KR101598572B1 - Composition for desmut treatment and method of desmut treatment of aluminum alloy using the same - Google Patents

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이성욱
설태준
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Abstract

The present invention relates to a composition for desmut treatment of an aluminum alloy to be used in a desmut process, which is one of pretreatment processes executed to perform plating and painting of an aluminum alloy product, and a desmut treatment method using the same. The composition for desmut treatment of the present invention includes a phosphoric acid, a sulfate compound, an ammonium compound and a solvent. The composition for desmut treatment according to the present invention is eco-friendly and has an excellent smut removal ratio without using a nitric acid.

Description

알루미늄 합금의 디스머트 처리용 조성물 및 이를 이용한 디스머트 처리방법{COMPOSITION FOR DESMUT TREATMENT AND METHOD OF DESMUT TREATMENT OF ALUMINUM ALLOY USING THE SAME}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a composition for dismutting aluminum alloy,

본 발명은 알루미늄 합금 제품의 도금 및 도장을 수행하기 위해 실시하는 전처리 공정 중 하나인 디스머트 공정에 사용하기 위한 디스머트 처리용 조성물에 관한 것이다.
The present invention relates to a composition for treating a desmut for use in a desmut process, which is one of pretreatment processes carried out to perform plating and painting of an aluminum alloy product.

알루미늄 합금은 부품의 경량화에 적합하기 때문에 최근에는 거의 모든 구조부품에 이용되고 있는 실정이다. 이에 따라 알루미늄으로 제조한 제품에 대한 도금의 수요도 급증하고 있다.
Aluminum alloys are suitable for almost all structural parts since they are suitable for weight reduction of parts. As a result, the demand for plating for products made of aluminum is increasing rapidly.

알루미늄 합금 소재 등은 일반적으로 Al 및 기타 함유성분(Si, Fe, Cu, Mn, Mg, Zn, Ni)으로 구성되며, 일반적으로 Al-Si-금속계 알루미늄 합금으로 이루어진 주조용 알루미늄 합금 제품은 표면이 산화되기 쉽다. 그리하여, 그 소재의 표면의 내식성 및 외관을 좋게 하기 위하여 표면을 도금(plating), 도장(paint), 양극산화(Anodizing) 등에 의한 표면처리가 요구되고 있다.
Aluminum alloys are generally composed of Al and other components (Si, Fe, Cu, Mn, Mg, Zn, Ni). Aluminum alloy products for casting, which are generally made of Al- It is easy to oxidize. Therefore, in order to improve the corrosion resistance and appearance of the surface of the material, surface treatment by plating, painting, anodizing, etc. is required.

일반적으로 알루미늄 소재 표면을 도금 방법을 통해 크롬 도금을 하였을 때, 소재 표면의 산화물로 인하여 도금 후 밀착 불량 또는 제품 출하 후 밀착 불량 등 많은 도금 불량을 야기한다. 그러므로, 도금 수행 전에 표면의 산화물을 제거하기 위한 일련의 전처리 과정이 필요하다. 구체적으로, 도금 공정을 수행하기에 앞서, 처리 대상 제품의 표면에 대하여 탈지, 에칭, 디스머트, 아노다이징 및 세정 등의 전처리 공정을 수행하고 있다.
Generally, when the surface of an aluminum material is chrome-plated by a plating method, due to the oxide on the surface of the material, a lot of plating defects such as adhesion failure after plating or poor adhesion after shipment are caused. Therefore, a series of pretreatment steps are required to remove the oxides of the surface before plating. Specifically, prior to performing the plating process, a pretreatment step such as degreasing, etching, desmutting, anodizing, and cleaning is performed on the surface of a product to be treated.

이러한 전처리 공정은 최종 표면처리된 제품의 안정성, 내구성 등에 관여하는 공정으로서, 제품의 품질에 결정적인 영향을 끼친다. 상기 전처리 공정 중, 상기 에칭 공정은 알루미늄 합금 소재 등을 산 또는 알카리 세정을 통해 알루미늄 제품의 표면에 형성된 산화막을 제거하는 공정으로서, 이러한 산화막을 제거하는 과정에서 알루미늄 금속 표면에 생성된 환원성 금속염인 스머트가 필수적으로 발생되고 있다.
Such a pretreatment process is a process involving stability, durability, etc. of the final surface-treated product, which has a decisive influence on the quality of the product. In the pretreatment step, the etching step is a step of removing an oxide film formed on the surface of an aluminum product through an acid or alkali cleaning of an aluminum alloy material or the like. In the process of removing the oxide film, a reducing metal salt Mert is essential.

이러한 스머트는 산 또는 알카리 수용액으로 된 에칭용액에 침적시켜 에칭처리 된 알루미늄 합금 소재표면은 Si 및 Fe, Cu, Mn, Mg, Zn 및 Ni를 포함하는 소재 내부에서 제공되거나 에칭과정에서 환원된 금속염 불순물이 표면에 나타남으로써 생성되는 것으로서, 제품 표면에 대한 도금이나 피막을 형성한 후에도 도금이나 피막의 밀착성이 충분하지 않아 박리를 야기하는 등, 표면처리 제품의 불량 원인에 가장 큰 영향을 주는 요인으로 작용하는바, 이러한 스머트는 반드시 제거되어야 한다.
The surface of the aluminum alloy material which has been etched by immersing it in an etching solution composed of an acid or an aqueous alkali solution may be provided in a material containing Si and Fe, Cu, Mn, Mg, Zn and Ni, Is formed on the surface of the product, and the plating or the coating is not sufficiently adhered even after plating or coating on the surface of the product, which causes peeling, which is a factor that largely affects the cause of the defect in the surface treatment product This smudge must be removed.

특히 디스머트 공정이 충분히 행해지지 않은 경우에는 제품 표면에 대한 도금이나 피막을 형성한 후에도 도금이나 피막의 밀착성이 충분하지 않아 박리를 야기하는 등, 표면처리 제품의 불량 원인에 가장 큰 영향을 주는 부분이며, 전체 가공비용에 미치는 영향도 상당히 큰 중요한 공정이다.
Particularly, when the dismut process is not sufficiently carried out, there is a problem that the adhesion of the plating or the coating is insufficient even after the plating or coating is formed on the surface of the product, And it is an important process having a considerably large influence on the entire machining cost.

이러한 스머트는 통상 디스머트 처리액으로서 진한 질산과 불산 등의 혼산액을 사용하여 수행해 왔으며, 이러한 스머트는 상기 디스머트 처리액에 빠르게 용해되어 알루미늄 합금 소재 등의 표면으로부터 분리되어 표면처리 조성물 중에 침전하게 된다.
Such smudge is usually carried out by using a mixed liquid such as concentrated nitric acid and hydrofluoric acid as a dismutting liquid, which is rapidly dissolved in the desmutting liquid to be separated from the surface of the aluminum alloy material and precipitated in the surface treating composition do.

종래에 주로 사용된 디스머트 처리액으로서, 상기 처리액 중에 포함되는 질산은 디스머트 공정 중에 질산 가스(NOx)를 발생시켜 인체 및 환경에 악영향을 끼치는 것으로서, 그 사용이 제한되고 있는 실정이다. 또한 피처리 알루미늄 표면에 많은 손상을 야기하며, 이로 인해 후속 공정인 크로메이트, 징케이트 처리에도 악영향을 미친다.
As the desmut treatment liquid which is conventionally used, nitric acid contained in the treatment liquid generates nitric acid gas (NOx) during the desmut process and adversely affects the human body and the environment, and its use is limited. In addition, it causes a lot of damage to the surface of the aluminum to be treated, which adversely affects the subsequent processes such as chromate and zincate treatment.

이에, 질산을 포함하지 않아 친환경적이고 종래 질산을 포함하는 디스머트 처리액에 비해 우수한 스머트 제거율을 나타냄과 동시에 디스머트 처리과정에서 알루미늄 합금의 표면에 손상을 최소화할 수 있는 무질산 디스머트 처리 조성물의 개발이 요구되고 있다.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a non-nitric acid dismut treatment composition which does not contain nitric acid and is environmentally friendly, exhibits a superior smut removal rate as compared with the conventional dismutation treatment liquid containing nitric acid and minimizes damage to the surface of the aluminum alloy during the dismut treatment process Has been demanded.

이에, 본 발명은 질산을 사용하지 않아 친환경적이면서 스머트 제거율이 우수한 디스머트 처리용 조성물을 제공하고자 한다.
Accordingly, it is an object of the present invention to provide a desmut treatment composition which is eco-friendly and excellent in a smut removal ratio without using nitric acid.

또한, 알루미늄 합금, 특히 Al-Si-금속계 알루미늄 합금 제품에 적용하였을 때 제품의 표면에 큰 손상 없이 안정적으로 디스머트 처리를 할 수 있어 도금 품질을 향상시킬 수 있는 디스머트 처리 조성물을 제공하고자 한다.
Further, it is intended to provide a dismut treatment composition capable of stably performing dismut treatment on a surface of a product when applied to an aluminum alloy, particularly an Al-Si-metal-based aluminum alloy product, thereby improving plating quality.

본 발명은 일 구현예로서, 인산, 황산염계 화합물, 암모늄계 화합물 및 용매를 포함하는 디스머트 처리용 조성물을 제공한다.In one embodiment, the present invention provides a composition for treating a desmut containing phosphoric acid, a sulfate compound, an ammonium compound, and a solvent.

이때, 상기 조성물은 85% 농도의 인산 50 내지 90중량%, 암모늄 화합물 5 내지 30중량% 및 황산염 화합물 1 내지 20중량%의 함량으로 포함할 수 있다.At this time, the composition may include 50 to 90% by weight of 85% phosphoric acid, 5 to 30% by weight of ammonium compound, and 1 to 20% by weight of sulfate compound.

상기 암모늄 화합물은, 암모늄 하이드록사이드(H5NO), 암모늄 아세테이트(C2H7NO2), 암모늄 포메이트(NH4CHO2), 암모늄 나이트레이트(NH4NO3), 암모늄 하이드로젠 설페이트 (NH4HSO4), 암모늄 설페이트 ((NH4)2SO4), 암모늄 설파이드(H8N2S), 암모늄 아디페이트(C6H16N2O4), 암모늄 플루오라이드(NH4F), 암모늄 클로라이드(NH4Cl), 테트라에틸암모늄 아세테이트(C8H20NC2H3O2), 암모늄 헥사플루오르실리케이트 ((NH4)2SiF6),테트라프로필 암모늄 바이설페이트 (C12H28NHSO4), 암모늄 포스피네이트(NH4H2PO2), 암모늄 하이드로젠 말레이트(C4H7NO4), 암모늄 벤조에이트 (C7H9NO2), 과염소산테트라부틸암모늄(C16H36NClO4), 암모늄 바이플루오라이드(NH4HF2) 및 암모늄 옥살레이트(C2H8N2O4)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.The ammonium compound is selected from the group consisting of ammonium hydroxide (H 5 NO), ammonium acetate (C 2 H 7 NO 2 ), ammonium formate (NH 4 CHO 2 ), ammonium nitrate (NH 4 NO 3 ), ammonium hydrogen sulfate (NH 4 HSO 4), ammonium sulphate ((NH 4) 2 SO 4 ), ammonium sulfide (H 8 N 2 S), ammonium adipate (C 6 H 16 N 2 O 4), ammonium fluoride (NH 4 F ), ammonium chloride (NH 4 Cl), tetraethyl ammonium acetate (C 8 H 20 NC 2 H 3 O 2), ammonium hexafluorotitanate silicate ((NH 4) 2 SiF 6 ), tetrapropyl ammonium bisulfate (C 12 H 28 NHSO 4), ammonium phosphinate (NH 4 H 2 PO 2) , ammonium hydrogen maleate (C 4 H 7 NO 4) , ammonium benzoate (C 7 H 9 NO 2) , perchloric acid tetrabutylammonium (C One or two selected from the group consisting of ammonium bicarbonate ( 16 H 36 NClO 4 ), ammonium bifluoride (NH 4 HF 2 ) and ammonium oxalate (C 2 H 8 N 2 O 4 ) Or more.

상기 황산염 화합물은 황산칼슘(CaSO4), 황산암모늄((NH4)2SO4), 과산화황산암모늄((NH4)2SO5), 황산디에틸(C4H10O4S), 메탄설폰산(CH4O3S), 디메틸설폭사이드(C2H6OS), 황산제이철(Fe2(SO4)3), 황산마그네슘(MgSO4), 황산수은(HgSO4), 황산동(CuSO4), 황산니켈(NiSO4), 황산칼륨(K2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 과산화이중황산나트륨(Na2S2O8) 및 티오황산나트륨(Na2S2O3)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.The sulfate compound may be selected from the group consisting of calcium sulfate (CaSO 4 ), ammonium sulfate ((NH 4 ) 2 SO 4 ), ammonium peroxodisulfate ((NH 4 ) 2 SO 5 ), diethyl sulfate (C 4 H 10 O 4 S) sulfonic acid (CH 4 O 3 S), dimethylsulfoxide (C 2 H 6 OS), ferric sulfate (Fe 2 (SO 4) 3 ), magnesium sulfate (MgSO 4), sulfuric acid, mercury (HgSO 4), copper sulfate (CuSO 4 ), nickel sulfate (NiSO 4 ), potassium sulfate (K 2 SO 4 ), sodium sulfate (Na 2 SO 4 ), sodium peroxide disodium sulfate (Na 2 S 2 O 8 ) and sodium thiosulfate (Na 2 S 2 O 3 ) ≪ / RTI > and mixtures thereof.

상기 디스머트 처리용 조성물은 5 내지 30℃의 온도를 갖는 것이 바람직하다.
The desmutting composition preferably has a temperature of 5 to 30 캜.

또한, 본 발명은 다른 구현예로서, 알루미늄 합금 및 알루미늄 다이캐스트 합금으로서, 환원성 금속염이 생성된 합금 표면을 상기 디스머트 처리용 조성물에 침지시켜, 합금 표면에 생성된 환원성 금속염의 스머트를 제거하는 것인 디스머트 처리 방법을 제공한다.In another embodiment of the present invention, an aluminum alloy and an aluminum die-cast alloy are prepared by dipping a surface of an alloy on which a reducing metal salt has been formed in the desmutting composition to remove a reducing metal salt formed on the surface of the alloy And the like.

이때, 상기 침지는 상기 디스머트 처리용 조성물에 30초~10분 동안 수행하는 것이 바람직하다.
At this time, it is preferable that the immersion is performed in the desmut treatment composition for 30 seconds to 10 minutes.

본 발명의 일 구현예에 따른 알루미늄 합금의 디스머트 처리용 조성물은 기존 질산형 디스머트 처리용액 보다 우수한 스머트 제거 효율을 얻을 수 있다. 따라서, 알루미늄 합금을 손쉽게 도금 및 도장할 수 있음으로, 생산성 향상을 도모할 수 있다. 즉, 에칭된 알루미늄 합금(다이캐스트) 표면의 규소 및 환원성 금속염 불순물이 효과적으로 제거됨으로써 최종 도금 및 도장, 양극 산화시에 밀착성 및 균일성을 증대할 수 있다.
The composition for treating a dismutate of an aluminum alloy according to an embodiment of the present invention can obtain a smut removal efficiency superior to that of a conventional nitrate-type dismutated solution. Therefore, the aluminum alloy can be easily plated and painted, so that the productivity can be improved. That is, silicon and reductive metal salt impurities on the surface of the etched aluminum alloy (die cast) are effectively removed, so that adhesion and uniformity can be increased during final plating and coating and anodic oxidation.

또한, 알루미늄 합금 소재에서 탈지, 에칭 후 남은 잔류 오일을 완전히 용해 제거할 수 있으며, 알루미늄 합금의 표면 손상을 최소화할 수 있어 후 공정인 크로메이트, 징케이트 및 도금/도장 등의 공정에서도 균일한 표면 개질의 처리 결과를 얻을 수 있어 품질을 개선할 수 있다.
In addition, it is possible to completely dissolve and remove residual oil after degreasing and etching in an aluminum alloy material, minimizing surface damage of an aluminum alloy, and improving surface uniformity in processes such as chromate, zincate and plating / It is possible to obtain the result of the processing of FIG.

나아가, 질산을 포함하지 않기 때문에 알루미늄 합금 소재 등을 에칭할 때 인체에 유해한 질산 가스 발생없이 디스머트 작업을 수행할 수 있으며, 질산성 폐수를 발생시키지 않아 폐수 처리에 따른 문제를 해소할 수 있다.
Furthermore, since nitric acid is not contained, it is possible to perform a desmutting operation without generating nitric acid gas harmful to the human body when an aluminum alloy material or the like is etched, and nitrate acidic waste water is not generated, thereby solving the problem of waste water treatment.

도 1은 에칭액으로 처리된 알루미늄 스마트폰 기판을 촬영한 사진이다.
도 2는 도 1의 산에칭 후의 알루미늄 기판 표면에 존재하는 스머트의 성분을 SEM-EDX로 분석한 결과를 나타내는 데이터이다.
도 3은 질산과 불산의 혼산용액으로 디스머트 처리된 알루미늄 기판의 표면을 촬영한 사진이다.
도 4는 본 발명의 디스머트 처리 조성물로 디스머트 처리된 알루미늄 기판의 표면을 촬영한 사진이다.
도 5는 에칭액으로 처리하기 전의 알루미늄 기판의 표면을 촬영한 SEM 사진이다.
도 6은 에칭액으로 처리된 알루미늄 기판의 표면을 촬영한 SEM 사진이다.
도 7은 질산과 불산의 혼산용액으로 디스머트 처리된 알루미늄 기판의 표면을 촬영한 SEM 사진이다.
도 8은 본 발명의 디스머트 처리 조성물로 디스머트 처리된 알루미늄 기판의 표면을 촬영한 SEM 사진이다.
1 is a photograph of an aluminum smartphone substrate treated with an etchant.
Fig. 2 is data showing the results of analysis of the components of the smut existing on the surface of the aluminum substrate after the acid etching shown in Fig. 1 by SEM-EDX.
3 is a photograph of the surface of the aluminum substrate subjected to the desmutting treatment with a mixed acid solution of nitric acid and hydrofluoric acid.
4 is a photograph of a surface of an aluminum substrate subjected to a desmutting treatment with the desmut treatment composition of the present invention.
5 is an SEM photograph of the surface of the aluminum substrate before the treatment with the etching solution.
6 is an SEM photograph of a surface of an aluminum substrate treated with an etching solution.
7 is a SEM photograph of the surface of the aluminum substrate subjected to the desmutting treatment with a mixed acid solution of nitric acid and hydrofluoric acid.
8 is an SEM photograph of the surface of the aluminum substrate subjected to the desmutting treatment with the dismut treatment composition of the present invention.

본 발명은 알루미늄 합금 또는 알루미늄 다이캐스팅(ALDC) 소재(이하, '알루미늄 합금 소재 등'이라고도 한다.)를 에칭함에 있어서 발생하는 규소성분 및 환원성 금속염을 인체 및 환경에 유해한 질산가스의 발생 없이 제거할 수 있는 디스머트 처리 조성물('디스머트 처리(용)액'이라고도 한다.)을 제공하고자 한다.
The present invention can remove the silicon component and the reducing metal salt which are generated when aluminum alloy or aluminum die casting (ALDC) material (hereinafter also referred to as "aluminum alloy material, etc.") is etched without generating nitric acid gas harmful to the human body and environment (Also referred to as " dismut treatment solution ").

알루미늄 합금을 디스머트 처리 조성물에 침적시키면 성분 중에 포함되어 있는 구리, 규소, 철 등의 불용성 화합물들이 알루미늄 표면에 합금성분이 남는데, 이를 스머트(smut)라고 한다. 일반적으로 스머트는 손으로 쉽게 제거되며 알루미늄 소재 중 합금성분이 많으면 많을수록 스머트가 많이 생기고, 색상도 흑색으로 짙어진다.
When an aluminum alloy is immersed in a dismut treatment composition, an alloy component such as copper, silicon, and iron contained in the component remains on the aluminum surface, which is called a smut. Generally, the smudge is easily removed by hand, and the more aluminum alloy contains, the more smut is formed and the color becomes black.

이와 같은 스머트를 제거하기 위한 디스머트 처리액으로서, 본 발명은 인산, 황산염 화합물 및 암모늄 화합물을 포함하는 처리액을 제공한다.
As a dismutant treating liquid for removing such smut, the present invention provides a treating liquid containing phosphoric acid, a sulfate compound and an ammonium compound.

본 발명의 디스머트 처리액에 포함되는 상기 인산은 디스머트 처리액으로서의 역할을 수행하는 주요 성분으로서, 상기 인산은 85% 농도의 인산용액(인산(85%)로 표시한다.)을 기준으로 처리액 전체 중량에서 50 내지 90중량%의 함량을 차지할 수 있다. 인산(85%)이 50중량% 미만인 경우에는 본 발명의 디스머트 처리액으로서의 기능을 발휘하지 못하며, 90중량%를 초과하는 경우에는 인산에 의해 알루미늄 피막이 손상되는 등 피막 특성에 영향을 끼칠 수 있는바, 상기 범위로 포함되는 것이 바람직하다.
The phosphoric acid contained in the desmutting solution of the present invention is a major component that performs a role as a dismutating solution. The phosphoric acid is treated on the basis of a 85% strength phosphoric acid solution (indicated by phosphoric acid (85%)) And can occupy a content of 50 to 90% by weight based on the total weight of the liquid. When the content of phosphoric acid (85%) is less than 50% by weight, the function as a dismutting liquid of the present invention is not exhibited. When the content exceeds 90% by weight, the aluminum film is damaged by phosphoric acid, It is preferable that the above ranges are included.

상기 암모늄 화합물은 본 발명의 디스머트 처리액에 있어서 인산과 함께 알루미늄 합금 소재 등의 표면으로부터 규소, 구리 등의 스머트를 제거하는 역할을 수행한다.
The ammonium compound plays a role of removing smuts such as silicon and copper from the surface of an aluminum alloy material or the like together with phosphoric acid in the desmut treatment solution of the present invention.

상기 암모늄 화합물은 디스머트 처리 조성물 전체 중량에 대하여 5 내지 30중량%의 함량으로 포함하는 것이 바람직하다. 5중량% 미만으로 포함하는 경우에는 규소, 구리 등의 스머트를 충분히 제거하지 못할 우려가 있으며, 20중량%를 초과하면 디스머트 효과의 포화로 인해 추가적인 효과의 상승을 도모할 수 없는바, 20중량% 이하로 한정하는 것이 바람직하다.
It is preferable that the ammonium compound is contained in an amount of 5 to 30% by weight based on the total weight of the dismut treatment composition. If it is contained in an amount of less than 5% by weight, it may be impossible to sufficiently remove the smuts such as silicon and copper. If it exceeds 20% by weight, further effect can not be increased due to saturation of the dismutting effect. It is preferable to limit it to not more than% by weight.

이러한 암모늄 화합물은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 암모늄 하이드록사이드(H5NO), 암모늄 아세테이트(C2H7NO2), 암모늄 포메이트(NH4CHO2), 암모늄 나이트레이트(NH4NO3), 암모늄 하이드로젠 설페이트 (NH4HSO4), 암모늄 설페이트 ((NH4)2SO4), 암모늄 설파이드(H8N2S), 암모늄 아디페이트(C6H16N2O4), 암모늄 플루오라이드(NH4F), 암모늄 클로라이드(NH4Cl), 테트라에틸암모늄 아세테이트(C8H20NC2H3O2), 암모늄 헥사플루오르실리케이트((NH4)2SiF6),테트라프로필 암모늄 바이설페이트(C12H28NHSO4), 암모늄 포스피네이트(NH4H2PO2), 암모늄 하이드로젠 말레이트(C4H7NO4), 암모늄 벤조에이트 (C7H9NO2), 과염소산테트라부틸암모늄(C16H36NClO4), 암모늄 바이플루오라이드(NH4HF2) 및 암모늄 옥살레이트(C2H8N2O4)로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
This ammonium compound is not particularly restricted but includes, for example, ammonium hydroxide (H 5 NO), ammonium acetate (C 2 H 7 NO 2) , ammonium formate (NH 4 CHO 2), ammonium nitrate (NH 4 NO 3 ), ammonium hydrogensulfate (NH 4 HSO 4 ), ammonium sulfate ((NH 4 ) 2 SO 4 ), ammonium sulfide (H 8 N 2 S), ammonium adipate (C 6 H 16 N 2 O 4 ) , Ammonium fluoride (NH 4 F), ammonium chloride (NH 4 Cl), tetraethylammonium acetate (C 8 H 20 NC 2 H 3 O 2 ), ammonium hexafluorosilicate ((NH 4 ) 2 SiF 6 ) (C 12 H 28 NHSO 4 ), ammonium phosphinate (NH 4 H 2 PO 2 ), ammonium hydrogensulfate (C 4 H 7 NO 4 ), ammonium benzoate (C 7 H 9 NO 2 ), composed of perchlorate of tetrabutyl ammonium (C 16 H 36 NClO 4) , ammonium bi-fluoride (NH 4 HF 2) and ammonium oxalate (C 2 H 8 N 2 O 4) Selected from the group of one or may be a mixture of two or more.

본 발명의 디스머트 처리 용액에 상기 암모늄 화합물을 포함함으로써 스머트 용해력 및 표면 장력의 변화를 유도하는 효과가 보다 향상되는 것으로 판단된다.
It is judged that the effect of inducing the change of the smear solubility and the surface tension is further improved by including the ammonium compound in the desmut treatment solution of the present invention.

상기 황산염 화합물은 디스머트 처리 조성물 전체 중량에 대하여 1 내지 20중량%의 함량으로 포함하는 것이 바람직하다. 1중량% 미만으로 포함하는 경우에는 상기 황산염 화합물의 첨가로 인해 얻을 수 있는 효과가 충분히 얻어지지 않으며, 20중량%를 초과하는 경우에는 스머트 용해성 및 용액의 안정성에 문제가 있는바, 상기 범위로 포함되는 것이 바람직하다.
The sulfate compound is preferably contained in an amount of 1 to 20% by weight based on the total weight of the desmut treatment composition. If it is contained in an amount of less than 1% by weight, the effect obtained by the addition of the above-mentioned sulfate compound is not sufficiently obtained. If it exceeds 20% by weight, there is a problem in smect solubility and solution stability. .

이러한 황산염은 특별히 한정하지 않으나, 예를 들면, 황산칼슘(CaSO4), 황산암모늄((NH4)2SO4), 과산화황산암모늄((NH4)2SO5), 황산디에틸(C4H10O4S), 메탄설폰산(CH4O3S), 디메틸설폭사이드(C2H6OS), 황산제이철(Fe2(SO4)3), 황산마그네슘(MgSO4), 황산수은(HgSO4), 황산동(CuSO4), 황산니켈(NiSO4), 황산칼륨(K2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 과산화이중황산나트륨(Na2S2O8) 및 티오황산나트륨(Na2S2O3)로 이루어진 군에서 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물일 수 있다.
This sulfate is not particularly restricted but includes, for example, calcium sulfate (CaSO 4), ammonium sulfate ((NH 4) 2 SO 4 ), peroxide, ammonium persulfate ((NH 4) 2 SO 5 ), sulfate, diethyl (C 4 H 2 O 4 S), methane sulfonic acid (CH 4 O 3 S), dimethyl sulfoxide (C 2 H 6 OS), ferric sulfate (Fe 2 (SO 4 ) 3 ), magnesium sulfate (MgSO 4 ) (HgSO 4), copper sulfate (CuSO 4), nickel sulfate (NiSO 4), potassium sulfate (K 2 SO 4), sodium sulfate (Na 2 SO 4), hydrogen peroxide double sodium sulfate (Na 2 S 2 O 8) and sodium thiosulfate ( Na 2 S 2 O 3 ), or a mixture of two or more thereof.

나아가, 상기 황산염 화합물은 본 발명의 디스머트 처리 용액에서 알루미늄 합금 소재 등의 표면에 부착된 스머트를 용해시키는 효과를 더욱 향상시키는 역할 및 스머트 처리시 용액의 안정화에 영향을 주는 것으로 판단된다.
Further, it is considered that the sulfate compound has a role in further improving the effect of dissolving the smut attached to the surface of the aluminum alloy material or the like in the desmut treatment solution of the present invention and influencing the stabilization of the solution during the smut treatment.

상기와 같이 인산, 암모늄 화합물 및 황산염 화합물을 포함하는 디스머트 처리액은 5 내지 30℃의 온도범위로 관리되는 것이 바람직하다. 상기 처리액의 온도가 5℃ 미만인 경우에는 본 발명의 디스머트 처리액에 의해 얻고자 하는 충분한 스머트 제거 효과를 얻기 힘들고, 30℃ 보다 높은 온도에서는 과다한 디스머트로 알루미늄 표면 피막에 영향을 줄 수 있다. 상기 디스머트 처리액은 예를 들어, 10 내지 30℃가 바람직하고, 15 내지 30℃가 보다 바람직하며, 상온(20-25℃)이 가장 바람직하다.
As described above, the desmut treatment liquid containing phosphoric acid, ammonium compound and sulfate compound is preferably controlled in the temperature range of 5 to 30 占 폚. When the temperature of the treatment liquid is less than 5 캜, it is difficult to obtain a sufficient smut removing effect to be obtained by the dismutating treatment liquid of the present invention. On the other hand, at a temperature higher than 30 캜, excessive dismut have. The desmut treatment liquid is preferably, for example, 10 to 30 占 폚, more preferably 15 to 30 占 폚, and most preferably room temperature (20 to 25 占 폚).

한편, 본 발명의 디스머트 처리액을 사용하여 알루미늄 합금 소재 등의 표면으로부터 스머트 제거 처리는 상기 디스머트 처리액에 피처리 소재를 30초 내지 10분 동안 침지하여 수행할 수 있다. 30초 보다 짧은 시간에서는 원하는 디스머트 효과를 얻기 힘들고, 10분 보다 오래 걸리면 경제성이 떨어지는 단점이 있다. 보다 바람직하게는 30분 내지 5분, 더욱 더 바람직하게는 30초 내지 3분 동안 처리할 수 있다.
On the other hand, the smut removal treatment from the surface of an aluminum alloy material or the like using the disuture treatment liquid of the present invention can be performed by immersing the disposal material in the disuture treatment liquid for 30 seconds to 10 minutes. It is difficult to obtain desired desmut effect in a time shorter than 30 seconds, and it is disadvantageous in that it takes less economical time to take longer than 10 minutes. More preferably from 30 minutes to 5 minutes, and even more preferably from 30 seconds to 3 minutes.

상기와 같은 본 발명의 디스머트 처리액을 사용하여 알루미늄 합금 소재 등의 표면을 전처리할 수 있다. 본 발명의 디스머트 처리액을 사용하는 디스머트 공정을 포함하는 전처리 공정은 예를 들어, 탈지(degreasing) - 에칭(etching) - 디스머트(desmut) - 아노다이징(anodizing)의 단계로 수행할 수 있다. 이하, 보다 구체적으로 설명한다.
The surface of the aluminum alloy material or the like can be pretreated using the desmut treatment liquid as described above. The pretreatment step including the desmutting step using the desmutting solution of the present invention can be carried out, for example, in a step of degreasing-etching-desmut-anodizing . Hereinafter, this will be described in more detail.

탈지 Degreasing

알루미늄 표면을 탈지하는 탈지단계를 거친다. 상기 탈지는 종류에 따라서, 용제탈지(solvent degreasing), 용제와 물에 계면활성제를 유화시킨 액을 사용하는 에멀젼탈지(emulsion cleaning), 초음파탈지, 전해탈지(electrocleaning), 알칼리 탈지(alkaline cleaning) 등을 들 수 있다. 상기 탈지단계에서는 특별히 한정하지 않으며, 통상적으로 탈지에 사용되는 탈지액을 사용할 수 있다.
Degreasing step to degrease the aluminum surface. The degreasing may be carried out in accordance with the type of solvent, such as solvent degreasing, emulsion cleaning using a solution in which a surfactant is emulsified in a solvent and water, ultrasonic degreasing, electrolytic degreasing, alkaline cleaning, etc. . The degreasing step is not particularly limited, and a degreasing solution usually used for degreasing may be used.

에칭etching

에칭단계는 알루미늄 표면상의 스크래치 흠집 기타 결함을 제거하는 단계로서, 산 에칭은 일반적으로 실리콘을 많이 함유한 재질에 많이 사용하며, 본 발명의 에칭단계에서도 산 에칭을 사용할 수 있다. 에칭액은 예를 들어, 황산 등을 들 수 있으며, 실온에서 수행할 수 있다. 에칭 온도는 일반적으로 20℃ 근처의 실온에서 원하는 수행할 수 있다. 에칭시의 에칭 온도가 낮거나 높은 경우에는 반응이 일어나지 않거나 또는 과다한 에칭으로 알루미늄 피막에 영향을 줄 수 있다.
The etching step is a step of removing scratches and other defects on the aluminum surface. Acid etching is generally used for a material containing a lot of silicon, and acid etching can be used in the etching step of the present invention. The etching solution includes, for example, sulfuric acid and the like and can be performed at room temperature. The etching temperature can generally be performed at room temperature near 20 [deg.] C. If the etching temperature at the time of etching is low or high, the reaction does not occur, or the aluminum film may be affected by excessive etching.

디스머트Dismute

본 발명에서 제공하는 디스머트 처리액을 사용할 수 있다.
The dismutating solution provided by the present invention can be used.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예를 들어 보다 구체적으로 설명한다. 그러나, 이하의 실시예는 본 발명을 실시하는 일 예로서, 이에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 변경할 수 있음은 자명하다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, it is to be understood that the present invention is not limited to the following embodiments, and that various changes and modifications may be made without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It is obvious that it can be changed.

실시예Example 1 One

알루미늄 합금으로 제조된 알루미늄 기판(6.4㎝×13.1㎝×0.03㎝)을 준비하였다. 상기 알루미늄 기판의 표면에 대하여 SEM 촬영을 수행하고, 그 결과를 도 1에 나타내었다.
An aluminum substrate (6.4 cm x 13.1 cm x 0.03 cm) made of an aluminum alloy was prepared. SEM photographing was performed on the surface of the aluminum substrate, and the results are shown in Fig.

상기 준비된 알루미늄 기판 표면에 형성된 산화막을 제거하기 위한 에칭 공정을 수행하였다. An etching process for removing the oxide film formed on the prepared aluminum substrate surface was performed.

상기 에칭 공정은 상기 알루미늄 기판을 ㈜ 전영에서 제조되는 제품명 DAC-107DZ 에칭액(상온: 20℃)에 약 1분 정도 침지하여 알루미늄 기판 표면에 존재하는 산화막을 제거하였다. In the etching step, the aluminum substrate was immersed in a DAC-107DZ etching solution (room temperature: 20 ° C) manufactured by Jeon Young Co., Ltd. for about one minute to remove the oxide film existing on the surface of the aluminum substrate.

상기 에칭 처리 후의 알루미늄 기판을 촬영하고, 그 사진을 도 2에 나타내었다. 나아가, 상기 에칭 처리된 알루미늄 기판의 표면에 대하여 SEM 촬영을 수행하고, 그 결과를 도 3에 나타내었다. The aluminum substrate after the etching treatment was photographed, and a photograph thereof is shown in Fig. Further, SEM photographing was performed on the surface of the etched aluminum substrate, and the results are shown in FIG.

도 2를 살펴보면, 알루미늄 기판의 표면에 검정색의 스머트(smut) 입자가 다량 생성되어 있음을 알 수 있다. Referring to FIG. 2, it can be seen that a large amount of black smut particles are formed on the surface of the aluminum substrate.

한편, 상기 기판 표면에 존재하는 스머트 입자에 대하여 SEM-EDX 성분분석을 수행하였으며, 그 결과를 도 4에 나타내었다. 성분분석결과로부터, 스머트 입자의 성분이 알루미늄 합금 성분인 Al, Si가 주로 포함되어 있으며, Cu, Zn 등이 함께 존재함을 알 수 있었다. 이로 인해 상기 에칭처리된 알루미늄 기판 표면에는 Al, Si, Cu, Zn등의 환원성 금속염의 스머트 입자가 존재함을 확인할 수 있었다.
Meanwhile, the SEM-EDX component analysis was performed on the smoot particles present on the surface of the substrate, and the results are shown in FIG. From the analysis results of the components, it was found that the components of the smoot particles mainly contain Al and Si, which are aluminum alloy components, and Cu and Zn are present together. As a result, it was confirmed that smut particles of a reducing metal salt such as Al, Si, Cu, Zn exist on the surface of the etched aluminum substrate.

상기 에칭된 알루미늄 기판 표면의 스머트를 제거하기 위하여, 인산(85%) 80중량%, 황산염계 화합물인 황산나트륨(Na2SO4) 5중량% 및 암모늄계 화합물인 암모늄 포스피네이트(NH4H2PO2) 9중량%를 포함하고, 나머지 용매로 탈이온수로 이루어진 디스머트 처리액을 제조하였다. In order to remove the smut on the surface of the etched aluminum substrate, 80 wt% of phosphoric acid (85%), 5 wt% of sodium sulfate (Na 2 SO 4 ) as a sulfate compound, and ammoniumphosphinate (NH 4 H 2 < / RTI > PO2), and the remaining solvent was deionized water.

상기 제조된 디스머트 처리액(상온: 20℃)에 에칭된 알루미늄 기판을 60초 동안 침지시켰다. The aluminum substrate etched in the prepared dismut treatment liquid (room temperature: 20 캜) was immersed for 60 seconds.

이에 의해 디스머트 처리된 알루미늄 기판의 표면에 대하여 사진 촬영 및 SEM 촬영하고, 각각의 사진을 도 5 및 도 6에 나타내었다.
The surface of the desmutted aluminum substrate was photographed and SEM-photographed, and the photographs thereof are shown in Fig. 5 and Fig. 6, respectively.

비교예Comparative Example 1 One

상기 실시예 1에 따른 디스머트 처리액의 스머트 제거효과를 확인하기 위하여 종래의 질산형 디스머트 처리액을 이용한 디스머트 처리를 비교예로 실시하였다.
In order to confirm the smut removal effect of the dismutant treatment liquid according to the first embodiment, the conventional dismutation treatment using the nitric acid-type dismutation treatment liquid was performed as a comparative example.

실시예 1과 동일한 알루미늄 기판을 동일한 방법으로 에칭하여 알루미늄 기판을 에칭하였다.The same aluminum substrate as in Example 1 was etched by the same method to etch the aluminum substrate.

상기 에칭된 알루미늄 기판 표면의 스머트를 제거하기 위하여, ㈜전영에서 제조되는 제품명 SR-819Al(질산/불산의 혼산 에칭액, 상온: 20℃)을 디스머트 처리액으로 사용하여 상기 에칭된 알루미늄 기판을 60초 동안 침지하였다. In order to remove the smut on the surface of the etched aluminum substrate, using the product name SR-819Al (mixed acid etchant of nitric acid / hydrofluoric acid, room temperature: 20 ° C) And immersed for 60 seconds.

이에 의해 디스머트 처리된 알루미늄 기판의 표면에 대하여 사진 촬영 및 SEM 촬영하고, 각각의 사진을 도 7 및 도 8에 나타내었다.
The surfaces of the dismutted aluminum substrates were then photographed and SEM-photographed, and the respective photographs are shown in Figs. 7 and 8. Fig.

종래의 질산형 디스머트 처리액을 이용하여 처리한 비교예 1의 결과를 나타내는 도 7 및 도 8과 상기 실시예 1의 디스머트 처리액으로 처리한 도 5 및 도 6을 비교해 보면, 실시예 1에 따른 디스머트 처리액으로 처리한 경우, 스머트의 제거가 비교예 1에 비해 크게 향상이 되었음을 확인할 수 있다.
7 and 8 showing the results of Comparative Example 1 treated with the conventional nitrate-type dismutating solution and Figs. 5 and 6 treated with the desmutting solution of Example 1 were compared with each other, It can be confirmed that the removal of the smut is significantly improved as compared with the comparative example 1.

Claims (7)

삭제delete 85% 농도의 인산 50 내지 90중량%, 암모늄 화합물 5 내지 30중량% 및 황산염 화합물 1 내지 20중량%로 구성되되, 상기 황산염 화합물은 황산칼슘(CaSO4), 황산암모늄((NH4)2SO4), 황산디에틸(C4H10O4S), 메탄설폰산(CH4O3S), 디메틸설폭사이드(C2H6OS), 황산제이철(Fe2(SO4)3), 황산마그네슘(MgSO4), 황산수은(HgSO4), 황산동(CuSO4), 황산니켈(NiSO4), 황산칼륨(K2SO4), 황산나트륨(Na2SO4), 및 티오황산나트륨(Na2S2O3)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 디스머트 처리용 조성물.
(CaSO 4 ), ammonium sulfate ((NH 4 ) 2 SO 2 ), ammonium sulfate (1 to 20 wt%) and ammonium sulfate (1 to 20 wt% 4) sulfate, diethyl (C 4 H 10 O 4 S), methanesulfonic acid (CH 4 O 3 S), dimethylsulfoxide (C 2 H 6 OS), ferric sulfate (Fe 2 (SO 4) 3 ), magnesium sulfate (MgSO 4), sulfuric acid, mercury (HgSO 4), copper sulfate (CuSO 4), nickel sulfate (NiSO 4), potassium sulfate (K 2 SO 4), sodium sulfate (Na 2 SO 4), and sodium thiosulfate (Na 2 S 2 O 3 ).
제 2항에 있어서, 암모늄 화합물은, 암모늄 하이드록사이드(H5NO), 암모늄 아세테이트(C2H7NO2), 암모늄 포메이트(NH4CHO2), 암모늄 나이트레이트(NH4NO3), 암모늄 하이드로젠 설페이트 (NH4HSO4), 암모늄 설페이트 ((NH4)2SO4), 암모늄 설파이드(H8N2S), 암모늄 아디페이트(C6H16N2O4), 암모늄 플루오라이드(NH4F), 암모늄 클로라이드(NH4Cl), 테트라에틸암모늄 아세테이트(C8H20NC2H3O2), 암모늄 헥사플루오르실리케이트 ((NH4)2SiF6),테트라프로필 암모늄 바이설페이트 (C12H28NHSO4), 암모늄 포스피네이트(NH4H2PO2), 암모늄 하이드로젠 말레이트(C4H7NO4), 암모늄 벤조에이트 (C7H9NO2), 과염소산테트라부틸암모늄(C16H36NClO4), 암모늄 바이플루오라이드(NH4HF2) 및 암모늄 옥살레이트(C2H8N2O4)로 이루어진 그룹으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 혼합물인 디스머트 처리용 조성물.
The process of claim 2, wherein the ammonium compound is selected from the group consisting of ammonium hydroxide (H 5 NO), ammonium acetate (C 2 H 7 NO 2 ), ammonium formate (NH 4 CHO 2 ), ammonium nitrate (NH 4 NO 3 ) , ammonium hydrogen sulfate (NH 4 HSO 4), ammonium sulphate ((NH 4) 2 SO 4 ), ammonium sulfide (H 8 N 2 S), ammonium adipate (C 6 H 16 N 2 O 4), ammonium fluoro (NH 4 F 2), ammonium chloride (NH 4 Cl), tetraethylammonium acetate (C 8 H 20 NC 2 H 3 O 2 ), ammonium hexafluorosilicate ((NH 4 ) 2 SiF 6 ) (C 12 H 28 NHSO 4 ), ammonium phosphinate (NH 4 H 2 PO 2 ), ammonium hydrogen maleate (C 4 H 7 NO 4 ), ammonium benzoate (C 7 H 9 NO 2 ), perchloric acid ( 1 ) selected from the group consisting of tetrabutylammonium (C 16 H 36 NClO 4 ), ammonium bifluoride (NH 4 HF 2 ) and ammonium oxalate (C 2 H 8 N 2 O 4 ) Or a mixture of two or more species.
삭제delete 제 2항에 있어서, 상기 디스머트 처리용 조성물은 5 내지 30℃의 온도를 갖는 것인 디스머트 처리용 조성물.
The desmutting composition according to claim 2, wherein the desmutting composition has a temperature of 5 to 30 캜.
알루미늄 합금 및 알루미늄 다이캐스트 합금으로서, 환원성 금속염이 생성된 합금 표면을 제 2항, 제3항 및 제 5항 중 어느 한 항에 기재된 디스머트 처리용 조성물에 침지시켜, 합금 표면에 생성된 환원성 금속염의 스머트를 제거하는 것인 디스머트 처리 방법.
The alloy surface of the aluminum alloy and the aluminum die cast alloy in which the reducing metal salt is formed is immersed in the desmutting composition as described in any one of claims 2, 3 and 5 to form a reducing metal salt Is removed.
제 6항에 있어서, 상기 침지는 상기 디스머트 처리용 조성물에 30초~10분 동안 수행하는 것인 디스머트 처리 방법.
7. The method of claim 6, wherein the dipping is performed on the desmutting composition for 30 seconds to 10 minutes.
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