KR101581789B1 - Semiconductor light emitting device - Google Patents

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KR101581789B1 KR1020130140669A KR20130140669A KR101581789B1 KR 101581789 B1 KR101581789 B1 KR 101581789B1 KR 1020130140669 A KR1020130140669 A KR 1020130140669A KR 20130140669 A KR20130140669 A KR 20130140669A KR 101581789 B1 KR101581789 B1 KR 101581789B1
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Abstract

본 개시는 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 구비되며 전자와 정공의 재결합을 통해 제1 파장의 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 활성층에서 생성된 제1 파장의 빛을 반사하도록 설계된 제1 분포 브래그 리플렉터; 그리고, 투광성을 가지며, 복수의 반도체층과 제1 분포 브래그 리플렉터 사이에 구비되고, 활성층과 제1 분포 브래그 리플렉터 사이의 거리를 증가시켜 활성층에서 생성된 빛과 제1 분포 브래그 리플렉터에서 반사되는 빛 간의 간섭을 줄이는 간섭 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다.A semiconductor light emitting device includes a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from that of the first conductivity, and a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity. A plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light of a first wavelength through recombination of the semiconductor layers; A first electrode for supplying one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A second electrode for supplying the remaining one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A first distributed Bragg reflector designed to reflect light of a first wavelength generated in the active layer; The first distributed Bragg reflector is provided between the plurality of semiconductor layers and the first distributed Bragg reflector. The distance between the active layer and the first distributed Bragg reflector is increased, and the light generated in the active layer and the light reflected from the first distributed Bragg reflector And an interference preventing film for reducing interference.

Description

반도체 발광소자{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE}Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device,

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 반도체 발광소자에 관한 것으로, 특히 광효율을 향상시킨 반도체 발광소자에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a semiconductor light emitting device, and more particularly to a semiconductor light emitting device with improved light efficiency.

여기서, 반도체 발광소자는 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 반도체 광소자를 의미하며, 3족 질화물 반도체 발광소자를 예로 들 수 있다. 3족 질화물 반도체는 Al(x)Ga(y)In(1-x-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)로 된 화합물로 이루어진다. 이외에도 적색 발광에 사용되는 GaAs계 반도체 발광소자 등을 예로 들 수 있다.Here, the semiconductor light emitting element means a semiconductor light emitting element that generates light through recombination of electrons and holes, for example, a group III nitride semiconductor light emitting element. The Group III nitride semiconductor is made of a compound of Al (x) Ga (y) In (1-x-y) N (0? X? 1, 0? Y? 1, 0? X + y? A GaAs-based semiconductor light-emitting element used for red light emission, and the like.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되는 반사막으로 기능하는 전극(901, 902, 903) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. n형 반도체층(300)과 p형 반도체층(400)은 그 도전성을 반대로 하여도 좋다. 바람직하게는, 기판(100)과 n형 반도체층(300) 사이에 버퍼층(도시 생략)이 구비된다. 이러한 구조의 칩, 즉 기판(100)의 반대 측에 전극(901, 902, 903) 및 전극(800) 모두가 형성되어 있고, 전극(901, 902, 903)이 반사막으로 기능하는 형태의 칩을 플립 칩이라 한다. 전극(901, 902, 903)은 반사율이 높은 전극(901; 예: Ag), 본딩을 위한 전극(903; 예: Au) 그리고 전극(901) 물질과 전극(903) 물질 사이의 확산을 방지하는 전극(902; 예: Ni)으로 이루어진다. 이러한 금속 반사막 구조는 반사율이 높고, 전류 확산에 이점을 가지지만, 금속에 의한 빛 흡수라는 단점을 가진다.FIG. 1 shows an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the substrate 100, The active layer 400 is grown on the n-type semiconductor layer 300. The p-type semiconductor layer 500 is grown on the active layer 400. The electrodes 901 and 902 function as a reflective layer formed on the p- 903 and an n-side bonding pad 800 formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching. The conductivity of the n-type semiconductor layer 300 and the p-type semiconductor layer 400 may be reversed. Preferably, a buffer layer (not shown) is provided between the substrate 100 and the n-type semiconductor layer 300. 902 and 903 and the electrode 800 are formed on the opposite side of the chip 100 having such a structure, that is, the substrate 100, and a chip in which the electrodes 901, 902 and 903 function as a reflection film It is called flip chip. Electrodes 901,902 and 903 may be used to prevent diffusion between the highly reflective electrode 901 (e.g. Ag), the electrode 903 (e.g. Au) for bonding and the electrode 901 and electrode 903 materials Electrode 902 (e.g., Ni). Such a metal reflection film structure has a high reflectance and an advantage of current diffusion, but has a disadvantage of light absorption by a metal.

도 2는 미국 등록특허공보 제6,563,142호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), n형 반도체층(300), 활성층(400), p형 반도체층(500) 그리고, 금속 반사막인 전극(901)을 포함한다. 바람직하게는, 전극(901)에 계단 형상의 표면을 형성하여 반도체 발광소자의 광효율을 증가시킨다. 그러나, 이러한 구성은 p형 반도체층(500)의 식각을 필요로 하고, 이는 p형 반도체층(500)이 손상될 수 있다는 것을 의미한다.FIG. 2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 6,563,142. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, an n-type semiconductor layer 300, an active layer 400, a p- 500), and an electrode 901 which is a metal reflective film. Preferably, a stepped surface is formed on the electrode 901 to increase the light efficiency of the semiconductor light emitting device. However, this configuration requires the etching of the p-type semiconductor layer 500, which means that the p-type semiconductor layer 500 can be damaged.

도 3은 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 전도막(600), 투광성 전도막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700), 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 전도막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR, Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다.FIG. 3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device shown in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2006-120913. The semiconductor light emitting device includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, An active layer 400 grown on the n-type semiconductor layer 300, a p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, and a p-type semiconductor layer 500 are formed on the n- A p-side bonding pad 700 formed on the translucent conductive film 600, and an n-side bonding pad (not shown) formed on the n-type semiconductor layer 300 exposed by etching 800). A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600.

도 1 내지 도 3에 도시된 반도체 발광소자에는 모두 활성층(400)에서 생성된 빛을 반사하는 층(901,900)이 구비되어 있다. 그러나 활성층(400)과 반사층(금속층, DBR) 사이의 거리가 매우 가까운 경우 활성층(400)에서 생성되는 빛(Ld; 도 2 참조)과 반사층(901,900)에서 반사된 빛이 간섭하여 광효율이 저하될 수 있다. 간섭을 감소시키기 위해서는 요철을 형성하여 반사층(901,900)에서 반사되는 빛의 경로를 다양하게 하거나, 활성층(400)과 반사층(901,900) 사이의 거리를 증가시키는 방법이 있는데, 요철, 계단 또는 거친 표면을 형성하는 경우에는 전술한 바와 같이, 반도체층의 막질이 손상되는 문제점을 가져올 수 있으며, 반도체층의 두께를 증가시키는 경우에 성장의 과정에서 반도체층의 막질이 나빠질 수 있다.In the semiconductor light emitting device shown in FIGS. 1 to 3, layers 901 and 900 for reflecting light generated in the active layer 400 are provided. However, when the distance between the active layer 400 and the reflective layer (metal layer, DBR) is very close, the light Ld (see FIG. 2) generated in the active layer 400 interferes with the light reflected from the reflective layers 901 and 900, . In order to reduce the interference, there is a method of forming irregularities to vary the path of light reflected by the reflective layers 901 and 900 or to increase the distance between the active layer 400 and the reflective layers 901 and 900, The film quality of the semiconductor layer may be deteriorated as described above, and the film quality of the semiconductor layer may be deteriorated in the growth process when the thickness of the semiconductor layer is increased.

도 4는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 소위 수직형 반도체 발광소자 칩(150)과 형광체(160)를 포함한다. 수직형 반도체 발광소자 칩(150)은 와이어(180) 및 그 하면을 통해 각각 리드 프레임(110)과 리드 프레임(120)에 전기적으로 연결되어 있다. 형광체(160)는 봉지제(170)에 함유되어 있고, 몰드(130)에 의해 형상고정되어 있다.4 is a view showing another example of a conventional semiconductor light emitting device. The semiconductor light emitting device includes a so-called vertical semiconductor light emitting device chip 150 and a phosphor 160. The vertical semiconductor light emitting device chip 150 is electrically connected to the lead frame 110 and the lead frame 120 through the wires 180 and the lower surface thereof. The phosphor 160 is contained in the sealing agent 170, and is fixed in shape by the mold 130.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 구비되며 전자와 정공의 재결합을 통해 제1 파장의 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 활성층에서 생성된 제1 파장의 빛을 반사하도록 설계된 제1 분포 브래그 리플렉터; 그리고, 투광성을 가지며, 복수의 반도체층과 제1 분포 브래그 리플렉터 사이에 구비되고, 활성층과 제1 분포 브래그 리플렉터 사이의 거리를 증가시켜 활성층에서 생성된 빛과 제1 분포 브래그 리플렉터에서 반사되는 빛 간의 간섭을 줄이는 간섭 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, in a semiconductor light emitting device, a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, A plurality of semiconductor layers provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer and including an active layer that generates light of a first wavelength through recombination of electrons and holes; A first electrode for supplying one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A second electrode for supplying the remaining one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A first distributed Bragg reflector designed to reflect light of a first wavelength generated in the active layer; The first distributed Bragg reflector is provided between the plurality of semiconductor layers and the first distributed Bragg reflector. The distance between the active layer and the first distributed Bragg reflector is increased so that light generated in the active layer and light reflected from the first distributed Bragg reflector And an interference preventing film for reducing interference.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 미국 등록특허공보 제7,262,436호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 등록특허공보 제 6,563,142호에 제시된 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 일본 공개특허공보 제2006-120913호에 제시된 반도체 발광소자의 일예를 나타내는 도면,
도 4는 종래의 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 개념적으로 설명하는 도면,
도 6 내지 도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면.1 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 7,262,436,
2 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in U.S. Patent No. 6,563,142,
3 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-120913,
4 is a view showing still another example of a conventional semiconductor light emitting device,
5 is a conceptual illustration of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
6 to 8 are views showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
10 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)).The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 개념적으로 설명하는 도면으로서, 반도체 발광소자는 기판(10), 기판(10)에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20)위에 성장되는 제1 반도체층(30; 예: n형 GaN), 제1 반도체층(30) 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40; 예: InGaN/(In)GaN 양자우물구조), 활성층(40) 위에 성장되는 제2 반도체층(50; 예: p형 GaN)을 구비한다. 제2 반도체층(50) 위에는 투광성 전도막(60; 예: ITO, Ni/Au)이 구비되어 있으며, 그 위에 간섭 방지막(1)과 제1 분포 브래그 리플렉터(91)가 구비되어 있다. 제1 분포 브래그 리플렉터(91; DBR: Distributed Bragg Reflector; 예: SiO2와 TiO2의 조합으로 된 DBR)는 활성층(40)에서 생성된 빛을 기판(10)으로 반사하는 역할을 하며, 제1 분포 브래그 리플렉터(91)를 구성하는 각각의 층의 두께는 λActive의/4n1, λA cti ve/4n2(여기서, λActive는 활성층(40)의 파장, n1, n2는 제1 분포 브래그 리플렉터(91) 물질들의 굴절률)를 기준으로 설계된다. 여기서 기준으로 설계된다는 것의 의미는 제1 분포 브래그 리플렉터(91)가 반드시 이 기준에 맞는 두께를 가져야 한다는 것을 의미하는 것은 아니다. 제1 분포 브래그 리플렉터(91)는 필요에 따라 기준 두께보다 약간 두껍거나 얇게 형성하는 것이 가능하다. 그러나 이러한 필요가 제1 분포 브래그 리플렉터(91)가 Active/4n1, Active/4n2를 기준으로 설계되어야 한다는 사실을 변경하는 것은 아니다. 제1 분포 브래그 리플렉터(91)가 TiO2/SiO2로 구성되는 경우 각 층은 주어진 파장의 1/4의 광학 두께를 가지도록 설계되며, 그 조합의 수는 4 ~ 20 페어(pairs)가 적합하다. 간섭 방지막(1)은 복수의 반도체층(30,40,50)과 제1 분포 브래그 리플렉터(91) 사이에 구비되며, 활성층(40)과 제1 분포 브래그 리플렉터(91) 사이의 거리를 증가시켜 활성층(40)에서 생성된 빛(L40)과 제1 분포 브래그 리플렉터(91)에서 반사되는 빛(L91) 간의 간섭을 줄이는 역할을 한다. 일반적으로 활성층(40)에 가까운 곳에 고반사층이 위치하는 경우에는 생성된 빛과 반사기에 의해 반사된 빛 간의 간섭 효과가 생기는데, 이 때 빛(전자기파의 일종)이 진행하면서 그 자체의 위상(phase)을 일정 시간 동안 유지하면서 진행하는 거리를 Coherent Length(간섭광 거리)라고 하며, 활성층(40)과 고반사층간 거리가 간섭 광거리 이내에 존재할 때, 간섭이 강하게 일어날 수 있다. 전자기파이론에서는 이론적으로 간섭광거리를 다음과 같이 정의하고 있다.FIG. 5 conceptually illustrates a semiconductor light emitting device according to the present disclosure. The semiconductor light emitting device includes a substrate 10, a buffer layer 20 grown on the substrate 10, a first semiconductor layer 20 formed on the buffer layer 20, An active layer 40 (for example, InGaN / (In) GaN quantum well structure) grown on the first semiconductor layer 30 and generating light through recombination of electrons and holes, an active layer (E.g., p-type GaN) grown on the second semiconductor layer 40 (e.g., p-type GaN). A transparent conductive film 60 (e.g., ITO, Ni / Au) is provided on the second semiconductor layer 50, and an interference prevention film 1 and a first distributed Bragg reflector 91 are provided thereon. A first distributed Bragg reflector 91 (DBR, for example, a combination of SiO 2 and TiO 2 ) reflects the light generated in the active layer 40 to the substrate 10, and the first distributed Bragg reflector 91 each thickness of the layers of constituting the distributed Bragg reflector 91 is 2 λ active of / 4n 1, λ a cti ve / 4n ( where, λ active is a wavelength of the active layer (40), n 1, n 2 is the first The refractive index of the distributed Bragg reflector 91 materials). Here, the meaning of designing as a reference does not mean that the first distributed Bragg reflector 91 must necessarily have a thickness corresponding to this standard. The first distributed Bragg reflector 91 can be formed to be slightly thicker or thinner than the reference thickness if necessary. However, this need does not change the fact that the first distributed Bragg reflector 91 should be designed on the basis of Active / 4n 1 , Active / 4n 2 . When the first distributed Bragg reflector 91 is composed of TiO 2 / SiO 2 , each layer is designed to have an optical thickness of 1/4 of a given wavelength, the number of which is 4 to 20 pairs Do. The interference preventing film 1 is provided between the plurality of semiconductor layers 30, 40 and 50 and the first distributed Bragg reflector 91 and increases the distance between the active layer 40 and the first distributed Bragg reflector 91 And serves to reduce the interference between the light L40 generated by the active layer 40 and the light L91 reflected by the first distributed Bragg reflector 91. [ Generally, when a high reflective layer is located near the active layer 40, an interference effect occurs between the generated light and the light reflected by the reflector. At this time, the light (electromagnetic wave) Is maintained as a Coherent Length, and when the distance between the active layer 40 and the high reflection layer is within the interference light distance, interference may occur strongly. Theoretically, the interference light distance is defined as follows in the electromagnetic wave theory.

Figure 112013105209926-pat00001
Figure 112013105209926-pat00001

L: 간섭광 거리(coherent length), n: 굴절률 (refractive index)L is the coherent length of the interference light, n is the refractive index,

λ: 파장 (wavelength), Δλ: 반치폭 (spectral width)λ is the wavelength, Δλ is the spectral width,

간섭 방지막(1)은 간섭 방지막(1)에 의한 광 흡수를 방지하기 위해, 투광성 물질로 구성된다. 활성층(40)과 제1 분포 브래그 리플렉터(91) 사이의 거리를 확보하여 간섭을 줄이기 위한 의미 있는 두께는 활성층(40)에서 생성되는 빛(L40)의 파장과 이들 사이에 놓이는 물질의 굴절률의 영향을 받는다. 예를 들어 활성층(40)에서 방출되는 빛(L40)의 파장이 450nm이고, 제2 반도체층(50)이 GaN인 경우에, 간섭광 거리는 1.5㎛정도 된다. 또한 이러한 거리를 간섭 방지막(1)에 의해 확보할 수 있다면 더욱 바람직하다. 다른 관점에서, 미국 등록특허공보 제6,563,142호에 지적된 것과 같이, 제1 분포 브래그 리플렉터(91)와 활성층(40) 사이의 거리가 간섭광 거리(Coherence Lenght)의 50%이상인 것이 바람직하다.The interference preventing film 1 is made of a light transmitting material in order to prevent light absorption by the interference preventing film 1. A meaningful thickness for securing a distance between the active layer 40 and the first distributed Bragg reflector 91 to reduce interference is an influence of the wavelength of the light L40 generated in the active layer 40 and the refractive index of the material lying therebetween . For example, when the wavelength of the light L40 emitted from the active layer 40 is 450 nm and the second semiconductor layer 50 is GaN, the interference light distance is about 1.5 mu m. It is further preferable that such a distance can be ensured by the interference preventing film 1. In another aspect, as pointed out in U.S. Patent No. 6,563,142, the distance between the first distributed Bragg reflector 91 and the active layer 40 is larger than the distance between the first distributed Bragg reflector 91 and the active layer 40, Preferably 50% or more of the distance (Coherence Lenght).

간섭 방지막(1)은 적어도 하나의 층으로 구성될 수 있으며, SiOx, TiOx, Ta2O5, MgF2와 같은 투광성 유전체 물질로 구성될 수 있다. 예를 들어, SiO2 단일막으로 형성될 수 있으며, 그 두께는 0.2㎛이상으로 구성될 수 있으나, 1.0㎛이상의 두께로 형성되는 것이 바람직하며, 1.5㎛이상의 두께를 가지는 경우에, 자체적으로 간섭을 충분히 방지하는 거리를 확보할 수 있게 된다. 두께가 1.5㎛에 미치지 못하더라도, 제2 반도체층(50), 투광성 전도막(60) 등과 함께 간섭을 방지하는데 충분한 거리를 가지는 것이 가능하다. 간섭 방지막(1)이 분포 브래그 리플렉터로 구성될 수 있으며, 이때 이 분포 브래그 리플렉터는 활성층(40)에 나오는 파장과 다른 파장을 기준으로 설계된다. 간섭 방지막(1)이 유전체 단일막과 분포 브래그 리플렉터를 함께 구비하는 것도 가능하다. 또한, 투광성 전도막(60)을 두껍게 형성하는 것을 고려할 수 있으나, 너무 두꺼운 경우에, 투광성 전도막(60)에 의한 광 흡수량이 증가하는 점을 고려하여야 한다.The interference preventing film 1 may be composed of at least one layer and may be composed of a light transmitting dielectric material such as SiO x , TiO x , Ta 2 O 5 , MgF 2, or the like. For example, it may be formed of a single SiO 2 film. The thickness of the SiO 2 film may be 0.2 μm or more, but it is preferably formed to a thickness of 1.0 μm or more. When the thickness is 1.5 μm or more, Thereby making it possible to secure a sufficient distance for preventing it. It is possible to have a distance sufficient to prevent interference with the second semiconductor layer 50, the light-transmissive conductive film 60 and the like even if the thickness is less than 1.5 占 퐉. The interference prevention film 1 may be constituted by a distributed Bragg reflector, wherein the distributed Bragg reflector is designed on the basis of a wavelength different from the wavelength appearing in the active layer 40. It is also possible that the interference prevention film 1 is provided with the dielectric single film and the distributed Bragg reflector together. It is also possible to consider forming the translucent conductive film 60 thick, but it should be taken into consideration that the amount of light absorption by the translucent conductive film 60 increases when it is too thick.

도 6 내지 도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타내는 도면으로서, 도 6은 도 7의 A-A 라인을 따라 취한 단면도이다. 도 8은 도 7의 B-B 라인을 따라 취한 단면도이다. 도 7에는 설명을 위해 제1 분포 브래그 리플렉터(91), 간섭 방지막(1) 그리고, 전극(92)이 도시되어 있지 않다.FIGS. 6 to 8 are views showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line A-A of FIG. 8 is a cross-sectional view taken along the line B-B in Fig. 7, the first distributed Bragg reflector 91, the interference prevention film 1, and the electrode 92 are not shown for the sake of explanation.

반도체 발광소자는 기판(10), 기판(10)에 성장되는 버퍼층(20), 버퍼층(20)위에 성장되는 제1 반도체층(30), 제1 반도체층(30) 위에 성장되며 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층(40), 활성층(40) 위에 성장되는 제2 반도체층(50)을 구비한다. 기판(10)으로 주로 사파이어, SiC, Si, GaN 등이 이용되며, 기판(10)은 최종적으로 제거될 수 있고, 버퍼층(20)은 생략될 수 있다. 기판(10)이 제거되거나 도전성을 가지는 경우에 전극(80)은 기판(10)이 제거된 제1 반도체층(30) 측 또는 도전성 기판(10) 측에 형성될 수 있다. 제1 반도체층(30)과 제2 반도체층(50)은 그 위치가 바뀔 수 있으며, 3족 질화물 반도체 발광소자에 있어서 주로 GaN으로 이루어진다. 각각의 반도체층(20,30,40,50)이 다층으로 구성될 수 있으며, 추가의 층이 구비될 수도 있다. 또한 제1 반도체층(30)으로 전자를 공급하는 전극(80) 및 제2 반도체층(50)으로 정공을 공급하는 전극(92)이 구비된다. 제1 반도체층(30) 내로 뻗어 있는 가지 전극(81)이 전극(80)의 일부를 형성한다. 전극(80)은 별도의 범프를 이용하여 패키지와 결합할 정도의 높이를 가져도 좋고, 도 2에서와 같이 자체가 패키지와 결합될 정도의 높이로 증착되어도 좋다. 활성층(40)으로부터의 빛을, 성장에 사용되는 기판(10) 측 또는 기판(10)이 제거된 경우에 제1 반도체층(30) 측으로 반사하도록 제2 반도체층(50) 위에 제1 분포 브래그 리플렉터(91)가 구비된다. 제1 분포 브래그 리플렉터(91)는 식각되어 노출된 제1 반도체층(30) 및 전극(80) 일부의 위에 형성될 수 있다. 제1 분포 브래그 리플렉터(91)가 기판(10) 반대 측의 반도체층(30,50) 위의 모든 영역을 반드시 덮어야 하는 것은 아니라는 점을 당업자는 염두에 두어야 한다. 제1 분포 브래그 리플렉터(91) 아래에 간섭 방지막(1)이 구비되어 있다. 전극(92)은 활성층(40)으로부터의 빛을, 기판(10) 측 또는 제1 반도체층(30) 측으로 반사하는데 일조한다는 관점에서 제2 반도체층(50) 위에서 제1 분포 브래그 리플렉터(91)의 전부 또는 거의 대부분을 덮는 도전성 반사막인 것이 바람직하다. 이때 반사율이 높은 Al, Ag와 같은 금속이 사용될 수 있다. 제1 분포 브래그 리플렉터(91)와 제2 반도체층(50) 사이에는 전극(92)으로부터 제2 반도체층(50)으로 전류 공급(엄밀하게는 정공의 공급)을 위해 길게 뻗어 있는 가지 전극(93)이 구비되어 있다. 가지 전극(93)을 도입함으로써, 도 1에 제시된 플립 칩과 도 2에 제시된 플립 칩의 문제점을 모두 개선한 플립 칩을 구현할 수 있는 기초가 마련된다. 즉, 금속 반사막에 의한 빛 흡수를 방지하는 한편, DBR 반사막으로 인한 전류 확산 어려움을 해소할 수 있게 된다. 본 개시가 도 2에 도시된 구조를 가질 수 있음은 물론이며, 도 5에 도시된 개념이 적용될 수 있는 구조라는 어떠한 반도체 발광소자에도 적용이 가능하다. 제1 분포 브래그 리플렉터(91)를 개재한 전극(92)과 가지 전극(93)의 전기적 연통을 위해, 수직 방향으로 제1 분포 브래그 리플렉터(91)를 관통한 전기적 연결(94)이 마련되어 있다. 가지 전극(93) 없이 다수의 전기적 연결(94)을 이용하여 전류를 공급하는 것도 가능하다. 가지 전극(93)의 높이는 0.5um ~ 4.0um가 적당하다. 너무 얇은 두께의 경우 동작전압의 상승을 야기하며, 너무 두꺼운 가지 전극은 공정의 안정성과 재료비 상승을 야기할 수 있기 때문이다. 가지 전극(93) 자체에서도 활성층(40)에서 생성된 빛의 흡수가 일부 있으므로, 바람직하게는 이를 방지하기 위하여, 가지 전극(93) 아래에 광 흡수 방지막(95)이 구비된다. 광 흡수 방지막(95)은 활성층(40)에서 발생된 빛의 일부 또는 전부를 반사하는 기능만을 가져도 좋고, 가지 전극(93)으로부터의 전류가 가지 전극(93)의 바로 아래로 흐르지 못하도록 하는 기능만을 가져도 좋고, 양자의 기능을 모두 가져도 좋다. 이들의 기능을 위해, 광 흡수 방지막(95)은 제2 반도체층(50)보다 굴절률이 낮은 투광성 물질로 된 단일층(예: SiO2) 또는 다층막(예: Si02/TiO2/SiO2) 또는 분포 브래그 리플렉터 또는 단일층과 분포 브래그 리플렉터의 결합 등으로 이루어질 수 있다. 또한 광 흡수 방지막(95)은 비도전성 물질(예: SiOx, TiOx와 같은 유전체막)로 이루어질 수 있다. 가지 전극(93) 및 광 흡수 방지막(95)이 없는 경우에도 바람직하게는 투광성 도전막(60)이 구비된다. 가지 전극(93) 및 광 흡수 방지막(95)이 구비되는 경우에, 투광성 도전막(60)은 이들 사이에 구비되는 것이 일반적이다. 높이를 가지는 구조물로서, 간섭 방지막(1)과 함께 광 흡수 방지막(95) 및/또는 가지 전극(93)을 선택적으로 구비함으로써, 특히, 간섭 방지막(1) 아래에 광 흡수 방지막(95) 및/또는 가지 전극(93)을 선택적으로 구비함으로써, 간섭 방지막(1)을 아주 높게 구성하지 않는 경우에라도, 적어도 부분적으로 제1 분포 브래그 리플렉터(91)로부터 활성층(40)의 거리를 간섭을 효과적으로 방지하는 거리로 확보할 수 있게 되는 것을 당업자는 이해할 수 있을 것이다.The semiconductor light emitting device includes a substrate 10, a buffer layer 20 grown on the substrate 10, a first semiconductor layer 30 grown on the buffer layer 20 and a second semiconductor layer 30 grown on the first semiconductor layer 30, An active layer 40 that generates light through recombination, and a second semiconductor layer 50 that is grown on the active layer 40. The substrate 10 is mainly made of sapphire, SiC, Si, GaN or the like, and the substrate 10 can be finally removed, and the buffer layer 20 can be omitted. The electrode 80 may be formed on the side of the first semiconductor layer 30 from which the substrate 10 is removed or the side of the conductive substrate 10 when the substrate 10 is removed or has conductivity. The positions of the first semiconductor layer 30 and the second semiconductor layer 50 may be changed, and they are mainly composed of GaN in the III-nitride semiconductor light emitting device. Each semiconductor layer 20, 30, 40, 50 may be composed of multiple layers, and additional layers may be provided. An electrode 80 for supplying electrons to the first semiconductor layer 30 and an electrode 92 for supplying holes to the second semiconductor layer 50 are provided. A branch electrode 81 extending into the first semiconductor layer 30 forms a part of the electrode 80. The electrode 80 may have a height enough to be coupled to the package by using a separate bump, or may be deposited to a height sufficient to couple itself to the package as shown in FIG. The first distributed Bragg grating is formed on the second semiconductor layer 50 so that light from the active layer 40 is reflected toward the substrate 10 used for growth or toward the first semiconductor layer 30 when the substrate 10 is removed. A reflector 91 is provided. The first distributed Bragg reflector 91 may be formed on a portion of the first semiconductor layer 30 and the electrode 80 that are etched and exposed. It should be borne in mind by those skilled in the art that the first distributed Bragg reflector 91 does not necessarily cover all areas on the semiconductor layer 30, 50 on the opposite side of the substrate 10. An interference preventing film (1) is provided under the first distributed Bragg reflector (91). The electrode 92 is disposed on the first semiconductor Bragg reflector 91 on the second semiconductor layer 50 in view of helping to reflect light from the active layer 40 toward the substrate 10 side or the first semiconductor layer 30 side. It is preferable that the conductive film is a conductive reflective film covering all or almost all of the conductive film. At this time, metals such as Al and Ag having high reflectance may be used. Between the first distributed Bragg reflector 91 and the second semiconductor layer 50 is formed a branch electrode 93 extending long to supply a current (strictly supply of holes) from the electrode 92 to the second semiconductor layer 50 . By introducing the branch electrodes 93, a foundation is provided for implementing the flip chip shown in Fig. 1 and the flip chip improved in both of the problems of the flip chip shown in Fig. That is, it is possible to prevent the light absorption by the metal reflection film, and to solve the difficulty of current diffusion due to the DBR reflection film. The present disclosure can be applied to any semiconductor light emitting device having a structure to which the concept shown in FIG. 5 can be applied, as a matter of course, having the structure shown in FIG. An electrical connection 94 penetrating the first distributed Bragg reflector 91 in the vertical direction is provided for electrical communication between the electrode 92 via the first distributed Bragg reflector 91 and the branch electrode 93. [ It is also possible to supply electric current by using a plurality of electrical connections 94 without the branch electrodes 93. The height of the branched electrodes 93 is suitably from 0.5 [mu] m to 4.0 [mu] m. Too thin a thickness causes an increase in the operating voltage, while an excessively thick branch electrode can cause process stability and material cost increase. The branch electrode 93 itself also absorbs light generated in the active layer 40. The light absorption barrier 95 is preferably provided under the branch electrode 93 to prevent this. The light absorption prevention film 95 may have a function of reflecting a part or all of the light generated in the active layer 40 and may have a function of preventing a current from the branch electrode 93 from flowing directly below the branch electrode 93 Or may have both functions. For these functions, the light absorbing film (95) has a single layer of a second semiconductor layer (50) than the light-transmitting material having a lower refractive index (for example: SiO 2) or a multilayer film (for example: Si0 2 / TiO 2 / SiO 2) Or a combination of a distributed Bragg reflector or a single layer and a distributed Bragg reflector. The light absorption preventing film 95 may be made of a non-conductive material (for example, a dielectric film such as SiO x or TiO x ). The transmissive conductive film 60 is preferably provided even when the branch electrode 93 and the light absorption prevention film 95 are not present. In the case where the branch electrode 93 and the light absorption preventing film 95 are provided, the light transmitting conductive film 60 is generally provided between them. The light absorption preventing film 95 and / or the branch electrode 93 are selectively provided together with the interference preventing film 1 and the light absorption preventing film 95 and / It is possible to effectively prevent the interference of the distance of the active layer 40 from the first distributed Bragg reflector 91 at least partially even if the interference prevention film 1 is not configured to be very high, It will be understood by those skilled in the art that it is possible to secure the distance.

도 9는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 반도체 발광소자는 형광체(220)를 더 구비한다. 형광체(220)는 에폭시 수지와 혼합되어 봉지제(230)를 형성하고 있으며, 반도체 발광소자가 반사컵(210)에 놓여 있다. 전극(80)과 전극(92)이 도전성 접합제(240,250)를 통해 외부와 전기적으로 연결된다. 형광체(220)가 반드시 반사컵(210)에 놓여야 하는 것은 아니며, 컨포멀 코팅, 스텐실 등의 방법으로 칩에 직접 도포되는 것도 가능하다. 활성층(40)에서 나온 빛은 형광체(220)에 흡수되어, 장파장 또는 단파장의 빛(L1)으로 변환되어 외부로 나가지만, 일부의 빛(L2)은 반도체 발광소자 내에 머무르거나, 반사컵(210)에서 반사되어 반도체 발광소자 내부로 다시 돌아오게 되며, 소멸되어 반도체 발광소자의 효율을 떨어뜨리게 된다. 예를 들어, 활성층(40)에서 나오는 빛이 청색인 경우에 파장은 450nm이고, 제1 분포 브래그 리플렉터(91)가 SiO2/TiO2의 조합으로 이루어지는 경우에, SiO2의 굴절률이 n1이고, TiO2의 파장이 n2라면, SiO2의 두께는 450nm/4n1을 기준으로 맞추어지고, TiO2의 두께는 450nm/4n2를 기준으로 맞추어지게 된다. 그러나 형광체(220)가 황색 형광체(예: YAG:Ce, (Sr,Ca,Ba)2SiO4:Eu)인 경우에, 형광체(220)의 파장은 560nm이 되므로, 청색 빛에 맞추어진 제1 분포 브래그 리플렉터(91)로는 560nm 파장에 대해서는 반사율이 떨어지게 된다. 간섭 방지막(1)으로서, 형광체(220)가 여기되어 나오는 파장에 맞추어진 분포 브래그 리플렉터를 구비함으로써 간섭을 방지하는 한편, 이러한 문제점을 해소할 수 있게 된다. 형광체(220)가 청색, 녹색, 오렌지색, 적색 등의 여러 파장들로 구성되면, 간섭 방지막(1) 내에 이들 색 각각에 맞추어진 분포 브래그 리플렉터를 더 포입할 수 있음은 물론이다. 제1 분포 브래그 리플렉터(91)를 구성하는 물질과 분포 브래그 리플렉터(1)를 구성하는 물질의 일부 또는 전부를 달리할 수 있음은 물론이다. 미설명 동일부호에 대한 설명은 생략한다.9 is a diagram showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure, in which the semiconductor light emitting device further comprises a phosphor 220. [ The phosphor 220 is mixed with an epoxy resin to form an encapsulant 230, and the semiconductor light emitting device is placed in the reflective cup 210. The electrode 80 and the electrode 92 are electrically connected to the outside through the conductive bonding agents 240 and 250. The phosphor 220 does not necessarily have to be placed in the reflective cup 210 but can be directly applied to the chip by a method such as a conformal coating or a stencil. Light emitted from the active layer 40 is absorbed by the phosphor 220 and converted into light L1 having a long wavelength or a short wavelength to be emitted to the outside. However, a part of the light L2 may remain in the semiconductor light emitting element, 210, and is returned to the inside of the semiconductor light emitting device, and is extinguished, thereby reducing the efficiency of the semiconductor light emitting device. For example, when the light emitted from the active layer 40 is blue, the wavelength is 450 nm, and when the first distributed Bragg reflector 91 is made of a combination of SiO 2 / TiO 2 , the refractive index of SiO 2 is n 1 , And the wavelength of TiO 2 is n 2 , the thickness of SiO 2 is adjusted based on 450 nm / 4n 1 , and the thickness of TiO 2 is adjusted based on 450 nm / 4n 2 . However, when the phosphor 220 is a yellow phosphor (for example, YAG: Ce, (Sr, Ca, Ba) 2 SiO 4 : Eu), the wavelength of the phosphor 220 becomes 560 nm. The reflectance of the distribution Bragg reflector 91 is lowered at a wavelength of 560 nm. By providing a distributed Bragg reflector that matches the wavelength of the excitation of the phosphor 220 as the interference prevention film 1, interference can be prevented and such a problem can be solved. It goes without saying that, if the phosphor 220 is composed of various wavelengths such as blue, green, orange, and red, the distribution Bragg reflector corresponding to each of these colors can be further embedded in the interference prevention film 1. It goes without saying that the material constituting the first distributed Bragg reflector 91 may be different from some or all of the materials constituting the distributed Bragg reflector 1. The description of the same reference numerals will be omitted.

도 10은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 간섭 방지막(1)이 단일의 유전체막(예: SiO2)과 활성층(40)에서 나오는 빛의 파장과 다른 파장을 기준으로 설계된 분포 브래그 리플렉터를 구비하고 있다.10 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure in which the interference prevention film 1 is formed on the basis of a wavelength different from the wavelength of light emitted from a single dielectric film (for example, SiO 2 ) and the active layer 40 And a distributed Bragg reflector.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 구비되며 전자와 정공의 재결합을 통해 제1 파장의 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극; 복수의 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극; 활성층에서 생성된 제1 파장의 빛을 반사하도록 설계된 제1 분포 브래그 리플렉터; 그리고, 투광성을 가지며, 복수의 반도체층과 제1 분포 브래그 리플렉터 사이에 구비되고, 활성층과 제1 분포 브래그 리플렉터 사이의 거리를 증가시켜 활성층에서 생성된 빛과 제1 분포 브래그 리플렉터에서 반사되는 빛 간의 간섭을 줄이는 간섭 방지막;을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(1) A semiconductor light emitting device comprising: a first semiconductor layer having a first conductivity; a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity; and a second semiconductor layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A plurality of semiconductor layers including an active layer that generates light of a first wavelength through recombination of the semiconductor layers; A first electrode for supplying one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A second electrode for supplying the remaining one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers; A first distributed Bragg reflector designed to reflect light of a first wavelength generated in the active layer; The first distributed Bragg reflector is provided between the plurality of semiconductor layers and the first distributed Bragg reflector. The distance between the active layer and the first distributed Bragg reflector is increased so that light generated in the active layer and light reflected from the first distributed Bragg reflector And an interference preventing film for reducing interference.

(2) 간섭 방지막은 활성층에서 생성되는 빛과 다른 파장을 기준으로 설계된 적어도 하나의 분포 브래그 리플렉터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(2) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (3), wherein the interference prevention film has at least one distributed Bragg reflector designed on the basis of light generated in the active layer and a different wavelength.

(3) 반도체 발광소자는 형광체;를 더 포함하며, 간섭 방지막은 활성층에서 생성된 빛에 의해 형광체가 여기되어 발생하는 빛의 파장을 기준으로 설계된 분포 브래그 리플렉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(3) The semiconductor light emitting device further includes a phosphor, and the interference prevention film includes a distributed Bragg reflector designed based on a wavelength of light generated by excitation of the phosphor by the light generated in the active layer. .

(4) 제1 분포 브래그 리플렉터로부터 활성층까지의 거리가 간성광 거리(Coherence Lenght)의 50%이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(4) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the distance from the first distributed Bragg reflector to the active layer is 50% or more of the Coherence Lenght.

(5) 간섭 방지막이 간성광 거리(Coherence Lenght)의 50%이상의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(5) The semiconductor light emitting device according to (5), wherein the interference preventing film has a thickness of 50% or more of the Coherence Lenght.

(6) 간섭 방지막이 단일의 투광성 유전체막(예: SiO2)을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The semiconductor light emitting device comprising: a: (6) The interference film of a single light-transmitting dielectric layer (SiO 2 for example).

(7) 간섭 방지막은 활성층에서 생성되는 빛과 다른 파장을 기준으로 설계된 적어도 하나의 분포 브래그 리플렉터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(7) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (7), wherein the interference prevention film has at least one distributed Bragg reflector designed on the basis of light generated in the active layer and a different wavelength.

(8) 제2 반도체층이 p형 3족 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(8) The semiconductor light emitting device according to (8), wherein the second semiconductor layer is a p-type III-nitride semiconductor layer.

(9) 제1 분포 브래그 리플렉터와 복수의 반도체층 사이에 가지 전극;을 더 포함하며, 가지 전극과 간섭 방지막에 의해 적어도 부분적으로 제1 분포 브래그 리플렉터로부터 활성층까지의 거리가 간성광 거리(Coherence Lenght)의 50%이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(9) a first distributed Bragg reflector, and a branch electrode between the plurality of semiconductor layers, wherein a distance from the first distributed Bragg reflector to the active layer is at least partially determined by a branch electrode and an interference prevention film, ) Of the light emitting layer.

(10) 제1 분포 브래그 리플렉터와 복수의 반도체층 사이에 가지 전극; 그리고, 가지 전극 아래에 광 흡수 방지막;을 더 포함하며, 가지 전극, 광 흡수 방지막 및 간섭 방지막에 의해 적어도 부분적으로 제1 분포 브래그 리플렉터로부터 활성층까지의 거리가 간성광 거리(Coherence Lenght)의 50%이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.(10) Branch electrodes between the first distributed Bragg reflector and the plurality of semiconductor layers; The distance from the first distributed Bragg reflector to the active layer at least partially by the branch electrode, the light absorption prevention film, and the interference prevention film is 50% or more of the Coherence Lenght, Or more.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 반사막에 의한 간섭을 줄일 수 있게 된다.According to one semiconductor light emitting device according to the present disclosure, it is possible to reduce the interference caused by the reflective film.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 반사막과 활성층 사이의 거리를 넓혀 반사막에 의한 간섭을 줄일 수 있게 된다.According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, the distance between the reflective layer and the active layer can be increased to reduce the interference caused by the reflective layer.

기판(10), 버퍼층(20), 제1 반도체층(30), 활성층(40), 제2 반도체층(50) The substrate 10, the buffer layer 20, the first semiconductor layer 30, the active layer 40, the second semiconductor layer 50,

Claims (12)

반도체 발광소자에 있어서,
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층 및 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 구비되며 전자와 정공의 재결합을 통해 제1 파장의 빛을 생성하는 활성층을 포함하는 복수의 반도체층;
복수의 반도체층에 전자와 정공 중 하나를 공급하는 제1 전극;
복수의 반도체층에 전자와 정공 중 나머지 하나를 공급하는 제2 전극;
활성층에서 생성된 제1 파장의 빛을 반사하도록 설계된 제1 분포 브래그 리플렉터; 그리고,
투광성을 가지며, 복수의 반도체층과 제1 분포 브래그 리플렉터 사이에 구비되고, 활성층과 제1 분포 브래그 리플렉터 사이의 거리를 증가시켜 활성층에서 생성된 빛과 제1 분포 브래그 리플렉터에서 반사되는 빛 간의 간섭을 줄이는 간섭 방지막;을 포함하며,
간섭 방지막은 활성층에서 생성되는 빛과 다른 파장을 기준으로 설계된 적어도 하나의 분포 브래그 리플렉터를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, and a second semiconductor layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A plurality of semiconductor layers including an active layer for generating an active layer;
A first electrode for supplying one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers;
A second electrode for supplying the remaining one of electrons and holes to the plurality of semiconductor layers;
A first distributed Bragg reflector designed to reflect light of a first wavelength generated in the active layer; And,
And is provided between the plurality of semiconductor layers and the first distributed Bragg reflector and increases the distance between the active layer and the first distributed Bragg reflector so that the interference between the light generated in the active layer and the light reflected from the first distributed Bragg reflector And an anti-reflection film,
Wherein the interference preventive film comprises at least one distributed Bragg reflector designed on the basis of light and other wavelengths generated in the active layer. 삭제delete 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자는 형광체;를 더 포함하며,
적어도 하나의 분포 브래그 리플렉터는 활성층에서 생성된 빛에 의해 형광체가 여기되어 발생하는 빛의 파장을 기준으로 설계된 분포 브래그 리플렉터를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
The semiconductor light emitting device further includes a phosphor,
Wherein the at least one distributed Bragg reflector includes a distributed Bragg reflector designed based on the wavelength of light generated by excitation of the phosphor by light generated in the active layer. 청구항 1에 있어서,
제1 분포 브래그 리플렉터로부터 활성층까지의 거리가 간섭광 거리(Coherence Length)의 50%이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the distance from the first distributed Bragg reflector to the active layer is 50% or more of the coherence length. 청구항 1에 있어서,
간섭 방지막이 간섭광 거리(Coherence Length)의 50%이상의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the interference prevention film has a thickness of 50% or more of the coherence length. 청구항 4 또는 청구항 5에 있어서,
간섭 방지막이 단일의 투광성 유전체막을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 4 or 5,
Wherein the interference prevention film comprises a single translucent dielectric film. 삭제delete 삭제delete 청구항 6에 있어서,
제2 반도체층이 p형 3족 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method of claim 6,
And the second semiconductor layer is a p-type III-nitride semiconductor layer. 청구항 1에 있어서,
제1 분포 브래그 리플렉터와 복수의 반도체층 사이에 가지 전극;을 더 포함하며,
가지 전극과 간섭 방지막에 의해 적어도 부분적으로 제1 분포 브래그 리플렉터로부터 활성층까지의 거리가 간섭광 거리(Coherence Length)의 50%이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Further comprising branch electrodes between the first distributed Bragg reflector and the plurality of semiconductor layers,
The distance from the first distributed Bragg reflector to the active layer is at least partially 50% or more of the coherence length by the branch electrode and the interference prevention film. 청구항 1에 있어서,
제1 분포 브래그 리플렉터와 복수의 반도체층 사이에 가지 전극; 그리고,
가지 전극 아래에 광 흡수 방지막;을 더 포함하며,
가지 전극, 광 흡수 방지막 및 간섭 방지막에 의해 적어도 부분적으로 제1 분포 브래그 리플렉터로부터 활성층까지의 거리가 간섭광 거리(Coherence Length)의 50%이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Branch electrodes between the first distributed Bragg reflector and the plurality of semiconductor layers; And,
And a light absorption preventing film below the branch electrode,
Wherein the distance from the first distributed Bragg reflector to the active layer is at least partially 50% or more of the coherence length by the branch electrode, the light absorption prevention film, and the interference prevention film. 청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,
제2 반도체층이 p형 3족 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 10 or 11,
And the second semiconductor layer is a p-type III-nitride semiconductor layer.
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