KR101582546B1 - Embedded substrate and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 액상의 접착제를 사용하여 절연층을 형성함으로써, 내장되는 디바이스에 의한 적층 단차가 발생하지 아니하는 내장형 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. 본 발명은, 적어도 일 면에 도전성의 제1 회로 패턴이 형성되는 필름 타입의 제1 기판; 상기 제1 기판의 적어도 일면에 실장되는 제1 디바이스; 상기 제1 디바이스 및 상기 제1 기판 위에 절연성의 접착체가 배치되어 형성되는 절연층; 및 상기 절연층의 상기 제1 기판의 반대면에 배치되는 도전성의 제2 회로 패턴을 구비하는 내장형 기판을 제공한다.

Figure R1020090074893

An object of the present invention is to provide a built-in substrate and a method of manufacturing the same, in which a lamination step by a built-in device does not occur by forming an insulating layer using a liquid adhesive. The present invention relates to a film-type first substrate in which a first circuit pattern having conductivity is formed on at least one surface thereof; A first device mounted on at least one surface of the first substrate; An insulating layer formed by disposing an insulating adhesive on the first device and the first substrate; And a conductive second circuit pattern disposed on an opposite surface of the insulating layer to the first substrate.

Figure R1020090074893

Description

내장형 기판 및 그 제조방법{Embedded substrate and method for manufacturing the same} [0001] Embedded substrate and method for manufacturing same [0001]

본 발명은 내장형 기판 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자 칩이 내장되는 내장형 기판으로서 임의 형상으로 구현 가능하도록 유연성이 있는(flexible) 내장형 기판 및 그 제조 방법에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to an embedded board and a method of manufacturing the same. More particularly, the present invention relates to an embedded board having an electronic chip embedded therein.

최근의 전자 제품은 휴대폰 또는 다양한 IT(Information Technology) 이동 기기 등의 유비쿼터스(ubiquitous) 컴퓨팅을 이용한 다기능 집적화 시대로 접어들었다. 이러한 전자 기기의 진화와 더불어 다양한 정보를 인간에게 언제 어디서나 전달하는 정보 전달 매체로서, 외부 충격에 강하며 휴대 용이성 등이 필요하다. Recent electronic products have entered the era of multi-functional integration using ubiquitous computing such as mobile phones or various information technology (IT) mobile devices. In addition to the evolution of electronic devices, information delivery media that transmit various information to humans anytime and anywhere are required to be strong against external shocks and easy to carry.

이를 위하여, 반도체 칩 등의 다양한 디바이스를 내부에 포함하는 디바이스 내장형 기판의 필요성이 대두되었다. 이러한 내장형 기판은 내층 코아(Core) 기판의 양면 또는 단면에 DES(Development Etching and Strip) 공정을 이용하여 배선을 형성한 후, 패턴이 형성된 코아(Core) 기판 윗면에 반도체 칩 등의 디바이스를 장착한 후에, 외층 기판을 적층하여 제조될 수 있다. For this purpose, there has been a need for a device-embedded substrate including various devices such as semiconductor chips therein. Such an embedded substrate may be formed by forming a wiring using a DES (Development Etching and Strip) process on both sides or an end face of an inner core substrate, mounting a device such as a semiconductor chip on the upper surface of a core substrate on which a pattern is formed And then laminated the outer layer substrate.

통상의 내장형 기판의 제조 방법에서는 적층용 절연층 물질은 시트(sheet) 또는 롤(roll) 형태의 필름이 사용될 수 있다. 하지만, 필름을 사용하여 적층을 하는 경우 칩본딩 영역에서 적층 단차가 발생하는 구조적인 문제점이 있다. In a conventional method for manufacturing an embedded substrate, the insulating layer material for lamination may be a film in the form of a sheet or a roll. However, there is a structural problem in that a stacking step occurs in the chip bonding region when a film is stacked.

따라서, 단차를 최소화하는 공정 프로세스를 최적화하기가 어렵고, 반도체 칩의 적층시에 칩 손상이 발생될 수 있는 문제점이 있다. 또한, 필름 타입인 적층용 소재를 제어하기가 어려운 문제점이 있다. Therefore, it is difficult to optimize the process process for minimizing the step difference, and there is a problem that chip damage may occur at the time of stacking semiconductor chips. Further, there is a problem that it is difficult to control the film-type material for lamination.

본 발명은, 액상의 접착제를 사용하여 절연층을 형성함으로써, 내장되는 디바이스에 의한 적층 단차가 발생하지 아니하는 내장형 기판 및 그 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a built-in substrate and a method of manufacturing the same, in which a lamination step by a built-in device does not occur by forming an insulating layer using a liquid adhesive.

본 발명은, 적어도 일 면에 도전성의 제1 회로 패턴이 형성되는 필름 타입의 제1 기판; 상기 제1 기판의 적어도 일면에 실장되는 제1 디바이스; 상기 제1 디바이스 및 상기 제1 기판 위에 절연성의 접착체가 배치되어 형성되는 절연층; 및 상기 절연층의 상기 제1 기판의 반대면에 배치되는 도전성의 제2 회로 패턴을 구비하는 내장형 기판을 제공한다. The present invention relates to a film-type first substrate in which a first circuit pattern having conductivity is formed on at least one surface thereof; A first device mounted on at least one surface of the first substrate; An insulating layer formed by disposing an insulating adhesive on the first device and the first substrate; And a conductive second circuit pattern disposed on an opposite surface of the insulating layer to the first substrate.

상기 절연층의 상기 제2 회로 패턴이 배치되는 면의 상기 제2 회로 패턴이 배치되지 아니하는 영역에 배치되는 도전성의 제3 회로 패턴, 및 상기 제3 회로 패턴 위에 배치되는 제2 디바이스를 더 구비할 수 있다. A conductive third circuit pattern disposed on an area of the insulating layer where the second circuit pattern is disposed and a second device disposed on the third circuit pattern; can do.

상기 제1 디바이스가 상기 제1 기판에 플립칩 본딩 또는 와이어 본딩의 형태로 전기적으로 연결될 수 있다. The first device may be electrically connected to the first substrate in the form of flip chip bonding or wire bonding.

상기 절연층에 상기 제2 회로 패턴으로부터 상기 제1 회로 패턴으로 비아 홀이 형성되고, 상기 비아 홀이 도전성 물질로 채워질 수 있다. A via hole is formed in the insulating layer in the first circuit pattern from the second circuit pattern, and the via hole is filled with a conductive material.

상기 절연층이 액상의 접착제가 경화되어 형성될 수 있다. The insulating layer may be formed by curing a liquid adhesive.

상기 제1 기판과 상기 제2 회로 패턴 사이의 간격이 일정하게 될 수 있다. The gap between the first substrate and the second circuit pattern may be constant.

본 발명의 다른 측면은, 필름 타입의 코아 기판에 도전층이 적층된 베이스 기판을 공급하는 단계; 상기 코아 기판 위에 상기 도전층을 제1 회로 패턴으로 형성하는 단계; 상기 제1 회로 패턴 위에 제1 디바이스를 실장하는 단계; 상기 제1 디바이스와 상기 코아 기판 위에 액상의 접착제와 도전성 호일(foil)을 함께 공급하여 적층하는 단계; 상기 접착제를 경화시켜 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 도전성 호일을 제2 회로 패턴으로 형성하는 단계를 구비하는 내장형 기판의 제조방법을 제공한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a semiconductor device, comprising: supplying a base substrate having a conductive layer stacked on a film substrate of a core substrate; Forming the conductive layer in the first circuit pattern on the core substrate; Mounting a first device on the first circuit pattern; Supplying and laminating a liquid adhesive and a conductive foil together on the first device and the core substrate; Curing the adhesive to form an insulating layer; And forming the conductive foil in a second circuit pattern.

상기 베이스 기판이 릴(reel) 형태로 공급되어 상기 제1 디바이스가 내장되는 내장형 기판이 릴투릴(reel to reel) 방식으로 연속 공정에 의하여 제조될 수 있다. The base substrate may be supplied in a reel form so that the embedded substrate in which the first device is embedded may be manufactured by a continuous process in a reel to reel method.

상기 절연층의 상기 제2 회로 패턴이 배치되는 면의 상기 제2 회로 패턴이 배치되지 아니하는 영역에 배치되는 도전성의 제3 회로 패턴을 형성하는 단계; 및 제2 디바이스를 상기 제3 회로 패턴 위에 배치하는 단계를 더 구비할 수 있다. Forming a conductive third circuit pattern on a surface of the insulating layer where the second circuit pattern is disposed, the conductive third circuit pattern being disposed in a region where the second circuit pattern is not disposed; And disposing a second device on the third circuit pattern.

상기 제1 디바이스가 상기 코아 기판의 윗면에 실장되고, 상기 제1 디바이스가 아래에 위치되도록 상기 코아 기판을 뒤집은 후에, 상기 접착제와 상기 도전성 호일을 아래로부터 릴 타입으로 공급하여 적층할 수 있다. The first device is mounted on the upper surface of the core substrate and the core substrate is turned over so that the first device is positioned below and then the adhesive and the conductive foil are fed from the bottom to the reel type and laminated.

상기 제1 디바이스가 상기 제1 기판에 플립칩 본딩 또는 와이어 본딩에 의하여 전기적으로 연결될 수 있다. The first device may be electrically connected to the first substrate by flip chip bonding or wire bonding.

상기 절연층에 상기 제2 회로 패턴으로부터 상기 제1 회로 패턴으로 비아 홀 이 형성하는 단계; 및 상기 비아 홀을 도전성 물질로 채우는 단계를 더 구비할 수 있다. Forming a via hole in the insulating layer from the second circuit pattern with the first circuit pattern; And filling the via hole with a conductive material.

상기 제1 기판과 상기 제2 회로 기판 사이의 간격이 일정할 수 있다. The gap between the first substrate and the second circuit substrate may be constant.

상기 베이스 기판이 양면 또는 단면의 FCCL(Flexible Copper Clad Laminate)이 될 수 있다. The base substrate may be an FCCL (Flexible Copper Clad Laminate) of both sides or a cross section.

본 발명에 따른 내장형 기판 및 그 제조 방법에 의하면, 액상의 접착제를 사용하여 절연층을 형성함으로써, 내장되는 디바이스에 의한 적층 단차의 발생을 방지할 수 있다. According to the embedded board and the method of manufacturing the same according to the present invention, the insulating layer is formed by using the liquid adhesive, thereby preventing the occurrence of stacking steps due to the built-in device.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 바람직한 실시예에 따른 본 발명을 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1에는 본 발명에 따른 바람직한 실시예로서, 내장형 기판(100)의 개략적인 일 단면도가 도시되어 있다. 1 is a schematic cross-sectional view of an embedded substrate 100 as a preferred embodiment according to the present invention.

도면을 참조하면, 본 발명에 따른 내장형 기판(100)은 제1 기판(110); 제1 디바이스(120); 절연층(130); 및 제2 회로 패턴(140)을 구비할 수 있다. Referring to the drawings, an embedded substrate 100 according to the present invention includes a first substrate 110; A first device (120); An insulating layer 130; And a second circuit pattern 140 may be provided.

제1 기판(110)은 필름 타입으로 형성되는 것으로, 적어도 일 면에 도전성의 제1 회로 패턴(112)이 형성될 수 있다. 제1 디바이스(120)는 제1 기판(110)의 적어도 일면에 실장될 수 있다. The first substrate 110 is formed of a film type, and a conductive first circuit pattern 112 may be formed on at least one surface. The first device 120 may be mounted on at least one surface of the first substrate 110.

절연층(130)은 제1 디바이스(120) 및 제1 기판(110) 위에 절연성의 접착체가 배치되어 형성될 수 있다. 제2 회로 패턴(140)은 도전성 재질을 포함하여 형성되는 것으로, 절연층(130)의 제1 기판(110)의 반대 면에 배치될 수 있다. The insulating layer 130 may be formed by disposing an insulating adhesive on the first device 120 and the first substrate 110. The second circuit pattern 140 is formed of a conductive material and may be disposed on the opposite side of the first substrate 110 of the insulating layer 130.

내장형 기판(100)은 내부에 반도체 소자 또는 능동 및/또는 수동 전기 전자 소자들을 포함하는 것으로, 필름 타입으로 형성되어 유연성을 갖는 플렉시블(flexible) 기판이 될 수 있다. 이때, 제1 디바이스(120)가 기판들 사이에 포함되는 반도체 소자 또는 능동 및/또는 수동 전기 전자 소자들이 될 수 있다. The embedded substrate 100 may be a flexible substrate formed of a film type including a semiconductor element or active and / or passive electric and electronic elements therein. At this time, the first device 120 may be semiconductor devices or active and / or passive electrical and electronic devices included between the substrates.

한편, 내장형 기판(100)은 제3 회로 패턴(150), 및 제2 디바이스(160)를 더 구비할 수 있다. Meanwhile, the embedded substrate 100 may further include a third circuit pattern 150 and a second device 160.

제3 회로 패턴(150)은 도전성 재질을 포함하여 형성되는 것으로, 절연층(130)의 제2 회로 패턴(140)이 배치되는 면의 제2 회로 패턴(140)이 배치되지 아니하는 영역에 배치될 수 있다. The third circuit pattern 150 is formed of a conductive material and is disposed in an area where the second circuit pattern 140 of the surface of the insulating layer 130 on which the second circuit pattern 140 is disposed is not disposed .

제2 디바이스(160)는 제3 회로 패턴(150) 위에 배치될 수 있다. 이때, 제2 디바이스(160)는 실시예에 따라서 제2 회로 패턴(140) 위에 배치될 수도 있다. 제2 디바이스(160)는 반도체 소자 또는 능동 및/또는 수동 전기 전자 소자들이 될 수 있다. The second device 160 may be disposed on the third circuit pattern 150. At this time, the second device 160 may be disposed on the second circuit pattern 140 according to the embodiment. The second device 160 may be a semiconductor device or active and / or passive electrical and electronic devices.

제1 기판(110)은 양면 또는 단면의 플렉시블 동박 적층 기판(Flexible Copper Clad Laminate, FCCL)을 베이스 기판으로 하여 형성될 수 있다. 즉, 플렉시블 동박 적층 기판(FCCL)은 코아 기판(111)과 구리 소재의 도전성의 금속층을 포함하여 이루어질 수 있다. The first substrate 110 may be formed of a flexible copper clad laminate (FCCL) on both sides or a cross section as a base substrate. That is, the flexible copper-clad laminate (FCCL) may include a core substrate 111 and a conductive metal layer made of copper.

제1 회로 패턴(112)은 플렉시블 동박 적층 기판(FCCL)의 도전성의 금속층을 가공하여 형성될 수 있다. 제1 회로 패턴(112)은 통상의 노광, 현상, 및 에칭 등의 공정에 의하여 형성될 수 있다. The first circuit pattern 112 may be formed by processing a conductive metal layer of a flexible copper-clad laminate substrate (FCCL). The first circuit pattern 112 can be formed by a process such as normal exposure, development, and etching.

제1 디바이스(120)는 제1 기판(110)에 플립칩 본딩(flip chip bonding) 또는 와이어 본딩(wire bonding)의 형태로 전기적으로 연결될 수 있다. 제1 디바이스(120)는 제1 기판(110)에 가열 및 압력을 가함으로써 실장될 수 있다. 그 일 실시예로서, 도 1에는 제1 디바이스(120)가 플립칩 본딩에 의하여 제1 기판(110)에 연결되는 실시예가 도시되어 있다. The first device 120 may be electrically connected to the first substrate 110 in the form of flip chip bonding or wire bonding. The first device 120 may be mounted by applying heat and pressure to the first substrate 110. In one embodiment, FIG. 1 illustrates an embodiment in which a first device 120 is connected to a first substrate 110 by flip chip bonding.

제1 디바이스(120)는 제1 기판(110)에 형성된 범프(113) 위에 실장될 수 있다. 이를 위하여 제1 디바이스(120)가 외부와 신호를 주고받거나 전원을 공급하거나 받는 전극(121)을 구비하고, 전극(121)을 통하여 제1 기판의 범프(113)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 범프(113)의 표면에는 도금에 의한 범프 도금층(113a)이 형성되고, 전극(121)과 범프 도금층(113a)을 통하여 연결될 수 있다. The first device 120 may be mounted on the bumps 113 formed on the first substrate 110. The first device 120 may include an electrode 121 for receiving signals from the outside or supplying power to the first device 120 and may be electrically connected to the bumps 113 of the first substrate through the electrode 121. At this time, a bump plating layer 113a formed by plating is formed on the surface of the bump 113 and can be connected to the electrode 121 through the bump plating layer 113a.

종래의 내장형 기판에서는, 적층용 절연층 물질로 시트(sheet) 또는 롤(roll) 형태의 필름이 사용된다. 시트 또는 롤 형태의 필름을 사용하여 절연층을 적층하는 경우, 칩본딩 영역에서 적층 단차가 발생할 수 있다. 또한, 시트 또는 롤 형태의 필름을 가열 압착하여 절연층이 형성되도록 하는데, 그 과정에서 내부에 포함되는 디바이스에 충격이 가해질 수 있다. In the conventional embedded type substrate, a film in the form of sheet or roll is used as the insulating layer material for lamination. When an insulating layer is laminated using a film in the form of a sheet or a roll, a lamination step may occur in the chip bonding region. In addition, a sheet or a roll-shaped film is heated and pressed to form an insulating layer. In this process, a device included therein may be subjected to an impact.

하지만, 본 발명에 따른 내장형 기판(100)에서는 절연층(130)이 액상의 접착제가 경화되어 형성될 수 있다. 따라서, 제1 디바이스(120) 주위를 액상의 접착제가 둘러싸도록 함으로써, 제1 디바이스(120)가 배치되는 위치에서도 제1 기판(110)과 제2 회로 패턴(140) 사이의 간격이 일정하게 유지될 수 있다. However, in the embedded substrate 100 according to the present invention, the insulating layer 130 may be formed by curing a liquid adhesive. Therefore, even when the first device 120 is disposed, the gap between the first substrate 110 and the second circuit pattern 140 is kept constant even when the first device 120 is surrounded by the liquid adhesive .

따라서, 절연층(130)의 적층 단차의 발생을 최소화할 수 있다. 제2 회로 패턴(140) 및/또는 제3 회로 패턴(150) 등의 외층 패턴 형성 시에 향상된 정밀도로 미세 피치 패턴을 구현할 수 있다. 따라서, 패턴 박리의 발생을 방지할 수 있으며, 고집적 전자 모듈을 제조할 수 있게 된다. 또한, 적층 및 경화 공정에서 미세 결함의 발생을 방지할 수 있으므로, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다. Therefore, occurrence of stacking steps of the insulating layer 130 can be minimized. It is possible to realize a fine pitch pattern with improved precision at the time of forming the outer layer patterns of the second circuit pattern 140 and / or the third circuit pattern 150 and the like. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of pattern peeling and to manufacture a highly integrated electronic module. In addition, it is possible to prevent micro-defects from occurring in the lamination and curing process, thereby improving the reliability of the product.

또한, 액상의 접착체의 경화 시에 필름 타입의 경우보다 작은 압력에 의하여 가능하므로, 충격으로 인한 칩 데미지 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액상의 접착제을 사용하므로, 적층용 소재의 제어가 용이하게 된다. Further, since the liquid adhesive agent can be cured at a pressure smaller than that of the film type, it is possible to prevent chip damage caused by the impact. Further, since a liquid adhesive is used, control of the material for lamination is facilitated.

절연층(130)에는 제2 회로 패턴(140)으로부터 제1 회로 패턴(112)으로 비아 홀(131)이 형성되고, 비아 홀(131)이 도전성 물질로 채워져 연결부(132)가 형성되고, 연결부(132)에 의하여 제1 회로 패턴(112)과 제2 회로 패턴(140)이 전기적으로 상호 연결될 수 있다. A via hole 131 is formed in the insulating layer 130 from the second circuit pattern 140 to the first circuit pattern 112. The via hole 131 is filled with a conductive material to form a connection portion 132, The first circuit pattern 112 and the second circuit pattern 140 may be electrically interconnected by the first circuit pattern 132.

제2 회로 패턴(140)은 제2 도전층(141)과 보호층(142)을 구비할 수 있다. 제2 도전층(141)은 금속성의 도전층으로써, 통상의 회로 패턴 형성 방법에 의하여 형성될 수 있다. 보호층(142)은 제2 도전층(141)을 둘러싸 보호하는 것으로, 통상의 커버레이(coverlay) 및/또는 DFSR(Dry Film Solder Resist)을 포함하여 이루어질 수 있다. The second circuit pattern 140 may include a second conductive layer 141 and a protective layer 142. The second conductive layer 141 is a metallic conductive layer and can be formed by a conventional circuit pattern forming method. The protective layer 142 surrounds and protects the second conductive layer 141 and may include a conventional coverlay and / or a dry film solder resist (DFSR).

제3 회로 패턴(150)은 통상의 회로 패턴 형성 공정에 의하여 형성될 수 있 다. 제3 회로 패턴(150)은 제3 도전층(151)과 제3 도금층(152)을 구비할 수 있다. 제3 도전층(151)은 금속성의 도전층으로써, 통상의 회로 패턴 형성 방법에 의하여 형성될 수 있다. 제3 도금층(152)은 제3 도전층(151)을 도금 등의 방법에 의하여 둘러싸도록 하는 것으로, 제3 도전층(151)을 외부로부터 보호할 수 있다. The third circuit pattern 150 may be formed by a conventional circuit pattern forming process. The third circuit pattern 150 may include a third conductive layer 151 and a third plating layer 152. The third conductive layer 151 is a metallic conductive layer and can be formed by a conventional circuit pattern forming method. The third plating layer 152 surrounds the third conductive layer 151 by plating or the like, thereby protecting the third conductive layer 151 from the outside.

본 발명에 따르면, 액상의 접착제를 사용하여 절연층을 형성함으로써, 내장되는 디바이스에 의한 적층 단차의 발생을 방지할 수 있다. According to the present invention, by forming an insulating layer using a liquid adhesive, it is possible to prevent the occurrence of lamination steps caused by a built-in device.

도 2 내지 도 5에는 본 발명에 따른 바람직한 실시예인 내장형 기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면들로서, 릴투릴(reel to reel) 방식으로 제조되는 공정순서에 따른 제조단계별 수직 단면도들이 도시되어 있다. FIGS. 2 to 5 illustrate a method of manufacturing an embedded substrate according to a preferred embodiment of the present invention, and are vertical cross-sectional views according to manufacturing steps according to a process sequence of a reel to reel method.

도면을 참조하면, 본 발명에 따른 내장형 기판의 제조방법(도 2 내지 도 5)은 베이스 기판 공급단계(S210); 제1 패턴 형성단계(S220, S230); 디바이스 실장단계(S240); 접착제와 호일 공급 및 적층단계(S250, S260); 경화단계(S270); 외층 패턴 형성단계(S300)를 구비할 수 있다. Referring to the drawings, a method of manufacturing an embedded substrate according to the present invention (FIGS. 2 to 5) includes: supplying a base substrate (S210); A first pattern formation step (S220, S230); Device mounting step S240; Supplying and laminating adhesive and foil (S250, S260); Curing step S270; And an outer layer pattern forming step (S300).

베이스 기판 공급단계(S210)에는 필름 타입의 코아 기판(111)에 도전층(112a)이 적층된 베이스 기판(110a)을 공급한다. 제1 패턴 형성단계(S220, S230)에는 코아 기판(111) 위에 도전층(112a)을 제1 회로 패턴(112)으로 형성한다. In the base substrate supply step (S210), the base substrate 110a, on which the conductive layer 112a is laminated, is supplied to the film type core substrate 111. In the first pattern formation step S220 and S230, the conductive layer 112a is formed as the first circuit pattern 112 on the core substrate 111. [

디바이스 실장단계(S240)에는 제1 회로 패턴(112) 위에 제1 디바이스(120)를 실장한다. 접착제 및 호일 공급 및 적층단계(S250, S260)에는 제1 디바이스(120)와 코아 기판(111) 위에 액상의 접착제(130a)와 도전성 호일(141a)을 함께 공급하여 적층한다. In the device mounting step S240, the first device 120 is mounted on the first circuit pattern 112. The liquid adhesive 130a and the conductive foil 141a are supplied together and stacked on the first device 120 and the core substrate 111 in the adhesive and foil supply and laminating steps S250 and S260.

경화단계(S270)에는 접착제(130a)를 경화시켜 절연층(130)을 형성한다. 외층 패턴 형성단계(S300)에는 도전성 호일(141a)을 제2 회로 패턴(140)으로 형성한다. In the curing step S270, the adhesive 130a is cured to form the insulating layer 130. [ In the outer layer pattern forming step (S300), the conductive foil 141a is formed as the second circuit pattern 140.

본 발명에 따른 내장형 기판의 제조방법(도 2 내지 도 5)은 베이스 기판(110a)이 릴(reel) 형태로 공급되어 제1 디바이스(120)가 내장되는 내장형 기판이 릴투릴(reel to reel) 방식으로 연속 공정에 의하여 제조된다. 내장형 기판의 제조방법(도 2 내지 도 5)에 의하여 도 1의 플렉시블(flexible)하고 기판 내부에 디바이스가 내장되는 내장형 기판이 제조될 수 있다. 2 through 5), the embedded substrate in which the base substrate 110a is supplied in a reel shape and the first device 120 is embedded is reel-to-reel, ≪ / RTI > By the method of manufacturing the embedded substrate (FIGS. 2 to 5), the flexible substrate of FIG. 1 and the embedded substrate in which the device is embedded can be manufactured.

이를 위하여, 베이스 기판(110a)이 양면 또는 단면의 플렉시블 동박 적층 기판(Flexible Copper Clad Laminate, FCCL)이 될 수 있다. 플렉시블 동박 적층 기판(FCCL)은 코아 기판(111)과 구리 소재의 도전층(112a)을 포함하여 이루어질 수 있다. For this purpose, the base substrate 110a may be a flexible copper clad laminate (FCCL) of both sides or a cross section. The flexible copper-clad laminate (FCCL) may include a core substrate 111 and a conductive layer 112a made of copper.

제1 패턴 형성단계(S220, S230)에는 코아 기판(111) 위에 도전층(112a)을 통상의 회로 패턴 형성 공정에 의하여 제1 회로 패턴(112)으로 형성할 수 있다. 제1 패턴 형성단계(S220, S230)는 노광 단계(S220)와 현상 에칭 및 전처리(S230)를 포함할 수 있다. In the first pattern formation step S220 and S230, the conductive layer 112a may be formed on the core substrate 111 as the first circuit pattern 112 by a conventional circuit pattern forming process. The first pattern forming step S220 and S230 may include an exposure step S220 and a development etching and a pre-treatment S230.

노광 단계(S220)에는 도전층(112a) 위에 PR(Photo Resist) 또는 DFR(Dry Film Resit) 등의 감광층(221)을 형성하고, 원하는 회로 패턴에 따른 마스크(222)를 통하여 자외선(Ultraviolet)을 투과하여 마스크 패턴을 형성한다. 현상 에칭 및 전처리(S230)에는 통상의 회로 패턴 형성 공정에서 사용되는 현상, 에칭, 및 박리 공정이 적용되고, 칩 본딩 및 적층 밀착력 향상을 위한 표면처리 작업이 수행된다. A photosensitive layer 221 such as a photoresist (PR) or a dry film resist (DFR) is formed on the conductive layer 112a and an ultraviolet ray is irradiated through a mask 222 according to a desired circuit pattern, To form a mask pattern. In the development and etching (S230), the development, etching, and peeling processes used in the ordinary circuit pattern formation process are applied, and surface treatment operations for chip bonding and lamination adhesion enhancement are performed.

한편, 외층 패턴 형성단계(S300)는 제3 회로 패턴 형성단계 및 디바이스 배치단계를 더 구비할 수 있다. 제3 회로 패턴 형성단계에는 절연층(130)의 제2 회로 패턴(140)이 배치되는 면의 제2 회로 패턴(140)이 배치되지 아니하는 영역에 배치되는 도전성의 제3 회로 패턴(150)을 형성한다. 디바이스 배치단계에는 제2 디바이스(160)를 제3 회로 패턴(150) 위에 배치한다. Meanwhile, the outer layer pattern forming step S300 may further include a third circuit pattern forming step and a device placing step. The third circuit pattern forming step may include forming a conductive third circuit pattern 150 on the surface of the insulating layer 130 where the second circuit pattern 140 is disposed, . In the device placement step, the second device 160 is disposed on the third circuit pattern 150.

제3 회로 패턴(150)은 통상의 회로 패턴 형성 공정에 의하여 형성될 수 있다. 제3 회로 패턴(150)은 제3 도전층(151)과 제3 도금층(152)을 구비할 수 있다. 제3 도전층(151)은 금속성의 도전층으로써, 통상의 회로 패턴 형성 방법에 의하여 형성될 수 있다. 제3 도금층(152)은 제3 도전층(151)을 도금 등에 의하여 둘러싸도록 하는 것으로, 제3 도전층(151)을 외부로부터 보호할 수 있다. The third circuit pattern 150 may be formed by a conventional circuit pattern forming process. The third circuit pattern 150 may include a third conductive layer 151 and a third plating layer 152. The third conductive layer 151 is a metallic conductive layer and can be formed by a conventional circuit pattern forming method. The third plating layer 152 surrounds the third conductive layer 151 by plating or the like, thereby protecting the third conductive layer 151 from the outside.

제2 디바이스(160)는 제3 회로 패턴(150) 위에 배치될 수 있다. 이때, 제2 디바이스(160)는 실시예에 따라서 제2 회로 패턴(140) 위에 배치될 수도 있다. 제2 디바이스(160)는 반도체 소자 또는 능동 및/또는 수동 전기 전자 소자들이 될 수 있다. The second device 160 may be disposed on the third circuit pattern 150. At this time, the second device 160 may be disposed on the second circuit pattern 140 according to the embodiment. The second device 160 may be a semiconductor device or active and / or passive electrical and electronic devices.

디바이스 실장단계(S240)에는 제1 회로 패턴(112) 위에 제1 디바이스(120)를 실장하는데, 이를 위하여 제1 회로 패턴(112) 상의 칩 본딩 영역의 범프(113)의 표면에 범프 도금층(113a)을 형성할 수 있다. 제1 디바이스(120)는 제1 기판(110)에 가열 및 압력을 가함으로써 실장될 수 있다. In the device mounting step S240, the first device 120 is mounted on the first circuit pattern 112. To this end, a bump plating layer 113a is formed on the surface of the bump 113 in the chip bonding area on the first circuit pattern 112 ) Can be formed. The first device 120 may be mounted by applying heat and pressure to the first substrate 110.

이때, 제1 디바이스(120)는 제1 기판(110)에 플립칩 본딩(flip chip bonding) 또는 와이어 본딩(wire bonding)의 형태로 전기적으로 연결될 수 있다. 그 일 실시예로서, 도 2에는 제1 디바이스(120)가 플립칩 본딩에 의하여 제1 회로 패턴(112)과 연결되는 실시예가 도시되어 있다. At this time, the first device 120 may be electrically connected to the first substrate 110 in the form of flip chip bonding or wire bonding. In one embodiment, FIG. 2 illustrates an embodiment in which the first device 120 is connected to the first circuit pattern 112 by flip chip bonding.

제1 디바이스(120)는 제1 기판(110)에 형성된 범프(113) 위에 실장될 수 있다. 이를 위하여 제1 디바이스(120)가 외부와 신호를 주고받거나 전원을 공급하거나 받는 전극(121)을 구비하고, 전극(121)을 통하여 제1 기판의 범프(113)와 전기적으로 연결될 수 있다. 이때, 범프(113)의 표면에는 도금에 의한 범프 도금층(113a)이 형성되고, 전극(121)과 범프 도금층(113a)을 통하여 연결될 수 있다. The first device 120 may be mounted on the bumps 113 formed on the first substrate 110. The first device 120 may include an electrode 121 for receiving signals from the outside or supplying power to the first device 120 and may be electrically connected to the bumps 113 of the first substrate through the electrode 121. At this time, a bump plating layer 113a formed by plating is formed on the surface of the bump 113 and can be connected to the electrode 121 through the bump plating layer 113a.

이때, 제1 디바이스(120)가 기판들 사이에 포함되는 반도체 소자 또는 능동 및/또는 수동 전기 전자 소자들이 될 수 있다. At this time, the first device 120 may be semiconductor devices or active and / or passive electrical and electronic devices included between the substrates.

한편, 통상의 내장형 기판의 제조방법에서는, 적층용 절연층 물질로 시트(sheet) 또는 롤(roll) 형태의 필름이 사용될 수 있다. 시트 또는 롤 형태의 필름을 사용하여 절연층을 적층하는 경우, 칩본딩 영역에서 적층 단차가 발생할 수 있다. 또한, 시트 또는 롤 형태의 필름을 가열 압착하여 절연층이 형성되도록 하는데, 그 과정에서 내부에 포함되는 디바이스에 충격이 가해질 수 있다. On the other hand, in a conventional method for manufacturing an embedded substrate, a sheet or a film in the form of a roll may be used as the insulating layer material for lamination. When an insulating layer is laminated using a film in the form of a sheet or a roll, a lamination step may occur in the chip bonding region. In addition, a sheet or a roll-shaped film is heated and pressed to form an insulating layer. In this process, a device included therein may be subjected to an impact.

하지만, 본 발명에 따른 내장형 기판의 제조방법에서는 접착제 및 호일 공급 및 적층단계(S250, S260)에 액상의 접착제(130a)와 도전성 호일(141a)이 동시에 적층되어 도포된다. 따라서, 제1 디바이스(120) 주위를 액상의 접착제가 둘러싸도록 함으로써, 제1 디바이스(120)가 배치되는 위치에서도 제1 기판(110)(코어 기판 및 제1 회로 패턴)과 제2 회로 패턴(140) 사이의 간격이 일정하게 유지될 수 있다. However, in the method of manufacturing the embedded substrate according to the present invention, the liquid adhesive 130a and the conductive foil 141a are simultaneously laminated and applied to the adhesive and foil supply and laminating steps S250 and S260. Therefore, even when the first device 120 is surrounded by the liquid adhesive, the first substrate 110 (the core substrate and the first circuit pattern) and the second circuit pattern 140 can be kept constant.

따라서, 본 발명에 따른 내장형 기판의 제조방법에 의하여 절연층(130)의 적 층 단차의 발생을 최소화할 수 있다. 제2 회로 패턴(140) 및/또는 제3 회로 패턴(150) 등의 외층 패턴 형성 시에 향상된 정밀도로 미세 피치 패턴을 구현할 수 있다. 따라서, 패턴 박리의 발생을 방지할 수 있으며, 고집적 전자 모듈을 제조할 수 있게 된다. 또한, 적층 및 경화 공정에서 미세 결함의 발생을 방지할 수 있으므로, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다. Therefore, it is possible to minimize the occurrence of lamination step of the insulating layer 130 by the method of manufacturing the embedded substrate according to the present invention. It is possible to realize a fine pitch pattern with improved precision at the time of forming the outer layer patterns of the second circuit pattern 140 and / or the third circuit pattern 150 and the like. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of pattern peeling and to manufacture a highly integrated electronic module. In addition, it is possible to prevent micro-defects from occurring in the lamination and curing process, thereby improving the reliability of the product.

또한, 액상의 접착체의 경화 시에 필름 타입의 경우보다 작은 압력에 의하여 가능하므로, 충격으로 인한 칩 데미지 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 액상의 접착제을 사용하므로, 적층용 소재의 제어가 용이하게 된다. Further, since the liquid adhesive agent can be cured at a pressure smaller than that of the film type, it is possible to prevent chip damage due to the impact. Further, since a liquid adhesive is used, control of the material for lamination is facilitated.

접착제와 호일 공급 및 적층단계(S250, S260)는 접착제(130a)와 도전성 호일(141a)을 함께 공급하는 공급단계(S250) 및 동시에 적층하는 적층단계(S260)를 구비할 수 있다. 공급단계(S250)에는 플렉시블(flexible)한 도전성 호일(141a)이 릴(reel) 형태로 공급되고 도전성 호일(141a) 위에 액상의 접착제(130a)가 소정의 디스펜서(251)를 통하여 도포되어, 액상의 접착제(130a)와 도전성 호일(141a)이 함께 공급된다. The adhesive and foil supply and laminating steps S250 and S260 may include a supplying step S250 for supplying the adhesive 130a and the conductive foil 141a together and a laminating step S260 for laminating at the same time. A flexible conductive foil 141a is supplied in a reel form in a feeding step S250 and a liquid adhesive 130a is applied onto the conductive foil 141a through a predetermined dispenser 251 to form a liquid phase The adhesive 130a and the conductive foil 141a are supplied together.

이를 위하여, 제1 디바이스(120)가 코아 기판(111)의 윗면에 실장되고, 제1 디바이스(120)가 아래에 위치되도록 코아 기판(111)을 로울러에 의하여 이송하면서 뒤집은 후에, 접착제(130a)와 도전성 호일(141a)이 아래로부터 릴 타입으로 공급되어 제1 디바이스(120)와 제1 기판(110) 위에 적층되도록 한다. The first device 120 is mounted on the upper surface of the core substrate 111 and the core substrate 111 is rolled up by the rollers so that the first device 120 is positioned below, And the conductive foil 141a are supplied from the bottom to the reel type so as to be stacked on the first device 120 and the first substrate 110.

적층단계(S260)에는 로울러의 온도를 접착제의 처리 온도를 종래 필름 타입의 경우의 약40%이하로 설정하고, 제1 디바이스(120)가 내장된 제1 기판(110)과 액 상 접착제(130a)가 도포된 도전성 호일(141a)을 라미네이션(lamination)시킬 수 있다. In the laminating step S260, the temperature of the roller is set to about 40% or less of the conventional film type, and the temperature of the roller is set to about 40% or less, The conductive foil 141a coated with the conductive foil 141a can be laminated.

도 3에 도시된 바와 같은 구조에 의하여 액상의 접착제(130a)와 도전성 호일(141a)이 함께 공급되도록 함으로써, 액상의 접착제(130a)가 제1 디바이스(120)와 제1 기판(110) 위에 적층될 수 있다. 이처럼 모든 제조 공정이 릴투릴 연속 공정에 의하여 진행되므로, 내장형 기판 제조의 생산성을 향상시키고, 그로 인한 가격 경쟁력을 확보할 수 있게 된다. The liquid adhesive 130a and the conductive foil 141a are supplied together by the structure as shown in Figure 3 so that the liquid adhesive 130a is stacked on the first device 120 and the first substrate 110, . Since all the manufacturing steps are performed by the continuous process of reel tulle, the productivity of the built-in substrate can be improved and the price competitiveness can be ensured.

경화단계(S270)에는 접착제(130a)를 경화(cure)시켜 절연층(130)을 형성한다. 이때, 적층단계(S260)에서의 온도보다 높은 온도 환경에서 경화시키는 것이 바람직하다. In the curing step S270, the adhesive 130a is cured to form the insulating layer 130. [ At this time, it is preferable to cure in a temperature environment higher than the temperature in the laminating step (S260).

제2 패턴 형성단계(S300)에는 도전성 호일(141a)을 제2 회로 패턴(140)으로 형성한다. 제2 회로 패턴(140)은 제2 도전층(141)과 보호층(142)을 구비할 수 있다. 제2 도전층(141)은 금속성의 도전층으로써, 통상의 회로 패턴 형성 방법에 의하여 형성될 수 있다. 보호층(142)은 제2 도전층(141)을 둘러싸 보호하는 것으로, 통상의 커버레이(coverlay) 및/또는 DFSR(Dry Film Solder Resist)을 포함하여 이루어질 수 있다. In the second pattern formation step (S300), the conductive foil 141a is formed as the second circuit pattern 140. The second circuit pattern 140 may include a second conductive layer 141 and a protective layer 142. The second conductive layer 141 is a metallic conductive layer and can be formed by a conventional circuit pattern forming method. The protective layer 142 surrounds and protects the second conductive layer 141 and may include a conventional coverlay and / or a dry film solder resist (DFSR).

한편, 내장형 기판 제조방법은 홀 가공 단계(S280) 및 홀 충진 단계(S290)를 구비할 수 있다. 홀 가공 단계(S280) 및 홀 충진 단계(S290)를 통하여 제1 회로 패턴(112)과 제2 회로 패턴(140)이 전기적으로 상호 연결될 수 있다. Meanwhile, the built-in substrate manufacturing method may include a hole processing step (S280) and a hole filling step (S290). The first circuit pattern 112 and the second circuit pattern 140 may be electrically interconnected through the hole processing step S280 and the hole filling step S290.

홀 가공 단계(S280)에는 절연층(130)에 제2 회로 패턴(140)으로부터 제1 회 로 패턴(112)으로 비아 홀(131)을 형성할 수 있다. 이때, 비아 홀(131)은 CNC(computer numerical control) 드릴 또는 레이저 드릴(laser drill)에 의하여 가공될 수 있다. In the hole forming step S280, the via hole 131 may be formed in the insulating layer 130 from the second circuit pattern 140 to the first circuit pattern 112. At this time, the via hole 131 can be processed by a CNC (computer numerical control) drill or a laser drill.

홀 충진 단계(S290)에는 비아 홀(131)이 도전성 물질로 채워져 연결부(132)를 형성하여, 연결부(132)에 의하여 제1 회로 패턴(112)과 제2 회로 패턴(140)을 전기적으로 상호 연결할 수 있다. In the hole filling step S290, the via hole 131 is filled with a conductive material to form a connection part 132. The first circuit pattern 112 and the second circuit pattern 140 are electrically connected to each other You can connect.

내장형 기판 제조방법은 외층 패턴 형성단계(S300)를 수행하여 완성된 내장형 기판을 검사 및 포장하는 단계를 더 구비할 수 있다. The method for manufacturing an embedded substrate may further include inspecting and packaging the completed embedded substrate by performing an outer layer pattern forming step (S300).

본 발명에 따르면, 릴투릴 연속 공정에 의하여 내장형 기판을 제조함으로써, 생산성을 향상시키고, 액상의 접착제를 사용하여 절연층을 용이하게 형성할 수 있다. INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, by manufacturing an embedded substrate by a continuous process of reel tolure, productivity can be improved and an insulating layer can be easily formed using a liquid adhesive.

본 발명은 첨부된 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 보호 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 정해져야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be taken by way of limitation, You will understand. Accordingly, the true scope of protection of the present invention should be determined only by the appended claims.

도 1은 본 발명에 따른 바람직한 실시예로서, 내장형 기판을 개략적으로 도시한 단면도이다. 1 is a cross-sectional view schematically showing a built-in substrate according to a preferred embodiment of the present invention.

도 2 내지 도 5는 본 발명에 따른 바람직한 실시예로서, 내장형 기판의 제조방법을 설명하기 위한 도면들로서, 릴투릴(reel to reel) 방식으로 제조되는 공정순서에 따른 제조단계별 수직 단면도들이다. FIGS. 2 to 5 are views for explaining a manufacturing method of a built-in substrate according to a preferred embodiment of the present invention, and are vertical cross-sectional views according to manufacturing steps according to a process sequence manufactured by a reel to reel method.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

100: 내장형 기판, 110: 제1 기판, 100: an embedded substrate, 110: a first substrate,

120: 제1 디바이스, 130: 절연층, 120: first device, 130: insulating layer,

140: 제2 회로 패턴.140: second circuit pattern.

Claims (14)

적어도 일 면에 도전성의 제1 회로 패턴이 형성되는 필름 타입의 제1 기판; A first substrate of a film type in which a first conductive circuit pattern is formed on at least one side; 상기 제1 기판의 적어도 일면에 실장되는 제1 디바이스; A first device mounted on at least one surface of the first substrate; 상기 제1 디바이스 및 상기 제1 기판 위에 절연성의 접착체가 배치되어 형성되는 절연층; 및 An insulating layer formed by disposing an insulating adhesive on the first device and the first substrate; And 상기 절연층의 상기 제1 기판의 반대면에 배치되는 도전성의 제2 회로 패턴을 구비하는 내장형 기판.And a conductive second circuit pattern disposed on an opposite surface of the insulating layer to the first substrate. 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 절연층의 상기 제2 회로 패턴이 배치되는 면의 상기 제2 회로 패턴이 배치되지 아니하는 영역에 배치되는 도전성의 제3 회로 패턴, 및 A conductive third circuit pattern disposed on an area of the insulating layer where the second circuit pattern is disposed, 상기 제3 회로 패턴 위에 배치되는 제2 디바이스를 더 구비하는 내장형 기판.And a second device disposed on the third circuit pattern. 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 디바이스가 상기 제1 기판에 플립칩 본딩 또는 와이어 본딩의 형태로 전기적으로 연결되는 내장형 기판.Wherein the first device is electrically connected to the first substrate in the form of flip chip bonding or wire bonding. 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 절연층에 상기 제2 회로 패턴으로부터 상기 제1 회로 패턴으로 비아 홀이 형성되고, 상기 비아 홀이 도전성 물질로 채워지는 내장형 기판.Wherein a via hole is formed in the insulating layer from the second circuit pattern in the first circuit pattern, and the via hole is filled with a conductive material. 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 절연층이 액상의 접착제가 경화되어 형성되는 내장형 기판.Wherein the insulating layer is formed by curing a liquid adhesive. 제1항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 제1 기판과 상기 제2 회로 패턴 사이의 간격이 일정한 내장형 기판.Wherein an interval between the first substrate and the second circuit pattern is constant. 필름 타입의 코아 기판에 도전층이 적층된 베이스 기판을 공급하는 단계; Providing a base substrate having a conductive layer stacked on a film substrate of a core substrate; 상기 코아 기판 위에 상기 도전층을 제1 회로 패턴으로 형성하는 단계; Forming the conductive layer in the first circuit pattern on the core substrate; 상기 제1 회로 패턴 위에 제1 디바이스를 실장하는 단계; Mounting a first device on the first circuit pattern; 상기 제1 디바이스와 상기 코아 기판 위에 액상의 접착제와 도전성 호일(foil)을 함께 공급하여 적층하는 단계; Supplying and laminating a liquid adhesive and a conductive foil together on the first device and the core substrate; 상기 접착제를 경화시켜 절연층을 형성하는 단계; 및 Curing the adhesive to form an insulating layer; And 상기 도전성 호일을 제2 회로 패턴으로 형성하는 단계를 구비하는 내장형 기판의 제조방법.And forming the conductive foil in a second circuit pattern. 제7항에 있어서, 8. The method of claim 7, 상기 베이스 기판이 릴(reel) 형태로 공급되어 상기 제1 디바이스가 내장되는 내장형 기판이 릴투릴(reel to reel) 방식으로 연속 공정에 의하여 제조되는 내장형 기판의 제조방법.Wherein the base substrate is supplied in a reel form so that the embedded substrate in which the first device is embedded is manufactured by a continuous process in a reel to reel method. 제8항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 절연층의 상기 제2 회로 패턴이 배치되는 면의 상기 제2 회로 패턴이 배치되지 아니하는 영역에 배치되는 도전성의 제3 회로 패턴을 형성하는 단계; 및 Forming a conductive third circuit pattern on a surface of the insulating layer where the second circuit pattern is disposed, the conductive third circuit pattern being disposed in a region where the second circuit pattern is not disposed; And 제2 디바이스를 상기 제3 회로 패턴 위에 배치하는 단계를 더 구비하는 내장형 기판의 제조방법. And disposing a second device on the third circuit pattern. 제8항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 제1 디바이스가 상기 코아 기판의 윗면에 실장되고, 상기 제1 디바이스가 아래에 위치되도록 상기 코아 기판을 뒤집은 후에, 상기 접착제와 상기 도전성 호일을 아래로부터 릴 타입으로 공급하여 적층하는 내장형 기판의 제조방법.Wherein the first device is mounted on the upper surface of the core substrate and the core substrate is turned over so that the first device is positioned below and then the adhesive and the conductive foil are fed from the bottom to the reel type, Way. 제8항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 제1 디바이스가 상기 제1 회로 패턴 위에 플립칩 본딩 또는 와이어 본딩에 의하여 전기적으로 연결되는 내장형 기판의 제조방법.Wherein the first device is electrically connected to the first circuit pattern by flip chip bonding or wire bonding. 제8항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 절연층에 상기 제2 회로 패턴으로부터 상기 제1 회로 패턴으로 비아 홀을 형성하는 단계; 및 상기 비아 홀을 도전성 물질로 채우는 단계를 더 구비하는 내장형 기판의 제조방법.Forming a via hole in the insulating layer from the second circuit pattern with the first circuit pattern; And filling the via hole with a conductive material. 제8항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 코아 기판 및 상기 제1 회로 패턴과 상기 제2 회로 기판 사이의 간격이 일정한 내장형 기판의 제조방법.Wherein the gap between the core substrate and the first circuit pattern and the second circuit substrate is constant. 제8항에 있어서, 9. The method of claim 8, 상기 베이스 기판이 양면 또는 단면의 FCCL(Flexible Copper Clad Laminate)인 내장형 기판의 제조방법.Wherein the base substrate is an FCCL (Flexible Copper Clad Laminate) of both sides or a cross section.
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