KR101573710B1 - 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 양극, 음극 및 양극과 음극 사이에 개재된 전자 주입층, 전자 수송층, 발광층, 정공 수송층, 유기물 정공 주입층을 구비하고, 상기 유기물 정공 주입층과 상기 양극 사이에 금속 산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 물질을 포함한 금속 산화물 정공 주입층이 개재된 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드 및 이의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 우수한 전기적, 광학적 특성을 갖는 바, 이를 이용하면 구동 전압 및 광효율 특성이 향상된 평판 디스플레이를 얻을 수 있다.

인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드, 금속 산화물 정공 주입층

Description

유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법{Organic light emitting diode and method of manufacturing the same}

본 발명은 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 금속산화물의 정공 주입층을 갖는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드(inverted top-emitting organic light emitting diode; ITOLED) 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

1987년 C. W. Tang과 S. A. Van Slyke가 유기 발광 다이오드를 발표한 이래로 양극은 투명하고 전도성이 좋으며 일함수가 4.7eV로 큰 ITO(indium tin oxide)막이 일반적으로 사용되고 있다. 상기 ITO로 이루어진 양극을 사용한 일반적인 OLED의 경우, 발광층으로부터 생성된 빛이 양극, 즉 ITO를 통해서 추출되는 배면 발광(bottom-emitting)형 OLED가 된다. 그러나 능동 구동 OLED(Active matrix OLED)의 경우 1개의 OLED를 구동시키기 위해서는 2개 이상의 트랜지스터가 필요하기 때문에, 이와 같은 트랜지스터 때문에 OLED의 발광층에서 생성된 빛이 추출되는 능력, 즉 개구율이 감소되는 단점이 있다.

이를 해결하기 위하여, 음극, 양극 모두를 투명 전도성 산화물인 ITO로 사용하는 투명 OLED(transparent OLED)에 대한 연구가 시작되었고, 그 후 배면 (bottom) 전극으로 Ag, Al 등, 반사율이 90 % 이상으로 큰 물질을 사용함으로써 개구율 향상 효과를 극대화 할 수 있는 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 대한 연구가 진행되었다. 한편 전면 발광형 유기 발광 다이오드 중, 배면 전극으로서 캐소드를 사용하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 전기적 특성, 특히 전하 이동도가 우수한 n-채널 트랜지스터를 AMOLED에 적용할 수 있게 한다는 점에서 능동 구동 OLED에 사용하기에 매우 적합하다.

이러한 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제작에 있어서 중요한 과제 중의 하나가 정공 주입전극 또는 전자 주입 전극으로부터 발광층으로의 정공 또는 전자주입 능력의 개선이다. 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 상부 전극 (투명 양극)으로서 각각 Au와 Ag 등이 주로 쓰이고 있는데 이 물질들은 열증착이 가능하여 공정편의성은 우수하지만, 일반적인 유기물 정공 수송층의 Highest occupied molecular orbital(HOMO) 준위인 5.2eV ~ 5.8eV보다 낮은 4.7eV ~ 5.1eV의 일함수를 가지기 때문에 이들을 소자의 양극으로 사용할 경우 전극과 유기물층과의 정공 주입 장벽이 존재하여 정공주입 효율을 떨어뜨리는 단점을 지니고 있다. 따라서 도 1a에 도시한 바와 같이 양극과 유기물층 사이에 따라서, 깊은 HOMO 준위 특성을 가지는 유기물 정공 주입층이 사용되고 있다. 이와 같은 유기물 정공 주입층으로는 폴리티오펜 배합물, PEDOT와 같은 고분자 물질과 MTDATA, copper phthalocyanine와 같은 저분자 물질이 사용되고 있다. (대한민국 특허 제 2005-0011163, 대한민국 특허 제 2000-0038619) 상기 고분자 정공 주입층의 경우 용액공정에 사용된 유기 용매에 상기 정공 주입층 하부에 이미 형성된 정공 수송층 또는 발광층을 이루는 재료가 녹을 수 있는 단점이 있다. 상기 저분자 정공 주입층의 경우 HOMO 준위가 5.3 ~ 5.5 eV에 존재하게 되어 양극과의 정공 주입 장벽을 형성하는 단점이 있다.

그래서 대한민국 특허출원 제 2007-0077459에서는 높은 일함수 특성의 금속 산화물 재료를 배면 발광형 유기발광 다이오드의 정공 주입층으로 사용하여 발광효율을 증가시키는 방법을 제시하고 있다. 그러나 이와 같은 금속 산화물 재료를 형성하기 위해서는 스퍼터링 방법 또는 졸-겔 방법을 사용하기 때문에 하부에 정공 수송층 또는 발광층 상에 형성이 불가능하여 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드에 적용할 수 없음을 전제하고 있다.

본 발명은 전술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로, 금속 산화물을 포함하는 정공 주입층을 구비한 인버티드(inverted) 전면 발광형 유기 발광 다이오드(top emitting organic light emitting diodes) 및 이의 제조 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.

상기 기술적 과제를 달성하기 위하여, 본 발명의 인버티드 (inverted) 전면발광형 유기 발광 다이오드(top emitting organic light emitting diodes)는 유리 기판 상에 음극이 형성되어 있고, 상기 음극상에 전자 주입층이 형성되어 있다. 상기 음극은 Al 막으로 구성할 수 있다. 상기 전자 주입층은 LiF로 구성할 수 있다. 상기 전자 주입층 상에는 발광층이 형성되어 있다. 상기 발광층은 tris(8-hydroxyquinoline)aluminum (Alq₃)로 구성할 수 있다. 상기 발광층은 전자 주입층 역할을 동시에 수행하게 된다. 상기 발광층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있고 상기 정공 수송층 상에는 유기물 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 정공 수송층은 N,N′-dinaphtyl-N,N-diphenyl bendizine(α-NPD)로 구성할 수 있으며, 상기 유기물 정공 주입층은 copper phthalocyanine(CuPc)로 구성할 수 있다. 상기 유기물 정공 주입층 상에는 금속 산화물 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 금속 산화물 정공 주입층의 예로는 CeO₂, CuO, V₂O₅, SnO₂ 들 수 있다. 상기 금속 산화물 정공 주입층 상에는 양극이 형성되어 있다. 상기 양극은 Au막으로 구성할 수 있다.

이상과 같이 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 유기물 정공 주입층과 양극막 사이에 금속 산화물층 정공 주입층을 형성하여 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 소자의 개시 전압 및 동작 전압을 낮출 수 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 유기물 정공 주입층인 CuPc와 양극인 Au막 사이에 일함수가 크고 광투과도 특성이 우수한 금속 산화물막으로 정공 주입층이 형성되어 있다. 이에 따라, 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 금속 산화물 정공 주입층에 의해 양극과 유기물 정공 수송층 사이의 정공 주입 장벽을 낮추어 줌으로써 개시 전압을 낮추고 휘도를 향상시켰으며 전자와 정공의 재결합 효율을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있다.

이하, 첨부 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다. 그러나, 다음에 예시하는 본 발명의 실시예는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 다음에 상술하는 실시예에 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 실시예 는 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공 되어지는 것이다. 도면에서 막 또는 영역들의 크기 또는 두께는 명세서의 명확성을 위하여 과장되어진 것이다.

도 1(b)는 본 발명에 의한 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략도이다.

구체적으로, 본 발명에 의한 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드는 유리기판상에 음극이 형성되어 있다. 상기 음극은 Al 막으로 구성한다. 상기 음극 상에는 전자 주입층이 형성되어 있다. 상기 전자 주입층은 LiF로 구성한다. 상기 전자 주입층 상에는 발광층이 형성되어 있다. 상기 발광층은 전자 수송층의 역할도 동시에 수행한다. 상기 발광층은 Alq₃로 구성한다. 상기 발광층 상에는 정공 수송층이 형성되어 있다. 상기 정공 수송층은 α-NPD로 구성한다. 상기 정공 수송층 상에는 유기물 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 유기물 정공 주입층은 CuPc로 구성한다. 상기 유기물 정공 주입층 상에는 금속 산화물 정공 주입층이 형성되어 있다. 상기 금속 산화물 정공 주입층의 예로는 CeO₂, CuO, V₂O₅ 또는 SnO₂로 구성한다.

상기 금속 산화물 정공 주입층 상에는 양극이 형성되어 있다. 상기 양극은 Au막으로 구성한다.

도 2는 본 발명에 의한 유기 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

구체적으로, 유리 기판 상에 음극을 형성한다. 상기 음극은 Al 막으로 형성 한다. 이어서, 상기 음극인 Al 막 표면에 금속 질화물을 형성하고 공정중에 발생된 표면 탄소를 제거하기 위해서 질소 플라즈마 처리를 수행한다. 음극인 Al 막의 질소 플라즈마 처리는 플라즈마 파워 25W, 공정 압력 100mTorr, 주입되는 질소 유량 10sccm, 그리고 질소 플라즈마 처리 시간 30초의 조건에서 수행하였다. 상기 음극인 Al막의 질소 플라즈마 처리는 필요에 따라 수행하지 않을 수 있다.

다음에, 상기 질소 플라즈마 처리된 음극 상에 전자 주입층을 형성한다. 상기 전자 주입층은 LiF로 형성한다.

상기 전자 주입층 상에 발광층을 형성한다. 상기 발광층은 전자 수송층의 역할도 동시에 수행한다. 상기 발광층은 Alq₃로 형성한다.

상기 발광층 상에 정공 수송층을 형성한다. 상기 정공 수송층은 α-NPD로 형성한다.

상기 정공 수송층 상에 유기물 정공 주입층을 형성한다. 상기 유기물 정공 주입층은 CuPc로 형성한다.

상기 유기물 정공 주입층 상에 금속 산화물 정공 주입층을 형성한다. 상기 금속 산화물 정공 주입층의 예로는 CeO₂, CuO, V₂O₅ 또는 SnO₂로 구성한다. 상기 정공 주입층을 구성하는 금속 산화물층은 5~100Å의 두께로 형성한다.

상기 정공 수송층 상에 양극 형성한다. 상기 양극은 Au로 형성한다.

도 3은 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 금속 산화물 정공 주입층의 종류에 따른 전압-전류밀도 특성을 도시한 그래프이다.

구체적으로, 금속 산화물 정공 주입층 사용 유무 및 물질 종류에 따른 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전기적 특성 변화를 알아보기 위해 세가지 종류의 금속 산화물 정공 주입층 (CeO₂, CuO, V₂O₅) 사용 전후에 따른 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전압-전류밀도 특성을 측정하였다.

음극인 Al막의 두께는 1500Å, 전자 주입층인 LiF의 두께는 10Å, 발광층인 Alq₃의 두께는 220Å, 정공 수송층인 α-NPD의 두께는 350Å, 유기물 정공 주입층인 CuPc의 두께는 180Å, 금속 산화물 정공 주입층의 두께는 10Å, 그리고 양극인 Au 막의 두께는 300Å으로 하였다. 금속 산화물 정공 주입층 물질로는 CeO₂, CuO, V₂O₅를 사용하였으며 OLED 제작에 사용된 유기물, 금속 산화물, 금속 박막은 열증착 공정을 이용하여 형성하였다.

도 3에서, Ref (Without HIL)은 금속 산화물 정공 주입층을 사용하지 않은 기준 (reference) 소자를 나타내며, 10Å-CeC₂,10Å-CuO,10Å-V₂O₅은 금속 산화물 정공 주입층으로 10Å 두께의 CeO₂, CuO, V₂O₅를 사용한 소자를 나타낸다. 도 3에서 보듯이 금속 산화물 정공 주입층이 사용되었을 경우 개시 전압이 낮아지는 것을 알 수 있다. 구체적으로 정공 주입층으로 10Å-CeO₂이 사용된 경우 개시 전압이 3.4V 감소하였으며 CuO, V₂O₅가 정공 주입층으로 사용된 경우 각각 3.5V, 3.1V 감소하였다.

이것은 유기물/양극 사이에 금속 산화물 정공 주입층이 삽입되어 일함수가 큰 금속산화물 삽입층이 정공 주입 장벽을 감소시켜 그로 인해 정공 주입 효율이 증가하여 소자의 전기적 특성이 향상되는 것이다.

도 4는 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 금속 산화물 정공 주입층의 종류에 따른 전압-휘도 특성을 도시한 그래프이다.

구체적으로, 금속 산화물 정공 주입층 사용 유무 및 물질 종류에 따른 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 광학적 특성 변화를 알아보기 위하여 세가지 종류의 금속 산화물 정공 주입층 사용 전후에 따른 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전압-휘도 특성을 측정하였다. 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조예는 상기 도 3에서 언급한 제조예와 동일한 방법을 이용하였다.

도 4에서, Ref(Without HIL)는 금속 산화물 정공 주입층을 사용하지 않은 기준 (reference) 소자를 나타내며, 10Å-CeC₂,10Å-CuO,10Å-V₂O₅은 금속 산화물 정공 주입층으로 10Å 두께의 CeO₂, CuO, V₂O₅를 사용한 소자를 나타낸다. 도 4에서 보듯이 금속 산화물 정공 주입층이 사용되었을 경우 동일 휘도를 나타내기 위한 구동전압이 크게 감소하였음을 알 수 있다. 구체적으로 금속 산화물 정공 주입층을 사용하지 않은 소자의 경우 75 cd/m²의 휘도 특성을 나타내기 위해 17.2 V의 구동전압이 필요한 반면 정공 주입층으로 10Å-CeC₂,10Å-CuO,10Å-V₂O₅이 사용된 경우 각각 12.0, 11.8, 13.8V의 구동전압 특성을 보였다.

이것은 양극인 유기물/양극 사이에 금속 산화물 정공 주입층이 삽입되어 일 함수가 큰 금속산화물 삽입층이 정공 주입 장벽을 감소시켜 그로 인해 정공 주입 효율이 증가하여 소자의 내부 양자 효율이 향상되는 것이다.

도 5는 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 금속 산화물 정공 주입층인 CeO₂의 두께에 따른 전압-전류밀도 특성을 도시한 그래프이다.

구체적으로, 정공 주입층인 CeO₂막의 최적화된 두께 조건을 알아보기 위해서 CeO₂의 두께에 따른 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 전압-전류밀도 특성을 측정하였다.

음극인 Al막의 두께는 1500Å, 전자 주입층인 LiF의 두께는 10Å, 발광층인 Alq₃의 두께는 220Å, 정공 수송층인 α-NPD의 두께는 350Å, 유기물 정공 주입층인 CuPc의 두께는 180Å으로 하였다. 상기 CuPc상에 금속 산화물 정공 주입층으로 CeO₂를 증착하였으며 두께는 0, 5, 10, 20, 50Å으로 변화하였다. 상기 CeO₂ 정공 주입층 상에 Au로 양극을 형성하였으며 두께는 300Å으로 하였다. 유기발광 다이오드 제작에 사용된 유기물, 금속 산화물, 금속 박막은 열증착 공정을 이용하여 형성하였다.

도 5에서, 0Å-CeO₂는 CeO₂ 정공 주입층을 사용하지 않은 기준 (reference) 소자를 나타내며, 5Å-CeO_{2 ,} 10Å-CeO_{2 ,} 20Å-CeO_{2 ,} 50Å-CeO₂은 금속 산화물 정공 주입층으로 CeO₂를 각각 5, 10, 20, 50Å 사용한 소자를 나타낸다. 도 5에 도시한 바 와 같이 정공 주입층인 CeO₂막의 두께가 10 또는 20Å일 때 전압-전류밀도 특성이 가장 우수함을 알 수 있다. 또한 정공 주입층인 CeO₂막의 두께가 20Å이 될 때까지, 즉 5Å~20Å 까지는 전압-전류밀도 특성이 향상되지만 50Å 이상일 경우에는 나빠지는 것을 알 수 있다. 구체적으로 정공 주입층으로 CeO₂가 5, 10, 20Å 사용된 경우 개시 전압이 각각 2.1V, 3.4V, 3.5V 감소하였으며 CeO₂가 50Å 사용된 경우 개시 전압이 1.8V 증가하였다.

이것은 정공 주입층인 CeO₂막이 10~20Å이 되었을 때 유기물 정공 주입층인 CuPc막 전체를 커버하여 CeO₂ 막이 정공 주입 장벽을 낮추어 주는 역할을 제대로 하는데 반하여, 50Å 이상이 되면 CeO₂막이 정공 주입 장벽을 낮추는 역할을 하기 보다는 CeO₂막 자체의 저항이 더 커져서 전압-전류 밀도 특성이 나빠지는 것이다.

도 6은 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 금속 산화물 정공 주입층으로 glass 기판상에 증착된 CeO₂의 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광 투과도를 도시한 그래프이다.

구체적으로, CeO₂ 증착에 따른 금속산화물 정공주입층의 가시광선 영역에서의 광투과도 손실을 알아보기 위하여 CeO₂의 두께에 따른 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드 정공 주입층의 가시광선 영역의 광투과도를 측정하였다. 증착 기판은 glass를 사용하였으며 CeO₂의 두께는 5, 10, 20, 50 으로 변화시켜 가며 측정하였다.

도 6에서, 5Å-CeO_{2 ,} 10Å-CeO_{2 ,} 20Å-CeO_{2 ,} 50Å-CeO₂은 glass 기판위에 CeO₂를 각각 5, 10, 20 및 50Å 증착한 시편의 광 투과도를 나타낸다. 도 6에서 보는 바와 같이 glass위에 CeO₂가 코팅된 시편의 경우에 가시 광선 영역에서 모두 98 % 이상의 높은 광투과도를 나타내고 있으며 특히 발광층인 Alq₃의 발광 영역인 520 nm 파장에서 CeO₂가 5, 10, 20 및 50Å 증착된 시편의 경우 각각 99.8%, 99.2%, 99.1%, 98.4%의 높은 광투과도 특성을 나타내고 있음을 알 수 있다.

도 7은 본 발명에 따라 Au가 증착된 Si 기판위에 증착된 Au/CuPc막과 Au/CeO₂/CuPc 막의 이차 컷오프 스펙트라 (secondary cut-off spectra)를 도시한 그래프이다.

구체적으로, Au가 500Å 증착된 Si 기판위에 증착된 20Å-Au /180Å-CuPc막과 20Å-Au/10Å-CeO₂/180Å-CuPc막의 일함수를 비교하기 위하여 UPS (Ultraviolet photoelectron spectroscopy) 분석을 실시하였다.

도 7에서 Au/CuPc는 기판위에 증착된 20Å-Au/180Å-CuPc 시편, Au/CeO₂/CuPc는 기판위에 증착된 20Å-Au/10Å-CeO₂/180Å-CuPc 시편을 의미한다.

구체적으로, 도 7에 도시한 바와 같이 Au/CuPc 시편에 비해 Au/CeO₂/CuPc 시편이 일함수가 증가하였으며 그 값은 약 0.15eV에 해당한다. 이것은 일함수가 큰 CeO₂가 CuPc 상부에 증착됨에 따라 정공주입층/양극 계면에서의 일함수가 증가하였기 때문이다. 이와 같은 이유로 인하여 앞서 설명한 바와 같이 CeO₂ 막으로 정공 주입층을 이용한 경우 전압-전류 밀도 특성 및 전압-휘도 특성이 향상된 것으로 생각된다.

도 1a는 인버티드 전면 발광형 유기발광 다이오드의 종래 기술을 설명하기 위한 개략도이며 도 1b는 본 발명에 의한 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드를 설명하기 위한 개략도이다.

도 2는 본 발명에 의한 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

도 3는 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 금속 산화물 정공 주입층 종류에 따른 전압-전류밀도 특성을 도시한 그래프이다.

도 4는 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 금속 산화물 정공 주입층 종류에 따른 전압-휘도 특성을 도시한 그래프이다.

도 5은 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 정공 주입층인 CeO₂ 두께에 따른 전압-전류밀도 특성을 도시한 그래프이다.

도 6은 본 발명의 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 정공 주입층인 CeO₂ 두께에 따른 가시광선 영역에서의 광투과도 특성을 도시한 그래프이다.

도 7은 본 발명에 따라 Au 막이 증착된 Si 기판위에 증착된 Au/CuPc막과 Au/CeO₂/CuPc 막의 이차 컷오프 스펙트라 (secondary cut-off spectra)를 도시한 그래프이다.

Claims (11)

1. 유리 기판상에 형성된 음극;

   상기 음극상에 형성된 전자 주입층;

   상기 전자 주입층상에 형성된 발광층;

   상기 발광층상에 형성된 정공 수송층;

   상기 정공 수송층상에 형성된 유기물 정공 주입층;

   상기 유기물 정공 주입층상에 형성된 금속 산화물 정공 주입층; 및

   상기 금속 산화물 정공 주입층상에 형성된 양극을 포함하여 이루어지고,

   상기 금속 산화물 정공 주입층을 구성하는 금속 산화물은 CeO₂, CuO, V₂O₅, SnO₂, AgO, MoO₃, WO₃, NiO 인 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드.
2. 삭제
3. 삭제
4. 청구항 1에 있어서,

   유기물 정공 주입층으로 CuPc를 사용하고 그 위에 금속 산화물을 형성하거나, 금속 산화물의 아래와 위에 동시에 CuPc층을 사용하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드.
5. 청구항 1에 있어서, 상기 음극은 Al막으로 구성하고, 상기 전자 주입층은 LiF로 구성하고, 상기 발광층은 Alq₃로 구성하고, 상기 정공 수송층은 α-NPD로 구성하고, 상기 유기물 정공 주입층은 CuPc로 구성하고 상기 양극은 Au막으로 구성하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드
6. 유리 기판 상에 음극을 형성하는 단계;

   상기 음극 표면에 질화물층을 형성하기 위해 질소 플라즈마 처리를 수행하는 단계;

   상기 음극 상에 전자 주입층을 형성하는 단계;

   상기 전자 주입층 상에 발광층을 형성하는 단계;

   상기 발광층 상에 정공 수송층을 형성하는 단계;

   상기 정공 수송층 상에 유기물 정공 주입층을 형성하는 단계;

   상기 유기물 정공 주입층 상에 금속 산화물 정공 주입층을 형성하는 단계;

   상기 금속 산화물 정공 주입층의 일함수를 크게 하기 위해 산소 플라즈마 처리를 수행하는 단계;

   상기 금속 산화물 정공 주입층 상에 양극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지고,

   상기 금속 산화물 정공 주입층을 구성하는 금속 산화물은 CeO₂, CuO, V₂O₅, SnO₂, AgO, MoO₃, WO₃, NiO로 형성하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
7. 삭제
8. 청구항 6에 있어서, 상기 금속 산화물 정공 주입층을 구성하는 금속 산화물층은 5 ~ 100Å의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
9. 청구항 6에 있어서, 상기 금속 산화물 정공 주입층의 형성 방법으로 RF 스퍼터, DC 스퍼터 또는 전자선 증착법 및 열증착법을 사용하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
10. 청구항 6에 있어서, 상기 금속 산화물 정공 주입층을 형성한 후 상기 정공 주입층에 산소 플라즈마 처리를 수행하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법.
11. 청구항 6에 있어서, 상기 음극은 Al막으로 형성하고, 상기 전자 주입층은 LiF로 형성하고, 상기 발광층은 Alq₃로 형성하고, 상기 정공 수송층은 α-NPD로 형성하고, 양극은 Au로 형성하는 것을 특징으로 하는 인버티드 전면 발광형 유기 발광 다이오드의 제조 방법.

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