KR101593070B1 - 반도체 제조장비용 배출가속기 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조장비용 배출가속기에 관한 것으로, 그 주된 목적은 반도체 제조장비에 다수 구비된 웨이퍼에 잔존하는 흄(Fume)의 배출 속도 및 배출 효율을 향상시킬 수 있는 배출가속기를 제공하는 것이다.
이러한 목적으로 이루어진 본 발명은, 반도체 제조장비 내부의 유로를 유동하는 배기유체의 배출을 가속화하는 배출가속기에 관한 것으로,
상기 배출가속기는, 원형관 형태로 이루어진 일단에 상기 반도체 제조장비 내부의 유체가 유입되도록 마련된 유입구와, 상기 유입구의 하측 직각방향으로 공급 유체가 공급되도록 적어도 하나 이상의 공급관이 구비된 에어공급부와, 상기 에어공급부를 통해 공급되는 공급 유체가 유동하는 제 1유체유동부로 이루어진 제 1본체와;
상기 제 1본체의 내주 일측에 결합되는 일단 외주에 상기 제 1유체유동부와 단면상 대칭형으로 결합하되, 일단은 상기 제 1유체유동부의 일측과 소정거리 이격된 틈새가 형성되는 제 2유체유동부가 구비되며, 상기 틈새로 배출되는 유체가 배출되는 유체배출부로 이루어진 제 2본체를 포함한다.
이에 따라, 반도체 제조장비에 다수 구비되는 웨이퍼에 잔존하는 흄(Fume)의 배출 속도 및 배출 효율을 향상시킬 수 있는 배출가속기 및 이를 구비한 로드 포트를 제공하는 이점이 있다.
이러한 목적으로 이루어진 본 발명은, 반도체 제조장비 내부의 유로를 유동하는 배기유체의 배출을 가속화하는 배출가속기에 관한 것으로,
상기 배출가속기는, 원형관 형태로 이루어진 일단에 상기 반도체 제조장비 내부의 유체가 유입되도록 마련된 유입구와, 상기 유입구의 하측 직각방향으로 공급 유체가 공급되도록 적어도 하나 이상의 공급관이 구비된 에어공급부와, 상기 에어공급부를 통해 공급되는 공급 유체가 유동하는 제 1유체유동부로 이루어진 제 1본체와;
상기 제 1본체의 내주 일측에 결합되는 일단 외주에 상기 제 1유체유동부와 단면상 대칭형으로 결합하되, 일단은 상기 제 1유체유동부의 일측과 소정거리 이격된 틈새가 형성되는 제 2유체유동부가 구비되며, 상기 틈새로 배출되는 유체가 배출되는 유체배출부로 이루어진 제 2본체를 포함한다.
이에 따라, 반도체 제조장비에 다수 구비되는 웨이퍼에 잔존하는 흄(Fume)의 배출 속도 및 배출 효율을 향상시킬 수 있는 배출가속기 및 이를 구비한 로드 포트를 제공하는 이점이 있다.
Description
본 발명은 배출가속기에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반도체 제조장비, 다시 말해서, 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module : EFEM) 내에 크린 에어를 공급하거나 공정 모듈 또는 로드 포트 내에 다수 구비되는 웨이퍼 상에 잔존하는 잔존 가스인 흄(fume)을 제거할 때, 배출 속도를 향상시킬 수 있는 반도체 제조장비용 배출가속기에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조장비는 공정 모듈, 로드 포트 및 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module : EFEM)을 포함하여 구성된다.
여기서 공정 모듈은 웨이퍼의 반도체 제조공정이 수행되는 모듈이며, 로드 포트는 다수의 웨이퍼가 탑재된 풉(Front Opening Universal Pod : FOUP)이 로딩 되는 부분이며, 설비 전후 모듈은 공정 모듈과 로드 포트 사이에 구비되어 청정 공간을 제공하며, 내부에 이송 모듈을 구비하여 풉과 공정 모듈 사이에 다수의 웨이퍼를 이송시키는 역할을 한다.
한편, 공정 모듈은 웨이퍼의 처리 또는 가공을 공정 가스를 채운 상태에서 진행한다.
이때, 상기 공정 가스 중 대부분은 공정 중 배기 처리되지만 일부는 웨이퍼 표면에 잔존하여 웨이퍼를 손상시키거나 공정에 사용되는 다른 장치들이 오염되는 문제가 있다.
이를 해결하고자, 종래기술인 일본 공개특허공보 제2006-086308호 "반도체 제조 장치"는 불활성 가스 충전 및 이를 배기할 수 있는 로드 포트를 개시하고 있다.
그러나, 상기 종래기술의 경우 풉 내부에 불활성 가스를 충전하는 기능에 그칠 뿐 웨이퍼 표면의 잔존 가스 제거에는 실효성이 없는 문제가 있다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해 도 1a와 도 1b에 도시한 바와 같이, 본 출원인에 의해 출원되고, 2013년 12월 10일자 10-1342037호로 특허등록된 "밀폐형 도어장치와 흄 제거장치를 갖춘 웨이퍼 스토레이지"에 구비되는 흄 제거장치와, 2012년 11월 05일자 출원번호10-2012-0124149로 출원되고, 공개번호 10-2014-0057863호로 공개된 "반도체 공정장비의 배기장치"에 구비되는 배기장치가 개시되어 있다.
즉, 흄 제거장치는 사이드 스토레이지 또는 로드포트에 구비된 웨이퍼 상에 남아 있는 공정가스를 배출하기 위해 구비되는 것이며, 다른 용도로는 반도체 공정장비의 배기장치는 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module : EFEM) 내에 크린에어를 공급하기 위해 구비된다.
다시 말해서, 상기한 종래의 장치는 제 1본체 하측에 형성된 순환부(230)와 그 순환부(230) 저부에 형성된 와류형성부(231)에 의해 에어공급부(250)로 공급되는 압축공기에 와류를 형성시켜 배기성능을 향상시키도록 하는 것이다.
그러나, 순환부(230) 저부의 와류형성부(231)에서 와류가 형성된 압축공기는 상측에 평면으로 구비되는 제 1본체(100)의 저면에 부딪치며 발생하는 마찰저항에 의해 효율이 떨어지는 문제가 있었다.
이와 같은 문제를 해결하기 위해 와류촉진부(271)와 제 1본체(100) 저부간의 간격("T"표시부위)을 확대하였으나, 마찰저항은 줄어들었으나 압축공기의 압력이 저하되므로 배기효율이 떨어지는 문제가 있었다.
또한, 도 1b에 도시한 바와 같이, 에어 공급부(250)가 평면에서 바라볼 때, 원형으로 형성된 제 2본체(200)의 정중앙에 직각방향으로 구비됨으로써, 고압으로 공급되는 압축공기가 순환부(230) 벽에 부딪치며 발생하는 저항에 의해 효율이 떨어지는 문제가 있었다.
본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 웨이퍼에 잔존하는 잔존 가스인 흄(fume) 제거를 위한 흄의 배출 속도 및 배출 효율을 향상시키는 배출가속기를 제공하는데 있다.
또한, 본 발명의 다른 목적은 마찰저항없이 형성된 와류에 의해 배기효율을 극대화하는데 있다.
또한, 본 발명의 또 다른 목적은 압축공기가 공급되는 에어 공급부를 원형의 일측에 구비시킴으로써, 저항 없이 안정적으로 흐르도록 함으로써, 압축공기의 공급 효율을 향상시키는데 있다.
이러한 목적으로 이루어진 본 발명은,
공정 모듈, 로드 포트 및 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module : EFEM)등 반도체 제조장비의 유로를 유동하는 배기유체의 배출을 위해 구비되는 배출가속기에 관한 것으로,
상기 배출가속기는,
일단에 상기 반도체 제조장비 내부의 유체가 유입되도록 마련된 유입구와, 상기 유입구에 공급 유체가 공급되도록 적어도 하나 이상의 공급관이 구비된 에어공급부와, 상기 에어공급부를 통해 공급되는 공급 유체가 유동하는 제 1유체유동부로 이루어진 제 1본체와;
상기 제 1본체의 내주에 결합되는 외주에 상기 제 1유체유동부와 단면상 대칭형으로 결합하되, 일단은 상기 제 1유체유동부의 일단과 소정거리 이격된 틈새가 형성되는 제 2유체유동부가 구비되며, 상기 틈새로 배출되는 유체가 배출되는 유체배출부로 이루어진 제 2본체를 포함한다.
또한, 상기 틈새는,
0.1 내지 0.5mm 로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 유체배출부는,
배기유체의 유입측으로부터 토출측으로 직경이 확장되는 확경부가 형성된다.
또한, 상기 확경부는,
상기 배기유체의 유입측 직경 : 토출측 직경이 1 : 1.3 내지 2.5의 비율인 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 제 1, 2유체유동부는,
상기 에어 공급부로 공급되는 공기 유체의 저항을 최소화하고, 상기 에어 유출부를 통해 신속한 배출이 이루어질 수 있도록 단면상 하부와 상부에 단면상 반구형으로 각각 형성된 제 1, 2와류 형성부를 더 포함한다.
또한, 상기 제 1본체의 에어공급부는,
상기 공급관이 상기 제 1, 2유체유동부의 평면상 일측으로 연통하도록 구비되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 배출가속기는,
상기 제 2본체의 유체배출부에 일단이 결합된 배출연결관과;
상기 배출연결관의 타단에 유입구가 결합된 배출증폭기를 더 포함한다.
또한, 상기 배출가속기의 유체배출부와 상기 배출증폭기의 유입부의 직경은 동일한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 배출연결관의 길이는, 150mm 이상 250mm 이하로 형성된다.
또한, 상기 배출가속기는,
상기 제 1본체의 공급관 또는 유입구에 길이방향으로 구비되는 와류촉진부재를 더 포함한다.
또한, 상기 와류촉진부재는,
스크류형태로 나선이 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명은 로드 포트에 탑재된 풉에서 웨이퍼에 잔존하는 잔존가스인 흄 제거의 효율을 높이기 위한 배출가속기를 통해 유지 보수 및 전력 소비량 측면에서 향상된 효과가 있다.
또한, 제 1, 2유체유동부의 단면상 양단에 마련된 제 1, 2와류형성부에 의해 마찰저항없이 안정적으로 형성된 와류에 의해 배기효율을 극대화하는 효과가 있다.
도 1a는 종래 배출가속기의 구성을 보인 도면이고,
도 1b는 도 1a의 “A”방향에서 바라본 평면도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배출가속기 구성을 나타내기 위한 분해 사시도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배출가속기의 조합된 상태를 보인 사시도이고,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배출가속기 구성을 나타내기 위한 분해시시도이고,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배출가속기의 조합된 상태를 보인 사시도이고,
도 6은 본 발명에 따른 배출가속기의 작용효과를 설명하기 위해 도시한 사시도이고,
도 7과 도 8은 본 발명에 따른 배출가속기의 또 다른 실시예를 보인 사시도들이다.
도 1b는 도 1a의 “A”방향에서 바라본 평면도이고,
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 배출가속기 구성을 나타내기 위한 분해 사시도이고,
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 배출가속기의 조합된 상태를 보인 사시도이고,
도 4는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배출가속기 구성을 나타내기 위한 분해시시도이고,
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 배출가속기의 조합된 상태를 보인 사시도이고,
도 6은 본 발명에 따른 배출가속기의 작용효과를 설명하기 위해 도시한 사시도이고,
도 7과 도 8은 본 발명에 따른 배출가속기의 또 다른 실시예를 보인 사시도들이다.
도 2와 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 반도체 제조장비용 배출가속기(10)(이하, "배출가속기"라 칭한다)는 제 1, 2본체(100)(200)로 대별된다
원형관 형태로 이루어진 제 1본체(100)는 유입구(101)와 에어공급부(110)와 제 1유체유동부(120)로 이루어진다.
유입구(101)는 제 1본체(100)의 일단에 구비되어 도시하지 않은 호퍼(Hopper)와 연결되어 반도체 제조장비 내부의 배기유체(흄 및 세정가스)가 유입되도록 마련된다.
에어공급부(110)는 이 유입구(101)의 일측 직각방향으로 도시하지 않은 공기압축기(Compressor)에서 공급되는 공급유체가 공급되도록 적어도 하나 이상의 공급관(111)이 구비된다.
이 에어공급부(110)의 공급관(111)은 원형 터널형태로 이루어진 제 1유체유동부(120)와 연통된다.
제 1유체유동부(120)는 원통형으로 형성된 상기 제 1본체(100)의 내벽에 요홈(凹홈) 형태로 형성된다.
이 제 1유체유동부(120)는 도시한 방향 기준한 수직방향으로 반지름(Radius) 형태의 제 1, 2와류형성부(121)(123)가 형성되어 후술하는 제 2본체(200)에 형성된 제 2유체유동부(220)의 제 1, 2와류형성부(221)(223)와 단면상 대칭형으로 구비된다.
이에 따라, 상기한 에어공급부(110)의 공급관(111)을 통해 공급되는 공급유체의 와류 형성을 촉진하여 유속을 증대하도록 하였다.
또한, 이 제 1본체(100)의 하단 내측, 다시 말해, 상기한 제 1, 2와류형성부(121)(123)의 하측에는 암나사(103)가 형성되어 후술하는 제 2본체(200)의 숫나사(203)와 나사결합이 용이하도록 하였다.
제 2본체(200)는 제 2유체유동부(220)와 유체배출부(230)로 이루어진다.
제 2본체(200)는 도 3 일측에 상세 도시한 바와 같이, 상기한 제 1본체(100)의 내주에 결합되는 일단 외주에 제 1유체유동부(120)와 단면상 대칭형으로 결합되어 단면상 장공(Slot Hole)형 유로를 형성하도록 제 2유체유동부(220)가 구비되어 있다.
다만, 제 1유체유동부(120) 상단의 제 2와류형성부(123)가 제 2유체유동부(220)의 제 2와류형성부(223)의 상측으로 소정간격 이격되며 틈새(210)("C"표시부위 참조)가 형성된다.
즉, 공급관(111)을 통해 유입된 공급유체는 제 1, 2유체유동부(120)(220)의 각 제 1, 2와류형성부(121)(123)(221)(223)에 의해 와류가 형성되며 상기한 틈새(210)를 통해 빠른 속도로 배출된다.
특히, 제 1유체유동부(120) 상측의 제 2와류형성부(123)가 제 2유체유동부(220)의 제 2와류형성부(223)의 상측을 호형(弧形)으로 덮듯이 구비됨으로써 와류가 형성된 공급유체는 보다 많은 유량과 보다 빠른 유속으로 배출된다.
이와 같이, 배출되는 공급유체는 상술한 유입구(101)를 통해 배출되는 반도체 제조장비(미도시)의 배기유체(흄 및 세정가스)를 끌어 당겨 보다 빠른 속도로 유체배출부(230)를 통해 배출한다.
유체배출부(230)는 도시한 방향 기준한 상측으로부터 하측의 토출측으로 갈 수록 직경이 점진적으로 확장되는 확경부(231)가 구비되어 있다.
이 확경부(231)는 상기한 바와 같이 형성된 공급유체의 와류를 더욱 촉진하여 배기유체에 가속을 부여하도록 형성되는 것이다.
이 확경부(231)는 도시한 방향 기준한 상, 하측의 유입측 직경 : 토출측 직경이 1 : 1.3 내지 2.5의 비율로 형성하는 것이 바람직하다.
한편, 상기한 틈새(210) 역시, 배출가속기(10)의 규격에 따라 달라질 수 있으나, 통상 0.1 내지 0.5mm의 규격으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 4와 도 5에 도시한 것은 본 발명에 따른 배출가속기(10)의 다른 실시예를 보인 것으로, 상술한 배출가속기(10)의 하측에 배출연결관(20)과 배출증폭기(30)를 구비시켜 배기유체의 유량과 유속을 극대화하도록 하는 것이다(배출증폭기(30)의 구성은 상술한 배출가속기(10)와 동일함으로 별도의 상세한 설명은 생략한다)
배출연결관(20)은 일 실시예에서 설명한 바와 같은 배출가속기(10)의 유체배출부(230)에 일단이 결합되고, 타단은 배출중폭기(30)의 유입구(31)에 결합되는 것으로, 그 길이는 150mm 이상 250mm이하로 형성하는 것이 바람직하다.
그 이유로는 상기한 배출가속기(10)는 에어 공급부(110)로 고압의 압축공기가 공급될 때, 유입구(101)의 압력은 저하되는 대신, 유체배출부(230)를 통과하는 유체의 압력은 상승한다.
또한, 배출가속기(10)의 제 1, 2와류형성부(121)(123)(221)(223)를 통과하며 형성된 와류에 의해 이 고압의 압축공기는 난류가 형성된다.
마찬가지로 배출증폭기(30) 역시 유입구(31)측은 압력이 저하된 상태로 상기한 배출가속기(10)에서 형성된 난류가 이 배출증폭기(30)의 유입구(31)에 도달하게 되면 서로 상이한 압력차에 의해 역류하게 된다.
따라서, 이 난류가 안정적인 유체가 되기 위해서 소정거리 머물공간이 필요하기 때문에 배출연결관(20)의 길이를 150mm 이상 250mm이하로 형성하는 것이다.
따라서, 상술한 배출가속기(10)의 유입구(101)로 유입된 배기유체(흄 및 세정가스)는 유체배출부(230)에서 1 : 1.3 내지 2.5의 비율로 배출연결관(20)을 통해 확대 배출되며, 이 확대된 배기유체는 배출증폭기(30)의 유입구(31)를 유체배출부(33)를 통해 또 다시 1.3 내지 2.5의 비율로 확대됨으로써, 그 흄 또는 세정 가스로 이루어진 배기유체의 배기 효율을 극대화하였다.
또한, 이와 같은 배기효율을 극대화하기 위한 또 다른 방법으로는 도 5 일측에 도시한 바와 같이, 배출가속기(10) 및 배출증폭기(30)에 구비되는 공급관(111)(35)의 위치를 평면상 원형의 정 중앙에 배치하지 않고, 제 1, 2유체유동부(120)(220)의 원형 평면상 일측으로 연통하도록 구비함으로써, 보다 안정적으로 공급유체의 저항없이 와류를 형성할 수 있다.
나아가, 하측에 도시한 바와 같이, 공급관(111)(35)의 위치를 서로 엇갈리는 방향으로 배치하여도 본 발명 소기의 목적을 달성할 수 있음은 물론이다.
계속 해서, 도 2 내지 도 6에 도시한 바를 참조로 하여 본 발명에 따른 배출가속기(10)의 작용효과를 설명한다.
우선, 도시하지 않은 콘트롤러의 신호에 따라, 본 발명에 따른 배출가속기(10)의 공급관(111)(35)에 공기압축기(Air Compressor)(미도시)로부터 공급되는 압축공기는 제 1, 2유체유동부(120)(220)의 각 단명상 수직방향으로 구비된 제 1, 2와류형성부(121)(123)(221)(223)에 의해 와류가 형성되며 상기한 틈새(210)를 통해 빠른 속도로 배출된다.
이와 같이, 형성된 와류에 의해 더욱 속도가 빨라진 공기 유체는 저항없이 유체배출부(230)를 통해 확산되며 배출된다.
즉, 일정속도로 유입된 압축공기는 상기한 바와 같이, 본 발명에 따른 배출가속기(10)의 제 1, 2와류형성부(121)(123)(221)(223)의 와류작용에 의해 더욱 빠른 속도로 확산되며 배출된다.
나아가, 배출연결관(20)과 배출증폭기(30)를 통해서 보다 많은 유량과 보다 빠른 유속으로 배기됨으로써, 배기유체, 즉, 흄 및 공정가스의 배기효율이 극대화되었다.
아래 표1에 나타난 바와 같이, 종래 본 출원인에 의해 개시된 종래 배출가속기(도 1참조)와 본 발명에 따른 배출가속기(1)의 성능을 비교한 실시예이다.
에어 공급부(110)로 공급되는 동일한 압력의 압축공기 압력에 대비하여 본 발명에 따른 배출가속기(10)가 종래 배출가속기에 비해 대략 2배에 해당하는 배기용량(LPM: Liter Per Minute)을 나타낸다.
압축공기압력 | 0.1MPa | 0.2MPa | 0.3MPa | 0.4MPa | 0.5MPa |
종래 배출가속기 | 28LPM | 51LPM | 77LPM | 95LPM | 124LPM |
본 발명 배출가속기 | 52LPM | 111LPM | 157LPM | 202LPM | 254LPM |
이와 같이, 본 발명에 따른 배출가속기(10)에 의해 외부와 차폐된 반도체 제조장비 내부에서 흄 제거작업이 이루어짐으로서, 흄 제거작업의 효율이 향상되었다.
나아가, 본 발명에 따른 배출가속기(10)에 의해 내부에 다수 구비된 웨이퍼에 잔존하는 흄(fume) 및 공정가스등의 배기유체 제거를 위한 배출 속도 및 배출 효율을 향상시킬 수 있는 배출가속기를 널리 제공하였다.
또한, 본 발명에 따른 배출가속기(10)는 도 7과 도 8에 도시한 바와 같이, 각 유로에 와류촉진부재(300)를 더 구비하여 효율을 극대화할 수 있다.
이 와류촉진부재(300)는 나선으로 형성된 스크류(Screw)의 일종으로서, 도 7에 도시한 바와 같이, 공급관(111) 내부에 길이방향으로 구비시켜서 공급유체에 와류를 형성할 수도 있고, 도 8에 도시한 바와 같이, 배기유체(흄 및 공정가스)가 통과하는 유입구(101)에 구비시켜서, 배기유체에 와류를 형성시켜 보다 빠른 배기가 이루어지도록 하는 것이다.
이와 같은 와류촉진부재(300)는 배출가속기(10)에 구비시킨 실시예에 대해서만 설명하였으나, 상술한 배출증폭기(30)에 구비시켜도 본 발명 소기의 목적을 달성할 수 있음은 물론이다.
본 발명은 상술한 특정 바람직한 실시 예에 한정되지 아니하고, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진자 라면 누구든지 다양한 변형실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변형실시는 본 발명의 청구범위 기재 범위 내에 있게 된다.
10 : 배출가속기 20 : 배출연결관
30 : 배출증폭기 100,200 : 제 1, 2본체
101 : 유입구 110 : 에어공급부
111 : 공급관 120 : 제 1유체유동부
121,123,221,223 : 제 1, 2와류 형성부
210 : 틈새 220 : 제 2유체유동부
230 : 유체배출부 231 : 확경부
300 : 와류촉진부재
30 : 배출증폭기 100,200 : 제 1, 2본체
101 : 유입구 110 : 에어공급부
111 : 공급관 120 : 제 1유체유동부
121,123,221,223 : 제 1, 2와류 형성부
210 : 틈새 220 : 제 2유체유동부
230 : 유체배출부 231 : 확경부
300 : 와류촉진부재
Claims (11)
- 공정 모듈, 로드 포트 및 설비 전후 모듈(Equipment Front End Module : EFEM)등의 반도체 제조장비 유로를 유동하는 배기유체의 배출을 위해 구비되는 배출가속기에 있어서,
일단에 상기 반도체 제조장비 내부의 유체가 유입되도록 마련된 유입구와, 상기 유입구에 공급 유체가 공급되도록 적어도 하나 이상의 공급관이 구비된 에어공급부와, 상기 에어공급부를 통해 공급되는 공급 유체가 유동하는 제 1유체유동부로 이루어진 제 1본체와;
상기 제 1본체의 내주에 결합되는 외주에 상기 제 1유체유동부와 단면상 대칭형으로 결합하되, 일단은 상기 제 1유체유동부의 일단과 소정거리 이격된 틈새가 형성되는 제 2유체유동부가 구비되며, 상기 틈새로 배출되는 유체가 배출되는 유체배출부로 이루어진 제 2본체를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제 1항에 있어서,
상기 틈새는,
0.1 내지 0.5mm 로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제 1항에 있어서,
상기 유체배출부는,
배기유체의 유입측으로부터 토출측으로 직경이 확장되는 확경부가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제3항에 있어서,
상기 확경부는,
상기 배기유체의 유입측 직경 : 토출측 직경이 1 : 1.3 내지 2.5의 비율인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제 1항에 있어서,
상기 제 1, 2본체에 각각 구비되는 제 1, 2유체유동부는,
상기 에어공급부로 공급되는 공기 유체의 저항을 최소화하고, 상기 유체배출부를 통해 신속한 배출이 이루어질 수 있도록 단면상 하부와 상부에 단면상 반구형으로 각각 형성된 제 1, 2와류 형성부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제 1항에 있어서,
상기 제 1본체의 에어공급부는,
상기 공급관이 상기 제 1, 2유체유동부의 원형 평면상 일측으로 연통하도록 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제 1항에 있어서,
상기 배출가속기는,
상기 제 2본체의 유체배출부에 일단이 결합된 배출연결관과;
상기 배출연결관의 타단에 유입구가 결합된 배출증폭기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제 7항에 있어서,
상기 배출가속기의 유체배출부와 상기 배출증폭기의 유입부의 직경은 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제 7항에 있어서,
상기 배출연결관의 길이는,
150mm 이상 250mm 이하인 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제 1항에 있어서,
상기 배출가속기는,
상기 제 1본체의 공급관 또는 유입구에 길이방향으로 구비되는 와류촉진부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기. - 제 10항에 있어서,
상기 와류촉진부재는 스크류형태로 나선이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조장비용 배출가속기.
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KR1020140092281A KR101593070B1 (ko) | 2014-07-22 | 2014-07-22 | 반도체 제조장비용 배출가속기 |
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