KR101574073B1 - 샤워 헤드 가공 방법 - Google Patents

샤워 헤드 가공 방법 Download PDF

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KR101574073B1 KR1020150083170A KR20150083170A KR101574073B1 KR 101574073 B1 KR101574073 B1 KR 101574073B1 KR 1020150083170 A KR1020150083170 A KR 1020150083170A KR 20150083170 A KR20150083170 A KR 20150083170A KR 101574073 B1 KR101574073 B1 KR 101574073B1
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Abstract

본 발명은, 기판의 박막 형성을 위한 샤워 헤드 제조 방법으로서, 니켈(Nickel) 재질의 가공 대상물을 준비하는 대상물 준비 단계; 대상물 일면상의 일영역으로 유체가 투입되는 복수의 제1차홀을 성형하는 제1차홀 성형 단계; 유체를 분사시키기 위하여 대상물의 타면에 제1차홀들 각각에 대응하여 통공되는 제2차홀을 성형하는 제2차홀 성형 단계; 및 대상물의 일영역을 기준으로, 대상물의 테두리부를 제거하여 가공품을 획득하는 가공품 획득 단계를 포함하는 샤워 헤드 제조 방법를 제공한다.
따라서, 샤워헤드가 공기 또는 분사가스 등과 반응하여 산화와, 부식이 발생되는 것을 방지할 수 있는 샤워 헤드 가공 방법을 제공할 수 있는 효과가 있다.

Description

샤워 헤드 가공 방법{Processing method for shower head}
본 발명은 샤워 헤드 가공 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 내부식성 및 내구성을 갖춘 샤워 헤드 가공 방법에 관한 것이다.
샤워헤드는 반도체, SOLAR, LCD OLED 등의 기술 분야에서 기판에 박막을 형성하기 위한 장치 부품들 중 하나로서 대략 판상의 본체부에 노즐 기능을 하는 다수개의 분사홀이 형성되어 각종 분사가스를 대상물의 표면에 분사시킨다. 이러한 분사 가스를 분사시키는 샤워헤드는 분사가스와의 반응성, 가공성 등을 고려하여 통상적으로 알루미늄 재질로 이루어진다.
그러나, 이러한 알루미늄 재질의 샤워 헤드는 공기 중에서 또는 분사가스와의 반응에 의하여 비교적 쉽게 산화되고, 부식이 발생되는 등의 문제점이 있다. 이를 해결하기 위하여 알루미늄 샤워헤드에 대하여 양극 산화 처리(Anodizing)와 같은 피막처리를 통해 소정 두께의 피막층을 형성시켜, 내식성과 내마모성을 높이도록 하고 있다.
또한, 이러한 양극 산화 처리는 인하여 파티클(Particle) 발생시킬 소지가 존재하기 때문에 기판의 불량발생 원인 될 수 있는 문제점이 있다.
또한, 알루미늄 재질의 샤워 헤드는 비록 양극 산화 처리를 하여 내식성과 내마모성을 높였다고는 하나, 여전히 산화와 부식 등으로 인하여 비교적 일정 주기로 빈번하게 교체를 해주어야 한다. 이러한 과정에서 고가의 제품인 웨이퍼 등에 대한 가공이 지연되어 제조상의 생산비용 손실로 이어지게 되는 문제점이 있다.
따라서, 기판에 효율적으로 가공하기 어려운 단점을 가진다.
한국공개특허 제10-2015-0035247호
본 발명은, 공기 또는 분사가스 등과 반응하여 산화와, 부식이 발생되는 것을 방지할 수 있는 샤워 헤드 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 기판에 박막 형성 시 파티클 발생을 방지할 수 있는 샤워 헤드 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 산화와 부식 등으로 인하여 교체 주기를 줄이고 웨이퍼 등에 대한 가공이 시간 지연을 방지하여 제조상의 손실비용 발생을 최소화 시킬 수 있는 샤워 헤드 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 기판의 박막 형성을 위한 샤워 헤드 제조 방법에 있어서,니켈(Nickel) 재질의 가공 대상물을 준비하는 대상물 준비 단계; 대상물 일면상의 일영역으로 유체가 투입되는 복수의 제1차홀을 성형하는 제1차홀 성형 단계; 유체를 분사시키기 위하여 대상물의 타면에 제1차홀들 각각에 대응하여 통공되는 제2차홀을 성형하는 제2차홀 성형 단계; 및 대상물의 일영역을 기준으로, 대상물의 테두리부를 제거하여 가공품을 획득하는 가공품 획득 단계를 포함하는 샤워 헤드 제조 방법을 제공한다.
또한, 대상물 준비 단계와 제1차홀 성형 단계 사이에 있어서, 대상물의 상면 및 하면 중 적어도 어느 일면을 평탄 처리하는 평탄 가공 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 평탄 처리는 황삭(Rough Grinding) 처리로 수행될 수 있다.
또한, 제1차홀 성형 단계에 있어서, 대상물의 상면에 소정 형상으로 제1가이드 라인을 설정하는 제1가이드 라인 설정 단계; 및 제1가이드 라인 내에 소정 형상으로 제2가이드 라인을 설정하는 제2가이드 라인 설정 단계를 더 포함하되, 제1차홀은 제2가이드 라인 내에 성형될 수 있다.
또한, 제1차홀은 테이퍼(Taper) 홀로 성형될 수 있다.
또한, 제2차홀 성형 단계에 있어서, 대상물의 하면에 제1가이드 라인에 대응하는 제3가이드 라인을 설정하는 제3가이드 라인 성형 단계; 및 제3가이드 라인 내에 제4가이드 라인을 성형하는 제4가이드 라인 설정 단계를 더 포함하되, 제2차홀은 제4가이드 라인 내에 성형될 수 있다.
또한, 대상물을 지그에 안착시킨 채 클램핑(Clamping)하는 클램핑 단계와, 대상물의 제2차홀 성형을 위해 클램핑을 해제하는 클램핑 해제 단계를 더 포함할 수 있다.
또한, 클램핑 단계는, 대상물의 일영역을 제외한 테두리부를 클램핑(Clamping)할 수 있다.
또한, 제1차홀 성형 단계와 제2차홀 성형 단계 사이에 있어서, 대상물을 소정의 지그(Jig)에 안착시킨 채 대상물의 테두리부와 지그를 통공시켜, 대상물과 지그 각각에 가이드 홀을 성형하는 가이드 홀 성형 단계와, 대상물을 지그로부터 분리시켜 지그에 성형된 가이드 홀에 가이드 핀을 설치하는 가이드 핀 설치 단계 및 대상물의 타면에 제2차홀을 성형하기 위하여 대상물의 타면이 상부를 바라보도록 뒤집고, 가이드 핀이 대상물의 가이드 홀에 삽입되도록 하여 대상물을 지그에 안착시키는 제2차홀 성형 준비 단계를 포함할 수 있다.
또한, 제2차홀 성형 준비 단계에서, 대상물의 타면이 상부를 바라보도록 뒤집히되, 대상물은 좌우 양측 방향 중 어느 일방향을 향해 뒤집혀 지그에 안착될 수 있다.
본 발명에 따른 샤워 헤드 가공 방법은 다음과 같은 효과를 가진다.
첫째, 공기 또는 분사가스 등과 반응하여 산화와, 부식이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
둘째, 기판에 박막 형성시 파티클 발생을 방지할 수 있다.
셋째, 산화와 부식 등으로 인하여 교체 주기를 줄이고 웨이퍼 등에 대한 가공이 시간 지연을 방지하여 제조상의 손실비용 발생을 절감시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 샤워 헤드 가공 방법을 도시한 흐름도이다.
도 2 내지 도 도 9는 도 1에 따른 샤워 헤드 가공 방법을 순차적으로 보여주는 도면들이다.
본 발명의 실시예들은 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 기술적 사상을 더욱 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이며, 하기 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 기술적 사상의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다. 오히려, 이들 실시예는 본 개시를 더욱 충실하고 완전하게 하고, 당업자에게 본 발명의 기술적 사상을 완전하게 전달하기 위하여 제공되는 것이다. 본 명세서에서 사용된 바와 같이, 용어 "및/또는"은 해당 열거된 항목 중 어느 하나 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. 동일한 부호는 시종 동일한 요소를 의미한다. 나아가, 도면에서의 다양한 요소와 영역은 개략적으로 그려진 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상은 첨부한 도면에 그려진 상대적인 크기나 간격에 의해 제한되지 않는다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 도 1에는 본 발명의 일 실시예에 따른 샤워 헤드 가공 방법(S100)의 흐름도가 도시되어 있고, 도 2 내지 도 9에는 도 1에 따른 샤워 헤드 가공 방법(S100)을 순차적으로 보여주는 도면들이 도시되어 있다. 도 1 내지 도 11을 참조하면, 먼저 대상물 준비 단계(S110)로서 가공 대상물(110)을 준비하는 대상물(110) 준비한다.(S110 단계 참조) 이러한 가공 대상물(110)은 최종 가공품을 가공하기 위한 모재(母材)로서 내부식성과 내구성이 좋은 재질의 금속을 사용할 수 있다. 바람직하게는 니켈(Nikel) 또는 니켈 합금(Nikel alloy) 등으로 이루어질 수 있다. 대상물(110)의 형상은 최종 가공품의 치수와 형상 등을 고려하여 다양하게 사용할 수 있다.
다음, 평탄 처리 단계(S115)에서는 대상물(110)의 상면 및 하면 중 적어도 어느 일면을 평탄 처리를 수행한다.(도 2 및 S115 단계 참조) 기판의 박막을 형성하기 위한 샤워 헤드는, 조립되는 면이 누적공차 때문에 일정수준의 평면도, 평행도가 요구된다. 평면도와, 평행도가 유지되지 않으면 정상적인 샤워 헤드로서 활용하기가 용이하지 않다. 때문에, 이러한 평탄 처리를 통해 대상물(110)의 평면도와 평행도를 일정수준으로 만족시킬 수 있다. 대상물(110)에 대한 평탄 처리는 절삭공구를 이용한 황삭(Rough Grinding) 처리로 수행될 수 있다
다음, 클램핑 단계(S120)에서는 대상물(110)을 지그(120)(Jig)에 안착시킨 채 클램핑(Clamping)한다.(도 3 및 S120 단계 참조) 본 발명의 일실시예에 따른 샤워 헤드를 가공하는 과정에서 대상물(110)의 유동을 방지하기 위한 것이다. 특히, 대상물(110)에 지그(120)와 함께 클램핑을 실시함으로써, 클램핑 실시 후와 클램핑 해제 후의 기하공차가 달라지는 것을 방지할 수 있다.
이때, 클램핑은 대상물(110)과 지그(120) 상호간을 클램핑 부재(130)(예: 고정구와, 리벳 등)로 고정할 수 있다. 그러나, 이는 예시적인 것으로서 이에 한정되지 않고 대상물(110)과 지그(120) 상호 간에는 기 공지된 다양한 방식을 적용하는 것도 가능하다. 특히, 여기서 클램핑 영역은 대상물(110)의 상면 일영역, 즉 후술하는 제1가이드라인을 침범하지 않는 테두리부를 클램핑하는 것이 바람직하다.
다음, 제1차홀 성형 단계(S125)에서는 대상물(110) 일면상의 일영역으로 유체가 투입되는 복수의 제1차홀(113a)을 성형한다.(도 3 및 S125 단계 참조) 이를 위하여 제1차홀 성형 단계(S125)는 제1가이드라인 설정 단계(S125a)와 제2가이드라인 설정 단계(S125b)를 포함할 수 있다.
제1가이드 라인 설정 단계(S125a)에서는 대상물(110)의 상면에 소정 형상으로 제1가이드 라인(111)을 설정한다.(도 3 및 S125a 단계 참조) 이러한 제1가이드 라인(111)은 샤워헤드의 최종 제품 형상에 대응하는 것이며, 제1차홀(113a)을 성형하기 위한 영역을 1차로 설정하는 것이다. 이러한 제1차 가이드 라인(111)은 절삭공구를 이용하여 정삭(Finishing)하거나 기계적 가공이외의 마킹(Marking) 등으로 수행될 수 있다.
제2가이드 라인 설정 단계(S125b)에서는 제1가이드 라인(111) 내에 소정 형상으로 제2가이드 라인(112)을 설정한다.(도 3 및 S125b 단계 참조) 이러한 제2가이드 라인(112)은 제1차홀(113a)을 성형하기 위한 영역을 제1가이드 라인(111) 내에서 2차로 설정하는 것이다. 이러한 제2차 가이드 라인 역시 절삭공구를 이용하여 정삭 하거나 기계적 가공이외의 마킹 등으로 수행될 수 있다 즉, 제1차홀(113a)은 제2가이드 라인(112) 내에서 성형될 수 있으며, 바람직하게 제1차홀(113a)은 테이퍼(Taper) 홀로 성형될 수 있다.(도 4 및 S125b 단계 참조)
다음, 가이드 홀 성형 단계(S130)에서는 대상물(110)의 테두리부로 가이드 홀(114)을 성형하되, 대상물(110)의 테두리부와 그 하방의 지그(120)를 함께 통공시켜, 대상물(110)과 지그(120) 각각에 가이드 홀(114)을 성형한다.(도 3, 도 4 및 S130 단계 참조)
다음, 클램핑 해제 단계(S135)에서는 대상물(110)의 제2차홀(116a) 성형을 위해 상기 클램핑을 해제한다.(S135 단계 참조)
다음, 가이드 핀 설치 단계(S140)에서는 대상물(110)을 지그(120)로부터 분리시켜 지그(120)에 성형된 가이드 홀(114)에 가이드 핀(140)을 설치한다.(S140 단계 참조) 여기서 가이드 핀(140)은 지그(120)에 형성된 가이드 홀(114)과 끼움방식으로 결합시키거나, 정회전 또는 역회전 나사 방식 등으로 체결시킬 수 있다.
다음, 제2차홀 성형 준비 단계(S145)에서는 대상물(110)의 타면에 제2차홀(116a)을 성형하기 위하여 대상물(110)의 타면이 상부를 바라보도록 뒤집고, 가이드 핀(140)이 대상물(110)의 가이드 홀(114)에 삽입되도록 하여 대상물(110)을 지그(120)에 안착시킨다.(도 5 및 S145 단계 참조) 여기서, 대상물(110)은 타면이 상부를 바라보도록 뒤집되, 대상물(110)은 좌우 양측 방향 중 어느 일방향을 향해 뒤집혀 지그(120)에 안착되도록 할 수 있다.
다음, 제2클램핑 단계(S150)에서는 다시 대상물(110)을 클램핑 한다.(도 5 및 S150 단계 참조) 이러한 제2클램핑 단계(S150)는 전술한 클램핑 단계(S120)와 동일한 방식으로 적용될 수 있다.
다음, 제2차홀 성형 단계(S155)에서는 제1차홀(113a)로 유입되는 유체를 분사시키기 위하여 대상물(110)의 타면에 제1차홀(113a)들 각각에 대응하여 통공되는 제2차홀(116a)을 성형한다.(도 6, 도 7 및 S155 단계 참조) 이를 위하여, 제2차홀 성형 단계(S155)는 제3가이드 라인 설정 단계(S155a)와 제4가이드 라인 설정 단계(S155b)를 포함할 수 있다.
제3가이드 라인 설정 단계(S155a)에서는, 대상물(110)의 타면에 제1가이드 라인(111)에 대응하는 제3가이드 라인(115)을 설정한다.(도 6 및 S155a 단계 참조)
제4가이드 라인 설정 단계(S155b)에서는, 제3가이드 라인(115) 내에 제4가이드 라인(116)을 설정한다.(도 6 및 S155b 단계 참조) 이러한 제3가이드 라인 설정 단계(S155a)와 제4가이드 라인 설정 단계(S155b)는 전술한 제1가이드 라인 설정 단계(S125a)와 제2가이드라인 설정 단계(S125)에 각각 유사한 방식으러 수행될 수 있다.
또한, 제3가이드 라인(115)은 대상물(110)의 타면에서 제1가이드 라인(111)과 대응되는 위치에 설정되고, 제4가이드 라인(116)은 대상물(110)의 타면에서 제2가이드 라인(112)과 대응되는 위치에 설정될 수 있다. 따라서, 제2차홀(116a)은 제4가이드 라인(116) 내에서 제1차홀(113a)과 대응하여 통공되도록 설정될 수 있다.(도 7 참조)
그러나, 제3가이드 라인 설정 단계(S155a)와 제4가이드 라인 설정 단계(S155b)는 필요에 따라서 수행될 수 있는 것으로서, 이는 대상물(110)이 가이드 핀(140)에 의하여 대상물(110)의 일면과 타면의 동일한 영역에 대하여 가공이 가능하도록 가이드 되기 때문이다.
다음, 가공품 획득 단계(S160)에서는 대상물(110)의 일영역을 기준으로, 대상물(110)의 테두리부를 제거하여 가공품을 획득한다.(도 8, 도 9 및 S160 단계 참조) 보다 구체적으로, 대상물(110)은 지그(120)에 클램핑 상태로 안착되어 있으며, 제4가이드 라인(116)을 기준으로 외곽의 테두리부를 제거하는 것이다. 이를 위해서 정삭 가공을 수행할 수 있으며, 정삭 가공 외에도 다양한 가공법으로 테두리부의 제거가 가능하다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
110 : 대상물 111 : 제1가이드 라인
112 : 제2가이드 라인 113 : 함몰영역
113a : 제1차홀 114 : 가이드 홀
115 : 제3가이드 라인 116 : 제4가이드 라인
116a : 제2차홀 120 : 지그
130 : 클램핑 부재 140 : 가이드 핀

Claims (9)

  1. 기판의 박막 형성을 위한 샤워 헤드 제조 방법에 있어서,
    니켈(Nickel) 재질의 가공 대상물을 준비하는 대상물 준비 단계;
    상기 대상물 일면상의 일영역으로 테이퍼지는 복수의 제1차홀을 성형하는 제1차홀 성형 단계;
    유체를 분사시키기 위하여 상기 대상물의 타면에 상기 제1차홀들 각각에 대응하여 통공되는 일자형의 제2차홀을 성형하는 제2차홀 성형 단계; 및
    상기 대상물의 상기 일영역을 기준으로, 상기 대상물의 테두리부를 제거하여 가공품을 획득하는 가공품 획득 단계를 포함하며,
    상기 제1차홀 성형 단계와 상기 제2차홀 성형 단계 사이에 있어서,
    상기 대상물을 소정의 지그(Jig)에 안착시킨 채 상기 대상물의 테두리부와 상기 지그를 통공시켜, 상기 대상물과 상기 지그 각각에 가이드 홀을 성형하는 가이드 홀 성형 단계와,
    상기 대상물을 상기 지그로부터 분리시켜 상기 지그에 성형된 가이드 홀에 가이드 핀을 설치하는 가이드 핀 설치 단계 및
    상기 대상물의 상기 타면에 상기 제2차홀을 성형하기 위하여 상기 대상물의 상기 타면이 상부를 바라보도록 뒤집고, 상기 가이드 핀이 상기 대상물의 가이드 홀에 삽입되도록 하여 상기 대상물을 상기 지그에 안착시키는 제2차홀 성형 준비 단계를 더 포함하는 샤워 헤드 제조 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 대상물 준비 단계와 상기 제1차홀 성형 단계 사이에 있어서,
    상기 대상물의 상면 및 하면 중 적어도 어느 일면을 평탄 처리하는 평탄 가공 단계를 더 포함하는 샤워 헤드 제조 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 평탄 처리는 황삭(Rough Grinding) 처리를 포함하는 샤워 헤드 제조 방법.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1차홀 성형 단계에 있어서,
    상기 대상물의 상면에 소정 형상으로 제1가이드 라인을 설정하는 제1가이드 라인 설정 단계; 및
    상기 제1가이드 라인 내에 소정 형상으로 제2가이드 라인을 설정하는 제2가이드 라인 설정 단계를 더 포함하되,
    상기 제1차홀은 상기 제2가이드 라인 내에 성형되는 샤워 헤드 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제2차홀 성형 단계에 있어서,
    상기 대상물의 타면에 제1가이드 라인에 대응하는 제3가이드 라인을 설정하는 제3가이드 라인 성형 단계; 및
    상기 제3가이드 라인 내에 제4가이드 라인을 성형하는 제4가이드 라인 설정 단계를 더 포함하되,
    상기 제2차홀은 상기 제4가이드 라인 내에 성형되는 샤워 헤드 제조 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 대상물을 지그에 안착시킨 채 클램핑(Clamping)하는 클램핑 단계와,
    상기 대상물의 상기 제2차홀 성형을 위해 상기 클램핑을 해제하는 클램핑 해제 단계를 더 포함하는 샤워 헤드 제조 방법.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 클램핑 단계는, 상기 대상물의 상기 일영역을 제외한 테두리부를 클램핑(Clamping)하는 샤워 헤드 제조 방법.
  8. 삭제
  9. 제1항에 있어서,
    상기 제2차홀 성형 준비 단계에서, 상기 대상물의 상기 타면이 상부를 바라보도록 뒤집히되, 상기 대상물은 좌우 양측 방향 중 어느 일방향을 향해 뒤집혀 상기 지그에 안착되는 샤워 헤드 제조 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101856489B1 (ko) * 2018-02-06 2018-06-19 주식회사 탑텍 샤워헤드 지그 및 이를 이용한 샤워헤드 제조방법
KR101963859B1 (ko) * 2018-01-12 2019-03-29 정성욱 반도체 에칭용 샤워헤드 제조 장치 및 제조 방법, 및 제조 장치의 제조 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133237A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Kyocera Corp シャワープレート
JP2005219353A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Brother Ind Ltd ノズルプレート、ノズルプレート製造方法、及びインクジェットヘッド製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003133237A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Kyocera Corp シャワープレート
JP2005219353A (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Brother Ind Ltd ノズルプレート、ノズルプレート製造方法、及びインクジェットヘッド製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101963859B1 (ko) * 2018-01-12 2019-03-29 정성욱 반도체 에칭용 샤워헤드 제조 장치 및 제조 방법, 및 제조 장치의 제조 방법
KR101856489B1 (ko) * 2018-02-06 2018-06-19 주식회사 탑텍 샤워헤드 지그 및 이를 이용한 샤워헤드 제조방법

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