KR101587538B1

KR101587538B1 - Touch panel with both elevation of view trait and printing layer

Info

Publication number: KR101587538B1
Application number: KR1020140070091A
Authority: KR
Inventors: 김병환
Original assignee: (주)리지스
Priority date: 2014-06-10
Filing date: 2014-06-10
Publication date: 2016-01-22
Also published as: KR20150142118A

Abstract

본 발명은 시인성 향상과 인쇄층을 겸비한 터치패널에 관련된다.
구성에 있어서, 글래스를 주재로 하는 기판(10); 및 상기 기판(10)의 일면에 인쇄층(21)과 저굴절율을 지닌 제1 산화규소층(22) 및 고굴절율을 지닌 제1 산화인듐주석층(23)을 차례로 증착하고; 상기 제1 산화인듐주석층(23) 상면에 절연막층(40)과 제2 산화인듐주석층(42) 및 전극층(44)을 차례로 추가 증착하며; 상기 전극층(44) 상면에 저굴절율을 지닌 제2 산화규소층(50) 및 고굴절율을 지닌 산화니오븀층(52)을 또 다시 순차적으로 증착하는 것을 특징으로 한다.
이에 따라, 경량화/슬림화의 추세에 부응하면서 1, 2차에 걸친 산화규소층과 산화인듐주석층(ITO) 및 산화니오븀층의 순차적 형성으로 다양한 기능향상과 함께 시인성을 향상시켜 다양한 제품으로의 응용이 가능하도록 하고, 더불어 저(低) 저항 투명도전성 기재(器材)의 제조공정 개발과 함께 인쇄층까지 일괄 형성하여 추가 제조공정의 번거로움까지 제거시킨 효과 외에, 특히 기판 상면에 형성된 패턴(patten)을 전후좌우 및 양 측면 등의 어느 면에서 보더라도 전혀 눈에 잘 보이지 않도록 함으로써 시인성이 크게 향상된 터치패널의 제조가 가능하도록 한 효과가 있다.The present invention relates to a touch panel having improved visibility and a print layer.
In the configuration, a substrate 10 based on glass; And a printing layer (21), a first silicon oxide layer (22) having a low refractive index and a first indium tin oxide layer (23) having a high refractive index on one surface of the substrate (10); Depositing an insulating film layer 40, a second indium tin oxide layer 42 and an electrode layer 44 on the upper surface of the first indium tin oxide layer 23 in this order; A second oxide silicon layer 50 having a low refractive index and a niobium oxide layer 52 having a high refractive index are sequentially deposited on the upper surface of the electrode layer 44 again.
Accordingly, in response to the trend of lightness / slimness, the formation of the first and second silicon oxide layers, the indium tin oxide layer (ITO) and the niobium oxide layer sequentially improve various functions and improve the visibility, In addition to the development of a manufacturing process for a low-resistance transparent conductive substrate together with the formation of a print layer in a batch to remove the hassle of additional manufacturing processes, in particular, a pattern formed on the upper surface of the substrate, It is possible to manufacture a touch panel in which the visibility is remarkably improved by making it not visible at all from the front, back, right, left, and both sides.

Description

[0001] The present invention relates to a touch panel having both improved visibility and a printed layer,

본 발명은 글래스 기판을 이용한 터치패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 경량화/슬림화의 추세에 부응하면서 1, 2차에 걸친 산화규소층(SiO2)의 형성으로 다양한 기능향상과 함께 시인성을 향상하는 한편, 기판에 형성된 적층구조의 패턴 형태가 전후좌우 및 양 측면 등의 어느 면에서 보더라도 눈에 잘 띄지 않도록 구성함으로써 다양한 제품으로의 응용이 가능하도록 하고, 더불어 저(低) 저항 투명도전성 기재(器材)의 제조공정 개발과 함께 인쇄층까지 일괄 형성하여 추가 제조공정의 번거로움까지 제거시킨 시인성 향상과 인쇄층을 겸비한 터치패널에 관한 것이다.The present invention relates to a touch panel using a glass substrate, and more particularly, to a touch panel using a glass substrate, which improves visibility with various functions by forming a silicon oxide layer (SiO 2) , The pattern shape of the laminate structure formed on the substrate is made not to be conspicuous even when viewed from any side of the front, rear, left, right, both sides, etc. so that application to various products is possible, And a touch panel having a print layer and a printed layer.

통상적으로 터치패널은 저항막 방식, 정전용량 방식, 초음파 방식, 탄성파 방식, 적외선 방식 등으로 구분되며, 이 중에서 현재 저항막 방식과 정전용량 방식이 주종을 이루고 있다. Typically, the touch panel is divided into a resistive film type, a capacitive type, an ultrasonic type, an elastic wave type, and an infrared type. Of these, a resistive film type and a capacitive type are the main types.

저항막 방식은 작동 신뢰성과 안정성이 높아 TV, 모니터, 노트북 PC, 카네비게이션, 게임기기, 백색가전, PDA, 전자사전, 휴대전화, 캠코더 등에 폭 넓게 사용된다. 다만, 전도성 물질이 코팅된 유리나 필름 위에 전도성 물질이 코팅된 필름을 적층한 구조이므로, 상/하판 사이 공기층(Air Gap)에 의한 난반사 현상으로 야외 시인성이 불량하고, 유리를 사용하는 경우 표면의 유연성이 결여되어 응용분야의 확산에 장애가 된다. 정전용량 방식은 인체의 정전기를 감지해 구동하는 방식으로서 내구성이 강하고 반응시간이 짧으며 투과성이 좋아 일부 산업용, 카지노 게임기로부터 최근 휴대폰으로 적용범위가 확대되고 있다. 반면, 펜을 이용하거나 장갑 낀 손으로 작동되지 않고 비교적 고가인 단점을 지닌다. The resistance film method is widely used for TVs, monitors, notebook PCs, car navigation systems, game machines, white goods, PDAs, electronic dictionaries, mobile phones and camcorders due to its high operational reliability and stability. However, since the film is formed by laminating a film coated with a conductive material on a glass or a film coated with a conductive material, outdoor visibility is poor due to air gap between the upper and lower substrates, Which is an obstacle to the spread of the application field. The electrostatic capacity type is a method of sensing the static electricity of the human body and has a strong durability, a short response time, and a high permeability, and the range of application from some industrial and casino game machines to recent mobile phones is expanding. On the other hand, it has disadvantages that it is not operated with a pen or gloved hands and is relatively expensive.

어느 방식에 있어서 제품의 용도에 부합된 품질과 생산성의 유지는 향후 시장성을 판가름하는 중요한 요인으로 인식되고 있으며, 적용제품의 다양화로 글래스(유리)를 도입할 필요성도 있으나 현실적인 난관이 따른다.In any of these ways, maintaining quality and productivity in accordance with the intended use of the product is recognized as an important factor in determining marketability in the future, and it is necessary to introduce glass (glass) as a diversification of applied products.

한국 등록특허공보 제0681157호의 "정전용량 방식의 터치 패널의 구조 및 그 제조방법"에 의하면 『은 페이스트로 형성된 선형성 패턴, 실드패턴 및 오버코팅막이 형성되는 글래스 기판과; 상기 글래스 기판의 전면부에 ITO 또는 ATO로 형성하여 터치패널에 터치되는 물제의 터치위치를 정확하게 검출할 수 있는 투명도전막과; 상기 글래스 기판의 배면부를 ITO로 형성하여 노이즈를 차폐하는 투명도전막과; 상기 투명도전막의 배면부에 은 페이스트로 형성되어 노이즈를 감쇄시키기 위한 실드패턴과; 상기 투명도전막의 전면부에 은 페이스트로 형성하여 터치패널에서 구조적으로 발생하는 왜곡된 신호로부터 선형성으로 보정하기 위해 형성되며, 터치패널에 만들어지는 전압을 일정하게 분배시켜 선형성을 확보하는 선형성 패턴과; 상기 선형성 패턴 상부면과 투명도전막의 표면 위에 산화규소층(SiO2) 계 코팅 용액으로 균일하게 스핀 코팅되어 터치패널의 전도 코팅층을 보호하고 노이즈를 감쇄시킬 수 있는 오버 코팅막과; 상기 선형성 패턴에 전원을 공급하기 위한 전극에 테일의 단자를 솔더링으로 접합하여 연결되어 있는 유연하고 플래트한 테일; 로 구성』된다.According to Korean Patent Registration No. 0681157 entitled " Structure of capacitive touch panel and method of manufacturing the same, "" a glass substrate on which a linear pattern formed by silver paste, a shield pattern and an overcoat film are formed; A transparent conductive film formed of ITO or ATO on the front surface of the glass substrate and capable of accurately detecting a touch position of a substance to be touched on the touch panel; A transparent conductive film formed on the rear surface of the glass substrate by ITO to shield noise; A shield pattern formed on the rear surface of the transparent conductive film as silver paste to attenuate noise; A linearity pattern formed in the front surface of the transparent conductive film for correcting linearity from a distorted signal structurally generated in the touch panel, the linearity pattern securing a linearity by uniformly distributing a voltage generated in the touch panel; An overcoat layer that is uniformly spin-coated on the upper surface of the linear pattern and the surface of the transparent conductive film with a silicon oxide (SiO2) based coating solution to protect the conductive coating layer of the touch panel and attenuate noise; A flexible flattened tail connected by soldering a terminal of a tail to an electrode for supplying power to the linearity pattern; Quot;

한국 등록특허공보 제908225호는 『하부 절연체층, 상기 하부 절연체층의 상면에 터치부 패턴으로 형성된 하부 투명 전도 산화막 층, 및 상기 하부 투명 전도 산화막 층으로부터 상기 하부 절연체층의 가장자리까지 전기적 신호의 인출을 위한 연결 패턴으로 형성된 하부 금속 증착 코팅층으로 이루어진 하부 패드; (중략) 상기 전기적 신호의 인출을 위한 연결 패턴은 전부에 대하여 상기 투명 전도 산화막 층과 상기 금속 증착코팅층의 2중층 구조』를 제안한다. 이는 종래에 ITO층으로부터 외부로의 인출을 위한 연결 패턴으로 실버페이스트를 적용한 공정보다 저가의 재료와 간단한 공정으로 제작이 가능하다고 밝힌다.Korean Patent Registration No. 908225 discloses a semiconductor device having a structure in which a lower insulating layer, a lower transparent conductive oxide layer formed in a touch pattern on the upper surface of the lower insulating layer, and an electric signal from the lower transparent conductive oxide layer to the edge of the lower insulating layer A lower pad made of a lower metal deposition coating layer formed as a connection pattern for the lower metal deposition coating layer; (Omitted) The connection pattern for drawing out the electrical signal is a double layer structure of the transparent conductive oxide film layer and the metal deposition coating layer with respect to all of them. " This suggests that it is possible to fabricate a low-cost material and a simple process by using a silver paste as a connection pattern for drawing out the ITO layer to the outside.

그러나 상기한 종래 기술들에 의하면 어느 정도 양산성과 내구성을 향상할 수 있기는 하지만, 정전용량 방식의 유리 기판에 적용 시 높은 굴절율의 발휘에 한계가 있어 다양한 제품으로 응용하기 어려운 애로가 있었고, 그 외 인쇄층을 터치패널의 초기 공정에 포함시켜 제조해내는 종래 기술은 거의 전무한 문제가 있었다.However, although the above-described conventional techniques can improve the mass productivity and durability to a certain degree, there are limitations in exhibiting a high refractive index when applied to a glass substrate of a capacitance type, and it has been difficult to apply it to various products. There has been almost no prior art in which a print layer is included in an initial process of a touch panel.

한국 등록특허공보 제0681157호 “정전용량 방식의 터치 패널의 구조 및 그 제조방법”Korean Patent Registration No. 0681157 " Structure of Capacitive Touch Panel and Method for Manufacturing the Touch Panel " 한국 등록특허공보 제908225호 “ 저항막 방식 터치패널”Korean Patent Registration No. 908225 " Resistive film type touch panel "

이에 따라 본 발명은 경량화/슬림화의 추세에 부응하면서 1, 2차에 걸친 산화규소층(SiO2)의 형성으로 다양한 기능향상과 함께 시인성을 향상하는 한편, 기판에 형성된 적층구조의 패턴 형태가 전후좌우 및 양 측면 등의 어느 면에서 보더라도 눈에 잘 띄지 않도록 구성함으로써 다양한 제품으로의 응용이 가능하도록 하고, 더불어 저(低) 저항 투명도전성 기재(器材)의 제조공정 개발과 함께 인쇄층까지 일괄 형성하여 추가 제조공정의 번거로움까지 제거시킨 터치패널을 제공하려는데 그 목적이 있다.Accordingly, in accordance with the trend of lightness / slimness, the present invention improves visibility with various functional enhancements by forming a silicon oxide layer (SiO2) over first and second order, while the pattern shape of the laminate structure formed on the substrate The present invention can be applied to a variety of products by forming the substrate so as not to be conspicuous on any side such as a side surface or both sides of the substrate, The present invention aims to provide a touch panel which eliminates the hassle of additional manufacturing processes.

이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 터치패널에 있어서: 글래스를 주재로 하는 기판; 및 상기 기판의 일면에 인쇄층과 제1 산화규소층(SiO2) 및 제1 산화인듐주석층(ITO: Indium Tin Oxide)을 차례로 증착하며; 이어서 상기 제1 산화인듐주석층(ITO) 상면에 절연층과 제2 산화인듐주석층(ITO) 및 전극층을 추가로 형성한 뒤, 제2 산화규소층(SiO2) 및 산화니오븀(

)층을 다층으로 증착하여 형성되는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a touch panel comprising: a glass-based substrate; And depositing a printing layer, a first silicon oxide layer (SiO2) and a first indium tin oxide (ITO) layer on one surface of the substrate; Next, an insulating layer, a second indium tin oxide (ITO) layer and an electrode layer are further formed on the first indium tin oxide layer (ITO), and then a second oxide silicon layer (SiO 2) and niobium oxide

) Layer is formed by depositing a plurality of layers.

또 본 발명에 따르면, 상기 글래스 기판에는 소다라임 글래스 또는 고리라(Gorilla) 글래스 중에서 선택되고 화학강화층을 구비하는데, 화학강화층은 400～500℃ 내외의 질산칼륨용액에 2～8시간 내외로 침지하여 형성되는 것을 특징으로 한다.According to the present invention, the glass substrate is provided with a chemical strengthening layer selected from soda lime glass or Gorilla glass. The chemical strengthening layer is immersed in potassium nitrate solution at about 400 to 500 ° C for about 2 to 8 hours Is formed.

한편, 이에 앞서 본 명세서 및 특허청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이거나 사전적인 의미로 한정해서 해석되어서는 아니 되며, 발명자는 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합하는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다. 따라서 본 명세서에 기재된 실시예와 도면에 도시된 구성은 본 발명의 가장 바람직한 일 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 대변하는 것은 아니므로, 본 출원시점에 있어서 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 있을 수 있음을 이해하여야 한다.It should be understood, however, that the terminology or words of the present specification and claims should not be construed in an ordinary sense or in a dictionary, and that the inventors shall not be limited to the concept of a term It should be construed in accordance with the meaning and concept consistent with the technical idea of the present invention based on the principle that it can be properly defined. Therefore, the embodiments described in the present specification and the configurations shown in the drawings are merely the most preferred embodiments of the present invention, and not all of the technical ideas of the present invention are described. Therefore, It is to be understood that equivalents and modifications are possible.

이상의 구성 및 작용에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 터치패널의 적층 구조는 정전용량 방식의 터치패널에 기판을 적용함에 있어 경량화/슬림화의 추세에 부응하면서 1, 2차에 걸친 산화규소층(SiO2)의 형성으로 다양한 기능향상과 함께 시인성을 향상하는 한편, 기판에 형성된 적층구조의 패턴 형태가 전후좌우 및 양 측면 등의 어느 면에서 보더라도 눈에 잘 띄지 않도록 구성함으로써 다양한 제품으로의 응용이 가능하도록 한 효과가 있고, 또 저(低) 저항 투명도전성 기재(器材)의 제조공정 개발과 함께 인쇄층까지 일괄 형성함으로써 추가 제조공정의 번거로움까지 제거시킨 효과가 있다.As described above, the laminated structure of the touch panel according to the present invention is a laminated structure of a touch panel made of a silicon oxide layer (SiO2 layer) covering the first and second order in response to the trend of weight reduction / ), It is possible to improve the visibility with various functions and improve the visibility of the pattern of the laminated structure formed on the substrate so as not to be conspicuous on any side such as the front, back, right, There is an effect of eliminating the hassle of the additional manufacturing process by collectively forming the printing layer together with the development of the manufacturing process of the low-resistance transparent conductive base material (equipment).

도 1은 본 발명에 따른 터치패널의 주요구조를 적층상태로 나타낸 구성도
도 2는 본 발명에 따른 터치패널의 주요구조 중 제2 산화인듐주석층이 제거된 상태의 상부 구성도
도 3(a)는 본 발명에 따른 제1 산화인듐주석층 상부에 PR노광처리 및 에칭액의 살포과정을 보여주는 상태도(a-a'선 단면 포함)
도 3(b)는 제1 산화인듐주석층 상면에 PR층이 제거되는 모습의 구성도
도 4(a)는 본 발명에 따른 절연막층 상부에 PR노광처리 과정을 보여주는 상태도
도 4(b)는 절연막층 상부의 에칭액 살포과정(도 4a의 b-b'선 단면 포함) 및 절연막층이 형성된 상태의 구성도
도 5(a)는 절연막층 상부에 제2 산화인듐주석층이 적층된 구성도
도 5(b)는 도 5a의 c-c'선 단면도
도 6(a)는 제2 산화인듐주석층 상부에 일정한 패턴(patten)이 형성된 모습의 구성도
도 6(b)는 도 6a의 가장자리부에 전극층이 형성된 구성도
도 7(a) 및 7(b)는 도 6(b)의 상부층 전면에 제2 산화규소층과 산화니오븀층을 차례로 증착한 모습의 구성도1 is a schematic view showing a main structure of a touch panel according to the present invention in a laminated state
FIG. 2 is a top view of a main structure of a touch panel according to the present invention in which a second indium tin oxide layer is removed
3 (a) is a state diagram (including a cross-sectional view taken along line a-a ') showing a PR exposure process and a spraying process of an etchant on the first indium tin oxide layer according to the present invention,
3 (b) is a diagram showing a state in which the PR layer is removed on the upper surface of the first indium tin oxide layer
4 (a) is a state diagram showing a PR exposure process on the insulating film layer according to the present invention
FIG. 4B is a diagram showing a state in which an etching solution spattering process (including a cross section taken along the line b-b 'in FIG. 4A)
5 (a) is a view showing a constitution in which a second indium tin oxide layer is laminated on an insulating film layer
5 (b) is a sectional view taken along line c-c 'of FIG. 5
6 (a) is a schematic view showing a state where a pattern (patten) is formed on the second indium tin oxide layer
Fig. 6 (b) shows a configuration in which an electrode layer is formed on the edge portion of Fig. 6
7 (a) and 7 (b) are views showing a configuration in which a second silicon oxide layer and a niobium oxide layer are sequentially deposited on the entire upper layer of FIG. 6 (b)

이하, 첨부된 도면에 의거하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

본 발명은 터치패널에 관련되는 것으로 증착에 의하여 형성하는 방식에 관련된다. 일예로, 정전용량 방식의 경우 기판(10) 상에 전도층을 증착으로 형성한 본 발명의 구성에 이어서, 연결구 도선을 지닌 도전층을 접합한 다음 마지막으로 필름을 접합하는 공정을 택할 수 있다. The present invention relates to a touch panel and a method of forming the same by vapor deposition. For example, in the case of the electrostatic capacitive method, following the configuration of the present invention in which a conductive layer is formed on the substrate 10 by evaporation, a conductive layer having a connecting wire may be bonded, and finally, a film may be bonded.

다른 예로, 기판(10) 상에 전도층을 증착으로 형성한 상태에서 상기와 다른 적층 구조를 택할 수 있다. 어느 방식이든 다양한 기능향상과 함께 시인성이 개선되면 다양한 제품으로의 응용성이 높아진다.As another example, a lamination structure different from the above can be adopted in a state where a conductive layer is formed on the substrate 10 by vapor deposition. In any case, visibility improves with various functional enhancements, and the applicability to various products increases.

본 발명의 개략적인 공정순서를 살피기에 앞서 설명의 편의를 위해 글래스 기판(10) 가운데 셀 글래스(Cell Glass) 기판을 중심으로 하여 설명하기로 한다. Before explaining the schematic process sequence of the present invention, a cell glass substrate of the glass substrate 10 will be described mainly for convenience of explanation.

본 발명의 개략적인 공정순서를 살피면, 세정 전 셀 글래스(Cell Glass) 기판(10)을 적재하는 준비단계, 셀 글래스를 세정기에 투입하는 세정단계, 셀 글래스를 캐리어에 로딩하는 단계, 셀 글래스를 진공챔버에 진입시키는 단계, 아르곤 플라즈마 형성에 의해 제1 산화규소층(SiO2)을 코팅하는 단계 및 직류전원 제어방식에 의해 제1 산화인듐주석층(ITO)을 1차 코팅하는 단계, 제1 산화인듐주석층(ITO) 상면에 절연막층(40)을 형성하는 단계, 절연막층(40) 상면에 또 다시 직류전원 제어방식에 의해 제2 산화인듐주석층(ITO)을 추가 코팅하는 단계, 셀 글래스를 이온빔으로 표면 처리하여 ITO 박막의 안정화를 통한 저항 경시변화율을 감소하는 단계를 거친다. In view of the schematic process sequence of the present invention, it is preferable that the cleaning step for preparing a cell glass substrate 10 before cleaning, the cleaning step for putting the cell glass into the cleaner, the step of loading the cell glass into the carrier, Coating a first silicon oxide layer (SiO2) by forming an argon plasma, first coating the first indium tin oxide layer (ITO) by a DC power supply control method, Further comprising the steps of: forming an insulating film layer (40) on the upper surface of the indium tin layer (ITO); further coating a second indium tin oxide layer (ITO) on the upper surface of the insulating film layer (40) Is subjected to a surface treatment with an ion beam to stabilize the ITO thin film and to reduce the rate of change with time of resistance.

본 발명에 따르면 글래스를 주재로 하는 기판(10)이 사용되며, 기판(10)은 소정의 전처리를 거쳐 물성을 개선해야 한다. 통상적으로 물성의 개선은 물리적 방식, 열적 방식, 화학적 방식 중에서 선택된다.According to the present invention, a substrate 10 based on glass is used, and the substrate 10 should be subjected to a predetermined pretreatment to improve physical properties. Typically, improvements in physical properties are selected from physical, thermal, and chemical methods.

이때, 상기 글래스 기판(10)의 경우에는 소다라임 글래스 또는 고리라 글래스 중에서 선택되고, 화학강화층(20)을 구비한다. 소다라임 글래스와 고리라 글래스는 디스플레이 제품에 요구되는 물성을 구비하므로 적절하지만, 반드시 이에 국한되는 것은 아니고 다양한 글래스 소재의 기판(10)을 적용할 수 있다. 글래스의 균열은 미세한 균열과 마찰력에 의하여 발생하므로, 열처리 또는 화학적 처리에 의한 표면강화로 이를 개선할 수 있다. 열처리 방식의 경우 용융점 이상의 온도구배에서 임시적으로 응력개선이 발생하고, 글래스가 단순한 평면이면서 일정치 이상의 두께로 되어야 한다. 반면 화학적 방식에 의한 화학강화층(20)은 글래스의 모양이나 두께에 관계없이 고강도를 구현할 수 있다.In this case, the glass substrate 10 is selected from soda lime glass or Gorilla glass, and has a chemical strengthening layer 20. The soda lime glass and the Gorilla glass are suitable because they have the physical properties required for the display product, but the glass substrate 10 of various glass materials can be applied. Cracks in glass are generated by microscopic cracks and frictional forces, and can be improved by heat treatment or surface hardening by chemical treatment. In the case of the heat treatment method, the stress is temporarily improved at a temperature gradient equal to or higher than the melting point, and the glass must be a simple flat surface and a thickness not less than a predetermined value. On the other hand, the chemical strengthening layer 20 by the chemical method can realize high strength regardless of the shape and thickness of the glass.

상기한 화학강화층(20)은 400～500℃ 내외의 질산칼륨용액에 2～8시간 내외로 침지하여 형성된다. 화학강화는 이온교환과정에 의한 것으로서 유리의 용융점 보다 낮은 온도에서 수행된다. 글래스를 400～500℃ 내외의 질산칼륨용액에 2～8시간 내외 동안 침지한 상태로 두면 글래스 표면의 Na이온과 용액의 K이온이 상호 교환되면서 전자기력에 의한 수축으로 강화가 발생한다. 그리고 화학강화층(20)의 바람직한 온도와 질산칼륨용액의 침지시간은 터치패널의 기능에 따라 달라지는데, 예를 들어 화학강화층(20)의 온도를 420℃로 하고 질산칼륨용액에 3시간가량을 침지시킬 수도 있지만, 온도를 450℃로 하고 질산칼륨용액에 4～5시간동안 침지시킬 수도 있는데, 이것은 터치패널의 특성에 따라 화학강화층(20)의 강도를 달리 처리하는데서 오는 결과라 할 수 있다. The chemical strengthening layer 20 is formed by immersing in a potassium nitrate solution at about 400 to 500 ° C for about 2 to 8 hours. The chemical strengthening is by ion exchange process and is carried out at a temperature lower than the melting point of the glass. When the glass is immersed in a potassium nitrate solution of about 400 to 500 ° C for about 2 to 8 hours, the Na ion on the glass surface and the K ion of the solution are exchanged, and the reinforcement is caused by the contraction due to the electromagnetic force. The preferred temperature of the chemical strengthening layer 20 and the immersion time of the potassium nitrate solution depend on the function of the touch panel. For example, if the temperature of the chemical strengthening layer 20 is set to 420 ° C and the potassium nitrate solution is added for about 3 hours It may be immersed in a potassium nitrate solution at a temperature of 450 캜 for 4 to 5 hours. This may be a result of treating the strength of the chemical strengthening layer 20 differently depending on the characteristics of the touch panel .

이와 같은 화학강화층(20)을 지닌 기판(10)은 열처리에 의한 것보다 약 8배정도의 높은 강도를 발휘하고, 처리 중에 비틀림 등의 변형이 적을뿐더러 색상 및 빛 투과율 특성을 그대로 유지한다.The substrate 10 having such a chemical strengthening layer 20 exhibits a strength as high as about eight times as much as that by heat treatment and has little deformation such as twisting during processing and retains color and light transmittance characteristics intact.

한편, 본 발명에 따르면 상기 기판(10)의 일면에 인쇄층(21)과 제1 산화규소층(22) 및 제1 산화인듐주석층(ITO, 23)을 차례로 증착하는데, 이러한 증착과정을 보다 상세하게 설명한다. According to the present invention, the printing layer 21, the first silicon oxide layer 22 and the first indium tin oxide layer (ITO) 23 are sequentially deposited on one side of the substrate 10, Will be described in detail.

우선 인쇄층(21)은 기판(10)의 어느 일면 중 임의의 적정지점에 그림 문자 도형 등을 새길 수 있는 층을 말하는데, 종래에는 터치패널이 완성되고 나서 별도의 공정을 통해 인쇄층을 형성해 왔기 때문에 제조공정이 무척 번잡한 문제가 있었으나 본 발명에서는 기판(10) 위에 인쇄층(21)을 먼저 형성한 후 다양한 기능향상과 함께 시인성을 높이기 위한 산화규소층과 산화인듐주석층 등을 차례로 형성한다. First, the print layer 21 is a layer capable of engraving graphic characters or the like at any appropriate position on any one side of the substrate 10. In the related art, the print layer has been formed through a separate process after the completion of the touch panel However, in the present invention, the print layer 21 is first formed on the substrate 10, and then a silicon oxide layer and an indium tin oxide layer are formed in order to improve visibility with various functional enhancements .

인쇄층(21)의 형성은 유기물의 경우에는 스퀴즈 프린팅(printing) 방법 등으로, 무기물의 경우에는 진공증착 메탈방법 등으로 형성하는데, 인쇄층(21)을 무기물로 형성할 경우에는 일반적으로 진행하는 340℃ 내외의 가열조건에서 작업수행을 해도 별 문제없지만 유기물로 인쇄층(21)을 형성할 경우에 일반적으로 진행하는 340℃ 내외의 가열조건에서는 작업수행이 약간 어려운 문제가 있다. The printing layer 21 is formed by a squeeze printing method in the case of an organic material or by a vacuum deposition metal method in the case of an inorganic material. In general, when the printing layer 21 is formed of an inorganic material, There is no problem even if the operation is performed under the heating condition of about 340 ° C. However, there is a problem that the operation is slightly difficult in the heating condition of about 340 ° C. which is generally progressed when the printing layer 21 is formed of organic material.

즉, 인쇄층(21) 상면에 적층될 산화규소층(SiO2)과 산화인듐주석층(ITO)은 진공증착방법에 있어서 바람직한 온도범위인 340℃ 내외의 가열조건에서도 깔끔하게 작업을 수행할 수 있으나 유기물로 인쇄층(21)을 형성할 경우에는 270℃의 온도가 되면 타버릴 수 있는 경우도 발생한다. 따라서 인쇄층(21)은 가급적 250℃±50℃의 가열온도범위 내에서 형성하는 것이 좋고, 그 결과 후술할 산화니오븀층(

)과 상기한 산화규소층(SiO2)은 100℃ 내외, 산화인듐주석층(ITO) 역시 250℃ 내외의 온도범주 속에서 진공증착을 하는 것이 바람직한데, 이때 발생되는 또 다른 문제는 250℃ 내외의 낮은 온도에서 진공 증착할 경우에 산화인듐주석층(ITO)의 저항치가 높아 터치패널로서의 기능 수행이 어렵다는 점이다. 즉, 산화인듐주석층(ITO)을 340℃ 내외로 진공증착(sputtering) 시키면 터치패널로서는 가장 바람직한 50～200Ω의 저항치를 갖게 되지만 250℃ 내외로 진공증착 시키면 평균 300～500Ω의 저항치를 갖게 되어 터치패널로서의 기능 수행이 어렵게 된다. That is, the silicon oxide layer (SiO 2) and the indium tin oxide layer (ITO) to be laminated on the upper surface of the print layer 21 can be cleanly worked even under heating conditions of about 340 ° C., which is a preferable temperature range in the vacuum deposition method, When the printing layer 21 is formed at a temperature of 270 캜, it may be burned. Therefore, it is preferable that the printing layer 21 is formed preferably within a heating temperature range of 250 ° C ± 50 ° C. As a result, the niobium oxide layer

) And the above-mentioned silicon oxide layer (SiO 2) are in the range of about 100 ° C., and the indium tin oxide layer (ITO) is also in the temperature range of about 250 ° C. In this case, It is difficult to perform the function as a touch panel due to the high resistance of the indium tin oxide layer (ITO) when vacuum deposition is performed at a low temperature. That is, when the indium tin oxide layer (ITO) is sputtered at about 340 ° C., the resistance value of 50 to 200 Ω is most preferable for the touch panel. However, when vacuum deposition is performed at about 250 ° C., It becomes difficult to perform the function as a panel.

이를 좀 더 상세히 설명하면, 산화인듐주석층(ITO)을 250℃ 내외로 진공증착(sputtering) 시키면 산화인듐주석층(ITO)의 물질들이 불안정하고 유동적인 상태가 되어 결정화가 되지 않아 저항치가 300～500Ω으로 높아진다. 즉, 터치패널 기능이 제대로 수행되기 위해서는 50～200Ω의 저항치가 바람직하지만 산화인듐주석층(ITO)이 250℃ 내외에서 진공증착 되는 한, 산화인듐주석층(ITO)의 물질들이 결정되지 않아 저항치가 300～500Ω으로 높아지는 문제가 뒤따른다. 따라서 250℃ 내외의 가열온도 범위에서 형성해야 할 인쇄층(21)의 형성으로 말미암아 발생되는 300～500Ω의 저항치를 50～200Ω의 저항치로 떨어뜨리기 위해서는 산화인듐주석층(ITO)의 불안정 상태를 안정화 상태로 변화시켜야 하고, 안정화 상태 모드로 만들기 위해서는 180～500℃의 진공챔버 내에 산화인듐주석층(ITO)까지 모두 적층된 상태의 터치패널을 진공챔버 내에 재투입해서 10～50분가량을 재차 통과시키면 산화인듐주석층(ITO)의 물질들이 쉽게 결정화되면서 저항치가 50～200Ω 내외로 떨어져 다양한 소비자의 욕구에 부응할 수 있게 된다.When the indium tin oxide layer (ITO) is sputtered at about 250 ° C., the indium tin oxide layer (ITO) becomes unstable and fluid, and crystallization does not take place, 500 < / RTI > That is, in order for the touch panel function to function properly, the resistance value of 50 to 200? Is preferable, but as long as the indium tin oxide layer (ITO) is vacuum deposited at about 250 占 폚, the indium tin oxide layer (ITO) 300 ~ 500 Ω is followed by the problem. Therefore, in order to reduce the resistance value of 300 to 500? Generated by the formation of the printing layer 21 to be formed within the heating temperature range of about 250 占 폚 to the resistance value of 50 to 200 ?, the unstable state of the indium tin oxide layer (ITO) State, the touch panel in a state in which all the indium tin oxide layers (ITO) are laminated in a vacuum chamber of 180 to 500 DEG C is put back into the vacuum chamber to pass through the vacuum chamber for about 10 to 50 minutes The ITO material crystallizes easily and the resistance value is about 50 ~ 200 Ω, so that it can meet the needs of various consumers.

참고로 인쇄층(21)과 산화규소층(SiO2) 및 후술할 산화니오븀층(

)은 저항치의 상승 또는 하강과는 아무런 관계가 없을 뿐 아니라 100℃ 내외의 온도에서 진공증착해도 순조롭게 증착됨을 부연한다. 이러한 인쇄층(21)은 도 1～도 7에서 보듯이 화학강화층(20) 상면 전체에도 형성할 수 있지만 기판(10)의 가장자리 부분에만 형성하는 것이 가장 바람직하다. For reference, the printing layer 21, the silicon oxide layer (SiO2), and the niobium oxide layer

) Has no relation with the rise or fall of the resistance value, and it is also noted that the vacuum deposition is smoothly carried out even at a temperature of about 100 캜. The printed layer 21 may be formed on the entire upper surface of the chemical strengthening layer 20 as shown in FIGS. 1 to 7, but it is most preferably formed only on the edge of the substrate 10.

되돌아가서 상기 기판(10)의 일면에 인쇄층(21)을 형성한 후에는 제1 산화규소층(SiO2, 22)을 추가로 진공 증착하여 시인성을 높이기 위한 여러 층의 추가 형성이 용이하도록 한다. After the printing layer 21 is formed on one side of the substrate 10, the first silicon oxide layer (SiO2) 22 is further vacuum-deposited to facilitate the formation of additional layers for enhancing the visibility.

본 발명에 따르면 상기 인쇄층(21) 상면에 저굴절율을 지닌 제1 산화규소층(SiO2, 22)을 증착하고, 제1 산화규소층(22) 상면에 다시 굴절율이 다른 물질을 다층으로 증착하는데, 이 때 전술한 글래스 기판(10)을 진공챔버(Vacuum chamber)에 수용하고 소정의 가스 분위기에서 증착(sputtering)을 통하여 형성된다. According to the present invention, a first silicon oxide layer (SiO 2) 22 having a low refractive index is deposited on the upper surface of the print layer 21, and a substance having a different refractive index is deposited again on the upper surface of the first silicon oxide layer 22 , And the glass substrate 10 described above is accommodated in a vacuum chamber and is formed by sputtering in a predetermined gas atmosphere.

즉, 인쇄층(21) 상면에 저굴절율을 지닌 제1 산화규소층(22)과 고굴절율을 지닌 제1 산화인듐주석층(23), 절연막층(40) 및 제2 산화인듐주석층(42)을 차례로 증착한 후, 또 다시 제2 산화규소층(50)과 산화니오븀층(

, 52)을 차례로 형성한다. 이와 같이 기판(10) 상에 산화규소층(SiO2), 산화인듐주석층(ITO; Indium Tin Oxide) 및 절연막층(40) 등을 형성하는 본 발명의 증착과정을 보다 상세하게 설명한다.That is, a first oxide silicon layer 22 having a low refractive index and a first indium tin oxide layer 23 having a high refractive index, an insulating film layer 40 and a second indium tin oxide layer 42 ), And then the second silicon oxide layer 50 and the niobium oxide layer (

, 52 are formed in this order. The deposition process of the present invention in which a silicon oxide layer (SiO 2), an indium tin oxide (ITO) layer, and an insulation layer 40 are formed on the substrate 10 will be described in detail.

우선, 셀 글래스 재료의 수입검사 및 자재수량을 확인한 다음 카세트에 적재한다. 한 열에 적재 가능한 수량은 대략 62개 내외이며(그 이상, 이하도 가능), 첫 번째와 마지막 칸은 비워서 취급불량을 방지한다. 세정 카세트 3열 60매씩 적재가 완료되면 전체적으로 외관 상태를 확인한다. 세정기 투입대기 장소로 이동하여 투입대기 선반에 적재한다. 물론 이 공정의 이전 또는 직후에 화학강화를 거쳐 화학강화층(20)을 형성한 셀 글래스 기판을 사용해야 한다. First, the import inspection of the cell glass material and the quantity of the material are confirmed and then loaded on the cassette. Approximately 62 pieces (or more) can be loaded in a row, and the first and last columns are empty to prevent handling failure. After loading 60 sheets of washing cassettes in 3 rows, check the overall appearance. Move to the waiting place for the scrubber and load it on the standby waiting shelf. Of course, a cell glass substrate on which the chemical strengthening layer 20 is formed through chemical strengthening before or after this step should be used.

다음으로, 적재된 셀 글래스 재료를 세정기에 넣어 세정작업을 수행한다. 이때 세정 온도는 60℃ 내외로 하고 세정 시간은 약 45분 정도로 하는 것이 적당하다. 이러한 수치는 사용하는 셀 글래스 재료의 기타 조건에 따라 조절될 수 있다.Next, the washed cell glass material is put into a scrubber to perform a cleaning operation. At this time, it is appropriate that the cleaning temperature is about 60 캜 and the cleaning time is about 45 minutes. These values can be adjusted according to other conditions of the cell glass material used.

다음으로, 세정 공정을 마친 셀 글래스 재료는 진공챔버로 진입하기 위해 캐리어(Carrier)에 로딩된다. 로딩 시에는 코팅 유효 범위 존(Zone) 내에 유지하도록 투입되는 수량을 제한한다.Next, the cell glass material having been subjected to the cleaning process is loaded into a carrier to enter the vacuum chamber. When loading, the amount to be put in the coating effective range zone is limited.

다음으로, 셀 글래스 재료를 진공챔버에 진입시킨다. 이때 진공챔버 분위기 온도는 80～250℃ 내외의 적정온도로 설정한다. 이후 마그네트론 스퍼터링(Magnetron Sputtering) 방식에 의한 플라즈마 스퍼터링 처리를 수행한다. 마그네트론 스퍼터링은 타겟에 가해지는 바이어스 전압(DC, MF, RF)에 의하여 타겟과 실드(Shield) 혹은 타겟과 기판(Substrate) 사이에서 생성될 수 있는 플라즈마를 타겟에 붙어 있는 영구자석을 이용하여 타겟 근처에 집중시키고, 타겟 표면과 플라즈마 사이의 전위차에 의해 가속된 이온들이 타겟 표면과 충돌하여 이차 전자방출을 일으킴과 동시에 타겟 표면에서 스퍼터링을 일으키고, 스퍼터링된 중성의 원자들이 기판으로 날아가 박막을 형성하는 원리로 작동된다. Next, the cell glass material is introduced into the vacuum chamber. At this time, the ambient temperature of the vacuum chamber is set at an appropriate temperature of about 80 to 250 ° C. Thereafter, a plasma sputtering process by a magnetron sputtering method is performed. Magnetron sputtering is performed by using a permanent magnet attached to a target, which can be generated between a target and a shield or between a target and a substrate by a bias voltage (DC, MF, RF) applied to the target, The ions accelerated by the potential difference between the target surface and the plasma collide with the target surface to cause secondary electron emission and simultaneously cause sputtering on the target surface and the principle that sputtered neutral atoms fly into the substrate to form a thin film Lt; / RTI >

다음으로, 아르곤(Ar) 플라즈마에 의한 SiO2 코팅처리를 수행하여 제1 산화규소층(22)을 형성한다. 이때 코팅되는 박막두께는 50～100Å 정도를 유지하는 것이 바람직하다. 그리고 제1 산화규소층(22) 위에 다시 제1 산화인듐주석층(23)을 형성하는데, 산화규소층(SiO2) 대신 산화알루미늄(Al2O3)이나 산화실리콘(SiNx) 등의 저 굴절물질을 사용하여 증착할 수도 있다. 한편 SiO2 코팅 시 방법은 MF 또는 RF 파워의 제어방식으로는 캐소드(Cathode) 2～8개 내외로 사용하는 것이 바람직하다. 캐소드 개수 및 배치되는 위치는 진공챔버의 구조에 따라 달라질 수 있으며, 본 발명에 최적화되는 캐소드는 셀 글래스 재료에 대향하는 위치에서 일정한 등 간격을 유지하는 4개를 선정한다. 캐소드 수가 적으면 박막 형성이 미흡해질 우려가 있고, 너무 많으면 두께의 균일한 제어가 곤란하다. 이에 따라 코팅에 의한 투과율을 90% 이상으로 향상시킬 수 있다. 이어서 상온에서 증착된 산화규소층(SiO2)의 막강도 향상시키기 위해 플라즈마 처리작업을 수행한다. 그리고 상기한 SiO2 코팅방법 대신 염화마그네슘(MGF2)을 E빔(일렉트론 빔)에 녹여서 증착하는 방법도 가능하나 SiO2 코팅 처리방법이 더 바람직한 것으로 사료된다.Next, the first silicon oxide layer 22 is formed by performing an SiO 2 coating process with argon (Ar) plasma. At this time, the thickness of the thin film to be coated is preferably maintained at about 50 to 100 Å. In order to form the first indium tin oxide layer 23 again on the first silicon oxide layer 22, a low refractive material such as aluminum oxide (Al 2 O 3) or silicon oxide (SiN x) is used instead of the silicon oxide layer Or may be deposited. On the other hand, in the case of controlling the MF or RF power, the SiO 2 coating method is preferably used in a range of 2 to 8 cathodes. The number of cathodes and the position of the cathodes may be varied depending on the structure of the vacuum chamber. The cathodes optimized for the present invention are selected from four cathodes spaced at equal intervals from the cell glass material. If the number of the cathodes is small, there is a possibility that the formation of the thin film is insufficient. If it is too much, it is difficult to control the thickness uniformly. Accordingly, the transmittance of the coating can be improved to 90% or more. A plasma treatment operation is then performed to improve the film strength of the silicon oxide layer (SiO 2) deposited at room temperature. In place of the above-mentioned SiO2 coating method, magnesium chloride (MGF2) may be dissolved in an E beam (electron beam) and deposited, but it is considered that the SiO2 coating treatment method is more preferable.

다음으로, 코팅된 제1 산화규소층(SiO2)의 셀 글래스 재료에 직류파워 제어방식에 의해 300～450Å 두께로 ITO를 코팅하여 제1 산화인듐주석층(23)을 형성한다. ITO 코팅 처리 시에는 아르곤 및 산소 가스의 압력제어에 의해 ITO 성막의 저항 균일도를 5% 이내로 유지하도록 한다. 이러한 제어방식은 통상의 장치를 사용할 수 있다. 분위기의 조건을 정밀 제어하는 전용의 장치를 사용한다. Next, ITO is coated on the cell glass material of the coated first silicon oxide layer (SiO 2) to a thickness of 300-450 Å by a DC power control method to form a first indium tin oxide layer 23. In the ITO coating process, the resistance uniformity of the ITO film formation should be kept within 5% by controlling the pressure of argon and oxygen gas. Such a control method can use an ordinary apparatus. A dedicated device for precisely controlling the conditions of the atmosphere is used.

다음으로, 제1 산화인듐주석층(23) 위에 절연막층(40)을 형성하고 제2 산화인듐주석층(42)을 또 다시 형성하는데, 제1 산화인듐주석층(23) 위에 절연막층(40)을 형성하는 공정은 다음과 같다.Next, the insulating film layer 40 is formed on the first indium tin oxide layer 23 and the second indium tin oxide layer 42 is formed again. The insulating film layer 40 ) Are formed as follows.

도 3a에서 보듯이 제1 산화인듐주석층(23) 상부 전체 면에 PR층(포토 레지스트층; Photoresist)을 코팅한 후 PR층(감광성 수지액)을 부분적으로 박리하기 위한 마스킹과 함께 PR 노광처리 과정을 거쳐 공지의 박리액(離液)을 PR층에 살포하면, 노광 처리되지 아니한 부분의 PR층(35a, 도 3a의 ㉠부분)과 ㉠부분의 PR층(35a) 바로 밑에 있는 제1 산화인듐주석층(23, 도 3a의 ㉡부분) 부분이 깨끗하게 박리된다. 즉, 도 3b에서 보는 바와 같이 인쇄층(21)과 제1 산화규소층(22)이 차례로 적층되어져 있는 기판(10) 위에 PR층의 일부분(도 3a의 ㉢부분, 35b)과 제1 산화인듐주석층(23, 도 3a의 ㉣부분)이 남게 된다. 그런 다음, 다시 제1 산화인듐주석층(23) 위에 있는 PR층(35b, 도 3b의 ㉢부분)만을 재차 박리시키면 제1 산화인듐주석층(23, 도 3b의 ㉣부분)만 남게 된다. 그 후, PR층(35a)(35b)이 제거된 제1 산화인듐주석층(23, 도 3b의 ㉣부분) 위에 절연막층(40)을 브릿지 형태로 형성하되, 제1 산화인듐주석층(23)의 양 가장자리 일부분을 남겨 두고 절연막층(40)을 덧씌우는데, 이러한 절연막층(40)은 상기한 PR층(Photoresist층)의 코팅 물질과 동일하고, 절연막층(40)의 형성 과정은 전술한 도 3a와 도 3b의 경우와 비슷하다.3A, a PR layer (photoresist layer) is coated on the entire upper surface of the first indium tin oxide layer 23, and a PR exposure (photoresist layer) is formed on the entire surface of the first indium tin oxide layer 23 by masking for partially peeling the PR layer , A known release liquor is spread on the PR layer to form a first oxide layer 35a immediately below the PR layer 35a in the exposed portion and a PR layer 35a The indium tin layer (23, Fig. 3A) portion is cleanly peeled off. That is, as shown in FIG. 3B, on the substrate 10 in which the printing layer 21 and the first silicon oxide layer 22 are sequentially stacked, a part of the PR layer (the portion 35b in FIG. 3A) Tin layer 23 (Fig. 3A) is left. Then, when only the PR layer 35b (see FIG. 3B) on the first indium tin oxide layer 23 is peeled again, only the first indium tin oxide layer 23 (FIG. 3B) remains. Thereafter, an insulating film layer 40 is formed in the form of a bridge on the first indium tin oxide layer 23 (the portion of FIG. 3B) from which the PR layers 35a and 35b are removed, and the first indium tin oxide layer 23 The insulating film layer 40 is the same as the coating material of the PR layer (photoresist layer), and the process of forming the insulating film layer 40 is the same as the above- This is similar to the case of Figs. 3A and 3B.

이를 좀 더 상술하면, 제1 산화인듐주석층(23) 상부 전체 면에 전술한 PR층(포토 레지스트층, 40a)을 다시 재코팅 하는데, 이 PR층(포토 레지스트층, 40a)의 일부가 바로 절연막층(40)으로 이용된다. 즉, 제1 산화인듐주석층(23) 상부 전체 면에 코팅된 PR층(40a)을 부분적으로 박리하기 위한 PR 노광처리 과정(도 4a 참조)을 거쳐 에칭액(etching液)을 PR층에 살포하면, 도 4b에서 보듯이 노광 처리된 부분의 절연막층(40, 도 4b의 ㉤부분)을 제외한 나머지 부분의 PR층(40a, ㉥부분)이 깨끗하게 박리되며, 이러한 박리과정을 거치게 되면 도 4b에서 보듯이 제1 산화인듐주석층(23) 위에 브릿지 형태의 절연막층(40)이 형성된다.The PR layer (photoresist layer) 40a is again coated on the entire upper surface of the first indium tin oxide layer 23, and a part of the PR layer (photoresist layer 40a) And is used as the insulating film layer 40. That is, when the PR layer is sprayed with an etching solution through a PR exposure process (see FIG. 4A) for partially peeling the PR layer 40a coated on the entire upper surface of the first indium tin oxide layer 23 , The PR layer (40a) of the remaining part except for the insulating film layer (40, Fig. 4B) of the exposed part is cleanly peeled as shown in Fig. 4B. When the peeling process is performed, A bridge-shaped insulating film layer 40 is formed on the first indium tin oxide layer 23.

그런 다음, 제1 산화인듐주석층(23)과 절연막층(40) 상부 면에 제2 산화인듐주석층(42)을 또 다시 형성하는데, 이렇게 될 경우 절연막층(40)이 덧씌워지지 아니한 제1 산화인듐주석층(23)의 양 가장자리 부분과 제2 산화인듐주석층(42)의 일 측면 부분은 또 다른 별도의 공정을 통해 서로 접면하게 된다. 결국, 제1 산화인듐주석층(23)과 제2 산화인듐주석층(42)을 상하로 형성하면서 부분적으로 접면시키되, 절연막층(40)을 중간에 형성하여 제1 산화인듐주석층(23)의 원활한 전기적 기능과 다양한 기능이 유지되도록 하면서 제2 산화인듐주석층(42)과의 과도한 전극적 충돌 내지 파괴현상을 방지할 수 있다. 즉, 상하 2층으로 구성된 제1, 제2의 산화인듐주석층(23)(42) 사이에 절연막층(40)을 중간에 형성함으로써 전기적 기능의 활성화 면적을 드높이면서 과도한 전극적 충돌 등을 피할 수 있는 이점이 있게 된다.Then, a second indium tin oxide layer 42 is formed again on the first indium tin oxide layer 23 and the upper surface of the insulating film layer 40. In this case, when the insulating film layer 40 is not overlaid The both edge portions of the indium oxide tin oxide layer 23 and one side portion of the second indium tin oxide layer 42 are connected to each other through another separate process. As a result, the first indium tin oxide layer 23 and the second indium tin oxide layer 42 are partially formed while forming the upper and the lower indium tin oxide layers 23, The excessive electrical impact and destruction of the second indium tin oxide layer 42 can be prevented. That is, by forming the insulating film layer 40 in the middle between the first and second indium tin oxide layers 23 and 42 composed of upper and lower two layers, it is possible to avoid an excessive electric shock, There is an advantage to be able to.

그리고 제1 산화인듐주석층(23)과 절연막층(40) 상부 면에 제2 산화인듐주석층(42)을 또 다시 형성하는 경우에는 전술한 세정공정과 ITO 코팅 공정, 진공챔버 온도 및 저항치 등이 모두 동일하게 적용된다.When the second indium tin oxide layer 42 is formed again on the first indium tin oxide layer 23 and the insulating layer 40, the cleaning process, the ITO coating process, the vacuum chamber temperature, and the resistance value Are all applied equally.

다음으로, 이온빔으로 표면 처리하여 ITO 박막의 안정화를 통한 저항 경시변화율 감소를 달성할 수 있다. 또한, 산화인듐주석층(23)(42)의 물질들을 안정화시키는 방법은 이미 위에서 자세히 언급한 바가 있으므로 추가적인 상세 설명은 생략한다.Next, the ITO thin film can be stabilized by surface treatment with an ion beam to achieve a reduction rate of resistance change over time. Further, the method of stabilizing the materials of the indium tin oxide layers 23 and 42 has already been described in detail above, so that further detailed explanation is omitted.

이어서, 제2 산화인듐주석층(42)이 형성된 상부 면의 가장자리 부에 전극층(44)을 구성한 다음, 또 다시 제2 산화규소층(50) 및 산화니오븀층(52)을 차례로 증착하는데, 산화규소층(22)(50)의 형성은 위에서 자세히 언급한 바가 있으므로 추가적인 상세 설명은 생략하며, 산화니오븀층(

, 52)은 플라즈마에 의한 코팅처리를 수행하여 형성한다. 이때 산화니오븀층(

, 52)의 코팅되는 박막두께는 70～120Å 정도를 유지하는 것이 바람직하며, 이러한 산화니오븀(

) 대신 산화티타늄(TIO2)이나 지르코늄(ZrO2) 등의 고굴절 물질을 사용하여 증착할 수도 있다.Subsequently, an electrode layer 44 is formed on the edge of the upper surface of the second indium tin oxide layer 42, and then the second oxide silicon layer 50 and the niobium oxide layer 52 are deposited in order. Since the formation of the silicon layers 22 and 50 is described in detail above, further detailed explanation is omitted, and the niobium oxide layer

, 52 are formed by performing a coating process with a plasma. At this time, the niobium oxide layer

, 52) is preferably maintained at about 70 to 120 Å, and the niobium oxide

(TiO 2) or zirconium (ZrO 2) instead of the high refractive index material.

이렇게 제조된 셀 글래스 재료의 터치패널을 캐리어에서 탈착한 후 외관 검사와 특성 검사를 수행한다. 외관 검사는 표면의 스크래치, 이물, 오염, 핀 홀 등을 육안으로 검사하는 것이고, 특성 검사는 전기저항, 투과율, 막 두께, 내열성, 내마모성을 측정하는 것이다.After the touch panel of the cell glass material thus manufactured is detached from the carrier, the appearance inspection and the characteristic inspection are performed. The appearance inspection is to visually inspect the surface scratch, foreign matter, contamination, pinhole, etc., and the characteristic inspection is to measure electric resistance, transmittance, film thickness, heat resistance and abrasion resistance.

통상 91% 정도의 투과율을 지니는 기판(10)에 산화인듐주석층(23)(42)만 적층하면 투과율이 86%로 저하되지만, 산화규소층(22)(50)과 산화인듐주석층(23)(42)을 적층하면 약 90% 이상의 투과율로 회복된다. When the indium tin oxide layers 23 and 42 are laminated only on the substrate 10 having a transmittance of about 91%, the transmittance is lowered to 86%, but the silicon oxide layers 22 and 50 and the indium tin oxide layer 23 ) 42 is laminated, it is restored to a transmittance of about 90% or more.

이와 같이 본 발명은 기판(10)의 상면에 산화규소층(22)의 저굴절 물질 과 산화인듐주석층(23)(42)의 고굴절 물질을 차례대로 적층함과 아울러 또 다시 산화규소층(50) 및 산화니오븀층(

, 52)을 최 상면에 추가 형성함으로서 다양한 기능향상과 함께 터치패널의 시인성을 크게 향상시킬 뿐만 아니라, 특히 기판(10) 상면에 형성된 적층 구조의 패턴(patten)을 전후좌우 및 양 측면 등의 어느 면에서 보더라도 전혀 눈에 보이지 않도록 함으로써 제품의 품질을 크게 향상시킨 효과가 있다. The low refractive index material of the silicon oxide layer 22 and the high refractive index material of the indium tin oxide layers 23 and 42 are sequentially stacked on the upper surface of the substrate 10 and the silicon oxide layer 50 ) And a niobium oxide layer (

And 52 are formed on the uppermost surface of the substrate 10 to improve various functions and visibility of the touch panel. In addition, the pattern of the laminated structure formed on the upper surface of the substrate 10 can be patterned into any of the front, rear, So that the quality of the product is greatly improved.

본 발명은 기재된 실시예에 한정되는 것은 아니고, 본 발명의 사상 및 범위를 벗어나지 않고 다양하게 수정 및 변형할 수 있음은 이 기술의 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서 그러한 변형예 또는 수정예들은 본 발명의 특허청구범위에 속한다 해야 할 것이다.It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made in the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as defined by the appended claims. It is therefore intended that such variations and modifications fall within the scope of the appended claims.

10: 기판 20: 화학강화층
21: 인쇄층 22: 제1 산화규소층
23: 제1 산화인듐주석층 40: 절연막층
42: 제2 산화인듐주석층 44: 전극층
50: 제2 산화규소층 52: 산화니오븀층10: substrate 20: chemical strengthening layer
21: print layer 22: first silicon oxide layer
23: indium tin oxide layer 40: insulating film layer
42: indium tin oxide layer 44: electrode layer
50: second silicon oxide layer 52: niobium oxide layer

Claims

In the touch panel,
A glass-based substrate 10; And
Depositing a printing layer (21), a first silicon oxide layer (22) having a low refractive index and a first indium tin oxide layer (23) having a high refractive index on one surface of the substrate (10);
Depositing an insulating film layer 40, a second indium tin oxide layer 42 and an electrode layer 44 on the upper surface of the first indium tin oxide layer 23 in this order;
And a second oxide silicon layer (50) having a low refractive index and a niobium oxide layer (52) having a high refractive index are sequentially deposited on the upper surface of the electrode layer (44) to improve the visibility and the touch panel .

The method according to claim 1,
Wherein the glass substrate 10 is selected from soda lime glass or Gorilla glass and has a chemical strengthening layer 20 on one side of the substrate 10, And is formed by immersing the substrate for 2 to 8 hours.

The method according to claim 1,
An insulating film layer 40 is formed on the upper surface portion except for both edges of the first indium tin oxide layer 23 and a second oxide film is formed on the entire surface of the first indium tin oxide layer 23 and the insulating film layer 40 One side of the second indium tin oxide layer 42 is connected to both side edges of the first indium tin oxide layer 23 without the insulating film layer 40 Features Touch panel with enhanced visibility and print layer.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The substrate 10 is formed by depositing high temperature indium tin oxide layers 23 and 42 on the top surface and then depositing the indium tin oxide layers 23 and 42 in a vacuum chamber at a temperature of about 180 to 500 ° C., And the resistance value can be significantly lowered inside or outside the touch panel.