KR101569784B1 - 열처리장치용 램프장치 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 18
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 9
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 8
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 17
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000004151 rapid thermal annealing Methods 0.000 description 1
- 238000001289 rapid thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Health & Medical Sciences (AREA)
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Abstract
본 발명에 따른 열처리장치용 램프장치는 전력의 공급을 위한 전력케이블과, 상기 전력케이블과 연결되는 한쌍의 커넥터부재와, 상기 커넥터부재에 결합되어 열을 발생시키기 위한 램프부재를 포함하며, 상기 커넥터부재는 "T" 형상으로 형성되어, 상기 커넥터부재에서 돌출되는 중간 부분에 상기 램프부재가 결합되며, 상기 램프부재는 전체적으로 "ㄷ" 형상으로 형성되어 한쌍의 커넥터부재에 양 단부가 결합되되, 상기 램프부재의 양 측부가 상기 커넥터부재의 외측으로 돌출되도록 굽혀져 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의해, 공정 챔버 내에 배치되는 램프와 램프 간에 열적 보이드가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 램프와 전력 케이블을 연결하기 위한 커넥터부재의 각종 구성들이 램프로부터 발생되는 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명에 의해, 공정 챔버 내에 배치되는 램프와 램프 간에 열적 보이드가 발생되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 램프와 전력 케이블을 연결하기 위한 커넥터부재의 각종 구성들이 램프로부터 발생되는 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 열처리장치용 램프장치에 관한 것으로서, 인접하는 램프들로부터 발생되는 열의 보이드(Void) 공간을 최소화함으로써, 열처리 대상물이 배치되는 공간의 온도를 균일하고도 신속히 상승시킬 수 있도록 구성되는 열처리장치용 램프장치에 관한 발명이다.
최근 컴퓨터와 같은 정보 매체의 급속한 보급에 따라 반도체 소자 및 디스플레이를 소자 역시 비약적으로 발전하고 있다.
이러한 반도체 소자의 고집적화가 급속히 진행되고 있는 오늘날의 실정에 비추어, 그 제조 장치가 담당하는 역할은 한층 더 중요시되고 있다.
일반적으로 반도체 소자, 표시장치 및 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 반도체 기판 또는 유리 기판을 급속하게 가열하는 열처리공정, 기판 상에 박막을 증착하는 증착공정, 감광성 물질을 사용하여 박막 중 선택된 영역을 노출시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 된다.
급속 열처리는 반도체 소자의 제조과정에서 결정화, 불순물의 확산, 산화처리 및 질화처리 등에 적용되는 공정으로서, 200도 내지 1200도로 기판을 급속히 가열하고 이후 냉각한다.
상기와 같은 기판의 열처리를 위한 열처리장치는 고속열처리(Rapid Thermal Anealing), 고속 열세정(Rapid Thermal Cleaning), 고속 열화학 증착(Rapid Thermal Chemical Vap. or Deposition) 등의 기판 열처리를 위한 장비이다.
상기 기판을 열처리하기 위한 장비는 통상적으로 기판을 열처리하기 위한 공정챔버와, 공정챔버에 설치되어 기판을 향해 복사열을 조사하는 다수의 램프들이 설치되며, 상기 기판의 온도를 측정하여 피드백함으로써 기판의 온도 균일성을 유지하며 가열하게 된다.
상기와 같은 열처리 장비에서 기판의 열처리 수율을 높이기 위해서는, 빠른 시간 내에 기판이 배치되는 공간의 온도를 균일하게 상승시킬 수 있도록 공정챔버가 구성되는 것이 바람직하다.
상기와 같은 열처리장치용 램프에 관련된 선행기술로서는 대한민국 공개특허공보 제 10-2007-0109667 호(발명의 명칭: 급속열처리 장치 및 그에 사용되는 가열램프) 등이 있다.
상기와 같은 열처리장치용 램프에 관련된 선행기술로서는 대한민국 공개특허공보 제 10-2007-0109667 호(발명의 명칭: 급속열처리 장치 및 그에 사용되는 가열램프) 등이 있다.
본 발명의 목적은, 공정 챔버 내에 배치되는 램프와 램프 간에 열적 보이드공간이 발생되는 것을 방지할 수 있도록 구성되는 열처리장치용 램프장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은, 램프와 전력 케이블을 연결하기 위한 커넥터부재의 각종 구성들이 램프로부터 발생되는 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있도록 구성되는 열처리장치용 램프장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 열처리장치용 램프장치는 전력의 공급을 위한 전력케이블과, 상기 전력케이블과 연결되는 한쌍의 커넥터부재와, 상기 커넥터부재에 결합되어 열을 발생시키기 위한 램프부재를 포함하며, 상기 커넥터부재는 "T" 형상으로 형성되어, 상기 커넥터부재에서 돌출되는 중간 부분에 상기 램프부재가 결합되며, 상기 램프부재는 전체적으로 "ㄷ" 형상으로 형성되어 한쌍의 커넥터부재에 양 단부가 결합되되, 상기 램프부재의 양 측부가 상기 커넥터부재의 외측으로 돌출되도록 굽혀져 형성되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 램프부재는 유리관부재와 상기 유리관부재 내에 내장되는 필라멘트부를 포함하며, 상기 램프부재의 양단부에는 상기 커넥터부재에 결합되기 위한 소켓부가 형성되되, 상기 소켓부에는 절연성 합성수지재가 배치된다.
여기서, 상기 커넥터부재는 절연성 합성수지 또는 세라믹 재질로 구성될 수 있다.
또한, 상기 전력케이블과 상기 커넥터부재가 결합되는 부분에 절연성 합성수지재로써 형성되는 중공 파이프 형상의 연결구가 배치될 수 있다.
본 발명에 의해, 공정 챔버 내에 배치되는 램프와 램프 간에 열적 보이드 공간이 발생되는 것을 방지하여 공정 챔버 내부를 균일하고도 신속하게 승온시킬 수 있다.
또한, 램프와 전력 케이블을 연결하기 위한 커넥터부재의 각종 구성들이 램프로부터 발생되는 고온의 열에 의해 손상되는 것을 방지할 수 있다.
첨부의 하기 도면들은, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 이해시키기 위한 것이므로, 본 발명은 하기 도면에 도시된 사항에 한정 해석되어서는 아니 된다.
도 1 은 본 발명에 따른 열처리장치용 램프장치의 사시도이며,
도 2 는 상기 램프장치의 단면도이며,
도 3 은 상기 램프장치가 두 개 이웃하여 배치된 상태의 사시도이다.
도 1 은 본 발명에 따른 열처리장치용 램프장치의 사시도이며,
도 2 는 상기 램프장치의 단면도이며,
도 3 은 상기 램프장치가 두 개 이웃하여 배치된 상태의 사시도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구성을 상세히 설명하기로 한다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어는 사전적인 의미로 한정 해석되어서는 아니되며, 발명자는 자신의 발명을 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절히 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여, 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야 한다.
따라서, 본 명세서에 기재된 실시예 및 도면에 도시된 구성은 본 발명의 바람직한 실시예에 불과할 뿐이고, 본 발명의 기술적 사상을 모두 표현하는 것은 아니므로, 본 출원 시점에 있어 이들을 대체할 수 있는 다양한 균등물과 변형예들이 존재할 수 있음을 이해하여야 한다.
도 1 은 본 발명에 따른 열처리장치용 램프장치의 사시도이며, 도 2 는 상기 램프장치의 단면도이며, 도 3 은 상기 램프장치가 두 개 이웃하여 배치된 상태의 사시도이다.
본 발명에 따른 열처리장치용 램프장치는 전력의 공급을 위한 전력케이블(10)과, 상기 전력케이블(10)과 연결되는 한쌍의 커넥터부재(20)와, 상기 커넥터부재(20)에 결합되어 열을 발생시키기 위한 램프부재(30)를 포함하며, 상기 커넥터부재(20)는 "T" 형상으로 형성되어, 상기 커넥터부재(20)에서 돌출되는 중간 부분(22)에 상기 램프부재(30)가 결합되며, 상기 램프부재(30)는 전체적으로 "ㄷ" 형상으로 형성되어 한쌍의 커넥터부재(20)에 양 단부가 결합되되, 상기 램프부재(30)의 양 측부(34)가 상기 커넥터부재의 외측으로 돌출되도록 굽혀져 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기 전력케이블(10)은 상기 커넥터부재(20)에 연결되어 전력을 상기 램프부재(30)에 공급하기 위한 구성으로서, 내부에는 전력의 전달을 위한 도체가 배치되고 그 외부에는 절연성 합성수지재가 덮여져 형성된다.
또한, 상기 전력케이블(10)과 상기 커넥터부재(20)가 결합되는 부분에는 절연성 합성수지재로서 중공 파이프 형상으로 형성되는 연결구(40)가 배치될 수 있다.
상기 연결구(40)에 의해, 상기 커넥터부재(20)와 전력케이블(10)이 결합되는 부분을 통해 상기 램프부재(30)로부터 발생되는 열이 상기 커넥터부재(20) 내부로 침입하는 것을 방지하도록 구성된다.
또한, 상기 연결구(40)에 의해 상기 전력케이블(10)이 상기 커넥터부재(20)의 측부(24)와 마찰되어 손상되는 것을 방지할 수 있다.
상기 커넥터부재(20)는 중간 부분(22)이 융기되고, 측부(24)는 상기 중간부분(22)으로부터 양 측부로 돌출됨으로써, 전체적으로 "T" 형상으로 형성되며, 상기 중간 부분(22) 내에는 상기 램프부재(30)의 소켓부분(35)과 결합되는 커넥터소켓(21)이 배치된다.
그리하여, 상기 램프부재(30)의 소켓부분(35)이 상기 커넥터부재(20)의 중간 부분(22)에 형성된 결합개구(23)로 삽입되어 상기 두 소켓(35, 21)이 결합됨으로써, 상기 전력케이블(10)로부터의 전력이 상기 램프부재(30)로 공급될 수 있다.
또한, 상기 커넥터부재(20)의 측부(24)에는 상기 연결구(40)를 매개로 하여 상기 전력케이블(10)이 상기 소켓(21)으로 접속된다.
상기 커넥터부재(20)는 세라믹재질로 구성됨으로써, 상기 램프부재(30)로부터 발생되는 고열에 의해 상기 커넥터부재(20) 내부에 수용되는 상기 소켓(35, 21) 및 케이블(10)의 단부가 손상되는 것을 방지하도록 구성된다.
상기 램프부재(30)는 공정챔버 내에서 반도체 기판 또는 유리 기판에 열을 가하기 위한 구성으로서, 유리관(36)의 내부에 필라멘트(38)가 배치되어 구성된다.
또한, 상기 유리관(36)의 단부에는 세라믹 재질 또는 절연성 합성수지재로 구성되는 램프연결구(37)가 배치되고, 상기 소켓(35)이 상기 램프연결구(37)를 관통하여 상기 필라멘트(38)에 접속된다.
그리하여, 상기 램프연결구(37)가 상기 커넥터부재(20)의 결합개구(37) 부분을 폐쇄함으로써, 상기 램프부재(30)로부터 발생되는 고열이 상기 커넥터부재(20) 내부로 전달되는 것을 방지하도록 구성된다.
여기서, 상기 램프부재(30)는 전체적으로 "ㄷ" 형상으로 형성되되, 상기 램프부재(30)의 양 측부(34)가 둥글게 굽혀지며, 이때 상기 양 측부(34)가 상기 커넥터부재(20)의 외측으로까지 돌출되도록 형성된다.
만약, 도 2, 3 에서와 같이 상기 램프부재(30)의 양측부(34)가 본원발명에서와 같이 둥글게 굽혀져 형성되지 않고, 상하방향으로 직선적으로 양측부(34-1)가 형성된다면, 상기 양측부(34-1)는 상기 커넥터부재(20)의 측부(24)보다 내측에 배치된다.
상기와 같이 양측부(34-1)가 직선적으로 형성되는 경우에는, 도 3 에서와 같이 두 개의 커넥터부재(20)가 인접하여 배치된 상태에서, 상기 커넥터부재(20)에 각각 램프부재(30)가 끼어져 설치되는 경우에, 상기 두 램프부재(30)의 측부(34-1) 사이에 열적 보이드(Void) 공간(A)이 형성된다.
이러한 구성은 상기 램프부재(30)를 통해 반도체 기판 또는 유리 기판의 온도를 조금이라도 빨리 상승시키고자 하는 목적에는 바람직하지 못한 영향을 미친다.
따라서, 본 발명에서와 같이 상기 램프부재(30)의 양측부(34)를 둥글게 굽혀 형성하여, 상기 양측부(34)가 상기 커넥터부재(30)의 양 측부(34) 외측까지 배치될 수 있도록 함으로써, 상기 공간(A) 부분에서도 상기 램프부재(30)에 의한 열 공급이 이루어지도록 할 수 있다.
그리하여, 공정챔버 내에 배치되는 상기 램프부재(30)를 통한 균일하고도 급격한 기판의 온도 상승에 보다 유리한 효과를 발휘할 수 있다.
이상, 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명의 기술적 사상은 이러한 것에 한정되지 않으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해, 본 발명의 기술적 사상과 하기 될 특허청구범위의 균등범위 내에서 다양한 수정 및 변형 실시가 가능할 것이다.
10: 전력케이블
20: 커넥터부재
30: 램프부재
36; 유리관부재
38: 필라멘트부
40: 연결구
20: 커넥터부재
30: 램프부재
36; 유리관부재
38: 필라멘트부
40: 연결구
Claims (4)
- 전력의 공급을 위한 전력케이블과;
상기 전력케이블과 연결되는 한쌍의 커넥터부재와;
상기 커넥터부재에 결합되어 열을 발생시키기 위한 램프부재를 포함하며,
상기 커넥터부재는 "T" 형상으로 형성되어, 상기 커넥터부재에서 돌출되는 중간 부분에 상기 램프부재가 결합되며,
상기 램프부재는 전체적으로 "ㄷ" 형상으로 형성되어 한쌍의 커넥터부재에 양 단부가 결합되되, 상기 램프부재의 양 측부가 상기 커넥터부재의 외측으로 돌출되도록 굽혀져 형성되는 것을 특징으로 하는 열처리장치용 램프장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 램프부재는 유리관부재와 상기 유리관부재 내에 내장되는 필라멘트부를 포함하며, 상기 램프부재의 양단부에는 상기 커넥터부재에 결합되기 위한 소켓부가 형성되되, 상기 소켓부에는 절연성 합성수지재가 배치되는 것을 특징으로 하는 열처리장치용 램프장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 커넥터부재는 절연성 합성수지 또는 세라믹 재질로 구성되는 것을 특징으로 하는 열처리장치용 램프장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 전력케이블과 상기 커넥터부재가 결합되는 부분에 절연성 합성수지재로써 형성되는 중공 파이프 형상의 연결구가 배치되는 것을 특징으로 하는 열처리장치용 램프장치.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140013936A KR101569784B1 (ko) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | 열처리장치용 램프장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020140013936A KR101569784B1 (ko) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | 열처리장치용 램프장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20150093321A KR20150093321A (ko) | 2015-08-18 |
KR101569784B1 true KR101569784B1 (ko) | 2015-11-17 |
Family
ID=54057242
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020140013936A KR101569784B1 (ko) | 2014-02-07 | 2014-02-07 | 열처리장치용 램프장치 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101569784B1 (ko) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101118154B1 (ko) | 2011-07-04 | 2012-03-12 | (주) 예스티 | 기판의 열처리장치용 램프 |
KR101160079B1 (ko) | 2011-09-26 | 2012-06-28 | 주식회사 하나 | 급속온도처리용 램프 |
KR101297984B1 (ko) | 2012-08-07 | 2013-08-23 | (주) 예스티 | 열처리장치용 커넥터 |
-
2014
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KR101297984B1 (ko) | 2012-08-07 | 2013-08-23 | (주) 예스티 | 열처리장치용 커넥터 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
KR20150093321A (ko) | 2015-08-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |