a high-frequency power source 161 so as to provide the reaction gas to the substrate 1 in a plasma state at a portion providing the reaction gas. In the drawing, reference numeral 16 denotes a power supply unit 16.

서셉터(12)는 프로세스 챔버(11) 내부에 구비되어서 기판(1)이 안착되며, 예를 들어, 복수의 기판(1)이 등간격으로 배치될 수 있도록 원반 형태를 갖는 바디부(121)와 바디부(121)를 회전 가능하게 지지하는 회전축(125)을 포함한다. 여기서, 서셉터(12)는 기판(1)의 형태와 배치될 수 있는 기판(1)의 수에 따라 다양한 형태와 크기를 가질 수 있을 것이다.The susceptor 12 is provided inside the process chamber 11 to seat the substrate 1. For example, the susceptor 12 includes a body part 121 having a disk shape so that the plurality of substrates 1 can be arranged at regular intervals, And a rotating shaft 125 for rotatably supporting the body 121. Here, the susceptor 12 may have various shapes and sizes depending on the shape of the substrate 1 and the number of the substrates 1 that can be arranged.

바디부(121)는 기판(1)의 박막이 증착될 표면이 샤워헤드(13)를 향해 노출되도록 지지하되, 복수의 기판(1)이 동일한 평면 상에 배치될 수 있는 형태를 갖는다. 또한, 서셉터(12)는 샤워헤드(13)에 대해 상하 방향으로 승강 가능하고, 회전 가능하게 형성되고, 회전축(125)은 바디부(121)를 상하로 승강 이동시키고, 회전시키게 된다.The body part 121 has a shape in which a plurality of substrates 1 can be arranged on the same plane while supporting a surface on which a thin film of the substrate 1 is to be deposited exposed toward the shower head 13. [ The susceptor 12 is vertically movable up and down with respect to the showerhead 13 so as to be rotatable and the rotating shaft 125 moves up and down the body part 121 to rotate.

서셉터(12)는 바디부(121)와 회전축(125)이 일체로 형성되는 것이 아니라 서로 별도의 개체로 형성되며, 도면에 도시한 바와 같이 이격되어 구비되며, 후술하는 면접촉 유닛(15)에 의해서 연결된다.The susceptor 12 is formed as a body separate from the body 121 and the rotating shaft 125 but is formed as a separate body and spaced apart as shown in the drawing, Lt; / RTI >

여기서, 바디부(121)는 그래파이트(graphite) 재질로 형성되거나, 표면에 SiC 코팅층(123)이 형성될 수 있다. 그리고 바디부(121) 하부에는 면접촉 유닛(15)이 결합될 수 있도록 결합홈(122)이 형성된다. 여기서, 바디부(121)에서 결합홈(122) 내부에서 제1 접촉부재(153)가 결합되는 부분에서는 SiC 코팅층(123)이 형성되지 않는다. 그러나 본 발명이 도면에 의해 한정되는 것은 아니며, 바디부(121)의 형상은 실질적으로 다양하게 변경될 수 있다. 또한, 바디부(121)는 금속 재질로 형성될 수 있다.Here, the body 121 may be formed of a graphite material or may be formed of a SiC coating layer 123 on its surface. A coupling groove 122 is formed under the body 121 so that the surface contact unit 15 can be coupled. Here, the SiC coating layer 123 is not formed at the portion where the first contact member 153 is coupled in the coupling groove 122 in the body portion 121. However, the present invention is not limited to the drawings, and the shape of the body part 121 may be substantially varied. Also, the body part 121 may be formed of a metal material.

한편, 샤워헤드(13)에 고주파 전원이 인가되어서 플라즈마가 발생되고, 기판(1)에 제공될 수 있도록, 서셉터(12)는 접지 전원(162)이 연결된다. 여기서, 접지 전원(162)은 회전축(125)에 연결되고, 면접촉 유닛(15)에 의해서 바디부(121)에 접지 전원(162)이 인가된다.On the other hand, the susceptor 12 is connected to the ground power source 162 so that a high frequency power source is applied to the showerhead 13 to generate plasma and to be provided to the substrate 1. Here, the ground power source 162 is connected to the rotating shaft 125, and the ground power source 162 is applied to the body part 121 by the surface contact unit 15.

면접촉 유닛(15)은 제1 블록부(151)와 제2 블록부(152), 제1 접촉부재(153), 제2 접촉부재(154) 및 연결부(155)를 포함하여 구성된다.The surface contact unit 15 includes a first block portion 151 and a second block portion 152, a first contact member 153, a second contact member 154, and a connecting portion 155.

제1 블록부(151)는 바디부(121)의 하부에 구비되며, 결합홈(122) 내부에 결합된다. 예를 들어, 제1 블록부(151)는 SiC 재질로 형성되거나 금속 재질로 형성된다.The first block portion 151 is provided at the lower portion of the body portion 121 and is coupled into the coupling groove 122. For example, the first block portion 151 may be formed of a SiC material or a metal material.

제2 블록부(152)는 제1 블록부(151)의 하부에 구비되며, 회전축(125)과 결합된다. 예를 들어, 제2 블록부(152)는 금속 재질로 형성된다.The second block unit 152 is provided below the first block unit 151 and is coupled to the rotation axis 125. For example, the second block portion 152 is formed of a metal material.

제1 블록부(151)와 제2 블록부(152)에 의해 형성된 내부에 제1 접촉부재(153)와 제2 접촉부재(154)가 수용된다. 제1 접촉부재(153)는 제1 블록부(151) 내부에 구비되며, 제1 블록부(151)를 관통하여 일단부가 바디부(121) 하면에 면접촉된다. 여기서, 제1 접촉부재(153)가 바디부(121)에 접촉되는 단부를 접촉단부(532)라 한다.The first contact member 153 and the second contact member 154 are accommodated in the inside formed by the first block portion 151 and the second block portion 152. The first contact member 153 is provided inside the first block portion 151 and one end of the first contact member 153 is in surface contact with the lower surface of the body portion 121 through the first block portion 151. Here, an end portion of the first contact member 153, which is in contact with the body portion 121, is referred to as a contact end portion 532.

그리고 제2 접촉부재(154)는 제2 블록부(152) 내부에 구비되며, 제1 접촉부재(153)의 하부에 구비되며, 제2 블록부(152)를 관통하여 일단부가 회전축(125)에 면접촉된다. 여기서, 제2 접촉부재(154)가 회전축(125)에 접촉되는 단부를 접촉단부(542)라 한다.The second contact member 154 is provided inside the second block 152 and is provided below the first contact member 153. One end of the second contact member 154 passes through the second block 152, As shown in Fig. Here, an end portion of the second contact member 154, which is in contact with the rotating shaft 125, is referred to as a contact end portion 542.

제1 접촉부재(153)와 제2 접촉부재(154)는 금속 재질로 형성된다. 그리고, The first contact member 153 and the second contact member 154 are formed of a metal material. And,

연결부(155)는 제1 접촉부재(153)와 제2 접촉부재(154) 사이에 구비되어서, 제1 접촉부재(153)와 제2 접촉부재(154)를 연결시킨다. 여기서, 연결부(155)는 회전축(125)에 인가되는 접지 전원(162)이 바디부(121)까지 인가될 수 있도록 전기적으로 연결시킨다. 또한, 제1 접촉부재(153)와 제2 접촉부재(154)를 전기적으로 연결하기 위해서 연결수단(156)이 더 구비될 수 있다. 예를 들어, 연결수단(156)은 소정 두께의 금속 와이어일 수 있다. 그리고 연결수단(156)은 일단이 제1 접촉부재(153)의 접촉면(531)에, 그리고 타단이 제2 접촉부재(154)의 접촉면(541)에 각각 볼트 체결된다.The connection portion 155 is provided between the first contact member 153 and the second contact member 154 to connect the first contact member 153 and the second contact member 154. The connection unit 155 electrically connects the ground power source 162 applied to the rotating shaft 125 to the body unit 121. In addition, a connection means 156 may be further provided to electrically connect the first contact member 153 and the second contact member 154. For example, the connecting means 156 may be a metal wire of a predetermined thickness. The connecting means 156 is bolted to the contact surface 531 of the first contact member 153 at one end and to the contact surface 541 of the second contact member 154 at the other end.

연결부(155)는 제1 접촉부재(153)가 바디부(121)에 접촉된 상태가 유지될 수 있도록 제1 접촉부재(153)를 바디부(121)에 대해서 가압하도록 구비된다. 예를 들어, 연결부(155)는 제1 접촉부재(153)를 바디부(121)에 가압하는 방향으로 탄성력이 작용하도록 구비되며, 제1 접촉부재(153)와 제2 접촉부재(154) 사이에 구비되는 스프링일 수 있다. 또한, 연결부(155)는 코일 스프링 또는 판 스프링을 포함하여 다양한 탄성체가 사용될 수 있다.The connection portion 155 is provided to press the first contact member 153 against the body portion 121 so that the first contact member 153 can be held in contact with the body portion 121. For example, the connection portion 155 is provided to exert an elastic force in a direction to press the first contact member 153 against the body portion 121, and is provided between the first contact member 153 and the second contact member 154 As shown in FIG. The connecting portion 155 may include various elastic members including a coil spring or a leaf spring.

한편, 상술한 실시예와는 달리, 도 4에 도시한 바와 같이, 연결부(155)를 열에 의해 팽창하는 열팽창 재질로 형성할 수 있다.
Unlike the above-described embodiment, as shown in FIG. 4, the connecting portion 155 may be formed of a thermal expansion material that expands by heat.

이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is to be understood that the invention is not limited to the disclosed exemplary embodiments. For example, it is to be understood that the techniques described may be performed in a different order than the described methods, and / or that components of the described systems, structures, devices, circuits, Lt; / RTI > or equivalents, even if it is replaced or replaced.

그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.
Therefore, other implementations, other embodiments, and equivalents to the claims are also within the scope of the following claims.

1: 기판
10: 원자층 증착장치
11: 프로세스 챔버
12: 서셉터
121: 바디부
122: 결합홈
123: SiC 코팅층
125: 회전축
13: 샤워헤드
15: 면접촉 유닛
151: 제1 블록부
152: 제2 블록부
153: 제1 접촉부재
154: 제2 접촉부재
155: 연결부
156: 연결수단
16: 전원부
161: 고주파 전원
162: 접지 전원1: substrate
10: atomic layer deposition apparatus
11: Process chamber
12: susceptor
121: Body part
122: Coupling groove
123: SiC coating layer
125:
13: Shower head
15: Face contact unit
151: first block portion
152: second block portion
153: first contact member
154: second contact member
155:
156: Connection means
16:
161: High frequency power source
162: Ground power source

Claims (19)

서셉터 바디부의 하면에 구비되는 제1 블록부;
상기 제1 블록부의 하부에 결합되고, 서셉터의 회전축에 결합되어서 상기 서셉터 바디부와 상기 회전축을 결합시키는 제2 블록부;
상기 제1 블록부 내부에 구비되며, 상기 제1 블록부를 관통하여 일단부가 상기 바디부 하면에 면접촉되는 제1 접촉부재;
상기 제2 블록부 내부에 구비되며 상기 제1 접촉부재 하부에 구비되고, 상기 제2 블록부를 관통하여 일단부가 상기 회전축에 면접촉되는 제2 접촉부재; 및
상기 제1 접촉부재의 타단부와 상기 제2 접촉부재의 타단부를 연결시키는 연결부;
를 포함하는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
A first block portion provided on a lower surface of the susceptor body portion;
A second block coupled to a lower portion of the first block and coupled to a rotation axis of the susceptor to couple the susceptor body to the rotation axis;
A first contact member provided in the first block portion and penetrating through the first block portion and having one end in surface contact with the bottom surface of the body portion;
A second contact member provided in the second block portion and provided below the first contact member, the second contact member passing through the second block portion and having one end in surface contact with the rotation shaft; And
A connecting portion connecting the other end of the first contact member and the other end of the second contact member;
And the surface contact unit of the atomic layer deposition apparatus.
제1항에 있어서,
상기 연결부는 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 서로 탄성적으로 연결 및 지지하고, 상기 제1 접촉부재를 상기 서셉터 바디부에 대해서 가압하도록 구비되는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the connection portion is configured to elastically connect and support the first contact member and the second contact member to each other and to press the first contact member against the susceptor body portion.
제2항에 있어서,
상기 연결부는 스프링을 포함하고, 상기 스프링의 일단이 상기 제1 접촉부재에 연결되고 타단이 상기 제2 접촉부재에 연결되는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
3. The method of claim 2,
Wherein the connection portion includes a spring, one end of the spring is connected to the first contact member, and the other end is connected to the second contact member.
제3항에 있어서,
상기 연결부는 상기 제1 접촉부재를 상기 바디부에 대해서 가압하도록 구비되는 판 스프링을 포함하는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
The method of claim 3,
Wherein the connecting portion includes a leaf spring provided to press the first contact member against the body portion.
제2항에 있어서,
상기 연결부는 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 전기적으로 연결시키는 연결수단을 더 포함하는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
3. The method of claim 2,
Wherein the connecting portion further comprises connecting means for electrically connecting the first contact member and the second contact member.
제5항에 있어서,
상기 연결수단은 일단이 상기 제1 접촉부재에 연결되고 타단이 상기 제2 접촉부재에 연결되는 금속 재질의 와이어를 포함하는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
6. The method of claim 5,
Wherein the connecting means comprises a metal wire whose one end is connected to the first contact member and the other end is connected to the second contact member.
제6항에 있어서,
상기 연결수단은 양단이 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재에 각각 볼트 체결되는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
The method according to claim 6,
Wherein the connecting means is bolted to both the first contact member and the second contact member at both ends thereof.
제1항에 있어서,
상기 연결부는 열팽창 재질로 형성되는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the connection portion is formed of a thermal expansion material.
제1항에 있어서,
상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재는 금속 재질로 형성되는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the first contact member and the second contact member are made of a metal material.
제1항에 있어서,
상기 서셉터 바디부는 표면에 SiC가 코팅되거나 그래파이트 재질로 형성되고,
상기 서셉터 바디부 표면에서 상기 제1 접촉부재와 결합되는 부분은 상기 SiC 코팅이 생략되는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the susceptor body portion is formed of a graphite material, the surface of which is coated with SiC,
Wherein the SiC coating is omitted from the surface of the susceptor body portion that is coupled with the first contact member.
제1항에 있어서,
상기 제1 블록부는 SiC 재질 또는 금속 재질로 형성되고,
상기 제2 블록부는 금속 재질로 형성되는 원자층 증착장치의 면접촉 유닛.
The method according to claim 1,
Wherein the first block portion is formed of a SiC material or a metal material,
And the second block portion is formed of a metal material.
복수의 기판이 수용되어 증착공정이 수행되는 프로세스 챔버;
상기 프로세스 챔버 상부에 구비되며, 상기 기판에 복수의 증착가스를 각각 제공하는 샤워헤드;
상기 샤워헤드에 구비되어서 상기 기판에 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생부;
상기 프로세스 챔버 내부에 구비되고, 상기 복수의 기판이 수평으로 지지되고 바디부와, 상기 바디부 하부에 구비되어서 상기 바디부를 회전 가능하게 지지하되 상기 바디부와 분리되어 구비되며 접지 전원이 연결되는 회전축을 포함하는 서셉터; 및
상기 바디부와 상기 회전축 사이에 구비되어서, 상기 바디부와 상기 회전축을 연결하고, 상기 바디부의 접지를 제공하는 면접촉 유닛;
을 포함하고,
상기 면접촉 유닛은,
서셉터 바디부의 하면에 구비되는 제1 블록부;
상기 제1 블록부의 하부에 결합되고, 서셉터의 회전축에 결합되어서 상기 서셉터 바디부와 상기 회전축을 결합시키는 제2 블록부;
상기 제1 블록부 내부에 구비되며, 상기 제1 블록부를 관통하여 일단부가 상기 바디부 하면에 면접촉되는 제1 접촉부재;
상기 제2 블록부 내부에 구비되며 상기 제1 접촉부재 하부에 구비되고, 상기 제2 블록부를 관통하여 일단부가 상기 회전축에 면접촉되는 제2 접촉부재; 및
상기 제1 접촉부재의 타단부와 상기 제2 접촉부재의 타단부를 연결시키는 연결부;
를 포함하는 원자층 증착장치.
A process chamber in which a plurality of substrates are accommodated and a deposition process is performed;
A showerhead provided above the process chamber, the shower head providing a plurality of deposition gases to the substrate, respectively;
A plasma generator provided in the showerhead to generate plasma on the substrate;
A plurality of substrates disposed in the process chamber, the plurality of substrates being supported horizontally and having a body portion, a rotating body disposed below the body portion and rotatably supporting the body portion, separated from the body portion, A susceptor; And
A face contact unit provided between the body and the rotary shaft, the face contact unit connecting the body and the rotary shaft, and providing the ground of the body;
/ RTI >
The surface-
A first block portion provided on a lower surface of the susceptor body portion;
A second block coupled to a lower portion of the first block and coupled to a rotation axis of the susceptor to couple the susceptor body to the rotation axis;
A first contact member provided in the first block portion and penetrating through the first block portion and having one end in surface contact with the bottom surface of the body portion;
A second contact member provided in the second block portion and provided below the first contact member, the second contact member passing through the second block portion and having one end in surface contact with the rotation shaft; And
A connecting portion connecting the other end of the first contact member and the other end of the second contact member;
And an atomic layer deposition apparatus.
제12항에 있어서,
상기 연결부는 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 서로 탄성적으로 연결 및 지지하고, 상기 제1 접촉부재를 상기 서셉터 바디부에 대해서 가압하도록 구비되고,
상기 연결부는 스프링을 포함하고, 상기 스프링의 일단이 상기 제1 접촉부재에 연결되고 타단이 상기 제2 접촉부재에 연결되는 원자층 증착장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the connecting portion is provided to elastically connect and support the first contact member and the second contact member to each other and to press the first contact member against the susceptor body portion,
Wherein the connection portion includes a spring, one end of the spring is connected to the first contact member, and the other end is connected to the second contact member.
제13항에 있어서,
상기 연결부는 상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재를 전기적으로 연결시키는 연결수단을 더 포함하는 원자층 증착장치.
14. The method of claim 13,
Wherein the connection portion further comprises a connection means for electrically connecting the first contact member and the second contact member.
제14항에 있어서,
상기 연결수단은 일단이 상기 제1 접촉부재에 연결되고 타단이 상기 제2 접촉부재에 연결되는 금속 재질의 와이어를 포함하는 원자층 증착장치.
15. The method of claim 14,
Wherein the connecting means includes a wire made of a metal whose one end is connected to the first contact member and the other end is connected to the second contact member.
제12항에 있어서,
상기 연결부는 열팽창 재질로 형성되는 원자층 증착장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the connection portion is formed of a thermal expansion material.
제12항에 있어서,
상기 제1 접촉부재와 상기 제2 접촉부재는 금속 재질로 형성되는 원자층 증착장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the first contact member and the second contact member are formed of a metal material.
제12항에 있어서,
상기 서셉터 바디부는 표면에 SiC가 코팅되거나 그래파이트 재질로 형성되고,
상기 서셉터 바디부에서 상기 제1 접촉부재가 결합되는 부분에는 상기 SiC가 코팅이 생략되는 원자층 증착장치.
13. The method of claim 12,
Wherein the susceptor body portion is formed of a graphite material, the surface of which is coated with SiC,
Wherein the SiC coating is omitted from a portion of the susceptor body portion where the first contact member is coupled.
제12항에 있어서,
상기 제1 블록부는 SiC 재질 또는 금속 재질로 형성되고,
상기 제2 블록부는 금속 재질로 형성되는 원자층 증착장치.13. The method of claim 12,
Wherein the first block portion is formed of a SiC material or a metal material,
And the second block portion is formed of a metal material.
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