KR101582988B1 - 전립선 고주파 치료기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 전립선 고주파 치료기에 관한 것으로서, 전립선 치료를 위한 삽입부, 고주파발열부 및 전극부를 하나의 제품으로 세트화할 수 있음은 물론 적은개수의 구성요소를 통해 환자의 전립선 조직을 보다 더욱 높은 효율로 치료할 수 있는 효과가 있다.

Description

전립선 고주파 치료기{PROSTATE-FREQUENCY THERAPY}
본 발명은 전립선 치료를 위한 삽입부, 고주파발열부 및 전극부를 하나의 제품으로 세트화할 수 있음은 물론 적은개수의 구성요소를 통해 환자의 전립선 조직을 보다 더욱 높은 효율로 치료할 수 있는 전립선 고주파 치료기에 관한 것이다.
일반적으로, 전립선이라 함은 고환과 함께 생식을 가능하게 하는 성 부속 기관 중의 하나로, 정액의 액체 성분 중 35%정도를 생산하고, 생산된 전립선액은 정자에 영양을 공급하며, 사정된 정액을 굳지 않게 하여 정자의 운동성을 증진시켜 정자의 수정능력을 높여주는 것이다.
전립선은 남자의 방광 바로 밑에 있는 부드러운 조직으로, 전립선의 가운데에는 구멍이 뚫려 있고 그 사이로 요도가 지나감으로, 전립선에 이상이 생기면 배뇨에도 이상이 오고, 또한 성기능 장애를 일으킬 수 있다.
대표적인 전립선 질환으로는 전립선 비대증, 전립선 염, 전립선 암 등이 있다.
전립선 비대증은 지방 성분이 전립선 조직에 축척되어 생기는 질환으로 중년 이후의 남자들에게 소변보는 것을 어렵게 하고 여러 가지 비뇨기과적인 문제를 일으키는 원인으로 되어 왔으며, 이를 치료하기 위한 다양한 치료방법이 개발되어 사용되고 있는데, 이제까지의 대표적인 치료법으로는 온열 치료법, 주사치료법, 물리 치료 요법 등 3가지를 들 수 있다.
전립선 온열 치료법은, 일정범위의 열 (약 40～45도)을 전립선 부위내로 조사하여 열을 방생시켜 치료하는 방법이다.
즉, 정상세포는 45도 전후하여 세포가 사멸하는데 반하여 종양세포는 열에 민감하여 이보다 더 낮은 온도인 42.5도 정도에서 사멸한다.
그럼으로, 온도를 42.5도와 45도 사이로 유지하면 정상세포는 살릴 수 있고 종양세포는 죽일수 있는 원리를 이용하는 것이다.
비세균성 전립선염의 치료에 주로 이용 하지만 경우에 따라서 세균성 전립선염에도 증상을 호전시키기 위해 병행하기도 한다.
원칙적으로 비 세균성 전립선염의 치료에 사용하지만 세균성 전립선염의 경우에도 증상을 개선시킬 목적으로 활용하기도 한다.
섭씨 43도의 온도에서 60분간의 치료를 1세션으로 모두 5～6 세션 치료하면 66%의 환자가 증상의 호전을 보이고 77%의 환자가 전립선액 백혈구 숫자의 감소를 나타낼 만큼 우수한 치료 효과를 보인다.
한편, 최근에는 전립선 전역에 걸쳐서 치료기구를 전립선 조직의 소망하는 부위에 천자해 전립선질환을 용이한 조작으로 치료할 수 있음과 동시에 환자의 부담을 줄일 수 있는 전립선 치료장치가 일본공개특허공보 특개2000-271235호로 제안된 바 있다.
그러나, 일본공개특허공보 특개2000-271235호(전립선 치료장치)의 경우 전립선 치료를 위해 마이크로 물결 방사 프로브, 초음파 송수파부, 벌룬, 광원장치, 초음파 관측장치, 마이크로 물결 발진기 등 구조가 복잡한 많은 수의 구성요소를 이용하여야 하는 문제점이 있다.
일본공개특허공보 특개2000-271235호
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위하여 창출된 것으로써, 전립선 치료를 위한 삽입부, 고주파발열부 및 전극부를 하나의 제품으로 세트화할 수 있음은 물론 적은개수의 구성요소를 통해 환자의 전립선 조직을 보다 더욱 높은 효율로 치료할 수 있는 전립선 고주파 치료기를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은 항문을 통해 전립선 조직에 삽입되는 삽입부와; 상기 삽입부에 구비되어 고주파전류를 발생시키는 본체로부터 고주파전류를 인가받아 고주파 심부열을 발생시키는 고주파발열부와; 상기 고주파발열부와 일정간격을 유지한 상태로 상기 삽입부에 구비되고, 상기 고주파발열부와 반대의 전위를 가지는 전극부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기를 제공한다.
여기서, 상기 삽입부는 상기 고주파발열부가 상측에 나사결합되는 결합지그와; 상기 결합지그의 하측이 수용되는 수용홈이 상측 내부에 형성되고, 상기 수용홈의 하부방향에 위치하도록 내부에 상기 수용홈과 연통되는 관통구가 상하방향으로 일정길이로 연장형성되며, 관상의 상기 전극부의 내부에 수용되는 프로브지지대와; 상기 프로브지지대의 하측에 나사결합되는 고정캡;을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 결합지그의 상부방향에 위치하도록 상기 고주파발열부의 내부에 온도센서가 구비되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 결합지그의 내부에 관통구가 수직으로 편심형성되는 것이 바람직하다.
나아가, 상기 결합지그의 상부면에 일정깊이의 홈이 형성되는 것이 바람직하다.
더불어, 상기 고정캡의 상측 내부에 상기 프로브지지대의 하측이 수용되는 수용홈이 형성되고, 상기 고정캡의 하측 내부에 상기 수용홈과 연통되는 관통구가 형성되는 것이 바람직하다.
아울러, 상기 고주파발열부의 기준온도값을 설정하는 온도설정부와; 상기 고주파발열부가 발생시키는 고주파 심부열의 발생시간범위를 설정하는 타이머;가 구비되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 삽입부, 상기 고주파발열부 및 상기 전극부를 감싸는 커버가 구비되는 것이 바람직하다.
본 발명은 항문을 통해 전립선 조직에 삽입되는 삽입부에 고주파발열부와 전극부를 구비시켜 상기 삽입부, 상기 고주파발열부 및 상기 전극부를 하나의 제품으로 세트화할 수 있음은 물론 3개의 적은개수의 구성요소 즉, 상기 삽입부, 상기 고주파발열부 및 상기 전극부를 통해 환자의 전립선 조직을 보다 높은 효율로 치료할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예인 전립선 고주파 치료기를 개략적으로 나타내는 평면도이고,
도 2는 도 1의 삽입부, 고주파발열부 및 전극부를 확대한 일부확대평면도이고,
도 3은 도 2의 분리단면도이고,
도 4는 도 3의 결합단면도이고,
도 5는 도 3의 결합지그를 개략적으로 나타내는 평면도이고,
도 6은 커버를 개략적으로 나타내는 평면도이고,
도 7은 환자의 전립선 치료과정을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부한 도면에 의거하여 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다. 물론 본 발명의 권리범위는 하기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 기술적 요지를 벗어나지 않는 범위 내에서 당해 기술분야의 통상적인 지식을 가진자에 의하여 다양하게 변형 실시될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예인 전립선 고주파 치료기를 개략적으로 나타내는 평면도이고, 도 2는 도 1의 삽입부(10), 고주파발열부(20) 및 전극부를 확대한 일부확대평면도이다.
본 발명의 일실시예인 전립선 고주파 치료기는 도 1 및 도 2에서 보는 바와 같이 크게, 삽입부(10), 고주파발열부(20) 및 전극부(30)를 포함하여 이루어진다.
먼저, 상기 삽입부(10)는 의사 등의 전문치료사에 의해 환자의 항문을 통해 환자의 전립선 조직에 삽입될 수 있다.
다음으로, 상기 고주파발열부(20)는 상기 삽입부(10)에 구비되어 고주파전류를 발생시키는 본체(5)와 전선 등의 연결라인을 통해 연결될 수 있다.
환자의 전립선 질환 치료효율을 보다 더욱 크게 향상시키기 위해 상기 본체(5)는 0.1MHz ~ 10MHz의 고주파전류를 발생시킬 수 있다.
상기 고주파발열부(20)는 상기 본체(5)로부터 고주파 전류를 인가받아 고주파 심부열을 발생시켜 환자의 전립선 질환을 치료하게 된다.
상기 고주파발열부(20)는 감전사고를 방지하기 위해 외주면이 세라믹으로 절연코팅된 알루미늄 등의 전도성 금속재질로 이루어질 수 있다.
다음으로, 상기 전극부(30)는 상기 고주파발열부(20)와 일정간격을 유지한 상태로 상기 삽입부(10)에 구비된다.
상기 전극부(30)는 상기 고주파발열부(20)와 반대의 전위를 가진다.
상기 전극부(30)는 알루미늄 등의 전도성 금속재질로 이루어질 수 있다.
상기 고주파발열부(20)는 캡형상으로 이루어진 도자로 이루어질 수 있고, 상기 전극부(30)는 전극플레이트를 관상으로 제조하여 이루어진 것으로서, 상기 고주파발열부(20)를 이루는 도자와 상기 전극부(30)를 이루는 관상으로 제조된 전극플레이트는 국내등록특허공보 등록특허 10-1128607호 등을 통해 널리 공지된 기술임으로, 이하 자세한 설명은 생략하도록 한다.
도 3은 도 2의 분리단면도이고, 도 4는 도 3의 결합단면도이다.
보다 구체적으로, 상기 삽입부(10)는 도 3 및 도 4에서 보는 바와 같이 크게, 결합지그(110), 프로브지지대(120) 및 고정캡(130)을 포함하여 구성될 수 있다.
상기 고주파발열부(20)의 내부에는 상기 고주파발열부(20)의 하측에서 상기 고주파발열부(20)의 상측방향으로 상하연장형성되는 하측이 개방된 수용홈(210)이 형성될 수 있다.
상기 결합지그(110)의 상측은 상기 고주파발열부(20)의 수용홈(210)의 하측 내주면에 나사결합된 상태로 상기 고주파발열부(20)의 수용홈(210)의 하측에 수용될 수 있다.
상기 결합지그(110)는 알루미늄 등의 전도성 금속재질로 이루어질 수 있다.
상기 프로브지지대(120)의 상측 내부에는 상기 결합지그(110)의 하측이 나사결합된 상태로 수용되는 수용홈(121)이 형성될 수 있다.
상기 프로브지지대(120)의 수용홈(121)의 하부방향에 위치하도록 상기 프로브지지대(120)의 내부에는 상기 수용홈(121)과 연통되는 관통구(122)가 상기 프로브지지대(120)의 상측에서 상기 프로브지지대(120)의 하측방향으로 일정길이로 상하연장형성될 수 있다.
상기 프로브지지대(120)는 관상의 상기 전극부(30)의 내부에 수용될 수 있다.
상기 프로브지지대(120)는 폴리에틸렌(PE) 등의 절연재질로 이루어질 수 있다.
상기 고정캡(130)은 상기 프로브지지대(120)의 하측에 나사결합될 수 있다.
상기 고정캡(130)은 고무, 폴리에틸렌(PE) 등의 절연재질로 이루어질 수 있다.
상기 고정캡(130)의 상측 내부에는 상기 프로브지지대(120)의 하측이 나사결합된 상태로 수용되는 수용홈(131)이 상기 고정캡(130)의 상측에서 상기 고정캡(130)의 하측방향으로 일정깊이로 함몰형성될 수 있다.
상기 고정캡(130)의 수용홈(131)의 하부방향에 위치하도록 상기 고정캡(130)의 하측 내부에는 상기 수용홈(131)과 연통되는 관통구(132)가 상기 고정캡(130)의 상측에서 상기 고정캡(130)의 하측방향으로 일정길이로 상하연장형성될 수 있다.
다음으로, 도 3 및 도 4에서 보는 바와 같이 상기 결합지그(110)의 상부방향에 위치하도록 상기 고주파발열부(20)의 내부에 형성된 수용홈(210)의 상측에 온도센서(40)가 구비될 수 있다.
도 5는 도 3의 결합지그(110)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
다음으로, 도 3 내지 도 5에서 보는 바와 같이 상기 결합지그(110)의 내부에는 상기 결합지그(110)의 상측에서 상기 결합지그(110)의 하측으로 수직연장되는 관통구(110)가 편심형성될 수 있다.
상기 결합지그(110)의 관통구(110)는 가령, 상기 결합지그(110)의 일측 내부에 수직으로 편심형성될 수 있다.
도 4에서 보는 바와 같이 상기 본체(5)에 하측이 연결된 전선 등의 연결라인(7)의 상측은 상기 고정캡(130)의 관통구(132)와 상기 프로브지지대(120)의 관통구(122) 및 상기 결합지그(110)의 관통구(111)를 각각 순차적으로 통과하여 상기 온도센서(40)의 하부에 연결될 수 있다.
그리고, 상기 본체(5)에 하측이 연결된 전선 등의 또 다른 연결라인(9)의 상측 또한 상기 고정캡(130)의 관통구(132)와 상기 프로브지지대(120)의 관통구(122) 및 상기 결합지그(110)의 관통구(111)를 각각 순차적으로 통과하여 상기 결합지그(110)의 타측 하부에 연결될 수 있다.
여기서, 상기 결합지그(110)의 관통구(110)가 상기 결합지그(110)의 일측 내부에 수직으로 편심형성되기 때문에 상기 결합지그(110)의 타측 하부의 면적이 상기 결합지그(110)의 일측 하부의 면적보다 넓어질 수 있게 되고, 이로 인해 또 다른 상기 연결라인(9)의 상측을 상기 결합지그(110)의 타측 하부에 보다 용이하게 연결할 수 있게 된다.
상기 본체(5)에서 발생시킨 고주파전류는 또 다른 상기 연결라인(9)을 통해 상기 결합지그(110) 및 상기 고주파발열부(20)로 순차적으로 인가될 수 있다.
한편, 또 다른 상기 연결라인(9)은 분기되어 상기 프로브지지대(120)를 수평관통한 상태로 관상의 상기 전극부(30)와도 연결될 수도 있다.
다음으로, 도 5에서 보는 바와 같이 상기 결합지그(110)의 상부면 중심부에는 상기 결합지그(110)의 상부에서 상기 결합지그(110)의 하부방향으로 일정깊이로 함몰되는 홈(112)이 형성될 수 있다.
상기 홈(112)은 상기 관통구(111)와 연통된 상태로 상기 결합지그(110)의 일측에서 상기 결합지그(110)의 타측방향으로 일정길이로 좌우연장형성될 수 있다.
상기 홈(112)내에는 일자드라이버 등의 공구류의 단부가 삽입될 수 있고, 이상태에서 일자드라이버 등의 공구류를 정역회전시켜 상기 결합지그(110)의 하측을 상기 프로브지지대(120)의 수용홈(121)에 보다 용이하게 나사결합시킬 수 있게 된다.
도 6은 커버(70)를 개략적으로 나타내는 평면도이다.
다음으로, 항문을 통해 전립선 조직으로 삽입되는 상기 삽입부(10), 상기 고주파발열부(20) 및 상기 전극부(30)의 위생을 위함과 더불어 상기 삽입부(10)와 함께 상기 고주파발열부(20) 및 상기 전극부(30)가 항문내로 보다 원활하게 삽입될 수 있도록 하기 위해, 상기 삽입부(10)의 프로브지지대(120)의 상측 외주면, 상기 고주파발열부(20)의 외주면 및 상기 전극부(30)의 외주면 및 상기 고정캡(130) 외주면을 감싸는 폴리이소플렌, 폴리우레탄 등의 합성수지재질로 이루어질 수 있는 1회용 커버(70)가 구비될 수 있다.
도 7은 환자의 전립선 치료과정을 개략적으로 나타내는 순서도이다.
다음으로, 도 1에서 보는 바와 같이 상기 본체(50)의 외부로 노출되도록 상기 본체(5)의 전면 하측에는 온도설정부(50), 타이머(60), 작동스위치(80)가 누름식버튼, 다이얼버튼 등 다양한 방식으로 더 구비될 수 있다.
상기 온도설정부(50)를 통해 상기 고주파발열부(20)의 기준온도값을 설정할 수 있다.
상기 타이머(60)를 통해 설정한 고주파 심부열 발생시간범위 동안 상기 고주파발열부(20)가 고주파 심부열을 발생하게 된다.
상기 온도설정부(50)를 통해 설정한 상기 고주파발열부(20)의 기준온도값 및 상기 타이머(60)를 통해 설정한 고주파 심부열 발생시간은 상기 본체(5)의 전면 상측에 구비된 디스플레이부(51)에 숫자, 문자 등으로 표시될 수 있다.
상기 작동스위치(80)를 ON 상태로 설정할 경우, 상기 본체(5)는 고주파전류를 발생시키게 되고, 상기 작동스위치(80)를 OFF 상태로 설정할 경우, 상기 본체(5)는 고주파전류의 발생을 중지하게 된다.
상기 작동스위치(80)를 ON 상태로 설정한 상태에서, 상기 고주파발열부(20)가 발생시키는 고주파 심부열의 발생시간이 상기 타이머(60)에 의해 설정된 고주파 심부열 발생시간범위를 초과하면, 도 7에서 보는 바와 같이 상기 본체(5)는 고주파전류발생을 중지하게 된다.
상기 고주파발열부(20)가 발생시키는 고주파 심부열의 발생시간이 상기 타이머(60)에 의해 설정된 고주파 심부열 발생시간범위이내인 경우, 상기 본체(5)는 지속적으로 고주파전류를 발생하게 된다.
상기 온도센서(40)가 측정한 상기 고주파발열부(20)의 고주파 심부열의 온도가 상기 온도설정부(50)를 통해 설정한 기준온도값미만인 경우, 도 7에서 보는 바와 같이 상기 고주파발열부(20)의 고주파 심부열의 온도를 높이기 위해, 상기 본체(5)에서 상기 고주파발열부(20)로 인가되는 고주파 전류의 인가량이 증가할 수 있다.
상기 온도센서(40)가 측정한 상기 고주파발열부(20)의 고주파 심부열의 온도가 상기 온도설정부(50)를 통해 설정한 기준온도값이상인 경우, 상기 고주파발열부(20)의 고주파 심부열의 온도를 저하시키기 위해, 상기 본체(5)에서 상기 고주파발열부(20)로 인가되는 고주파 전류의 인가량이 저하될 수 있다.
상술한 바와 같이 구성된 본 발명은 항문을 통해 전립선 조직에 삽입되는 상기 삽입부(10)에 상기 고주파발열부(20)와 전극부(30)를 구비시켜 상기 삽입부(10), 상기 고주파발열부(20) 및 상기 전극부(30)를 하나의 제품으로 세트화할 수 있음은 물론 3개의 적은개수의 구성요소 즉, 상기 삽입부(10), 상기 고주파발열부(20) 및 상기 전극부(30)를 통해 환자의 전립선 조직을 보다 높은 효율로 치료할 수 있는 이점이 있다.
10; 삽입부, 20; 고주파발열부,
30; 전극부.

Claims (10)

  1. 항문을 통해 전립선 조직에 삽입되는 삽입부(10)와;
    상기 삽입부(10)에 구비되어 고주파전류를 발생시키는 본체(5)로부터 고주파전류를 인가하여 고주파 심부열을 발생시키는 고주파발열부(20)와;
    상기 고주파발열부(20)와 일정간격을 유지한 상태로 상기 삽입부(10)에 구비되고, 상기 고주파발열부(20)와 반대의 전위를 가지는 전극부(30);를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
  2. 항문을 통해 전립선 조직에 삽입되는 삽입부(10)와;
    상기 삽입부(10)에 구비되어 고주파전류를 발생시키는 본체(5)로부터 고주파전류를 인가하여 고주파 심부열을 발생시키는 고주파발열부(20)와;
    상기 고주파발열부(20)와 일정간격을 유지한 상태로 상기 삽입부(10)에 구비되고, 상기 고주파발열부(20)와 반대의 전위를 가지는 전극부(30);를 포함하여 이루어지고,
    상기 삽입부(10)는 상기 고주파발열부(20)가 상측에 나사결합되는 결합지그(110)를 포함하여 구성되고,
    상기 결합지그(110)의 상부방향에 위치하도록 상기 고주파발열부(20)의 내부에 온도센서(40)가 구비되는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
  3. 항문을 통해 전립선 조직에 삽입되는 삽입부(10)와;
    상기 삽입부(10)에 구비되어 고주파전류를 발생시키는 본체(5)로부터 고주파전류를 인가하여 고주파 심부열을 발생시키는 고주파발열부(20)와;
    상기 고주파발열부(20)와 일정간격을 유지한 상태로 상기 삽입부(10)에 구비되고, 상기 고주파발열부(20)와 반대의 전위를 가지는 전극부(30);를 포함하여 이루어지고,
    상기 삽입부(10)는 상기 고주파발열부(20)가 상측에 나사결합되는 결합지그(110)를 포함하여 구성되고,
    상기 결합지그(110)의 내부에 관통구(111)가 수직으로 편심형성되는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
  4. 항문을 통해 전립선 조직에 삽입되는 삽입부(10)와;
    상기 삽입부(10)에 구비되어 고주파전류를 발생시키는 본체(5)로부터 고주파전류를 인가하여 고주파 심부열을 발생시키는 고주파발열부(20)와;
    상기 고주파발열부(20)와 일정간격을 유지한 상태로 상기 삽입부(10)에 구비되고, 상기 고주파발열부(20)와 반대의 전위를 가지는 전극부(30);를 포함하여 이루어지고,
    상기 삽입부(10)는 상기 고주파발열부(20)가 상측에 나사결합되는 결합지그(110)를 포함하여 구성되고,
    상기 결합지그(110)의 상부면에 일정깊이의 홈(112)이 형성되는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 삽입부(10)는 상기 고주파발열부(20)가 상측에 나사결합되는 결합지그(110)와;
    상기 결합지그(110)의 하측이 수용되는 수용홈(121)이 상측 내부에 형성되고, 상기 수용홈(121)의 하부방향에 위치하도록 내부에 상기 수용홈(121)과 연통되는 관통구(122)가 상하방향으로 일정길이로 연장형성되며, 관상의 상기 전극부(30)의 내부에 수용되는 프로브지지대(120)와;
    상기 프로브지지대(120)의 하측에 나사결합되는 고정캡(130);을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
  6. 제 2항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 삽입부(10)는 상기 결합지그(110)의 하측이 수용되는 수용홈(121)이 상측 내부에 형성되고, 상기 수용홈(121)의 하부방향에 위치하도록 내부에 상기 수용홈(121)과 연통되는 관통구(122)가 상하방향으로 일정길이로 연장형성되며, 관상의 상기 전극부(30)의 내부에 수용되는 프로브지지대(120)와;
    상기 프로브지지대(120)의 하측에 나사결합되는 고정캡(130);을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
  7. 제 5항에 있어서,
    상기 고정캡(130)의 상측 내부에 상기 프로브지지대(120)의 하측이 수용되는 수용홈(131)이 형성되고,
    상기 고정캡(130)의 하측 내부에 상기 수용홈(131)과 연통되는 관통구(132)가 형성되는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
  8. 제 6항에 있어서,
    상기 고정캡(130)의 상측 내부에 상기 프로브지지대(120)의 하측이 수용되는 수용홈(131)이 형성되고,
    상기 고정캡(130)의 하측 내부에 상기 수용홈(131)과 연통되는 관통구(132)가 형성되는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
  9. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 고주파발열부(20)의 기준온도값을 설정하는 온도설정부(50)와;
    상기 고주파발열부(20)가 발생시키는 고주파 심부열의 발생시간범위를 설정하는 타이머(60);가 구비되는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
  10. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 삽입부(10), 상기 고주파발열부(20) 및 상기 전극부(30)를 감싸는 커버(70)가 구비되는 것을 특징으로 하는 전립선 고주파 치료기.
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