KR101610380B1 - 태양광 발전장치 및 표시장치 - Google Patents

태양광 발전장치 및 표시장치 Download PDF

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Abstract

태양광 발전장치 및 표시장치가 개시된다. 태양광 발전장치는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 윈도우층; 상기 윈도우층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제 2 전극층을 포함한다.
solar, cell, OLED, 유기, 발광, CIGS

Description

태양광 발전장치 및 표시장치{SOLAR CELL APPARATUS AND DISPLAY DEVICE}
실시예는 태양광 발전장치 및 표시장치에 관한 것이다.
광전 변환 효과를 이용하여 빛에너지를 전기 에너지로 변환하는 태양광 발전 모듈은 지구 환경의 보전에 기여하는 무공해 에너지를 얻는 수단으로 널리 사용되고 있다.
태양 전지의 광전 변환 효율이 개선됨에 따라, 태양광 발전 모듈을 구비한 많은 태양광 발전 시스템이 주거 용도로까지 설치되기에 이르렀다.
실시예는 태양전지 및 표시장치를 일체화하여, 소모되는 전력을 감소시키고, 저 비용으로 용이하게 제조될 수 있는 태양광 발전장치 및 표시장치를 제공하고자 한다.
일 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 윈도우층; 상기 윈도우층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 전극층; 상기 제 1 전극층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 제 2 전극층을 포함한다.
일 실시예에 따른 표시장치는 지지기판; 상기 지지기판 상에 배치되는 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 배치되는 광-전 변환층; 상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층; 상기 윈도우층 상에 배치되는 발광층; 및 상기 발광층 상에 배치되는 투명전극층을 포함한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 광 흡수층 및 발광층을 포함한다. 이때, 광 흡수층 및 발광층은 제 1 전극층을 공유하여 사용한다. 즉, 제 2 전극층은 광 흡수층의 전극으로 기능하고, 또한, 발광층의 전극으로 기능한다.
마찬가지로, 실시예에 따른 표시장치는 광-전 변환층 및 발광층을 포함하고, 광-전 변환층 및 발광층은 윈도우층을 전극으로 공유하여 사용한다.
따라서, 태양전지 및 표시장치가 일체화되고, 공정 수가 줄어들며, 비용이 저감될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치 및 표시장치는 용이하게 저비용으로 제조될 수 있다.
또한, 발광층과 광 흡수층 사이 또는 발광층과 광-전 변환층 사이의 저항이 감소될 수 있고, 실시예에 따른 표시장치는 소모 전력을 감소시킬 수 있다.
즉, 발광층은 광 흡수층 또는 광-전 변환층으로부터 생성되는 전기에너지를 직접 입력받아서, 영상을 표시할 수 있다.
실시 예의 설명에 있어서, 각 기판, 셀, 부, 층, 전극 또는 영역 등이 각 기판, 셀, 부, 층, 전극 또는 영역 등의 "상(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상(on)"과 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 구성요소를 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 구성요소의 상 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서의 각 구성요소들의 크기는 설명을 위하여 과장될 수 있으며, 실제로 적용되는 크기를 의미하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 도면이다. 도 2는 발광영역(500)의 단면을 자세하게 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 지지기판(100), 윈도우층(200), 버퍼층(310), 고저항 버퍼층(320), 광 흡수층(330), 이면전극 층(400), 발광영역(500) 및 투명전극층(600)을 포함한다.
상기 지지기판(100)은 플레이트 형상을 가진다. 상기 지지기판(100)은 절연체이다. 상기 지지기판(100)은 리지드(rigid)하거나 플렉서블(flexible)할 수 있다. 상기 지지기판(100)은 투명하다. 상기 지지기판(100)은 예를 들어, 소다라임 글래스(soda-lime glass) 기판일 수 있다. 또한, 상기 지지기판(100)은 상기 윈도우층(200), 상기 고저항 버퍼층(320), 상기 버퍼층(310), 상기 광 흡수층(330), 상기 이면전극층(400), 상기 발광층(520) 및 상기 투명전극층(600)을 지지한다.
상기 윈도우층(200)은 상기 지지기판(100) 상에 배치된다. 상기 윈도우층(200)은 투명하며, 도전층이다. 상기 윈도우층(200)은 n형 도전층이다. 또한, 상기 윈도우층(200)은 전극층이라고 할 수 있다.
상기 윈도우층(200)으로 사용되는 물질의 예로서는 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(aluminum doped zinc oxide;AZO) 또는 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide;ITO) 등을 들 수 있다.
상기 고저항 버퍼층(320)은 상기 윈도우층(200) 상에 배치된다. 상기 고저항 버퍼층(320)으로 사용되는 물질의 예로서는 불순물이 도핑되지 않는 징크 옥사이드(intrinsic zinc oxide;i-ZnO) 등을 들 수 있다. 상기 고저항 버퍼층(320)의 밴드갭 에너지는 약 3.1eV 내지 약 3.3eV일 수 있다.
상기 버퍼층(310)은 상기 고저항 버퍼층(320) 상에 배치된다. 상기 버퍼층(310)으로 사용되는 물질의 예로서는 황화 카드뮴 등을 들 수 있다. 상기 버퍼층(310)의 두께는 약 50㎚ 내지 약 150㎚일 수 있다. 또한, 상기 버퍼층(310)의 밴 드갭 에너지는 약 2.0eV 내지 약 2.5eV일 수 있다.
상기 윈도우층(200) 및 상기 고저항 버퍼층(320)은 물리기상증착(physical vapor deposition;PVD) 또는 화학기상증착(chemical vapor deposition;CVD) 등과 같은 진공 증착 방식에 의해서 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(310)은 용액 성장법(chemical bath deposition;CBD) 등과 같은 딥핑(dipping) 방식에 의해서 형성될 수 있다.
상기 광 흡수층(330)은 상기 버퍼층(310) 상에 배치된다. 상기 광 흡수층(330)은 입사되는 태양광을 흡수한다. 상기 광 흡수층(330)은 예를 들어, Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족계 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광 흡수층(330)은 구리-인듐-갈륨-셀레나이드계(Cu(In,Ga)Se2;CIGS계) 결정 구조, 구리-인듐-셀레나이드계 또는 구리-갈륨-셀레나이드계 결정 구조를 가질 수 있다.
상기 광 흡수층(330)의 에너지 밴드갭(band gap)은 약 1eV 내지 1.8eV일 수 있다.
상기 광 흡수층(330)은 입사되는 태양광을 전기에너지로 변환시키는 광-전 변환층이다.
상기 이면전극층(400)은 상기 광 흡수층(330) 상에 배치된다. 상기 이면전극층(400)은 도전층이다. 상기 이면전극층(400)은 상기 광 흡수층(330)에 접촉한다.
상기 이면전극층(400)으로 사용되는 물질의 예로서는 몰리브덴(Mo), 인듐 틴 옥사이드 또는 인듐 징크 옥사이드 등의 금속을 들 수 있다.
상기 광 흡수층(330) 및 상기 이면전극층(400)은 진공 증착 방식에 의해서 형성될 수 있다.
상기 발광영역(500)은 상기 이면전극층(400) 상에 배치된다. 상기 발광영역(500)은 상기 이면전극층(400) 및 상기 투명전극층(600) 사이에 개재된다. 상기 발광영역(500)은 상기 이면전극층(400) 및 상기 투명전극층(600)에 접촉할 수 있다.
상기 발광영역(500)은 상기 이면전극층(400)으로부터 주입되는 정공 및 상기 투명전극층(600)으로부터 주입되는 전자를 결합시켜서, 광을 발생시킨다. 상기 발광영역(500)은 투명할 수 있다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 발광영역(500)은 정공 수송층(510), 발광층(520) 및 전자 수총층(530)을 포함한다.
상기 정공 수송층(510)은 상기 이면전극층(400)에 인접한다. 상기 정공 수송층(510)은 상기 이면전극층(400)으로부터 전달받은 정공을 상기 발광층(520)으로 수송한다.
상기 정공 수송층(510)의 두께는 약 0.5㎚ 내지 1000㎚, 바람직하게 약 10㎚ 내지 800㎚ 일 수 있다.
상기 정공 수송층(510)은 정공 수송 성능이 높은 정공 수송 물질을 포함한다. 상기 정공 수송 물질의 예로서는 트리아민류, 테트라민류, 벤지딘류, 트리아릴아민류, 아릴렌디아민 유도체, 페닐렌디아민 유도체, 파라페닐렌디아민 유도체, 메터페닐렌디아민 유도체, 1,1-비스(4-디아릴아미노페닐)시클로헥산류, 4,4'-디(디아릴아미노)비페닐류, 비스[4-(디아릴아미노)페닐]메탄류, 4,4''-디(디아릴아미노)터 페닐류, 4,4'''-디(디아릴아미노)쿼터페닐류, 4,4'-디(디아릴아미노)디페닐에테르류, 4,4'-디(디아릴아미노)디페닐술판류, 비스[4-(디아릴아미노)페닐]디메틸메탄류, 비스[4-(디아릴아미노)페닐]-디(트리플루오로메틸)메탄류 등을 들 수 있고, 그 중에서도 아릴-디(4-디아릴아미노페닐)아민류, 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐 등을 들 수 있다.
상기 정공 수송층(510)은 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법, 스핀 코팅법, 전자빔 증착법 등에 의해서, 상기 이면전극층(400) 상에 형성될 수 있다.
상기 발광층(520)은 상기 정공 수송층(510) 상에 형성된다. 상기 발광층(520)은 상기 정공 수송층(510) 및 상기 전자 수총층(530)에 접촉한다.
상기 발광층(520)은 광을 발생시킨다. 상기 발광층(520)에서는 상기 이면전극층(400) 및 상기 투명전극층(600)으로부터 각각 주입된 정공 및 전자가 결합하여, 여기 상태가 된다. 이후, 상기 여기 상태에서 기저 상태로 되돌아 갈 때에, 상기 발광층(520)은 광을 발광한다.
상기 발광층(520)의 두께는 약 0.6㎚ 내지 70㎚이고, 바람직하게 약 5㎚ 내지 60㎚이다. 또한, 상기 발광층(520)은 호스트 물질 및 발광 도펀트를 함유한다.
상기 발광층(520)에 사용되는 호스트 물질은 바이폴라성 특징을 가지며, 정공 수송 능력 및 전자 수송 능력이 높은 물질이다.
상기 발광층(520)에 사용되는 호스트 물질의 예로서는 디스티릴아릴렌류, 스틸벤류, 카르바졸 유도체, 트리아릴아민류, 알루미늄비스(2-메틸-8-퀴놀리노라트)(p-페닐페놀레이트) 및 4,4'-비스(2,2-디아릴비닐)비페닐류 등을 들 수 있다.
상기 발광층(520)에 사용되는 발광 도펀트는 다양한 색상의 발광능을 가진다. 상기 발광 도펀트의 예로서는 피렌류, 페릴렌류, 안트라센류, 디스티릴아민 유도체, 벤조옥사졸류, 퀴놀리노라트계 금속착물, 벤조티아졸류, 벤조이미다졸류, 크리센류, 페난트렌류, 디스티릴벤젠류, 디스티릴아릴렌류, 디비닐아릴렌류, 트리스스티릴아릴렌류, 트리아릴에틸렌류 및 테트라아릴부타디엔류 등을 들 수 있다. 상기 발광 도펀트는 약 3 내지 5 wt%의 비율로 상기 호스트 물질에 도핑된다.
상기 발광층(520)은 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법, 스핀 코팅법 및 전자빔 증착법 등의 공정에 의해서 형성될 수 있다.
상기 전자 수총층(530)은 상기 발광층(520) 상에 형성된다. 상기 전자 수총층(530)은 상기 발광층(520) 및 상기 투명전극층(600) 사이에 개재된다. 상기 전자 수총층(530)은 투명전극층(600)으로부터 주입된 전자를 상기 발광층(520)으로 수송한다.
상기 전자 수총층(530)의 두께는 약 1㎚ 내지 50㎚이고, 바람직하게, 약 10㎚ 내지 40㎚이다.
상기 전자 수총층(530)은 상기 발광층(520)과의 상호작용을 방지하기 위해서 두 개의 층으로 형성될 수 있다.
상기 전자 수총층(530)은 발광 효율을 향상시키기 위해서, 전자 이동도가 높은 전자 수송 물질을 함유한다.
여기서, 전자 수총 재료로는, 페난트롤린 유도체, 페난트롤린 유도체, 트리아졸 유도체, 옥사졸 유도체, 옥사디아졸 유도체, 퀴녹살린 유도체, 시롤 유도체, 퀴놀린 유도체, 피롤 유도체, 벤조피롤 유도체, 테트라페닐메탄 유도체, 피라졸 유도체, 티아졸 유도체, 트리페닐메탄 유도체, 벤조티아졸 유도체, 티아디아졸 유도체, 티오나프텐 유도체, 스피로계 화합물, 이미다졸 유도체, 벤조이미다졸 유도체 및 디스티릴벤젠 유도체 등을 들 수 있고, 바람직하게 2,9-디메틸-4,7-디페닐페난트롤린 등을 들 수 있다. 또한, 상기 전자 수송 물질은 단독 또는 조합하여 상기 전자 수총층(530)에 사용될 수 있다.
상기 전자 수총층(530)은 스퍼터링법, 이온 플레이팅법, 진공 증착법, 스핀 코팅법 및 전자빔 증착법 등의 공정에 의해서, 상기 발광층(520) 상에 형성될 수 있다.
상기 발광영역(500)은 정공 주입층 및 전자 주입층을 더 포함할 수 있다.
이때, 상기 정공 주입층은 상기 정공 수송층(510) 및 상기 이면전극층(400) 사이에 개재되고, 상기 전자 주입층은 상기 투명전극층(600) 및 상기 전자 수총층(530) 사이에 개재될 수 있다.
상기 투명전극층(600)은 상기 발광층(520) 상에 배치된다. 상기 투명전극층(600)은 투명하며, 도전층이다. 상기 투명전극층(600)으로 사용되는 물질의 예로서는 인듐 틴 옥사이드, 인듐 징크 옥사이드 또는 틴 옥사이드(tin oxide) 등을 들 수 있다.
상기 투명전극층(600)의 두께는 약 100nm 내지 100㎛일 수 있다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 태양광을 입사받아, 전기에너지를 생산한다. 더 자세하게, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 지지기판(100)을 통하여, 입사되는 태양광을 이용하여, 전위차를 형성한다.
더 자세하게, 상기 광 흡수층(330)은 상기 태양광을 흡수하여, 전자를 상기 윈도우층(200)으로 이동시키고, 정공을 상기 이면전극층(400)으로 이동시킨다. 즉, 상기 광 흡수층(330)은 상기 태양광을 흡수하여, 전기에너지를 생성한다.
이때, 상기 발광영역(500)은 상기 광 흡수층(330)에서 생성된 전기에너지를 이용하여, 광을 발생시킨다. 더 자세하게, 상기 발광층(520)은 상기 윈도우층(200)으로 이동된 전자 및 상기 이면전극층(400)으로 이동된 정공을 결합시켜서, 광을 발생시킨다.
이때, 상기 발광영역(500)은 상기 투명전극층(600) 및 상기 윈도우층(200)을 선택적으로 연결하는 스위칭부(700)에 의해서 제어될 수 있다. 즉, 상기 스위칭부(700)에 의해서, 상기 발광영역(500)은 턴-온 또는 턴-오프된다.
이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 발광영역(500)에 영상을 표시할 수 있다. 즉, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상방으로 영상을 표시할 수 있다.
예를 들어, 실시예에 따른 태양광 발전장치에 건물에 설치될 때, 상기 지지기판(100)은 실외에 배치되고, 상기 투명전극층(600)은 실내에 배치될 수 있다. 이에 따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 태양광을 입사받아, 전기에너지를 생산할 뿐만 아니라, 영상을 표시할 수 있는 표시장치이다.
또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 이면전극층(400) 및 상기 윈도우층(200)에 연결되는 축전장치(800) 등을 더 포함할 수 있다. 상기 축전장치(800) 는 영상이 표시되지 않는 동안에 전기에너지를 저장할 수 있다. 이와는 다르게, 상기 축전장치(800)는 영상이 표시되는 동안에도 전기에너지를 저장할 수 있다.
상기 광 흡수층(330) 및 상기 발광층(520)은 이면전극층(400)을 공유하여 사용한다. 즉, 이면전극층(400)은 광 흡수층(330)의 전극으로 기능하고, 또한, 발광층(520)의 전극으로 기능한다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 태양전지 및 표시장치가 일체화된 구조를 가지며, 적은 공정 수 및 적은 비용으로 제조될 수 있다.
따라서, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 용이하게 저비용으로 제조될 수 있다.
또한, 상기 발광층(520)과 상기 광 흡수층(330) 사이의 저항이 감소될 수 있고, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 적은 소모 전력으로 영상을 표시할 수 있다.
즉, 상기 발광층(520)은 광 흡수층(330)으로부터 생성되는 전기에너지를 직접 입력받아서, 영상을 표시할 수 있다.
도 3은 다른 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 도면이다. 도 4는 발광영역을 자세하게 도시한 도면이다. 본 실시예에서는 앞서 설명한 실시예를 참조하고, 각각의 층의 위치에 대해서 추가적으로 설명한다. 변경된 부분을 제외하고, 앞서 설명한 실시예에 대한 설명은 본 실시예의 설명에 본질적으로 결합될 수 있다.
도 3을 참조하면, 지지기판(100) 상에 이면전극층(400)이 배치된다. 또한, 상기 이면전극층(400) 상에 광 흡수층(330)이 배치된다. 상기 광 흡수층(330) 상에 버퍼층(310) 및 고저항 버퍼층(320)이 차례로 적층된다.
상기 고저항 버퍼층(320) 상에 윈도우층(200)이 배치된다. 또한, 상기 윈도우층(200) 상에 발광영역(500)이 배치되고, 상기 발광영역(500) 상에 투명전극층(600)이 배치된다.
즉, 상기 윈도우층(200)은 상기 광 흡수층(330) 및 상기 발광영역(500) 사이에 개재된다.
또한, 상기 발광영역(500)은 상기 윈도우층(200) 상에 배치되는 전자 수총층(530), 상기 전자 수총층(530) 상에 배치되는 발광층(520) 및 상기 발광층(520) 상에 배치되는 정공 수송층(510)을 포함한다.
스위칭부(700)는 상기 이면전극층(400) 및 상기 투명전극층(600)을 선택적으로 연결하여, 상기 발광영역(500)을 제어한다.
상기 광 흡수층(330)은 상방으로부터 입사되는 태양광을 흡수하여, 전기에너지를 생성시킨다. 즉, 상기 투명전극층(600), 상기 발광층(520) 및 상기 윈도우층(200)을 통하여 상기 광 흡수층(330)에 태양광이 입사된다.
이와 같이 입사된 태양광을 이용하여, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 전기에너지를 생산하고, 이를 축전장치(800)에 저장할 수 있다.
또한, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상기 전기에너지를 이용하여, 영상을 표시할 수 있다.
즉, 상기 광 흡수층(330)으로부터 생성되어, 수송된 전자는 상기 윈도우 층(200)을 통하여, 상기 발광영역(500)에 공급된다. 또한, 상기 광 흡수층(330)으로부터 생성되어, 수송된 정공은 상기 이면전극층(400) 및 상기 투명전극층(600)을 통하여, 상기 발광영역(500)에 공급된다.
이에 따라서, 상기 발광층(520)은 광을 발생시키고, 실시예에 따른 태양광 발전장치는 상방으로 영상을 표시한다.
실시예에 따른 태양광 발전장치는 건물 등의 외벽에 설치되는 경우, 추가적인 전원 공급 없이, 외부에 영상을 표시할 수 있다.
마찬가지로, 상기 광 흡수층(330) 및 상기 발광영역(500)은 상기 윈도우층(200)을 공유하기 때문에, 용이하게 저비용을 제조될 수 있고, 적은 소모 전력을 가진다.
또한, 이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 도면이다.
도 2는 발광영역의 단면을 자세하게 도시한 도면이다.
도 3은 다른 실시예에 따른 태양광 발전장치를 도시한 도면이다.
도 4는 발광영역을 자세하게 도시한 도면이다.

Claims (10)

  1. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 배치되는 윈도우층;
    상기 윈도우층 상에 배치되는 광 흡수층;
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 제 1 전극층;
    상기 제 1 전극층 상에 배치되는 발광영역;
    상기 발광영역 상에 배치되는 제 2 전극층; 및
    상기 발광영역은 전자수송층, 정공수송층 및 상기 전자수송층과 상기 정공수송층 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 태양광 발전장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 I-III-VI족 원소를 포함하고,
    상기 발광층은 유기 발광 물질을 포함하는 태양광 발전장치.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 발광층은 상기 광 흡수층에서 생성되는 전기에너지를 사용하여 광을 발생시키는 태양광 발전장치.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 윈도우층은 징크 옥사이드 또는 인듐 틴 옥사이드를 포함하고,
    상기 제 1 전극층은 인듐 틴 옥사이드, 몰리브덴 또는 인듐 징크 옥사이드를 포함하는 태양광 발전장치.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 광 흡수층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 버퍼층과 상기 버퍼층 및 상기 윈도우층 사이에 개재되는 고저항 버퍼층을 포함하는 태양광 발전장치.
  6. 지지기판;
    상기 지지기판 상에 배치되는 이면전극층;
    상기 이면전극층 상에 배치되는 광-전 변환층;
    상기 광 흡수층 상에 배치되는 윈도우층;
    상기 윈도우층 상에 배치되는 발광영역;
    상기 발광영역 상에 배치되는 투명전극층; 및
    상기 발광영역은 전자수송층, 정공수송층 및 상기 전자수송층과 상기 정공수송층 사이에 개재되는 발광층을 포함하는 표시장치.
  7. 제 6 항에 있어서, 이면전극층 및 상기 투명전극층을 선택적으로 연결하는 스위칭부를 포함하는 표시장치.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 상기 투명전극층을 통하여 입사되는 광을 이용하여 전기에너지를 생성하고,
    상기 발광층은 상기 투명전극층을 통하여 영상을 표시하는 표시장치.
  9. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광층은 상기 정공수송층 상에 형성되고 상기 정공수송층 및 상기 전자수송층과 접촉하는 태양광 발전장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 발광층에 사용되는 호스트 물질은 바이폴라 특성을 가지며, 디스티릴아릴렌류, 스틸벤류, 카르바졸 유도체, 트리아릴아민류, 알루미늄비스(2-메틸-8-퀴놀리노라트)(p-페닐페놀레이트) 및 4,4'-비스(2,2-디아릴비닐)비페닐류 중 어느 하나를 포함하는 태양광 발전장치.
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