KR101591966B1 - Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 개시는 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층이 기판 위에 형성되는 단계; 제1 반도체층 또는 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극이 형성되는 단계; 전극을 덮도록 위치하며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 비도전성 막이 형성되는 단계; 비도전성 막에 전극과의 전기적 연결 통로용 개구가 형성되는 단계;로서, 제1 식각 공정에 의해 전극을 노출하는 개구가 형성되는 단계; 제1 식각 공정으로 인해 개구로 노출된 전극 상면에 형성된 물질이 제2 식각 공정에 의해 제거되는 단계; 그리고 물질이 제거된 전극과 접하는 전기적 연결이 개구에 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조 방법에 관한 것이다.The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device comprising a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A plurality of semiconductor layers having active layers to be formed on the substrate; Forming an electrode electrically connected to the first semiconductor layer or the second semiconductor layer; Forming a non-conductive film which is positioned to cover the electrode and reflects light from the active layer; Forming an opening for electrically connecting the electrode to the non-conductive film; forming an opening exposing the electrode by a first etching process; Removing a material formed on an upper surface of the electrode exposed to the opening by the first etching process by a second etching process; And forming an electrical connection in contact with the electrode from which the material is removed.

Description

반도체 발광소자 및 이의 제조방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 특히 식각 공정으로 인한 전기적 특성 저하가 방지된 반도체 발광소자 및 이의 제조방법에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof, and more particularly, to a semiconductor light emitting device in which deterioration of electrical characteristics due to an etching process is prevented and a manufacturing method thereof.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436.

반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901,902,903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, p An n-side bonding pad 800 formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching, electrodes 901, 902, and 903 functioning as a reflective film formed on the n-type semiconductor layer 500, the p-type semiconductor layer 500, .

이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 일측에 전극(901,902,903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901,902,903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩(filp chip)이라 한다. 전극(901,902,903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.A chip having such a structure, that is, a chip in which both the electrodes 901, 902, 903 and the electrode 800 are formed on one side of the substrate 100 and the electrodes 901, 902, 903 function as a reflection film, is called a flip chip. Electrodes 901,902 and 903 may be formed of a highly reflective electrode 901 (e.g., Ag), an electrode 903 (e.g., Au) for bonding, and an electrode 902 (not shown) to prevent diffusion between the electrode 901 material and the electrode 903 material. For example, Ni). Such a metal reflection film structure has a high reflectance and an advantage of current diffusion, but has a disadvantage of light absorption by a metal.

도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면이다.2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-20913.

반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다. 이러한 구성에 의하면, 금속 반사막(904)에 의한 빛 흡수를 감소하지만, 전극(901,902,903)을 이용하는 것보다 상대적으로 전류 확산이 원활치 못한 단점이 있다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the buffer layer 200, an active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, A p-type semiconductor layer 500 formed on the active layer 400 and a p-type semiconductor layer 500 formed on the p-type semiconductor layer 500 and formed on the transparent conductive film 600, A bonding pad 700 and an n-side bonding pad 800 formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching. A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600. According to this structure, although the absorption of light by the metal reflection film 904 is reduced, the current diffusion is less smooth than that using the electrodes 901, 902, and 903.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층이 기판 위에 형성되는 단계; 제1 반도체층 또는 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극이 형성되는 단계; 전극을 덮도록 위치하며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 비도전성 막이 형성되는 단계; 비도전성 막에 전극과의 전기적 연결 통로용 개구가 형성되는 단계;로서, 제1 식각 공정에 의해 전극을 노출하는 개구가 형성되는 단계; 제1 식각 공정으로 인해 개구로 노출된 전극 상면에 형성된 물질이 제2 식각 공정에 의해 제거되는 단계; 그리고 물질이 제거된 전극과 접하는 전기적 연결이 개구에 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법이 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; A plurality of semiconductor layers interposed between the two semiconductor layers and having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes on the substrate; Forming an electrode electrically connected to the first semiconductor layer or the second semiconductor layer; Forming a non-conductive film which is positioned to cover the electrode and reflects light from the active layer; Forming an opening for electrically connecting the electrode to the non-conductive film; forming an opening exposing the electrode by a first etching process; Removing a material formed on an upper surface of the electrode exposed to the opening by the first etching process by a second etching process; And forming an electrical connection in contact with the electrode from which the material is removed.

본 개시에 따른 다른 태양에 의하면(According to another aspect of the present disclosure), 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층 또는 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극;으로서, 제1 반도체층 또는 제2 반도체층 위에 형성된 접촉층과, 접촉층 위에 형성된 산화 방지층과, 산화 방지층 위에 형성된 식각 방지층을 포함하는 전극; 전극을 덮도록 위치하며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 비도전성 막;으로서, 전극과의 전기적 연결 통로용 개구가 형성되어 있는 비도전성 막; 그리고 개구를 통해 전극과 접하는 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to another aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; A plurality of semiconductor layers interposed between the two semiconductor layers and having an active layer that generates light through recombination of electrons and holes; An electrode electrically connected to the first semiconductor layer or the second semiconductor layer, the electrode comprising a contact layer formed on the first semiconductor layer or the second semiconductor layer, an anti-oxidation layer formed on the contact layer, and an anti- electrode; A non-conductive film which is disposed to cover the electrode and reflects light from the active layer, the non-conductive film being formed with an opening for electrical connection with the electrode; And an electrical connection for making contact with the electrode through the opening.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 개시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 일본 공개특허공보 제2006-20913호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 일 예를 설명하는 도면,
도 4는 도 3에서 설명된 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 설명하는 도면,
도 5는 건식 식각 공정에 의해 형성된 개구의 일부(R1)를 확대한 도면,
도 6은 습식 식각 공정이 수행된 전극의 상면을 설명하는 도면,
도 7은 개구에 형성된 전기적 연결을 설명하는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 다른 예를 설명하는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하는 도면,
도 10은 도 9에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하는 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-20913,
3 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method for manufacturing the same,
FIG. 4 is a view for explaining an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device shown in FIG. 3,
5 is an enlarged view of a portion R1 of the opening formed by the dry etching process,
6 is a view for explaining the top surface of the electrode subjected to the wet etching process,
7 is a view for explaining an electrical connection formed in the opening,
8 is a view for explaining another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method for manufacturing the same,
9 is a view for explaining another example of a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same according to the present disclosure,
FIG. 10 is a view for explaining an example of a cross section taken along line AA in FIG. 9,
11 is a view for explaining another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method for manufacturing the same,
12 is a view for explaining another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method of manufacturing the same,
13 is a view for explaining another example of a semiconductor light emitting device and a manufacturing method thereof according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 일 예를 설명하는 도면이다.3 is a view for explaining an example of a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing the same according to the present disclosure.

반도체 발광소자의 제조방법에서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층이 기판 위에 형성된다(S11). 이후, 제1 반도체층 또는 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 전극이 형성된다(S21). 다음으로, 전극을 덮도록 복수의 반도체층 위에 위치하며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 비도전성 막이 형성된다(S31). 계속해서, 비도전성 막에 전극과의 전기적 연결 통로용 개구가 형성되는 과정으로서, 제1 식각 공정에 의해 전극을 노출하는 개구가 형성된다(S41). 이후, 제2 식각 공정에 의해 개구로 노출된 전극의 상면에 형성된 물질이 제거된다(S51). 전극과 접촉하는 전기적 연결이 개구에 형성된다(S61). A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, comprising the steps of: forming a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, A plurality of semiconductor layers having an active layer that generates light through recombination are formed on the substrate (S11). Thereafter, an electrode electrically connected to the first semiconductor layer or the second semiconductor layer is formed (S21). Next, a non-conductive film is formed on the plurality of semiconductor layers so as to cover the electrodes and reflects light from the active layer (S31). Subsequently, an opening for exposing the electrode by the first etching process is formed in the process of forming the opening for electrical connection with the electrode in the non-conductive film (S41). Subsequently, the material formed on the upper surface of the electrode exposed by the opening by the second etching process is removed (S51). An electrical connection is formed in the opening in contact with the electrode (S61).

도 4는 도 3에서 설명된 반도체 발광소자의 제조방법의 일 예를 설명하는 도면이다.FIG. 4 is a view for explaining an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device described in FIG. 3. FIG.

반도체 발광소자의 제조방법에서, 먼저 기판(10) 위에 버퍼층(20)이 성장되며, 버퍼층(20)위에 n형 반도체층(30; 제1 반도체층), 활성층(40), p형 반도체층(50; 제2 반도체층)이 순차로 성장된다(도 3의 S11).A buffer layer 20 is grown on a substrate 10 and an n-type semiconductor layer 30 (first semiconductor layer), an active layer 40, a p-type semiconductor layer 50; the second semiconductor layer) are sequentially grown (S11 in FIG. 3).

기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. The substrate 10 is mainly made of sapphire, SiC, Si, GaN or the like, and the substrate 10 can be finally removed, and the buffer layer 20 can be omitted.

p형 반도체층(50) 및 활성층(40)이 메사 식각되어 n형 반도체층이 일부 노출된다. 메사 식각의 순서는 변경될 수 있다.the p-type semiconductor layer 50 and the active layer 40 are mesa-etched to partially expose the n-type semiconductor layer. The order of the mesa etch can be changed.

이후 과정에서 형성될 전극(93)에 대응하는 p형 반도체층 위에 빛흡수 방지부(65)가 형성된다. 빛흡수 방지부(65)는 생략될 수 있다. 빛흡수 방지부(65)는 p형 반도체층(50)보다 굴절률이 낮은 투광성 물질로 된 단일층(예: SiO2), 다층막(예: Si02/TiO2/SiO2), 분포 브래그 리플렉터, 단일층과 분포 브래그 리플렉터의 결합 등으로 이루어질 수 있다. 또한, 빛흡수 방지부(65)는 비도전성 물질(예: SiOx, TiOx와 같은 유전체 막)로 이루어질 수 있다.The light absorption preventing portion 65 is formed on the p-type semiconductor layer corresponding to the electrode 93 to be formed in the subsequent process. The light absorption preventing portion 65 may be omitted. The light absorption preventing portion 65 is formed of a single layer (e.g., SiO 2 ), a multilayer film (e.g., SiO 2 / TiO 2 / SiO 2 ), a distributed Bragg reflector, A combination of a single layer and a distributed Bragg reflector, and the like. In addition, the light absorption preventing portion 65 may be made of a non-conductive material (e.g., a dielectric film such as SiO x , TiO x ).

빛흡수 방지부(65)을 덮으며 p형 반도체층(50) 위에 p형 반도체층(50)으로 전류확산을 위한 투광성 도전막(60)이 형성되는 것이 바람직하다. 예를 들어, ITO, Ni/Au와 같은 물질로 투광성 도전막(60)이 형성될 수 있다. It is preferable that the light transmitting conductive film 60 for current diffusion is formed on the p-type semiconductor layer 50 on the p-type semiconductor layer 50 while covering the light absorption preventing portion 65. For example, the transmissive conductive film 60 may be formed of a material such as ITO or Ni / Au.

이후, 투광성 도전막(60) 위에 전극(93)이 형성된다(도 3의 S21). 전극(93)은 투광성 도전막(60)에 의해 p형 반도체층(50)과 전기적으로 연결된다. 노출된 n형 반도체층(30) 위에 n형 반도체층(30)으로 전자를 공급하는 n측 본딩 패드(80)가 전극(93)의 형성과 함께 형성될 수 있다. n측 본딩패드(80)는 후술될 반사 전극(92)과 함께 형성될 수도 있다.Thereafter, the electrode 93 is formed on the transmissive conductive film 60 (S21 in Fig. 3). The electrode 93 is electrically connected to the p-type semiconductor layer 50 by the transmissive conductive film 60. An n-side bonding pad 80 for supplying electrons to the n-type semiconductor layer 30 on the exposed n-type semiconductor layer 30 may be formed together with the electrode 93. The n-side bonding pad 80 may be formed together with the reflective electrode 92 to be described later.

후술될 전기적 연결(94; 도 7 참조)이 투광성 도전막(60)에 직접 연결되면 후술될 반사 전극(92; 도 7 참조)과 투광성 도전막(60) 사이에 좋은 전기적 접촉을 형성하기가 쉽지 않을 수 있다. 본 예에서는 전극(93)에 의해 투광성 도전막(60)과 반사 전극(92) 간에 안정적인 전기적 접촉을 얻는다. 7) is directly connected to the transmissive conductive film 60, it is easy to form a good electrical contact between the reflective electrode 92 (see FIG. 7) and the transmissive conductive film 60 to be described later . In this example, the electrode 93 provides stable electrical contact between the transmissive conductive film 60 and the reflective electrode 92.

계속해서, 비도전성 막으로서, 전극(93)을 덮는 비도전성 반사막(91)이 형성된다(도 3의 S31). 비도전성 반사막(91)은 식각되어 노출된 n형 반도체층(30) 및 n측 본딩 패드(80) 일부의 위에도 형성될 수 있다. 비도전성 반사막(91)이 n형 반도체층(30) 및 p형 반도체층(50) 위의 모든 영역을 반드시 덮을 필요는 없다. 비도전성 반사막(91)은 반사막으로 기능하되, 빛의 흡수를 방지하도록 투광성 물질로 형성되는 것이 바람직하다. 비도전성 반사막(91)은 예를 들어, SiOx, TiOx, Ta2O5, MgF2와 같은 투광성 유전체 물질로 형성될 수 있다. 비도전성 반사막(91)이 SiOx로 이루어지는 경우에, p형 반도체층(50; 예: GaN)에 비해 낮은 굴절률을 가지므로, 임계각 이상의 입사각을 가진 빛을 복수의 반도체층(30, 40, 50) 측으로 일부 반사할 수 있게 된다. Subsequently, a non-conductive reflective film 91 covering the electrode 93 is formed as a non-conductive film (S31 in Fig. 3). The non-conductive reflective film 91 may also be formed on a part of the n-type semiconductor layer 30 and the n-side bonding pad 80 which are etched and exposed. The nonconductive reflective film 91 does not necessarily cover all the regions on the n-type semiconductor layer 30 and the p-type semiconductor layer 50. The non-conductive reflective film 91 preferably functions as a reflective film, and is preferably formed of a light transmitting material to prevent absorption of light. The non-conductive reflective film 91 may be formed of a translucent dielectric material such as, for example, SiO x , TiO x , Ta 2 O 5 , and MgF 2 . Since the non-conductive reflective film 91 has a refractive index lower than that of the p-type semiconductor layer 50 (e.g., GaN) in the case where the non-conductive reflective film 91 is made of SiO x , light having an incident angle equal to or greater than the critical angle is formed in the plurality of semiconductor layers 30, ) Side.

한편, 비도전성 반사막(91)이 분포 브래그 리플렉터(DBR: Distributed Bragg Reflector; 예: SiO2와 TiO2의 조합으로 된 DBR)로 이루어지면 더 많은 양의 빛을 복수의 반도체층(30, 40, 50) 측으로 반사할 수 있다. On the other hand, if the non-conductive reflective film 91 is made of a distributed Bragg reflector (DBR) (e.g., a combination of SiO 2 and TiO 2 ), a larger amount of light can be transmitted through the plurality of semiconductor layers 30, 50).

도 5는 건식 식각 공정에 의해 형성된 개구의 일부(R2)를 확대한 도면이고, 도 6은 습식 식각 공정이 수행된 전극의 상면을 설명하는 도면이다.FIG. 5 is an enlarged view of a portion R2 of the opening formed by the dry etching process, and FIG. 6 is a view for explaining the top surface of the electrode subjected to the wet etching process.

계속해서, 건식 식각 공정(제1 식각 공정)에 의해 전극(93)의 일부를 노출하는 개구(102)가 비도전성 반사막(91)에 형성된다(도 3의 S41). 건식 식각 공정에는 식각 가스로 F기를 포함하는 할로겐 가스(예: CF4, C2F6, C3F8, SF6 등)가 사용될 수 있다. 전극(93)은 복수의 층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전극(93)은 p형 반도체층(50)과 전기적으로 연결되는 접촉층(95)과, 접촉층(95) 위에 형성되는 산화 방지층(98) 및 산화 방지층(98) 위에 형성되는 식각 방지층(99)을 포함한다. 본 예에서는 전극(93)은 투광성 도전막(60) 위에 순차로 형성된 접촉층(95), 반사층(96), 확산 방지층(97), 산화 방지층(98) 및 식각 방지층(99)을 포함한다.Subsequently, an opening 102 for exposing a part of the electrode 93 is formed in the non-conductive reflective film 91 by the dry etching process (first etching process) (S41 in FIG. 3). For the dry etching process, a halogen gas (eg, CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , SF 6, etc.) containing an F group as the etching gas may be used. The electrode 93 may comprise a plurality of layers. For example, the electrode 93 is formed on the contact layer 95 electrically connected to the p-type semiconductor layer 50, and on the anti-oxidation layer 98 and the anti-oxidation layer 98 formed on the contact layer 95 And an etching prevention layer 99. In this example, the electrode 93 includes a contact layer 95, a reflection layer 96, a diffusion prevention layer 97, an oxidation prevention layer 98, and an etching prevention layer 99 formed sequentially on the transparent conductive film 60.

접촉층(95)은 투광성 도전막(60)과의 좋은 전기적 접촉을 이루는 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 접촉층(95)으로는 Cr, Ti와 같은 물질이 주로 사용되며, Ni, TiW 등도 사용될 수 있으며, 반사율이 좋은 Al, Ag 등이 사용될 수 있다.The contact layer 95 is preferably made of a material that makes good electrical contact with the transparent conductive film 60. As the contact layer 95, materials such as Cr and Ti are mainly used, and Ni, TiW and the like can be used, and Al and Ag having good reflectivity can be used.

반사층(96)은 반사율이 우수한 금속(예: Ag, Al 또는 이들의 조합)으로 이루어질 수 있다. 반사층(96)은 활성층(40)에서 생성된 빛을 복수의 반도체층(30, 40, 50) 측으로 반사한다. 반사층(96)은 생략될 수 있다.The reflective layer 96 may be made of a metal having a high reflectance (e.g., Ag, Al, or a combination thereof). The reflective layer 96 reflects light generated in the active layer 40 toward the plurality of semiconductor layers 30, 40, and 50. The reflective layer 96 may be omitted.

확산 방지층(97)은 반사층(96)을 이루는 물질 또는 산화 방지층(98)을 이루는 물질이 다른 층으로 확산되는 것을 방지한다. 확산 방지층(97)은 Ti, Ni, Cr, W, TiW 등에서 선택된 적어도 하나로 이루질 수 있으며, 높은 반사율이 요구되는 경우에, Al, Ag 등이 사용될 수 있다.The diffusion preventing layer 97 prevents the material forming the reflection layer 96 or the material forming the oxidation preventing layer 98 from diffusing into another layer. The diffusion preventive layer 97 may be made of at least one selected from Ti, Ni, Cr, W and TiW, and Al and Ag may be used when high reflectance is required.

산화 방지층(98)은 Au, Pt 등으로 이루어질 수 있고, 외부로 노출되어 산소와 접촉하여 산화가 잘 되지 않는 물질이라면 어떠한 물질이라도 좋다. 산화 방지층(98)으로는 전기 전도도가 좋은 Au가 주로 사용된다.The oxidation preventive layer 98 may be made of Au, Pt, or the like, and may be any material as long as it is exposed to the outside and does not oxidize in contact with oxygen. As the oxidation preventing layer 98, Au having good electric conductivity is mainly used.

식각 방지층(99)은 개구(102) 형성을 위한 건식 식각 공정에서 노출되는 층으로서 본 예에서 식각 방지층(99)이 전극(93)의 최상층이다. 식각 방지층(99)으로 Au를 사용하는 경우 비도전성 반사막(91)과 접합력이 약할 뿐만아니라 식각시에 Au의 일부가 손상 또는 훼손될 수 있다. 따라서 식각 방지층(99)은 Au 대신에 Ni, W, TiW, Cr, Pd, Mo 등과 같은 물질로 이루어지면, 비도전성 반사막(91)과의 접합력이 유지되어 신뢰성이 향상될 수 있다.The etch stop layer 99 is a layer exposed in the dry etching process for forming the openings 102, and in this example, the etch stop layer 99 is the top layer of the electrodes 93. When Au is used as the etch stopping layer 99, not only the bonding strength with the non-conductive reflective layer 91 is weak, but a part of Au may be damaged or damaged at the time of etching. Therefore, if the etch stopping layer 99 is made of a material such as Ni, W, TiW, Cr, Pd, or Mo instead of Au, the bonding strength with the non-conductive reflective film 91 can be maintained and reliability can be improved.

한편, 건식 식각 공정에서 식각 방지층(99)은 전극(93)을 보호하며 특히, 산화 방지층(98)의 손상을 방지한다. 건식 식각 공정에는 식각 가스로 F기를 포함하는 할로겐 가스(예: CF4, C2F6, C3F8, SF6)가 사용될 수 있다. 따라서, 산화 방지층(98)의 손상을 방지하기 위해 식각 방지층(99)은 이러한 건식 식각 공정에서 식각 선택비가 우수한 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 식각 방지층(99)의 식각 선택비가 좋지 않은 경우 건식 식각 공정에서 산화 방지층(98)이 손상 또는 훼손될 수 있다. 따라서 식각 선택비 관점에서 Cr 또는 Ni 등이 식각 방지층(99)의 재질로 적합하다. Ni 또는 Cr은 상기 건식 식각 공정의 식각 가스와 반응하지 않거나 미미하게 반응하며, 식각되지 않아서 전극(93)을 보호하는 역할을 하게 된다.On the other hand, in the dry etching process, the etch stop layer 99 protects the electrode 93, and in particular, prevents the oxidation preventive layer 98 from being damaged. For the dry etching process, a halogen gas (eg, CF 4 , C 2 F 6 , C 3 F 8 , or SF 6 ) containing an F group may be used as an etching gas. Therefore, in order to prevent damage to the oxidation preventing layer 98, it is preferable that the etching preventing layer 99 is made of a material having an excellent etching selectivity in this dry etching process. If the etch selectivity ratio of the etch stopping layer 99 is poor, the oxidation preventive layer 98 may be damaged or damaged in the dry etching process. Therefore, Cr or Ni is suitable as the material of the etch stopping layer 99 from the viewpoint of etching selectivity. The Ni or Cr reacts with the etching gas in the dry etching process or does not react with the etching gas, and protects the electrode 93 because it is not etched.

또 다른 한편, 개구(102) 형성을 위한 건식 식각 공정에서 식각 가스로 인해 전극(93)의 상층부에 절연 물질 또는 불순물과 같은 물질(107)이 형성될 수 있다. 예를 들어, F기를 포함하는 상기 할로겐 식각 가스와 전극의 상층 금속이 반응하여 물질(107)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 식각 방지층(99)의 재질로서 Ni, W, TiW, Cr, Pd, Mo 등 중 적어도 일부는, 도 5에 도시된 것과 같이, 건식 식각 공정의 식각 가스와 반응하여 물질(107; 예: NF)이 형성될 수 있다. 이와 같이 형성된 물질(107)은 반도체 발광소자의 전기적 특성의 저하(예: 동작전압의 상승)를 야기할 수 있다. 식각 방지층(99)의 재질로서 Ni, W, TiW, Cr, Pd, Mo 등 중 다른 일부는 식각 가스와 반응하여 물질을 형성하지 않거나 매우 적은 양의 물질을 형성한다. 물질 생성을 억제하거나 작은 양이 형성되는 것이 바람직하며, 이러한 관점에서 Ni보다 Cr이 식각 방지층(99)의 재질로 적합하다.On the other hand, in the dry etching process for forming the openings 102, a material 107 such as an insulating material or an impurity may be formed on the upper portion of the electrode 93 due to the etching gas. For example, the halogen etch gas including the F group may react with the upper layer metal of the electrode to form the material 107. For example, at least some of Ni, W, TiW, Cr, Pd, Mo, etc. as the material of the etch stop layer 99 react with the etching gas in the dry etching process to form a material 107 (Fig. E.g., NF) can be formed. The material 107 thus formed may cause a decrease in the electrical characteristics of the semiconductor light emitting device (for example, an increase in the operating voltage). A part of Ni, W, TiW, Cr, Pd, or Mo as a material of the etch stopping layer 99 reacts with the etching gas to form a very small amount of material. It is preferable that a material is inhibited or a small amount is formed. From this point of view, Cr is more suitable for the material of the etch stopping layer 99 than Ni.

본 예에서는 물질이 형성되는 것을 고려하여 전극(93)의 상층, 즉 식각 방지층(99)의 개구(102)에 대응하는 부분을 습식 식각 공정(제2 식각 공정)으로 제거하여, 도 6에 도시된 것과 같이, 개구(102)에 대응하는 산화 방지층(98)이 노출된다. 물질(107)은 식각 방지층(99)과 함께 식각되어 제거된다. 이와 같이, 물질(107)이 제거됨으로써 전극(93)과 전기적 연결(94; 도 7참조) 간의 전기적 접촉이 좋아지고, 반도체 발광소자의 전기적 특성이 저하되는 것이 방지된다. In this embodiment, the upper layer of the electrode 93, that is, the portion corresponding to the opening 102 of the etching prevention layer 99 is removed by a wet etching process (second etching process) The antioxidant layer 98 corresponding to the opening 102 is exposed. The material 107 is etched away together with the etch stop layer 99. Thus, removal of the material 107 improves electrical contact between the electrode 93 and the electrical connection 94 (see FIG. 7) and prevents the electrical characteristics of the semiconductor light emitting device from degrading.

한편, 개구(102) 형성을 위해 제1 식각공정이 습식 식각으로 수행될 수도 있다. 이 경우, 비도전성 반사막(91)의 식각액으로 HF, BOE, NHO3, HCl 등이 단독으로 또는 적절한 농도의 조합으로 사용될 수 있다. 전술된 건식 식각 공정에서와 마찬가지로, 비도전성 반사막(91)에 습식 식각 공정으로 개구(102)를 형성할 때, 산화 방지층(98) 보호를 위해 식각 방지층(99)의 식각 선택비가 우수한 것이 바람직하다. 이러한 관점에서 Cr이 식각 방지층(99)의 재질로 적합하다. 이후, 후속되는 다른 습식 식각공정(제2 식각공정)에 의해 개구(102)에 대응하는 식각 방지층(99)이 제거될 수 있다.On the other hand, the first etching process may be performed by wet etching to form the opening 102. In this case, HF, BOE, NH 3 , HCl, and the like may be used alone or in combination of appropriate concentrations as the etchant of the non-conductive reflective film 91. It is preferable that the etch selectivity ratio of the etch stopping layer 99 is excellent for protecting the antioxidant layer 98 when the openings 102 are formed in the wet etching process in the nonconductive reflective film 91 as in the dry etching process described above . From this viewpoint, Cr is suitable as the material of the etching preventive layer 99. Thereafter, the etch stop layer 99 corresponding to the opening 102 may be removed by another subsequent wet etching process (second etching process).

상기 개구(102) 형성 공정과 개구(102)에 대응하는 식각 방지층(99)을 제거하는 공정에 의해, 개구(102) 이외의 부분에서는 비도전성 반사막(91)과 접합력이 좋은 식각 방지층(99)이 접하고, 일 예로, 전극(93)은 순차로 적층된 Cr(접촉층)/Al(반사층)/Ni(확산 방지층)/Au(산화 방지층)/Cr(식각 방지층)와 같은 구성을 가진다. 또한, 전극(93)은 개구(102)에서는 전기적 특성 저하 방지를 위해 식각 방지층(99)이 제거되고, 일 예로, 순차로 적층된 Cr(접촉층)/Al(반사층)/Ni(확산 방지층)/Au(산화 방지층)와 같은 구성을 가지며, 산화 방지층(98)과 후술될 전기적 연결(94)이 접촉할 수 있다.The etch stopping layer 99 having a good bonding strength with the nonconductive reflective film 91 is formed at a portion other than the opening 102 by the step of forming the opening 102 and the step of removing the etching preventing layer 99 corresponding to the opening 102. [ The electrode 93 has the same structure as the sequentially stacked Cr (contact layer) / Al (reflection layer) / Ni (diffusion prevention layer) / Au (oxidation prevention layer) / Cr (etching prevention layer). The etching stopper layer 99 is removed in order to prevent deterioration of electrical characteristics in the opening 102 of the electrode 93. For example, Cr (contact layer) / Al (reflective layer) / Ni (diffusion barrier layer) / Au (antioxidant layer), and the antioxidant layer 98 and the electrical connection 94 described later can be in contact with each other.

도 6에 도시된 것과 다르게, 개구(102)에 대응하는 부분에서 식각 방지층(99)의 일부 두께만 습식 식각되어 식각 방지층(99)이 일부 남는 것도 고려할 수 있으며, 식각 방지층의 상면에 집중된 물질이 제거될 수 있다.6, it is also possible to consider that only a part of the thickness of the etching preventive layer 99 at the portion corresponding to the opening 102 is wet-etched to leave a part of the etching preventive layer 99, and a material concentrated on the upper surface of the etching preventive layer Can be removed.

도 7은 개구에 형성되는 전기적 연결을 설명하는 도면이다.7 is a view for explaining an electrical connection formed in the opening.

계속해서, 도 7에 도시되 것과 같이, 전극(93)과 접촉하는 전기적 연결(94)이 개구(102)에 형성된다(도 3의 S61). 전기적 연결(94)은 개구(102)로 노출된 산화 방지층(98)에 전기적 연결(94)이 접하게 형성될 수 있다.Subsequently, as shown in Fig. 7, an electrical connection 94 is formed in the opening 102 to contact the electrode 93 (S61 in Fig. 3). The electrical connection 94 may be formed such that the electrical connection 94 is in contact with the oxidation resistant layer 98 exposed in the opening 102.

이후, 반사율이 높은 Al, Ag와 같은 금속을 사용하여 비도전성 반사막(91) 위에 전기적 연결(94)과 접촉하는 반사 전극(92)이 형성될 수 있다. 예를 들어, 반사 전극(92)을 형성하는 과정은 증착 또는 도금의 방법이 사용될 수 있다. 한편, 반사 전극(92)과 전기적 연결(94)은 별개의 것이 아니라 함께 형성되는 것일 수 있다. 예를 들어, 반사 전극(92)을 형성하는 과정에서 개구(102)가 채워져 전기적 연결(94)이 형성된다. 안정적 전기적 접촉을 위해 반사 전극(92)이 Cr, Ti, Ni 또는 이들의 합금을 사용하여 형성될 수도 있다. 반사 전극(92)은 외부와 전기적으로 연결되어 p형 반도체층(50)으로 정공을 공급할 수 있고, 비도전성 반사막(91)에 의해 반사되지 못한 빛을 반사한다.Thereafter, the reflective electrode 92 contacting the electrical connection 94 may be formed on the non-conductive reflective film 91 using a metal such as Al or Ag having high reflectance. For example, the process of forming the reflective electrode 92 may be a deposition or plating method. On the other hand, the reflective electrode 92 and the electrical connection 94 may be formed together but not separately. For example, in the process of forming the reflective electrode 92, the opening 102 is filled and an electrical connection 94 is formed. For stable electrical contact, the reflective electrode 92 may be formed using Cr, Ti, Ni, or an alloy thereof. The reflective electrode 92 is electrically connected to the outside to supply holes to the p-type semiconductor layer 50, and reflects light that is not reflected by the non-conductive reflective film 91.

기판(10)이 제거되거나 도전성을 가지는 경우에 n측 본딩 패드(80)는 기판(10)이 제거된 n형 반도체층(30)측 또는 도전성 기판측에 형성될 수 있다. n형 반도체층(30)과 p형 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다. 각각의 반도체층(20, 30, 40, 50)이 다층으로 구성될 수 있으며, 추가의 층이 구비될 수도 있다. When the substrate 10 is removed or has conductivity, the n-side bonding pad 80 may be formed on the side of the n-type semiconductor layer 30 from which the substrate 10 is removed or the side of the conductive substrate. The positions of the n-type semiconductor layer 30 and the p-type semiconductor layer 50 can be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device. Each semiconductor layer 20, 30, 40, 50 may be composed of multiple layers, and additional layers may be provided.

전극(93), n측 본딩 패드(80) 및 반사 전극(92)은 전류확산을 위해 가지(branch)를 가지도록 형성될 수 있다. n측 본딩 패드(80)는 별도의 범프를 이용하여 패키지와 결합할 정도의 높이를 가져도 좋고, 도 2에서와 같이 자체가 패키지와 결합될 정도의 높이로 증착되어도 좋다.The electrode 93, the n-side bonding pad 80, and the reflective electrode 92 may be formed to have a branch for current diffusion. The n-side bonding pad 80 may have a height enough to be coupled to the package by using a separate bump, or may be deposited to a height sufficient to bond itself to the package as shown in FIG.

이와 같은 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, 전극(93)과 전기적 연결(94) 사이에 물질(199)이 제거되어 반도체 발광소자의 전기적 특성 저하가 방지된다.According to such a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, the material 199 is removed between the electrode 93 and the electrical connection 94, thereby preventing a deterioration in electrical characteristics of the semiconductor light emitting device.

또한, 비도전성 반사막(91)과의 접합력이 좋으면서 전기적 연결(94)과 좋은 전기적 접촉을 이루는 전극(93)을 구비하는 반도체 발광소자를 제조할 수 있다.In addition, a semiconductor light emitting device having an electrode 93 having a good bonding strength with the non-conductive reflective film 91 and making good electrical contact with the electrical connection 94 can be manufactured.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하는 도면이다.8 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method of manufacturing the same.

반도체 발광소자의 제조방법은 전극(93)이 교대로 반복 적층된 반사층(96) 및 확산 방지층(97)을 구비하는 것을 제외하고는 도 3 내지 도 7에서 설명된 반도체 발광소자의 제조방법과 실질적으로 동일하므로 중복된 설명은 생략한다.The manufacturing method of the semiconductor light emitting device is substantially the same as the manufacturing method of the semiconductor light emitting device described with reference to FIGS. 3 to 7 except that the electrode 93 is provided with the reflective layer 96 and the diffusion preventing layer 97, So that redundant description will be omitted.

전극(93)은 투광성 도전막(60) 위에 형성된 접촉층(95), 접촉층(95) 위에 반복 적층된 반사층(96) 및 확산 방지층(97), 확산 방지층(97) 위에 형성된 산화 방지층(98), 산화 방지층(98) 위에 형성되며 비도전성 반사막(91)과 접촉하는 식각 방지층(99)을 포함한다. 개구에 대응하는 식각 방지층(99)이 제거되어 산화 방지층(98)이 노출되고, 전기적 연결(94)이 산화 방지층(98)과 접하도록 형성되어 있다.The electrode 93 includes a contact layer 95 formed on the light-transmitting conductive film 60, a reflection layer 96 and a diffusion preventing layer 97 repeatedly stacked on the contact layer 95, an oxidation preventing layer 98 formed on the diffusion preventing layer 97 And an anti-etching layer 99 formed on the anti-oxidation layer 98 and in contact with the non-conductive reflective layer 91. The etch stop layer 99 corresponding to the opening is removed to expose the antioxidant layer 98 and the electrical connection 94 to contact the antioxidant layer 98.

예를 들어, 반사층(96)/확산 방지층(97)은 Al/Ni/Al/Ni/Al/Ni와 같이 형성될 수 있다. 전극(93)과 p측 본딩 패드와의 전기적 연결(94)이 다수 형성되는 경우, 전극(94)의 면적이 증가할 수 있다. 이로 인해 전극(93)에 의한 빛흡수 방지가 더 중요해 질 수 있고, 반사층(96)이 중요해진다. Al과 같은 반사층(96)을 높은 두께로 형성하는 것이 Al층의 터짐 등 여러 문제를 야기할 수 있기 때문에 본 예와 같이 반사층(96)/확산 방지층(97)의 반복 적층을 하면 절연 물질 또는 불순물과 같은 물질이 제거되어 좋은 전기적 접촉을 제공하면서 반사율도 향상하여 문제를 방지할 수 있다.For example, the reflective layer 96 / diffusion barrier layer 97 may be formed of Al / Ni / Al / Ni / Al / Ni. When a large number of electrical connections 94 between the electrode 93 and the p-side bonding pad are formed, the area of the electrode 94 may be increased. As a result, the prevention of light absorption by the electrode 93 can be more important, and the reflective layer 96 becomes important. The reflective layer 96 having a high thickness may cause various problems such as the breakage of the Al layer. Therefore, when the reflective layer 96 and the diffusion preventing layer 97 are repeatedly stacked as in this example, Can be removed to provide good electrical contact while improving the reflectivity, thereby preventing the problem.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하는 도면이고, 도 10은 도 9에서 A-A 선을 따라 절단한 단면의 일 예를 설명하는 도면이다.FIG. 9 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method for manufacturing the same, and FIG. 10 is a view for explaining an example of a cross section cut along the line A-A in FIG.

반도체 발광소자의 제조방법은 대면적 반도체 발광소자에도 적용될 수 있다. 반도체 발광소자의 제조방법은 전극(93)의 면적이 커지고 또는 가지 전극 형태로 뻗어 있고, 복수의 개구 및 복수의 전기적 연결(94)이 형성된 것과, 비도전성 반사막(91)이 유전체 막(91b)과 분포 브래그 리플렉터(91a; DBR : Distributed Bragg Reflector; 예: SiO2와 TiO2의 조합으로 된 DBR)로 이루어진 것을 제외하고는 도 3 내지 도 7에서 설명된 반도체 발광소자의 제조방법과 실질적으로 동일하므로 중복된 설명은 생략한다.The method of manufacturing a semiconductor light emitting device can also be applied to a large area semiconductor light emitting device. A method of manufacturing a semiconductor light emitting device includes a step of forming a plurality of openings and a plurality of electrical connections 94 and a step of forming a nonconductive reflective film 91 on the dielectric film 91b, Is substantially the same as the manufacturing method of the semiconductor light emitting device described in Figs. 3 to 7 except that it is made of a distributed Bragg reflector (DBR) (e.g., DBR in combination of SiO 2 and TiO 2 ) Therefore, redundant description will be omitted.

비도전성 반사막(91)이 분포 브래그 리플렉터를 포함하므로 더 많은 양의 빛을 복수의 반도체층(30, 40, 50) 측으로 반사할 수 있다. Since the non-conductive reflective film 91 includes the distributed Bragg reflector, a larger amount of light can be reflected to the side of the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50.

유전체 막(91b)의 경우에 물질은 SiO2가 적당하며, 그 두께는 0.2um ~ 1.0um가 적당하다. SiO2로 된 유전체 막(91b)은 화학 기상 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 그 중에서도 플라즈마 화학 기상 증착법(PECVD; Plasma Enhanced CVD)에 의해 형성하는 것이 바람직하다. In the case of the dielectric film 91b, SiO 2 is suitable as the material, and the thickness is suitably from 0.2 탆 to 1.0 탆. The dielectric film 91b made of SiO 2 is preferably formed by CVD (Chemical Vapor Deposition), in particular, plasma enhanced CVD (PECVD).

분포 브래그 리플렉터(91a)의 경우에 TiO2/SiO2로 구성되는 경우 각 층은 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 가지도록 설계되며, 그 조합의 수는 4 ~ 20 페어(pairs)가 적합하다. 분포 브래그 리플렉터(91a)는, 물리 증착법(PVD; Physical Vapor Deposition), 그 중에서도 전자선 증착법(E-Beam Evaporation) 또는 스퍼터링법(Sputtering) 또는 열 증착법(Thermal Evaporation)에 의해 형성하는 것이 바람직하다. In the case of the distributed Bragg reflector 91a, when composed of TiO 2 / SiO 2 , each layer is designed to have an optical thickness of 1/4 of a given wavelength, the number of which is 4 to 20 pairs Do. The distribution Bragg reflector 91a is preferably formed by physical vapor deposition (PVD), in particular by E-Beam Evaporation, sputtering or thermal evaporation.

반사 전극(92) 형성 전에 분포 브래그 리플렉터(91a) 위에 추가의 유전체 막이 형성될 수도 있다. 유전체 막(91b), 분포 브래그 리플렉터(91a) 및 추가의 유전체 막은 광가이드 구조를 형성한다.An additional dielectric film may be formed on the distributed Bragg reflector 91a before the reflection electrode 92 is formed. The dielectric film 91b, the distributed Bragg reflector 91a, and the additional dielectric film form a light guide structure.

전류확산을 위해 전극(93)과 p측 반사전극(92) 간의 전기적 연결(94)을 복수개 형성한다. 따라서 비도전성 반사막(91)에 복수의 개구를 형성하기 위한 건식 식각 공정에서 복수의 개구로 노출된 전극(93)의 상면에 물질이 형성될 수 있다.A plurality of electrical connections 94 between the electrode 93 and the p-side reflective electrode 92 are formed for current diffusion. Therefore, in the dry etching process for forming a plurality of openings in the non-conductive reflective film 91, a material can be formed on the upper surface of the electrode 93 exposed as a plurality of openings.

습식 식각 공정에 의해 물질이 전극(93)의 상층, 예를 들어, 식각 방지층과 함께 개구에 대응하는 부분이 제거된다. 이후 복수의 개구에 전기적 연결(94)이 형성된다. 따라서 대면적 반도체 발광소자의 전기적 특성의 저하가 방지된다.By the wet etching process, the material is removed from the upper layer of the electrode 93, for example, the portion corresponding to the opening together with the etching prevention layer. An electrical connection 94 is then formed in the plurality of openings. Therefore, deterioration of the electrical characteristics of the large area semiconductor light emitting device is prevented.

도 11은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하는 도면이다. 11 is a view for explaining another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method of manufacturing the same.

반도체 발광소자의 제조방법은 n측 본딩 패드(80)가 비도전성 반사막(91) 위에 형성된 점, n측 본딩 패드(80)와 n측 가지 전극(81)의 전기적 연결(82)을 형성하기 위해 개구를 형성하는 공정과, 방열 및 반사 전극(108)이 구비된 점을 제외하고는 도 3 내지 도 7에서 설명된 반도체 발광소자의 제조방법과 실질적으로 동일하므로 중복된 설명은 생략한다.The method of manufacturing a semiconductor light emitting device is characterized in that the n-side bonding pad 80 is formed on the nonconductive reflective film 91 and the electrical connection 82 of the n-side bonding pad 80 and the n- And the manufacturing method of the semiconductor light emitting device described with reference to FIGS. 3 to 7 except that the heat dissipation and reflective electrode 108 is provided. Therefore, a duplicated description will be omitted.

개구 형성을 위한 건식 식각 공정에서 전극(793)과 n측 가지 전극(781)의 일부를 노출하는 개구가 각각 형성된다. 따라서 n측 가지 전극(81)도 전극(93)과 마찬가지로 상면에 절연 물질 또는 불순물과 같은 물질이 형성될 수 있다.Openings are formed to expose portions of the electrode 793 and the n-side branch electrode 781 in the dry etching process for forming the openings. Accordingly, the n-side branch electrode 81 may be formed with a material such as an insulating material or an impurity on the upper surface in the same manner as the electrode 93.

후속하는 습식 식각 공정에 의해 각각 개구로 노출된 전극(93)과 n측 가지 전극(81)의 상면의 물질이 식각 방지층과 함께 제거될 수 있다. 이후, 전기적 연결(94, 82)이 형성된다. 전기적 연결(94, 82)은 식각 방지층이 제거되어 노출된 전극(93)과 n측 가지 전극(81)의 산화 방지층에 접하도록 형성될 수 있다. p측 본딩 패드(92)와, n측 본딩 패드(80)가 각각 전기적 연결(94, 82)을 통해 p형 반도체층(50) 및 n형 반도체층(30)에 전기적으로 연결된다.The material on the upper surface of the electrode 93 and the n-side branch electrode 81 exposed to the openings by the subsequent wet etching process can be removed together with the etch stop layer. Thereafter, electrical connections 94 and 82 are formed. The electrical connections 94 and 82 may be formed so as to contact the oxidation prevention layer of the exposed electrode 93 and the n-side branch electrode 81 by removing the etch stop layer. the p-side bonding pad 92 and the n-side bonding pad 80 are electrically connected to the p-type semiconductor layer 50 and the n-type semiconductor layer 30 through the electrical connections 94 and 82, respectively.

도 12는 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하는 도면이다. 12 is a view for explaining another example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method for manufacturing the same.

반도체 발광소자의 제조방법은 투광성 도전막 및 빛흡수 방지부가 생략되고 전극(93)이 반사막 및 전류확산 도전막으로 기능하도록 p형 반도체층(50) 위에 전면적으로 형성된 점, 2층 구조로 형성된 점, n측 가지 전극(81)을 더 구비하는 점을 제외하고는 도 3 내지 도 7에서 설명된 반도체 발광소자의 제조방법과 실질적으로 동일하므로 중복된 설명은 생략한다.The method of manufacturing a semiconductor light emitting device is characterized in that a light transmitting conductive film and a light absorption preventing portion are omitted and the electrode 93 is formed on the p-type semiconductor layer 50 so as to function as a reflective film and a current diffusion conductive film, , and an n-side branch electrode 81 are further included, so that a duplicate description will be omitted.

전극(93)은 Ag나 Al과 같은 반사율이 우수한 재질로 형성된 반사층(96)을 구비하며, 반사층(96)은 p형 반도체층(50)과 오믹 접촉층으로도 기능한다. 전극(93)은 반사층(96) 위에 비도전성 막(91)과 접합력이 좋은 물질로 형성된 식각 방지층(99)을 구비한다. 예를 들어, 전극(93)은 Ag층 또는 Al층과 같은 반사층(93a) 위에 Ni, W, TiW, Cr, Pd, Mo와 같은 물질로 이루어진 식각 방지층(93b)을 포함할 수 있다. 식각 방지층(99)은 Ag층 또는 Al층 위에 전면적으로 형성되거나 개구에 대응하는 부분에만 형성될 수도 있다. 식각 방지층(99)은 개구 형성을 위한 건식 식각 공정에서 식각 선택비가 좋아야 한다는 점과, 식각 가스와 반응하지 않거나 절연 물질 또는 불순물과 같은 물질의 형성이 작을수록 좋은 점을 고려하여 선택되는 것이 바람직하며, 이러한 관점에서 Cr 또는 Ni이 적당하다.The electrode 93 has a reflective layer 96 formed of a material having a high reflectance such as Ag or Al and the reflective layer 96 also functions as a p-type semiconductor layer 50 and an ohmic contact layer. The electrode 93 is provided on the reflective layer 96 with an etch stopping layer 99 formed of a material having good bonding strength with the non-conductive film 91. For example, the electrode 93 may include an anti-etching layer 93b made of a material such as Ni, W, TiW, Cr, Pd or Mo on a reflective layer 93a such as an Ag layer or an Al layer. The etch stopping layer 99 may be formed entirely on the Ag layer or the Al layer or may be formed only on the portion corresponding to the opening. It is preferable that the etching preventive layer 99 is selected in consideration of the fact that the etching selectivity ratio in the dry etching process for forming the openings should be good and the smaller the formation of the material such as the insulating material or the impurity does not react with the etching gas, From this viewpoint, Cr or Ni is suitable.

본 예에서는 비도전성 막으로서 유전체 막(91)이 형성된다. 유전체 막(91)은 예를 들어, SiOx, TiOx, Ta2O5, MgF2와 같은 투광성 유전체 물질로 형성될 수 있다. In this example, the dielectric film 91 is formed as a non-conductive film. The dielectric film 91 can be formed, for example, a translucent dielectric material such as SiO x, TiO x, Ta 2 O 5, MgF 2.

유전체 막(91)에 건식 식각 공정에 의해 개구가 형성된다. 개구 형성을 위한 건식 식각 공정에서 전극(93)의 상면에 절연 물질 또는 불순물과 같은 물질이 형성될 수 있다. 이후 습식 식각 공정에 의해 물질이 제거된다. 습식 식각 공정에 의해 물질이 제거되는 과정에서 전극(93)의 일부, 예를 들어, 개구에 대응하는 식각 방지층(99)의 적어도 일부가 제거될 수 있다. 개구에는 전기적 연결(94)이 형성된다. 따라서 물질로 인한 반도체 발광소자의 동작전압 상승이 방지된다.An opening is formed in the dielectric film 91 by a dry etching process. A material such as an insulating material or an impurity may be formed on the upper surface of the electrode 93 in the dry etching process for forming the opening. Subsequently, the material is removed by a wet etching process. During the removal of the material by the wet etching process, at least a portion of the electrode 93, for example, at least a portion of the etch stop layer 99 corresponding to the opening, may be removed. An electrical connection 94 is formed in the opening. Therefore, an increase in the operating voltage of the semiconductor light emitting device due to the material is prevented.

도 13은 본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조방법의 또 다른 예를 설명하는 도면이다.13 is a view for explaining another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure and a method for manufacturing the same.

반도체 발광소자의 제조방법은 개구(102)에 대응하는 식각 방지층(99)이 제거되지 않고 그대로 남겨두는 것을 제외하고는 도 3 내지 도 7에서 설명된 반도체 발광소자 및 이의 제조방법과 실질적으로 동일하므로 중복된 설명은 생략한다.The manufacturing method of the semiconductor light emitting device is substantially the same as the semiconductor light emitting device and its manufacturing method described in FIGS. 3 to 7 except that the etch stopping layer 99 corresponding to the opening 102 is left without being removed Duplicate description will be omitted.

전극(93)은 투광성 도전막(60) 위에 순차로 적층된 접촉층(95), 반사층(96), 확산 방지층(97), 산화 방지층(98) 및 산화 방지층(98) 위에 형성되며 비도전성 반사막(91)과 접촉하는 식각 방지층(99)을 포함한다. 개구(102)에 대응하는 식각 방지층(99)이 제거되지 않고 잔류한다. 즉, 본 예에서 제1 식각 공정인 건식 식각 공정에서 산화 방지층(98)을 보호하는 식각 방지층(99)을 습식 식각으로 제거하는 제2 식각 공정이 생략된다. 전기적 연결(94)은 식각 방지층(99)과 접하도록 형성될 수 있다.The electrode 93 is formed on the contact layer 95, the reflective layer 96, the diffusion preventing layer 97, the antioxidant layer 98 and the antioxidant layer 98 which are sequentially stacked on the light-transmitting conductive film 60, And an etching prevention layer 99 in contact with the etching stopper layer 91. The etching preventive layer 99 corresponding to the opening 102 remains without being removed. That is, in this embodiment, the second etching process for removing the etching prevention layer 99 for protecting the oxidation prevention layer 98 by the wet etching in the dry etching process as the first etching process is omitted. The electrical connection 94 may be formed in contact with the etch stop layer 99.

식각 방지층(99)은 비도전성 반사막(91)과 접합력이 좋고, 건식 식각 공정에서 선택비가 우수하며, 건식 식각 공정에서 식각 가스와 반응하여 절연물질 또는 불순물과 같은 물질을 형성하지 않거나 매우 작은 물질을 형성하는 재질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 식각 방지층(99)은 Ni, W, TiW, Cr, Pd, Mo와 같은 물질로 이루어질 수 있으며, 상기 접합력, 식각 선택비, 절연 물질 또는 불순물과 같은 물질의 형성 억제를 고려하면, Cr 또는 Ni로 이루어지는 것이 적합하다. 이와 같이, 물질 형성이 미미한 물질로 식각 방지층(99)를 형성하면 제2 식각 공정(습식 식각 공정)이 생략될 수 있는 이점이 있다.The etch stop layer 99 has a good bonding strength with the non-conductive reflective layer 91, has a high selectivity in the dry etching process, reacts with the etching gas in the dry etching process and does not form a substance such as an insulating material or an impurity, It is preferable that it is made of a material to be formed. For example, the etch stop layer 99 may be formed of a material such as Ni, W, TiW, Cr, Pd, Mo, and considering the suppression of the formation of materials such as the bonding force, etch selectivity, Cr or Ni. As described above, forming the etch stopping layer 99 with a material having a small amount of material has an advantage that the second etching process (wet etching process) can be omitted.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 제2 식각 공정은 물질을 제거하는 습식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(1) The method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the second etching process includes a wet etching process for removing a material.

개구 내에 전극 물질로 전기적 연결이 형성될 수 있다. 개구는 건식 식각 또는 습식 식각, 또는 이 둘을 병행하는 방법으로 형성될 수도 있다. 제2 식각 공정이 물질을 제거하는 건식 식각 공정으로 수행되거나 습식 식각 공정 및 건식 식각 공정을 모두 포함할 수도 있다.An electrical connection may be formed with the electrode material in the opening. The openings may be formed by dry etching or wet etching, or a combination of both. The second etching process may be performed by a dry etching process for removing the material, or may include both the wet etching process and the dry etching process.

(2) 전극이 형성되는 단계는: 복수의 반도체층과 전기적으로 연결되는 접촉층이 형성되는 과정; 그리고 접촉층 위에 형성되며, 제1 식각 공정에 의해 개구로 노출되는 식각 방지층이 형성되는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(2) the step of forming the electrode includes the steps of: forming a contact layer electrically connected to the plurality of semiconductor layers; And forming an etch stop layer formed on the contact layer and exposed to the opening by a first etching process.

(3) 제1 식각 공정인 건식 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 노출되며, 습식 식각 공정인 제2 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 물질과 함께 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(3) The etching prevention layer corresponding to the opening is exposed by the dry etching process as the first etching process, and the etching prevention layer corresponding to the opening is removed together with the material by the second etching process as the wet etching process. A method of manufacturing a light emitting device.

(4) 제1 식각 공정인 습식 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 노출되며, 습식 식각 공정인 제2 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(4) The etch stop layer corresponding to the opening is exposed by the wet etching process, which is the first etching process, and the etch stop layer corresponding to the opening is removed by the second etching process, which is a wet etching process. Gt;

(5) 전극이 형성되는 단계는: 식각 방지층 형성 전에 접촉층 위에 반사층이 형성되는 과정; 반사층 위에 확산 방지층이 형성되는 과정; 그리고 확산 방지층 위에 산화 방지층이 형성되는 과정;을 포함하며, 식각 방지층은 산화 방지층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(5) The step of forming the electrode includes: a process of forming a reflective layer on the contact layer before forming the etch stop layer; A process of forming a diffusion preventing layer on a reflection layer; And forming an anti-oxidation layer on the anti-diffusion layer, wherein the anti-oxidation layer is formed on the anti-oxidation layer.

(6) 제1 식각 공정은 건식 식각 공정으로서 식각 가스는 F기를 포함하는 할로겐 가스를 포함하며, 산화 방지층은 Au, Pt 중 적어도 하나로 형성되며, 식각 방지층은 Cr, Ni, W, TiW, Pd, Mo 중 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(6) The first etching process is a dry etching process. The etching gas includes a halogen gas including an F group. The oxidation preventing layer is formed of at least one of Au and Pt. The etching preventing layer is Cr, Ni, W, TiW, Pd, And Mo. The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to claim 1,

(7) 반사층 및 확산 방지층은 교대로 복수회 반복 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(7) A method for manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein the reflective layer and the diffusion preventing layer are alternately repeatedly laminated a plurality of times.

(8) 비도전성 막이 형성되는 단계는: 전극을 기준으로 복수의 반도체층의 반대편에 유전체 막이 형성되는 과정; 그리고 전극을 기준으로 복수의 반도체층의 반대편에 분포 브래그 리플렉터(Distributed Bragg reflector)가 형성되는 과정; 중 적어도 어느 하나의 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(8) The step of forming a non-conductive film includes the steps of: forming a dielectric film on the opposite side of a plurality of semiconductor layers with respect to an electrode; And forming a distributed Bragg reflector on the opposite side of the plurality of semiconductor layers with respect to the electrode; The method comprising the steps of: preparing a semiconductor light emitting device;

본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법은 비도전성 막과 별개로 도전성 반사막이 추가되는 것을 포함한다.The method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure includes adding a conductive reflective film separately from a non-conductive film.

(9) 제2 반도체층 위에 전극에 의한 빛흡수를 감소시키는 빛흡수 방지부가 형성되는 단계; 제2 반도체층 위에서 빛흡수 방지부를 덮는 전류확산 도전막이 형성되는 단계; 그리고 비도전성 막 위에 전기적 연결과 전기적으로 연결되는 반사 전극이 형성되는 단계;를 포함하며, 전극이 형성되는 단계는: 전류확산 도전막 위에 접촉층이 형성되는 과정; 접촉층 위에 반사층이 형성되는 과정; 반사층 위에 확산 방지층이 형성되는 과정; 확산 방지층 위에 산화 방지층이 형성되는 과정; 그리고 산화 방지층 위에 식각 방지층이 형성되는 과정;을 포함하며, 비도전성 막이 형성되는 단계는: 전극을 덮도록 SiO2를 사용하여 유전체 막이 형성되는 과정; 그리고 유전체 막 위에 TiO2/SiO2층을 포함하는 분포 브래그 리플렉터가 형성되는 과정;을 포함하며, 제1 식각 공정인 건식 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 노출되며, 습식 식각 공정인 제2 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 물질과 함께 제거되며, 전기적 연결이 산화 방지층과 접하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.(9) forming a light absorption preventing portion for reducing light absorption by the electrode on the second semiconductor layer; Forming a current diffusion conductive film covering the light absorption preventing portion on the second semiconductor layer; And forming a reflective electrode electrically connected to the electrical connection on the non-conductive film, wherein the step of forming the electrode comprises: forming a contact layer on the current diffusion conductive film; A process in which a reflective layer is formed on a contact layer; A process of forming a diffusion preventing layer on a reflection layer; A process in which an antioxidant layer is formed on the diffusion preventing layer; And forming an anti-etching layer on the anti-oxidation layer. The non-conductive layer is formed by: forming a dielectric layer using SiO 2 to cover the electrode; And forming a distributed Bragg reflector including a TiO 2 / SiO 2 layer on the dielectric film. The etch stop layer corresponding to the opening is exposed by the dry etching process as the first etching process, and the wet etching process (2) the etching prevention layer corresponding to the opening is removed together with the material by the etching process, and the electrical connection is in contact with the oxidation preventing layer.

(10) 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층; 제1 반도체층 또는 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극;으로서, 제1 반도체층 또는 제2 반도체층 위에 형성된 접촉층과, 접촉층 위에 형성된 산화 방지층과, 산화 방지층 위에 형성된 식각 방지층을 포함하는 전극; 전극을 덮도록 위치하며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 비도전성 막;으로서, 전극과의 전기적 연결 통로용 개구가 형성되어 있는 비도전성 막; 그리고 개구를 통해 전극과 접하는 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) A light emitting device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer interposed between the first and second semiconductor layers, A plurality of semiconductor layers having active layers to be formed; An electrode electrically connected to the first semiconductor layer or the second semiconductor layer, the electrode comprising a contact layer formed on the first semiconductor layer or the second semiconductor layer, an anti-oxidation layer formed on the contact layer, and an anti- electrode; A non-conductive film which is disposed to cover the electrode and reflects light from the active layer, the non-conductive film being formed with an opening for electrical connection with the electrode; And an electrical connection in contact with the electrode through the opening.

본 개시에 따른 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법은 수직구조 반도체 발광소자, 레터럴(lateral) 칩, 플립 칩 등에 모두 적용될 수 있다.The semiconductor light emitting device and the manufacturing method thereof according to the present disclosure can be applied to vertical semiconductor light emitting devices, lateral chips, flip chips, and the like.

(11) 개구에 대응하는 식각 방지층이 제거되며, 전기적 연결이 식각 방지층이 제거되어 노출된 산화 방지층에 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(11) is removed, and the electrical connection is made to contact the exposed antioxidant layer by removing the etch stop layer.

(12) 비도전성 막은: TiO2/SiO2층을 포함하는 분포 브래그 리플렉터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(12) A semiconductor light emitting device comprising a non-conductive film: a distributed Bragg reflector including a TiO 2 / SiO 2 layer.

(13) 산화 방지층은 Au, Pt 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(13) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (7), wherein the oxidation preventing layer is made of at least one of Au and Pt.

(14) 식각 방지층은 Cr, Ni, W, TiW, Pd, Mo 중 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(14) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (6), wherein the etching prevention layer is formed of at least one of Cr, Ni, W, TiW, Pd and Mo.

(15) 접촉층과 산화 방지층 사이에 Ag 및 Al 중 적어도 하나로 형성된 반사층; 그리고 반사층과 산화 방지층 사이에 Ti, Ni, Cr, W 및 TiW 중 적어도 하나로 형성된 확산 방지층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(15) a reflective layer formed of at least one of Ag and Al between the contact layer and the antioxidant layer; And a diffusion prevention layer formed of at least one of Ti, Ni, Cr, W and TiW between the reflection layer and the oxidation prevention layer.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, 건식 식각 공정에서 형성된 전극 표면에 물질이 후속 식각공정에 의해 제거되어 반도체 발광소자의 전기적 특성 저하가 방지된다.According to the method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the material is removed by a subsequent etching process on the surface of the electrode formed in the dry etching process, so that the electrical characteristics of the semiconductor light emitting device are prevented from deteriorating.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, 플립칩 타입, 수직 구조, 수평 구조 등의 반도체 발광소자의 제조에서, 비도전성 막에 개구를 형성하는 제1 식각 공정에서 전극 표면에 형성될 수 있는 물질을 제2 식각 공정으로 제거하여 반도체 발광소자의 전기적 특성 저하가 방지된다.According to another manufacturing method of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in manufacturing a semiconductor light emitting device such as a flip chip type, a vertical structure, a horizontal structure, or the like, in a first etching process for forming an opening in a non- The material that can be formed is removed by the second etching process to prevent the electrical characteristics of the semiconductor light emitting device from deteriorating.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, 비도전성 반사막을 도입하여 금속 반사막에 의한 빛흡수가 감소되며, 개구를 통한 전기적 연결에 의해 전류확산 통로를 충분히 확보할 수 있다.According to another method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, light absorption by a metal reflection film is reduced by introducing a non-conductive reflective film, and a current diffusion path can be sufficiently secured by electrical connection through an opening.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 반도체 발광소자의 제조방법에 의하면, 비도전성 반사막과 접합력이 좋으면서 전기적 연결과의 좋은 전기적 접촉을 이루는 전극을 가지는 반도체 발광소자를 제공할 수 있다.According to another method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to provide a semiconductor light emitting device having an electrode that has good bonding strength with a nonconductive reflective film and has good electrical contact with an electrical connection.

Claims (16)

제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층이 기판 위에 형성되는 단계;
제1 반도체층 또는 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극이 형성되는 단계;
전극을 덮도록 위치하며, 활성층으로부터의 빛을 반사하는 비도전성 막이 형성되는 단계;
비도전성 막에 전극과의 전기적 연결 통로용 개구가 형성되는 단계;로서, 제1 식각 공정에 의해 전극을 노출하는 개구가 형성되는 단계;
제1 식각 공정으로 인해 개구로 노출된 전극 상면에 형성된 물질이 제2 식각 공정에 의해 제거되는 단계; 그리고
물질이 제거된 전극과 접하는 전기적 연결이 개구에 형성되는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and an active layer disposed between the first and second semiconductor layers and generating light through recombination of electrons and holes, Forming a plurality of semiconductor layers on the substrate;
Forming an electrode electrically connected to the first semiconductor layer or the second semiconductor layer;
Forming a non-conductive film which is positioned to cover the electrode and reflects light from the active layer;
Forming an opening for electrically connecting the electrode to the non-conductive film; forming an opening exposing the electrode by a first etching process;
Removing a material formed on an upper surface of the electrode exposed to the opening by the first etching process by a second etching process; And
And forming an electrical connection in contact with the electrode from which the material is removed. 청구항 1에 있어서,
제2 식각 공정은 물질을 제거하는 습식 식각 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
Wherein the second etching process includes a wet etching process for removing the material. 청구항 1에 있어서,
전극이 형성되는 단계는:
복수의 반도체층과 전기적으로 연결되는 접촉층이 형성되는 과정; 그리고
접촉층 위에 형성되며, 제1 식각 공정에 의해 개구로 노출되는 식각 방지층이 형성되는 과정;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The step of forming the electrode comprises:
A process of forming a contact layer electrically connected to a plurality of semiconductor layers; And
And forming an etch stop layer on the contact layer and exposed to the opening by a first etching process. 청구항 3에 있어서,
제1 식각 공정인 건식 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 노출되며,
습식 식각 공정인 제2 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 물질과 함께 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
The etch stop layer corresponding to the opening is exposed by the dry etching process which is the first etching process,
Wherein the etch stop layer corresponding to the opening is removed together with the material by a second etching process which is a wet etching process. 청구항 3에 있어서,
제1 식각 공정인 습식 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 노출되며,
습식 식각 공정인 제2 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 제거되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
The etch stop layer corresponding to the opening is exposed by the wet etching process which is the first etching process,
Wherein the etch stop layer corresponding to the opening is removed by a second etching process which is a wet etching process. 청구항 3에 있어서,
전극이 형성되는 단계는:
식각 방지층 형성 전에 접촉층 위에 반사층이 형성되는 과정;
반사층 위에 확산 방지층이 형성되는 과정; 그리고
확산 방지층 위에 산화 방지층이 형성되는 과정;을 포함하며,
식각 방지층은 산화 방지층 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method of claim 3,
The step of forming the electrode comprises:
A process of forming a reflective layer on the contact layer before the formation of the etch stop layer;
A process of forming a diffusion preventing layer on a reflection layer; And
And forming an antioxidant layer on the diffusion preventing layer,
Wherein the anti-etching layer is formed on the anti-oxidation layer. 청구항 6에 있어서,
제1 식각 공정은 건식 식각 공정으로서 식각 가스는 F기를 포함하는 할로겐 가스를 포함하며,
산화 방지층은 Au, Pt 중 적어도 하나로 형성되며,
식각 방지층은 Cr, Ni, W, TiW, Pd, Mo 중 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method of claim 6,
The first etching process is a dry etching process, and the etching gas includes a halogen gas including an F group,
The oxidation preventing layer is formed of at least one of Au and Pt,
Wherein the etch stop layer is formed of at least one of Cr, Ni, W, TiW, Pd, and Mo. 청구항 6에 있어서,
반사층 및 확산 방지층은 교대로 복수회 반복 적층되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method of claim 6,
Wherein the reflective layer and the diffusion preventing layer are alternately stacked repeatedly a plurality of times. 청구항 1에 있어서,
비도전성 막이 형성되는 단계는:
전극을 기준으로 복수의 반도체층의 반대편에 유전체 막이 형성되는 과정; 그리고
전극을 기준으로 복수의 반도체층의 반대편에 분포 브래그 리플렉터(Distributed Bragg reflector)가 형성되는 과정; 중 적어도 어느 하나의 과정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
The step of forming a non-conductive film comprises:
A process in which a dielectric film is formed on the opposite side of a plurality of semiconductor layers with respect to an electrode; And
A process in which a distributed Bragg reflector is formed on the opposite side of the plurality of semiconductor layers with respect to the electrode; The method comprising the steps of: preparing a semiconductor light emitting device; 청구항 1에 있어서,
제2 반도체층 위에 전극에 의한 빛흡수를 감소시키는 빛흡수 방지부가 형성되는 단계;
제2 반도체층 위에서 빛흡수 방지부를 덮는 전류확산 도전막이 형성되는 단계; 그리고
비도전성 막 위에 전기적 연결과 전기적으로 연결되는 반사 전극이 형성되는 단계;를 포함하며,
전극이 형성되는 단계는:
전류확산 도전막 위에 접촉층이 형성되는 과정;
접촉층 위에 반사층이 형성되는 과정;
반사층 위에 확산 방지층이 형성되는 과정;
확산 방지층 위에 산화 방지층이 형성되는 과정; 그리고
산화 방지층 위에 식각 방지층이 형성되는 과정;을 포함하며,
비도전성 막이 형성되는 단계는:
전극을 덮도록 SiO2를 사용하여 유전체 막이 형성되는 과정; 그리고
유전체 막 위에 TiO2/SiO2층을 포함하는 분포 브래그 리플렉터가 형성되는 과정;을 포함하며,
제1 식각 공정인 건식 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 노출되며,
습식 식각 공정인 제2 식각 공정에 의해 개구에 대응하는 식각 방지층이 물질과 함께 제거되며,
전기적 연결이 산화 방지층과 접하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자의 제조방법.The method according to claim 1,
Forming a light absorption preventing portion for reducing light absorption by the electrode on the second semiconductor layer;
Forming a current diffusion conductive film covering the light absorption preventing portion on the second semiconductor layer; And
And forming a reflective electrode electrically connected to the electrical connection on the non-conductive film,
The step of forming the electrode comprises:
A process of forming a contact layer on the current diffusion conductive film;
A process in which a reflective layer is formed on a contact layer;
A process of forming a diffusion preventing layer on a reflection layer;
A process in which an antioxidant layer is formed on the diffusion preventing layer; And
And forming an anti-etching layer on the anti-oxidation layer,
The step of forming a non-conductive film comprises:
A process in which a dielectric film is formed using SiO 2 so as to cover an electrode; And
And forming a distributed Bragg reflector including a TiO 2 / SiO 2 layer on the dielectric film,
The etch stop layer corresponding to the opening is exposed by the dry etching process which is the first etching process,
The etch stop layer corresponding to the opening is removed together with the material by a second etching process which is a wet etching process,
Wherein the electrical connection is in contact with the oxidation preventing layer. 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 가지는 복수의 반도체층;
제1 반도체층 또는 제2 반도체층과 전기적으로 연결되는 전극;으로서, 제1 반도체층 또는 제2 반도체층 위에 형성된 접촉층과, 접촉층 위에 형성된 산화 방지층과, 산화 방지층 위에 형성된 식각 방지층을 포함하는 전극;
활성층으로부터의 빛을 반사하고, 전극과의 전기적 연결 통로용 개구가 형성되어 있으며, 식각 방지층 위에 위치하는 비도전성 막; 그리고
개구를 통해 전극과 접하는 전기적 연결;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and an active layer disposed between the first and second semiconductor layers and generating light through recombination of electrons and holes, A plurality of semiconductor layers;
An electrode electrically connected to the first semiconductor layer or the second semiconductor layer, the electrode comprising a contact layer formed on the first semiconductor layer or the second semiconductor layer, an anti-oxidation layer formed on the contact layer, and an anti- electrode;
A non-conductive film which reflects light from the active layer and has an opening for electrical connection with the electrode, and which is located on the etching prevention layer; And
And an electrical connection in contact with the electrode through the opening. 청구항 11에 있어서,
개구에 대응하는 식각 방지층이 제거되며, 전기적 연결이 식각 방지층이 제거되어 노출된 산화 방지층에 접촉하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 11,
The etching prevention layer corresponding to the opening is removed, and the electrical connection removes the etching prevention layer and contacts the exposed oxidation prevention layer. 청구항 11에 있어서,
비도전성 막은:
TiO2/SiO2층을 포함하는 분포 브래그 리플렉터;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 11,
The non-conductive membrane is:
And a distributed Bragg reflector including a TiO 2 / SiO 2 layer. 청구항 11에 있어서,
산화 방지층은 Au, Pt 중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 11,
Wherein the oxidation preventing layer is made of at least one of Au and Pt. 청구항 11에 있어서,
식각 방지층은 Cr, Ni, W, TiW, Pd, Mo 중 적어도 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 11,
Wherein the etching prevention layer is formed of at least one of Cr, Ni, W, TiW, Pd, and Mo. 청구항 11에 있어서,
접촉층과 산화 방지층 사이에 Ag 및 Al 중 적어도 하나로 형성된 반사층; 그리고
반사층과 산화 방지층 사이에 Ti, Ni, Cr, W 및 TiW 중 적어도 하나로 형성된 확산 방지층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 11,
A reflective layer formed of at least one of Ag and Al between the contact layer and the anti-oxidation layer; And
And a diffusion preventing layer formed of at least one of Ti, Ni, Cr, W and TiW between the reflection layer and the oxidation preventing layer.
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