KR101570653B1 - 이온 빔 소스 - Google Patents

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에스피피 프로세스 테크놀로지 시스템즈 유케이 리미티드
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Abstract

본 발명은 무전기 도전성 표적(14)에 사용하기 위한 이온 빔 소스(10)에 관한 것으로, 이온을 추출하기 위한 그리드(13) 및 이온을 추출하기 위한 그리드(13)에 통과 전력을 제공하기 위한 전원 공급기를 포함한다.

Description

이온 빔 소스{Ion Beam Source}
본 발명은 이온 빔 소스 및 이의 동작방법에 관한 것이다.
이온 빔 증착 시스템은 도전성 금속표적이 어떠한 대전(charging)이나 열 방출도 피하여 뛰어난 전기적 및 열적 경로를 제공하기 때문에 금속 증착에 매우 적합하다.
이러한 시스템은 절연물질 증착용으로 사용할 수 있으나, 표적은 그 표면에 존재하는 양의 이온 플럭스(ion flux) 때문에 짧은 시간에 대전될 수 있다. 이는 종종 아크(arc)를 초래하는데, 보통 소스 내에서 일어난다.
종래의 해결책은 열선(hot wire)과 같은 전자의 2차적 소스를 제공하는 것이었고, 이는 전자의 열이온 방출 또는 카프만 셀(Kaufman cell), 중공 음극(hollow cathode) 또는 유도결합형 플라즈마(inductively coupled plasma)와 같은 플라즈마 소스를 제공한다.
이러한 장치들을 수십 년 동안 사용해 오는 동안에, 수많은 문제점이 알려졌다. 특히 이들은 이온 소스, 표적 및 서브스트레이트(substrate)의 동작을 방해할 수 있는 진공 시스템 내부에 설치되어야 한다. 열선 기술은 오염을 일으킬 수 있고, 열 팽창 및 수축에 의하여 신뢰할 수 없으며 불활성 진공 분위기에서만 동작할 수 있다. 플라즈마 소스는 모두 열 관리 및 잠재적 오염을 고려해야 하는 부담을 가진다.
본 발명의 목적은 이온 빔 소스에 대한 펄스 전원 공급기를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 다른 목적은 이온 빔 스퍼터링을 위한 이온 빔 소스를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 이온 빔 스퍼터링을 위한 이온 빔 소스와 관련된 용도를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 각 그리드 또는 출력 및 클럭 펄스의 공통 소스에 대한 회로를 포함하여 3개 또는 그 이상의 동기화 펄스 출력을 제공하기 위한 것이다.
기타 본 발명의 목적은 첨부된 도면을 참조하여 설명되는 상세한 설명에 의하여 모두 달성될 수 있다.
하나의 형태로부터, 본 발명은 이온을 추출하기 위한 그리드 및 그리드가 이온을 추출하도록 펄스 전력을 공급하기 위한 전원 공급기를 포함하는 무전기 전도성 표적(non-electrical conducting target)과 같이 사용하기 위한 이온 빔 소스를 포함한다.
출원인들은 빔을 펄싱(pulsing)함에 의하여, 절연 표적으로 향하는 양의 이온 스트림이 짧은 시간 동안 멈춘다는 사실을 인식하였다. 이는 이온 소스 및/또는 챔버 플라즈마에서 생성된 전자가 충분히 중화되도록 하기 위한 충분한 시간을 제공하고, 표적을 충분히 방전시킨다. 본 명세서의 목적을 위한 "충분히 방전된다" 함은 표적이 아크의 발생 없이 스퍼터(sputter) 기간 동안에 아크 발생 없이 작용하도록 할 필요가 있는 방전을 말한다. 소스를 떠나는 이온과 실제 동작을 위한 표적 사이에 잠재적 차이가 충분히 있음을 가정하면, 표적에 분포된 일부 전하는 수용될 수 있다.
바람직한 구현예에서, 전원 공급기는 DC 공급기, 그리드에 전력 공급을 단속하기 위한 전력 스위치 및 전력 스위치를 스위칭하기 위한 펄스 발생기를 포함한다. 또한, 그리드에 전력을 스위칭하기 위한 전력 공급기는 DC 공급 전압과 그라운드 사이에서 그리드를 스위칭할 수도 있다.
후자의 경우, 그 회로는 DC 공급 전압 레일(rail)과 중간점 사이에 연결된 제1 FET, 중간점과 그라운드 사이에 연결된 제2 FET, 각 해당 FET와 평행으로 상호 연결된 한 쌍의 다이오드, 중간점에 연결되고 그리드와 연관된 커패시턴스에 연결된 인덕터 및 FET를 교대로 켜기 위한 펄스 발생기를 포함하고, 따라서 회로는 FET가 켜질 때 그리드와 레일 전압을 실질적으로 유지하고 FET가 꺼질 때 그리드를 그라운드로 떨어뜨린다.
아크-발생 전류 서지(surge)를 검출하고 그리드를 일시적 그라운드 상태로 유지하기 위한 일시적 금지신호를 생성하기 위하여 검출기가 제공될 수 있다.
검출기는 그리드 공급기에서의 전류의 변화 및/또는 전압의 변화율을 검출하고 기준값 또는 기준값들과 비교한다. 검출기는 트랜스포머의 형태로 존재할 수 있다.
또한, 본 발명은 DC 공급 전압 레일(rail)과 중간점 사이에 연결된 제1 FET, 중간점과 그라운드 사이에 연결된 제2 FET, 각 해당 FET와 평행으로 상호 연결된 한 쌍의 다이오드, 중간점에 연결되고 그리드와 연관된 커패시턴스에 연결된 인덕터 및 FET를 교대로 켜기 위한 펄스 발생기를 포함하는 하나의 출력을 가진 하프-브리지 DC 전원을 포함하고, 따라서 회로는 FET가 켜질 때 그리드와 레일 전압을 실질적으로 유지하고 FET가 꺼질 때 그리드를 그라운드로 떨어뜨린다.
소스는 출력에서 전류 서지를 검출하기 위한, 그리고 출력을 일시적으로 그라운드로 유지시키기 위하여 일시적 금지신호를 생성하기 위한 검출기를 더 포함한다. 검출기는 출력에서의 전류변화 및/또는 전압변화율을 검출할 수 있고 기준값 또는 기준값들과 비교한다. 검출기는 트랜스포머를 포함할 수 있다.
본 발명이 상술한 바와 같이 정의되었지만, 본 발명은 상술한 또는 이하에서 설명되는 특징들의 임의의 진보적 조합을 포함한다는 것을 이해하여야 한다.
본 발명은 다양한 방법으로 수행될 수 있고 특정의 구현예들은 첨부된 도면을 참조하여, 실시예를 통하여, 개시될 것이다.
본 발명에 따른 이온 빔 소스에 의하면, 웨이퍼의 굴절률이 증착된 필름에 적합한 약 1.5 정도의 일관된 값을 가지기 때문에 펄스 이온 빔이, 어떠한 전자의 2차적 소스도 필요없이, 표적물질의 증착을 위한 절연 표적과 함께 사용할 수 있다. 또한, 공진 회로가 인덕터 L과 그리드 커패시턴스 C 사이에 형성되기 때문에 그리드가 저항성 충전 전력 손실 없이 효과적으로 충/방전을 할 수 있다.
도 1은 시험장치(test rig)의 사시도이다;
도 2는 도 1의 장치의 일부를 제거한 도면이다;
도 3은 도 1 및 2의 장치를 사용한, Å단위의 SiO2 필름 두께(Y축)에 대한 Si 웨이퍼 상의 위치(X축) 그래프이다;
도 4는 SiO2 필름(Y축)의 굴절율 n에 대한 Si 웨이퍼 상의 위치(X축) 그래프이다;
도 5는 이온 빔 소스에 사용하기 위한 펄스 전원의 개념도이다;
도 6은 다른 형태의 전원에 대한 세부 회로도이다;
도 7은 도 6의 소스에서의 전류 및 전압에 대한 시험결과도이다;
도 8은 이온 빔 펄서 회로의 블록도이다; 그리고
도 9는 전압 스트레스 이퀄라이저로 설정된 하프 브리지 회로이다.
도 1 및 2에서, 명세서 전반에 걸쳐 도면부호 10으로 설명되는 시험장치(test rig)는 진공 챔버(11) 및 이온 소스(12)를 포함한다. 이온 소스(12)는, 이 경우에, 그리드(13)에서 온 이온 빔을 경사진 표적(14)으로 방출하여 표적물질을 웨이퍼(도시되지 않음) 상에서 챔버(11)의 선두에 위치하도록 하는 광역 빔 이온 소스이다. 이온 소스는 WO-A-2008/009898에 설명된 형태일 수 있는데, 참조를 위하여 여기에 설명된 내용을 포함하여 설명한다. 이 구조에서, 가속 그리드(13)는 4개의 개별 그리드로 형성되고, 이 중 하나는 이온 소스로 동작하도록 양의 전압으로 유지되고, 나머지 그리드들은 빔에서 생성된 이온을 방출하도록 음의 전압 또는 그라운드로 유지된다.
도 3은 SiO2 표적을 절연하는 3mm 두께의 장치를 사용한 Si 웨이퍼 상에 증착된 SiO2 층의 Å단위의 두께를 예시한다. 첫 번째로 주목할 점은 층이 두께를 가진다는 점이다. 만약 여기에 전하가 형성되어 있다면, 빔은 아크에 의하여 거의 즉시 소멸하고 어떠한 증착도 생기지 않는다. 이러한 점으로 나타나는 일반적 경향은 웨이퍼 상의 경사진 두께이고, 표적의 경사에 해당한다. 높은 점들은, 웨이퍼를 가로지르는 두께 트레블(travel)에서의 일반적 감소를 따르지 않는데, 먼지에 기인하는 것이다. 이는 원형 장비(prototype equipment)가 "청결한" 공간이 아닌 "더티(dirty)" 영역에 위치했다는 사실 때문인 것으로 이해된다. 도 4에서, 웨이퍼의 굴절률이 도시되어 있고 증착된 필름에 적합한 약 1.5 정도의 일관된 값을 가진다. 따라서 이러한 결과는 펄스 이온 빔이, 어떠한 전자의 2차적 소스도 필요없이, 표적물질의 증착을 위한 절연 표적과 함께 사용할 수 있음을 보여준다.
도 5는 적합한 전원 공급기를 위한 구성도를 도시한다. GRD 1, GRD 2, GRD 3, 및 GRD 4로 표시된 그리드들은 상술한 그리드들에 해당한다. 명세서 전반에 걸쳐 도면부호 16으로 표시된 각 전원 공급기는 GRD 1 내지 3 각각에 연결되고, GRD 4는 그라운드된다. 빔 제어장치(17)에서, 릴레이(18)는 전원 공급기 모두를 차단하기 위하여 제공된다.
전원 스위칭 장치(21)를 제어하는 펄스 발생기(20)에 응답하여 그라운드와 전원 공급기 레일 전압 사이를 스위칭할 수 있는 또 다른 세트의 스위치(19)가 도시된다.
이온 소스(11)를 고려해 보면, 1600 볼트까지 취급할 수 있어야 하기 때문에 전원 스위칭 설계는 신중하게 이루어져야 한다.
따라서 이온은 초기에 유도결합 플라즈마에서 생성된다. 그리드는 이온을 추출하여 빔으로 기둥 형태로 하여 보낸다(columnate). 제1 그리드(GRD 1)는 그리드와 유도결합 플라즈마 어셈블리를 그라운드에 대하여 1600 볼트의 양의 전압까지 플로팅(floating)하여 이온을 추출한다. 따라서 이온은 그리드를 통하여 당겨지도록 음의 전압을 경험한다. 다음 두 개의 그리드(GRD 2 및 GRD 3)는 이온을 더 당기도록 그라운드에 대하여 음의 값으로 바이어스된다. 마지막 그리드(GRD 4)는 그라운드된다. 모든 빔 전원은 0.5 암페어 또는 그 이상의 값까지 제공할 수 있는 제1 그리드 공급기에서 온다. 1600 볼트의 전형적인 최대 GRD 1 전압에서, GRD 2와 GRD 3은 각각 -350 및 -75 볼트로 바이어스된다. 빔을 전류 세트 점 및 고정 전압에 맞추도록 조절하기 위하여, ICP RF 전원은 폐루프 제어 시스템에 맞추어 조절된다. 이는 전원 공급기의 회복시에 GRD 1 전류를 측정한다.
도 6은 GRD 1을 위한 기본적 이온 빔 펄서 회로를 예시하는데, 아크-검출 및 공진 이동(resonant transition)을 위한 수단을 포함한다. GRD 2 및 GRD 3과 연관된 낮은 전압/전력은 공진회로 또는 단지 저항을 갖고 충전하는 유한한 커패시터(limited capacitive)를 사용할 수 있다. 하나의 배치 형태에서, GRD 2는 공진회로를 포함하고 GRD 3은 50 옴 저항이다. 도 6에서, 공진회로는 인덕터 L과 그리드 커패시턴스 C 사이에 형성된다. 이는 그리드가 저항성 충전 P = fCV2 전력 손실 없이 효과적으로 충/방전을 할 수 있게 한다.
FET Q1이 그리드를 켤 때, 커패시턴스 C는 인덕턴스 L을 통하여 충전된다. 그리드 전압이 공급 전압에 도달할 때, 커패시턴스 C와의 공진 동작은 전압을 계속 올리려고 하지만 다이오드 D1에 의하여 저지된다. 따라서 전류는 Q1, D1 및 그 양단 사이의 저항의 전압강하만으로 인덕턴스 L에 갇히게 된다. 따라서 전류는 단지 천천히 감소하고, 최대 충전값 근방에 유지된다. Q1이 꺼질 때, 전류는 훨씬 더 빨리 감소하여 Q1/Q2 접합부를 음의 값이 되도록 할 수 있고 Q2 바디다이오드(body diode)에 의하여 0 볼트로 고정된다. 바로 다음 순간에, Q2가 켜진다. 전류가 영으로 감소하는 순간, 역으로 되어 그리드 커패시턴스를 다시 방전하기 시작한다. 다시, 공진 이동이 발생하고 또 한 번 전류는 L에 갇히지만 이제는 Q2/D2에 의하여 반대방향으로 고정된다. 이러한 사이클은 Q2가 꺼지고 Q1이 또 한 번 켜질 때 계속된다.
FET Q1 및 Q2는 펄스입력에서 펄스에 의하여 온/오프로 스위칭된다. FET Q2에 도달한 펄스는 인버터(23)에 의하여 FET Q1에 도달한 펄스와 다른 위상(out of phase)을 가진다.
회로는 그리드 커패시턴스를 효과적으로 충/방전하고, 인덕턴스 L에 저장된 에너지를 리사이클링한다. 그리드 상의 전이(transition)는 전자기 간섭과 D1/D2의 속도 요구사항에 따라 "유연(soft)"하다. 또한, 전류는 Q1과 Q2 사이에서 동일한 장치 바디다이오드에서 FET(동일)까지 흐른다. 따라서 어떠한 강제적 다이오드 회복이 없고 스위칭은 낮은 전자기 간섭으로 충분하다. 문제는 통상 순환전류가 빔 전류보다 더 큰 차수(값)를 가진다는 것이고, Q1, Q2, D1, D2 및 L이 이 전류에 대하여 값이 정해져야 할 필요가 있다.
과전류 및 과잉 dV/dt 모두에 대한 보호(protection)가 제공된다. 출력전류는 도면부호 24로 표시된 전류 트랜스포머에 의하여 센싱된다. 트랜스포머출력은 기준 한계값과 비교된다. 과전류가 검출되면 단안정(25)이 펄스정지시 블랭크 기간을 부여하도록 트리거된다. 펄스를 Q1과 Q2 각각에 보내는 각 해당 말단 게이트(26, 27) 각각에 대한 입력을 변경함으로써 이를 달성한다. Q1과 Q2 모두 블랭크 기간이 지속되는 동안에 꺼진다. 이와 비슷하게 과잉 하강, 예를 들면 음의, dV/dt가 검출되면, 블랭크 기간은 초기화될 것이다.
전형적으로, 아크가 일어날 때 전류는 상승하기 시작한다. 아크 전류는 비정상적으로 높은 값으로 빠르게 상승한다. 이 값이 L에 저장된 값을 넘어설 때, 출력전압이 떨어지고 그리드 커패시턴스가 방전된다. 이는 보통 정상 이탈 전이보다 훨씬 빠르게 일어날 것이므로, dV/dt 회로에 의하여 검출된다. L의 동작은 회로로부터 전류의 상승을 제한하므로, 보통 시스템은 과전류가 일어나기 전에 아크를 검출한다.
아크가 검출되면, Q1이 꺼져 Q1/Q2의 접합이 Q2 바디다이오드에 의하여 고정된다. L은 이때 Q2 바디다이오드와 아크를 통하여 방전한다. 아크 전압은 100 볼트 근방에서 거의 일정한 값을 가지므로, 전류 방전은 약 12μs에서 선형적으로 이루어진다. 아크에 전달된 에너지는 그리드 커패시턴스와 L에 저장된 에너지의 합이다. 이들 에너지는 공진 동작의 의하여 거의 같은 값을 가진다.
E = 0.5V2 + 0.5LI2이고 인식할 수 있는 값으로서, C = 3500pF, L = 500μH, V = 800V 그리고 I = 2A를 선택할 수 있다. 따라서 E = 1.12 + 1이고 2mJ과 같다. 에너지는 전류와 전압의 제곱에 비례하기 때문에 1600 볼트의 풀 가동 시스템 전압에서, 아크 에너지는 대략 8mJ이 될 것이다.
도 7에 이러한 경우의 예가 도시되어 있다. GRD 1 전류는 전류 트랜스포머를 사용하여 측정된다. 따라서 이는 DC 레벨을 전송하지 않는다. 실제 빔 전류는 스위칭 전이 간 두 개의 정착된 레벨 사이의 차이 값이다. 이는 이온 전류 상의 양의 빔 및 빔이 강제로 꺼질 때의 전자 전류 모두이다. 전류는 스코프 트레이스(scope trace)에서 대략 0.5 암페어이다.
이온 빔 전류 조정은 플라즈마 소스 RF 전력의 조절에 의하여 정상값을 유지한다. 전류는 DC 공급기에서 센싱된다. 전원 공급기 장치 응답, 출력 커패시턴스 및 회로 디커플링 커패시턴스 CD가 의미하는 바는 단지 평균 전류를 센싱한다는 것이다. 펄싱(pulsing)을 센싱하지는 못한다. 또한, 충분히 짧은 아크 블랭크 시간과 충분히 낮은 아크율에 의하여, 아크에 의한 영향도 받지 않는다. 1Hz의 아크율은 단지 0.01%의 증착 시간 손실만을 초래할 것이다.
도 5의 도면부호 19, 20 및 21과 연관된 기본 구성요소의 블럭도를 나타내는 도 8에서, 좌상귀에 있는 공급기는 24 볼트의 하우스키핑 공급기이고, 선형 레귤레이터와 함께 신호 전자장비를 위하여 15 볼트 및 5 볼트를 제공한다. 분리된 15 볼트는 플로팅 레일 컨버터(floating rail converter)를 수행하기 위하여 제공되고, 이는 브리지 드라이버와 플로팅 GRD 1 전류 모니터를 위한 8개의 플로팅 레일을 제공한다. 고장 상태는 15 볼트 레귤레이터와 직렬로 연결된 저항 양단 사이에 결합된 LED에 의하여 표시된다. 스위칭 장치의 고장은 게이트 또는 쇼트(shorts)가 컨버터 상의 부하를 증가시키도록 하고 따라서 LED를 발광하게 한다. 컨버터 자체는 자체-진동 하프 브리지 드라이버를 기반으로 구성된다. 트랜스포머 전압은 15V 공급기 레일에 고정되어 출력이 반(半) 조정된다.
2차적으로 반파장이 정류된다. 4개의 출력은 근사적으로 대칭인 부하를 제공하도록 다른 4개와 반대의 위상을 가진다. 중심에는 브리지, 드라이버 및 보호 회로(protection logic)가 있다. 그리드 또는 예시된다. 보호를 위하여, GRD 1 전류는 500:1 전류 트랜스포머에 의하여 센싱된다. 기본적 시간함수는 다양한 기본 클럭 주파수를 발생시키는 8MHz 수정 클럭 모듈에 의하여 제공된다.
대부분의 전원장치에 대한 표준 고장 한계값인, 약 1200V에서 안정된 동작을 수행하기 위하여, 회로는 하프 브리지가 2개의 직렬연결된 장치(예를 들면 FET)와 결합한 형태인 도 9에 도시된 바와 같이 직렬연결된 전력 트랜지스터를 위한 전압 스트레스 벨런서(voltage stress balancer)를 채용한다. Q1 내지 Q4는 각 "스위칭 위치"에서 두 개의 트랜지스터 Q1/2과 Q3/4와 하프 브리지를 형성한다. 따라서 Q1/2가 함께 있고 Q3/4가 함께 있다. 밸런서를 상세하게 도시하지 않았지만, 이는 C1, 2, 5 및 6 사이에서 필요적으로 V1 = V2 = V3 = V4 순환 충전을 단지 유지한다.
만약 Q1/2가 꺼질 때 Q1 양단 전압이 공급전압의 반을 넘으면, D1'은 직접 C1으로 충전을 수행하고 따라서 Q1 양단 전압을 공급기 레일의 반으로 제한할 것이다. 이와 비슷하게 브리지의 아래쪽 반에 대하여 Q4에 대하여 D4'를 통하여 C2로 수행한다. 만약 Q1/2가 꺼질 때 Q2 양단 전압이 공급전압의 반을 넘으면, C3 양단 전압은 공급전압의 반 이상으로 상승할 것이다. Q1과 Q2가 다음에 켜질 때, C3 양단 전압은 C3에서 D5를 통하여 C5로 전송된다. C5가 공급전압의 반에 고정됨으로써, C3 양단 전압 및 이에 따른 Q2 양단 전압도 오프시 이에 고정될 것이다. D3', C4, D6' 및 C6은 Q3을 보호하도록 상호보완적 기능을 수행한다.
브리지의 출력은 Q1/2와 Q3/4가 교대로 충분히 온/오프 스위칭하는 구형파, 펄스파 변조(PWM, Pulse Wave Modulation) 또는 기타 파형일 수 있다. 전류/에너지를 밸런싱하는 것은 전형적으로 주전력 처리량에 비하여 보통 규모가 작고, 싼 가격의 소자들을 이용할 수 있다.
본 발명이, 상술한 바와 같이, 특히 이온 빔 소스에 대한 펄스 전원 공급기를 제공하는 데 적합한 것이지만, 회로는 특히 꽤 높은 전압을 다루어야 하는 많은 다른 응용을 가질 수 있다. 따라서 본 발명은 이온 빔 스퍼터링(sputtering)을 위한 이온 빔 소스와 관련된 용도 뿐만 아니라 회로 그 자체를 포함한다. 본 발명의 회로는, 통상적이지는 않지만, 각 그리드 또는 출력 및 클럭 펄스의 공통 소스에 대한 회로를 가짐으로써 3개 또는 그 이상의 동기화 펄스 출력을 제공하기 위하여 이용될 수 있다는 점도 알 수 있다.
본 발명은 또한 표적을 이온 빔 소스로 조사(irradiating)하고 이온 빔 소스로 전원 공급기를 펄싱(pulsing)하는 단계를 포함하는 전기적 부도체 표적을 스퍼터링하는 방법을 포함한다.

Claims (18)

  1. 이온을 추출하기 위한 그리드; 및,
    상기 이온을 추출하기 위하여 상기 그리드로 펄스 전력을 공급하기 위한 전원 공급기;
    를 포함하는 이온빔 소스로서,
    상기 전원 공급기는 DC 공급기 전압과 그라운드 사이에서 상기 그리드를 스위칭하고, 상기 전원공급기는,
    DC 공급 전압 레일(voltage rail)과 중간점 사이에 연결된 제1 FET, 상기 중간점과 그라운드 사이에 연결된 제2 FET, 각 FET와 직렬 및 병렬로 연결된 한 쌍의 다이오드를 포함하는 하나의 회로;
    상기 중간점에 그리고 상기 그리드와 연관된 그리드 커패시턴스에 연결된 인덕터; 및,
    상기 FET를 교대로 온 하기 위한 펄스 발생기를 포함하고,
    상기 회로는 FET가 켜질 때 상기 그리드를 레일 전압(rail voltage)에 실질적으로 유지시키고 상기 FET가 오프 일 때 상기 그리드를 그라운드 전압으로 떨어뜨리는 것을 특징으로 하는 무전기 도전 표적(non-electrical conducting target)에 사용하기 위한 이온 빔 소스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전원 공급기는 DC 공급기, 상기 그리드로의 전력 공급을 연결 및 차단(connecting and interrupting)하기 위한 전력 스위치 및 상기 전력 스위치를 스위칭하기 위한 펄스 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
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  5. 제1항에 있어서, 전류 서지를 생성하는 아크를 검출하기 위한 그리고 일시적으로 상기 그리드를 그라운드로 유지시키기 위하여 일시적 금지신호를 생성하기 위한 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  6. 제5항에 있어서, 상기 검출기는 상기 전원 공급기에서 전류 및/또는 전압 변화율을 검출하여 기준값 또는 기준값들과 비교하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  7. 제6항에 있어서, 상기 검출기는 트랜스포머를 포함하는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  8. 제1항에 있어서, 상기 그리드의 각각에 대하여 하나의 전원 공급기를 포함하고, 상기 전원 공급기는 하나의 공통 펄스 발생기에 의하여 제어되는 것을 특징으로 하는 이온 빔 소스.
  9. 제1항에 따른 이온 빔 소스 및 무전기 도전 표적(non-electrical conducting target)을 포함하는 무도전 물질 스퍼터링 장치로서,
    상기 전원 공급기는 상기 펄스가 꺼질 때 상기 표적이 실질적으로 방전될 수 있도록 지연 펄스를 공급하고,
    상기 제1 및 제2 FET는 한 쌍의 FET로 구성되고,
    상기 회로는, 과잉전압이 연관된 커패시터를 변경하도록 함으로써 그리고 그 후에 상기 각 FET 쌍이 온 상태일 때 상기 커패시터가 방전하도록 함으로써, 각 FET가 오프 상태일 때 상기 각 FET 양단의 전압강하를 기 결정된 값으로 고정하기 위하여 안정한 전압 지점을 유지하기 위한 전압 밸런서를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무도전 물질 스퍼터링 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 그리드에서 전류 서지를 검출하기 위한 그리고 상기 그리드를 일시적으로 그라운드로 유지하기 위하여 일시적 금지신호를 생성하기 위한 검출기를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 무도전 물질 스퍼터링 장치.
  11. 제10항에 있어서, 상기 검출기는 상기 그리드에서 전류 및/또는 전압의 변화율을 검출하여 기준값 또는 기준값들과 비교하는 것을 특징으로 하는 무도전 물질 스퍼터링 장치.
  12. 제10항에 있어서, 상기 검출기는 트랜스포머를 포함하는 것을 특징으로 하는 무도전 물질 스퍼터링 장치.
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