KR101546622B1 - 양자점 발광 소자 - Google Patents

양자점 발광 소자 Download PDF

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KR101546622B1 KR1020140050608A KR20140050608A KR101546622B1 KR 101546622 B1 KR101546622 B1 KR 101546622B1 KR 1020140050608 A KR1020140050608 A KR 1020140050608A KR 20140050608 A KR20140050608 A KR 20140050608A KR 101546622 B1 KR101546622 B1 KR 101546622B1
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김도억
박희원
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Abstract

양자점　발광　소자가 제공된다. 양자점　발광　소자는 애노드 (anode), 애노드 상에 형성되고 PEDOT-PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrene　sulfonate)) 및 추가 전도성 물질을 포함하는 정공 주입층, 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층, 정공 수송층 상에 형성되고 양자점 (quantum dot) 을 포함하는 발광층, 발광층 상에 형성되는 전자 주입층 및 전자 주입층 상에 형성되는 캐소드 (cathode) 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 다양한 실시예들에서는 양자점 발광 소자에 추가 전도성 물질이 포함된 정공 주입층을 채용함으로써, 정공 주입층의 정공 이동도를 개선하여 양자점 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

양자점 발광 소자{QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE}
본 발명은 양자점 발광 소자에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전도성 물질이 포함된 정공 주입층을 이용하여 소자 효율이 개선된 양자점 발광 소자에 관한 것이다.
양자점 발광 소자 (quantum dot light emitting diode) 는 발광층에 나노 크기의 반도체 결정인 양자점 (quantum dot) 이 포함되는 발광 소자를 의미한다. 양자점 발광 소자는 일반적인 유기 발광 소자에 비해서 제조 비용이 낮고, 다른 색의 빛을 방출시키기 위해 발광층에 다른 유기 물질을 사용할 필요 없이 양자점의 크기를 달리함으로써 원하는 색을 방출시킬 수 있다는 장점을 갖는다.
양자점 발광 소자는 기판, 기판 상에 위치되는 애노드 (anode), 애노드 상에 위치되는 양자점을 포함한 발광층 (EML) 및 발광층 상에 위치되는 캐소드 (cathode) 를 포함한다. 또한, 양자점 발광 소자는 애노드와 발광층 사이에 정공 주입층 (hole injection layer; HIL) 및 정공 수송층 (hole transfer layer; HTL) 을, 발광층과 캐소드 사이에 전자 주입층 (electron injection layer; EIL) 을 더 포함할 수 있다.
위와 같은 구조의 양자점 발광 소자의 구동 원리는 다음과 같다. 애노드와 캐소드에 전압이 인가되면, 정공은 애노드로부터 정공 주입층 및 정공 수송층을 통해 발광층 내로 주입되고, 전자는 캐소드로부터 전자 주입층 및 전자 수송층을 통해 발광층 내로 주입된다. 발광층 내로 주입된 정공과 전자는 발광층에서 재결합하여 엑시톤 (exciton) 을 생성하고, 생성된 엑시톤이 여기 상태에서 기저 상태로 전이하면서 발광층의 양자점 크기에 대응하는 파장의 빛이 방출되게 된다.
종래의 양자점 발광 소자가 용액 공정으로 제조되는 경우, 용액이 도포된 표면을 열경화하여 층이 형성되면 형성된 층에 고분자 사슬 간의 수소 결합이 유도되어 정공 이동도가 전자 이동도에 비해 크게 떨어지게 된다. 전자 이동도에 비해 낮은 정공 이동도는 정공이 발광층으로 이동하기 전에 전자와 정공의 재결합을 발생시키고, 결과적으로 양자점 발광 소자의 발광 효율이 떨어지게 되는 결과를 초래한다. 따라서 높은 정공 이동도를 갖는 정공 주입층과 정공 주입층으로부터 정공 수송층으로의 정공 주입 확률이 높은 정공 수송층을 갖는 양자점 발광 소자의 개발이 요구되었다.
이에, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 정공 주입층에 추가 전도성 물질을 채용함으로써, 개선된 정공 이동도를 갖는 정공 주입층을 포함하는 양자점 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 정공 수송층의 형성에 이용되는 전구체 용액의 농도를 조절함으로써, 정공 주입층으로부터 정공 수송층으로의 정공 주입이 원활한 양자점 발광 소자를 제공하는 것이다.
본 발명의 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
전술한 바와 같은 과제를 해결하기 위하여 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광 소자는 애노드, 애노드 상에 형성되고 PEDOT-PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrenesulfonate)) 및 추가 전도성 물질을 포함하는 정공 주입층, 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층, 정공 수송층 상에 형성되고 양자점을 포함하는 발광층, 발광층 상에 형성되는 전자 주입층 및 전자 주입층 상에 형성되는 캐소드를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 특징에 따르면, 정공 주입층의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액에서 추가 전도성 물질의 질량은 PEDOT-PSS의 질량의 0.2배 내지 0.8배인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 추가 전도성 물질은 산화알루미늄 (Al2O3), 리튬알루미네이트 (LiAlO2), 요오드화리튬 (LiI), 제올라이트 (zeolite) 및 과불소화 이오노머 (perfluorinated ionomer) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 또 다른 특징에 따르면, 전구체 용액은 poly-TPD (poly(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine))를 포함하고, 정공 수송층의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액에서 poly-TPD의 중량비는 0.3 wt% 내지 0.6 wt% 인 것을 특징으로 한다.
기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
본 발명은 양자점 발광 소자에 추가 전도성 물질이 포함된 정공 주입층을 채용함으로써, 정공 주입층의 정공 이동도를 개선하여 양자점 발광 소자의 발광 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 정공 전달층 형성 시 이용되는 전구체 용액의 농도를 조절함으로써, 정공 전달층의 밴드갭 에너지를 정공 주입층의 밴드갭 에너지와 유사하게 하여 정공 주입층으로부터 정공 전달층으로의 정공 주입이 원활한 양자점 발광 소자를 제공할 수 있는 효과가 있다.
본 발명에 따른 효과는 이상에서 예시된 내용에 의해 제한되지 않으며, 더욱 다양한 효과들이 본 명세서 내에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 개략적인 단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정공 수송층의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액에서 poly-TPD 중량비의 변화에 따른 정공 수송층의 밴드갭 에너지의 변화를 도시하는 그래프이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
소자 (elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층 "위 (on)"로 지칭되는 것은 다른 소자 바로 위에 또는 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다.
명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 도시된 것이며, 본 발명이 도시된 구성의 크기 및 두께에 반드시 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 여러 실시예들의 각각 특징들이 부분적으로 또는 전체적으로 서로 결합 또는 조합 가능하며, 당업자가 충분히 이해할 수 있듯이 기술적으로 다양한 연동 및 구동이 가능하며, 각 실시예들이 서로에 대하여 독립적으로 실시 가능할 수도 있고 연관 관계로 함께 실시 가능할 수도 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 다양한 실시예들을 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 개략적인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 양자점 발광 소자 (100) 는 애노드 (110), 정공 주입층 (120), 정공 수송층 (130), 발광층 (140), 전자 주입층 (150) 및 캐소드 (160) 를 포함한다.
애노드 (110) 는 양전하를 띠는 정공이 주입되는 전극이다. 애노드 (110) 는, 도 1에 도시되지는 않았으나, 기판 상에 형성될 수 있다. 애노드 (110) 는, 예를 들어, 인듐 주석 산화물 (Indium Tin Oxide), 아연 산화물 (Zinc Oxide), 인듐 산화물 (Indium Oxide), 주석 산화물 (Tin Oxide), 인듐 아연 산화물 (Indium Zinc Oxide) 등과 같이 일함수가 높은 물질로 형성될 수 있다.
정공 주입층 (120) 은 애노드 (110) 로부터 정공이 원활히 주입되도록 하는 층이다. 정공 주입층 (120) 은 애노드 (110) 상에 형성되고, 용액 공정을 통하여 형성될 수 있다.
정공 주입층 (120) 은 두 개의 이오노머 (ionomer) 인 poly(3,4-ethylenedioxythiophene) 및 poly(4-styrenesulfonate) 의 중합체 혼합물인 PEDOT-PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-poly(styrene sulfonate)) 및 추가 전도성 물질을 포함한다. 추가 전도성 물질은 정공 주입층 (120) 에 채용가능하고 PEDOT-PSS에 비해 높은 정공 이동도를 갖는다. 즉, 추가 전도성 물질의 정공 이동도는 정공 주입층 (120) 에 포함되는 PEDOT-PSS의 정공 이동도 10-9 cm2/Vs 보다 더 크다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 정공 주입층 (120) 에 포함되는 추가 전도성 물질은 산화알루미늄 (Al2O3), 리튬알루미네이트 (LiAlO2), 요오드화리튬 (LiI), 제올라이트 (zeolite) 및 과불소화 이오노머 (perfluorinated ionomer) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광 소자에서는 PEDOT-PSS 보다 큰 정공 이동도를 갖는 추가 전도성 물질이 정공 주입층 (120) 에 포함됨으로써, 정공 주입층 (120) 의 정공 이동도가 증가될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 정공 주입층 (120) 의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액에서 추가 전도성 물질의 질량은 PEDOT-PSS의 질량의 0.2배 내지 0.8배일 수 있다. 즉, 정공 주입층 (120) 이 용액 공정으로 형성되는 경우, 용액 공정에서 정공 주입층 (120) 의 형성을 위해 사용하는 전구체 용액은 PEDOT-PSS 및 추가 전도성 물질을 포함하고, PEDOT-PSS와 추가 전도성 물질의 질량비는 10:2 내지 10:8 일 수 있다. 추가 전도성 물질을 적합한 비율로 포함시켜 원하는 정공 주입층 (120) 의 정공 이동도가 획득될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에서는, 용액 공정에 사용되는 전구체 용액에 PEDOT-PSS와 과불소화 이오노머가 10:4의 질량비로 포함될 수 있다. PEDOT-PSS만을 포함하는 전구체 용액으로 정공 주입층 (120) 을 형성한 경우 그 정공 이동도는 10-9 cm2/Vs 이나, 본 발명의 일 실시예에서와 같이 PEDOT-PSS와 과불소화 이오노머가 10:4의 질량비로 포함된 전구체 용액으로 정공 주입층 (120) 을 형성한 경우 정공 주입층 (120) 의 정공 이동도는 10-7 cm2/Vs 가 되어 PEDOT-PSS만이 포함된 경우보다 정공 이동도가 100배 증가될 수 있다.
정공 수송층 (130) 은 발광층 (140) 으로 정공을 수송하는 층이다. 정공 수송층 (130) 은 정공 주입층 (120) 상에 형성되고, 용액 공정을 통하여 형성될 수 있다. 정공 수송층 (130) 은, 예를 들어, poly-TPD (poly(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine)) 로 이루어 질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 다양한 물질로 형성될 수도 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 정공 수송층 (130) 의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액에서 poly-TPD의 중량비는 약 0.3 wt% 내지 약 0.6 wt% 일 수 있다. 즉, 정공 수송층 (130) 이 용액 공정으로 형성되는 경우, 용액 공정에서 정공 수송층 (130) 의 형성을 위해 사용되는 전구체 용액은 poly-TPD를 약 0.3 wt% 내지 약 0.6 wt% 를 포함할 수 있다. poly-TPD의 중량비에 따라 정공 수송층 (130) 의 밴드갭 에너지가 변화할 수 있으므로, 정공 수송층 (130) 의 밴드갭 에너지 값이 정공 전달층 (120) 의 밴드갭 에너지 값에 가까워지도록 poly-TPD의 중량비를 조절함으로써, 정공 전달층 (120) 으로부터 정공 수송층 (130) 으로의 정공 주입 확률이 향상될 수 있다.
발광층 (140) 은 전자와 정공의 재결합에 의해 빛을 방출하는 층이다. 발광층 (140) 은 나노 크기의 양자점들을 포함한다. 발광층 (140) 은 정공 수송층 (130) 상에 형성된다. 양자점을 이루는 나노 반도체 화합물은 카드뮴셀레나이드 (CdSe), 카드뮴설파이드 (CdS), 카드뮴텔레라이드 (CdTe), 징크셀레나이드 (ZnSe), 징크텔레라이드 (ZnTe), 징크설파이드 (ZnS), 머큐리텔레라이드 (HgTe), 인듐 아세나이드 (InAs), 인듐 포스포러스 (InP) 또는 갈륨 아세나이드 (GaAs) 등으로 이루어질 수 있다. 양자점의 크기가 클수록 발광층 (140) 에서 정공과 전자의 재결합시 더 긴 파장의 빛이 방출된다.
전자 주입층 (150) 은 캐소드 (160) 로부터 전자가 원활히 주입되도록 하는 층이다. 전자 주입층 (150) 은 발광층 (140) 상에 형성될 수 있다. 전자 주입층 (150) 은, 예를 들어, 산화 아연 (ZnO) 또는 Alq3 (Tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium) 로 이루어 질 수 있으나, 이에 제한되지 않고 다양한 물질로 형성될 수도 있다.
캐소드 (160) 는 음전하를 띠는 전자가 주입되는 전극이다. 캐소드 (160) 는 전자 주입층 (150) 상에 형성될 수 있다. 캐소드 (160) 는, 예를 들어, 리튬 (Li), 마그네슘 (Mg), 알루미늄 (Al), 알루미늄-리튬 (Al-Li), 칼슘 (Ca), 마그네슘-인듐(Mg-In), 마그네슘-은 (Mg-Ag) 등과 같이 일함수가 낮은 물질로 형성될 수 있다.
도 1에 도시되지는 않았지만, 발광층 (140) 과 전자 주입층 (150) 사이에 발광층 (140) 으로 전자를 수송하는 전자 수송층이 추가적으로 형성될 수도 있다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 정공 수송층의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액에서 poly-TPD 중량비의 변화에 따른 정공 수송층의 밴드갭 에너지의 변화를 도시하는 그래프이다. 표 1은 도 2에 도시된 그래프에 대한 데이터이다. 도 2 및 표 1은 정공 수송층의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액에서 용질이 poly-TPD인 경우, poly-TPD의 중량비를 0.1 wt% 에서 0.9 wt% 까지 0.1 wt% 간격으로 변화시키면서 측정된 정공 수송층의 밴드갭 에너지를 나타낸다.
poly-TPD 중량비 (wt%) 밴드갭 에너지 (eV)
0.1 4.8
0.2 4.89
0.3 5.02
0.4 5.15
0.5 5.03
0.6 5.01
0.7 4.92
0.8 4.85
0.9 4.84
도 2 및 표 1을 참조하면, poly-TPD의 중량비가 0.4 wt% 이하인 경우 poly-TPD의 중량비가 증가함에 따라 밴드갭 에너지도 증가하고, poly-TPD의 중량비가 0.4 wt% 이상인 경우 poly-TPD의 중량비가 증가함에 따라 밴드갭 에너지는 감소한다. 정공 주입층의 밴드갭 에너지 값과 정공 수송층의 밴드갭 에너지 값의 차이가 적을수록 정공 주입층으로부터 정공 수송층으로 정공이 원활하게 주입될 수 있다. 따라서, 본 발명의 일 실시예에서는 전구체 용액에서 poly-TPD의 중량비를 조절함으로써 정공 수송층의 밴드갭 에너지가 조절된다. 정공 주입층의 밴드갭 에너지가 5.0 eV이므로, 정공 수송층의 밴드갭 에너지 또한 5.0 eV가 되는 약 0.3 wt% 또는 약 0.6 wt%의 poly-TPD가 포함된 전구체 용액으로 정공 전달층을 형성하는 것이 정공 주입층으로부터 정공 수송층으로 정공이 가장 원활하게 주입될 수 있다.
비교예 실시예
휘도 (nit) 4,621 6,920
표 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 양자점 발광 소자의 휘도와 비교예의 휘도를 설명하기 위한 표이다. 표 2에서는 비교예로서, PEDOT-PSS만이 포함된 전구체 용액으로 정공 주입층이 형성되고 poly-TPD의 중량비가 1.0 wt% 인 전구체 용액으로 정공 수송층이 형성된 양자점 발광 소자의 휘도와, 본 발명의 일 실시예로서, PEDOT-PSS와 추가 전도성 물질의 질량비가 10:4 인 전구체 용액으로 정공 주입층이 형성되고 poly-TPD의 중량비가 0.5 wt% 인 전구체 용액으로 정공 수송층이 형성된 양자점 발광소자의 휘도를 나타낸다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 추가 전도성 물질에 의해서 정공 주입층의 정공 이동도가 증가하고 poly-TPD의 중량비 조절을 통해 정공 주입층으로부터 정공 수송층으로 정공 주입 확률이 높아지면, 발광층으로 정공이 이동하기 전에 전자와 재결합하게 되는 문제를 개선할 수 있으므로 양자점 발광 소자의 발광 효율이 상승되어 휘도가 상승될 수 있다. 표 2를 참조하면, 비교예의 휘도는 4,621 nit 로, 실시예의 휘도는 6,920 nit 로 측정된다. 즉, 상술한 실시예를 통하여 양자점 발광 소자의 휘도가 약 49% 상승되는 효과를 얻을 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 더욱 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 반드시 이러한 실시예로 국한되는 것은 아니고, 본 발명의 기술사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양하게 변형실시될 수 있다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100 : 양자점 발광 소자
110 : 애노드
120 : 정공 주입층
130 : 정공 수송층
140 : 발광층
150 : 전자 주입층
160 : 캐소드

Claims (4)

  1. 애노드 (anode);
    상기 애노드 상에 형성되고 PEDOT-PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) -poly(styrene sulfonate)) 및 상기 PEDOT-PSS보다 높은 정공 이동도를 갖는 추가 전도성 물질을 포함하는 정공 주입층;
    상기 정공 주입층 상에 형성된 정공 수송층;
    상기 정공 수송층 상에 형성되고 양자점 (quantum dot) 을 포함하는 발광층;
    상기 발광층 상에 형성되는 전자 주입층; 및
    상기 전자 주입층 상에 형성되는 캐소드 (cathode) 를 포함하고,
    상기 정공 주입층의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액은 용질로서 상기 PEDOT-PSS 및 상기 추가 전도성 물질을 포함하고,
    상기 정공 주입층의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액에서 상기 추가 전도성 물질의 질량은 상기 PEDOT-PSS의 질량의 0.2배 내지 0.8배인 것을 특징으로 하는, 양자점 발광 소자.
  2. 삭제
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 추가 전도성 물질은 산화알루미늄 (Al2O3), 리튬알루미네이트 (LiAlO2), 요오드화리튬 (LiI), 제올라이트 (zeolite) 및 과불소화 이오노머 (perfluorinated ionomer) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는, 양자점 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 정공 수송층의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액은 poly-TPD (poly(N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine))를 포함하고,
    상기 정공 수송층의 형성을 위해 이용되는 전구체 용액에서 poly-TPD의 중량비는 0.3 wt% 내지 0.6 wt% 인 것을 특징으로 하는, 양자점 발광 소자.
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180085232A (ko) 2017-01-18 2018-07-26 동우 화인켐 주식회사 양자 발광층 및 이를 포함하는 양자점 발광 소자
US10446781B2 (en) 2017-11-21 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device
WO2020134203A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
CN113066933A (zh) * 2021-03-11 2021-07-02 北京京东方技术开发有限公司 发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置
US11171299B2 (en) 2018-03-09 2021-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180085232A (ko) 2017-01-18 2018-07-26 동우 화인켐 주식회사 양자 발광층 및 이를 포함하는 양자점 발광 소자
US10446781B2 (en) 2017-11-21 2019-10-15 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device
US11171299B2 (en) 2018-03-09 2021-11-09 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device
US11812627B2 (en) 2018-03-09 2023-11-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Quantum dot device and electronic device
WO2020134203A1 (zh) * 2018-12-29 2020-07-02 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
US11965124B2 (en) 2018-12-29 2024-04-23 Tcl Technology Group Corporation QLED and manufacturing method thereof
CN113066933A (zh) * 2021-03-11 2021-07-02 北京京东方技术开发有限公司 发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置
CN113066933B (zh) * 2021-03-11 2024-03-01 北京京东方技术开发有限公司 发光器件及其制备方法、显示基板和显示装置

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