KR101547392B1 - Rf 스위치, 모바일 통신 디바이스 및 rf 신호를 스위칭하는 방법 - Google Patents

Rf 스위치, 모바일 통신 디바이스 및 rf 신호를 스위칭하는 방법 Download PDF

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Abstract

RF 스위치는 스위칭 가능 RF 트랜지스터를 포함하고, 스위칭 가능 RF 트랜지스터는 복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프를 포함하고, 상기 RF 스위치는 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되는 적어도 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터를 포함한다.

Description

RF 스위치, 모바일 통신 디바이스 및 RF 신호를 스위칭하는 방법{RF SWITCH, MOBILE COMMUNICATION DEVICE AND METHOD FOR SWITCHING AN RF SIGNAL}
본 발명의 실시예들은 RF 스위치에 관한 것이다. 본 발명의 추가적인 실시예들은 그와 같은 RF 스위치를 포함하는 모바일 통신 디바이스에 관한 것이다. 본 발명의 추가적인 실시예들은 RF 스위치를 스위칭하는 방법에 관한 것이다.
모바일 무선 섹터를 위한 고조파(high frequency) 스위치들에서, 흔히 매우 높은 RF 진폭들이 발생함으로써 결과적으로 신뢰성 문제가 발생하고 고조파가 많이 생성된다. RF 스위치의 설계는 상이한 조치들로 이 고 진폭들을 고려한다. 고조파 스위치들에서 또는 RF 스위치들에서의 RF 트랜지스터들은 전형적으로 폭이 매우 넓게 설계되어야 한다. 이 결과로 트랜지스터 핑거들의 수가 많아지게 된다. 전형적으로 트랜지스터 핑거들 사이에는, RF 전압들이 유사한 양으로 되어 있으므로 전계 강도들이 낮다. 그럼에도 불구하고, 에지, 특히 최외각의 확산 영역에 있는 트랜지스터 핑거들은 매우 높은 전계 강도들을 겪는다. 예로서, 최외각 확산 영역 내에서의 완전 RF 전압은 인접한 기판 내의 영 볼트의 RF 전압에 의해 저지된다. 당연히, 이는 높은 전계 강도들, 이 위치에서의 높은 응력 및 RF 트랜지스터들의 손상을 일으킨다.
본 발명의 실시예들은 스위칭 가능한 RF 트랜지스터를 포함하는 RF 스위치에 관한 것으로, 여기서 스위칭 가능한 RF 트랜지스터는 복수의 인접 RF 트랜지스터 핑커들의 스트라이프(stripe)를 포함한다. 게다가, RF 스위치는 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되는 적어도 하나의 스위칭 불능 더미(dummy) 트랜지스터를 포함한다.
본 발명의 추가적인 실시예들은 RF 스위치를 이용하여 RF 신호를 스위칭하는 방법, RF 스위치를 제작하는 방법 및 RF 스위치를 포함하는 모바일 통신 디바이스에 관한 것이다.
본 발명의 실시예들은 첨부 도면들을 이용하여 더 상세하게 기술될 것이다:
도 1a는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 RF 스위치를 도시하는 도면;
도 1b는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 RF 스위치를 도시하는 도면;
도 1c는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 RF 스위치를 도시하는 도면;
도 1d는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 RF 스위치를 도시하는 도면;
도 2a는 복수의 스택(stack)형 RF 트랜지스터들을 포함하는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 RF 스위치를 도시하는 도면;
도 2b는 도 2a에 도시된 RF 스위치로부터의 RF 트랜지스터들 중 하나의 확대된 섹션을 도시하는 도면;
도 2c는 도 2a에 도시된 RF 스위치의 회로의 개략도를 도시하는 도면;
도 3a 내지 3d는 스위칭 불능 더미 트랜지스터들에 대한 터미네이션 회로(termination circuit)에 대해 상이하게 구현된 본 발명의 실시예들에 따른 RF 스위치들을 도시하는 도면들;
도 4는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 모바일 통신 디바이스의 개략적인 블록도;
도 5는 본 발명의 하나의 실시예에 따라 RF 신호를 스위칭하는 방법의 흐름도; 및
도 6은 본 발명의 하나의 실시예에 따라 RF 스위치를 제조하는 방법의 흐름도.
본 발명의 실시예들이 첨부 도면들을 이용하여 상세하게 기술되기 전에, 동일하거나 기능적으로 같은 요소들에게는 도면들에서 동일한 참조 번호들이 제공되는 점과 동일한 참조 번호들이 제공된 요소들에 대한 반복 설명이 생략되는 점이 지적되어야 한다. 그러므로, 동일한 참조 번호들을 가지는 요소들에 제공되는 설명은 상호 교환 가능하다.
본 출원에서 두 단자들의 결합은 직접적인 저 옴의 결합 또는 사이에 하나 이상의 요소들이 있는 간접적인 결합으로 이해됨으로써, 제 2 노드에서의 신호는 제 2 노드와 결합되는 제 1 노드에서의 신호에 종속되어야 한다. 두 결합된 단자들 사이에 추가 요소가 결합될 수 있으나 반드시 그러할 필요는 없으므로, 서로 결합되는 두 단자들이 또한 (예를 들어, 와이어 또는 와이어 트레이스(trace)와 같은 저 임피던스 접속에 의해) 서로 직접적으로 연결될 수 있다.
게다가, 본 출원에 따르면 제 1 단자는 제 2 단자에서의 신호가 제 1 단자에서의 신호와 동일할 경우 제 2 단자에 직접적으로 접속되는데, 여기서 컨덕터 저항들에 의한 기생 효과들 또는 사소한 손실들은 고려되지 않을 것이다. 즉, 서로 직접적으로 접속되는 두 단자들은 사이에 추가 요소들 없이 전형적으로 와이어 트레이스들 또는 와이어들에 의해 접속된다.
본 출원에서, 트랜지스터의 제 1 단자는 트랜지스터의 소스 단자 또는 이미터 단자거나 트랜지스터의 드레인 단자 또는 컬렉터 단자일 수 있다. 트랜지스터의 제 2 단자는 트랜지스터의 드레인 단자 또는 컬렉터 단자일 수 있거나 트랜지스터의 소스 단자 또는 이미터 단자일 수 있다. 트랜지스터의 제어 단자는 트랜지스터의 게이트 단자 또는 베이스 단자일 수 있다. 그러므로, 트랜지스터의 스위치 가능 경로는 트랜지스터의 드레인 소스 경로 또는 이미터 컬렉터 경로일 수 있다. 주 트랜지스터 전류는 전형적으로 트랜지스터의 제 1 단자로부터 제 2 단자로 또는 그 역으로 라우팅(routing)된다.
게다가, 두 노드들 또는 단자들은 두 결합된 노드들 또는 단자들 사이의 결합 경로(예를 들어, 트랜지스터의 스위칭 가능 경로)가 저 임피던스 상태에 있는 경우 전기적으로 결합되고 결합 경로가 고 임피던스 상태에 있는 경우 전기적으로 결합 해제된다.
도 1a는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 RF 스위치(100)를 도시한다(상면 사시도).
RF 스위치(100)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)를 포함한다. 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)는 복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d)의 스트라이프를 포함한다. 게다가, RF 스위치(100)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 말단에 배열되는 적어도 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)를 포함한다.
스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d) 사이에는, RF 전압들이 유사한 양으로 되어 있으므로 전계 강도들이 낮다는 것이 밝혀졌다. 그럼에도 불구하고, 에지 또는 특히 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 최외각 확산 영역에 있는 RF 트랜지스터 핑거(도 1a에 도시된 예에서 4번째, 즉 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d))는 종래의 설계들에서 매우 높은 전계 강도를 겪는데, 왜냐하면 통상적으로 이 최외각 확산 영역(4번째 RF 트랜지스터 핑거(103d)에서의)에서의 완전 RF 전압은 인접한 기판에서의 영 볼트의 RF 전압에 의해 저지되기 때문이다. 당연히, 종래의 설계들에서 이는 매우 높은 전계 강도들, 이 장소에서의 높은 응력 및 고장들로 이어진다.
RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 말단(및 따라서 또한 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d)로서 지정될 수 있는 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d)의 옆)에서, 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)가 배열되는 경우 이 고장들이 방지될 수 있다는 것이 본 발명의 핵심 개념이다. 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 말단에 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)를 가짐으로써, 고 RF 전압이 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)에 걸쳐(예를 들어, 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 더미 트랜지스터 핑거들에 걸쳐) 분산된다. 그러므로, 본 발명의 실시예들은 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 말단에 배열되는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)를 가짐으로써 회로 공학 측면에서 에지 트랜지스터 핑거들에서 발생하는 고 전계 강도들의 문제를 해결한다. 이 결과로서 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 더미 트랜지스터 핑거들에 걸쳐 발생하는 전계 강도들이 분산된다. 전계 강도들을 감소시킴으로써 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 응력이 감소되고 따라서 강인성이 증가된다. 게다가, 전계 강도들의 감소로 인해 또한 고조파의 생성도 감소된다.
게다가, RF 스위치(100)는 다음의 추가적인 특징들을 포함한다.
RF 스위치(100)는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 임피던스 상태를 유지하기 위해 (스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)가 스위칭하지 않게 만들도록 RF 스위치(100)의 동작 동안) 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)에 터미네이션 전위를 제공하는 터미네이션 회로(111)를 포함한다.
즉, 터미네이션 회로(111)는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)에 (적어도) 하나의 터미네이션 전위를 제공함으로써 RF 스위치(100)의 동작 시에 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 스위칭 가능 경로의 임피던스 상태가 일정하게 유지된다.
제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 말단에 배열된다. 그러므로, 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프에서 마지막에 있는 RF 트랜지스터 핑거(103d)이다.
게다가, 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)는 이 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d), 더미 트랜지스터 핑거(107) 및 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d)와 더미 트랜지스터 핑거(107) 사이에 배열되는 더미 게이트 영역 또는 더미 제어 영역(109)에 의해 형성된다. 그러므로, 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d)는 이 둘, 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101) 및 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 일부이다. 즉, 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101) 및 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)는 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d)를 공유한다.
RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d)의 각각 및 심지어 더미 트랜지스터 핑거(107)는 확산 영역일 수 있다. 그와 같은 확산 영역은 낮게 도핑된 게이트 영역 또는 기판과 비교하여 전형적으로 고도로 도핑된다(예를 들어, 고도로 p 도핑되거나 고도로 n 도핑된다).
그러므로, 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d)의 각각은 RF 트랜지스터(101)의 제 1 단자 또는 제 2 단자의 일부이다. 게다가, 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d)는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 제 1 단자를 형성하거나 상기 제 1 단자의 일부이다. 더미 트랜지스터 핑거(107)는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 제 2 단자의 일부이다. 더미 게이트 영역(111)은 더미 트랜지스터(105)의 제어 단자의 일부이다.
요약하면, 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)는 스트라이프의 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d), 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d)에 인접하게 배열되는 더미 트랜지스터 핑거(107), 및 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 더미 트랜지스터 핑거(107) 사이에 배열되는 더미 게이트 영역(111)에 의해 형성된다. 게다가, 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 임피던스 상태를 유지하기 위해서, 터미네이션 회로(111)는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 하나의 임피던스 상태를 유지하기 위해 제 1 터미네이션 전위(113a)를 더미 게이트 영역(111)에 그리고 제 2 터미네이션 전위(113b)를 더미 트랜지스터 핑거(107)에 제공하도록 구성된다.
스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 말단에서 RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d)이 상기 스트라이프에서 인접하게 배열되는 방향으로 배열된다.
터미네이션 회로(111)는 (마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d)에서의 전위와는 관계없이) 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 임피던스 상태(스위칭 가능 경로의)가 유지되도록 하기 위해 터미네이션 전위(113a, 113b)를 제공하도록 구성된다.
본 발명의 하나의 실시예에 따르면, 터미네이션 회로(111)는 터미네이션 전위들(113a, 113b)을 제공함으로써, RF 스위치(100)의 동작 동안 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 스위칭 가능 경로는 항상 고 임피던스 상태(예를 들어 비-도전)에 있다.
더욱이, RF 스위치(100)는 RF 신호를 스위칭하는 데 이용됨으로써 RF 스위치(100)의 제 1 스위치 상태에서 RF 신호는 RF 스위치(100)를 따라 라우팅되고 RF 스위치(100)의 제 2 스위치 상태에서 RF 신호는 RF 스위치(100)를 따라 라우팅되지 않게 되므로, 터미네이션 회로(111)는 터미네이션 전위들(113a, 113b)을 제공함으로써 RF 스위치(100)의 전류 스위치 상태에 관계없이 스위치 불능 RF 트랜지스터(105)의 임피던스 상태가 (항상) 유지된다. 그러므로, 심지어 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 임피던스 상태가 변할지라도(예를 들어, 저 임피던스 상태에서 고 임피던스 상태로 또는 고 임피던스 상태에서 저 임피던스 상태로), 터미네이션 회로(111)는 터미네이션 전위들(113a, 113b)을 제공함으로써 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)가 자신의 임피던스 상태를 유지하게 된다(도 1a에 도시된 예에서 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)는 고 임피던스 상태에 있게 된다).
일부 실시예들에 따르면, 터미네이션 전위들(113a, 113b)은 RF 스위치(100)의 동작 동안 일정하게 유지되는 고정 전위들이다.
추가적인 실시예들에 따르면, RF 스위치(100)는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)에 인접하게 배열될 수 있는 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터들을 포함할 수 있다. 터미네이션 회로(111)는 복수의 터미네이션 전위들을 스위칭 불능 더미 트랜지스터들에 제공함으로써 스위칭 불능 더미 트랜지스터들의 임피던스 상태들은 RF 스위치(100)의 동작 동안 일정하게 유지된다.
터미네이션 회로(111)는 제 1 터미네이션 전위(113a) 및 제 2 터미네이션 전위(113b)가 동일하도록 이 두 전위를 제공하도록 구성될 수 있다..
다음에, RF 스위치(100)의 특히 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 구조가 더 상세하게 기술될 것이다.
RF 스위치(100)는 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117)를 포함한다. RF 스위치(100)는 RF 신호(119)를 제 1 신호 단자(115)로부터 제 2 신호 단자(117)로 또는 제 2 신호 단자(117)로부터 제 1 신호 단자(115)로 스위칭 가능하게 라우팅하도록 구성된다.
예로서, 상술한 RF 스위치(100)의 제 1 스위치 상태에서 RF 스위치(100)는 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이의 저 임피던스 접속을 설정하도록 구성된다. RF 스위치(100)의 제 2 스위치 상태에서, RF 스위치(100)는 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에 고 임피던스 접속을 설정하도록 구성된다. 그러므로, RF 스위치(100)의 제 1 스위치 상태에서, RF 신호(119)는 RF 스위치(100)를 통해 라우팅될 수 있고 반면에 RF 스위치(100)의 제 2 스위치 상태에서 RF 신호(119)는 RF 스위치(100)를 통해 라우팅될 수 없다.
제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에 저 임피던스 접속을 설정하기 위해, RF 스위치(100)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)(또는 더 상세하게 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스위칭 가능 경로)가 저 임피던스(도전) 상태가 되도록 함으로써 RF 신호(119)가 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스위칭 가능 경로를 통해 라우팅될 수 있다. 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에 고 임피던스 접속을 설정하기 위해(또는 제 2 신호 단자(117)로부터 제 1 신호 단자(115)를 전기적으로 결합 해제하기 위해), RF 스위치(100)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)(또는 더 상세하게 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스위칭 가능 경로)가 고 임피던스(비-도전) 상태가 되도록 한다.
부가적인 실시예들에 따르면 RF 스위치(100)는 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에서 직렬로 결합되는 복수의 그와 같은 RF 트랜지스터들을 포함할 수 있다. RF 스위치(100)는 RF 스위치(100)의 제 1 스위치 상태에서 복수의 RF 트랜지스터들의 스위칭 가능 경로들이 저 임피던스 상태가 되도록 하고 RF 스위치(100)의 제 2 스위치 상태에서 고 임피던스 상태가 되도록 한다.
상술한 바와 같이, 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)는 복수의 RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d)을 포함한다. 게다가, 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d)의 각각은 스위칭 가능 트랜지스터(101)의 RF 트랜지스터 핑거(103a 내지 103d)의 스트라이프 내의 하나 건너 다음의 핑거와 단락된다. 도 1a로부터 확인될 수 있는 바와 같이 제 1 RF 트랜지스터 핑거(103a)는 제 3 트랜지스터 핑거(103c)와 단락된다. 제 2 RF 트랜지스터 핑거(103b)는 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d)와 단락된다. 그러므로, 트랜지스터 핑거들의 각각의 단락된 그룹은 제 1 RF 트랜지스터(101)의 단자를 형성한다. 예로서, 제 1 RF 트랜지스터 핑거(103a) 및 제 3 RF 트랜지스터 핑거(103c)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 제 1 단자를 형성하고 제 2 RF 트랜지스터 핑거(103b) 및 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 제 2 단자를 형성한다. 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 제 1 단자는 RF 스위치(100)의 제 1 신호 단자(115)에 결합된다. RF 트랜지스터(101)의 제 2 단자는 RF 스위치(100)의 제 2 신호 단자(117)에 결합된다.
그럼에도 불구하고, 본 발명의 부가적인 실시예들에 따르면, RF 스위치(101)의 제 1 단자는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)와 직렬로 결합되어 있는 RF 스위치(100)의 이전의 스위칭 RF 트랜지스터의 제 2 단자에 결합될 수 있다. 게다가, 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 제 2 단자는 스위칭 RF 트랜지스터(101)와 직렬로 결합되어 있는 RF 스위치(100)의 이후의 스위칭 RF 트랜지스터의 제 1 단자에 결합될 수 있다.
게다가, RF 스위치(100)는 복수의 RF 게이트 영역들(121a 내지 121c)을 포함한다. RF 게이트 영역들(121a 내지 121c)의 각각은 2개의 인접한 RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d) 사이에 배열된다. 확인될 수 있는 바와 같이, RF 스위치(100)의 2개의 인접한 RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d)은 서로 단락되지 않는다.
도 1a에 도시된 실시예에서, 제 1 RF 게이트 영역(121a)은 제 1 RF 트랜지스터 핑거(103a) 및 제 2 RF 트랜지스터 핑거(103b) 사이에 배열되고, 제 2 RF 게이트 영역(121b)은 제 2 RF 트랜지스터 핑거(103b) 및 제 3 RF 트랜지스터 핑거(103c) 사이에 배열되고 제 3 RF 게이트 영역(121c)은 제 3 RF 트랜지스터 핑거(103c) 및 제 4 RF 트랜지스터 핑거(103d) 사이에 배열된다.
게다가, RF 게이트 영역들(121 내지 121c)은 단락된다. 그러므로, RF 게이트 영역들(121 내지 121c)은 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 제어 단자(123)를 형성하거나 이에 접속될 수 있다. 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)는 RF 게이트 영역들(121a 내지 121c)에, 따라서 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 제어 단자(123)에 인가되는 전위에 따라 자체의 스위칭 가능 경로의 고 임피던스 상태 및 저 임피던스 상태 사이에서 스위칭하도록 구성된다.
복수의 그와 같은 RF 트랜지스터들(101)이 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에서 직렬로 결합되는 본 발명의 하나의 실시예에서, RF 스위치(100)는 RF 스위치(100)의 제 1 스위치 상태에서 스위칭 가능 RF 트랜지스터들의 스위칭 가능 경로들이 저 임피던스 상태가 되도록 하고 RF 스위치(100)의 제 2 스위칭 상태에서 스위칭 가능 RF 트랜지스터들의 스위칭 가능 경로들이 고 임피던스 상태가 되도록 하기 위해서 직렬로 결합된 스위칭 가능 RF 트랜지스터들의 각각의 제어 단자(123)에 동일한 전위를 제공하도록 구성될 수 있다.
도 1b는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 RF 스위치(130)를 도시한다(상면 사시도).
RF 스위치(130)는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)와 인접하게 배열되는 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터(131)를 포함하는 점에 있어서 RF 스위치(100)와 상이하다.
그러므로, RF 스위치(130)는 더미 트랜지스터 핑거(107)에 인접하게 배열되는 추가 더미 트랜지스터 핑거(135) 및 더미 트랜지스터 핑거(107)와 추가 더미 트랜지스터 핑거(135) 사이에 배열되는 추가 더미 게이트 영역(133)을 포함한다.
게다가, 터미네이션 회로(111)는 추가 더미 게이트 영역(133)에 제 3 터미네이션 전위(113c)를 그리고 추가 더미 트랜지스터 핑거(135)에 제 4 터미네이션 전위(113d)를 제공하도록 더 구성된다.
그러므로, 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터(131)는 더미 트랜지스터 핑거(107), 추가 게이트 영역(133) 및 추가 더미 트랜지스터(135)에 의해 형성된다.
터미네이션 회로(111)는 터미네이션 전위들(113a 내지 113d)을 제공함으로써 RF 스위치(130)의 동작 동안 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 임피던스 상태 및 게다가 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터(131)의 임피던스 상태가 유지된다(일정하게 유지된다).
게다가, 터미네이션 회로(111)는 터미네이션 전위들(113a 내지 113d)을 제공하도록 구성될 수 있어서, RF 스위치(130)의 동작 중에 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)(또는 더 상세하게 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)의 스위칭 가능 경로)가 고 임피던스 상태로 유지되고 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터(131)(또는 더 상세하게 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터(131)의 스위칭 가능 경로)가 저 임피던스 상태로 유지된다. 그러므로, 터미네이션 회로(111)가 터미네이션 전위들(113a 내지 113b)을 제공함으로써 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d)에 의해 적어도 부분적으로 형성되는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)는 RF 스위치(130)의 동작 동안 고 임피던스 상태로 유지되는 반면에 더미 트랜지스터 핑거들(107, 135)에 의해(그리고 임의의 RF 트랜지스터 핑거(103a 내지 103d)에 의하지 않은) 형성되는 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터(131)는 저 임피던스 상태로 유지된다.
고 인피던스 상태에 있는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105) 및 저 임피던스 상태에 있는 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터(131)를 가짐으로써, 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d)에서 발생할 수 있는 고 RF 전압들의 분배가 더욱 개선될 수 있고 따라서 RF 스위치(130)의 강인성이 더욱이 개선될 수 있다.
부가적인 실시예들에 따르면, RF 스위치(130)는 추가 더미 트랜지스터 핑거(135)에 인접하게 배열되고 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터들을 형성하는 추가 더미 게이트 영역들 및 더미 트랜지스터 핑거들을 포함할 수 있다. 터미네이션 회로(111)는 이 추가 더미 게이트 영역 및 더미 트랜지스터 핑거들에 터미네이션 전위들을 제공할 수 있어서, 이 추가 더미 게이트 영역들 및 더미 트랜지스터 핑거들에 의해 생성되는 스위칭 불능 더미 트랜지스터들은 RF 스위치(130)의 동작 동안 저 임피던스 상태로 유지된다.
그러므로, 터미네이션 회로(111)는 터미네이션 전위들이 동일하도록 이 추가 더미 게이트 영역들 및/또는 더미 트랜지스터 핑거들에 상기 터미네이션 전위들을 제공할 수 있으나, 제 1 터미네이션 전위(113a)가 터미네이션 회로(111)에 의해 제공되는 다른 터미네이션 전위들과 상이하도록 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 더미 트랜지스터 핑거(107) 사이에 배열되는 더미 게이트 영역(109)에 제공되는 제 1 터미네이션 전위(113a)를 제공할 수 있다.
도 1c는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 RF 스위치(100)를 도시한다(상면 사시도).
RF 스위치(150)는 RF 스위치(100)의 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)와 비교할 때 RF 스위치(150)의 스위칭 불능 더미 트랜지스터(151)가 상이하게 구현되는 점에서 도 1a에 도시된 RF 스위치(100)와 상이하다. RF 스위치(150)에서 RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d) 중 어느 것도 스위칭 불능 더미 트랜지스터(151)의 일부가 아니다. 대신, RF 스위치(150)는 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153), 제 1 더미 게이트 영역(155) 및 제 2 더미 트랜지스터 핑거(157)를 포함한다. 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153)는 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d)에 인접하게 배열된다. 게다가, 더미 게이트 영역(155)은 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153) 및 제 2 더미 트랜지스터 핑거(157) 사이에 배열된다.
터미네이션 회로(111)는 제 1 터미네이션 전위(159a)를 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153)에, 제 2 터미네이션 전위(159b)를 더미 게이트 영역(155)에 그리고 제 3 터미네이션 전위(159c)를 제 2 더미 트랜지스터 핑거(157)에 제공하도록 구성된다. 도 1a 및 도 1b와 함께 이미 기술된 바와 같이, 터미네이션 회로(111)는 터미네이션 전위들(159a 내지 159c)을 제공하도록 구성됨으로써 RF 스위치(150)의 동작 동안 스위칭 불능 더미 트랜지스터(151)의 임피던스 상태가 유지된다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 터미네이션(111)은 터미네이션 전위들(159a 내지 159c)을 제공함으로써, 스위칭 불능 더미 트랜지스터(151)(또는 더 상세하게 스위칭 불능 더미 트랜지스터(151)의 스위칭 가능 경로)는 RF 스위칭(150)의 동작 동안 낮은 임피던스 상태로 유지된다. 그러므로, RF 스위치(150)의 동작 동안 그리고 RF 스위치(150)의 스위치 상태와는 독립적으로 스위칭 불능 더미 트랜지스터(151)의 스위칭 가능 경로는 저 임피던스 상태(예를 들어, 도전)로 유지된다. 결과적으로, RF 스위치(150)의 동작 동안 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153) 및 제 2 더미 트랜지스터 핑거(157)는 서로 전기적으로 결합된다(더미 게이트 영역(155)을 따른 저 임피던스 경로를 통해).
게다가, RF 스위치(150)는 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153) 사이에 배열되는 비-트랜지스터 영역(161)을 포함한다. 비-트랜지스터 영역(161)은 RF 스위치(150)의 동작 동안 마지만 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153) 사이에 저 임피던스 경로가 설정되지 않도록 선택된다. 즉, 비-트랜지스터 영역(161)은 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153)를 서로 전기적으로 결합 해제(예를 들어, 절연)하도록 선택된다. 즉, 비-트랜지스터 영역(161)은 터미네이션 전위를 비-트랜지스터 영역(161)에 인가할 필요 없이 RF 스위치(150)의 동작 동안 비-트랜지스터 영역(161)이 고 임피던스 상태로 유지되도록 선택된다. 그러므로, 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 터미네이션 전위는 비-트랜지스터 영역(161)에 인가되지 않는다. 비-트랜지스터 영역(161)은 트랜지스터의 확산 영역(드레인 또는 소스와 같은)도 아니며 게이트 영역도 아니다.
즉, 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153) 사이에 어떠한 스위칭 가능 게이트도 배열되지 않는다.
본 발명의 부가적인 실시예들에 따르면, 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153) 사이의 거리는 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 마지막에서 두 번째 RF 트랜지스터 핑거(103c) 사이의 거리보다 적어도 10%, 20%, 50% 또는 100% 더 크다.
일반적으로, 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 제 1 더미 트랜지스터 핑거(153) 사이의 거리는 마지막 트랜지스터 핑거(103d) 및 제 1 더미 트랜지스터(153) 사이의 비-트랜지스터 영역(161)이 RF 스위치(150)의 동작 동안 고 임피던스 상태로 유지되도록 선택될 수 있다.
요약하면, RF 스위치들(100, 130, 150)의 모두는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프에 인접하게 배열되는 적어도 하나의 더미 트랜지스터 핑거(107, 153)를 포함하는 공통점이 있다. 이 더미 트랜지스터 핑거(107, 153)는 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105, 151)의 일부이고 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 RF 트랜지스터 핑거들(103a 내지 103d) 중 어느 것과도 단락되지 않는다.
도 1d는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 RF 스위치(170)를 도시한다. RF 스위치(170)는 더미 게이트 영역(155) 및 제 2 더미 트랜지스터 핑거(157)가 빠져 있다는 점에서 RF 스위치(150)와 상이하다. 그러므로, RF 스위치(170)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 말단에 배열된 확산 영역(153)을 포함하고, 여기서 비-트랜지스터 영역(161)은 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101) 및 확산 영역(153) 사이에 배열된다. RF 스위치(150)와 함께 이미 기술된 바와 같이, 확산 영역(153)에 적용되는 비-트랜지스터 영역(161) 및 터미네이션 전위(159a)는 RF 스위치(170)의 동작 동안 비-트랜지스터 영역(161)이 고 임피던스(예를 들어, 비-도전) 상태로 유지되도록 선택된다. 적어도 일부의 사용 경우들에서 RF 스위치들에서 발생하는 고 전계 강도들을 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 단부에 배열되는 단일 확산 영역(153)에 걸쳐 분배하는 것이 충분할 수 있음이 밝혀졌다. 그러므로 단 하나의 추가 확산 영역(153)만이 소비되고 추가적으로 단 하나의 추가 터미네이션 전위(159a)만이 소비되므로, RF 스위치(170)는 가능한 한 더 적은 노력으로 구현될 수 있다.
도 2a는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 RF 스위치(200)를 도시한다(상면 사시도). RF 스위치(200)는 RF 스위치(200)의 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에서 직렬로 결합되는 복수의 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)을 포함하는 점에서 도 1에 도시된 RF 스위치(100)와 상이하다. 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)의 각각은 도 1a와 함께 설명된 바와 같이, 복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프를 포함한다. 게다가, RF 스위치(200)는 복수의 스위칭 불능 더미 트랜지스터들(105)을 포함한다. 스위칭 불능 더미 트랜지스터들(105)의 각각은 RF 스위치(200)의 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101) 중 하나의 스트립의 말단에 배열된다.
도 2a에 도시된 예에서, 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)가 각각의 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)에 대해 제공될지라도, 부가적인 실시예들에 따르면, 스위칭 불능 더미 트랜지스터들(105)의 수는 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)의 수와는 다를 수 있다. 예로서, 본 발명의 하나의 실시예에 따르면, 제 1 직렬 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 말단에 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)의 직렬 접속으로 배열되는 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)를 제공하는 것이 충분할 수 있다.
예로서, 본 발명의 하나의 실시예에 따르면, 그와 같은 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)는 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 말단에 배열될 수 있고, 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 RF 트랜지스터 핑거는 RF 스위치(200)의 제 1 신호 단자(115)에 직접적으로 접속된다. 이것은 전형적으로 RF 스위치(200)를 통해 라우팅되는 수신 또는 송신되는 RF 신호의 전 RF 전압이 신호 단자들(115, 117) 중 하나에 적용되므로 충분할 수 있다.
도 2a에 도시된 RF 스위치(200)의 구현은 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)가 마지막 RF 트랜지스터 핑거(103d) 및 더미 트랜지스터 핑거(107)에 의해 형성되는 RF 스위치(100)에 기초할지라도, 부가적인 실시예들에 따르면, RF 스위치(200)는 더미 트랜지스터(105)에 인접하게 배열되는 추가 더미 트랜지스터들(추가 더미 트랜지스터(131)와 같은)을 포함할 수 있다(도 1b와 함께 기술된 바와 같이).
게다가, 본 발명의 부가적인 실시예들에 따르면, 더미 트랜지스터들(105)을 가지는 대신, RF 스위치(200)는 도 1c와 함께 도시된 바와 같이, 복수의 스위칭 불능 더미 트랜지스터들(151)을 포함할 수 있다. 더미 트랜지스터들(151)의 각각은 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101) 중 하나의 스트라이프의 말단에 배열될 수 있다. 게다가, 이미 상술한 바와 같이, 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101) 중 하나 또는 일부에만 그와 같은 스위칭 불능 더미 트랜지스터(151)를 제공하는 것이 충분할 수 있다.
게다가, RF 스위치(200)는 다음의 추가적인 특징들을 포함한다.
RF 스위치(200)는 RF 스위치(200)의 제 2 신호 단자(117) 및 RF 스위치(200)의 접지 전위 단자(203) 사이에서 직렬로 결합되는 복수의 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)을 포함한다. 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 각각은 복수의 인접한 추가 RF 트랜지스터 핑거들의 추가 스트라이프를 포함한다.
예로서, 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에서 직렬로 결합되어 있는 복수의 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)은 RF 신호(119)가 스위칭 가능하게 라우팅되는 관통 경로 또는 관통 트랜지스터를 형성한다. 제 2 신호 단자(117) 및 접지 전위 단자(203) 사이에서 결합되는 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 직렬 접속은 RF 스위치(200)의 션트(shunt) 경로 또는 션트 트랜지스터를 형성한다.
RF 스위치(200)는 RF 스위치(200)의 제 1 스위치 상태에서 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)의 스위칭 가능 경로들이 저 임피던스 상태가 되게 하고 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 스위칭 가능 경로들이 고 임피던스 상태가 되게 하도록 구성된다. 게다가, RF 스위치(200)는 제 2 신호 단자(117) 및 접지 전위 단자(203) 사이에 션트 경로를 설정하기 위해 RF 스위치(200)의 제 2 스위치 상태에서, 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)의 스위칭 가능 경로들이 고 임피던스 상태가 되게 하고 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 스위치 가능 경로들이 저 임피던스 상태가 되게 하도록 구성된다. 도 2a에 도시된 예에서, 복수의 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)이 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에서 직렬로 결합되고, 게다가, 복수의 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)이 제 2 신호 단자(117) 및 접지 전위 단자(203) 사이에서 직렬로 결합될지라도, 본 발명의 최소 실시예에 따르면, 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에서 결합되는 적어도 하나의 스위칭 가능 RF 트랜지스터 및 제 2 신호 단자(117) 및 접지 전위 단자(203) 사이에서 결합되는 적어도 하나의 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터(201)를 가지는 것이 충분하다.
일반적으로, 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)의 수 및 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 수는 임의적일 수 있고 RF 스위치(200)를 따라 라우팅되는 RF 신호(119)의 진폭에 좌우될 수 있다.
도 2a에서 확인될 수 있는 바와 같이, 복수의 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101) 및 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)은 스위칭 불능 더미 트랜지스터들(105)의 반대 측들에 배열된다.
스위칭 불능 더미 트랜지스터들(105)이 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101) 및 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201) 사이에 배열되도록 함으로써, 스위칭 가능 RF 송신기들(101)의 마지막 또는 마지막에서 두 번째 RF 송신기 핑거들 및 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 추가 RF 트랜지스터 핑거들 사이에서 높은 전계 강도가 발생되는 것이 방지될 수 있다. 그러므로, 상이한 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101, 2010)의 이 RF 트랜지스터 핑거들 사이에서 전계 강도를 감소시킴으로써, 관통 패스의 스위칭 가능 RF 트랜지스터들의 RF 트랜지스터 핑거들 및 션트 패스의 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들의 RF 트랜지스터 핑거들이 사이에 추가 더미 트랜지스터 없이 서로 마주보도록 배열되는 시스템들과 비교하면 RF 스위치(200)의 강인성이 개선될 수 있다.
그러므로, 실시예들은, 특히 완전 RF 전압이 적어도 제 1 직렬 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 트랜지스터 핑거들에 제공되고 접지 전위가 접지 전위 단자(203)에 결합되는 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 트랜지스터 핑거들에 제공되는 경우들에서, 더 강인한 RF 스위치를 제공한다.
예로서, 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터(201)의 추가 RF 트랜지스터 핑거는 제 2 신호 단자(117)와 접지 전위 단자(203) 사이에서 직렬 접속되어 있고, 마지막 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터(201)는 접지 전위 단자(203)에 직접적으로 접속된다.
게다가, 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 각각은 복수의 추가 RF 게이트 영역들을 포함하고, 여기서 추가 RF 게이트 영역은 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터(201)의 한 쌍의 추가 RF 트랜지스터 핑거들 사이에 배열된다. 게다가, 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터(201)의 추가 RF 게이트 영역들은 단락된다.
RF 스위치(200)는 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)을 자체의 고 임피던스 상태들 및 자체의 저 임피던스 상태들 사이에서 스위칭하기 위해 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 추가 RF 게이트 영역들에 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)을 제공하도록 구성될 수 있다.
게다가, 도 2a에서 확인될 수 있는 바와 같이, 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)은 제 1 우물 또는 제 1 공핍 영역(205)에 배열될 수 있고 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)는 제 1 우물 또는 제 1 공핍 영역(205)과 분리된 제 2 우물 또는 제 2 공핍 영역(207)에 배열될 수 있다.
그럼에도 불구하고, 본 발명의 부가적인 실시예들에 따르면, 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101) 및 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)은 또한 하나 및 동일한 우물 또는 공핍 영역에서 구현될 수 있다.
도 2b는 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101) 중 하나를 RF 스위치(200)로부터의 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 스트라이프의 말단에 배열된 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)와 함께 확대하여 도시한다.
본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 우물(205) 또는 확산 영역(205)의 경계 및 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 마지막 RF 트랜지스터 핑거(123d) 사이에는 적어도 하나의 더미 트랜지스터 핑거(107)가 제공된다. 그러므로, 마지막 RF 트랜지스터 핑거(123d) 및 스위칭 가능 RF 트랜지스터(101)의 기판 사이의 전압 차는 더미 트랜지스터 핑거(107)에 분산될 수 있고, 이는 마지막 RF 트랜지스터 핑거(123d) 및 우물(205)의 경계 사이에서 발생하는 전계 강도를 줄이고 따라서 RF 스위치(200)의 강인성을 증가시킨다.
도 2c는 RF 스위치(200)의 회로를 개략적으로 도시한다. 도 2c로부터 복수의 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)이 제 1 신호 단자(115) 및 제 2 신호 단자(117) 사이에서 직렬로 결합되어 있음이 확인될 수 있고, 게다가 복수의 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)이 제 2 신호 단자(117) 및 접지 전위 단자(203) 사이에서 직렬로 결합되어 있음이 확인될 수 있다. 게다가, RF 스위치(200)는 제 2 스위치 전위(213)를 스위치 가능 RF 트랜지스터들(101)에(예를 들어, 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)의 게이트 단자들에) 제공하고 제 2 스위치 전위를 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)에(예를 들어, 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 게이트 단자들에) 제공하도록 구성되는 스위치 전위 제공기(211)를 포함한다.
스위치 전위 제공기(211)는 RF 스위치(200)의 제 1 스위치 상태에서 제 1 스위치 전압(213)을 제공하도록 구성됨으로써 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)이 저 임피던스 상태에 있게 된다(RF 신호(119)가 제 1 신호 단자(115)로부터 제 2 신호 단자(117)로 또는 그 역으로 라우팅되도록 한다). 게다가, 스위치 전위 제공기(211)는 RF 스위치(200)의 제 1 스위치 상태에서 제 2 스위치 전위(215)를 제공하도록 구성됨으로써 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터(201)가 자체의 고 임피던스 상태에 있게 된다.
게다가, 스위치 전위 제공기(211)는 RF 스위치(200)의 제 2 스위치 상태에서 제 1 스위치 전위(213)를 제공하도록 구성됨으로써 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)이 자체의 고 임피던스 상태에 있게 되고 제 2 스위치 전위(215)를 제공함으로써 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)이 자체의 저 임피던스 상태에 있게 된다.
상술한 바와 같이, 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(101)의 수 및 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터들(201)의 수는 임의적일 수 있고 RF 스위치(200)를 따라 라우팅되는 RF 신호(119)에 좌우될 수 있다.
다음에, 터미네이션 회로(111)에 대한 다른 가능한 구현들이 도시될 것이다.
도 3a는 RF 스위치(100)에서 이용될 수 있는 바대로의 터미네이션 회로(111)에 대한 제 1 가능 구현을 도시한다. 도 3a에 도시된 예에서, 터미네이션 회로(111)는 제 1 터미네이션 전위(113a)를 더미 게이트 영역(109)에 제공하고 제 2 터미네이션 전위(113b)를 더미 트랜지스터 핑거(107)에 제공하도록 구성된다. 터미네이션 회로(111)는 제 2 터미네이션 전위(113b)에서 독립한 제 1 터미네이션 전위(113a)를 제공할 수 있다. 즉, 터미네이션 회로(111)는 제 1 터미네이션 전위(113a) 및 제 2 터미네이션 전위(113b)를 제공하도록 구성됨으로써 이 두 전위들은 서로 상이할 수 있게 된다.
게다가, 터미네이션 회로(111)는 RF 스위치(100)의 기판(303)에 바이어싱 전위(301)를 제공하도록 구성될 수 있다. 터미네이션 회로(111)는 바이어싱 전위(301)의 크기가 터미네이션 전위들(113a, 113b) 중 하나의 크기보다 더 크거나 심지어 터미네이션 전위들(113a, 113b) 이 둘의 크기들보다 훨씬 더 크도록 바이어싱 전위(301)를 제공하도록 구성될 수 있다. 예로서, 바이어싱 전위 및 터미네이션 전위(또는 접지 전위에 대한 바이어싱 전위 및 터미네이션 전압)는 음일 수 있다.
이미 기술된 바와 같이, 터미네이션 회로(111)는 터미네이션 전위들(113a, 113b)을 제공하도록 구성될 수 있어서 RF 스위치(100)의 동작 동안 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)는 자체의 고 임피던스 상태로 유지된다.
도 3b는 도 1b에 도시된 RF 스위치(130)에 대한 터미네이션 회로(111)의 가능한 구현을 도시한다. 도 3b로부터 확인될 수 있는 바와 같이 터미네이션 회로(111)는 4개의 터미네이션 전위들(113a 내지 113d)을 제공하도록 구성된다. 터미네이션 회로(111)는 4개의 터미네이션 전위들(113a 내지 113d)을 서로 독립적으로, 즉 이들이 서로 다를 수 있게 제공하도록 구성될 수 있다.
게다가, 터미네이션 회로(111)는 터미네이션 전위들(113a 내지 113d)을 제공하도록 구성될 수 있어서 RF 스위치(130)의 동작 동안 더미 트랜지스터(105)가 자체의 고 임피던스 상태로 유지되도록 하고 추가 더미 트랜지스터(131)가 자체의 저 임피던스 상태로 유지된다.
터미네이션 회로(111)에 의해 제공되는 터미네이션 전위들은 저항들 또는 임피던스들을 이용하여 제공될 수 있다. 그와 같은 저항들 및 임피던스들을 이용하는 도 3a에 도시된 터미네이션 회로(111)에 대한 2개의 상이한 구현들은 도 3c 및 도 3d에 도시될 것이다.
도 3c는 더미 게이트 영역(109) 및 더미 트랜지스터 핑거(107)가 2개의 별개의 프리-레지스터(pre-resistor)들(305a, 305b)을 이용하여 종료되는 터미테이션 회로(111)의 구현을 도시한다. 그러므로, 제 1 터미네이션 전위(113a)는 제 2 터미네이션 전위(113b)와 상이할 수 있다. 커패시턴스들에 의해 더미 게이트 영역(109) 및 더미 트랜지스터 핑거(107)가 RF 결합되므로, 본 발명의 실시예들에 의해 달성되는 희망하는 효과는 제 1 터미네이션 전위(113a) 및 제 2 터미네이션 전위(113b) 이 둘 모두를 제공하기 위해 하나의 프리-레지스터가 이용되는 시스템에 비해 도 3c에 도시된 2개의 프리-레지스터들(305a, 305b)을 가지는 이 배선에서 더 강력한데 왜냐하면 RF 전압이 이 커패시턴스들에 걸쳐 강하될 수 있기 때문이다. 그럼에도 불구하고, 더미 게이트 영역(109) 및 더미 트랜지스터 핑거(107)에 대해 단지 하나의 공통 프리-레지스터를 이용하는 것은 수고가 덜한 장점을 가진다. 그러므로, 도 3d는 추가 프리-레지스터(305b)를 절약하기 위해 더미 게이트 영역(109) 및 더미 트랜지스터 핑거(107)가 결합되고 하나의 그리고 동일한 프리-레지스터(305a)에 접속되는 터미네이션 회로(111)에 대한 그와 같은 배선을 도시한다.
그러므로, 도 3d에서 도시된 구현에서, 터미네이션 회로(111)는 제 1 터미네이션 전위(123a) 및 제 2 터미네이션 전위(123b)가 동일하도록 제 1 터미네이션 전위(123a) 및 제 2 터미네이션 전위(123b)를 제공하도록 구성된다.
모든 경우들에서, 터미네이션 전위들(123a, 123b)에 대해 전압(Vneg)을 선택함으로써 스위칭 불능 더미 트랜지스터(105)(마지막 RF 트랜지스터 핑거(123d) 및 더미 트랜지스터 핑거 또는 에지 트랜지스터 핑거(107)에 의해 형성된다)가 비 도전성이 되도록 하는 것이 바람직하다.
요약하면, 고 RF 전압들을 여러 더미 트랜지스터 핑거들에 걸쳐 분배하는 것이 본 발명의 실시예들의 기본 개념이다. 도 1a는 하나의 에지 핑거 또는 더미 트랜지스터(107)를 가지는 예를 도시하지만, 2개의 더미 트랜지스터 핑거들 또는 에지 핑거들(107, 135, 153, 157)의 예가 있는 도 1b, 도 1c 및 도 3b에 도시된 바와 같이 여러 더미 트랜지스터 핑거들(107, 135, 155, 157)이 이용될 수 있다.
터미네이션 회로(111)에 의해 제공되는 터미네이션 전위들(113a 내지 113d)은 고정 전위들(예를 들어, 자체의 진폭의 최대 1%의 리플을 가지는)일 수 있다. 즉, 터미네이션 회로(111)에 의해 제공되는 터미네이션 전위(113a 내지 113d)는 일정한 크기 또는 전위를 가지는 DC 신호들일 수 있다.
더 많은 더미 트랜지스터 핑거들이 이용될수록, 원하는 효과가 더 높다는 것이 밝혀졌다. 그러나, 효과는 모든 추가 핑거에 따라 증가한다. 그러므로, 더미 트랜지스터 핑거들의 수는 가능한 정도만큼으로 제한되어야만 한다. 그러므로, 본 발명의 일부 실시예들에 따르면, 단 하나의 더미 트랜지스터 핑거만으로 충분할 수 있다. 게다가, 터미네이션의 유형(더미 트랜지스터 핑거들 및 더미 게이트 영역들의 터미네이션 회로(111)로의 접속)은 이 조치 및 취해져야 할 작업에 크게 영향을 미치는 것이 밝혀졌다. 그러므로, 상이한 터미네이션들을 가지는 상이한 구현들은 도 3a 및 도 3d와 함께 제공되었다.
요약하면, 본 발명의 실시예들은 RF 스위치들의 강인성에 관한 기존의 그러나 아직 해결되지 않은 문제들에 대한 가능한 해법을 제공한다. 게다가, 종래의 시스템들에 비해 레이아웃 종속성(layout dependency)이 감소될 수 있다.
도 4는 본 발명의 부가적인 실시예에 따른 모바일 통신 디바이스(400)의 개략적인 블록도를 도시한다. 모바일 통신 디바이스(400)는 안테나(401), RF 스위치(403) 및 수신기 또는 송신기(405)를 포함하고, 수신기 또는 송신기(405)는 디지털 기저대역 프로세서(407)를 포함한다.
RF 스위치(403)는 안테나(401) 및 수신기 또는 송신기(405) 사이에서 결합된다. 예로서, RF 스위치(403)는 본 출원에 기술되는 RF 스위치들 또는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 임의의 다른 RF 스위치 중 하나일 수 있다.
예로서, RF 스위치(403)는 RF 신호를 안테나(401)로부터 수신기 또는 송신기(405)로 또는 수신기 또는 송신기(405)로부터 안테나(401)로 스위칭 가능하게 라우팅하도록 구성된다.
모바일 통신 디바이스(400)는 휴대용 모바일 통신 디바이스일 수 있다.
예로서, 모바일 통신 디바이스(400)는 다른 (휴대용) 모바일 통신 디바이스 및/또는 모바일 통신 기지국과의 음성 및/또는 데이터 통신(모바일 통신 표준에 따른)을 수행하도록 구성될 수 있다. 그와 같은 모바일 통신 디바이스는 예를 들어 모바일 전화기(셀룰러 폰)와 같은 모바일 헤드셋, 이른바 스마트폰, 태블릿 PC, 광대역 모뎀, 노트북 또는 랩탑뿐만 아니라 라우터 또는 PC일 수 있다.
도 5는 본 발명의 하나의 실시예에 따라 RF 스위치를 이용하여 RF 신호를 스위칭하는 방법(500)의 흐름도를 도시한다. RF 스위치는 스위칭 가능 RF 트랜지스터를 포함하고, 여기서 스위칭 가능 RF 트랜지스터는 복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프를 포함하고, RF 스위치는 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되는 적어도 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터를 더 포함한다. 그러므로, 방법(500)은 본 출원에서 기술되는 바와 같은 RF 스위치 또는 본 발명의 하나의 실시예에 따른 임의의 다른 RF 스위치를 이용하여 RF 신호를 스위칭하는 방법이다.
방법(500)은 스위칭 가능 RF 트랜지스터가 저 임피던스 상태가 되도록 하는 단계 501을 포함한다.
게다가, 방법(500)은 스위칭 가능 RF 트랜지스터가 고 임피던스 상태가 되도록 하는 단계 503을 포함한다. 단계 501 및 단계 503은 RF 스위치의 동작 시에 수행되고, 게다가, RF 스위치의 동작 동안 스위칭 불능 더미 트랜지스터의 임피던스 상태가 유지된다.
즉, RF 스위치의 동작 동안 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스위치 상태가 변경될지라도, 스위칭 불능 더미 트랜지스터의 스위칭 상태는 유지된다(변경되지 않는다).
도 6은 본 발명의 하나의 실시예에 따라 RF 스위치를 제조하는 방법(600)을 도시한다.
상기 방법(600)은 스위칭 가능 RF 트랜지스터를 제공하는 단계 601을 포함하고, 여기서 스위칭 가능 RF 트랜지스터는 복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프를 포함한다.
게다가, 상기 방법(600)은 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되도록 스위칭 불능 더미 트랜지스터를 제공하는 단계 603을 포함한다.
방법들(500, 600)은 장치에 대해 본원에 기술되는 특징들 및 기능들 중에서 임의의 특징 또는 기능에 의해 보완될 수 있고, 장치의 하드웨어 구성요소들을 이용하여 구현될 수 있다.
일부 양태들이 장치의 상황에서 기술되었을지라도, 이 양태들은 또한 대응하는 방법의 기술을 표현하는 것이 분명하며, 여기서 블록 또는 디바이스는 방법 단계 또는 방법 단계의 특징에 대응한다. 유사하게, 방법 단계의 상황에서 기술되는 양태들은 또한 대응하는 장치의 특징 또는 대응하는 블록 또는 아이템의 기술을 표현한다. 상기 방법 단계들의 일부 또는 모두는 예를 들어 마이크로프로세서, 프로그래머블 컴퓨터, 또는 전자 회로와 같은 하드웨어 장치에 의해(하드웨어 장치를 이용하여) 실행될 수 있다. 일부 실시예들에서, 가장 중요한 방법 단계들 중 하나 이상은 그와 같은 장치에 의해 실행될 수 있다.
특정 구현 요건들에 따라, 본 발명의 실시예들은 하드웨어에서 또는 소프트웨어에서 구현될 수 있다. 상기 구현은 내부에 저장된 전기 판독 가능 제어 신호들을 가지는 디지털 저장 매체, 예를 들어 플로피 디스크, DVD, 블루레이, CD, ROM, PROM, EPROM, EEPROM 또는 플래시 메모리를 이용하여 수행될 수 있고, 상기 전기 판독 가능 제어 신호들은 각각의 방법이 수행되도록 프로그래머블 컴퓨터 시스템과 공동 작업한다(또는 공동 작업할 수 있다). 그러므로, 디지털 저장 매체는 컴퓨터 판독 가능할 수 있다.
본 발명의 일부 실시예들은 프로그래머블 컴퓨터 시스템과 공동 작업할 수 있는 전기 판독 가능 제어 신호들을 지니는 데이터 캐리어(data carrier)를 포함함으로써 본원에 기술되는 방법들 중 하나가 실행되도록 한다.
일반적으로, 본 발명의 실시예들은 프로그램 코드가 있는 컴퓨터 프로그램 제품으로 구현되고, 프로그램 코드는 컴퓨터 프로그램 제품이 컴퓨터 상에서 가동될 때 상기 방법들 중 하나를 수행하도록 작동된다. 프로그램 코드는 예를 들어 기계 판독 가능 캐리어 상에 저장될 수 있다.
다른 실시예들은 본원에서 기술되는 방법들 중 하나를 수행하기 위해 기계 판독 가능 캐리어 상에 저장되는 컴퓨터 프로그램을 포함한다.
즉, 본 발명의 하나의 실시예는 따라서 컴퓨터 프로그램이 컴퓨터 상에서 가동될 때 본원에 기술되는 방법들 중 하나를 수행하는 프로그램 코드를 지니는 컴퓨터 프로그램이다.
본 발명의 방법들의 부가적인 실시예는 그러므로 본원에 기술되는 방법들 중 하나를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 내부에 기록된 채로 포함하는 데이터 캐리어(또는 디지털 저장 매체 또는 컴퓨터 판독 가능 매체)이다. 데이터 캐리어, 디지털 저장 매체 또는 기록 매체는 전형적으로 유형적이고/이거나 비일시적이다.
본 발명의 방법의 부가적인 실시예는 따라서 본원에서 기술되는 방법들 중 하나를 수행하는 컴퓨터 프로그램을 표현하는 데이터 스트림 또는 신호들의 시퀀스이다. 데이터 스트림 또는 신호들의 시퀀스는 예를 들어 데이터 통신 접속을 통해, 예를 들어 인터넷을 통해 전송되도록 구성될 수 있다.
부가적인 실시예는 본원에서 기술되는 방법들 중 하나를 수행하도록 구성되거나 적응되는 프로세싱 수단, 예를 들어 컴퓨터 또는 프로그래머블 로직 디바이스를 포함한다.
부가적인 실시예는 본원에 기술된 방법들 중 하나를 수행하기 위해 내부에 컴퓨터 프로그램을 설치한 컴퓨터를 포함한다.
본 발명에 따른 부가적인 실시예는 본원에 기술되는 방법들 중 하나를 수행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 수신기에 전송하도록 구성되는 장치 또는 시스템을 포함한다. 수신기는 예를 들어 컴퓨터, 모바일 디바이스, 메모리 디바이스 등일 수 있다. 장치 또는 시스템은 예를 들어 컴퓨터 프로그램을 수신기에 전송하기 위한 파일 서버를 포함할 수 있다.
일부 실시예들에서, 본원에 기술되는 방법들의 기능들 중 일부 또는 모두를 실행하는 데 프로그래머블 로직 디바이스(예를 들어, 필드 프로그래머블 게이트 어레이)가 이용될 수 있다. 일부 실시예들에서, 필드 프로그래머블 게이트 어레이는 본원에 기술되는 방법들 중 하나를 수행하기 위해 마이크로프로세서와 협력할 수 있다. 일반적으로, 상기 방법들은 바람직하게도 임의의 하드웨어 장치에 의해 수행된다.
상술한 실시예들은 단지 본 발명의 원리들에 대한 설명이다. 본원에서 기술되는 배열들 및 세부사항들의 수정들 및 변형들은 당업자들에게 명확할 것임이 이해된다. 그러므로 계류 중인 이후의 특허 청구항들의 범위에 의해 제한되고 본원에서의 실시예들에 대한 기술 및 설명에 의해 제공되는 특정한 세부사항들에 의해서 제한되지 않는 것이 의도이다.
각각의 청구항이 단지 하나의 단일 청구항을 인용할지라도, 본 명세서는 임의의 착상 가능한 청구항들의 결합을 또한 포괄한다.

Claims (27)

  1. 복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프(stripe)를 포함하는 스위칭 가능 RF 트랜지스터와,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되는 적어도 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터를 포함하는
    RF 스위치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 적어도 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터의 임피던스 상태를 유지하기 위해 상기 적어도 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터에 터미네이션 전위(termination potential)를 제공하는 터미네이션 회로를 더 포함하는
    RF 스위치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터는 상기 스트라이프의 마지막 RF 트랜지스터 핑거, 상기 마지막 RF 트랜지스터 핑거에 인접하게 배열되는 더미 트랜지스터 핑거 및 상기 마지막 RF 트랜지스터 핑거와 상기 더미 트랜지스터 핑거 사이에 배열되는 더미 게이트 영역에 의해 형성되고,
    상기 RF 스위치는 상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터의 임피던스 상태를 유지하기 위해 제 1 터미네이션 전위를 상기 더미 게이트 영역에 제공하고 제 2 터미네이션 전위를 상기 더미 트랜지스터 핑거에 제공하도록 구성되는 터미네이션 회로를 더 포함하는
    RF 스위치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 1 터미네이션 전위 및 상기 제 2 터미네이션 전위는, 상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터가 상기 RF 스위치의 동작 동안에 고 임피던스 상태로 유지되도록, 선택되는
    RF 스위치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 터미네이션 회로는, 상기 제 1 터미네이션 전위와 상기 제 2 터미네이션 전위가 동일하도록, 상기 제 1 터미네이션 전위 및 상기 제 2 터미네이션 전위를 제공하도록 구성되는
    RF 스위치.
  6. 제 3 항에 있어서,
    상기 더미 트랜지스터 핑거, 상기 더미 트랜지스터 핑거에 인접하게 배열되는 추가 더미 트랜지스터 핑거 및 상기 더미 트랜지스터 핑거와 상기 추가 더미 트랜지스터 핑거 사이에 배열되는 추가 더미 게이트 영역에 의해 형성되는 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터를 더 포함하고,
    상기 터미네이션 회로는 상기 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터의 임피던스 상태를 유지하기 위해 제 3 터미네이션 전위를 상기 추가 더미 게이트 영역에 제공하고 제 4 터미네이션 전위를 상기 추가 더미 트랜지스터 핑거에 제공하도록 또한 구성되는
    RF 스위치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 1 터미네이션 전위, 제 2 터미네이션 전위, 제 3 터미네이션 전위 및 제 4 터미네이션 전위는, 상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터가 상기 RF 스위치의 동작 동안에 고 임피던스 상태로 유지되고 상기 추가 스위칭 불능 더미 트랜지스터가 상기 RF 스위치의 동작 동안에 저 임피던스 상태로 유지되도록, 선택되는
    RF 스위치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    터미네이션 회로를 더 포함하되,
    상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터는 상기 스트라이프의 마지막 RF 트랜지스터 핑거에 인접하게 배열되는 제 1 더미 트랜지스터 핑거, 상기 제 1 더미 트랜지스터 핑거에 인접하게 배열되는 제 2 더미 트랜지스터 핑거 및 상기 제 1 더미 트랜지스터 핑거와 상기 제 2 더미 트랜지스터 핑거 사이에 배열되는 더미 게이트 영역에 의해 형성되고,
    상기 터미네이션 회로는 제 1 터미네이션 전위를 상기 제 1 더미 트랜지스터 핑거에, 제 2 터미네이션 전위를 상기 더미 게이트 영역에 제공하고 제 3 터미네이션 전위를 상기 제 2 더미 트랜지스터 핑거에 제공하도록 구성되는
    RF 스위치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제 1 터미네이션 전위, 상기 제 2 터미네이션 전위 및 상기 제 3 터미네이션 전위는, 상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터가 상기 RF 스위치의 동작 동안에 저 임피던스 상태로 유지되도록, 선택되는
    RF 스위치.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 마지막 RF 트랜지스터 핑거와 상기 제 1 더미 트랜지스터 핑거 사이에 배열되는 비-트랜지스터 영역을 더 포함하되,
    상기 비-트랜지스터 영역은, 상기 비-트랜지스터 영역이 상기 RF 스위치의 동작 동안에 고 임피던스 상태로 유지되도록, 선택되는
    RF 스위치.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 마지막 RF 트랜지스터 핑거와 상기 제 1 더미 트랜지스터 핑거 사이의 거리는 상기 스트라이프 내의 마지막에서 두 번째 RF 트랜지스터 핑거와 상기 마지막 RF 트랜지스터 핑거 사이보다 적어도 20% 더 큰
    RF 스위치.
  12. 제 2 항에 있어서,
    상기 터미네이션 회로는 바이어싱 전위의 크기가 상기 터미네이션 전위의 크기보다 더 크도록, 상기 RF 스위치의 기판에 상기 바이어싱 전위를 제공하도록 또한 구성되는
    RF 스위치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 상기 RF 트랜지스터 핑거들 각각은 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 상기 RF 트랜지스터 핑거의 스트라이프 내의 하나 건너의(next-but-one) 핑거와 단락되는
    RF 스위치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    복수의 RF 게이트 영역들을 더 포함하되,
    상기 복수의 RF 게이트 영역들의 RF 게이트 영역은 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 한 쌍의 인접 RF 트랜지스터 핑거들 사이에 배열되고,
    상기 RF 게이트 영역들은 단락되는
    RF 스위치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 스트라이프에 인접하게 배열되는 더미 트랜지스터 핑거를 더 포함하되,
    상기 더미 트랜지스터 핑거는 상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터의 일부이고 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 상기 RF 트랜지스터 핑거들 중 어느 핑거와도 단락되지 않는
    RF 스위치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터는 상기 RF 스위치의 제 1 신호 단자와 상기 RF 스위치의 제 2 신호 단자 사이에 배열되어 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 저 임피던스 상태에서 RF 신호를 상기 제 1 신호 단자로부터 상기 제 2 신호 단자로 또는 그 역으로 라우팅하는
    RF 스위치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 RF 스위치의 제 2 신호 단자와 상기 RF 스위치의 접지 전위 단자 사이에 결합되는 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터를 더 포함하되,
    상기 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터는 복수의 인접 추가 RF 트랜지스터 핑거들의 추가 스트라이프를 포함하는
    RF 스위치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터 및 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터는 상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터의 반대 측들에 배열되는
    RF 스위치.
  19. 제 17 항에 있어서,
    상기 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 추가 RF 트랜지스터 핑거가 상기 접지 전위 단자에 직접 접속되는
    RF 스위치.
  20. 제 17 항에 있어서,
    복수의 추가 RF 게이트 영역들을 더 포함하되,
    상기 복수의 추가 RF 게이트 영역들의 추가 RF 게이트 영역은 상기 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 한 쌍의 추가 RF 트랜지스터 핑거들 사이에 배열되고,
    상기 추가 RF 게이트 영역들은 단락되는
    RF 스위치.
  21. 제 17 항에 있어서,
    상기 RF 트랜지스터 핑거들은 제 1 우물(well) 또는 제 1 공핍 영역에 배열되고, 상기 추가 RF 트랜지스터 핑거들은 상기 제 1 우물 또는 제 1 공핍 영역과 분리되어 있는 제 2 우물 또는 제 2 공핍 영역에 배열되는
    RF 스위치.
  22. 제 1 항에 있어서,
    제 1 신호 단자, 제 2 신호 단자 및 접지 전위 단자와,
    추가 스위칭 RF 트랜지스터- 상기 추가 스위칭 RF 트랜지스터는, 상기 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 저 임피던스 상태에서 상기 제 2 신호 단자에 접지 전위를 제공하기 위해 상기 제 2 신호 단자와 상기 접지 전위 단자 사이에 결합됨- 와,
    제 1 스위치 전위를 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터에 그리고 제 2 스위치 전위를 상기 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터에 제공하도록 구성되는 스위치 전위 제공기를 더 포함하되,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터는 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 저 임피던스 상태에서 RF 신호를 상기 제 1 신호 단자로부터 상기 제 2 신호 단자로 또는 그 역으로 라우팅하기 위해 상기 제 1 신호 단자와 상기 제 2 신호 단자 사이에 결합되고,
    상기 스위칭 전위 제공기는 상기 RF 스위치의 제 1 스위치 상태에서 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터가 저 임피던스 상태에 있도록 상기 제 1 스위치 전위를 제공하고 상기 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터가 고 임피던스 상태에 있도록 상기 제 2 스위치 전위를 제공하도록 구성되고,
    상기 스위치 전위 제공기는 상기 RF 스위치의 제 2 스위치 상태에서 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터가 상기 고 임피던스 상태에 있도록 상기 제 1 스위치 전위를 제공하고 상기 추가 스위칭 가능 RF 트랜지스터가 상기 저 임피던스 상태에 있도록 상기 제 2 스위치 전위를 제공하도록 또한 구성되는
    RF 스위치.
  23. RF 스위치로서,
    복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프를 포함하는 스위칭 가능 RF 트랜지스터와,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되는 적어도 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터와,
    터미네이션 회로와,
    제 1 신호 단자 및 제 2 신호 단자를 포함하되,
    상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터는 상기 스트라이프의 마지막 RF 트랜지스터 핑거, 상기 마지막 RF 트랜지스터 핑거에 인접하게 배열되는 더미 트랜지스터 핑거 및 상기 마지막 RF 트랜지스터 핑거와 상기 더미 트랜지스터 핑거 사이에 배열되는 더미 게이트 영역에 의해 형성되고,
    상기 터미네이션 회로는 상기 RF 스위치의 동작 동안에 상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터가 고 임피던스 상태로 유지되도록 제 1 터미네이션 전위를 상기 더미 게이트 영역에 그리고 제 2 터미네이션 전위를 상기 더미 트랜지스터 핑거에 제공하도록 구성되고,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터는 상기 RF 스위치의 제 1 신호 단자와 상기 RF 스위치의 제 2 신호 단자 사이에서 결합되어 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 저 임피던스 상태에서 RF 신호를 상기 제 1 신호 단자로부터 상기 제 2 신호 단자로 또는 그 역으로 라우팅하는
    RF 스위치.
  24. 스위칭 가능 RF 트랜지스터를 포함하는 RF 스위치를 이용하여 RF 신호를 스위칭하는 방법에 있어서,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터는 복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프를 포함하고, 상기 RF 스위치는 상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되는 적어도 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 방법은,
    상기 RF 스위치의 동작 시에,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터를 저 임피던스 상태가 되도록 하는 단계와,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터를 고 임피던스 상태가 되도록 하는 단계를 포함하고,
    상기 RF 스위치의 동작 동안에 상기 스위칭 불능 더미 트랜지스터의 임피던스 상태가 유지되는
    RF 신호를 스위칭하는 방법.
  25. RF 스위치를 제조하는 방법에 있어서,
    복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프를 포함하는 스위칭 가능 RF 트랜지스터를 제공하는 단계와,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되도록 스위칭 불능 더미 트랜지스터를 제공하는 단계를 포함하는
    RF 스위치를 제조하는 방법.
  26. 모바일 통신 디바이스로서,
    안테나와,
    RF 스위치와,
    디지털 기저 대역 프로세서를 포함하는 수신기 또는 송신기를 포함하되,
    상기 RF 스위치는,
    복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프를 포함하는 스위칭 가능 RF 트랜지스터와,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되는 적어도 하나의 스위칭 불능 더미 트랜지스터를 포함하고,
    상기 RF 스위치는 상기 안테나와 상기 수신기 또는 송신기 사이에 결합되는
    모바일 통신 디바이스.
  27. RF 스위치로서,
    복수의 인접 RF 트랜지스터 핑거들의 스트라이프를 포함하는 스위칭 가능 RF 트랜지스터와,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 말단에 배열되는 확산 영역과,
    상기 스위칭 가능 RF 트랜지스터의 스트라이프의 마지막 RF 트랜지스터 핑거와 상기 확산 영역 사이에 배열되는 비-트랜지스터 영역과,
    터미네이션 전위를 상기 확산 영역에 제공하는 터미네이션 회로를 포함하되,
    상기 터미네이션 전위 및 상기 비-트랜지스터 영역은 상기 RF 스위치의 동작 동안에 상기 비-트랜지스터 영역이 고 임피던스 상태로 유지되도록 선택되는
    RF 스위치.
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