KR101527405B1 - System of manufacturing Thin film type Solar Cell - Google Patents
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Abstract
본 발명은, 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비, 후면전극층 형성 장비, 및 레이저 스크라이빙 장비가 순서대로 배치되며, 상기 장비들이 기판 이송 라인 상에 배치되어 인라인으로 구성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 시스템에 관한 것으로서, The present invention relates to a thin film-type liquid crystal display device comprising a front electrode layer forming equipment, a photoelectric conversion unit forming equipment, a rear electrode layer forming equipment, and a laser scriber equipment arranged in order, The present invention relates to a solar cell manufacturing system,
본 발명에 따르면, 전면전극층, 광전변환부, 및 후면전극층을 차례로 형성한 후에 제1분리부, 콘택부 및 제2분리부를 형성하기 때문에, 진공상태와 대기상태가 교대로 반복되지 않게 되어, 종래에 비하여 기판 표면에 이물질이 흡착될 가능성이 적고 그에 따라 이물질로 인한 태양전지의 전기적 특성 저하 가능성이 줄어드는 효과가 있다. According to the present invention, since the first separator, the contact and the second separator are formed after sequentially forming the front electrode layer, the photoelectric converter and the rear electrode layer, the vacuum state and the standby state are not alternately repeated, There is less possibility that foreign substances are adsorbed on the surface of the substrate, thereby reducing the possibility of degradation of the electrical characteristics of the solar cell due to foreign substances.
박막형 태양전지 Thin-film solar cell
Description
본 발명은 박막형 태양전지(Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지의 제조 시스템에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE
태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다. Solar cells are devices that convert light energy into electrical energy using the properties of semiconductors.
태양전지의 구조 및 원리에 대해서 간단히 설명하면, 태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 되는 원리이다. The structure and principle of a solar cell will be briefly described. A solar cell has a PN junction structure in which a P (positive) semiconductor and an N (negative) semiconductor are bonded. When solar light enters the solar cell having such a structure, Holes and electrons are generated in the semiconductor due to the energy of the incident sunlight. At this time, the holes (+) move toward the P-type semiconductor due to the electric field generated at the PN junction, (-) is moved toward the N-type semiconductor to generate electric potential, thereby generating electric power.
이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있 다. Such a solar cell can be classified into a substrate type solar cell and a thin film type solar cell.
상기 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다. The substrate type solar cell is a solar cell manufactured using a semiconductor material itself such as silicon as a substrate, and the thin film type solar cell is formed by forming a semiconductor in the form of a thin film on a substrate such as glass to manufacture a solar cell.
상기 기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하기는 하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다. Although the substrate type solar cell has a somewhat higher efficiency than the thin film type solar cell, there is a limitation in minimizing the thickness in the process, and a manufacturing cost is increased because an expensive semiconductor substrate is used.
상기 박막형 태양전지는 상기 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지기는 하지만, 얇은 두께로 제조가 가능하고 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다. Though the efficiency of the thin-film solar cell is somewhat lower than that of the substrate-type solar cell, the thin-film solar cell can be manufactured in a thin thickness and can be made of a low-cost material.
상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 전면전극을 형성하고, 상기 전면전극 위에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 위에 후면전극을 형성하여 제조된다. 여기서, 상기 전면전극은 광이 입사되는 수광면을 형성하기 때문에 상기 전면전극으로는 ZnO와 같은 투명도전물이 이용되는데, 기판이 대면적화됨에 따라 상기 투명도전물의 저항으로 인해서 전력손실이 크게 되는 문제가 발생하게 된다. The thin-film solar cell is manufactured by forming a front electrode on a substrate such as glass, forming a semiconductor layer on the front electrode, and forming a rear electrode on the semiconductor layer. Since the front electrode forms a light receiving surface on which light is incident, a transparent conductive material such as ZnO is used as the front electrode. As the substrate becomes larger, the power loss due to the resistance of the transparent conductive material increases .
따라서, 박막형 태양전지를 복수 개의 단위셀로 나누고 복수 개의 단위셀을 직렬로 연결하는 구조로 형성함으로써 투명도전물의 저항으로 의한 전력손실을 최소화하는 방법이 고안되었다. Therefore, a method has been devised in which a thin film solar cell is divided into a plurality of unit cells and a plurality of unit cells are connected in series so as to minimize the power loss due to the resistance of the transparent conductive material.
이하, 도면을 참조로 종래 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지의 제조방법 및 제조시스템에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a manufacturing method and a manufacturing system of a thin film solar cell having a plurality of unit cells connected in series will be described with reference to the drawings.
도 1a 내지 도 1f는 종래 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다. 1A to 1F are cross-sectional views illustrating a conventional manufacturing process of a thin film solar cell having a plurality of unit cells connected in series.
우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에 ZnO와 같은 투명도전물을 이용하여 전면전극층(20a)을 형성한다. First, as shown in FIG. 1A, a
다음, 도 1b에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극층(20a)의 소정 영역을 제거하여 제1분리부(25)를 형성한다. 그리하면, 상기 제1분리부(25)에 의해 이격되는 복수 개의 전면전극(20)이 형성된다. Next, as shown in FIG. 1B, a predetermined region of the
다음, 도 1c에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극(20)을 포함한 기판(10) 전면에 반도체층(30a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 1C, a
다음, 도 1d에서 알 수 있듯이, 상기 반도체층(30a)의 소정 영역을 제거하여 콘택부(35)를 형성한다. Next, as shown in FIG. 1D, a predetermined region of the
다음, 도 1e에서 알 수 있듯이, 상기 기판(10) 전면에 후면전극층(50a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 1E, a
다음, 도 1f에서 알 수 있듯이, 상기 후면전극층(50a) 및 반도체층(30)의 소정 영역을 제거하여 제2분리부(55)를 형성한다. 그리하면, 상기 제2분리부(55)에 의해 이격되며, 상기 콘택부(35)를 통해 전면전극(20)과 연결되는 복수 개의 후면전극(50)이 형성된다. 이와 같이 콘택부(35)를 통해 전면전극(20)과 후면전극(50)이 연결됨으로써 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결되는 구조를 갖게 된다. Next, as shown in FIG. 1F, a predetermined region of the
도 2는 전술한 도 1a 내지 도 1f에 따른 종래의 박막형 태양전지의 제조 공정을 구현하기 위한 제조 시스템의 개략도이다. FIG. 2 is a schematic view of a manufacturing system for implementing a manufacturing process of a conventional thin film solar cell according to the above-described FIGS. 1A to 1F.
도 2에서 알 수 있듯이, 종래의 박막형 태양전지의 제조 시스템은, 기판 이동라인(1), 전면전극층 형성 장비(2), 제1 레이저 스크라이빙 장비(3), 반도체층 형성 장비(4), 제2 레이저 스크라이빙 장비(5), 후면전극층 형성 장비(6), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(7)를 포함하여 이루어진다. 2, the conventional thin film solar cell manufacturing system includes a
상기 전면전극층 형성 장비(2), 제1 레이저 스크라이빙 장비(3), 반도체층 형성 장비(4), 제2 레이저 스크라이빙 장치(5), 후면전극층 형성 장비(6), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(7)은 상기 기판 이동라인(1)의 외부에 순서대로 위치하고 있으며, 각각의 장비와 상기 기판 이동라인(1) 사이에는 기판 이송을 위한 제1 로봇암 내지 제6 로봇암(9a 내지 9f)이 배치되어 있다. The front electrode layer forming apparatus 2, the first laser scribing
이와 같은 구성의 종래의 박막형 태양전지의 제조 시스템에 의한 종래의 박막형 태양전지의 제조공정을 설명하면 다음과 같다. The manufacturing process of the conventional thin film type solar cell by the conventional thin film type solar cell manufacturing system having such a structure will be described as follows.
우선, 상기 기판 이동라인(1)을 따라 이동된 기판은 제1 로봇암(9a)에 의해 상기 전면전극층 형성 장비(2)로 이송된 후 도 1a와 같은 공정을 수행한다. First, the substrate moved along the
이때, 상기 전면전극층 형성 장비(2)는 로드락 챔버(Load Rock Chamber)(2a) 및 전면전극층 적층 챔버(2b)로 이루어져 있어, 기판은 상기 로드락 챔버(2a)를 경유하여 상기 전면전극층 적층 챔버(2b)로 진입한 후 적층 공정이 수행되고, 다시 로드락 챔버(2a)를 경유하여 외부로 배출된다. The front electrode layer forming equipment 2 includes a
이와 같이 로드락 챔버(2a)를 경유하여 기판을 이동시키는 이유는, 상기 전면전극층 적층 챔버(2b)는 그 내부가 진공상태이므로, 기판을 외부의 대기압하에서 진공 상태의 전면전극층 적층 챔버(2b)로 투입하는 공정 중에 외부의 공기가 전면 전극층 적층 챔버(2b) 내부로 유입되는 것을 차단하기 위함이다. The reason why the substrate is moved via the
다음, 제1 로봇암(9a)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제2 로봇암(9b)에 의해 기판이 상기 제1 레이저 스크라이빙 장비(3)로 이송된 후 도 1b와 같은 공정을 수행한다. Subsequently, the substrate is again transferred to the
다음, 제2 로봇암(9b)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제3 로봇암(9c)에 의해 기판이 상기 반도체층 형성 장비(4)로 이송된 후 도 1c와 같은 공정을 수행한다. Subsequently, the substrate is again transferred to the
이때, 상기 반도체층 형성 장비(4)는 소위 클러스터(cluster) 타입으로 구성되는데, 로드락 챔버(Load Rock Chamber)(4a), P형 반도체층 적층 챔버(4b), I형 반도체층 적층 챔버(4c), 및 N형 반도체층 적층 챔버(4d)로 이루어진다. The semiconductor layer forming equipment 4 is formed of a so-called cluster type, and includes a
기판은 상기 로드락 챔버(4a)를 통해 반도체층 형성 장비(4) 내로 진입한 후 P형 반도체층 적층 챔버(4b), I형 반도체층 적층 챔버(4c), 및 N형 반도체층 적층 챔버(4d)를 거쳐 반도체층이 적층되고, 다시 로드락 챔버(4a)를 통해 반도체층 형성 장비(4) 외부로 배출된다. The substrate enters the semiconductor layer forming equipment 4 through the
다음, 제3 로봇암(9c)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제4 로봇암(9d)에 의해 기판이 상기 제2 레이저 스크라이빙 장비(5)로 이송된 후 도 1d와 같은 공정을 수행한다. Subsequently, the substrate is again transferred to the
다음, 제4 로봇암(9d)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제5 로봇암(9e)에 의해 기판이 상기 후면전극층 형성 장비(6)로 이송된 후 도 1e와 같은 공정을 수행한다. Subsequently, the substrate is again transferred to the
이때, 상기 후면전극층 형성 장비(6)는 로드락 챔버(Load Rock Chamber)(6a) 및 후면전극층 적층 챔버(6b)로 이루어져 있어, 기판은 상기 로드락 챔버(6a)를 경유하여 상기 후면전극층 적층 챔버(6b)로 진입한 후 적층 공정이 수행되고, 다시 로드락 챔버(6a)를 경유하여 외부로 배출된다. The rear electrode layer forming equipment 6 is composed of a
다음, 제5 로봇암(9e)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제6 로봇암(9f)에 의해 기판이 상기 제3 레이저 스크라이빙 장비(7)로 이송된 후 도 1f와 같은 공정을 수행한다. Next, the substrate is again transferred to the
그러나, 이와 같은 종래의 박막형 태양전지의 제조 시스템은 제조 공정상의 한계로 인해서, 진공상태에서 공정을 수행하는 전면전극층 형성 장비(2), 반도체층 형성 장비(4) 및 후면전극층 형성 장비(6)와, 대기상태에서 공정을 수행하는 제1 레이저 스크라이빙 장비(3), 제2 레이저 스크라이빙 장비(5) 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(7)가 교대로 배열되기 때문에 다음과 같은 문제점이 있다. However, due to the limitations of the manufacturing process, the conventional thin film solar cell manufacturing system has a front electrode layer forming apparatus 2, a semiconductor layer forming apparatus 4, and a rear electrode layer forming apparatus 6 for performing a process in a vacuum state. And the first laser scribing
첫째, 기판이 대기중에 노출되면 기판 표면에 OH기, CO 및 CO2와 같은 탄소류, 및 미세먼지 등과 같은 이물질이 흡착될 수 있는데, 이와 같이 기판 표면에 이물질이 흡착된 상태로 적층 공정을 수행하게 되면 태양전지의 전기적 특성이 저하될 수 있다. 그런데, 종래의 경우 진공상태와 대기상태가 반복되기 때문에 기판 표면에 이물질이 흡착된 상태로 적층 공정이 수행될 가능성이 커지고, 그에 따라 태양전지의 전기적 특성이 저하될 가능성이 커지는 문제점이 있다. First, when the substrate is exposed to the atmosphere, carbon materials such as OH groups, CO and CO 2 , and foreign substances such as fine dusts may be adsorbed on the surface of the substrate. In this way, The electric characteristics of the solar cell may be deteriorated. However, since the vacuum state and the atmospheric state are repeated in the related art, there is a possibility that the stacking process is performed in a state in which foreign substances are adsorbed on the surface of the substrate, thereby increasing the possibility of deteriorating the electrical characteristics of the solar cell.
둘째, 기판을 대기상태에서 진공상태의 공정장비로 진입시키기 위해서는 전 술한 바와 같은 로드락 챔버가 별도로 필요하므로 그만큼 제조단가가 상승되며, 또한 로드락 챔버를 경유함으로 인해서 공정이 복잡해져 공정시간이 오래 걸리는 문제점이 있다. Second, in order to enter the substrate from the standby state to the vacuum processing equipment, the load lock chamber as described above is separately required, so that the manufacturing cost is increased, and since the process is complicated due to passage through the load lock chamber, There is a problem.
셋째, 각각의 공정장비가 기판 이동라인(1)의 외부에 위치하기 때문에, 기판 이동라인(1)과 각각의 공정장비 사이에 기판 이송을 위한 로봇암(9a 내지 9f)이 별도로 필요하게 되므로 그만큼 공정시간이 오래 걸리는 문제점이 있다. Thirdly, since each process equipment is located outside the
본 발명은 전술한 종래의 박막형 태양전지의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, The present invention has been devised to solve the problems of the conventional thin film type solar cell,
본 발명은 진공상태와 대기상태가 반복되지 않도록 박막형 태양전지의 제조공정을 변경함으로써, 기판 표면에 이물질이 흡착된 상태로 적층 공정이 수행될 가능성을 줄이고, 제조공정 이외의 공정장비를 최소화하여 제조단가를 줄이고, 또한 공정을 단순화시켜 공정시간을 줄일 수 있는 박막형 태양전지의 제조 시스템을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention reduces the possibility of performing a laminating process in a state in which foreign matter is adsorbed on a surface of a substrate by changing a manufacturing process of a thin film solar cell so as not to repeat the vacuum state and the atmospheric state, To provide a thin film solar cell manufacturing system capable of reducing the unit cost and simplifying the process and reducing the process time.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비, 후면전극층 형성 장비, 및 레이저 스크라이빙 장비가 순서대로 배치되며, 상기 장비들이 기판 이송 라인 상에 배치되어 인라인으로 구성된 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조 시스템을 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a plasma processing apparatus, in which a front electrode layer forming equipment, a photoelectric converting unit forming equipment, a rear electrode layer forming equipment, and a laser scriber equipment are arranged in order, The present invention also provides a manufacturing system of a thin film solar cell.
여기서, 상기 광전변환부 형성 장비는 제1반도체층 형성 장비로 이루어지고, 상기 제1반도체층 형성 장비는 P형 반도체층 적층 장비, I형 반도체층 적층 장비, 및 N형 반도체층 적층 장비가 순서대로 배치되어 이루어질 수 있다. Here, the photoelectric conversion part forming equipment comprises a first semiconductor layer forming equipment, and the first semiconductor layer forming equipment includes a P-type semiconductor layer laminating equipment, an I-type semiconductor layer laminating equipment, and an N-type semiconductor layer laminating equipment As shown in FIG.
상기 광전변환부 형성 장비는 제1반도체층 형성 장비, 버퍼층 형성 장비, 및 제2반도체층 형성 장비가 순서대로 배치되어 이루어지고, 상기 제1반도체층 형성 장비 및 제2반도체층 형성 장비는 각각 P형 반도체층 적층 장비, I형 반도체층 적 층 장비, 및 N형 반도체층 적층 장비가 순서대로 배치되어 이루어질 수 있다. Wherein the first semiconductor layer forming equipment and the second semiconductor layer forming equipment are arranged in the order of P, Type semiconductor layer laminating equipment, an I-type semiconductor layer laminating equipment, and an N-type semiconductor layer laminating equipment.
상기 레이저 스크라이빙 장비는 제1 레이저 스크라이빙 장비, 제2 레이저 스크라이빙 장비, 및 제3 레이저 스크라이빙 장비가 순서대로 배치되어 이루어질 수 있다. The laser scribing device may be arranged in order of a first laser scribing device, a second laser scribing device, and a third laser scribing device.
상기 광전변환부 형성 장비 및 후면전극층 형성 장비 사이의 상기 기판 이송 라인 상에 투명도전층 형성 장비가 추가로 배치될 수 있다. Transparent conductive layer forming equipment may further be disposed on the substrate transfer line between the photoelectric conversion portion forming equipment and the rear electrode layer forming equipment.
상기 레이저 스크라이빙 장비 후방의 상기 기판 이송 라인 상에 금속층 형성 장비가 추가로 배치될 수 있고, 이때, 상기 레이저 스크라이빙 장비 및 상기 금속층 형성 장비 사이의 상기 기판 이송 라인 상에 절연층 형성 장비가 추가로 배치될 수 있다. A metal layer forming device may further be disposed on the substrate transfer line behind the laser scribing device, wherein an insulating layer forming device is formed on the substrate transfer line between the laser scribing device and the metal layer forming device May be further disposed.
상기 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비, 후면전극층 형성 장비, 및 이들 장비들 사이의 상기 기판 이송라인은 진공상태로 유지될 수 있다. The front electrode layer forming equipment, the photoelectric conversion part forming equipment, the rear electrode layer forming equipment, and the substrate transfer line between these equipment can be maintained in a vacuum state.
상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.
첫째, 본 발명은 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비 및 후면전극층 형성장비가 차례로 배열되고 그 후방에 레이저 스크라이빙 장비가 배열됨으로써, 전면전극층, 광전변환부, 및 후면전극층을 차례로 형성한 후에 제1분리부, 콘택부 및 제2분리부를 형성하도록 구성된다. 따라서, 진공상태와 대기상태가 교대로 반복되지 않아, 종래에 비하여 기판 표면에 이물질이 흡착될 가능성이 적고, 그에 따라 이물질로 인한 태양전지의 전기적 특성 저하 가능성이 줄어드는 효과가 있다. First, the front electrode layer forming equipment, the photoelectric conversion unit forming equipment, and the rear electrode layer forming equipment are arranged in order and the laser scriber equipment is arranged on the rear side, thereby forming a front electrode layer, a photoelectric conversion unit, and a rear electrode layer And then to form the first separator, the contact and the second separator. Therefore, the vacuum state and the atmospheric state are not alternately repeated, so that the possibility of foreign matter adsorbing to the surface of the substrate is less than in the prior art, and the possibility of degradation of the electrical characteristics of the solar cell due to foreign substances is reduced.
둘째, 본 발명은 진공상태로 유지되는 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비 및 후면전극층 형성장비가 진공상태의 기판 이송라인 상에 순서대로 배치되기 때문에, 별도의 로드락 챔버가 필요하지 않게 되어 그만큼 제조단가가 줄어들고, 공정이 단축되는 효과가 있다. Second, since the front electrode layer forming equipment, the photoelectric conversion unit forming equipment, and the rear electrode layer forming equipment, which are kept in a vacuum state, are sequentially arranged on the vacuum transferring substrate transfer line, a separate load lock chamber is not required The manufacturing cost is reduced, and the process is shortened.
셋째, 본 발명은 공정 장비가 기판 이송라인 상에 배치되어 인라인으로 구성되기 때문에, 공정 장비가 기판 이송라인 외부에 배치되는 종래의 경우에 비하여 공정시간이 단축되는 효과가 있다. Third, since the process equipment is arranged on the substrate transfer line and configured in-line, the present invention has the effect of shortening the process time as compared with the conventional case where the process equipment is disposed outside the substrate transfer line.
이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도이다. 3 is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템은, 전면전극층 형성 장비(210), 광전변환부 형성 장비(310), 투명도전층 형성 장비(410), 후면전극층 형성 장비(510), 레이저 스크라이빙 장비(610), 절연층 형성 장비(710), 및 금속층 형성 장비(810)가 순서대로 배치되며, 상기 장비들이 기판 이송 라인(110) 상에 배치되어 인라인으로 구성되어 있다. 3, the thin film solar cell manufacturing system according to an embodiment of the present invention includes a front electrode
상기 전면전극층 형성 장비(210)는 기판 상에 전면전극층을 형성하기 위한 장비로서, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비, e빔(e- beam) 증발기(Evaporator) 또는 열적(thermal) 증발기(Evaporator) 등을 이용할 수 있다. 한편, 전면전극층의 표면을 요철구조로 형성하기 위해서, 상기 전면전극층 형성 장비(210)에 텍스처링(Texturing) 장비가 추가로 포함될 수도 있다. The front electrode
상기 광전변환부 형성 장비(310)는 전면전극층 상에 반도체층을 형성하기 위한 장비로서, P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b), 및 N형 반도체층 적층 장비(310c)가 순서대로 배치되어 이루어진다. The photoelectric conversion
상기 P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b), 및 N형 반도체층 적층 장비(310c) 각각은 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, HWCVD(Hot-Wire Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비 등을 이용할 수 있다. Each of the P-type semiconductor
상기 투명도전층 형성 장비(410)는 반도체층 상에 투명도전층을 형성하기 위한 장비로서, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비, e빔(e-beam) 증발기(Evaporator) 또는 열적(thermal) 증발기(Evaporator) 등을 이용할 수 있다. 상기 투명도전층은 생략이 가능하며, 그 경우 상기 투명도전층 형성 장비(410) 또한 생략이 가능하다. The transparent conductive
상기 후면전극층 형성 장비(510)는 투명도전층 상에 후면전극층을 형성하기 위한 장비로서, 스퍼터링(Sputtering) 장비, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비 등을 이용할 수 있다. The rear electrode
상기 레이저 스크라이빙 장비(610)는 박막 태양전지를 단위셀로 분리하기 위한 분리부, 및 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하기 위한 통로인 콘택부를 형성하기 위한 장비로서, 제1 레이저 스크라이빙 장비(610a), 제2 레이저 스크라이빙 장비(610b), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(610c)가 순서대로 배치되어 이루어질 수 있다. The
상기 절연층 형성 장비(710)는 전극층 간의 쇼트(short)를 방지하기 위해서 분리부 내에 절연층을 형성하기 위한 장비로서, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, 스크린인쇄(screen printing) 장비, 잉크젯 인쇄(inkjet printing) 장비, 그라비아 인쇄(gravure printing) 장비, 미세접촉인쇄(microcontact printing) 장비 등을 이용할 수 있다. 전극층 간의 쇼트 발생 우려가 없는 경우 상기 절연층은 형성하지 않을 수도 있고, 그 경우 상기 절연층 형성 장비(710)는 생략이 가능하다. The insulating
상기 금속층 형성 장비(810)는 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하는 금속층을 형성하기 위한 장비로서, 스크린인쇄(screen printing) 장비, 잉크젯 인쇄(inkjet printing) 장비, 그라비아 인쇄(gravure printing) 장비, 미세접촉인쇄(microcontact printing) 장비 등을 이용할 수 있다. The metal
상기 전면전극층 형성 장비(210), 광전변환부 형성 장비(310), 투명도전층 형성 장비(410) 및 후면전극층 형성 장비(510)는 진공상태로 유지되며, 또한, 각각의 장비들(210, 310, 410, 510) 사이의 상기 기판 이송라인(110) 또한 진공상태로 유지될 수 있다. 이와 같이, 상기 전면전극층 형성 장비(210)부터 상기 후면전극층 형성 장비(510)까지 진공상태로 유지됨에 따라, 기판이 상기 전면전극층 형성 장비(210)부터 상기 후면전극층 형성 장비(510)까지 이동하는 동안 대기에 노출되지 않게 되어 기판 표면에 이물질이 흡착될 가능성이 줄어든다. The front electrode
이상과 같은 도 3에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템을 이용한 박막형 태양전지의 제조공정을 도 4a 내지 도 4g를 참조하여 설명하면 다음과 같다. The manufacturing process of the thin film solar cell using the thin film solar cell manufacturing system according to FIG. 3 as described above will be described with reference to FIGS. 4A to 4G.
우선, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 전면전극층 형성 장비(210)로 이송한 후, 도 4a에서와 같이, 기판(100) 상에 전면전극층(200a)을 형성한다. First, the substrate is transferred to the front electrode
상기 전면전극층(200a)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질로 형성할 수 있다. 또한, 상기 전면전극층(200a)은 태양광이 입사되는 면이기 때문에 입사되는 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 하는 것이 중요하며, 이를 위해서 상기 전면전극층(200a)에 텍스처(texturing) 가공공정을 추가로 수행할 수 있다. 상기 텍스처 가공공정이란 물질 표면을 울퉁불퉁한 요철구조로 형성하여 마치 직물의 표면과 같은 형상으로 식각 가공하는 공정이다. 이와 같은 텍스처 가공공정을 상기 전면전극층(200a)에 수행할 경우 입사되는 태양광이 태양전지 외부로 반사되는 비율은 감소하게 되며, 그와 더불어 입사되는 태양광의 산란에 의해 태양전지 내부로 태양광이 흡수되는 비율은 증가하게 되어, 태양전지의 효율이 증진되는 효과가 있다. The front electrode layer (200a) is ZnO, ZnO: can be formed of a transparent conductive material such as F, ITO (Indium Tin Oxide) : B, ZnO: Al, SnO 2, SnO 2. In addition, since the
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 광전변환부 형성 장비(310)를 구성하는 P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b), 및 N형 반도 체층 적층 장비(310c)로 순서대로 이송하면서, 도 4b에서와 같이, 전면전극층(200a) 상에 광전변환부(300a)를 형성한다. Next, the substrate is transferred along the
상기 광전변환부(300a)는 P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조로 형성된다. 이와 같이 상기 광전변환부(300a)를 PIN구조로 형성하게 되면, I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(drift)되어 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층에서 수집되게 된다. The
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 투명도전층 형성 장비(410)로 이송한 후, 도 4c에서와 같이, 광전변환부(300a) 상에 투명도전층(400a)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the transparent conductive
상기 투명도전층(400a)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag와 같은 투명한 도전물질로 형성할 수 있다. 상기 투명도전층(400a)은 생략하는 것도 가능하지만, 태양전지의 효율증진을 위해서는 상기 투명도전층(400a)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 투명도전층(400a)을 형성하게 되면 상기 광전변환부(300a)를 투과한 태양광이 투명도전층(400a)을 통과하면서 산란을 통해 다양한 각으로 진행하게 되어 후술하는 후면전극층에서 반사되어 광전변환부(300a)로 재입사되는 광의 비율이 증가될 수 있기 때문이다. The transparent
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 후면전극층 형성 장비(510)로 이송한 후, 도 4d에서와 같이, 투명도전층(400a) 상에 후면전극층(500a)을 형성한다. Next, after the substrate is transferred to the rear electrode
상기 후면전극층(500a)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속으로 형성할 수 있다. The
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 레이저 스크라이빙 장비(610)를 구성하는 제1 레이저 스크라이빙 장비(610a), 제2 레이저 스크라이빙 장비(610b), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(610c)로 순서대로 이송하면서, 도 4e에서와 같이, 제1분리부(250), 콘택부(350), 및 제2분리부(550)를 형성하여, 전면전극(200), 광전변환부(300), 투명도전층(400), 및 후면전극(500)을 완성한다. Next, the substrate is transferred along the
상기 제1분리부(250)는 상기 전면전극(200)을 소정 간격으로 이격시켜 박막 태양전지를 단위셀로 분리하는 역할을 하는 것으로서, 상기 제1분리부(250)는 상기 제1 레이저 스크라이빙 장비(610a)를 이용하여 상기 전면전극층(200a), 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 형성한다. The
상기 콘택부(350)는 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하는 연결 통로로서 박막 태양전지의 단위셀 간을 직렬로 연결할 수 있도록 하는 역할을 하는 것으로서, 상기 콘택부(350)는 상기 제2 레이저 스크라이빙 장비(610b)를 이용하여 상기 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 형성한다. The
상기 제2분리부(550)는 상기 후면전극(500)을 소정 간격으로 이격시켜 박막 태양전지를 단위셀로 분리하는 역할을 하는 것으로서, 상기 제2분리부(550)는 제3 레이저 스크라이빙 장비(610c)를 이용하여 상기 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 형성한다. The
상기 제1분리부(250), 콘택부(350) 및 제2분리부(550)의 형성 순서는 다양하게 변경할 수 있다. 즉, 상기 제1분리부(250), 콘택부(350) 및 제2분리부(550) 중 어느 하나를 먼저 형성하고, 그 이후에 나머지 두 개를 차례로 형성하면 되고, 그에 따라 제1 내지 제3 레이저 스크라이빙 장비(610a, 610b, 610c)의 순서도 적절히 변경한다. The order of forming the
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 절연층 형성 장비(710)로 이송한 후, 도 4f에서와 같이, 상기 제1분리부(250)에 제1절연층(600)을 형성한다. Next, after the substrate is transferred to the insulating
상기 제1절연층(600)은 단위셀로 분리된 전면전극(200)들이 후술하는 공정에서 서로 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 형성하는 것이다. 구체적으로 설명하면, 후술하는 공정에서는 상기 콘택부(350)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하기 위해서 금속층(700)을 형성하게 되는데, 이때 금속층(700)이 상기 제1분리부(250) 내로 침투하게 되면 단위셀로 분리된 전면전극(200)들이 상기 금속층(700)에 의해 전기적으로 연결되어 쇼트가 발생하게 된다. The first insulating
따라서, 단위셀로 분리된 전면전극(200)들이 금속층(700)에 의해 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해서 금속층(700) 형성 전에 제1분리부(250)에 제1절연층(600)을 형성하는 것이다. In order to prevent the
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 금속층 형성 장비(810)로 이송한 후, 도 4g에서와 같이, 상기 콘택부(350)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하는 금속층(700)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the metal
상기 금속층(700)은 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결 함으로써 박막 태양전지의 단위셀 간을 직렬로 연결하는 것이다. 한편, 상기 제1분리부(250)는 전면전극(200)을 단위셀로 분리하는 것이지만, 공정상 상기 제1분리부(250)에 의해 후면전극(500) 또한 분리되어 이격되며, 이와 같이 제1분리부(250)에 의해 이격된 후면전극(500)을 상기 금속층(700)을 통해 연결함으로써 하나의 단위셀 내에서 후면전극(500) 전체가 전기적으로 연결될 수 있다. The
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도로서, 이는 소위 탠덤(Tandem)구조의 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도이다. FIG. 5 is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell according to another embodiment of the present invention, which is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell of a so-called tandem structure.
도 5에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템은 광전변환부 형성 장비(310)의 구성을 제외하고 전술한 도 3에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템과 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. The manufacturing system of the thin film solar cell according to FIG. 5 is the same as the manufacturing system of the thin film solar cell according to FIG. 3 except the configuration of the photoelectric conversion
도 5에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템에 따르면, 전면전극층 형성 장비(210), 광전변환부 형성 장비(310), 투명도전층 형성 장비(410), 후면전극층 형성 장비(510), 레이저 스크라이빙 장비(610), 절연층 형성 장비(710), 금속층 형성 장비(810)가 순서대로 배치되며, 상기 장비들이 기판 이송 라인(110) 상에 배치되어 인라인으로 구성되어 있다. 5, the front electrode
여기서, 상기 광전변환부 형성 장비(310)는, P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b) 및 N형 반도체층 적층 장비(310c)가 순서대로 배치되어 이루어진 제1반도체층 형성장비가 먼저 배치되고, 이어서 버퍼층 형성 장 비(310d)가 배치되고, 이어서 P형 반도체층 적층 장비(310e), I형 반도체층 적층 장비(310f) 및 N형 반도체층 적층 장비(310g)가 순서대로 배치되어 이루어진 제2반도체층 형성장비가 배치되어 이루어진다. Here, the photoelectric conversion
상기 P형 반도체층 적층 장비(310a, 310e), I형 반도체층 적층 장비(310b, 310f), 및 N형 반도체층 적층 장비(310c 310g) 각각은 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, HWCVD(Hot-Wire Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비 등을 이용할 수 있다. Each of the P-type semiconductor
상기 버퍼층 형성 장비(310d)는 제1반도체층과 제2반도체층 사이에서 터널접합을 통해 정공 및 전자의 이동을 원활히 하도록 하는 버퍼층을 형성하기 위한 장비로서, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비, e빔(e-beam) 증발기(Evaporator) 또는 열적(thermal) 증발기(Evaporator) 등을 이용할 수 있다.The buffer
상기 전면전극층 형성 장비(210), 광전변환부 형성 장비(310), 투명도전층 형성 장비(410) 및 후면전극층 형성 장비(510)는 진공상태로 유지되며, 또한, 각각의 장비들(210, 310, 410, 510) 사이의 상기 기판 이송라인(110) 또한 진공상태로 유지될 수 있음은 전술한 도 3에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템과 동일하다.The front electrode
이상과 같은 도 5에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템을 이용한 박막형 태양전지의 제조공정을 도 6a 내지 도 6g를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 다만, 전술한 실시예와 동일한 부분에 대한 구체적인 설명은 생략한다. The manufacturing process of the thin film solar cell using the thin film solar cell manufacturing system according to FIG. 5 as described above will be described with reference to FIGS. 6A to 6G. However, the detailed description of the same portions as those of the above-described embodiment will be omitted.
우선, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 전면전극층 형성 장비(210)로 이송한 후, 도 6a에서와 같이, 기판(100) 상에 전면전극층(200a)을 형성한다. First, the substrate is transferred to the front electrode
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 광전변환부 형성 장비(310)를 구성하는 P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b), 및 N형 반도체층 적층 장비(310c), 버퍼층 형성 장비(310d), P형 반도체층 적층 장비(310e), I형 반도체층 적층 장비(310f), 및 N형 반도체층 적층 장비(310g)로 순서대로 이송하면서, 도 6b에서와 같이, 전면전극층(200a) 상에 광전변환부(300a)를 형성한다. Next, the substrate is transferred along the
상기 광전변환부(300a)는 제1반도체층(320a), 버퍼층(340a), 및 제2반도체층(360a)로 형성되는데, 이때, 상기 제1반도체층(320a)은 PIN구조의 비정질 반도체물질로 이루어지고, 상기 제2반도체층(360a)은 미세결정질 반도체물질로 이루어질 수 있다. The
상기 비정질 반도체물질은 단파장의 광을 잘 흡수하고 상기 미세결정질 반도체물질은 장파장의 광을 잘 흡수하는 특성이 있기 때문에, 비정질 반도체물질과 미세결정질 반도체물질을 조합하여 광전변환부(300a)를 형성함으로써 광흡수효율이 증진될 수 있다. 또한, 비정질 반도체물질은 장시간 빛에 노출될 경우 열화현상이 가속되는 문제가 있는데, 비정질 반도체물질을 태양광이 입사되는 면에 형성하고 미세결정질 반도체물질을 그 반대면에 형성할 경우 태양전지의 열화를 줄일 수 있는 효과가 있다. 따라서, 태양광이 입사되는 면에서 가까운 제1반도체층(320a)을 비정질 반도체물질로 형성하고, 태양광이 입사되는 면에서 먼 제2반도체층(360a)을 미세결정질 반도체물질로 형성할 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니 고, 상기 제2반도체층(360a)으로서 비정질 반도체물질, 비정질실리콘/게르마늄 물질 등 다양하게 변경 이용할 수도 있다.Since the amorphous semiconductor material absorbs light having a short wavelength and the microcrystalline semiconductor material absorbs light having a long wavelength, the amorphous semiconductor material and the microcrystalline semiconductor material are combined to form the
상기 버퍼층(340a)은 상기 제1반도체층(320a)과 제2반도체층(360a) 사이에 형성되어, 상기 제1반도체층(320a)과 제2반도체층(360a) 사이에서 터널접합을 통해 정공 및 전자의 이동을 원활히 하는 역할을 한다. 즉, 상기 제1반도체층(320a)에서 생성된 전자가 상기 제2반도체층(360a)으로 이동하기 위해서는 상기 제1반도체층(320a) 및 제2반도체층(360a) 사이에서 터널링 과정을 거처야 하며, 이를 위해서 버퍼층(340a)을 형성하는 것이다. 상기 버퍼층(340a)은 ZnO와 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다. The
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 투명도전층 형성 장비(410)로 이송한 후, 도 6c에서와 같이, 광전변환부(300a) 상에 투명도전층(400a)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the transparent conductive
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 후면전극층 형성 장비(510)로 이송한 후, 도 6d에서와 같이, 투명도전층(400a) 상에 후면전극층(500a)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the rear electrode
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 레이저 스크라이빙 장비(610)를 구성하는 제1 레이저 스크라이빙 장비(610a), 제2 레이저 스크라이빙 장비(610b), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(610c)로 순서대로 이송하면서, 도 6e에서와 같이, 제1분리부(250), 콘택부(350), 및 제2분리부(550)를 형성하여, 전면전극(200), 광전변환부(300), 투명도전층(400), 및 후면전극(500)을 완성한다. Next, the substrate is transferred along the
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 절연층 형성 장비(710)로 이송한 후, 도 6f에서와 같이, 상기 제1분리부(250)에 제1절연층(600)을 형성하고, 상기 콘택부(350)의 양 측면에 제2절연층(650)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the insulating
상기 제1절연층(600)은 단위셀로 분리된 전면전극(200)들이 후술하는 공정에서 금속층(700)에 의해 서로 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 형성하는 것임은 전술한 바와 동일하다. The first insulating
상기 제2절연층(650)은 후술하는 공정에서 금속층(700)과 버퍼층(340)이 전기적으로 연결되어 쇼트가 발생하는 것을 차단하는 역할을 하는 것이다. 즉, 후공정에서 금속층(700)이 전면전극(200)과 이웃하는 후면전극(500)을 전기적으로 연결시킬 때, 상기 금속층(700)이 상기 광전변환부(300) 내의 투명한 도전물질로 이루어진 버퍼층(340)과 접촉하게 되면 쇼트가 발생하게 되므로, 금속층(700)과 버퍼층(320)이 접촉하는 것을 차단하기 위해서 제2절연층(650)을 형성하는 것이다. The second
다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 금속층 형성 장비(810)로 이송한 후, 도 6g에서와 같이, 상기 콘택부(350)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하는 금속층(700)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the metal
도 1a 내지 도 1f는 종래의 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다. 1A to 1F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional thin film solar cell.
도 2는 종래의 박막형 태양전지의 제조 공정을 구현하기 위한 제조 시스템의 개략도이다. 2 is a schematic diagram of a manufacturing system for implementing a manufacturing process of a conventional thin film solar cell.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도이다. 3 is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.
도 4a 내지 도 4g는 도 3에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템을 이용한 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다. FIGS. 4A to 4G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a thin film solar cell using the manufacturing system of the thin film solar cell according to FIG.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도이다. 5 is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell according to another embodiment of the present invention.
도 6a 내지 도 6g는 도 5에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템을 이용한 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다. 6A to 6G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a thin film solar cell using the thin film solar cell manufacturing system according to FIG.
<도면의 주요부의 부호에 대한 설명>DESCRIPTION OF THE REFERENCE NUMERALS OF THE DRAWINGS FIG.
100: 기판 110: 기판 이송라인100: substrate 110: substrate transfer line
200: 전면전극 210: 전면전극층 형성 장비200: front electrode 210: front electrode layer forming equipment
250: 제1분리부 300: 광전변환부250: first separator 300: photoelectric converter
310: 광전변환부 형성 장비 310a, 310e: P형 반도체층 적층 장비310: Photoelectric conversion
310b, 310f: I형 반도체층 적층 장비 310c, 310g: N형 반도체층 적층 장비310b, 310f: I-type semiconductor
310d: 버퍼층 형성 장비 320: 제1반도체층310d: buffer layer forming equipment 320: first semiconductor layer
340: 버퍼층 360: 제2반도체층340: buffer layer 360: second semiconductor layer
350: 콘택부 400: 투명도전층350: contact portion 400: transparency layer
410: 투명도전층 형성 장비 500: 후면전극410: Transparency layer forming equipment 500: Rear electrode
510: 후면전극층 형성 장비 550: 제2분리부510: Rear electrode layer forming equipment 550: Second separator
600: 제1절연층 610: 레이저 스크라이빙 장비600: first insulating layer 610: laser scriber
650: 제2절연층 700: 금속층650: second insulating layer 700: metal layer
710: 절연층 형성장비 810: 금속층 형성 장비710: Insulation layer forming equipment 810: Metal layer forming equipment
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JPH05235391A (en) * | 1991-03-07 | 1993-09-10 | Mitsubishi Electric Corp | Thin film solar cell and its manufacture and manufacture of semiconductor device |
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