KR101578903B1 - 나노 복합체를 포함하는 전극 및 그 제조방법 - Google Patents

나노 복합체를 포함하는 전극 및 그 제조방법 Download PDF

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KR101578903B1 KR1020130130552A KR20130130552A KR101578903B1 KR 101578903 B1 KR101578903 B1 KR 101578903B1 KR 1020130130552 A KR1020130130552 A KR 1020130130552A KR 20130130552 A KR20130130552 A KR 20130130552A KR 101578903 B1 KR101578903 B1 KR 101578903B1
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김민선
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Abstract

전극 및 이의 제조방법이 제공되고, 본 발명의 일 구현예에서 전극은 투명 기판, 상기 투명 기판 위에 위치하고, 고분자 내부에 나노입자가 균일하게 분산된 나노 복합체, 상기 나노 복합체 위에 위치하고, 표면 상에 불규칙한 구조를 갖는 미세요철을 포함한 투명 전극층을 포함할 수 있다.

Description

나노 복합체를 포함하는 전극 및 그 제조방법{ELECTRODE INCLUDING NANO COMPOSITE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
나노 복합체를 포함하는 전극 및 이의 제조방법이 제공된다.
일반적으로 OLED의 광 추출효율은 약 20% 수준에 머무르는데, 그 주된 이유는 내부에서 생성된 빛이 기판 모드(substrate mode) 또는 도파관 모드(waveguided mode)에 의해서 손실되기 때문이며, 이 중에서 도파관 모드에 의해서 손실되는 빛의 양이 약 30%이다.
그래서 현재 OLED에서 도파관 모드에 의해서 손실되는 빛의 양을 줄이기 위하여 기판과 ITO층 사이에 나노 및 마이크로 요철층을 삽입하고 있다. 이때 OLED 광 추출향상을 위한 나노 및 마이크로 요철 즉, 미세요철의 주기는 수백 나노미터 내지 수 마이크로미터이고, 미세요철의 높이는 수 나노미터 내지 수 마이크로미터이다.
나아가, 이러한 미세요철을 갖는 전극을 제작하기 위하여 종래에는 미세요철을 갖는 스탬프를 이용하여 임프린팅(imprinting)하는 방법을 이용하고 있다.
그런데 임프린팅 방법을 이용하는 경우에는 미세요철을 갖는 마스터 제작 및 스탬프 제작 등의 공정이 추가되고, 공정 원가가 증가한다.
본 발명의 일 구현예는 광 추출효율이 우수한 전극을 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일 구현예는 나노입자를 고분자 내에 균일하게 분산시키기 위한 것이다.
본 발명의 일 구현예는 불규칙한 구조를 갖는 미세요철을 포함하는 전극을 제조하기 위한 것이다.
상기 과제 이외에도 구체적으로 언급되지 않은 다른 과제를 달성하는 데 본 발명에 따른 실시예가 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예는 투명 기판, 투명 기판 위에 위치하고, 고분자 내부에 나노입자가 균일하게 분산되어 있는 나노 복합체, 나노 복합체 위에 위치하고, 표면 상에 불규칙한 구조를 갖는 미세요철을 포함한 투명 전극층을 포함하는 전극을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 나노입자는 SiO2, TiO2, ZrO2, ZnO, 또는 ZnS 중 어느 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고분자는 아크릴레이트, 메타아크릴레이트 수지 중 어느 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 투명 전극층은 ITO, ZO 또는 IZO 중 어느 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 미세요철의 주기 및 높이는 약 1 nm 내지 100 μm일 수 있다.
본 발명의 일 구현예는 고분자 단량체 및 나노입자를 용매에 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계, 상기 혼합용액을 가열하는 단계, 가열된 상기 혼합용액에 경화제를 첨가 및 혼합하는 단계, 상기 경화제가 첨가 및 혼합된 혼합용액을 기판 표면에 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계, 상기 코팅층을 가열하는 단계, 그리고 가열된 상기 코팅층 위에 스퍼터링을 통하여 투명 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 전극의 제조방법을 제공한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 경화제는 이소세아네이트 가교제, 아지리딘계 가교제, 에폭시계 가교제, 금속 킬레이트형 가교제 중 어느 하나 이상일 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따른 고분자 단량체는 산, 에스터, 아민, 케톤, 알코올, 아세틸아세토네이트, 또는 아세토아세테이트 중 하나 이상의 작용기를 갖고, 불포화된 탄소 이중결합을 포함하는 물질일 수 있다.
본 발명의 일 구현예에서는 광 추출효율이 우수한 전극을 제공할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에서는 나노입자를 고분자 내에 균일하게 분산시키고, 불규칙한 구조를 갖는 미세요철을 포함하는 전극을 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 전극의 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1에서, ITO 증착공정 이전까지의 단계를 수행한 후, ITO 증착공정을 수행하여 표면에 불규칙한 구조를 갖는 미세요철을 형성하는 모습을 나타낸 전극의 단면이다.
도 3은 본 발명의 실시예 1에서, ITO 증착공정 이전까지의 단계를 수행한 후, 고분자 내에 나노입자를 포함하는 나노 복합체의 표면을 관찰한 FESEM사진이다.
도 4는 본 발명의 실시예 1에서 제조된 전극 표면을 촬영한 AFM사진이다.
도 5는 본 발명의 비교예1과 실시예 2에서 제작된 OLED 소자의 발광 시 배광곡선이다.
첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대해 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다. 도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호가 사용되었다. 또한 널리 알려져 있는 공지기술의 경우 그 구체적인 설명은 생략한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 한편, 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다. 반대로 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "아래에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 아래에" 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 한편, 어떤 부분이 다른 부분 "바로 아래에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하, 본 발명의 일 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 일 구현예는 투명 기판(10), 투명 기판(10) 위에 위치하고, 고분자 내부에 나노입자(3)가 균일하게 분산되어 있는 나노 복합체(20), 나노 복합체(20) 위에 위치하고, 표면 상에 불규칙한 구조의 미세요철을 포함한 투명 전극층(30)을 포함하는 전극을 제공한다.
투명 기판(10)은 가시광선의 투과가 가능한 물질이면 어느 소재라도 사용할 수 있다. 구체적인 예로, 유리, 폴리에틸렌(PE), 폴리프로필렌(PP), 폴리스타이렌(PS), 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에테르설폰(PES), 폴리이미드(PI) 등이 사용가능하다. 다만, 투명 기판의 소재가 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 일 실시예에 따른 상기 투명 기판(10) 위에는 고분자 내부에 나노입자(3)가 균일하게 분산된 나노 복합체(20)가 존재할 수 있다.
고분자 내에 나노크기의 입자가 존재하게 되면, 나노입자를 포함한 고분자를 투과하는 빛에 대하여, 고분자와 나노입자간 굴절률 차이로 인하여, 빛이 효과적으로 산란될 수 있다. 또한, 나노입자가 고분자 내에서 균일하게 분산되어 있어 보다 효과적으로 빛을 산란시킬 수 있다.
나노입자(3)의 크기는 약 1 nm 내지 1000 nm일 수 있다.
나노입자(3)의 크기가 상기 범위 내에서, 투과도의 저하를 최소화하는 동시에 소자 내부로 들어오거나 소자 외부로 방출하는 빛을 효과적으로 산란시킬 수 있다.
나노입자(3)는 나노 사이즈를 갖는 금속 산화물일 수 있다. 예를 들어, 나노입자(3)는 SiO2, TiO2, ZrO2, ZnO, 또는 ZnS 중 어느 하나 이상일 수 있으며, 이와 같은 나노입자(3)는 고분자에 효과적으로 흡착(anchoring)되어 내부에서 균일하게 분산되어 있는 상태로 존재할 수 있다.
나노 복합체(20)의 고분자는 나노입자(3)가 용이하게 흡착(anchoring) 할 수 있는 산, 에스터, 아민, 케톤, 알코올, 아세틸아세토네이트, 아세토아세테이트 등의 작용기를 갖고, 불포화된 탄소 이중결합을 포함하는 고분자 단량체로부터 합성될 수 있다. 예를 들어, 아크릴레이트, 메타아크릴레이트 수지일 수 있으며, 이러한 고분자를 사용하는 경우, 투과도가 향상될 수 있다.
투명 전극층(30)은 빛 투광성 및 전기 전도도를 가지는 물질일 수 있다. 투명 예를 들어, 투명 전극층(30)은 ITO(indium tin oxide), ZO(zinc oxide) 또는 IZO(indium zinc oxide) 등 어느하나 이상일 수 있으며, 이와 같은 투명 전극층(30)은 충분한 투명도와 전도성을 동시에 가지므로 가시광선을 투과 시킬 뿐만 아니라, 전극으로서 역할을 수행할 수 있다.
도 1을 참조하면, 나노 복합체(20) 및 투명 전극층(30)은 표면 상에 불규칙한 구조의 미세요철을 포함하는 구조일 수 있다. 구체적으로, 외부와 표면이 직접 노출되는 투명 전극층(30) 뿐만 아니라, 투명 전극층(30)의 하부에 위치하여 투명 전극층(30)과 계면을 형성하는 나노 복합체(20)의 표면도 불규칙한 미세요철을 포함하는 구조일 수 있다. 미세요철이 불규칙적인 형상을 갖는 경우, 빛의 색이 방향의존도가 없어 조명 등과 같은 광원으로 활용이 가능하다.
이때, 미세요철은 높이(2)와 주기(1)로 정의될 수 있으며, 불규칙한 구조를 갖는 미세요철에서 여러 개의 미세 요철들의 높이(2)와 주기(1)는 서로 다른 값들을 가질 수 있다. 구체적으로, 높이(2)는 미세요철의 골에서 마루까지의 길이이고, 주기(1)는 마루와 마루 사이의 거리를 나타낸다.
전극의 표면 상에 존재할 수 있는 불규칙한 구조를 갖는 미세요철은 투과되는 빛의 접촉각을 다양하게 형성시켜, 결과적으로 빛을 효과적으로 산란하도록 만들 수 있다.
미세요철의 주기(1) 및 높이(2)는 약 1 nm 내지 100 μm일 수 있다. 더욱 구체적으로, 각각 미세요철의 주기(1)는 0.1 내지 10 μm일 수 있고, 미세요철의 높이(2)는 1 nm 내지 10 μm일 수 있다.
미세요철의 주기(1) 및 높이(2)가 상기 범위 내이면, 소자의 내부로 들어오거나 소자의 외부로 나가는 빛의 산란 및 광추출효과를 향상시킬 수 있다.
본 발명의 일 구현예는 고분자 단량체 및 나노입자를 용매에 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계, 혼합용액에 경화제를 첨가 및 혼합하는 단계, 경화제가 첨가 및 혼합된 혼합용액을 기판(10) 표면에 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계, 그리고 기판(10) 표면의 코팅층 위에 스퍼터링을 통하여 투명 전극층(30)을 형성하는 단계를 포함하는 전극의 제조방법을 제공한다.
기판은 투명 기판(10)일 수 있다.
먼저, 고분자 단량체 및 나노입자를 용매에 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계는 중합되는 고분자 물질 내에 나노입자를 균일하게 분산시키기 위하여, 고분자 단량체와 나노입자를 용매에 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계이다. 이때, 혼합용액은 용매에 개시제, 체인조절제를 추가적으로 더 포함할 수 있다.
용매는 에틸 아세테이트(EA), 톨루엔, 디메틸술폭사이드, 에탄올, 아세톤, 디에틸에테르 등이 될 수 있다. 또한, 개시제는 아조계 중합 개시제, 퍼옥시드계 중합 계시제 등이 될 수 있다. 또한, 체인 조절제는 메르캅토 (mercapto) 작용기를 지닌 2-메르캅토에탄올(2-mercaptoethanol), 티오글리콜릭 산(thioglycolic acid)와 알파-메틸스티렌 다이머(a-methylstyrene dimer) 등이 될 수 있다. 다만, 용매, 개시제, 체인 조절제가 이에 제한되는 것은 아니다.
구체적으로 고분자 단량체는 본 발명의 일 실시예에 따른 나노입자가 용이하게 흡착(anchoring) 할 수 있는 산, 에스터, 아민, 케톤, 알코올, 아세틸아세토네이트, 아세토아세테이트 등에서 하나 이상의 작용기를 갖고, 불포화된 탄소 이중결합을 포함하는 물질일 수 있으며, 구체적으로 아크릴산(acrylic acid), 메타아크릴산(methacrylic acid), 디(에틸렌그리콜) 에틸 에테르 아크릴레이트(di(ethyleneglycol) ethyl ether acrylate), 2-히디록시에틸 아크릴레이트(2-hydroxyethyl acrylate), 4-히디록시뷰틸 아크릴레이트(4-hydroxybutyl acrylate), N,N-디메틸아크릴아마이드(N,N-dimethylacrylamide), 아크릴아마이드(acrylamide), 메타아크릴아마이드(methacrylamide), 2-(아크릴오일옥시)에틸 아세토아세테이트(2-(acryloyloxy)ethyl acetoacetate) 등의 아크릴레이트 단량체 또는 메타아크릴레이트 단량체일 수 있다.
다음으로, 혼합용액을 가열하는 단계는 고분자 단량체 및 나노입자가 포함된 혼합용액을 가열하여 고분자 중합이 이루어지도록 하는 단계이다. 구체적으로, 상기 가열단계는 약 50 내지 100 ℃에서 약 5 내지 10 시간동안 수행될 수 있다.
다음으로, 중합된 고분자 및 나노입자를 포함한 혼합용액에 경화제를 첨가하는 단계로, 기판 표면 상에 코팅층을 형성하기 위한 용액을 제조하는 단계이다.
경화제는 이소시아네이트 가교제, 아지리딘계 가교제, 에폭시계 가교제, 금속 킬레이트형 가교제 중 어느 하나 이상일 수 있으며, 이러한 경화제를 사용하는 경우에는 필름을 형성시켜 전극이 증착될 수 있게 하는 효과가 있다.
다음으로, 고분자, 나노입자, 그리고 경화제가 혼합된 혼합용액을 기판 위에 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계이다. 고분자, 나노입자, 그리고 경화제가 혼합된 혼합용액은 스핀코팅법, 스프레이코팅법, 닥터 블레이드코팅법 등의 방법을 이용하여 수행할 수 있다. 다만, 본 발명의 일 실시예에서 코팅방법이 이에 제한되는 것은 아니다.
다음으로, 기판(10) 위에 형성된 코팅층을 가열 및/또는 건조하는 단계로, 이를 통해, 고분자 간에 가교(cross-link)가 형성될 수 있고, 기판(10) 위에 코팅된 혼합용액 내의 용매를 증발시키고 코팅층을 경화시킬 수 있다.
다음으로, 기판(10) 표면의 가열 및/또는 건조된 코팅층 위에 스퍼터링을 통하여 투명 전극층(30)을 형성하고 동시에, 자기-버클링(self-buckling)을 통한 불규칙한 구조를 갖는 미세요철을 형성할 수 있는 단계이다. 도 2에서 나노입자(3)가 내부에 포함된 나노 복합체(20) 위에 투명 전극(ITO)(30)층을 스퍼터링으로 형성 시에 자기-버클링 현상을 나타내고 있다.
이로 인해, 본 발명의 일 구현예에 따른 전극은 표면에 불규칙한 구조를 갖는 미세요철을 포함하는 투명 전극층(30)을 하나의 공정에서 제조할 수 있다. 따라서, 광산란 효과가 개선된 전극을 제조할 수 있다.
또한, 스퍼터링 공정의 조건을 적절히 조절하여 제조되는 전극 내의 투명 전극층(30)이 포함하는 미세요철의 높이(2)와 주기(1)를 조절할 수 있다. 예를 들면, 스퍼터링시 증착압력 및/또는 기판온도를 조절하여 제조되는 전극 내의 투명 전극층이 포함하는 미세요철의 높이(2)와 주기(1)를 조절할 수 있다.
스퍼터링시 증착압력은 약 0.1 내지 100 mTorr이고, 기판온도는 약 20 내지 300 ℃일 수 있다.
상기 증착압력 및 기판온도 범위 내에서, 적층구조의 파괴없이 투명 전극층을 안정적으로 나노입자가 내부에 포함된 나노 복합체 위에 형성시킬 수 있는 동시에, 형성된 투명 전극층이 미세요철을 포함할 수 있도록 할 수 있다.
본 발명의 일 구현예는 소자 내 적층구조에 의한 빛의 산란정도가 소자의 성능에 영향을 미치는 전기적 소자 등에 다양하게 적용될 수 있다. 구체적으로, OLED 소자, 태양전지 셀 등의 전기적 소자에 적용될 수 있다
또한, 본 발명의 일 구현예에서는 본 발명의 일 구현예인 전극을 포함하는 투명 기판 및 애노드, 발광층, 그리고 캐소드를 포함하는 OLED 소자를 제공할 수 있다.
OLED 소자의 대표적인 구조는 투명 기판, 애노드(anode), 정공주입층, 정공수송층, 전자와 정공의 결합으로 빛이 발생하는 유기 발광층, 전자수송층, 전자주입층, 캐소드(cathode)를 포함할 수 있다.
여기서, 전극은 투명 기판 및 애노드의 적층 구조 전체로서 사용될 수 있다. 구체적으로, 투명 기판 위에 적층된 나노 입자가 고분자 내부에 포함된 나노 복합체 및 나노 복합체 위에 형성된 투명 전극층을 포함한 구조는 OLED 소자 내의 애노드로 사용될 수 있다.
본 발명의 일 구현예에 따른 OLED 소자는 발광층에서 발생하는 빛을 효과적으로 산란시킴으로서, 우수한 광 추출효율로 소자 외부로 빛을 방출할 수 있다.
이하, 실시예를 들어 본 발명에 대해서 더욱 상세하게 설명할 것이나, 하기의 실시예는 본 발명의 실시예일뿐 본 발명이 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
< 실시예 1> 전극의 제작
먼저 유리소재의 투명 기판을 준비한다
아크릴레이트 단량체(9 g), 입자의 크기가 약 100 - 200 nm인 SiO2(1 g), 에틸 아세테이트(Ethyl acetate, EA, 20 g), 아조비스아이소부티로나이트릴 (Azobisisobutyronitrile, AIBN, 0.02 g) 및 티오글리콜릭 산(0.1 g)를 혼합하여 혼합용액을 제조한다.
혼합용액을 가열하여 약 80 ℃에서 약 8 시간동안 중합반응을 진행시킨다.
그 후, 상기 혼합용액에 대하여, 에폭시계 경화제를 0.2 g 첨가 및 혼합한다.
다음으로, 경화제가 혼합된 혼합용액을 기판 표면에 스핀코팅을 통해 코팅하고, 약 130 ℃에서 30 분동안 건조시킨다.
그 후, 상기 스핀코팅을 통해 형성된 코팅층 위에 스퍼터링을 통하여 ITO층을 증착시켜 전극을 제조한다.
< 실시예 2> OLED 소자의 제작
실시예 1에서 제조된 전극을 포함한 OLED 소자를 하기와 같은 방법으로 제조한다. 실시예 1에서 제조된 전극을 투명 기판 및 애노드(anode)로 사용하고, 애노드 위에, 정공수송층으로서 NPB(N,N′-bis-(1-naphyl)-N,N′-diphenyl-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine)을 적층시킨다. 그 후, 발광층으로서 CBP(4,4′-N,N-bis(N-carbazolyl)-1,1'biphenyl):Ir(ppy)3(Tris[2-phenylpyridinato-C2,N]iridium(III), 8 중량%)을, 다음으로, 전자수송층으로서 TPBi(1,3,5-tris(N-phenylbenzimiazole-2-yl)benzene)를, 각각 전자주입층과 캐소드(cathode)로서 LiF/Al을 순서대로 적층하여 OLED 소자를 제작한다.
< 비교예 1> OLED 소자의 제작
실시예 2에서, 애노드로서, ITO층만을 적층시킨 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 실험을 수행하여 OLED 소자를 제조한다.
< 실험예 1> OLED 소자의 광 추출효율 평가
본 발명의 일 구현예에 따른 OLED의 발광층으로부터 발생되는 빛의 광 추출효율을 알아보기 위하여 하기와 같은 실험을 수행한다.
비교예 1실시예 2에서 제조된 OLED 소자를 적분구를 이용하여, 전력효율 (power efficiency)을 측정하는 방법으로 비교예 1에서 제작된 OLED 소자에 비해서 실시예 2에서 제작된 OLED 소자의 광 추출효율이 약 50% 증가된 것을 관찰할 수 있다.
도 5는 발광된 OLED 소자의 배광곡선을 나타내고 있다.
도 5를 참조하면, 비교예 1에서 제조된 OLED 소자에 비하여 실시예 2에서 제조된 OLED의 소자의 배광분포가 더 넓은 것을 관찰할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
1: 주기 10: 투명 기판
2: 높이 20: 나노 복합체
3: 나노입자 30: 투명 전극층

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 고분자 단량체 및 나노입자를 용매에 혼합하여 혼합용액을 제조하는 단계,
    상기 혼합용액을 가열하여 중합반응을 진행하는 단계,
    가열된 상기 혼합용액에 경화제를 첨가 및 혼합하는 단계,
    상기 경화제가 첨가 및 혼합된 혼합용액을 기판 표면에 코팅하여 코팅층을 형성하는 단계,
    상기 코팅층을 가열하고 경화하여, 상기 코팅층을 평탄한 표면을 갖도록 만드는 단계, 그리고
    상기 코팅층 위에 스퍼터링을 통하여 투명 전극층을 형성하는 동시에 자기-버클링(self-bucklling)을 통해 X방향 및 Y방향으로 불규칙한 구조를 갖는 미세요철을 포함하는 투명 전극층을 형성하는 단계
    를 포함하고,
    상기 나노입자의 크기는 1 nm 내지 200 nm이고, 상기 미세요철의 주기는 0.1 ㎛ 내지 10 ㎛이고, 상기 미세요철의 높이는 1 nm 내지 10 ㎛인 전극의 제조방법.
  7. 제6항에서,
    상기 경화제는 이소시아네이트 가교제, 아지리딘계 가교제, 에폭시계 가교제, 금속 킬레이트형 가교제 중 어느 하나 이상인 전극의 제조방법.
  8. 제6항에서,
    상기 고분자 단량체는 산, 에스터, 아민, 케톤, 알코올, 아세틸아세토네이트, 또는 아세토아세테이트 중 하나 이상의 작용기를 갖고, 불포화된 탄소 이중결합을 포함하는 물질인 전극의 제조방법.
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