KR101541853B1 - Apparatus for testing light emitting device - Google Patents

Apparatus for testing light emitting device Download PDF

Info

Publication number
KR101541853B1
KR101541853B1 KR1020140049305A KR20140049305A KR101541853B1 KR 101541853 B1 KR101541853 B1 KR 101541853B1 KR 1020140049305 A KR1020140049305 A KR 1020140049305A KR 20140049305 A KR20140049305 A KR 20140049305A KR 101541853 B1 KR101541853 B1 KR 101541853B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light
light emitting
base layer
changing member
path changing
Prior art date
Application number
KR1020140049305A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
전수근
Original Assignee
주식회사 세미콘라이트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 세미콘라이트 filed Critical 주식회사 세미콘라이트
Priority to KR1020140049305A priority Critical patent/KR101541853B1/en
Priority to PCT/KR2015/004106 priority patent/WO2015163726A1/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101541853B1 publication Critical patent/KR101541853B1/en

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/317—Testing of digital circuits
    • G01R31/31728—Optical aspects, e.g. opto-electronics used for testing, optical signal transmission for testing electronic circuits, electro-optic components to be tested in combination with electronic circuits, measuring light emission of digital circuits

Abstract

The present invention relates to an apparatus for testing a light emitting device, which includes: a base layer equipped with a plurality of light emitting devices; an optical measuring instrument provided to at least one position from above and below the base layer as being placed apart from the base layer, and receiving light from the light emitting device which is a target to be measured; and a light path changing member comprises an uneven part which changes a propagation path of the light from the light emitting devices, as a light path changing member provided adjacent to the baser layer under the base layer.

Description

발광소자 검사장치{APPARATUS FOR TESTING LIGHT EMITTING DEVICE}[0001] APPARATUS FOR TESTING LIGHT EMITTING DEVICE [0002]

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 발광소자 검사장치에 관한 것으로, 특히 광측정을 더 정확히 하는 발광소자 검사장치에 관한 것이다.The present disclosure relates generally to a light emitting element inspection apparatus, and more particularly to a light emitting element inspection apparatus that more accurately performs light measurement.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art).Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

발광소자는 전기를 광으로 변환시키는 전자 소자의 일종으로서, 발광 다이오드(light emitting diode; LED)를 대표적인 예로 들 수 있다. 발광 다이오드는 에피(EPI) 공정, 칩(Fabrication) 공정 및 패키지(Package) 공정 등을 거쳐 제조되는데, 각 제조 공정에서는 예기치 못한 여러 원인으로 인해 불량품이 발생하게 된다. 만약 각 제조 공정에서 발생되는 불량품이 적절하게 제거되지 못하는 경우에는 불량품이 후속 공정을 불필요하게 거치게 되어 생산 효율이 저하된다. 이에 칩 공정이나 패키지 공정이 완료된 이후에 각 공정에서 제조된 제품의 광 특성을 측정하여 불량 여부를 확인하는 전자 소자 검사장치가 사용되었다.The light emitting device is a type of electronic device that converts electricity into light, and a light emitting diode (LED) is a typical example. Light emitting diodes are manufactured through EPI, Fabrication, and Package processes. In each manufacturing process, defective products are generated due to various unexpected causes. If the defective product generated in each manufacturing process can not be properly removed, the defective product unnecessarily goes through the subsequent process, thereby lowering the production efficiency. After the chip process or the package process is completed, an electronic device inspection device is used to measure the optical characteristics of the products manufactured in each process and to check whether there is a defect.

도 1은 일본 공개특허공보 제2013-044665호에 개시된 발광소자 광특성 검사장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 검사장치는 적분구를 구비하며, 적분구는 선택된 발광소자로 순차로 정렬되며, 적분구가 정렬되면 발광소자가 발광하여 각 발광소자별로 측정된다. 1은 발광소자의 검사장치를 나타내고, 2는 위치 측정부, 3은 검사부이다. 측정부(2)는 웨이퍼 척 스테이지(4)를 갖추고 있고, 웨이퍼 척(5a~5c)은, 웨이퍼 척(5a, 5b, 5c)의 면 위에 확장 웨이퍼를 일시적으로 고정할 수 있는 것이면, 어떠한 기구여도 좋지만, 통상은, 흡인부압에 의해서, 확장 웨이퍼를 웨이퍼 척 스테이지(4)의 윗면에 흡착 고정한다.1 shows an example of an apparatus for inspecting light emitting device optical characteristics disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-044665, in which an inspection apparatus is provided with an integrating sphere, the integrating sphere is sequentially arranged with selected light emitting elements, The light emitting device emits light and is measured for each light emitting device. Reference numeral 1 denotes an apparatus for inspecting a light emitting device, 2 a position measuring unit, and 3 an inspection unit. The measuring unit 2 has the wafer chuck stage 4 and the wafer chucks 5a to 5c can be any device capable of temporarily fixing the extended wafer on the surfaces of the wafer chucks 5a, Usually, the expanding wafer is sucked and fixed to the upper surface of the wafer chuck stage 4 by the suction negative pressure.

도 2는 미국 공개특허공보 제2014/0077235호에 개시된 확장 웨이퍼의 일 예를 나타내는 도면으로서, 테이프 위에 개별소자로 분리된 웨이퍼가 접착되어 있고, 테이를 확장하여 확장된 웨이퍼 상태를 나타낸다. 웨이퍼 상에 형성된 반도체 소자의 검사에 있어서는, 검사 비용을 낮추기 위하여, 단위 시간당 검사 개수를 얼마나 늘릴지가 큰 과제이다. 예를 들어, 다이싱(dicing) 되어, 테이프 상에서 확장된 확장 웨이퍼에 복수의 반도체 소자를 구비하여 검사할 때, 각 반도체 소자에 프로브로 전원을 인가하고 광량 등을 측정하게 된다.FIG. 2 is a diagram showing an example of an extended wafer disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2014/0077235, in which a wafer separated into individual elements is adhered on a tape, and shows an expanded wafer state by extending the tape. In inspection of a semiconductor device formed on a wafer, how to increase the number of inspections per unit time is a big problem in order to lower the inspection cost. For example, when a plurality of semiconductor elements are provided on an extended wafer extended on a tape and diced, electric power is applied to each semiconductor element as a probe, and the amount of light and the like are measured.

도 3은 종래의 전기 소자 검사장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 종래의 전기 소자 검사장치는 복수의 발광소자(1; 1a, 1b, 1c)가 안착되는 지지대(20)와, 지지대(20)의 상측에 구비되어 복수의 발광소자(1)에 전원을 개별적으로 인가하고, 전원이 인가된 발광소자(1a)에서 방출되는 광(L; L1, L2)을 수광하여 광 특성을 측정하는 광측정기(30)를 포함한다. 복수의 발광소자(1) 중에서 선택된 피측정 발광소자(1a)에 전원이 인가되면, 피측정 발광소자(1a)의 상부면으로부터 방출되는 광(L1)은 광측정기(30)의 수광 영역으로 조사되지만, 피측정 발광소자(1a)의 측면으로부터 방출되는 광(L2)은 인접한 다른 발광소자들(1b, 1c)에 조사되고, 광측정기(30)의 수광 영역을 벗어나도록 반사되거나 일부는 광측정기 측으로 반사된다. 발광소자(1)의 광 특성을 정확하게 측정하기 위해서는 발광소자(1)에서 방출되는 광(L)이 손실되지 않고, 광측정기(30)에 가능한 많은 양의 광(L)이 수광되어야 한다.3 is a view showing an example of a conventional electric element inspection apparatus. The conventional electric element inspection apparatus comprises a support 20 on which a plurality of light emitting elements 1 (1a, 1b, 1c) L1 and L2 emitted from the light emitting device 1a to which the power is applied and which measures the optical characteristics of the light emitting device 1a, (30). The light L1 emitted from the upper surface of the light emitting device 1a to be measured is irradiated to the light receiving area of the light measuring device 30 when the power is applied to the light emitting device 1a selected from among the plurality of light emitting devices 1. [ The light L2 emitted from the side surface of the light emitting device 1a to be measured is irradiated to the adjacent other light emitting devices 1b and 1c and reflected to be out of the light receiving area of the optical measuring device 30, . In order to accurately measure the optical characteristics of the light emitting device 1, the light L emitted from the light emitting device 1 is not lost, and the light measuring device 30 should receive as much light as possible.

도 4는 확장 웨이퍼 상에 복수의 플립칩을 구비하고 광특성을 검사하는 방법의 일 예를 설명하는 도면으로서, 광측정기(150, 170)는 프로브를 사용하여 플립칩(5)에 전원 인가시 광측정기 방향으로 들어가는 주된 광을 감지한다. 플립칩(5)의 사파이어 기판 옆면에서 방출된 광은 이웃한 플립칩(5)에서 반사되어 위 및 아래로 퍼질 수 있다. 이때 사파이어 기판 측으로 향하는 광은 아래의 제1 측정기(150)를 통해서 광을 수광하고, 위로 향하는 광은 제2 측정기(170)로 수광하여 나오는 광을 최대한 모을 수 있다. 그런데 웨이퍼의 가장자리를 제외한 가운데 또는 내측 영역에서는 발광소자의 광량이 높게 측정되지만, 가장자리 발광소자는 이웃한 플립칩이 부족하여 측정기로 향하는 반사광이 작아서 상대적으로 광량이 작게 측정되는 문제가 있다. 또한, 평탄한 투명판(130)과 테이프(110) 사이에 공기층이 균일하지 못하고 랜덤하게 형성될 수 있는데, 이는 광량 측정의 정확도를 떨어뜨리는 문제가 있다. 따라서, 발광소자의 불량 여부를 정확하게 검사하는데 어려움이 있었다.FIG. 4 is a view for explaining an example of a method of inspecting an optical characteristic by providing a plurality of flip chips on an extended wafer. In the optical measuring devices 150 and 170, when a power is applied to the flip chip 5 using a probe It detects the main light entering the direction of the optical meter. The light emitted from the side surface of the sapphire substrate of the flip chip 5 may be reflected by the neighboring flip chip 5 and spread up and down. At this time, the light directed to the sapphire substrate side receives light through the first measuring device 150, and the upwardly directed light can collect the light that is received by the second measuring device 170 as much as possible. However, the amount of light emitted from the light emitting device is measured in the middle or inside of the wafer except for the edge, but the edge light emitting device has a problem that the amount of reflected light directed toward the measuring device is relatively small because the adjacent flip chip is insufficient. Also, the air layer may be randomly formed between the transparent transparent plate 130 and the tape 110 at an irregular rate, which may degrade the accuracy of the light amount measurement. Therefore, it has been difficult to accurately check whether the light emitting element is defective or not.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 발광소자 검사장치에 있어서, 복수의 발광소자가 구비된 베이스층; 베이스층과 떨어져서 베이스층의 아래 및 위 중 적어도 하나에 구비되며, 측정 대상이 된 발광소자로부터의 광을 수광하는 광측정기; 그리고 베이스층 아래에서 베이스층에 인접하게 구비되는 광경로 변경 부재;로서, 복수의 발광소자로부터의 광의 진행 경로를 변경하는 요철을 구비하는 광경로 변경 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a light emitting device inspection apparatus comprising: a base layer having a plurality of light emitting devices; An optical measuring device provided on at least one of the base layer and the base layer so as to be apart from the base layer and configured to receive light from the light emitting device to be measured; And a light path changing member provided adjacent to the base layer below the base layer, the light path changing member including concavities and convexities changing the path of light from the plurality of light emitting elements Device is provided.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1는 일본 공개특허공보 제2013-044665호에 개시된 발광소자 광특성 검사장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 2는 미국 공개특허공보 제2014/0077235호에 개시된 확장 웨이퍼의 일 예를 나타내는 도면,
도 3은 종래의 전기 소자 검사장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 4는 확장 웨이퍼 상에 복수의 플립칩을 구비하고 광특성을 검사하는 방법의 일 예를 설명하는 도면,
도 5는 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 일 예를 나타내는 도면,
도 6은 발광소자의 일 예를 나타내는 도면,
도 7은 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 다른 예를 나타내는 도면,
도 8은 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 9는 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 10은 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 또 다른 예를 나타내는 도면,
도 11은 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 또 다른 예를 설명하는 도면,
도 12는 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 또 다른 예를 설명하는 도면,
도 13은 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 또 다른 예를 설명하는 도면.1 is a view showing an example of an apparatus for inspecting a light emitting device optical characteristic disclosed in Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-044665,
2 is a diagram showing an example of an extended wafer disclosed in U.S. Patent Application Publication No. 2014/0077235,
3 is a view showing an example of a conventional electric device testing apparatus,
4 is a view for explaining an example of a method of inspecting optical characteristics by providing a plurality of flip chips on an extended wafer,
5 is a view showing an example of a light emitting device testing apparatus according to the present disclosure,
6 is a view showing an example of a light emitting element,
7 is a view showing another example of a light-emitting element inspection apparatus according to the present disclosure,
8 is a view showing still another example of a light-emitting element inspection apparatus according to the present disclosure,
9 is a view showing still another example of a light-emitting element inspection apparatus according to the present disclosure,
10 is a view showing still another example of a light-emitting element inspection apparatus according to the present disclosure,
11 is a view for explaining another example of the light-emitting element testing apparatus according to the present disclosure,
12 is a view for explaining another example of the light-emitting element inspection apparatus according to the present disclosure,
13 is a view for explaining another example of the light-emitting element inspection apparatus according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 일 예를 나타내는 도면으로서, 발광소자 검사장치는 베이스층(110), 광측정기(150, 170) 및 광경로 변경 부재(130)를 포함한다. 베이스층(110)에는 복수의 발광소자(5)가 구비된다. 광측정기는 베이스층(110)과 떨어져서 베이스층(110)의 아래 및 위 중 적어도 하나에 구비되며, 측정 대상이된 발광소자(5)로부터의 광을 수광한다. 본 예에서 광측정기(150, 170)는 베이스층(110)의 아래에 제1 측정기(150) 및 위에 제2 측정기(170)가 구비되어 있다. 광경로 변경 부재(130)는 베이스층(110) 아래에서 베이스층(110)에 인접하게 구비된다. 광경로 변경 부재(130)는 복수의 발광소자(5)로부터의 광의 진행 경로를 변경하는 요철(131)을 구비한다. 광경로 변경 부재(130)는 베이스층(110)의 가장자리에 구비된 발광소자(5)의 측정시 일부의 광의 경로를 광측정기(150, 170) 측을 향하도록 변경한다. 그 결과, 베이스층(110)의 내측에 위치한 발광소자(5)의 광을 측정할 때와 가장자리에 위치한 발광소자(5)의 광을 측정할 때의 조건의 차이(예: 이웃한 발광소자(5)의 개수의 차이)를 일정 정도 보상 또는 완화할 수 있다. 따라서, 발광소자(5)의 검사를 더 정확하게 할 수 있다. 여기서 광을 측정하는 것은 휘도, 파장, 광도, 조도, 분광분포, 색온도, 색좌표 등을 측정하는 것을 포함한다. 5 is a diagram showing an example of a light emitting device testing apparatus according to the present disclosure. The light emitting device testing apparatus includes a base layer 110, optical meters 150 and 170, and a light path changing member 130. The base layer 110 is provided with a plurality of light emitting devices 5. The optical measuring instrument is disposed on at least one of the base layer 110 and the base layer 110 at a distance from the base layer 110 and receives light from the light emitting element 5 to be measured. In the present example, the optical measuring devices 150 and 170 are provided with a first measuring device 150 and a second measuring device 170 below the base layer 110. The light path changing member 130 is provided adjacent to the base layer 110 below the base layer 110. [ The light path changing member 130 is provided with protrusions and depressions 131 for changing the path of light from the plurality of light emitting elements 5. The light path changing member 130 changes a part of the light path toward the optical measuring devices 150 and 170 when the light emitting device 5 provided at the edge of the base layer 110 is measured. As a result, when measuring the light of the light emitting element 5 located inside the base layer 110 and the difference in the conditions for measuring the light of the light emitting element 5 located at the edge (for example, 5) can be compensated or relaxed to some extent. Therefore, the inspection of the light emitting element 5 can be performed more accurately. Here, measuring light includes measuring luminance, wavelength, luminous intensity, illuminance, spectral distribution, color temperature, color coordinates, and the like.

도 6은 발광소자(5)의 일 예를 나타내는 도면으로서, 플립칩(flip chip)의 일 예가 제시되어 있다. 본 개시에서 검사 대상은 특히 반도체 발광소자(5) 또는 발광 다이오드를 예로 들어 설명한다. 그러나 검사 대상으로서 발광소자에 한정되지 않으며, 반도체 칩이나 기타 소형, 박형의 제품을 검사 대상물로 할 수 있다. 또한, 본 예에서는 패키지 공정을 거치기 전의 반도체 발광소자(5; 예: 플립칩)를 검사 대상물로 하였지만, 패키지 공정을 거친 이후의 발광소자도 검사 대상물로 할 수 있음은 물론이다.6 is a diagram showing an example of the light emitting element 5, and an example of a flip chip is shown. In this disclosure, the object to be inspected is described by taking the semiconductor light emitting element 5 or the light emitting diode as an example. However, the object to be inspected is not limited to the light emitting element, and semiconductor chips and other small and thin products can be used as objects to be inspected. In this example, the semiconductor light emitting element 5 (for example, flip chip) before the packaging step is used as an object to be inspected, but it is needless to say that the light emitting element after the packaging step can also be an object to be inspected.

예를 들어, 플립칩은 기판(100), 기판(100) 위에 성장되는 버퍼층(200), 버퍼층(200) 위에 성장되는 n형 반도체층(300), n형 반도체층(300) 위에 성장되는 활성층(400), 활성층(400) 위에 성장되는 p형 반도체층(500), p형 반도체층(500) 위에 형성되며, 전류 확산 기능을 하는 투광성 도전막(600), 투광성 도전막(600) 위에 형성되는 p측 본딩 패드(700) 그리고 식각되어 노출된 n형 반도체층(300) 위에 형성되는 n측 본딩 패드(800)를 포함한다. 그리고 투광성 도전막(600) 위에는 분포 브래그 리플렉터(900; DBR: Distributed Bragg Reflector)와 금속 반사막(904)이 구비되어 있다.For example, the flip chip includes a substrate 100, a buffer layer 200 grown on the substrate 100, an n-type semiconductor layer 300 grown on the buffer layer 200, an active layer 210 grown on the n-type semiconductor layer 300, A light transmitting conductive film 600 formed on the p-type semiconductor layer 500 and a current spreading function 600 formed on the p-type semiconductor layer 500 and the p-type semiconductor layer 500 grown on the active layer 400, the active layer 400, Side bonding pad 700 formed on the exposed n-type semiconductor layer 300 and an n-side bonding pad 800 formed on the exposed n-type semiconductor layer 300. A DBR (Distributed Bragg Reflector) 900 and a metal reflection film 904 are provided on the transmissive conductive film 600.

이러한 발광소자(5)가 도 5에 도시된 바와 같이 베이스층(110)에 구비된다. 발광소자(5)는 베이스층(110)의 상부면에 부착된 상태에서 광 특성이 측정되며, 측정 후 얻어진 결과는 발광소자(5)의 불량 여부를 검사하는데 사용된다. 베이스층(110)으로는 신축성, 점착성을 가진 블루 테이프(blue tape) 또는 화이트 테이프(white tape)를 사용할 수 있다. 예를 들어, 베이스층(110)의 상부면에 다이싱(dicing)된 웨이퍼(wafer)를 부착시키고, 진공 흡착 등의 방법으로 베이스층(110)을 확장시켜 웨이퍼를 분할함으로써 복수의 발광소자(5)가 칩 단위로 베이스층(110)의 상면에 배치된다. 이와 다르게 단순히 투광성 테이프를 베이스층(110)으로 하여 복수의 플립칩을 부착하고 검사할 수도 있다.Such a light emitting device 5 is provided in the base layer 110 as shown in FIG. The light emitting device 5 is attached to the upper surface of the base layer 110 and the optical characteristics are measured. The result obtained after the measurement is used to check whether the light emitting device 5 is defective or not. As the base layer 110, a blue tape or a white tape having elasticity and adhesiveness can be used. For example, a diced wafer is attached to the upper surface of the base layer 110, and the base layer 110 is extended by vacuum adsorption or the like to divide the wafer, 5 are disposed on the upper surface of the base layer 110 in units of chips. Alternatively, a plurality of flip chips may be adhered to the base layer 110 by simply using a light-transmitting tape.

예를 들어, 도 6에 도시된 발광소자의 경우, p측 전극(700) 및 n측 전극(800)은 상측으로 노출되어 프로브(11, 12)에 접촉되어 전류를 공급받을 수 있다. 플립칩의 경우 광은 기판(100) 및 측면으로 나오며, 상측으로도 일부의 광이 나온다, 따라서, 베이스층(110) 아래에 제1 측정기(150)만으로 광측정을 하는 것도 고려할 수 있다. 다만, 본 예에서는 광을 가능한 한 많이 수광하여 측정의 정확도를 높이기 위해 베이스층(110) 위에 제2 측정기(170)가 더 구비되어 있다. 도 5에 도시된 프로브(11, 12)는 바늘 형상으로서 예시적으로 나타낸 것이며, 이와 다른 방법으로 전극에 프로브가 접촉되는 것도 가능하다. For example, in the case of the light emitting device shown in FIG. 6, the p-side electrode 700 and the n-side electrode 800 are exposed to the upper side and contact the probes 11 and 12 to be supplied with current. In the case of the flip chip, the light is emitted to the substrate 100 and the side surface, and a part of the light is also emitted to the upper side. Therefore, it is also conceivable to perform optical measurement with only the first measuring device 150 under the base layer 110. However, in this embodiment, the second measuring device 170 is further provided on the base layer 110 to increase the accuracy of measurement by receiving as much light as possible. The probes 11 and 12 shown in Fig. 5 are exemplarily shown in the form of needles, and it is also possible for the probes to contact the electrodes in a different way.

예를 들어, 도시되지는 않았지만 광측정기(150, 170)는 지면 또는 공장 바닥면 등으로부터 수직으로 세워지는 수직 프레임 및 수직 프레임의 상단부에 수평하게 결합되는 수평 프레임에 장착되어 지면으로부터 일정한 높이로 이격되어 지지된다. 이때, 제1 측정기(150) 및 제2 측정기(170)가 마주하도록 구비될 수 있으며, 베이스층(110)은 제1 측정기(150)와 제2 측정기(170) 사이로 이송되거나, 베이스층(110)이 고정되고 제1 측정기(150) 및 제2 측정기(170)가 움직일 수도 있다.For example, although not shown, the optical meters 150 and 170 may be mounted on a horizontal frame horizontally coupled to a vertical frame and a vertical frame vertically erected from the floor or the floor of the factory, Respectively. The first measuring device 150 and the second measuring device 170 may be disposed to face each other and the base layer 110 may be provided between the first measuring device 150 and the second measuring device 170, May be fixed and the first measuring device 150 and the second measuring device 170 may be moved.

예를 들어, 광측정기(150, 170)는 발광소자(5)에 전원을 인가하는 프로브(probe)와, 발광소자(5)에서 나오는 광을 수광하여 광 특성을 측정하는 적분구(integrating sphere)를 포함한다. 적분구는 내측에 중공부를 가진 구형의 장치로서, 중공부 내로 광을 받아들여 그 특성을 측정하는 장치이다. 적분구의 하단부에는 발광소자(5)의 광이 수광되는 목부가 돌출 형성되며, 목부를 포함하는 적분구의 내주면에는 광을 균일하게 반사시키는 물질이 코팅된다. 적분구의 외주면 일측에는 적분구의 중공부와 연결되어 중공부에 모인 광의 특성을 측정할 수 있는 광특성측정기가 장착될 수 있다. 광특성측정기는 발광소자(5)에서 나오는 광의 휘도, 파장, 광도, 조도, 분광분포, 색온도, 색좌표 등을 측정할수 있으며, 이들 중에서 적어도 어느 한 개 이상을 측정하는 방식으로 발광소자(5)의 광 특성을 측정한다. 광특성측정기로는 분광기(spectrometer) 또는 광검출기(photo detector)를 사용할 수 있다. 적분구를 통해 발광소자(5)에서 나오는 광(L)을 측정하기 위해서는 발광소자(5)에 전원을 가해주어야 하며, 이를 위해 프로브가 사용된다. For example, the optical measuring devices 150 and 170 include a probe for applying power to the light emitting element 5 and an integrating sphere for measuring light characteristics by receiving the light emitted from the light emitting element 5. [ . The integrating sphere is a spherical device having a hollow portion on the inner side, and is a device that receives light into the hollow portion and measures its characteristics. A neck portion for receiving the light of the light emitting element 5 is protruded at the lower end of the integrating sphere and a material for uniformly reflecting the light is coated on the inner circumferential surface of the integrating sphere including the neck portion. An optical property measuring device connected to the hollow portion of the integrating sphere and measuring the characteristics of the light collected in the hollow portion may be mounted on the outer peripheral surface of the integrating sphere. The optical characteristic measuring device can measure the brightness, wavelength, luminous intensity, illuminance, spectral distribution, color temperature, color coordinate, etc. of light emitted from the light emitting element 5, and at least one of them can be measured, Optical properties are measured. A spectrometer or photo detector can be used as the optical property measuring device. In order to measure the light L emitted from the light emitting element 5 through the integrating sphere, power is applied to the light emitting element 5, and a probe is used for this purpose.

본 예에서, 광경로 변경 부재(130)는 Glass, quartz, 사파이어, PMAA 등과 같은 투광성 재질의 판에 요철(131)을 형성하여 이루어진다. 본 예에서 요철(131)은 베이스층(110)과 마주보는 광경로 변경 부재(130)의 상면에 형성되어 있다. 요철(131)은 발광소자(5)로부터 나와 베이스층(110)을 거쳐 광측정기(150, 170)로 향하지 못하는 광의 일부의 경로를 변경하여 광측정기(150, 170) 측으로 향하도록 한다. 요철(131)은 광경로를 변경하기 위해 다양한 형태로 변형이 가능하다. 본 예에서는 요철(131)의 단면이 도 5에 제시된 바와 같이 삼각 프리즘 형상을 가진다. 요철(131)의 형상은 오목 렌즈, 볼록 렌즈 등 렌즈 형상과 랜덤한 돌기 등 다양하게 변형 가능하다. 또한, 요철(131)이 광경로 변경 부재(130)의 표면에 형성되는 본 예와 다르게, 또는 표면에 형성된 요철에 추가하여 광경로 변경 부재(130)의 내부에 광확산 구조, 예를 들어, 광확산 비드가 구비될 수도 있다.In this example, the optical path changing member 130 is formed by forming concavities and convexities 131 on a plate made of a translucent material such as glass, quartz, sapphire, PMAA or the like. In this example, the concavities and convexities 131 are formed on the upper surface of the optical path changing member 130 facing the base layer 110. The unevenness 131 changes the path of part of the light that can not be directed to the optical measuring devices 150 and 170 through the base layer 110 from the light emitting element 5 to be directed toward the optical measuring devices 150 and 170. The concavities and convexities 131 can be modified into various shapes in order to change the optical path. In this example, the cross-section of the unevenness 131 has a triangular prism shape as shown in Fig. The shape of the concavities and convexities 131 can be variously modified, such as a concave lens, a convex lens, etc., and a lens shape and a random protrusion. In addition to the example in which the concavities and convexities 131 are formed on the surface of the optical path changing member 130 or in addition to the unevenness formed on the surface of the optical path changing member 130, A light diffusion bead may be provided.

발광소자(5)의 광측정이 정확하게 되기 위해서는 발광소자(5)로부터 나오는 광을 가능한 한 많이 수광하는 것이 바람직하다. 따라서, 상하 방향으로 나오는 광뿐만 아니라 발광소자(5)의 측면 방향으로 나오는 광도 광측정기(150, 170)가 수광하는 것이 바람직하다. 그런데 베이스층(110)의 가운데에 있는 발광소자(5)의 광측정시에는 측면으로 나오는 광의 일부는 이웃한 발광소자(5)에서 반사되어 하측 또는 상측으로 향한다. 본 예에서는 베이스층(110)의 아래 및 위에 모두 광측정기(150, 170)가 구비되어 상기 반사되어 상측 및 하측으로 향하는 광을 수광함으로써 가능한 한 많은 광을 수광할 수 있게 된다. 그러나 베이스층(110)의 가장자리에 위치한 발광소자(5)로부터 상하 방향으로 나온 광은 제1 측정기(150) 및 제2 측정기(170)로 잘 수광되지만, 측면 방향으로 나오는 광은 이를 반사하는 이웃한 발광소자(5)가 일측에만 구비되어 있어서, 예를 들어, 도 5에서는 가장자리 발광소자(5)의 우측에만 이웃한 발광소자(5)가 있고 좌측에는 이웃한 발광소자(5)가 없다. 따라서, 측면으로 나온 광의 일부가 제1 측정기(150) 및 제2 측정기(170) 측으로 향하지 못하고 수광될 수 없어서 실재 광량보다 낮게 측정된다. 또한, 베이스층(110)의 내측에 위치한 발광소자(5)는 이웃한 발광소자(5)로부터 비스듬히 들어오는 광도 수광하게 되지만, 가장자리 발광소자(5)는 이렇게 들어오는 광도 적다. 이로 인해 발광소자(5)를 분류(sorting)할 때 가장자리의 발광소자(5)를 잘못 분류하는 오류가 발생할 수 있다. 본 예에서 광경로 변경 부재(130)는 광경로 변경 부재(130)가 없는 경우 광측정기(150, 170)로 수광되지 못하는 일부의 광의 경로를 변경하여 제2 측정기(170) 또는 제1 측정기(150) 측으로 향하게 한다.In order for the light measurement of the light emitting element 5 to be accurate, it is desirable to receive as much light as possible from the light emitting element 5 as much as possible. Therefore, it is preferable that not only the light emitted in the vertical direction but also the light intensity measuring devices 150 and 170 that emit in the lateral direction of the light emitting element 5 receive light. In measuring the light emitted from the light emitting element 5 located at the center of the base layer 110, a part of the light emitted to the side is reflected by the neighboring light emitting element 5 and directed downward or upward. In this embodiment, optical measuring devices 150 and 170 are provided below and above the base layer 110 to receive as much light as possible by receiving the light reflected upward and downward. However, the light emitted from the light emitting device 5 located at the edge of the base layer 110 in the vertical direction is received by the first measuring device 150 and the second measuring device 170, Only one light emitting element 5 is provided on the right side of the edge light emitting element 5 and there is no neighboring light emitting element 5 on the left side. Therefore, a part of the light emitted to the side can not be directed to the first measuring device 150 and the second measuring device 170 side, and can not be received, and is measured to be lower than the actual light amount. The light emitting device 5 positioned inside the base layer 110 receives light incident at an angle from the neighboring light emitting device 5, but the edge light emitting device 5 has a small amount of incoming light. As a result, when sorting the light emitting element 5, an error may occur that the light emitting element 5 is erroneously classified at the edge. The light path changing member 130 changes the path of a part of the light which is not received by the optical measuring devices 150 and 170 in the absence of the optical path changing member 130 so that the second measuring device 170 or the first measuring device 150).

예를 들어, 도 5에서 광(L11)은 발광소자(5)로부터 비스듬히 나온 광(L11)으로서 광경로 변경 부재(130)가 없는 경우 베이스층(110)을 지나 제1 측정기(150)의 수광 영역을 벗어나게 된다. 발광소자(5)로부터 나온 광은 베이스층(110)과 공기층의 계면, 공기층과 프리즘 형상의 요철(131)의 계면에서 반사 및 굴절되며, 일부의 광(L11)은 광경로 변경 부재(130)의 하면에서 다시 반사 및 굴절된다. 일부의 반사 또는 굴절된 광은 다시 요철(131)을 통해 굴절되며 상측으로 경로가 변경될 수 있고, 그 결과 광경로 변경 부재(130)가 없는 경우에 비해 제2 측정기(170)로 수광되는 광량이 증가한다. 한편, 또 다른 광(L12)은 요철이 없는 경우 비스듬히 진행하여 제1 측정기(150)로 수광되지 못하는 광이지만 요철에 의해 하측을 향하도록 굴절되어 제1 측정기(150)로 수광될 수 있다.5, the light L11 passes through the base layer 110 when the light path changing member 130 does not exist as light L11 obliquely emitted from the light emitting element 5, Area. The light emitted from the light emitting element 5 is reflected and refracted at the interface between the base layer 110 and the air layer and at the interface between the air layer and the prismatic irregularities 131. Part of the light L11 passes through the light path changing member 130, And is refracted and refracted again on the lower surface of the frame. A part of the reflected or refracted light is refracted again through the concavity and convexity 131 and the path can be changed upward so that the amount of light received by the second measuring device 170 . On the other hand, the other light L12 is light which can not be received by the first measuring device 150 when the light L12 is obliquely advanced when there is no concavity and convexity, but may be refracted downward by the unevenness and received by the first measuring device 150.

이와 같이 광경로 변경 부재(130)로 인해 가장자리 발광소자(5)로부터 수광되지 못하는 광의 일부(예: L11, L12)가 수광되어 가장자리 발광소자(5)의 광량을 실재보다 더 작게 측정하는 오류를 감소할 수 있다. 베이스층(110)의 내측에 위치한 발광소자(5)의 경우 주변의 이웃한 발광소자(5)가 균등하게 또는 대칭적으로 있어서 광경로 변경 부재(130)로 인한 수광량의 증가 또는 손실이 함께 균등하게 또는 대칭적으로 있을 것이므로 광량측정에 있어서는 광경로 변경 부재(130)가 없는 경우에 비해 큰 차이는 없다. 즉 광경로 변경 부재(130)로 인한 오류 보정 효과는 가장자리 발광소자(5)에서 크게 된다. 그 결과 가장자리 위치로 인해 수광에 불리하였던 조건이 일부 보상되면서 가장자리 발광소자(5)의 광량 측정에서의 오차가 감소되며, 분류에서 오류가 감소된다.In this way, an error in which the light amount of the edge light-emitting element 5 is measured to be smaller than the actual light is received by a part (for example, L11, L12) of the light which is not received by the edge light-emitting element 5 due to the light- . In the case of the light emitting device 5 located inside the base layer 110, the neighboring light emitting devices 5 are equally or symmetrically located so that the increase or decrease in the amount of received light due to the light path changing member 130 is uniform There is no significant difference in the amount of light measurement compared with the case where the light path changing member 130 is not provided. That is, the error correction effect due to the light path changing member 130 becomes large in the edge light emitting element 5. As a result, the error in the light amount measurement of the edge light-emitting element 5 is reduced, and the error in the classification is reduced, as the condition which was adversely affected by the light due to the edge position is partially compensated.

한편, 본 예에서 요철(131)로 이해 베이스층(110)과 광경로 변경 부재(130) 사이에는 공기층이 일정한 패턴으로 형성된다. 따라서, 공기층이 불규칙하게 형성되는 문제가 해결되며, 광측정의 정확도가 향상된다.On the other hand, an air layer is formed between the base layer 110 and the light path changing member 130 in a predetermined pattern by the unevenness 131 in this example. Therefore, the problem that the air layer is irregularly formed is solved, and the accuracy of optical measurement is improved.

도 7은 본 개시에 따른 발광소자(5) 검사장치의 다른 예를 나타내는 도면으로서, 광경로 변경 부재(130)의 아래에 투명 기판(160)이 추가되어 있다. 예를 들어, 투명 기판(160)은 Glass, quartz, 사파이어, PMAA 등과 같은 투광성 재질의 판이고, 광경로 변경 부재(130)는 액정표시장치 등 표시장치에서 사용되는 프리즘 시트를 사용할 수 있다. 프리즘 시트 외에도 확산시트를 사용하는 것도 원하는 효과를 얻을 수 있다. 프리즘 시트나 확산 시트는 플랙시블할 수 있기 때문에 리지드한(rigid) 투명 기판(160)으로 지지해 주는 것이 필요할 수 있다. 또한, 투명 기판(160)은 반사 및 굴절을 시키는 계면을 증가시키므로 광경로 변경에 도움이 될 수 있다. 가장자리에 구비된 발광소자(5)에서 측면으로 나오는 광 및 비스듬히 진행하는 광의 경로가 프리즘 시트 또는 확산 시트에 의해 변경되며, 상측 또는 하측으로 진행하는 광의 비율이 증가할 수 있다. 이로 인해 제1 측정기(150) 및 제2 측정기(170)로 수광되는 광량을 증가시킬 수 있으며, 그 효과는 가장자리에서 잘 볼 수 있다.7 is a view showing another example of the inspection apparatus of the light emitting device 5 according to the present disclosure, in which a transparent substrate 160 is added under the light path changing member 130. As shown in Fig. For example, the transparent substrate 160 may be a transparent plate such as glass, quartz, sapphire, PMAA or the like, and the light path changing member 130 may be a prism sheet used in a display device such as a liquid crystal display device. Use of a diffusion sheet in addition to the prism sheet can also achieve a desired effect. It may be necessary to support the prism sheet or the diffusion sheet with a rigid transparent substrate 160 since the sheet can be flexed. In addition, the transparent substrate 160 increases the interface that causes reflection and refraction, which can help change the light path. The path of the light emitted from the light emitting element 5 provided at the edge and the light advancing diagonally is changed by the prism sheet or the diffusion sheet and the proportion of the light traveling upward or downward may increase. Therefore, the amount of light received by the first measuring device 150 and the second measuring device 170 can be increased, and the effect can be clearly seen at the edge.

도 8은 본 개시에 따른 발광소자(5) 검사장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 요철(135)이 광경로 변경 부재(130)의 하면에 형성되어 있다. 프리즘 형상의 요철(135)이 광경로 변경 부재(130)의 하면에 형성된 경우, 발광소자(5)로부터 하측으로 나온 광이 요철(135)에 의해 집광되어 제1 측정기(150)로 더 많이 향하게 된다. 특히, 가장자리의 발광소자(5)의 경우 이웃한 발광소자(5)에 의한 반사광이 부족한 부분을 일부분 보상할 수 있다. 제1 측정기(150)만으로 광측정을 해도 발광소자(5)의 분류를 할 수 있으며, 상측에 제2 측정기(170)를 생략할 수도 있다.8 is a view showing still another example of the inspection apparatus of the light emitting device 5 according to the present disclosure, in which the projections and depressions 135 are formed on the lower surface of the light path changing member 130. As shown in Fig. When the prism-shaped protrusions 135 are formed on the lower surface of the light path changing member 130, light emitted downward from the light emitting element 5 is condensed by the protrusions 135 and directed toward the first measuring device 150 do. Particularly, in the case of the light emitting element 5 at the edge, it is possible to partially compensate for the portion where the reflected light by the neighboring light emitting element 5 is insufficient. The light emitting device 5 can be classified even if the light is measured by only the first measuring device 150 and the second measuring device 170 can be omitted on the upper side.

도 9는 본 개시에 따른 발광소자(5) 검사장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 요철(135)이 광경로 변경 부재(130)의 하면에 형성되어 있다. 또한, 광경로 변경 부재(130)의 아래에 투명 기판(160)이 추가되어 있다. 따라서 요철(135)과 투명 기판(160)의 상면(161)으로 인해 공기층이 형성되며, 반사 및 굴절을 위한 계면(예: 161, 165)이 더 많이 확보된다. 따라서 광의 진행 경로가 제1 측정기(150) 및 제2 측정기(170)를 향하는 비율을 증가시킬 수 있고, 특히 가장자리에서 이러한 효과를 잘 볼 수 있다.9 is a view showing still another example of the inspection apparatus of the light emitting device 5 according to the present disclosure, in which the projections and depressions 135 are formed on the lower surface of the light path changing member 130. As shown in Fig. Further, a transparent substrate 160 is added under the optical path changing member 130. [ Therefore, an air layer is formed by the irregularities 135 and the upper surface 161 of the transparent substrate 160, and more interfaces (for example, 161 and 165) for reflection and refraction are secured. Accordingly, it is possible to increase the ratio of the traveling path of the light toward the first measuring device 150 and the second measuring device 170, and particularly, this effect can be seen particularly at the edge.

도 10은 본 개시에 따른 발광소자 검사장치의 또 다른 예를 나타내는 도면으로서, 복수의 수평형 발광소자(7; lateral chip)가 베이스층(110)에 구비되어 있다. 광경로 변경 부재(130)의 상면에는 요철(135)이 형성되어 있고, 요철(135)이 형성된 상면에 Ag, Al 등과 같은 반사율이 우수한 금속층(137)이 요철(135)을 따라 형성되어 있다. 광측정기(170)는 베이스층(110)의 위에만 구비되어 있다. 수평형 발광소자(7)의 상측으로 나오는 광은 광측정기(170)로 수광된다. 발광소자(7)의 기판(예: 사파이어 기판) 측 또는 측면으로 비스듬히 나온 광은 일부가 반사층(137)에서 반사되며, 요철(135)로 인해 반사광 중 상측으로 향하며 광측정기(170)로 수광될 수 있는 광의 비율이 증가한다. 이러한 증가 효과는 광을 반사해 줄 이웃한 발광소자(7)가 적은 가장자리에서 더 뚜렷하여서 가장자리에서 광측정의 오류를 감소할 수 있다.10 is a diagram showing another example of a light emitting device testing apparatus according to the present disclosure, wherein a plurality of horizontal chips 7 are provided in the base layer 110. FIG. The upper surface of the optical path changing member 130 is provided with concave and convex portions 135 and a metal layer 137 having a high reflectance such as Ag or Al is formed along the concave and convex portions 135 on the concave and convex portions 135. The optical meter 170 is provided only on the base layer 110. Light emitted to the upper side of the horizontal type light emitting element 7 is received by the optical measuring instrument 170. A part of the light obliquely emitted toward the substrate or the side surface of the light emitting element 7 is reflected by the reflection layer 137 and is directed to the upper side of the reflected light due to the unevenness 135 and is received by the optical measuring instrument 170 The ratio of light that can be increased. This increase effect can reduce the error of the optical measurement at the edge since the neighboring light emitting device 7 which reflects the light is more distinct at the edge where the light is small.

도 11은 본 개시에 따른 발광소자(5) 검사장치의 또 다른 예를 설명하는 도면으로서, 요철(131)의 단면 형상이 볼록한 돌기 또는 볼록 렌즈 형상을 가진다. 광을 굴절 및 반사하는 데 있어서 요철의 단면은 상측 또는 하측으로 광경로를 변경하는데 효과적이라면 삼각 프리즘뿐만 아니라 볼록 렌즈, 오목 렌즈 등 다양하게 변경될 수 있다.11 is a view for explaining another example of the inspection apparatus of the light emitting device 5 according to the present disclosure, in which the cross section of the projections and depressions 131 has a convex or convex lens shape. In the refraction and reflection of light, if the cross-section of the concavo-convex is effective for changing the optical path to the upper side or the lower side, the triangular prism can be changed variously, such as a convex lens and a concave lens.

도 12는 본 개시에 따른 발광소자(5) 검사장치의 또 다른 예를 설명하는 도면으로서, 요철이 광경로 변경 부재(130)의 표면에 형성된 것이 아니라 광경로 변경 부재(130)의 내부에 형성되어 있다. 광경로 변경 부재(130)의 내부에 광확산 비드와 같은 알갱이(131)가 분산되어 광의 반사, 굴절을 위한 다수의 계면을 형성한다. 이러한 계면은 알갱이(131)가 울퉁불퉁한 경우 요철면이 된다. 비스듬히 진행하여 광측정기(150, 170)에 감지되지 않는 광이 요철면으로 인해 상측 및 하측으로 반사 및 굴절되는 광량이 증가하고, 그 결과 가장자리에서 광측정의 오류가 감소한다.12 is a view for explaining another example of the inspection apparatus of the light emitting device 5 according to the present disclosure, in which irregularities are not formed on the surface of the light path changing member 130 but formed inside the light path changing member 130 . The particles 131 such as light diffusion beads are dispersed in the light path changing member 130 to form a plurality of interfaces for reflection and refraction of light. This interface is an uneven surface when the grain 131 is uneven. The amount of light reflected and refracted upward and downward due to the unevenness of the light that is not sensed by the optical meters 150 and 170 advances at an oblique angle, and as a result, the error of the optical measurement at the edge decreases.

도 13은 본 개시에 따른 발광소자(5) 검사장치의 또 다른 예를 설명하는 도면으로서, 요철(131)이 형성된 광경로 변경 부재(130)가 베이스층(110)의 아래에 구비되며, 베이스층(110)의 가장자리 발광소자(5)보다 더 외곽에 광의 반사를 위한 반사 블록(125)이 구비되어 있다. 복수의 발광소자(5)가 하나의 웨이퍼에 형성되며, 이들이 분리 공정에 의해 분리된 상태로 베이스층(110)에 부착되고, 베이스층(110)이 확장되어 복수의 발광소자(5)가 서로 간격을 두고 도 13과 같이 구비될 수 있다. 여기서 베이스층(110)에는 최 외곽에 광의 반사를 위해 반사 블록(125)이 미리 구비되거나, 상기 웨이퍼에 반사 블록(125)이 형성되어 발광소자(5)와 함께 베이스층(110)에 부착되는 것도 가능하다. 이러한 경우 가장자리 발광소자(5)의 주변에 측면 광의 반사를 위한 구조물(예: 5, 125)이 베이스층(110)의 내측과 동등하게 구비되므로 가장자리에서 광측정에서 오류를 감소할 수 있다.13 is a view for explaining another example of the inspection apparatus of the light emitting device 5 according to the present disclosure in which an optical path changing member 130 in which protrusions and recesses 131 are formed is provided below the base layer 110, A reflection block 125 for reflecting light is provided outside the edge emitting element 5 of the layer 110. A plurality of light emitting devices 5 are formed on one wafer and they are attached to the base layer 110 in a separated state by a separation process and the base layer 110 is expanded so that the plurality of light emitting devices 5 13 as shown in Fig. The reflective layer 125 is formed on the outermost layer of the base layer 110 in order to reflect light or the reflective layer 125 is formed on the wafer to be attached to the base layer 110 together with the light- It is also possible. In this case, since the structures (for example, 5 and 125) for reflecting the side light around the edge light emitting element 5 are equally provided inside the base layer 110, errors in optical measurement at the edges can be reduced.

이하 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Various embodiments of the present disclosure will be described below.

(1) 발광소자 검사장치에 있어서, 복수의 발광소자가 구비된 베이스층; 베이스층과 떨어져서 베이스층의 아래 및 위 중 적어도 하나에 구비되며, 측정 대상이된 발광소자로부터의 광을 수광하는 광측정기; 그리고 베이스층 아래에서 베이스층에 인접하게 구비되는 광경로 변경 부재;로서, 복수의 발광소자로부터의 광의 진행 경로를 변경하는 요철을 구비하며, 베이스층의 가장자리에 구비된 발광소자의 측정시 일부의 광의 경로를 광측정기를 향하도록 변경하는 광경로 변경 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(1) A light-emitting element inspection apparatus comprising: a base layer having a plurality of light-emitting elements; An optical measuring device provided on at least one of the base layer and the base layer so as to be apart from the base layer and configured to receive light from the light emitting device to be measured; And a light path changing member provided adjacent to the base layer below the base layer, wherein the light path changing member includes irregularities for changing the path of light from the plurality of light emitting elements, And a light path changing member for changing the path of the light toward the optical measuring instrument.

(2) 베이스층과 마주하는 광경로 변경 부재의 상면 및 상면과 대향하는 하면 중 적어도 하나가 요철을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(2) At least one of the upper surface of the light path changing member facing the base layer and the lower surface opposed to the upper surface has irregularities.

(3) 요철의 단면은 프리즘 형상, 오목 렌즈 형상 및 볼록 렌즈 형상 중 적어도 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(3) The light emitting device inspection apparatus according to any one of the above items (1) to (4), wherein the cross section of the concave and convex has at least one of a prism shape, a concave lens shape and a convex lens shape.

(4) 요철은 랜덤하게 형성되어 광을 산란시키는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(4) The light emitting device inspection apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein the concavities and convexities are randomly formed to scatter light.

(5) 각 발광소자는 플립칩(flip chip)으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 구비되어 광을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층이 성장되는 성장 기판으로서 제1 반도체층과 베이스층 사이에 구비되며 광을 투과시키는 성장 기판과, 복수의 반도체층 위에 구비된 전극을 포함하며, 광측정기는 광경로 변경 부재의 아래에 구비된 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(5) Each of the light emitting elements is a flip chip, which includes a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, A growth substrate provided between the first semiconductor layer and the base layer for transmitting light, a plurality of semiconductor layers provided between the first semiconductor layer and the base layer for growing a plurality of semiconductor layers, Wherein the light measuring device is provided under the light path changing member.

(6) 요철은 광경로 변경 부재의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 구비되며, 프리즘 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(6) The light emitting device inspection apparatus according to any one of the preceding claims, wherein the concave and convex is provided on at least one of an upper surface and a lower surface of the light path changing member, and has a prism shape.

(7) 베이스층 및 광경로 변경 부재를 경유하여 경로가 변경된 광을 수광하도록 복수의 발광소자 위에 구비되는 추가의 광측정기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(7) An additional light measuring device provided on the plurality of light emitting devices to receive light whose path has been changed via the base layer and the light path changing member.

(8) 광경로 변경 부재의 하면이 요철을 구비하고, 광경로 변경 부재의 아래에 구비되는 투명 플레이트;를 포함하며, 요철과 투명 플레이트 사이에 공기층이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(8) The light emitting device inspection apparatus according to any one of the above items (1) to (5), further comprising: a transparent plate provided below the optical path changing member, the uneven surface being provided on the lower surface of the optical path changing member, and an air layer being formed between the unevenness and the transparent plate.

(9) 각 발광소자는 수평형 칩(lateral chip)으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 구비되어 광을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층이 성장되는 성장 기판으로서 제1 반도체층과 베이스층 사이에 구비되며 광을 투과시키는 성장 기판과, 복수의 반도체층 위에 구비된 전극을 포함하며, 광측정기는 복수의 발광소자 위에 구비된 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(9) Each light emitting element is a lateral chip, which includes a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, a first semiconductor layer, A growth substrate provided between the first semiconductor layer and the base layer for transmitting light, and a plurality of semiconductor layers provided between the first semiconductor layer and the base layer, wherein the plurality of semiconductor layers include a plurality of And an electrode provided on the semiconductor layer, wherein the light measuring device is provided on the plurality of light emitting devices.

(10) 광경로 변경 부재는 광을 검사장치 측으로 반사하는 반사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(10) The light-emitting element inspection apparatus according to any one of (1) to (5), wherein the light path changing member has a reflecting surface for reflecting light to the inspection apparatus side.

(11) 반사면이 요철을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(11) The light-emitting element inspection apparatus according to any one of the preceding claims, wherein the reflective surface is provided with concave and convex portions.

(12) 요철은 광경로 변경 부재의 내부에 분산된 알갱이에 의해 내부에 형성된 경계면인 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(12) The light emitting device inspection apparatus according to any one of the preceding claims, wherein the concave and convex is an interface formed inside the light path changing member by particles dispersed in the light path changing member.

(13) 검사장치는 적분구를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.(13) The apparatus for inspecting a light-emitting element as described in any one of (1) to (10), wherein the inspection apparatus is provided with an integrating sphere.

본 개시에 따른 하나의 발광소자 검사장치에, 발광소자 등 발광소자의 광측정의 정확도가 향상된다.In one light emitting element testing apparatus according to the present disclosure, the accuracy of light measurement of the light emitting element such as the light emitting element is improved.

또한, 웨이퍼 상의 가장자리의 발광소자의 광량이 작게 측정되는 오류가 감소된다.In addition, the error in which the light amount of the light emitting element at the edge on the wafer is measured to be small is reduced.

또한, 베이스층과 투명 기판 사이에 불규칙한 공기층 형성을 균일하게 형성하여 광측정의 오류가 감소된다.In addition, irregular air layer formation is uniformly formed between the base layer and the transparent substrate, thereby reducing errors in optical measurement.

5, 7: 발광소자 110: 베이스층
130: 광경로 변경 부재 150, 160: 광측정기5, 7: light emitting device 110: base layer
130: optical path changing member 150, 160: optical measuring instrument

Claims (13)

발광소자 검사장치에 있어서,
복수의 발광소자가 구비된 베이스층;
베이스층과 떨어져서 베이스층의 아래 및 위 중 적어도 하나에 구비되며, 측정 대상이 된 한 개의 발광소자로부터의 광을 수광하는 광측정기; 그리고
베이스층 아래에서 베이스층에 인접하게 구비되는 광경로 변경 부재;로서, 복수의 발광소자로부터의 광의 진행 경로를 변경하는 요철을 구비하는 광경로 변경 부재;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.A light emitting device inspection apparatus comprising:
A base layer having a plurality of light emitting elements;
An optical measuring unit provided on at least one of the base layer and the base layer so as to be apart from the base layer and receiving light from one light emitting element to be measured; And
And a light path changing member provided adjacent to the base layer below the base layer, wherein the light path changing member includes concavities and convexities that change the traveling path of light from the plurality of light emitting elements . 청구항 1에 있어서,
베이스층과 마주하는 광경로 변경 부재의 상면 및 상면과 대향하는 하면 중 적어도 하나가 요철을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
Wherein at least one of the upper surface of the light path changing member facing the base layer and the lower surface opposed to the upper surface comprises irregularities. 청구항 1에 있어서,
요철의 단면은 프리즘 형상, 오목 렌즈 형상 및 볼록 렌즈 형상 중 적어도 하나를 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
Wherein the cross section of the concave and convex has at least one of a prism shape, a concave lens shape and a convex lens shape. 청구항 1에 있어서,
요철은 랜덤하게 형성되어 광을 산란시키는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
And the concavities and convexities are randomly formed to scatter light. 청구항 1에 있어서,
각 발광소자는 플립칩(flip chip)으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 구비되어 광을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층이 성장되는 성장 기판으로서 제1 반도체층과 베이스층 사이에 구비되며 광을 투과시키는 성장 기판과, 복수의 반도체층 위에 구비된 전극을 포함하며,
광측정기는 광경로 변경 부재의 아래에 구비된 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
Each of the light emitting devices is a flip chip, and includes a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, a first semiconductor layer having a first conductivity, A plurality of semiconductor layers having a plurality of semiconductor layers grown thereon; a growth substrate provided between the first semiconductor layer and the base layer for growing a plurality of semiconductor layers and transmitting light; Electrode,
Wherein the light measuring device is provided under the light path changing member. 청구항 5에 있어서,
요철은 광경로 변경 부재의 상면 및 하면 중 적어도 하나에 구비되며, 프리즘 형상을 가지는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method of claim 5,
Wherein the concavities and convexities are provided on at least one of an upper surface and a lower surface of the light path changing member and have a prism shape. 청구항 5에 있어서,
베이스층 및 광경로 변경 부재를 경유하여 경로가 변경된 광을 수광하도록 복수의 발광소자 위에 구비되는 추가의 광측정기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method of claim 5,
And a further optical meter provided on the plurality of light emitting devices to receive the light whose path has been changed via the base layer and the light path changing member. 청구항 5에 있어서,
광경로 변경 부재의 하면이 요철을 구비하고,
광경로 변경 부재의 아래에 구비되는 투명 플레이트;를 포함하며,
요철과 투명 플레이트 사이에 공기층이 형성되는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method of claim 5,
The lower surface of the light path changing member is provided with the unevenness,
And a transparent plate provided under the light path changing member,
Wherein an air layer is formed between the concavo-convex and the transparent plate. 청구항 1에 있어서,
각 발광소자는 수평형 칩(lateral chip)으로서, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층의 사이에 구비되어 광을 생성하는 활성층을 구비하는 복수의 반도체층과, 복수의 반도체층이 성장되는 성장 기판으로서 제1 반도체층과 베이스층 사이에 구비되며 광을 투과시키는 성장 기판과, 복수의 반도체층 위에 구비된 전극을 포함하며,
광측정기는 복수의 발광소자 위에 구비된 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
Each of the light emitting devices is a lateral chip, and includes a first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, a first semiconductor layer having a second conductivity different from that of the first conductivity, A growth substrate provided between the first semiconductor layer and the base layer for transmitting light, a plurality of semiconductor layers provided on the plurality of semiconductor layers, Comprising an electrode,
Wherein the light measuring device is provided on a plurality of light emitting devices. 청구항 9에 있어서,
광경로 변경 부재는 광을 검사장치 측으로 반사하는 반사면을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method of claim 9,
Wherein the light path changing member has a reflecting surface for reflecting the light to the inspection apparatus side. 청구항 10에 있어서,
반사면이 요철을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method of claim 10,
Wherein the reflective surface has irregularities. 청구항 1에 있어서,
요철은 광경로 변경 부재의 내부에 분산된 알갱이에 의해 내부에 형성된 경계면인 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
Wherein the concave and convex is an interface formed inside the light path changing member by particles dispersed inside the light path changing member. 청구항 1에 있어서,
검사장치는 적분구를 구비하는 것을 특징으로 하는 발광소자 검사장치.The method according to claim 1,
Wherein the inspection apparatus comprises an integrating sphere.
KR1020140049305A 2014-04-24 2014-04-24 Apparatus for testing light emitting device KR101541853B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140049305A KR101541853B1 (en) 2014-04-24 2014-04-24 Apparatus for testing light emitting device
PCT/KR2015/004106 WO2015163726A1 (en) 2014-04-24 2015-04-24 Light emitting element inspecting apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140049305A KR101541853B1 (en) 2014-04-24 2014-04-24 Apparatus for testing light emitting device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101541853B1 true KR101541853B1 (en) 2015-08-13

Family

ID=54060630

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140049305A KR101541853B1 (en) 2014-04-24 2014-04-24 Apparatus for testing light emitting device

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR101541853B1 (en)
WO (1) WO2015163726A1 (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100697831B1 (en) * 2005-06-20 2007-03-20 (주)더리즈 Mother substrate for light emitting diode, manufacturing method thereof and apparatus for measuring of light
JP5781864B2 (en) * 2011-08-25 2015-09-24 株式会社日本マイクロニクス Light-emitting element inspection apparatus and inspection method
KR101311923B1 (en) * 2012-01-31 2013-10-14 주식회사 에타맥스 module for testing light emitting diode
US8748202B2 (en) * 2012-09-14 2014-06-10 Bridgelux, Inc. Substrate free LED package

Also Published As

Publication number Publication date
WO2015163726A1 (en) 2015-10-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8222054B2 (en) LED light source and chromaticity adjustment method for LED light source
US8902428B2 (en) Process and apparatus for measuring the crystal fraction of crystalline silicon casted mono wafers
EP2402713A1 (en) Device and method for examining thin film
US20150036128A1 (en) Inspection apparatus
US9188308B2 (en) Light emitting device package and illumination apparatus
TW201439523A (en) Pattern inspection apparatus and pattern inspection method
TWI460405B (en) Light amount measuring device and light amount measuring method
KR101904651B1 (en) Led package structure provided with a predetermined view angle, led package module, manufacturing method therefor
US9048172B2 (en) Method of manufacturing white light emitting device (LED) and apparatus measuring phosphor film
KR101541853B1 (en) Apparatus for testing light emitting device
CN102478455B (en) Bearing plate and optical parameter measuring method using same
JP2014134497A (en) Apparatus and method for measuring optical characteristic of led chip
KR20190003895A (en) Apparatus for testing light emitting device and method of emitting the same
KR101168318B1 (en) Method of manufacturing a light emitting device and apparatus for measuring a phosphor film
TW201348683A (en) Total luminous flux inspection system and total luminous flux inspection method
JP6196018B2 (en) Light emitting device
TWI479131B (en) Testing apparatus for light emitting diodes
KR20150073512A (en) Apparatus for inspecting dies
US20160153909A1 (en) Inspection method
TW201339557A (en) Optical measurement system
TWI711101B (en) Wafter, wafer testing system, and method thereof
JP2019100968A (en) Macro inspection device inspecting top surface of protrusion on stage front surface
KR20120117278A (en) Apparatus for measuring light output of luminous element
TW201732239A (en) An optical measuring apparatus for light emitting diodes
KR101590449B1 (en) Optical test apparatus for edge type light emitting device package module

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180625

Year of fee payment: 4