KR101529669B1 - Apparatus for treatmenting substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가스분배판의 열팽창을 안내하는 정렬수단을 설치하여, 가스분배판의 균일한 열팽창을 유도하여 장비의 손상을 방지하고 최적의 공정조건 유지하는 기판처리장치에 관한 것으로, 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되는 후방 플레이트; 상기 후방 플레이트에서 연장되는 지지대; 상기 지지대에 거치되며, 다수의 분사홀을 가지는 가스분배판; 상기 지지대와 상기 가스분배판에 설치되며, 상기 가스분배판의 열팽창을 안내하기 위한 정렬수단; 상기 가스분배판의 하부에 설치되며 기판을 안치하는 기판안치수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present invention relates to a substrate processing apparatus which is provided with alignment means for guiding thermal expansion of a gas distribution plate to induce uniform thermal expansion of the gas distribution plate to prevent damage to equipment and maintain optimal process conditions, Chamber; A rear plate installed inside the chamber; A support extending from the rear plate; A gas distribution plate mounted on the support and having a plurality of injection holes; Alignment means for guiding the thermal expansion of the gas distribution plate, the alignment means being mounted on the support and the gas distribution plate; And substrate holding means installed at a lower portion of the gas distribution plate for holding a substrate.

가스분배판, 열팽창, 정렬수단 Gas distribution plate, thermal expansion, alignment means

Description

기판처리장치{Apparatus for treatmenting substrate}[0001] Apparatus for treating substrate [0002]

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 가스분배판의 열팽창을 안내하는 정렬수단을 설치하여, 가스분배판의 균일한 열팽창을 유도하여 장비의 손상을 방지하고 최적의 공정조건 유지하는 기판처리장치에 관한 것이다. The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to an arrangement means for guiding thermal expansion of a gas distribution plate to induce uniform thermal expansion of the gas distribution plate to prevent equipment damage and to maintain optimal process conditions And a substrate processing apparatus.

일반적으로, 액정표시장치(Liquid Crystal Device) 또는 유리기판 상에 형성되는 박막 태양전지의 제조공정에서는 높은 생산성을 확보하기 위하여 대면적의 유리기판을 사용한다. 액정표시장치 또는 박막 태양전지를 제조하기 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막증착공정, 감광성 물질을 사용하여 이들 박막 중 선택된 영역을 노출 또는 은폐시키는 포토공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 패터닝하는 식각공정 등을 거치게 되며, 이들 각 공정은 해당공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판처리장치의 내부에서 진행된다. Generally, a glass substrate having a large area is used to secure high productivity in a manufacturing process of a thin film solar cell formed on a liquid crystal display device or a glass substrate. In order to manufacture a liquid crystal display device or a thin film solar cell, a thin film deposition process for depositing a thin film of a specific material on a substrate, a photolithography process for exposing or hiding selected regions of the thin films using a photosensitive material, And each of these processes proceeds inside a substrate processing apparatus designed for an optimal environment for the process.

액정표시장치 또는 박막 태양전지에서, 증착공정 및 식각공정은 공정챔버 내부에서 상부로부터 다운 스트림 방식으로 반응 및 소스물질이 가스 상태로 유입되어 진행하며, 공정챔버는 반응 및 소스가스가 기판 상면에 균일하게 분포될 수 있 도록 기판 상부에 다수의 관통홀이 형성되어 있는 가스분배판을 포함한다. 그런데, 대면적의 기판을 사용함에 따라, 대면적의 가스분배판을 사용하게 되면서, 공정챔버의 내부에서 열변형에 의한 가스분배판과 가스분배판을 고정하는 고정핀에 손상을 주는 문제가 발생한다. In a liquid crystal display or a thin film solar cell, a deposition process and an etching process are carried out in the process chamber in a downstream manner from the top in the reaction chamber and the source material flows into the gaseous state. In the process chamber, And a plurality of through holes formed in the upper portion of the substrate so that the gas distribution plate can be distributed. However, due to the use of a large-area substrate, a large-area gas distribution plate is used, causing damage to the gas distribution plate due to thermal deformation and the fixing pin for fixing the gas distribution plate inside the process chamber do.

종래기술에 대한 기판처리장치의 일예로 설명하면 다음과 같다. An example of a conventional substrate processing apparatus will now be described.

도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 2는 종래기술에 따른 가스분배판의 열변형을 도시하는 기판처리장치의 개략도이다. Fig. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to the prior art, and Fig. 2 is a schematic view of a substrate processing apparatus showing a thermal deformation of a gas distribution plate according to the prior art.

기판처리장치(10)는 밀폐공간을 제공하는 공정챔버(12), 공정챔버(12) 내부의 상부에 위치하며, 플라즈마 전극으로 사용되는 후방 플레이트(14), 후방 플레이트(14)와 연결되며 공정챔버(12)의 내부에 소스가스를 공급하는 가스 공급관(36), 후방 플레이트(14)의 하부에 위치하며, 다수의 분사홀(16)을 가지는 알루미늄 재질의 가스분배판(18), 플라즈마 전극과 대향전극으로 사용되며 기판(20)이 안치되는 기판안치대(22), 공정챔버(12)의 내부에서 사용되는 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배출구(24)로 포함하여 구성된다. 그리고 후방 플레이트(14)는 RF전원(30)과 연결되고, 후방 플레이트(14)와 RF전원(30) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(32)가 설치된다. The substrate processing apparatus 10 includes a process chamber 12 for providing a closed space, a rear plate 14 disposed at the upper portion inside the process chamber 12 and used as a plasma electrode, a rear plate 14, A gas supply pipe 36 for supplying a source gas to the inside of the chamber 12; a gas distribution plate 18 made of aluminum having a plurality of injection holes 16 located under the rear plate 14; And a discharge port 24 for discharging the reaction gas and the by-products used in the process chamber 12, and a substrate holder 22 used as a counter electrode and on which the substrate 20 is placed. The rear plate 14 is connected to the RF power supply 30 and the matching plate 32 for impedance matching is provided between the rear plate 14 and the RF power supply 30.

가스분배판(18)은 후방 플레이트(14)와 버퍼공간(26)을 가지고, 후방 플레이트(14)로부터 연장되어 연결되는 지지대(28)에 거치된다. 가스분배판(18)의 열변형 과 가스분배판(18)의 중앙부가 하부로 처지는 현상을 방지하기 위하여, 가스 공급관(14)의 중앙부와 대응되는 후방 플레이트(14)를 볼트(34)에 의해 결합시킨다. 볼트(34)에 의한 결합에 의해, 기판처리과정에서 발생할 수 있는 열변형에 기인한 가스분배판(18)의 변형을 방지하여, 가스분배판(18)과 기판안치대(22)의 간격을 균일하게 유지시키는 기능을 한다.The gas distribution plate 18 has a rear plate 14 and a buffer space 26 and is mounted on a support 28 extending from the rear plate 14 and connected thereto. The rear plate 14 corresponding to the central portion of the gas supply pipe 14 is fixed by the bolts 34 in order to prevent the thermal deformation of the gas distribution plate 18 and the sagging of the central portion of the gas distribution plate 18 . It is possible to prevent deformation of the gas distribution plate 18 due to thermal deformation that may occur during the processing of the substrate by the combination of the bolts 34 and to prevent the gap between the gas distribution plate 18 and the substrate stand 22 And functions to maintain uniformity.

가스분배판(18)과 후방 플레이트(14)를 볼트(34)로 결합시킴에도 불구하고, 공정챔버(12)의 온도가 300 도 이상으로 가열되면, 도 2와 같이, 가스분배판(18)의 열팽창이 발생되고, 이로 인해, 가스분배판(18)이 정위치를 이탈하거나, 가스분배판(18)과 후방 플레이트(14)를 결합시키는 볼트(14)를 변형하거나 파손시킬 수 있다. 열팽창에 의해 가스분배판(18)이 정위치를 이탈하거나, 볼트(34)의 파손에 의해 가스분배판(18)의 처짐이 발생하면, 기판(20) 상에 가스가 불균일하게 공급되고, 가스분배판(18)과 기판안치대(22)의 간격이 불균일하게 되어, 기판(20) 상에 불균일한 박막이 증착되거나, 불균일한 식각이 된다. 2, when the temperature of the process chamber 12 is heated to 300 degrees or higher, the gas distribution plate 18 and the rear plate 14 are connected to each other by the bolts 34, Thermal expansion of the gas distributor plate 18 and the rear plate 14 may be caused to deform or break the bolt 14 that separates the gas distribution plate 18 from the correct position or engages the rear plate 14. If the gas distribution plate 18 deviates from the correct position due to thermal expansion or the gas distribution plate 18 deflects due to the breakage of the bolts 34, the gas is uniformly supplied onto the substrate 20, The spacing between the distribution plate 18 and the substrate table 22 becomes non-uniform, and a non-uniform thin film is deposited on the substrate 20 or uneven etching occurs.

상기와 같은 종래기술의 문제를 해결하기 위하여, 본 발명은 가스분배판과 가스분배판이 거치되는 지지대에 가스분배판의 열팽창을 안내하는 정렬수단을 설치하여, 가스분배판의 균일한 열팽창을 유도하여 장비의 손상을 방지하고 최적의 공정조건 유지하는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. In order to solve the problems of the related art as described above, the present invention is characterized in that alignment means for guiding the thermal expansion of the gas distribution plate is installed on the support base on which the gas distribution plate and the gas distribution plate are mounted, thereby inducing uniform thermal expansion of the gas distribution plate And it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus which prevents damage to equipment and maintains optimal process conditions.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판처리장치는 반응공간을 제공하는 챔버; 상기 챔버 내부에 설치되는 후방 플레이트; 상기 후방 플레이트에서 연장되는 지지대; 상기 지지대에 거치되며, 다수의 분사홀을 가지는 가스분배판; 상기 지지대와 상기 가스분배판에 설치되며, 상기 가스분배판의 열팽창을 안내하기 위한 정렬수단; 상기 가스분배판의 하부에 설치되며 기판을 안치하는 기판안치수단;을 포함하는 것을 특징으로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a chamber for providing a reaction space; A rear plate installed inside the chamber; A support extending from the rear plate; A gas distribution plate mounted on the support and having a plurality of injection holes; Alignment means for guiding the thermal expansion of the gas distribution plate, the alignment means being mounted on the support and the gas distribution plate; And substrate holding means installed at a lower portion of the gas distribution plate for holding a substrate.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 지지대는 상기 후방 플레이트로부터 연장되는 내벽과 상기 내벽에서 확장되는 거치부를 특징으로 한다.In the above-described substrate processing apparatus, the support base is characterized by an inner wall extending from the rear plate and a mounting portion extending from the inner wall.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 정렬수단은 상기 지지대의 내벽에 설치되는 돌출부와 상기 돌출부와 대응되며 상기 가스분배판에 설치되는 함몰부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate processing apparatus, the aligning means includes a protrusion provided on the inner wall of the support and a depression provided on the gas distribution plate and corresponding to the protrusion.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 정렬수단은 상기 지지대의 내벽에 설치되는 함몰부와 상기 함몰부와 대응되며 상기 가스분배판에 설치되는 돌출부를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate processing apparatus, the aligning means may include a depression provided on the inner wall of the support, and a protrusion provided on the gas distribution plate, the depression corresponding to the depression.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 돌출부와 상기 함몰부 사이에 상기 가스분배판의 열팽창을 수용하기 위한 간격이 설치되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate processing apparatus, an interval for accommodating the thermal expansion of the gas distribution plate is provided between the protruding portion and the depressed portion.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 가스분배판은 사각형으로 형성되고, 상기 가스분배판의 각 변과 상기 함몰부는 상기 거치부와 완전히 중첩되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate processing apparatus, the gas distribution plate is formed in a square shape, and each side of the gas distribution plate and the depression are completely overlapped with the mounting portion.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 챔버는 상기 후방플레이트 상부에 위치하는 상부리드를 포함하고, 상기 상부리드와 상기 가스분배판을 연결시키는 결합부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.In the above substrate processing apparatus, the chamber may include an upper lead positioned on the upper portion of the rear plate, and a coupling member connecting the upper lead and the gas distribution plate.

상기와 같은 기판처리장치에 있어서, 상기 결합부재는 상기 상부리드와 상기 가스분배판 사이의 상기 후방 플레이트를 관통하여 체결되는 것을 특징으로 한다.In the above-described substrate processing apparatus, the engaging member is fastened through the rear plate between the upper lead and the gas distribution plate.

본 발명에 따른 기판처리장치는 다음과 같은 효과가 있다.The substrate processing apparatus according to the present invention has the following effects.

가스분배판과 지지대의 내벽에 각각 돌출부 및 함몰부를 포함하는 정렬수단을 설치하여, 가스분배판이 열팽창할 때, 열팽창의 방향을 지지대의 내벽 쪽으로 안내함으로써, 가스분배판의 균일한 열팽창을 유도하여 가스분배판과 가스분배판과 상부리드를 연결시키는 결합수단의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 가스분배판이 열팽창에 의해서도 정위치를 이탈하지 않고, 가스분배판과 기판안치대의 균일한 간격을 유지할 수 있어 최적의 공정조건을 유지하여, 기판 상에 균일한 박막의 증착 또 는 식각이 가능하다. Alignment means including projections and depressions are provided on the inner surface of the gas distribution plate and the support, respectively, to guide the direction of thermal expansion toward the inner wall of the support when the gas distribution plate thermally expands, thereby inducing uniform thermal expansion of the gas distribution plate, It is possible to prevent the damage of the distribution plate and the coupling means connecting the gas distribution plate and the upper lead. In addition, the gas distribution plate maintains uniform spacing between the gas distribution plate and the substrate stand without deviating from the correct position due to thermal expansion, so that the optimal process conditions can be maintained and uniform thin film deposition or etching can be performed on the substrate Do.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 제 1 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a first preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도이고, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스분배판과 지지대의 평면도이고, 도 5는 도 4에서 A의 사시도이고, 도 6 및 도 7은 도 4에서 A의 평면도이다. FIG. 3 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention, FIG. 4 is a plan view of a gas distribution plate and a support according to a first embodiment of the present invention, FIG. 5 is a perspective view of A in FIG. And Figs. 6 and 7 are plan views of A in Fig.

도 3과 같이, 본 발명의 기판처리장치(110)는 밀폐공간을 제공하며, 상부리드(138)를 가지는 공정챔버(112), 공정챔버(112) 내부의 상부에 위치하며, 플라즈마 전극으로 사용되는 후방 플레이트(114), 후방 플레이트(114)와 연결되며 공정챔버(112)의 내부에 소스가스를 공급하는 가스 공급관(136), 후방 플레이트(114)의 하부에 위치하며, 다수의 분사홀(116)을 가지는 알루미늄 재질의 가스분배판(118), 플라즈마 전극과 대향전극으로 사용되며 기판(120)이 안치되는 기판안치대(122), 공정챔버(112)의 내부에서 사용되는 반응가스 및 부산물을 배출하기 위한 배출구(124)로 포함하여 구성된다. 그리고 후방 플레이트(114)는 RF전원(130)과 연결되고, 후방 플레이트(114)와 RF전원(130) 사이에는 임피던스 정합을 위한 매처(132)가 설치된다. 3, the substrate processing apparatus 110 of the present invention provides a closed space and includes a process chamber 112 having an upper lead 138, an upper portion located inside the process chamber 112, A gas supply pipe 136 connected to the rear plate 114 and supplying source gas to the inside of the process chamber 112 and a plurality of injection holes A substrate table 122 used as a plasma electrode and an opposite electrode and having a substrate 120 placed thereon, a reaction gas and a byproduct used in the interior of the process chamber 112, And a discharge port 124 for discharging the gas. The rear plate 114 is connected to the RF power supply 130 and the matching plate 132 is provided between the rear plate 114 and the RF power supply 130.

가스분배판(118)은 후방 플레이트(114)와 버퍼공간(126)을 가지고, 후방 플레이트(114)로부터 연장되어 연결되는 지지대(clamp)(128)에 거치된다. 가스분배판(118)의 열변형과 가스분배판(118)의 중앙부가 하부로 처지는 현상을 방지하기 위하여, 가스 공급관(114)의 중앙부와 대응되는 상부리드(138)를 후방 플레이트(114)를 관통하여 볼트(134)에 의해 결합시킨다. 볼트(134)에 의한 결합은 기판처리과정에서 발생할 수 있는 열변형에 기인한 가스분배판(118)의 변형을 방지하고 가스분배판(118)과 기판안치대(122)의 간격을 균일하게 유지시키는 기능을 한다.The gas distribution plate 118 has a rear plate 114 and a buffer space 126 and is mounted on a clamp 128 extending from the rear plate 114 and connected thereto. The upper lead 138 corresponding to the central portion of the gas supply pipe 114 is connected to the rear plate 114 in order to prevent thermal deformation of the gas distribution plate 118 and sagging of the central portion of the gas distribution plate 118 And is coupled by bolts 134. The engagement by the bolt 134 prevents deformation of the gas distribution plate 118 due to thermal deformation that may occur during the processing of the substrate and maintains the distance between the gas distribution plate 118 and the substrate stand 122 uniform .

도 4 및 도 5와 같이, 지지대(128)는 후방 플레이트(114)로부터 연장되는 내벽(154)과, 내벽(154)로부터 공정챔버(112)의 내측으로 확장되어 가스분배판(118)이 거치되는 거치부(156)와, 내벽(154)에서 돌출된 돌출부(152)로 구성된다. 돌출부(152)는 지지대(128)의 내벽(154)을 가공한 것으로, 돌출부(152)는 지지대(128)와 일체형으로 구성된다. 돌출부(152)와 함몰부(150)는 가스분배판(118)의 열팽창을 안내하는 정렬수단이다. 도 4 및 도 5의 점선은 공정챔버(112)의 내측으로 확장되는 거치부(156)의 위치를 나타낸다. 4 and 5, the support base 128 includes an inner wall 154 extending from the rear plate 114 and an inner wall 154 extending from the inner wall 154 to the interior of the process chamber 112, And a protrusion 152 protruding from the inner wall 154. As shown in Fig. The protrusion 152 is formed by machining the inner wall 154 of the supporter 128 and the protrusion 152 is integrally formed with the supporter 128. The protrusions 152 and the depressions 150 are alignment means for guiding the thermal expansion of the gas distribution plate 118. The dashed lines in Figs. 4 and 5 indicate the position of the mounting portion 156 which extends into the process chamber 112.

가스분배판(118)은 사각형으로 형성되고, 각 변의 중앙부에는 거치부(156) 상에 거치되는 날개부(180)가 형성되고, 날개부(180)에는 돌출부(152)와 대응되는 함몰부(150)가 형성된다. 후방 플레이트(114)의 하부로 연장되어 다수의 분사홀(116)을 노출시키기 위한 중공(158)을 가지는 사각형 형상의 지지대(128)의 거치 부(156) 상에 가스분배판(118)의 날개부(180)가 거치된다. 날개부(180)는 다수의 분사홀(116)이 형성되는 부분보다 얇으며, 거치부(156) 상에 위치한다. 가스분배판(118)의 날개부(180)이 지지대(128)에 거치될 때, 함몰부(150)에 돌출부(152)가 정렬되도록 배치된다. The gas distribution plate 118 is formed in a rectangular shape and a wing portion 180 is formed on the mounting portion 156 at a central portion of each side and the wing portion 180 is provided with a depression 150 are formed. The wings of the gas distribution plate 118 are formed on the mounting portion 156 of the rectangular support base 128 having the hollow 158 extending to the lower portion of the rear plate 114 to expose the plurality of injection holes 116. [ The unit 180 is mounted. The wing portion 180 is thinner than the portion where the plurality of injection holes 116 are formed, and is located on the mounting portion 156. The protrusions 152 are arranged so as to be aligned with the depressions 150 when the wings 180 of the gas distribution plate 118 are mounted on the supports 128.

도 6은 가스분배판(118)이 열팽창하기 전의 도 4에서 A의 평면도이고 도 7은 가스분배판(118)이 열팽창한 후의 도 4에서 A의 평면도이다. 도 6 및 도 7과 같이, 지지대(128)에 설치된 돌출부(152)의 제 1 너비(a)는 가스분배판(118)의 함몰부(150)의 제 2 너비(b)와 거의 같거나 약간 작은 정도로 형성한다. 제 1 너비(a)와 제 2 너비(b) 사이의 마진(margin)은 가스분배판(118)이 열팽창 및 열수축 될 때, 함몰부(150)에 돌출부(152)가 고정되지 않고 원래의 위치로 복원될 정도의 마진이면 충분하다. FIG. 6 is a plan view of FIG. 4A before the gas distribution plate 118 is thermally expanded and FIG. 7 is a plan view of FIG. 4A after the gas distribution plate 118 has thermally expanded. 6 and 7, the first width a of the protrusion 152 provided on the support base 128 is substantially equal to or slightly smaller than the second width b of the depression 150 of the gas distribution plate 118 To a small degree. The margin between the first width a and the second width b is set such that when the gas distribution plate 118 is thermally expanded and thermally contracted, the projection 152 is not fixed to the depression 150, Is enough to be restored.

도 6과 같이, 돌출부(152)는 제 1 길이(c)를 가지고, 제 2 길이(d)를 가진 함몰부(150)에 삽입되며, 돌출부(152)와 함몰부(150)의 제 1 간격(e)이 가스분배판(118)의 열팽창을 수용할 수 있는 열팽창 수용마진이다. 도 7과 같이, 가스분배판(118)이 열팽창하게 되면, 제 1 간격(e)보다 축소된 돌출부(152)와 함몰부(150)의 제 2 간격(f)이 형성된다. 가스분배판(118)이 열팽창으로 인해, 지지대(128)의 내벽(154) 방향으로 확장되면서, 제 1 간격(e)이 축소되어 제 2 간격(f)이 된다. 6, the protrusion 152 is inserted into the depression 150 having the first length c and having the second length d, and the protrusion 152 is spaced apart from the protrusion 152 by the first distance d between the protrusion 152 and the depression 150, (e) is a thermal expansion receiving margin capable of accommodating the thermal expansion of the gas distribution plate 118. As shown in FIG. 7, when the gas distribution plate 118 is thermally expanded, the second spacing f of the depression 150 and the protruding portion 152, which is smaller than the first spacing e, are formed. As the gas distribution plate 118 expands in the direction of the inner wall 154 of the support base 128 due to thermal expansion, the first spacing e is reduced to a second spacing f.

그리고, 도 6과 같이, 가스분배판(118)과 지지대(128)의 내벽(154)의 사이에는 제 3 간격(g)을 설정한다. 가스분배판(118)의 열팽창에 의해 지지대(128)의 내벽(154)으로 확장될 때, 내벽(154)과 접촉하지 않게 하기 위해 제 3 간격(g)을 설정한다. 도 7과 같이, 가스분배판(118)의 열팽창하면, 제 3 간격(g)보다 축소되어, 내벽(154)와 가스분배판(118)의 사이의 제 4 간격(h)가 설정된다. 기판처리공정의 전후에 가스분배판(118)의 각 변과 함몰부(150)는 거치부(156)과 완전 중첩되어 있는 상태이어야 한다. 가스분배판(118)의 열팽창 전에, 함몰부(150)와 거치부(156)의 단부사이의 제 5 간격(i)을 유지한다. 만약 함몰부(150)와 거치부(156)가 중첩되지 않으면, 반응 및 소스가스가 함몰부(150)를 통하여 기판(120)에 분사될 수 있어 공정의 불균형을 야기할 수 있기 때문이다. As shown in FIG. 6, a third gap g is set between the gas distribution plate 118 and the inner wall 154 of the support base 128. The third gap g is set so as not to contact the inner wall 154 when expanded by the thermal expansion of the gas distribution plate 118 to the inner wall 154 of the support 128. [ As shown in Fig. 7, when the gas distribution plate 118 thermally expands, the third gap g is smaller than the third gap g, and the fourth gap h between the inner wall 154 and the gas distribution plate 118 is set. The sides and depressions 150 of the gas distribution plate 118 should be completely overlapped with the mounting portion 156 before and after the substrate processing step. (I) between the depression 150 and the end of the mounting portion 156 prior to the thermal expansion of the gas distribution plate 118. If the depression 150 and the mounting portion 156 are not overlapped, the reaction and the source gas may be injected to the substrate 120 through the depression 150, which may result in a process imbalance.

함몰부(150)와 돌출부(152)는 가스분배판(118)이 열팽창할 때, 열팽창하는 방향을 안내하는 기능을 한다. 돌출부(152)의 제 1 너비(a)와 함몰부(150)의 제 2 너비(b)의 마진을 최소화하고, 돌출부(152)와 함몰부(150) 사이의 제 1 간격(e)을 설정하여, 가스분배판(118)이 함몰부(150)의 제 2 너비(b)의 방향으로 팽창하지 않고, 제 2 길이(d) 방향으로 팽창하도록 유도한다. 따라서, 가스분배판(118)은 일방향으로 치우쳐 팽창하지 않고, 가스분배판(118)의 각 변이 지지대(128)의 내벽(154) 방향으로 균일하게 팽창하게 된다. The depressed portion 150 and the protruding portion 152 function to guide the direction of thermal expansion when the gas distribution plate 118 thermally expands. The first width a of the protrusion 152 and the margin of the second width b of the depression 150 are minimized and the first interval e between the protrusion 152 and the depression 150 is set So that the gas distribution plate 118 does not expand in the direction of the second width b of the depression 150 but expands in the second length d direction. Thus, the gas distribution plate 118 is not biased and inflated in one direction, and each side of the gas distribution plate 118 is uniformly expanded in the direction of the inner wall 154 of the support 128.

그리고, 기판처리공정을 진행하기 전에, 함몰부(150)의 내부에 돌출부(152) 의 일부가 삽입되어 정렬되는 것이 바람직하다. 돌출부(152)의 제 1 너비(a)와 함몰부(150)의 제 2 너비(b)의 마진이 최소화되어 있기 때문에, 가스분배판(118)이 열팽창되면, 돌출부(152)와 함몰부(150)가 정확하기 정렬되지 않는 문제가 발생될 수 있다.It is preferable that a part of the projection 152 is inserted and aligned in the depression 150 before proceeding with the substrate processing. Since the margin of the first width a of the protruding portion 152 and the second width b of the depressed portion 150 are minimized, when the gas distribution plate 118 thermally expands, the protruding portion 152 and the depressed portion 150 may not be aligned correctly.

이하에서는 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 제 2 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, a second preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가스분배판과 거치대의 평면도이고, 도 9는 도 8에서 B의 사시도이고, 도 10 및 도 11은 도 8에서 B의 평면도이다. 본 발명의 제 2 실시예에서 사용하는 기판처리장치는 제 1 실시예와 유사하므로, 도 3와 도 8 내지 도 11을 참조하여 본 발명의 제 2 실시예를 설명한다. FIG. 8 is a plan view of a gas distribution plate and a mounting table according to a second embodiment of the present invention, FIG. 9 is a perspective view of B in FIG. 8, and FIGS. 10 and 11 are plan views of B in FIG. Since the substrate processing apparatus used in the second embodiment of the present invention is similar to the first embodiment, a second embodiment of the present invention will be described with reference to Figs. 3 and 8 to 11. Fig.

본 발명의 제 1 실시예와 구별되는 제 2 실시예는 가스분배판(118)의 열팽창을 안내하기 위해, 가스분배판(118)의 각 변에 돌출부(160)를 설치하고, 돌출부(160)와 대응되는 지지대(128)의 내벽(154)에 함몰부(162)를 설치한 점이 특징이다. The second embodiment, which is different from the first embodiment of the present invention, is provided with protrusions 160 on each side of the gas distribution plate 118 to guide the thermal expansion of the gas distribution plate 118, And a depressed portion 162 is provided on the inner wall 154 of the support base 128 corresponding thereto.

도 8 및 도 9와 같이, 지지대(128)는 후방 플레이트(114)로부터 연장되는 내벽(154)과, 내벽(154)로부터 내측으로 확장되어 가스분배판(118)이 거치되는 거치부(156)와, 내벽(154)에서 함몰된 함몰부(162)로 구성된다. 함몰부(162)는 지지 대(128)의 내벽(154)을 가공한 것으로, 함몰부(162)는 지지대(128)과 일체형으로 구성된다. 가스분배판(118)은 사각형으로 형성되고, 각 변의 중앙부에는 함몰부(162)와 대응되는 돌출부(160)가 형성된다. 후방 플레이트(114)의 하부로 연장되어 다수의 분사홀(116)을 노출시키기 위한 중공(158)을 가지는 사각형 형상의 지지대(128)의 거치부(156) 상에 가스분배판(118)가 거치된다. 가스분배판(118)이 지지대(128)에 거치될 때, 함몰부(162)에 돌출부(160)가 정렬되도록 배치된다. 8 and 9, the support base 128 includes an inner wall 154 extending from the rear plate 114 and a mounting portion 156 extending inward from the inner wall 154 to receive the gas distribution plate 118, And a depression 162 that is recessed in the inner wall 154. The depression 162 is formed by machining the inner wall 154 of the support base 128. The depression 162 is formed integrally with the support base 128. [ The gas distribution plate 118 is formed in a rectangular shape, and protrusions 160 corresponding to the depressions 162 are formed at the center of each side. The gas distribution plate 118 is mounted on the mounting portion 156 of the rectangular support base 128 having the hollow 158 extending to the lower portion of the rear plate 114 and exposing the plurality of injection holes 116. [ do. When the gas distribution plate 118 is mounted on the support base 128, the projections 160 are arranged so as to be aligned with the depression 162.

도 10은 가스분배판(118)이 열팽창하기 전의 도 9에서 B의 평면도이고, 도 11은 열팽창한 후의 도 9에서 A의 평면도이다. 가스분배판(118)에 설치된 돌출부(160)의 제 1 너비(160)는 지지대(128)에 설치된 함몰부(162)의 제 2 너비(b)와 거의 같거나 약간 작은 정도로 형성한다. 제 1 너비(a)와 제 2 너비(b) 사이의 마진(margin)은 가스분배판(118)이 열팽창 및 열수축 될 때, 함몰부(150)에 돌출부(152)가 고정되지 않고 원래의 위치로 복원될 정도의 마진이면 충분하다. Fig. 10 is a plan view of B in Fig. 9 before the gas distribution plate 118 is thermally expanded, and Fig. 11 is a plan view of A in Fig. 9 after thermal expansion. The first width 160 of the protrusion 160 provided on the gas distribution plate 118 is formed to be approximately equal to or slightly smaller than the second width b of the depression 162 provided on the support base 128. The margin between the first width a and the second width b is set such that when the gas distribution plate 118 is thermally expanded and thermally contracted, the projection 152 is not fixed to the depression 150, Is enough to be restored.

도 10과 같이, 돌출부(152)는 제 1 길이(c)를 가지고, 제 2 길이(d)를 가진 함몰부(160)에 삽입되며, 돌출부(162)와 함몰부(160)의 제 1 간격(e)이 가스분배판(118)의 열팽창을 흡수할 수 있는 열팽창 수용마진이다. 도 11과 같이, 가스분배판(118)이 열팽창하게 되면, 제 1 간격(e)보다 축소된 돌출부(160)와 함몰부(162)의 제 2 간격(f)이 형성된다. 가스분배판(118)이 열팽창으로 인해, 지지대(128)의 내벽(154) 방향으로 확장되면서, 제 1 간격(e)이 축소되어 제 2 간격(f)가 된다. 10, the protrusion 152 is inserted into the depression 160 having the first length c and having the second length d, and the protrusion 162 is spaced apart from the protrusion 162 by the first distance d between the protrusion 162 and the depression 160 (e) is a thermal expansion receiving margin capable of absorbing the thermal expansion of the gas distribution plate 118. As shown in FIG. 11, when the gas distribution plate 118 is thermally expanded, a protrusion 160 that is smaller than the first gap e and a second gap f of the dimple 162 are formed. As the gas distribution plate 118 expands in the direction of the inner wall 154 of the support base 128 due to thermal expansion, the first spacing e is reduced to a second spacing f.

그리고, 도 10과 같이, 가스분배판(118)과 지지대(128)의 내벽(154)의 사이에는 제 3 간격(g)을 설정한다. 가스분배판(118)의 열팽창에 의해 지지대(128)의 내벽(154)으로 확장될 때, 내벽(154)과 접촉하지 않게 하기 위해 제 3 간격(g)을 설정한다. 도 11과 같이, 가스분배판(118)의 열팽창하면, 제 3 간격(g)보다 축소되어, 내벽(154)와 가스분배판(118)의 사이의 제 4 간격(h)가 설정된다. 기판처리공정의 전후에 가스분배판(118)의 각 변과 돌출부(160)는 거치부(156)과 완전 중첩되어 있는 상태이어야 한다. 만약 돌출부(160)와 거치부(156)가 중첩되지 않으면, 반응 및 소스가스가 가스분배판(118)의 각 변과 거치부(156) 사이를 통하여 기판(120)에 분사될 수 있어 공정의 불균형을 야기할 수 있기 때문이다. As shown in FIG. 10, a third gap g is set between the gas distribution plate 118 and the inner wall 154 of the support base 128. The third gap g is set so as not to contact the inner wall 154 when expanded by the thermal expansion of the gas distribution plate 118 to the inner wall 154 of the support 128. [ As shown in Fig. 11, when the gas distribution plate 118 is thermally expanded, the third gap g is reduced, and the fourth gap h between the inner wall 154 and the gas distribution plate 118 is set. Each side of the gas distribution plate 118 and the projecting portion 160 should be completely overlapped with the mounting portion 156 before and after the substrate processing step. If the protrusions 160 and the mounts 156 do not overlap, the reaction and source gases can be injected onto the substrate 120 through the sides of the gas distribution plate 118 and the mounts 156, This can cause an imbalance.

함몰부(162)와 돌출부(160)는 가스분배판(118)이 열팽창할 때, 열팽창하는 방향을 안내하는 기능을 한다. 돌출부(160)의 제 1 너비(a)와 함몰부(162)의 제 2 너비(b)의 마진을 최소화하고, 돌출부(160)와 함몰부(162) 사이의 제 1 간격(e)을 설정하여, 가스분배판(118)이 돌출부(160)의 제 2 너비(b)의 방향으로 팽창하지 않고, 제 2 길이(d) 방향으로 팽창하도록 유도한다. 따라서, 가스분배판(118)은 일방향으로 치우쳐 팽창하지 않고, 가스분배판(118)의 각 변이 지지대(128)의 내벽(154) 방향으로 균일하게 팽창하게 된다. 그리고, 기판처리공정을 진행하기 전에, 함몰부(162)의 내부에 돌출부(160)의 일부가 삽입되어 정렬되는 것이 바람직하다. 돌출부(160)의 제 1 너비(a)와 함몰부(162)의 제 2 너비(b)의 마진이 최소화되 어 있기 때문에, 가스분배판(118)이 열팽창되면, 돌출부(160)와 함몰부(162)가 정확하기 정렬되지 않는 문제가 발생될 수 있다.The depression 162 and the protrusion 160 serve to guide the direction of thermal expansion when the gas distribution plate 118 thermally expands. The first width a of the protrusion 160 and the margin of the second width b of the depression 162 are minimized and the first interval e between the protrusion 160 and the depression 162 is set So that the gas distribution plate 118 does not expand in the direction of the second width b of the projection 160 but expands in the direction of the second length d. Thus, the gas distribution plate 118 is not biased and inflated in one direction, and each side of the gas distribution plate 118 is uniformly expanded in the direction of the inner wall 154 of the support 128. It is preferable that a part of the projecting portion 160 is inserted and aligned in the depression 162 before proceeding with the substrate processing. Since the margin of the first width a of the protrusion 160 and the width of the second width b of the depression 162 are minimized when the gas distribution plate 118 thermally expands, A problem may arise in which the alignment marks 162 are not aligned correctly.

도 1은 종래기술에 따른 기판처리장치의 개략도1 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to the prior art;

도 2는 종래기술에 따른 가스분배판의 열변형을 도시하는 기판처리장치의 개략도2 is a schematic view of a substrate processing apparatus showing thermal deformation of a gas distribution plate according to the prior art;

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 기판처리장치의 개략도3 is a schematic view of a substrate processing apparatus according to the first embodiment of the present invention

도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 가스분배판과 지지대의 평면도4 is a plan view of the gas distribution plate and the support according to the first embodiment of the present invention;

도 5는 도 4에서 A의 사시도Figure 5 is a perspective view of A in Figure 4;

도 6 및 도 7은 도 4에서 A의 평면도Figs. 6 and 7 are plan views of A in Fig.

도 8은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 가스분배판과 거치대의 평면도8 is a plan view of the gas distribution plate and the cradle according to the second embodiment of the present invention.

도 9는 도 8에서 B의 사시도9 is a perspective view of B in Fig.

도 10 및 도 11은 도 8에서 B의 평면도Figs. 10 and 11 are plan views of B in Fig. 8

Claims (8)

반응공간을 제공하는 챔버;A chamber providing a reaction space; 상기 챔버 내부에 설치되는 후방 플레이트;A rear plate installed inside the chamber; 상기 후방 플레이트에서 연장되는 내벽과 상기 내벽에서 수직하게 연장되는 거치부를 포함하는 지지대;A support including an inner wall extending from the rear plate and a mount vertically extending from the inner wall; 그 가장자리가 상기 거치부의 상면과 접촉하여 상기 거치부에 거치되며, 다수의 분사홀을 가지는 가스분배판;A gas distribution plate having an edge connected to the upper surface of the mounting portion and mounted on the mounting portion and having a plurality of injection holes; 상기 내벽과 상기 가스분배판의 가장자리에 각각 설치되며, 상기 가스분배판의 열팽창을 안내하기 위한 제 1 및 제 2 정렬수단;First and second alignment means respectively installed at the inner wall and the edge of the gas distribution plate for guiding the thermal expansion of the gas distribution plate; 상기 가스분배판의 하부에 설치되며 기판을 안치하는 기판안치수단을 포함하고,And substrate holding means provided below the gas distribution plate for seating the substrate, 상기 제 1 및 제 2 정렬수단은 상기 거치부의 상부면과 수평하게 설치되고, 상기 제 1 정렬수단은 함몰부 또는 돌출부 중 하나이며, 상기 제 2 정렬수단은 상기 함몰부 또는 돌출부 중 다른 하나이고, 상기 돌출부는 상기 함몰부에 삽입되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Wherein the first and second alignment means are disposed horizontally with the upper surface of the mounting portion and the first alignment means is one of a depression or a protrusion and the second alignment means is another one of the depression or protrusion, Wherein the projection is configured to be inserted into the depression. 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 돌출부와 상기 함몰부 사이에 상기 가스분배판의 열팽창을 수용하기 위한 간격이 설치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And an interval for accommodating thermal expansion of the gas distribution plate is provided between the protrusion and the depression. 제 1 항에 있어서,The method according to claim 1, 상기 가스분배판은 사각형으로 형성되고, 상기 가스분배판의 각 변과 상기 제 2 정렬수단은 상기 거치부와 완전히 중첩되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Wherein the gas distribution plate is formed in a square shape, and each side of the gas distribution plate and the second alignment means are completely overlapped with the mounting portion. 제 1 항에 있어서, The method according to claim 1, 상기 챔버는 상기 후방플레이트 상부에 위치하는 상부리드를 포함하고, 상기 상부리드와 상기 가스분배판을 연결시키는 결합부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.Wherein the chamber includes an upper lid positioned at an upper portion of the rear plate and an engaging member connecting the upper lid and the gas distribution plate. 제 7 항에 있어서, 8. The method of claim 7, 상기 결합부재는 상기 상부리드와 상기 가스분배판 사이의 상기 후방 플레이트를 관통하여 체결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the engaging member is fastened through the rear plate between the upper lead and the gas distribution plate.
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