KR102471737B1 - 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법 - Google Patents

패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102471737B1
KR102471737B1 KR1020150164113A KR20150164113A KR102471737B1 KR 102471737 B1 KR102471737 B1 KR 102471737B1 KR 1020150164113 A KR1020150164113 A KR 1020150164113A KR 20150164113 A KR20150164113 A KR 20150164113A KR 102471737 B1 KR102471737 B1 KR 102471737B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
metal
polymer film
pattern structure
shape
Prior art date
Application number
KR1020150164113A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20160131850A (ko
Inventor
이헌
김양두
Original Assignee
고려대학교 산학협력단
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020150064708A external-priority patent/KR102471349B1/ko
Application filed by 고려대학교 산학협력단 filed Critical 고려대학교 산학협력단
Priority to KR1020150164113A priority Critical patent/KR102471737B1/ko
Publication of KR20160131850A publication Critical patent/KR20160131850A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102471737B1 publication Critical patent/KR102471737B1/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0224Electrodes
    • H01L31/022408Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/022425Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • H01B13/0026Apparatus for manufacturing conducting or semi-conducting layers, e.g. deposition of metal
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02Details
    • H01L31/0236Special surface textures
    • H01L31/02366Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

실시예에 따른 패턴 구조물은 베이스; 상기 베이스상에 마련되며 상부에 소정의 패턴을 가지는 폴리머막; 및 상기 폴리머막 상부에 형성된 패턴을 따라 배열되는 금속 나노 구조물을 포함한다.

Description

패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법{PATTERN STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING A PATTERN STRUCTURE}
본 발명은 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 전기적 도전성 및 광기능성이 확보된 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법에 관한 것이다.
태양 전지 및 발광 다이오드는 광을 흡수하거나 광을 발생하는 광전자 소자에 해당한다. 상기 태양 전지는 빛을 흡수하여 전기를 발생하는 한편, 상기 발광다이오드는 여기 상태의 전자가 안정 상태로 이동하면서 광을 발생시킨다.
광전자 소자의 유연화를 위한 유연기판 개발에 있어 상기 유연 기판 상에 형성되는 투명 전극의 개발의 어려움과 유연 기판의 상부에 형성되는 광전자 소자의 효율 감소의 문제가 있다.
먼저, 기존 금속산화물 기반의 투명 전극을 유연기판 상부에 제작할 경우 기판의 휨에 따라 투명 전극에 쪼개짐 현상이 발생하여 전기 전도도가 저하되는 문제점이 존재한다.
또한, 유연 광전자 소자의 소재는 대부분 유기물을 사용하는데 광전자 소자에 포함된 유기물은 산소와 수분에 매우 취약하다. 하지만 유연 광전자 소자가 그 상부에 형성되는 유연 기판은 대부분 고분자 물질로 이루어짐에 따라서 산소와 수분의 투과율이 상대적으로 높다. 따라서, 상기 유연 기판을 통하여 투과된 산소 또는 수분이 광전자 소자의 효율을 저하시키는 문제가 발생한다.
본 발명은 이와 같은 문제점을 감안한 것으로써, 본 발명의 일 목적은 금속 산화물 기반의 투명 전극을 대체하여 우수한 전기 전도도 및 광기능성을 갖는 패턴 구조물 및 패턴구조물의 제조 방법을 제공하는 것이다.
실시예에 따르면 베이스; 상기 베이스상에 마련되며 상부에 소정의 패턴을 가지는 폴리머막; 및 상기 폴리머막 상부에 형성된 패턴을 따라 배열되는 금속 나노 구조물을 포함하는 패턴 구조물을 제공한다.
상기 패턴은 요철 형상, 디스크 형상 및 실린더 형상 중 적어도 하나의 형상의 조합에 따라 형성될 수 있다.
상기 금속 나노 구조물은 상기 패턴을 따라 소정의 간격으로 배열되는 나노 크기의 금속 패턴일 수 있다.
상기 금속 나노 구조물은 상기 패턴상에 배열되는 금속 나노 와이어일 수 있다.
상기 나노 와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 금(Au) 중 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
상기 패턴은 광포집 효과 또는 광산란 효과를 가질 수 있다.
상기 금속 나노 구조물은 상기 폴리머막 상부에서 나노 몰드에 의하여 가압되어 상기 패턴에 고정될 수 있다.
상기 패턴은 상기 금속 나노 물질의 정렬 구조에 따라 나노 메타 구조물을 형성하여 음의 굴절율을 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법에 따르면, 금속 나노물질이 형성된 폴리머 패턴을 형성함으로써 종래의 금속산화물 기반의 투명 전극을 대체하여 광기능성 및 와 광전소자의 효율 향상을 위한 광기능성 패턴을 형성할 수 있다.
여기서, 상기 패턴 구조물은 광전자 소자의 용도에 따라 그 형상 및 구조를 변경함으로써 광포집, 광산란 향상 또는 광투과 향상이라는 다양한 광학 기능을 구현 할 수 있다. 이에 따라 금속 투명 전극과 광기능성 패턴으로 구성된 고기능성 패턴 구조물이 형성될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 3은 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 4는 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 첨부된 도면에 있어서, 대상물들의 크기와 양은 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대 또는 축소하여 도시한 것이다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소도 제1 구성요소로 명명될 수 있다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "구비하다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 다른 특징들이나 단계, 기능, 구성요소 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
한편, 다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1을 참조하면, 베이스 상에 폴리머막(105)을 형성한다. 상기 폴리머막(105)은 고분자 물질을 이용하여 스핀 코팅 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 폴리머막(105)은 후속하는 열가압 공정을 통하여 경화될 수 있는 물질을 포함할 수 있다.
예를 들면, 상기 폴리머막(105)은 폴리프로필렌, 폴리카보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리메틸메타아 크릴레이트, 셀룰로즈아세테이트, 폴리비닐클로라이드, 폴리우레탄, 폴리에스테르, 알키드 수지, 에폭시 수지, 페옥시 수지, 멜라 수지, 페놀 수지, 페놀 변성 알키드 수지, 에폭시 변성 알키드 수지, 비닐 변성 알키드수지, 실리콘 변성 알키드 수지, 아크릴 멜라민 수지, 폴리 이소시아네이트 수지, 에폭시 에스테르 수지 등을 물질로 이루어질 수 있다.
이어서, 상기 폴리머막(105) 상에 금속 나노 물질(120)을 정렬시킨다. 상기 금속 나노 물질은 상기 폴리머막(105)의 상부에 형성됨으로써 전기적인 전도성을 증대시킬 수 있다. 나아가, 상기 금속 나노 물질(120)이 정렬됨으로써 패턴 구조물은 나노 메타 구조물을 형성함으로써 광학적으로 음의 굴절율 등과 같은 광학 특성을 가질 수도 있다.
상기 금속 나노 물질(120)은 예를 들면, 나노 와이어 또는 나노 크기의 금속 패턴을 포함할 수 있다.
도 3은 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1 및 도 3을 참조하면, 상기 금속 나노 물질을 상기 폴리머막(105) 상에 정렬하기 위하여, 금속 나노 와이어가 분산된 분산 용액을 상기 폴리머막(105) 상에 코팅할 수 있다. 이로써 상기 폴리머막(110) 상에 나노 와이어 코팅층(121)을 형성한다.
상기 분산 용액은 분산제, 바인더, 계면활성제(surfactant), 습윤제(wetting agent), 및 레벨링(leveling)제 중에서 선택된 1종 이상의 첨가제를 더 포함할 수 있다.
또한 상기 금속 나노 와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 및 금(Au) 중에서 적어도 하나로 이루어질 수 있다.
이어서 상기 나노 와이어 코팅층(121) 내부에 잔류하는 용매를 제거함으로써 상기 금속 나노 와이어(120)가 상기 폴리머막(105) 상에 정렬할 수 있다.
도 4는 폴리머막 상에 금속 나노 물질을 정렬하는 공정의 일 예를 설명하기 위한 단면도들이다.
도 1 및 도 4를 참조하면, 상기 금속 나노 물질(120)을 상기 폴리머막(105)상에 정렬하기 위하여, 요철이 형성된 트랜스퍼 몰드(140)가 있다. 즉, 트랜스퍼몰드(140)에 형성된 돌출부 상에 금속 패턴이 형성된다. 상기 돌출부 상에 형성된 금속 패턴이 상기 폴리머막(105) 상에 전사됨으로써 상기 폴리머막(105) 상에 금속 나노 물질(120)이 정렬될 수 있다.
다시 도 1을 참조하면, 상기 금속 나노 물질(120)이 정렬된 상기 폴리머막(105)을 제1 패턴(135)이 형성된 가압 몰드(130)를 이용하여 열가압하는 열가압 공정이 수행된다. 이로써 상기 제1 패턴(135)에 대응되는 제2 패턴을 갖는 폴리머 패턴(110)이 형성된다. 이때 상기 폴리머막(105)은 상기 폴리머 패턴(110)으로 열 경화될 수 있다. 또한 상기 금속 나노 물질(120)이 상기 폴리머 패턴(110)의 상부에 고정될 수 있다.
상기 제2 패턴은 요철 형상, 디스크 형상, 실린더 형상 등과 같은 다양한 형상을 가질 수 있다.
이로써 상기 금속 나노 물질(120)이 그 상부에 고정되며 제2 패턴의 형상을갖는 폴리머 패턴(110)이 상기 베이스 상에 형성된다. 따라서, 상기 제2 패턴을 갖는 폴리머 패턴(110)은 광포집, 광산란 등과 같은 다양한 광학 특성을 가질 수 있다.
한편, 상기 폴리머 패턴(110)의 상부에 금속 나노 물질(120)이 고정됨에 따라 상기 폴리머 패턴(120)은 낮은 저항과 같은 개선된 전기적 특성을 가질 수 있다. 이로써 상기 폴리머 패턴(110)은 기존의 금속 산화물 전극을 대체할 수 있는 전극으로서 응용될 수 있다. 또한 상기 금속 나노 물질이 다양한 방법으로 정렬됨에 따라 음의 굴절율과 같은 광학 특성을 가질 수도 있다.
결과적으로 상기 폴리머 패턴(110)을 포함하는 패턴 구조물은 다양한 형태의 광학 특성 및 전기적 특성을 용이하게 가질 수 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 패턴 구조물의 제조 방법에 있어서 롤투롤 공정을 통하여 폴리머 패턴(210)이 형성될 수 있다. 상기 롤투롤(Roll-to- Roll) 공정은 회전 가능한 가압 몰드(230)를 이용하여 진행될 수 있다.
상기 가압 몰드(230)는 원통형 형상을 갖고 회전한다. 또한 상기 가압 몰드의 외주면에는 제1 패턴(235)이 형성된다. 한편, 상기 가압 몰드(230)의 하부에는 폴리머막이 수평 방향으로 이동할 수 있다. 이로써 상기 가압 몰드(230)의 외주면에 형성된 제1 패턴에 대응되는 제2 패턴을 구비한 폴리머 패턴(210)이 형성된다.
이때 금속 나노 물질(220)이 상기 폴리머 패턴(210)의 상부 표면에 고정될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법은 유기 발광 소자, 박막 태양 전지 또는 유기 태양 전지에 적용될 수 있다. 특히, 상기 패턴 구조물의 제조 방법은 투명 전극으로 응용될 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (8)

  1. 베이스;
    상기 베이스상에 마련되며 상부에 소정의 패턴을 가지는 폴리머막; 및
    상기 폴리머막 상부에 형성된 패턴을 따라 배열되는 금속 나노 구조물을 포함하고,
    상기 금속 나노 구조물은 상기 폴리머막 상부에서 소정의 형상을 갖는 나노 몰드에 의하여 가압되어 상기 패턴에 고정되고,
    상기 소정의 패턴은 상기 패턴에 대응하고,
    상기 패턴은 상기 금속 나노 물질의 정렬 구조에 따라 나노 메타 구조물을 형성하여 음의 굴절율을 가지는 패턴 구조물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 패턴은 요철 형상, 디스크 형상 및 실린더 형상 중 적어도 하나의 형상의 조합에 따라 형성되는 패턴 구조물.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 금속 나노 구조물은 상기 패턴을 따라 소정의 간격으로 배열되는 나노 크기의 금속 패턴인 패턴 구조물.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 금속 나노 구조물은 상기 패턴상에 배열되는 금속 나노 와이어인 패턴 구조물.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 나노 와이어는 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al) 및 금(Au) 중 적어도 하나로 이루어지는 패턴 구조물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 패턴은 광포집 효과, 광산란 효과 또는 광투과 효과를 가지는 패턴 구조물.
  7. 삭제
  8. 삭제
KR1020150164113A 2015-05-08 2015-11-23 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법 KR102471737B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150164113A KR102471737B1 (ko) 2015-05-08 2015-11-23 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020150064708A KR102471349B1 (ko) 2015-05-08 2015-05-08 패턴 구조물의 제조 방법
KR1020150164113A KR102471737B1 (ko) 2015-05-08 2015-11-23 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150064708A Division KR102471349B1 (ko) 2015-05-08 2015-05-08 패턴 구조물의 제조 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160131850A KR20160131850A (ko) 2016-11-16
KR102471737B1 true KR102471737B1 (ko) 2022-11-28

Family

ID=84236949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150164113A KR102471737B1 (ko) 2015-05-08 2015-11-23 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102471737B1 (ko)

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101485858B1 (ko) * 2014-03-24 2015-01-27 한국기계연구원 금속 나노 와이어 투명전극의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 금속 나노 와이어 투명전극

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20120053403A (ko) * 2010-11-17 2012-05-25 삼성전자주식회사 박막형 태양전지 및 그 제조방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101485858B1 (ko) * 2014-03-24 2015-01-27 한국기계연구원 금속 나노 와이어 투명전극의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 금속 나노 와이어 투명전극

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160131850A (ko) 2016-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10636970B2 (en) Opto-electrical devices incorporating metal nanowires
Seo et al. Highly efficient (> 10%) flexible organic solar cells on PEDOT‐free and ITO‐free transparent electrodes
US9860993B2 (en) Grid and nanostructure transparent conductor for low sheet resistance applications
KR102074004B1 (ko) 적층 구조체 제조 방법, 적층 구조체, 및 전자 장치
EP2685463A1 (en) Patterned flexible transparent conductive sheet and manufacturing method thereof
TWI524361B (zh) 透明導電膜
KR20120082356A (ko) 연성 스탬프를 이용한 강성 기판상의 텍스처 임프린트 방법
KR20160029709A (ko) 터치 스크린 패널용 터치 센서 및 그 제조방법
CN104142527A (zh) 光取出组件及发光装置
WO2022012351A1 (zh) 透明导电电极及其制备方法、电子器件
KR102471737B1 (ko) 패턴 구조물 및 패턴 구조물의 제조 방법
Fan et al. Electric-driven flexible-roller nanoimprint lithography on the stress-sensitive warped wafer
KR102430867B1 (ko) 투명 전극 및 이의 제조방법
KR102471349B1 (ko) 패턴 구조물의 제조 방법
CN107835974B (zh) 包括通孔的电子设备以及形成此类电子设备的方法
KR101311450B1 (ko) 소프트 몰드 및 그 제조방법, 소프트 몰드의 사용방법, 소프트몰드를 이용해 제조되는 광학필름
KR101476098B1 (ko) 나노 파티클의 삽입 방법 및 이를 이용한 광 기능층 구조물의 제조 방법
KR101657758B1 (ko) 전자소자의 전극 및 그 제조 방법
TW201419316A (zh) 透明導電體及其製備方法
CN108666047B (zh) 透明导电膜及其制备方法
KR101578903B1 (ko) 나노 복합체를 포함하는 전극 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant