KR101542912B1 - 개선된 반사 구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

여기에서는 제1 표면과 제2 표면을 갖는 투광성 기판과 상기 제1 표면 상에 형성되어 적어도 하나의 발광셀을 구성하는 화합물 반도체층들을 포함하는 발광다이오드의 제조방법이 개시된다. 개시된 발광다이오드 제조방법은, 상기 투광성 기판의 제2 표면을 덮는 접착층을 형성하는 단계와, 상기 투광성 기판을 부분적으로 노출시키는 적어도 하나의 홈을 적어도 상기 접착층을 관통하도록 형성하는 식각 단계와, 상기 접착층 상에 상기 홈을 메우는 반사층을 형성하는 단계를 포함한다.

기판, 사파이어, 발광다이오드, 접착층, 반사층, 식각, 홈

Description

개선된 반사 구조를 갖는 발광다이오드 및 그 제조방법{LIGHT EMITTING DIODE WITH IMPROVED REFLECTION STRUCTURE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME}

본 발명은 투광성 기판과 그 위에 형성되는 화합물 반도체층들을 포함하는 발광다이오드에 관한 것이며, 더 상세하게는, 화합물 반도체층들과 반대 방향으로 투광성 기판에 제공되는 반사 구조의 개선에 관한 것이다.

일반적으로 질화갈륨(GaN), 질화알루미늄(AlN) 등과 같은 Ⅲ족 원소의 질화물은 열적 안정성이 우수하고 직접 천이형의 에너지 밴드(band) 구조를 갖고 있어, 최근 청색 및 자외선 영역의 발광다이오드 소자용 물질로 많은 각광을 받고 있다. 특히, 질화갈륨(GaN)을 이용한 청색 및 녹색 발광다이오드 소자는 대규모 천연색 평판 표시 장치, 신호등, 실내 조명, 고밀도광원, 고해상도 출력 시스템과 광통신 등 다양한 응용 분야에 활용되고 있다.

이러한 III족 원소의 질화물 반도체층, 특히 GaN은 그것을 성장시킬 수 있는 동종의 기판을 제작하는 것이 어려워, 유사한 결정 구조를 갖는 이종 기판에서, 예를 들면, 금속유기화학기상증착법(MOCVD) 또는 분자선 증착법(molecular beam epitaxy; MBE) 등의 공정을 통해 성장된다. 이종기판으로는 육방 정계의 구조를 갖 는 사파이어(Sapphire) 기판이 주로 사용된다.

화합물 반도체층들, 즉, 질화물 반도체층들을 사파이어 기판의 일 표면에 성장시켜 발광다이오드를 제조함에 있어서, 그 사파이어 기판의 반대측에는 질화물 반도체층들, 특히, 그 질화물 반도체층들 중 활성층에서 나온 빛을 반사하기 위한 예를 들면, Al로 이루어진 반사층이 필요하다. 예를 들면, 반사층을 사파이어 기판 상에 직접 형성하는 경우, 반사층, 특히, Al 반사층과 사파이어 기판 사이의 낮은 접착력이 문제가 된다.

따라서, 반사층과 사파이어 기판 사이의 접착력 강화를 위해, 그들 사이에는, 예를 들면, 투명 또는 반투명의 금속 물질층, 또는 절연 물질층이 접착층으로 개재된다. 위와 같은 접착층은, 사파이어 기판 표면에 대한 증착 공정에 의해 형성될 수 있다.그러나, 그와 같은 접착층은, 광, 특히, 활성층에서 만들어진 광의 많은 양을 흡수하므로, 발광다이오드의 발광효율, 특히, 외부양자효율을 저하시키는 주된 원인들 중 하나가 되고 있다.

따라서, 본 발명의 기술적 과제는, 투광성 기판과 반사층 사이의 접착층으로 반사층과 투광성 기판 사이의 접착력을 강화하되, 접착층에 제공된 적어도 하나의 홈을 통해 투광성 기판과 반사층의 상당 부분이 직접 접하게 함으로써, 접착층에서의 광 흡수 및 그에 의한 광 손실을 최소화한 발광다이오드를 제공하는 것이다.

본 발명의 일 측면에 따른 발광다이오드는, 제1 표면과 제2 표면을 갖는 투광성 기판과, 상기 제1 표면 상에 형성되어, 적어도 하나의 발광셀을 구성하는 화합물 반도체층들과,

상기 제2 표면 상에 형성되어 상기 투광성 기판을 부분적으로 노출시키는 적어도 하나의 홈을 구비하는 접착층과, 상기 홈을 메우면서 상기 접착층 상에 형성된 반사층을 포함한다.

일 실시예에 따라, 상기 홈은 상기 제2 표면만을 노출시킬 수 있다. 다른 실시예에 따라, 상기 홈은 상기 제2 표면을 지나도록 연장될 수 있다.

바람직하게는, 상기 투광성 기판은 사파이어 기판일 수 있다.

바람직하게는, 상기 접착층은 상기 제2 표면 상에 증착된 투광성의 금속물질로 이루어질 수 있다. 더 바람직하게는, 상기 금속물질은 Cr, Ti, Ta, W, Nd, Mo 및 V로 구성된 군에서 선택된 것일 수 있다.

바람직하게는, 상기 접착층은 상기 제2 표면 상에 증착되는 투광성의 규소 산화물 또는 규소 질화물로 이루어질 수 있다.

더 바람직하게는, 상기 접착층은 상기 제2 표면 상에 증착되는 SiO2 또는 Si₃N₄일 수 있다.

일 실시예에 따라, 상기 접착층은 상기 홈을 복수개로 구비할 수 있으며, 다른 실시예에 따라, 상기 홈은 복수의 만곡 또는 굴곡을 포함하는 패턴의 홈일 수 있다.

본 발명의 다른 측면에 따라, 반대 방향의 제1 표면과 제2 표면을 갖는 투광성 기판과 상기 제1 표면 상에 형성되어 발광셀을 구성하는 화합물 반도체층들을 포함하는 발광다이오드의 제조방법이 제공된다.

상기 발광다이오드 제조방법은, 상기 투광성 기판의 제2 표면을 덮는 접착층을 형성하는 단계와, 상기 투광성 기판을 부분적으로 노출시키는 적어도 하나의 홈을 적어도 상기 접착층을 관통하도록 형성하는 식각 단계와, 상기 접착층 상에 상기 홈을 메우는 반사층을 형성하는 단계를 포함한다.

바람직하게는, 상기 접착층을 형성하는 단계는, 사파이어 기판을 투광성 기판으로 이용하여, 상기 사파이어 기판의 상기 제2 표면에 투광성 금속 물질을 증착하여 수행될 수 있다.

바람직하게는, 상기 접착층을 형성하는 단계는, 사파이어 기판을 투광성 기판으로 이용하여, 상기 사파이어 기판의 상기 제2 표면에 투광성의 규소 산화물 또는 규소 질화물을 증착하여 수행될 수 있다.

바람직하게는, 상기 식각 단계는, 상기 투광성 기판의 제2 표면에 이르는 깊이로 상기 접착층의 홈 영역을 식각하는 제1 식각 단계와, 상기 제2 표면으로부터 상기 투광성 기판의 내측에 이르는 깊이로 상기 투광성 기판의 홈 영역을 더 식각하는 제2 식각 단계를 포함할 수 있다.

본 발명의 실시예들에 따르면, 접착층에 의해 반사층과 투광성 기판 사이의 접착력을 높일 수 있고, 그러함에도 불구하고, 접착층에 형성된 홈을 통해, 반사층 과 투광성 기판이 접하는 면적을 늘림으로써, 접착층에 의한 광 흡수 및 그에 의한 광 손실을 줄이고, 그에 따라, 발광다이오드의 발광효율, 특히, 외부양자효율을 높일 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 나타내는 단면도이다.

도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광다이오드는, 발광셀을 주요 부분들을 구성하는 질화갈륨 계열의 화합물 반도체층(201, 203, 205)들과, 그 화합물 반도체층들(201, 203, 205)을 성장시키기 위한 투광성 기판으로서의 사파이어(Al₂O₃) 기판(100)을 포함한다.

사파이어 기판(100)은 서로 반대 방향에 있는 제1 표면(102)과 제2 표면(104)을 구비한다. 상기 제1 표면(102) 상에는 상기 화합물 반도체층(201, 203, 205)들이 차례로 형성된다. 또한, 상기 제2 표면(104) 상에는 다음에 자세히 설명될 접착층과 반사층을 포함하는 개선된 반사 구조가 위치한다.

본 실시예에서, 상기 화합물 반도체층들은, 상기 제1 표면(102)으로부터 수직 방향으로, n형 화합물 반도체층(201), 활성층(203), p형 화합물 반도체층(205)을 포함한다. n형 화합물 반도체층(201)과 사파이어 기판(100) 사이에는 격자 부정합을 완화하기 위한 버퍼층(미도시됨)이 개재될 수 있다. 또한, p형 화합물 반도체층(205) 상에는 투명전극층(207)이 형성된다.

본 실시예에서, p형 화합물 반도체층(205)의 일부 영역, 그리고, 그 직하에 있는 활성층(203)의 일부 영역이 메사 식각에 의해 함께 제거되어 있다. 이에 따라, 활성층(203)에 의해 덮여 있던 n형 화합물 반도체층(201)의 상면 일부 영역이 상측 방향으로 노출되어 있다. 이때, 상기 투명전극층(207)은 메사 식각에 의해 제거되지 않은 p형 화합물 반도체층(205)의 나머지 영역에만 위치함은 물론이다. p형 전극(208)은 투명전극층(207)의 상면에 형성되고, n형 전극(209)은 상측 방향으로 노출된 n형 화합물 반도체층(201)의 상면에 형성된다.

전술한 n형 및 p형 화합물 반도체층, 그리고, 활성층은, In_XAl_YGa_1-x-yN(여기에서, (0≤X, 0≤Y, X+Y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질일 수 있다. 더 나아가, n형 화합물 반도체층(201)은 n형 도전성 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있고, p형 화합물 반도체층(205)은 p형 도전성 불순물이 도핑된 GaN층 또는 GaN/AlGaN층으로 이루어질 수 있다. 또한, 상기 활성층(203)은, 다중 양자 우물 구조의 GaN/InGaN층으로 이루어질 수 있으며, 초격자층들을 포함할 수 있다.

이제 위에서 언급된 접착층(110)과 반사층(120)에 대해 보다 구체적으로 설명한다.

상기 접착층(110)은 사파이어 기판(100)의 하면, 즉, 사파이어 기판(100)의 제2 표면(104) 상에 형성된다. 또한, 상기 접착층(110)은 복수의 홈(112)들을 구비하며, 그 홈(112)들은 그 다음에 형성될 반사층(120)에 대하여 상기 사파이어 기판(100)을 여러 영역들에서 노출시킨다. 반사층(120)은 상기 홈(112)들들을 메우면서 상기 접착층(110) 상에 형성되며, 이에 의해, 상기 사파이어 기판(100)은 복수의 홈(112)들에서 상기 반사층(120)과 직접적으로 접할 수 있다.

상기 접착층(110)은 사파이어 기판(100)의 제2 표면(104) 상에 증착된 투명 또는 반투명의 금속 물질로 이루어질 수 있다. 그 금속 물질로는 Cr, Ti인 것이 선호되지만, 그 외, Ta, W, Nd, Mo 또는 V 금속물질이 이용될 수 있다. 대안적으로, 상기 접착층(110)은 상기 사파이어 기판(100)의 제2 표면(104)에 증착되는 투광성의 규소 산화물 또는 규소 질화물, 더 바람직하게는, SiO₂ 또는 Si₃N₄로 이루어질 수 있다.

또한, 상기 반사층(120)은, 우수한 반사성을 갖지만 사파이어 기판에 대한 접착성이 떨어지는 Al 또는 Ag 금속 물질이 이용된다. 상기 반사층(120)도 증착에 의해 상기 접착층(110) 상에 형성되며, 상기 홈(112)들을 전체적으로 메운다. 여기에서, 반사층의 재료로 Al 또는 Ag가 선호되지만, 다른 반사성 금속 물질인 Rh, Au, Cr 또는 Pt가 이용될 수 있으며, 반사성 금속으로 언급된 위 금속 물질들 중 적어도 2종 이상을 포함하는 합금이 이용될 수도 있다. 대안적으로, 단일 금속 반사층 대신에, 굴절율이 다른 여러 투명 물질을 적층한 DBR 구조가 반사층으로 이용될 수도 있다. 이 경우에도, DBR 구조의 최상층은 상기 접착층에 대하여 접착성이 좋은 것이 요구될 것이다.

간헐적으로 형성된 상기 홈(112)들 내에서, 반사층(120), 즉, 반사성이 좋은 금속 물질이 직접 사파이어 기판(100)의 제2 표면과 접하도록 간헐적으로 위치하며, 이는 접착층(110)에 의한 광의 흡수 및 그에 의한 광 손실을 크게 줄이는데 기여한다. 또한, 간헐적으로 형성된 상기 홈(112)들에 의해, 반사층(120)과 접착층(110)이 톱니 식으로 맞물리는 형상이 만들어지며, 이러한 형상은 반사층(120)과 접착층(110) 사이의 보다 나은 결합력을 가능하게 해준다.

전술한 홈(112)들의 횡 단면 형상은 다양하게 변형되어 실시될 수 있으며, 그 예가 도 2의 (a) 및 (b)에 도시되어 있다. 도 2의 (a) 및 (b)를 각각 참조하면, 사다리꼴 및 역사다리꼴 단면의 홈(112)들이 보이며, 그 외 다른 기하학적 형상도 고려될 수 있다.

도 3의 (a), (b), (c), (d), (e) 및 (f)는, 상기 홈(112)의 형상을 사파이어 기판의 저면에서 도시한 저면도들로서, 도 3의 (a), (b), (c) 및 (d)를 참조하면, 원형, 사각형, 육각형 또는 스트라이프형 홈(112)들의 간헐적인 배치를 볼 수 있다. 또한, 도 3의 (e)와 (f)를 참조하면, 여러번 굽어진 복잡한 패턴 형상의 단일 홈(112)의 배치를 볼 수 있다. 그와 같거나 유사한 패턴, 즉, 복수의 만곡, 굴곡을 포함하는 패턴의 홈은, 사파이어 기판과 반사층 사이의 접착력 강화 성능, 또는, 발광 효율 면에서, 복수의 홈들을 간헐적으로 배치한 것과 유사 또는 동일한 효과를 제공할 수 있다. 이때, 상기 간헐적인 복수의 홈들의 형상 또는 상기 단일 홈의 패턴 형상에 의해 본 발명이 제한되는 것은 아니다.

도 4a 내지 도 4d는, 전술한 발광다이오드를 제조하는 방법에 있어서, 사파이어 기판의 제2 표면 측에 반사 구조를 형성하는 여러 단계들을 보여준다. 도 4a 내지 도 4d는 도 1에 도시된 발광다이오드의 방향과 반대되는 방향으로 도시되어 있음에 유의한다.

도 4a를 참조하면, 제2 표면(104)이 전체적으로 노출된 상태의 사파이어 기판(100)이 준비된다. 반사 구조를 제2 표면(104)에 형성하기 전에, 사파이어 기판(100)의 제1 표면(102; 도 1참조)에 도 1에 도시된 것과 같은 화합물 반도체층들을 형성하는 것이 선호되지만, 화합물 반도체층들의 형성한 후, 그 다음에 반사 구조를 형성하는 것도 고려될 수 있다.

도 4b를 참조하면, 상기 사파이어 기판(100)의 제2 표면(104) 상에는 그 제2 표면(104)을 전체적으로 덮는 접착층(110)이 형성된다. 위에서 설명된 바와 같이, 상기 접착층(110)은, 투명 또는 반투명의 금속(바람직하게는, Cr 또는 Ti)을 상기 사파이어 기판의 제2 표면(104) 상에 증착하거나, 투광성을 갖는 규소 산화물 또는 규소 질화물(바람직하게는, SiO₂ 또는 Si₃N₄)증착함으로써 형성된다.

도 4c를 참조하면, 상기 접착층(110)으로부터 상기 사파이어 기판(100)의 제2 표면(104)까지, 즉, 접착층(110)의 두께와 같은 깊이로, 복수의 홈(112)들이 간 헐적으로 형성된다. 이를 위해, 상기 홈(112)들을 형성할 자리를 제외한 나머지 부분을 마스크(M)로 가린 후, 상기 접착층(110)을 식각하는 공정이 이루어진다. 상기 홈(112)들이 형성된 후, 상기 마스크(M)는 제거된다.

도 4d를 참조하면, 상기 홈(112)들 메우면서 상기 접착층(110) 상에는 반사층(120)이 형성된다. 상기 반사층(120)은 반사성 금속 물질(바람직하게는, Al 또는 Ag)을 홈(112)이 형성되어 있는 접착층(110) 상에 증착하는 방식으로 이루어지며, 이와 같은 반사층(120)의 형성에 의해, 도 1에 도시된 것과 같은 구조의 발광다이오드가 제조된다.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 제조방법을 설명하기 위한 도면들이다. 도 5a를 참조하면, 반사층(120)의 형성 전에, 앞선 실시예의 도 4c에 도시된 홈(112)들에 대하여, 사파이어 기판(100)의 제2 표면(104)을 지나는 깊이, 즉, 사파이어 기판(100)의 내측으로 일정 깊이까지 더 식각하는 단계가 보여진다. 이 단계는 앞선 실시예의 도 4c에 도시된 식각 단계에서 접착층(110)의 식각에 이용되었던 반응 가스를 다른 반응 가스, 즉, 사파이어 기판의 식각에 적합한 다른 반응 가스로 교체하여 진행될 수 있다.

도 5b를 참조하면, 홈(112)들이 사파이어 기판(100)의 제2 표면(104)을 지나 사파이어 기판(100)의 내부까지 형성된 상태에서, 반사층(120)이 상기 홈(112)들을 메우면서 상기 접착층(110) 상에 형성되는 것을 보여준다. 반사층(120)의 형성 방법 그리고 반사층(120)의 재료는 앞선 실시예의 설명에서와 같다.

한편, 상기 복수의 홈(112)들 깊이를 다르게 형성하는 것도 고려될 수 있는 데, 예를 들면, 복수의 홈들 중 일부의 홈들은 사파이어 기판의 제2 표면까지, 즉, 접착층만을 관통하는 깊이로 형성되고, 나머지 홈들은 사파이어 기판의 제2 표면을 지나 사파이어 기판의 내부면까지 이르는 깊이로 형성될 수도 있다.

도 6을 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광다이오드를 보여주는 단면도이다. 도 6을 참조하면, 사파이어 기판의 제1 표면(102)에 복수의 발광셀(200)들이 형성되어 있다. 상기 복수의 발광셀(200)들, 각각은 앞선 실시예의 단일 발광셀과 마찬가지로, n형 화합물 반도체층(201), 활성층(203), p형 화합물 반도체층(205) 및 투명전극층(207)을 포함한다. 그리고, 이웃하는 발광셀(200, 200)들은 각각에 구비된 투명전극층(207)과 n형 전극(209)이 배선 또는 배선층에 의해 서로 연결되며, 이에 의해, 상기 발광셀들은 직렬로 연결될 수 있다.

상기 복수의 발광셀(200)들은 단일 사파이어 기판(100)의 제1 표면(102) 상에 형성된다. 앞선 실시예에서와 마찬가지로, 상기 사파이어 기판(100)의 제2 표면(104)에는 간헐적인 위치의 홈(112)들을 구비하는 접착층(110)이 형성되고, 기 접착층(110) 상에는 상기 홈(112)들을 메우면서 반사층(120)이 형성된다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드를 나타내는 단면도.

도 2의 (a) 및 (b)는 접착층에 형성된 홈의 변형예들을 보여주는 횡단면도들

도 3의 (a), (b), (c), (d), (e) 및 (f)는 접착층에 형성된 홈의 변형예들을 보여주는 저면도.

도 4a, 도 4b, 도 4c 및 도 4d는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광다이오드의 제조방법을 설명하기 위한 단면도들.

도 5a 및 도 5b는 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드 제조방법을 설명하기 위한 단면도.

도 6은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광다이오드를 나타내는 단면도.

Claims (14)

1. 제1 표면과 제2 표면을 갖는 투광성 기판;

   상기 제1 표면 상에 형성되어, 적어도 하나의 발광셀을 구성하는 화합물 반도체층들;

   상기 제2 표면 상에 형성되어 상기 투광성 기판을 부분적으로 노출시키는 적어도 하나의 홈을 구비하는 접착층; 및

   상기 홈을 메우면서 상기 투광성 기판에 접촉하도록 형성된 반사층을 포함하고,

   상기 화합물 반도체층은,

   상기 제1 표면 상에 형성되고, 상측 방향으로 일부 영역이 노출된 n형 화합물 반도체층;

   상기 n형 화합물 반도체층 상에 형성된 활성층;

   상기 활성층 상에 형성된 p형 화합물 반도체층;

   상기 P형 화합물 반도체층 상부에 형성된 p형 전극; 및

   상측 방향으로 노출된 상기 n형 화합물 반도체층의 상면에 형성된 n형 전극을 포함하고,

   상기 홈은 상기 제2 표면을 지나 상기 투광성 기판의 내측까지 연장된 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
2. 삭제
3. 삭제
4. 청구항 1에 있어서, 상기 투광성 기판은 사파이어 기판인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
5. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서, 상기 접착층은 상기 제2 표면 상에 증착된 투광성의 금속물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
6. 청구항 5에 있어서, 상기 금속물질은 Cr, Ti, Ta, W, Nd, Mo 및 V로 구성된 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
7. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서, 상기 접착층은 상기 제2 표면 상에 증착되는 투광성의 규소 산화물 또는 규소 질화물로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
8. 청구항 1 또는 청구항 4에 있어서, 상기 접착층은 상기 제2 표면 상에 증착되는 SiO2 또는 Si₃N₄인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
9. 청구항 1에 있어서, 상기 접착층은 상기 홈을 복수개로 구비하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
10. 청구항 1에 있어서, 상기 홈은 복수의 만곡 또는 굴곡을 포함하는 패턴의 홈인 것을 특징으로 하는 발광다이오드.
11. 반대 방향의 제1 표면과 제2 표면을 갖는 투광성 기판과 상기 제1 표면 상에 형성되어 적어도 하나의 발광셀을 구성하는 화합물 반도체층들을 포함하는 발광다이오드의 제조방법에 있어서,

    상기 투광성 기판의 제2 표면을 덮는 접착층을 형성하는 단계;

    상기 투광성 기판을 부분적으로 노출시키는 적어도 하나의 홈을 적어도 상기 접착층을 관통하도록 형성하는 식각 단계와;

    상기 접착층 상에 상기 홈을 메우면서 상기 제2 표면에 접촉되는 반사층을 형성하는 단계를 포함하고,

    상기 화합물 반도체층은,

    상기 제1 표면 상에 형성되고, 상측 방향으로 일부 영역이 노출된 n형 화합물 반도체층;

    상기 n형 화합물 반도체층 상에 형성된 활성층;

    상기 활성층 상에 형성된 p형 화합물 반도체층;

    상기 P형 화합물 반도체층 상부에 형성된 p형 전극; 및

    상측 방향으로 노출된 상기 n형 화합물 반도체층의 상면에 형성된 n형 전극을 포함하고,

    상기 식각 단계는,

    상기 투광성 기판의 제2 표면에 이르는 깊이로 상기 접착층의 홈 영역을 식각하는 제1 식각 단계와,

    상기 제2 표면으로부터 상기 투광성 기판의 내측에 이르는 깊이로 상기 투광성 기판의 홈 영역을 더 식각하는 제2 식각 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
12. 청구항 11에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 단계는, 사파이어 기판을 투광성 기판으로 이용하여, 상기 사파이어 기판의 상기 제2 표면에 투광성 금속 물질을 증착하여 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
13. 청구항 11에 있어서, 상기 접착층을 형성하는 단계는, 사파이어 기판을 투광성 기판으로 이용하여, 상기 사파이어 기판의 상기 제2 표면에 투광성의 규소 산화물 또는 규소 질화물을 증착하여 수행되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법.
14. 삭제

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