KR101562346B1 - Method of manufacturing Thin film type Solar Cell - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 이송 라인 상에 인라인으로 배치된 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비, 후면전극층 형성 장비, 및 레이저 스크라이빙 장비를 이용하여 박막형 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제조 방법은, 기판을 상기 전면전극층 형성 장비로 이송하여 상기 기판 상에 전면전극층을 형성하는 공정; 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 광전변환부 형성 장비로 이송하여 상기 전면전극층 상에 광전변환부를 형성하는 공정; 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 후면전극층 형성 장비로 이송하여 상기 광전변화부 상에 후면전극층을 형성하는 공정; 및 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 레이저 스크라이빙 장비로 이송하여 제1 분리부, 콘택부, 및 제2 분리부를 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다. A method of manufacturing a thin film solar cell using a front electrode layer forming equipment, a photoelectric conversion part forming equipment, a rear electrode layer forming equipment, and a laser scriber equipment arranged inline on a substrate transfer line, Forming a front electrode layer on the substrate by transferring the substrate to the front electrode layer forming equipment; Transferring the substrate to the photoelectric conversion portion forming equipment along the substrate transfer line to form a photoelectric conversion portion on the front electrode layer; Transferring the substrate to the rear electrode layer forming equipment along the substrate transfer line to form a rear electrode layer on the photoelectric conversion portion; And transferring the substrate to the laser scribing apparatus along the substrate transfer line to form a first separator, a contact, and a second separator.

Description

박막형 태양전지의 제조 방법{Method of manufacturing Thin film type Solar Cell}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a thin film solar cell,

본 발명은 박막형 태양전지(Solar Cell)에 관한 것으로서, 보다 구체적으로는 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지의 제조 시스템에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film solar cell, and more particularly, to a thin film solar cell manufacturing system having a plurality of unit cells connected in series.

태양전지는 반도체의 성질을 이용하여 빛 에너지를 전기 에너지로 변환시키는 장치이다. Solar cells are devices that convert light energy into electrical energy using the properties of semiconductors.

태양전지의 구조 및 원리에 대해서 간단히 설명하면, 태양전지는 P(positive)형 반도체와 N(negative)형 반도체를 접합시킨 PN접합 구조를 하고 있으며, 이러한 구조의 태양전지에 태양광이 입사되면, 입사된 태양광이 가지고 있는 에너지에 의해 상기 반도체 내에서 정공(hole) 및 전자(electron)가 발생하고, 이때, PN접합에서 발생한 전기장에 의해서 상기 정공(+)는 P형 반도체쪽으로 이동하고 상기 전자(-)는 N형 반도체쪽으로 이동하게 되어 전위가 발생하게 됨으로써 전력을 생산할 수 있게 되는 원리이다. The structure and principle of a solar cell will be briefly described. A solar cell has a PN junction structure in which a P (positive) semiconductor and an N (negative) semiconductor are bonded. When solar light enters the solar cell having such a structure, Holes and electrons are generated in the semiconductor due to the energy of the incident sunlight. At this time, the holes (+) move toward the P-type semiconductor due to the electric field generated at the PN junction, (-) is moved toward the N-type semiconductor to generate electric potential, thereby generating electric power.

이와 같은 태양전지는 기판형 태양전지와 박막형 태양전지로 구분할 수 있다. Such a solar cell can be classified into a substrate type solar cell and a thin film solar cell.

상기 기판형 태양전지는 실리콘과 같은 반도체물질 자체를 기판으로 이용하여 태양전지를 제조한 것이고, 상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 박막의 형태로 반도체를 형성하여 태양전지를 제조한 것이다. The substrate type solar cell is a solar cell manufactured using a semiconductor material itself such as silicon as a substrate, and the thin film type solar cell is formed by forming a semiconductor in the form of a thin film on a substrate such as glass to manufacture a solar cell.

상기 기판형 태양전지는 상기 박막형 태양전지에 비하여 효율이 다소 우수하기는 하지만, 공정상 두께를 최소화하는데 한계가 있고 고가의 반도체 기판을 이용하기 때문에 제조비용이 상승되는 단점이 있다. Although the substrate type solar cell has a somewhat higher efficiency than the thin film type solar cell, there is a limitation in minimizing the thickness in the process, and a manufacturing cost is increased because an expensive semiconductor substrate is used.

상기 박막형 태양전지는 상기 기판형 태양전지에 비하여 효율이 다소 떨어지기는 하지만, 얇은 두께로 제조가 가능하고 저가의 재료를 이용할 수 있어 제조비용이 감소되는 장점이 있어 대량생산에 적합하다. Though the efficiency of the thin-film solar cell is somewhat lower than that of the substrate-type solar cell, the thin-film solar cell can be manufactured in a thin thickness and can be made of a low-cost material.

상기 박막형 태양전지는 유리 등과 같은 기판 상에 전면전극을 형성하고, 상기 전면전극 위에 반도체층을 형성하고, 상기 반도체층 위에 후면전극을 형성하여 제조된다. 여기서, 상기 전면전극은 광이 입사되는 수광면을 형성하기 때문에 상기 전면전극으로는 ZnO와 같은 투명도전물이 이용되는데, 기판이 대면적화됨에 따라 상기 투명도전물의 저항으로 인해서 전력손실이 크게 되는 문제가 발생하게 된다. The thin-film solar cell is manufactured by forming a front electrode on a substrate such as glass, forming a semiconductor layer on the front electrode, and forming a rear electrode on the semiconductor layer. Since the front electrode forms a light receiving surface on which light is incident, a transparent conductive material such as ZnO is used as the front electrode. As the substrate becomes larger, the power loss due to the resistance of the transparent conductive material increases .

따라서, 박막형 태양전지를 복수 개의 단위셀로 나누고 복수 개의 단위셀을 직렬로 연결하는 구조로 형성함으로써 투명도전물의 저항으로 의한 전력손실을 최소화하는 방법이 고안되었다. Therefore, a method has been devised in which a thin film solar cell is divided into a plurality of unit cells and a plurality of unit cells are connected in series so as to minimize the power loss due to the resistance of the transparent conductive material.

이하, 도면을 참조로 종래 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지의 제조방법 및 제조시스템에 대해서 설명하기로 한다. Hereinafter, a manufacturing method and a manufacturing system of a thin film solar cell having a plurality of unit cells connected in series will be described with reference to the drawings.

도 1a 내지 도 1f는 종래 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결된 구조를 갖는 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다. 1A to 1F are cross-sectional views illustrating a conventional manufacturing process of a thin film solar cell having a plurality of unit cells connected in series.

우선, 도 1a에서 알 수 있듯이, 기판(10) 상에 ZnO와 같은 투명도전물을 이용하여 전면전극층(20a)을 형성한다. First, as shown in FIG. 1A, a front electrode layer 20a is formed on a substrate 10 by using a transparent conductive material such as ZnO.

다음, 도 1b에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극층(20a)의 소정 영역을 제거하여 제1분리부(25)를 형성한다. 그리하면, 상기 제1분리부(25)에 의해 이격되는 복수 개의 전면전극(20)이 형성된다. Next, as shown in FIG. 1B, a predetermined region of the front electrode layer 20a is removed to form the first separator 25. A plurality of front electrodes 20 spaced apart by the first separator 25 are formed.

다음, 도 1c에서 알 수 있듯이, 상기 전면전극(20)을 포함한 기판(10) 전면에 반도체층(30a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 1C, a semiconductor layer 30a is formed on the entire surface of the substrate 10 including the front electrode 20.

다음, 도 1d에서 알 수 있듯이, 상기 반도체층(30a)의 소정 영역을 제거하여 콘택부(35)를 형성한다. Next, as shown in FIG. 1D, a predetermined region of the semiconductor layer 30a is removed to form a contact portion 35. Next, as shown in FIG.

다음, 도 1e에서 알 수 있듯이, 상기 기판(10) 전면에 후면전극층(50a)을 형성한다. Next, as shown in FIG. 1E, a rear electrode layer 50a is formed on the entire surface of the substrate 10.

다음, 도 1f에서 알 수 있듯이, 상기 후면전극층(50a) 및 반도체층(30)의 소정 영역을 제거하여 제2분리부(55)를 형성한다. 그리하면, 상기 제2분리부(55)에 의해 이격되며, 상기 콘택부(35)를 통해 전면전극(20)과 연결되는 복수 개의 후면전극(50)이 형성된다. 이와 같이 콘택부(35)를 통해 전면전극(20)과 후면전극(50)이 연결됨으로써 복수 개의 단위셀이 직렬로 연결되는 구조를 갖게 된다. Next, as shown in FIG. 1F, a predetermined region of the rear electrode layer 50a and the semiconductor layer 30 is removed to form a second isolation portion 55. Next, as shown in FIG. A plurality of rear electrodes 50 spaced apart by the second separator 55 and connected to the front electrode 20 through the contact portion 35 are formed. In this way, the front electrode 20 and the rear electrode 50 are connected to each other through the contact portion 35, so that a plurality of unit cells are connected in series.

도 2는 전술한 도 1a 내지 도 1f에 따른 종래의 박막형 태양전지의 제조 공정을 구현하기 위한 제조 시스템의 개략도이다. FIG. 2 is a schematic view of a manufacturing system for implementing a manufacturing process of a conventional thin film solar cell according to the above-described FIGS. 1A to 1F.

도 2에서 알 수 있듯이, 종래의 박막형 태양전지의 제조 시스템은, 기판 이동라인(1), 전면전극층 형성 장비(2), 제1 레이저 스크라이빙 장비(3), 반도체층 형성 장비(4), 제2 레이저 스크라이빙 장비(5), 후면전극층 형성 장비(6), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(7)를 포함하여 이루어진다. 2, the conventional thin film solar cell manufacturing system includes a substrate moving line 1, a front electrode layer forming equipment 2, a first laser scribing equipment 3, a semiconductor layer forming equipment 4, A second laser scribing device 5, a rear electrode layer forming device 6, and a third laser scribing device 7.

상기 전면전극층 형성 장비(2), 제1 레이저 스크라이빙 장비(3), 반도체층 형성 장비(4), 제2 레이저 스크라이빙 장치(5), 후면전극층 형성 장비(6), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(7)은 상기 기판 이동라인(1)의 외부에 순서대로 위치하고 있으며, 각각의 장비와 상기 기판 이동라인(1) 사이에는 기판 이송을 위한 제1 로봇암 내지 제6 로봇암(9a 내지 9f)이 배치되어 있다. The front electrode layer forming apparatus 2, the first laser scribing apparatus 3, the semiconductor layer forming apparatus 4, the second laser scribing apparatus 5, the rear electrode layer forming apparatus 6, The laser scribing apparatus 7 is disposed in order outside the substrate moving line 1. Between each of the equipment and the substrate moving line 1, a first robot arm to a sixth robot arm (9a to 9f) are disposed.

이와 같은 구성의 종래의 박막형 태양전지의 제조 시스템에 의한 종래의 박막형 태양전지의 제조공정을 설명하면 다음과 같다. The manufacturing process of the conventional thin film type solar cell by the conventional thin film type solar cell manufacturing system having such a structure will be described as follows.

우선, 상기 기판 이동라인(1)을 따라 이동된 기판은 제1 로봇암(9a)에 의해 상기 전면전극층 형성 장비(2)로 이송된 후 도 1a와 같은 공정을 수행한다. First, the substrate moved along the substrate moving line 1 is transferred to the front electrode layer forming equipment 2 by the first robot arm 9a, and then the same process as shown in FIG. 1A is performed.

이때, 상기 전면전극층 형성 장비(2)는 로드락 챔버(Load Rock Chamber)(2a) 및 전면전극층 적층 챔버(2b)로 이루어져 있어, 기판은 상기 로드락 챔버(2a)를 경유하여 상기 전면전극층 적층 챔버(2b)로 진입한 후 적층 공정이 수행되고, 다시 로드락 챔버(2a)를 경유하여 외부로 배출된다. The front electrode layer forming equipment 2 includes a load lock chamber 2a and a front electrode layer lamination chamber 2b so that the substrate is stacked on the front electrode layer via the load lock chamber 2a. After entering the chamber 2b, the laminating process is performed, and then discharged to the outside via the load lock chamber 2a again.

이와 같이 로드락 챔버(2a)를 경유하여 기판을 이동시키는 이유는, 상기 전면전극층 적층 챔버(2b)는 그 내부가 진공상태이므로, 기판을 외부의 대기압하에서 진공 상태의 전면전극층 적층 챔버(2b)로 투입하는 공정 중에 외부의 공기가 전면전극층 적층 챔버(2b) 내부로 유입되는 것을 차단하기 위함이다. The reason why the substrate is moved via the load lock chamber 2a is that the front electrode layer lamination chamber 2b has a vacuum state inside the front electrode layer lamination chamber 2b, So that outside air is prevented from flowing into the front electrode layer lamination chamber 2b.

다음, 제1 로봇암(9a)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제2 로봇암(9b)에 의해 기판이 상기 제1 레이저 스크라이빙 장비(3)로 이송된 후 도 1b와 같은 공정을 수행한다. Subsequently, the substrate is again transferred to the substrate transfer line 1 by the first robot arm 9a and moves along the substrate transfer line 1, and then the substrate is transferred by the second robot arm 9b to the first And transferred to the laser scribing apparatus 3, and then the same process as shown in FIG. 1B is performed.

다음, 제2 로봇암(9b)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제3 로봇암(9c)에 의해 기판이 상기 반도체층 형성 장비(4)로 이송된 후 도 1c와 같은 공정을 수행한다. Subsequently, the substrate is again transferred to the substrate transfer line 1 by the second robot arm 9b and moves along the substrate transfer line 1, and then the substrate is transferred by the third robot arm 9c, Forming apparatus 4, and then the process as shown in FIG. 1C is performed.

이때, 상기 반도체층 형성 장비(4)는 소위 클러스터(cluster) 타입으로 구성되는데, 로드락 챔버(Load Rock Chamber)(4a), P형 반도체층 적층 챔버(4b), I형 반도체층 적층 챔버(4c), 및 N형 반도체층 적층 챔버(4d)로 이루어진다. The semiconductor layer forming equipment 4 is formed of a so-called cluster type, and includes a load lock chamber 4a, a p-type semiconductor layer laminating chamber 4b, an l-type semiconductor layer laminating chamber 4c, and an N-type semiconductor layer lamination chamber 4d.

기판은 상기 로드락 챔버(4a)를 통해 반도체층 형성 장비(4) 내로 진입한 후 P형 반도체층 적층 챔버(4b), I형 반도체층 적층 챔버(4c), 및 N형 반도체층 적층 챔버(4d)를 거쳐 반도체층이 적층되고, 다시 로드락 챔버(4a)를 통해 반도체층 형성 장비(4) 외부로 배출된다. The substrate enters the semiconductor layer forming equipment 4 through the load lock chamber 4a and is then transferred to the P-type semiconductor layer stack chamber 4b, the I-type semiconductor layer stack chamber 4c, and the N-type semiconductor layer stack chamber The semiconductor layers are stacked via the load lock chambers 4a and 4d and then discharged to the outside of the semiconductor layer forming equipment 4 through the load lock chamber 4a.

다음, 제3 로봇암(9c)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제4 로봇암(9d)에 의해 기판이 상기 제2 레이저 스크라이빙 장비(5)로 이송된 후 도 1d와 같은 공정을 수행한다. Subsequently, the substrate is again transferred to the substrate transfer line 1 by the third robot arm 9c to move along the substrate transfer line 1, and then the substrate is transferred by the fourth robot arm 9d to the second And transferred to the laser scribing apparatus 5, and then the process shown in FIG. 1D is performed.

다음, 제4 로봇암(9d)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제5 로봇암(9e)에 의해 기판이 상기 후면전극층 형성 장비(6)로 이송된 후 도 1e와 같은 공정을 수행한다. Subsequently, the substrate is again transferred to the substrate transfer line 1 by the fourth robot arm 9d to move along the substrate transfer line 1, and then the substrate is transferred by the fifth robot arm 9e, Forming equipment 6, and then the process as shown in FIG. 1E is performed.

이때, 상기 후면전극층 형성 장비(6)는 로드락 챔버(Load Rock Chamber)(6a) 및 후면전극층 적층 챔버(6b)로 이루어져 있어, 기판은 상기 로드락 챔버(6a)를 경유하여 상기 후면전극층 적층 챔버(6b)로 진입한 후 적층 공정이 수행되고, 다시 로드락 챔버(6a)를 경유하여 외부로 배출된다. The rear electrode layer forming equipment 6 is composed of a load lock chamber 6a and a rear electrode layer lamination chamber 6b so that the substrate is stacked on the rear electrode layer stack 6a via the load lock chamber 6a, After entering the chamber 6b, the laminating process is performed, and then discharged to the outside via the load lock chamber 6a.

다음, 제5 로봇암(9e)에 의해 기판이 다시 기판 이동라인(1)으로 이송되어 기판 이동라인(1)을 따라 이동하고, 그 후 제6 로봇암(9f)에 의해 기판이 상기 제3 레이저 스크라이빙 장비(7)로 이송된 후 도 1f와 같은 공정을 수행한다. Next, the substrate is again transferred to the substrate transfer line 1 by the fifth robot arm 9e to move along the substrate transfer line 1, and then the substrate is transferred by the sixth robot arm 9f to the third After being transferred to the laser scribing apparatus 7, the process as shown in FIG. 1F is performed.

그러나, 이와 같은 종래의 박막형 태양전지의 제조 시스템은 제조 공정상의 한계로 인해서, 진공상태에서 공정을 수행하는 전면전극층 형성 장비(2), 반도체층 형성 장비(4) 및 후면전극층 형성 장비(6)와, 대기상태에서 공정을 수행하는 제1 레이저 스크라이빙 장비(3), 제2 레이저 스크라이빙 장비(5) 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(7)가 교대로 배열되기 때문에 다음과 같은 문제점이 있다. However, due to the limitations of the manufacturing process, the conventional thin film solar cell manufacturing system has a front electrode layer forming apparatus 2, a semiconductor layer forming apparatus 4, and a rear electrode layer forming apparatus 6 for performing a process in a vacuum state. And the first laser scribing device 3, the second laser scribing device 5, and the third laser scribing device 7 for performing the process in the standby state are alternately arranged, There is a problem.

첫째, 기판이 대기중에 노출되면 기판 표면에 OH기, CO 및 CO2와 같은 탄소류, 및 미세먼지 등과 같은 이물질이 흡착될 수 있는데, 이와 같이 기판 표면에 이물질이 흡착된 상태로 적층 공정을 수행하게 되면 태양전지의 전기적 특성이 저하될 수 있다. 그런데, 종래의 경우 진공상태와 대기상태가 반복되기 때문에 기판 표면에 이물질이 흡착된 상태로 적층 공정이 수행될 가능성이 커지고, 그에 따라 태양전지의 전기적 특성이 저하될 가능성이 커지는 문제점이 있다. First, when the substrate is exposed to the atmosphere, carbon materials such as OH groups, CO and CO 2 , and foreign substances such as fine dusts may be adsorbed on the surface of the substrate. In this way, The electric characteristics of the solar cell may be deteriorated. However, since the vacuum state and the atmospheric state are repeated in the related art, there is a possibility that the stacking process is performed in a state in which foreign substances are adsorbed on the surface of the substrate, thereby increasing the possibility of deteriorating the electrical characteristics of the solar cell.

둘째, 기판을 대기상태에서 진공상태의 공정장비로 진입시키기 위해서는 전술한 바와 같은 로드락 챔버가 별도로 필요하므로 그만큼 제조단가가 상승되며, 또한 로드락 챔버를 경유함으로 인해서 공정이 복잡해져 공정시간이 오래 걸리는 문제점이 있다. Secondly, in order to allow the substrate to enter the processing equipment in a vacuum state from the standby state, the above-described load lock chamber is separately required, so that the manufacturing cost is increased, and the process is complicated due to passage of the load lock chamber, There is a problem.

셋째, 각각의 공정장비가 기판 이동라인(1)의 외부에 위치하기 때문에, 기판 이동라인(1)과 각각의 공정장비 사이에 기판 이송을 위한 로봇암(9a 내지 9f)이 별도로 필요하게 되므로 그만큼 공정시간이 오래 걸리는 문제점이 있다. Thirdly, since each process equipment is located outside the substrate transfer line 1, robot arms 9a to 9f for substrate transfer are separately required between the substrate transfer line 1 and each process equipment, The process time is long.

본 발명은 전술한 종래의 박막형 태양전지의 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, The present invention has been devised to solve the problems of the conventional thin film type solar cell,

본 발명은 진공상태와 대기상태가 반복되지 않도록 박막형 태양전지의 제조공정을 변경함으로써, 기판 표면에 이물질이 흡착된 상태로 적층 공정이 수행될 가능성을 줄이고, 제조공정 이외의 공정장비를 최소화하여 제조단가를 줄이고, 또한 공정을 단순화시켜 공정시간을 줄일 수 있는 박막형 태양전지의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention reduces the possibility of performing a laminating process in a state in which foreign matter is adsorbed on a surface of a substrate by changing a manufacturing process of a thin film solar cell so as not to repeat the vacuum state and the atmospheric state, A method of manufacturing a thin film solar cell capable of reducing the unit cost and simplifying the process and reducing the process time.

본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해서, 기판 이송 라인 상에 인라인으로 배치된 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비, 후면전극층 형성 장비, 및 레이저 스크라이빙 장비를 이용하여 박막형 태양전지를 제조하는 방법에 있어서, 상기 제조 방법은, 기판을 상기 전면전극층 형성 장비로 이송하여 상기 기판 상에 전면전극층을 형성하는 공정; 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 광전변환부 형성 장비로 이송하여 상기 전면전극층 상에 광전변환부를 형성하는 공정; 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 후면전극층 형성 장비로 이송하여 상기 광전변화부 상에 후면전극층을 형성하는 공정; 및 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 레이저 스크라이빙 장비로 이송하여 제1 분리부, 콘택부, 및 제2 분리부를 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법을 제공한다. In order to achieve the above object, the present invention provides a method of manufacturing a thin film solar cell using a front electrode layer forming equipment, a photoelectric conversion part forming equipment, a rear electrode layer forming equipment, and a laser scriber equipment arranged inline on a substrate transfer line The method includes: a step of transferring a substrate to the front electrode layer forming equipment to form a front electrode layer on the substrate; Transferring the substrate to the photoelectric conversion portion forming equipment along the substrate transfer line to form a photoelectric conversion portion on the front electrode layer; Transferring the substrate to the rear electrode layer forming equipment along the substrate transfer line to form a rear electrode layer on the photoelectric conversion portion; And transferring the substrate to the laser scribing apparatus along the substrate transfer line to form a first separator, a contact, and a second separator.

상기와 같은 본 발명에 따르면 다음과 같은 효과가 있다. According to the present invention as described above, the following effects can be obtained.

첫째, 본 발명은 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비 및 후면전극층 형성장비가 차례로 배열되고 그 후방에 레이저 스크라이빙 장비가 배열됨으로써, 전면전극층, 광전변환부, 및 후면전극층을 차례로 형성한 후에 제1분리부, 콘택부 및 제2분리부를 형성하도록 구성된다. 따라서, 진공상태와 대기상태가 교대로 반복되지 않아, 종래에 비하여 기판 표면에 이물질이 흡착될 가능성이 적고, 그에 따라 이물질로 인한 태양전지의 전기적 특성 저하 가능성이 줄어드는 효과가 있다. First, the front electrode layer forming equipment, the photoelectric conversion unit forming equipment, and the rear electrode layer forming equipment are arranged in order and the laser scriber equipment is arranged on the rear side, thereby forming a front electrode layer, a photoelectric conversion unit, and a rear electrode layer And then to form the first separator, the contact and the second separator. Therefore, the vacuum state and the atmospheric state are not alternately repeated, so that the possibility of foreign matter adsorbing to the surface of the substrate is less than in the prior art, and the possibility of degradation of the electrical characteristics of the solar cell due to foreign substances is reduced.

둘째, 본 발명은 진공상태로 유지되는 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비 및 후면전극층 형성장비가 진공상태의 기판 이송라인 상에 순서대로 배치되기 때문에, 별도의 로드락 챔버가 필요하지 않게 되어 그만큼 제조단가가 줄어들고, 공정이 단축되는 효과가 있다. Second, since the front electrode layer forming equipment, the photoelectric conversion unit forming equipment, and the rear electrode layer forming equipment, which are kept in a vacuum state, are sequentially arranged on the vacuum transferring substrate transfer line, a separate load lock chamber is not required The manufacturing cost is reduced, and the process is shortened.

셋째, 본 발명은 공정 장비가 기판 이송라인 상에 배치되어 인라인으로 구성되기 때문에, 공정 장비가 기판 이송라인 외부에 배치되는 종래의 경우에 비하여 공정시간이 단축되는 효과가 있다. Third, since the process equipment is arranged on the substrate transfer line and configured in-line, the present invention has the effect of shortening the process time as compared with the conventional case where the process equipment is disposed outside the substrate transfer line.

도 1a 내지 도 1f는 종래의 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.
도 2는 종래의 박막형 태양전지의 제조 공정을 구현하기 위한 제조 시스템의 개략도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도이다.
도 4a 내지 도 4g는 도 3에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템을 이용한 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도이다.
도 6a 내지 도 6g는 도 5에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템을 이용한 박막형 태양전지의 제조공정을 도시한 단면도이다. 1A to 1F are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a conventional thin film solar cell.
2 is a schematic diagram of a manufacturing system for implementing a manufacturing process of a conventional thin film solar cell.
3 is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.
FIGS. 4A to 4G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a thin film solar cell using the manufacturing system of the thin film solar cell according to FIG.
5 is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell according to another embodiment of the present invention.
6A to 6G are cross-sectional views illustrating a manufacturing process of a thin film solar cell using the thin film solar cell manufacturing system according to FIG.

이하, 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대해서 상세히 설명하기로 한다. Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도이다. 3 is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell according to an embodiment of the present invention.

도 3에서 알 수 있듯이, 본 발명의 일 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템은, 전면전극층 형성 장비(210), 광전변환부 형성 장비(310), 투명도전층 형성 장비(410), 후면전극층 형성 장비(510), 레이저 스크라이빙 장비(610), 절연층 형성 장비(710), 및 금속층 형성 장비(810)가 순서대로 배치되며, 상기 장비들이 기판 이송 라인(110) 상에 배치되어 인라인으로 구성되어 있다. 3, the thin film solar cell manufacturing system according to an embodiment of the present invention includes a front electrode layer forming equipment 210, a photoelectric conversion unit forming equipment 310, a transparent conductive layer forming equipment 410, Forming apparatus 510, a laser scribing apparatus 610, an insulating layer forming apparatus 710, and a metal layer forming apparatus 810 are arranged in this order, and the apparatus is disposed on the substrate transfer line 110, .

상기 전면전극층 형성 장비(210)는 기판 상에 전면전극층을 형성하기 위한 장비로서, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비, e빔(e-beam) 증발기(Evaporator) 또는 열적(thermal) 증발기(Evaporator) 등을 이용할 수 있다. 한편, 전면전극층의 표면을 요철구조로 형성하기 위해서, 상기 전면전극층 형성 장비(210)에 텍스처링(Texturing) 장비가 추가로 포함될 수도 있다.
The front electrode layer forming equipment 210 is a device for forming a front electrode layer on a substrate, and may be a MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) equipment, a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) equipment, a sputtering equipment, an e-beam evaporator or a thermal evaporator may be used. Meanwhile, in order to form the surface of the front electrode layer with a concave-convex structure, the front electrode layer forming equipment 210 may further include a texturing equipment.

*상기 광전변환부 형성 장비(310)는 전면전극층 상에 반도체층을 형성하기 위한 장비로서, P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b), 및 N형 반도체층 적층 장비(310c)가 순서대로 배치되어 이루어진다. The photoelectric conversion part forming equipment 310 is a device for forming a semiconductor layer on the front electrode layer, and includes a P-type semiconductor layer laminating equipment 310a, an I-type semiconductor layer laminating equipment 310b, Equipment 310c are arranged in order.

상기 P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b), 및 N형 반도체층 적층 장비(310c) 각각은 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, HWCVD(Hot-Wire Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비 등을 이용할 수 있다.
Each of the P-type semiconductor layer laminating apparatus 310a, the I-type semiconductor layer laminating apparatus 310b and the N-type semiconductor layer laminating apparatus 310c may be a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) Vapor Deposition) equipment, and a sputtering equipment.

*상기 투명도전층 형성 장비(410)는 반도체층 상에 투명도전층을 형성하기 위한 장비로서, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비, e빔(e-beam) 증발기(Evaporator) 또는 열적(thermal) 증발기(Evaporator) 등을 이용할 수 있다. 상기 투명도전층은 생략이 가능하며, 그 경우 상기 투명도전층 형성 장비(410) 또한 생략이 가능하다. The transparent conductive layer forming equipment 410 is a device for forming a transparent conductive layer on a semiconductor layer, and may be a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) equipment, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) equipment, a sputtering equipment, an e-beam evaporator, a thermal evaporator, or the like may be used. The transparent conductive layer may be omitted, and the transparent conductive layer forming apparatus 410 may be omitted.

상기 후면전극층 형성 장비(510)는 투명도전층 상에 후면전극층을 형성하기 위한 장비로서, 스퍼터링(Sputtering) 장비, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비 등을 이용할 수 있다. The rear electrode layer forming equipment 510 may be a sputtering equipment, a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) equipment, a metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) equipment, or the like, for forming a rear electrode layer on a transparent conductive layer. Can be used.

상기 레이저 스크라이빙 장비(610)는 박막 태양전지를 단위셀로 분리하기 위한 분리부, 및 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하기 위한 통로인 콘택부를 형성하기 위한 장비로서, 제1 레이저 스크라이빙 장비(610a), 제2 레이저 스크라이빙 장비(610b), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(610c)가 순서대로 배치되어 이루어질 수 있다. The laser scribing device 610 is a device for forming a separator for separating the thin film solar cell into unit cells and a contact part as a passage for electrically connecting the front electrode layer and the rear electrode layer, The ice machine 610a, the second laser scribing machine 610b, and the third laser scribing machine 610c may be arranged in this order.

상기 절연층 형성 장비(710)는 전극층 간의 쇼트(short)를 방지하기 위해서 분리부 내에 절연층을 형성하기 위한 장비로서, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, 스크린인쇄(screen printing) 장비, 잉크젯 인쇄(inkjet printing) 장비, 그라비아 인쇄(gravure printing) 장비, 미세접촉인쇄(microcontact printing) 장비 등을 이용할 수 있다. 전극층 간의 쇼트 발생 우려가 없는 경우 상기 절연층은 형성하지 않을 수도 있고, 그 경우 상기 절연층 형성 장비(710)는 생략이 가능하다. The insulating layer forming equipment 710 is a device for forming an insulating layer in the separator to prevent a short between the electrode layers. The insulating layer forming equipment 710 may be a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) equipment, a screen printing equipment, Inkjet printing equipment, gravure printing equipment, microcontact printing equipment, and the like. If there is no possibility of occurrence of a short circuit between the electrode layers, the insulating layer may not be formed. In this case, the insulating layer forming equipment 710 may be omitted.

상기 금속층 형성 장비(810)는 전면전극층과 후면전극층을 전기적으로 연결하는 금속층을 형성하기 위한 장비로서, 스크린인쇄(screen printing) 장비, 잉크젯 인쇄(inkjet printing) 장비, 그라비아 인쇄(gravure printing) 장비, 미세접촉인쇄(microcontact printing) 장비 등을 이용할 수 있다. The metal layer forming equipment 810 is a device for forming a metal layer that electrically connects the front electrode layer and the rear electrode layer and includes a screen printing equipment, an inkjet printing equipment, a gravure printing equipment, Microcontact printing equipment and the like can be used.

상기 전면전극층 형성 장비(210), 광전변환부 형성 장비(310), 투명도전층 형성 장비(410) 및 후면전극층 형성 장비(510)는 진공상태로 유지되며, 또한, 각각의 장비들(210, 310, 410, 510) 사이의 상기 기판 이송라인(110) 또한 진공상태로 유지될 수 있다. 이와 같이, 상기 전면전극층 형성 장비(210)부터 상기 후면전극층 형성 장비(510)까지 진공상태로 유지됨에 따라, 기판이 상기 전면전극층 형성 장비(210)부터 상기 후면전극층 형성 장비(510)까지 이동하는 동안 대기에 노출되지 않게 되어 기판 표면에 이물질이 흡착될 가능성이 줄어든다. The front electrode layer forming device 210, the photoelectric conversion part forming device 310, the transparent conductive layer forming device 410 and the rear electrode layer forming device 510 are maintained in a vacuum state and the respective devices 210 and 310 , 410, 510) may also be maintained in a vacuum state. As the front electrode layer forming apparatus 210 is maintained in the vacuum state from the front electrode layer forming apparatus 210 to the rear electrode layer forming apparatus 510, the substrate moves from the front electrode layer forming apparatus 210 to the rear electrode layer forming apparatus 510 So that the possibility of foreign matter adsorbing to the substrate surface is reduced.

이상과 같은 도 3에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템을 이용한 박막형 태양전지의 제조공정을 도 4a 내지 도 4g를 참조하여 설명하면 다음과 같다. The manufacturing process of the thin film solar cell using the thin film solar cell manufacturing system according to FIG. 3 as described above will be described with reference to FIGS. 4A to 4G.

우선, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 전면전극층 형성 장비(210)로 이송한 후, 도 4a에서와 같이, 기판(100) 상에 전면전극층(200a)을 형성한다. First, the substrate is transferred to the front electrode layer forming equipment 210 along the substrate transfer line 110, and then the front electrode layer 200a is formed on the substrate 100 as shown in FIG. 4A.

상기 전면전극층(200a)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, SnO2, SnO2:F, ITO(Indium Tin Oxide) 등과 같은 투명한 도전물질로 형성할 수 있다. 또한, 상기 전면전극층(200a)은 태양광이 입사되는 면이기 때문에 입사되는 태양광이 태양전지 내부로 최대한 흡수될 수 있도록 하는 것이 중요하며, 이를 위해서 상기 전면전극층(200a)에 텍스처(texturing) 가공공정을 추가로 수행할 수 있다. 상기 텍스처 가공공정이란 물질 표면을 울퉁불퉁한 요철구조로 형성하여 마치 직물의 표면과 같은 형상으로 식각 가공하는 공정이다. 이와 같은 텍스처 가공공정을 상기 전면전극층(200a)에 수행할 경우 입사되는 태양광이 태양전지 외부로 반사되는 비율은 감소하게 되며, 그와 더불어 입사되는 태양광의 산란에 의해 태양전지 내부로 태양광이 흡수되는 비율은 증가하게 되어, 태양전지의 효율이 증진되는 효과가 있다. The front electrode layer (200a) is ZnO, ZnO: can be formed of a transparent conductive material such as F, ITO (Indium Tin Oxide) : B, ZnO: Al, SnO 2, SnO 2. In addition, since the front electrode layer 200a is a surface on which sunlight is incident, it is important that the incident sunlight can be absorbed into the solar cell as much as possible. For this purpose, the front electrode layer 200a is textured Process can be further performed. The texturing process is a process in which the surface of the material is formed into a rugged concave-convex structure and etched to have the same shape as the surface of the fabric. When the texture process is performed on the front electrode layer 200a, the ratio of the incident sunlight to the outside of the solar cell is reduced. In addition, the sunlight is scattered into the solar cell due to the scattering of incident sunlight. So that the efficiency of the solar cell is improved.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 광전변환부 형성 장비(310)를 구성하는 P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b), 및 N형 반도체층 적층 장비(310c)로 순서대로 이송하면서, 도 4b에서와 같이, 전면전극층(200a) 상에 광전변환부(300a)를 형성한다. Next, the substrate is transferred along the substrate transfer line 110 to the P-type semiconductor layer laminating apparatus 310a, the I-type semiconductor layer laminating apparatus 310b, and the N-type semiconductor layer laminating apparatus 310a constituting the photoelectric conversion section forming apparatus 310 The photoelectric conversion portion 300a is formed on the front electrode layer 200a, as shown in FIG. 4B.

상기 광전변환부(300a)는 P형 반도체층, I형 반도체층 및 N형 반도체층이 순서대로 적층된 PIN구조로 형성된다. 이와 같이 상기 광전변환부(300a)를 PIN구조로 형성하게 되면, I형 반도체층이 P형 반도체층과 N형 반도체층에 의해 공핍(depletion)이 되어 내부에 전기장이 발생하게 되고, 태양광에 의해 생성되는 정공 및 전자가 상기 전기장에 의해 드리프트(drift)되어 각각 P형 반도체층 및 N형 반도체층에서 수집되게 된다. The photoelectric conversion portion 300a is formed of a PIN structure in which a P-type semiconductor layer, an I-type semiconductor layer, and an N-type semiconductor layer are stacked in order. When the photoelectric conversion portion 300a is formed as a PIN structure, the I-type semiconductor layer is depleted by the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer, and an electric field is generated therein. Holes and electrons generated by the electric field are drifted by the electric field to be collected in the P-type semiconductor layer and the N-type semiconductor layer, respectively.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 투명도전층 형성 장비(410)로 이송한 후, 도 4c에서와 같이, 광전변환부(300a) 상에 투명도전층(400a)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the transparent conductive layer forming apparatus 410 along the substrate transfer line 110, and a transparent conductive layer 400a is formed on the photoelectric conversion portion 300a as shown in FIG. 4C.

상기 투명도전층(400a)은 ZnO, ZnO:B, ZnO:Al, Ag와 같은 투명한 도전물질로 형성할 수 있다. 상기 투명도전층(400a)은 생략하는 것도 가능하지만, 태양전지의 효율증진을 위해서는 상기 투명도전층(400a)을 형성하는 것이 바람직하다. 즉, 상기 투명도전층(400a)을 형성하게 되면 상기 광전변환부(300a)를 투과한 태양광이 투명도전층(400a)을 통과하면서 산란을 통해 다양한 각으로 진행하게 되어 후술하는 후면전극층에서 반사되어 광전변환부(300a)로 재입사되는 광의 비율이 증가될 수 있기 때문이다. The transparent conductive layer 400a may be formed of a transparent conductive material such as ZnO, ZnO: B, ZnO: Al, or Ag. Although the transparent conductive layer 400a may be omitted, it is preferable to form the transparent conductive layer 400a in order to improve the efficiency of the solar cell. That is, when the transparent conductive layer 400a is formed, the solar light transmitted through the photoelectric conversion portion 300a passes through the transparent conductive layer 400a and travels at various angles through scattering, The ratio of the light that is re-incident to the conversion unit 300a can be increased.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 후면전극층 형성 장비(510)로 이송한 후, 도 4d에서와 같이, 투명도전층(400a) 상에 후면전극층(500a)을 형성한다. Next, after the substrate is transferred to the rear electrode layer forming equipment 510 along the substrate transfer line 110, a rear electrode layer 500a is formed on the transparent conductive layer 400a as shown in FIG. 4d.

상기 후면전극층(500a)은 Ag, Al, Ag+Mo, Ag+Ni, Ag+Cu 등과 같은 금속으로 형성할 수 있다. The rear electrode layer 500a may be formed of a metal such as Ag, Al, Ag + Mo, Ag + Ni, or Ag + Cu.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 레이저 스크라이빙 장비(610)를 구성하는 제1 레이저 스크라이빙 장비(610a), 제2 레이저 스크라이빙 장비(610b), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(610c)로 순서대로 이송하면서, 도 4e에서와 같이, 제1분리부(250), 콘택부(350), 및 제2분리부(550)를 형성하여, 전면전극(200), 광전변환부(300), 투명도전층(400), 및 후면전극(500)을 완성한다. Next, the substrate is transferred along the substrate transfer line 110 to the first laser scribing apparatus 610a, the second laser scribing apparatus 610b, and the third laser scribing apparatus 610b constituting the laser scribing apparatus 610, 4E, the first separator 250, the contact unit 350 and the second separator 550 are formed while the crys- talline unit 610c is sequentially transferred to the front electrode 200, The photoelectric conversion portion 300, the transparent conductive layer 400, and the rear electrode 500 are completed.

상기 제1분리부(250)는 상기 전면전극(200)을 소정 간격으로 이격시켜 박막 태양전지를 단위셀로 분리하는 역할을 하는 것으로서, 상기 제1분리부(250)는 상기 제1 레이저 스크라이빙 장비(610a)를 이용하여 상기 전면전극층(200a), 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 형성한다. The first separator 250 separates the front electrodes 200 at predetermined intervals to separate the thin-film solar cells into unit cells. The first separator 250 separates the thin- The predetermined area of the front electrode layer 200a, the photoelectric conversion portion 300a, the transparent conductive layer 400a, and the rear electrode layer 500a is removed by using the ice maker 610a.

상기 콘택부(350)는 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하는 연결 통로로서 박막 태양전지의 단위셀 간을 직렬로 연결할 수 있도록 하는 역할을 하는 것으로서, 상기 콘택부(350)는 상기 제2 레이저 스크라이빙 장비(610b)를 이용하여 상기 광전변환부(300a), 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 형성한다.
The contact unit 350 is a connection path for electrically connecting the front electrode 200 and the rear electrode 500. The contact unit 350 serves to connect the unit cells of the thin film solar cell in series, 350 are formed by removing predetermined regions of the photoelectric conversion portion 300a, the transparent conductive layer 400a, and the rear electrode layer 500a using the second laser scribing device 610b.

*상기 제2분리부(550)는 상기 후면전극(500)을 소정 간격으로 이격시켜 박막 태양전지를 단위셀로 분리하는 역할을 하는 것으로서, 상기 제2분리부(550)는 제3 레이저 스크라이빙 장비(610c)를 이용하여 상기 투명도전층(400a) 및 후면전극층(500a)의 소정 영역을 제거하여 형성한다. The second separator 550 separates the thin film solar cell into unit cells by separating the rear electrode 500 at a predetermined interval. The second separator 550 includes a third laser scriber The transparent conductive layer 400a and the rear electrode layer 500a are removed by using the ice maker 610c.

상기 제1분리부(250), 콘택부(350) 및 제2분리부(550)의 형성 순서는 다양하게 변경할 수 있다. 즉, 상기 제1분리부(250), 콘택부(350) 및 제2분리부(550) 중 어느 하나를 먼저 형성하고, 그 이후에 나머지 두 개를 차례로 형성하면 되고, 그에 따라 제1 내지 제3 레이저 스크라이빙 장비(610a, 610b, 610c)의 순서도 적절히 변경한다. The order of forming the first separator 250, the contact 350 and the second separator 550 may be variously changed. That is, any one of the first separator 250, the contact portion 350, and the second separator 550 may be formed first, and then the remaining two may be sequentially formed, 3 Change the sequence of laser scribing equipment 610a, 610b, 610c accordingly.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 절연층 형성 장비(710)로 이송한 후, 도 4f에서와 같이, 상기 제1분리부(250)에 제1절연층(600)을 형성한다. Next, after the substrate is transferred to the insulating layer forming equipment 710 along the substrate transfer line 110, a first insulating layer 600 is formed in the first separator 250 as shown in FIG. 4F.

상기 제1절연층(600)은 단위셀로 분리된 전면전극(200)들이 후술하는 공정에서 서로 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 형성하는 것이다. 구체적으로 설명하면, 후술하는 공정에서는 상기 콘택부(350)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하기 위해서 금속층(700)을 형성하게 되는데, 이때 금속층(700)이 상기 제1분리부(250) 내로 침투하게 되면 단위셀로 분리된 전면전극(200)들이 상기 금속층(700)에 의해 전기적으로 연결되어 쇼트가 발생하게 된다. The first insulating layer 600 is formed to prevent the front electrodes 200 separated into unit cells from being electrically connected to each other in a process described later. A metal layer 700 is formed to electrically connect the front electrode 200 and the rear electrode 500 through the contact portion 350. In this case, The front electrode 200 separated by the unit cell is electrically connected by the metal layer 700 to cause a short circuit.

따라서, 단위셀로 분리된 전면전극(200)들이 금속층(700)에 의해 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해서 금속층(700) 형성 전에 제1분리부(250)에 제1절연층(600)을 형성하는 것이다. In order to prevent the front electrodes 200 separated by the unit cells from being electrically connected by the metal layer 700, a first insulating layer 600 is formed on the first separator 250 before the metal layer 700 is formed .

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 금속층 형성 장비(810)로 이송한 후, 도 4g에서와 같이, 상기 콘택부(350)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하는 금속층(700)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the metal layer forming equipment 810 along the substrate transfer line 110, and then the front electrode 200 and the rear electrode 500 are connected to each other through the contact unit 350 as shown in FIG. 4G. Thereby forming a metal layer 700 to be electrically connected.

상기 금속층(700)은 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결함으로써 박막 태양전지의 단위셀 간을 직렬로 연결하는 것이다. 한편, 상기 제1분리부(250)는 전면전극(200)을 단위셀로 분리하는 것이지만, 공정상 상기 제1분리부(250)에 의해 후면전극(500) 또한 분리되어 이격되며, 이와 같이 제1분리부(250)에 의해 이격된 후면전극(500)을 상기 금속층(700)을 통해 연결함으로써 하나의 단위셀 내에서 후면전극(500) 전체가 전기적으로 연결될 수 있다. The metal layer 700 electrically connects the front electrode 200 and the rear electrode 500 to connect the unit cells of the thin-film solar cell in series. Meanwhile, although the first separator 250 separates the front electrode 200 into unit cells, the rear electrode 500 is also separated from the first separator 250 by the first separator 250, 1 rear electrode 500 separated by the separator 250 are connected to each other through the metal layer 700 so that the entire rear electrode 500 can be electrically connected in one unit cell.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도로서, 이는 소위 탠덤(Tandem)구조의 박막형 태양전지의 제조 시스템의 개략도이다. FIG. 5 is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell according to another embodiment of the present invention, which is a schematic view of a manufacturing system of a thin film solar cell of a so-called tandem structure.

도 5에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템은 광전변환부 형성 장비(310)의 구성을 제외하고 전술한 도 3에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템과 동일하다. 따라서, 동일한 구성에 대해서는 동일한 도면부호를 부여하였고, 동일한 구성에 대한 구체적인 설명은 생략하기로 한다. The manufacturing system of the thin film solar cell according to FIG. 5 is the same as the manufacturing system of the thin film solar cell according to FIG. 3 except the configuration of the photoelectric conversion part forming equipment 310. Therefore, the same reference numerals are assigned to the same components, and a detailed description of the same components will be omitted.

도 5에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템에 따르면, 전면전극층 형성 장비(210), 광전변환부 형성 장비(310), 투명도전층 형성 장비(410), 후면전극층 형성 장비(510), 레이저 스크라이빙 장비(610), 절연층 형성 장비(710), 금속층 형성 장비(810)가 순서대로 배치되며, 상기 장비들이 기판 이송 라인(110) 상에 배치되어 인라인으로 구성되어 있다.
5, the front electrode layer forming equipment 210, the photoelectric conversion unit forming equipment 310, the transparent conductive layer forming equipment 410, the rear electrode layer forming equipment 510, the laser scriber An apparatus 610, an insulating layer forming apparatus 710, and a metal layer forming apparatus 810 are arranged in this order, and the apparatus is arranged on the substrate transfer line 110 to be inline.

*여기서, 상기 광전변환부 형성 장비(310)는, P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b) 및 N형 반도체층 적층 장비(310c)가 순서대로 배치되어 이루어진 제1반도체층 형성장비가 먼저 배치되고, 이어서 버퍼층 형성 장비(310d)가 배치되고, 이어서 P형 반도체층 적층 장비(310e), I형 반도체층 적층 장비(310f) 및 N형 반도체층 적층 장비(310g)가 순서대로 배치되어 이루어진 제2반도체층 형성장비가 배치되어 이루어진다. Here, the photoelectric conversion part forming equipment 310 includes a P-type semiconductor layer laminating device 310a, an I-type semiconductor layer laminating device 310b, and an N-type semiconductor layer laminating device 310c Type semiconductor layer laminating equipment 310f and an N-type semiconductor layer laminating equipment 310g, a semiconductor layer forming equipment 310a, a semiconductor layer forming equipment 310d, ) Are arranged in this order on the first semiconductor layer.

상기 P형 반도체층 적층 장비(310a, 310e), I형 반도체층 적층 장비(310b, 310f), 및 N형 반도체층 적층 장비(310c 310g) 각각은 PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, HWCVD(Hot-Wire Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비 등을 이용할 수 있다. Each of the P-type semiconductor layer laminating apparatuses 310a and 310e, the I-type semiconductor layer laminating apparatuses 310b and 310f and the N-type semiconductor layer laminating apparatuses 310c and 310g may be a PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) (Hot-Wire Chemical Vapor Deposition) equipment, and a sputtering equipment.

상기 버퍼층 형성 장비(310d)는 제1반도체층과 제2반도체층 사이에서 터널접합을 통해 정공 및 전자의 이동을 원활히 하도록 하는 버퍼층을 형성하기 위한 장비로서, MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) 장비, PECVD(Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장비, 스퍼터링(Sputtering) 장비, e빔(e-beam) 증발기(Evaporator) 또는 열적(thermal) 증발기(Evaporator) 등을 이용할 수 있다.The buffer layer forming equipment 310d is a device for forming a buffer layer between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer for facilitating the movement of holes and electrons through tunnel junctions. The buffer layer forming equipment 310 includes MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) A PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) apparatus, a sputtering apparatus, an e-beam evaporator, a thermal evaporator, or the like may be used.

상기 전면전극층 형성 장비(210), 광전변환부 형성 장비(310), 투명도전층 형성 장비(410) 및 후면전극층 형성 장비(510)는 진공상태로 유지되며, 또한, 각각의 장비들(210, 310, 410, 510) 사이의 상기 기판 이송라인(110) 또한 진공상태로 유지될 수 있음은 전술한 도 3에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템과 동일하다.The front electrode layer forming device 210, the photoelectric conversion part forming device 310, the transparent conductive layer forming device 410 and the rear electrode layer forming device 510 are maintained in a vacuum state and the respective devices 210 and 310 410, and 510 may also be maintained in a vacuum state, as in the manufacturing system of the thin film solar cell according to the above-described FIG.

이상과 같은 도 5에 따른 박막형 태양전지의 제조 시스템을 이용한 박막형 태양전지의 제조공정을 도 6a 내지 도 6g를 참조하여 설명하면 다음과 같다. 다만, 전술한 실시예와 동일한 부분에 대한 구체적인 설명은 생략한다. The manufacturing process of the thin film solar cell using the thin film solar cell manufacturing system according to FIG. 5 as described above will be described with reference to FIGS. 6A to 6G. However, the detailed description of the same portions as those of the above-described embodiment will be omitted.

우선, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 전면전극층 형성 장비(210)로 이송한 후, 도 6a에서와 같이, 기판(100) 상에 전면전극층(200a)을 형성한다. First, the substrate is transferred to the front electrode layer forming equipment 210 along the substrate transfer line 110, and then the front electrode layer 200a is formed on the substrate 100 as shown in FIG. 6A.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 광전변환부 형성 장비(310)를 구성하는 P형 반도체층 적층 장비(310a), I형 반도체층 적층 장비(310b), 및 N형 반도체층 적층 장비(310c), 버퍼층 형성 장비(310d), P형 반도체층 적층 장비(310e), I형 반도체층 적층 장비(310f), 및 N형 반도체층 적층 장비(310g)로 순서대로 이송하면서, 도 6b에서와 같이, 전면전극층(200a) 상에 광전변환부(300a)를 형성한다. Next, the substrate is transferred along the substrate transfer line 110 to the P-type semiconductor layer laminating apparatus 310a, the I-type semiconductor layer laminating apparatus 310b, and the N-type semiconductor layer laminating apparatus 310a constituting the photoelectric conversion section forming apparatus 310 Type semiconductor layer stacking equipment 310c, the buffer layer forming equipment 310d, the P-type semiconductor layer stacking equipment 310e, the I-type semiconductor layer stacking equipment 310f and the N-type semiconductor layer stacking equipment 310g. The photoelectric conversion portion 300a is formed on the front electrode layer 200a.

상기 광전변환부(300a)는 제1반도체층(320a), 버퍼층(340a), 및 제2반도체층(360a)로 형성되는데, 이때, 상기 제1반도체층(320a)은 PIN구조의 비정질 반도체물질로 이루어지고, 상기 제2반도체층(360a)은 미세결정질 반도체물질로 이루어질 수 있다. The photoelectric conversion portion 300a is formed of a first semiconductor layer 320a, a buffer layer 340a and a second semiconductor layer 360a. The first semiconductor layer 320a may include a PIN structure amorphous semiconductor material And the second semiconductor layer 360a may be made of a microcrystalline semiconductor material.

상기 비정질 반도체물질은 단파장의 광을 잘 흡수하고 상기 미세결정질 반도체물질은 장파장의 광을 잘 흡수하는 특성이 있기 때문에, 비정질 반도체물질과 미세결정질 반도체물질을 조합하여 광전변환부(300a)를 형성함으로써 광흡수효율이 증진될 수 있다. 또한, 비정질 반도체물질은 장시간 빛에 노출될 경우 열화현상이 가속되는 문제가 있는데, 비정질 반도체물질을 태양광이 입사되는 면에 형성하고 미세결정질 반도체물질을 그 반대면에 형성할 경우 태양전지의 열화를 줄일 수 있는 효과가 있다. 따라서, 태양광이 입사되는 면에서 가까운 제1반도체층(320a)을 비정질 반도체물질로 형성하고, 태양광이 입사되는 면에서 먼 제2반도체층(360a)을 미세결정질 반도체물질로 형성할 수 있다. 다만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 제2반도체층(360a)으로서 비정질 반도체물질, 비정질실리콘/게르마늄 물질 등 다양하게 변경 이용할 수도 있다.Since the amorphous semiconductor material absorbs light having a short wavelength and the microcrystalline semiconductor material absorbs light having a long wavelength, the amorphous semiconductor material and the microcrystalline semiconductor material are combined to form the photoelectric conversion portion 300a The light absorption efficiency can be improved. In addition, there is a problem that the amorphous semiconductor material accelerates the deterioration phenomenon when exposed to light for a long time. When the amorphous semiconductor material is formed on the side where the sunlight is incident and the microcrystalline semiconductor material is formed on the opposite side, Can be reduced. Therefore, the first semiconductor layer 320a closer to the side where the sunlight is incident may be formed of an amorphous semiconductor material, and the second semiconductor layer 360a farther from the side where the sunlight is incident may be formed of a microcrystalline semiconductor material . However, the present invention is not limited thereto, and the second semiconductor layer 360a may be variously modified as amorphous semiconductor material, amorphous silicon / germanium material, or the like.

상기 버퍼층(340a)은 상기 제1반도체층(320a)과 제2반도체층(360a) 사이에 형성되어, 상기 제1반도체층(320a)과 제2반도체층(360a) 사이에서 터널접합을 통해 정공 및 전자의 이동을 원활히 하는 역할을 한다. 즉, 상기 제1반도체층(320a)에서 생성된 전자가 상기 제2반도체층(360a)으로 이동하기 위해서는 상기 제1반도체층(320a) 및 제2반도체층(360a) 사이에서 터널링 과정을 거처야 하며, 이를 위해서 버퍼층(340a)을 형성하는 것이다. 상기 버퍼층(340a)은 ZnO와 같은 투명한 도전물질로 이루어질 수 있다. The buffer layer 340a is formed between the first semiconductor layer 320a and the second semiconductor layer 360a so that the first semiconductor layer 320a and the second semiconductor layer 360a are electrically connected to each other through a tunnel junction, And to facilitate the movement of electrons. That is, in order for electrons generated in the first semiconductor layer 320a to move to the second semiconductor layer 360a, a tunneling process is performed between the first semiconductor layer 320a and the second semiconductor layer 360a For this purpose, the buffer layer 340a is formed. The buffer layer 340a may be formed of a transparent conductive material such as ZnO.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 투명도전층 형성 장비(410)로 이송한 후, 도 6c에서와 같이, 광전변환부(300a) 상에 투명도전층(400a)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the transparent conductive layer forming apparatus 410 along the substrate transfer line 110, and a transparent conductive layer 400a is formed on the photoelectric conversion portion 300a as shown in FIG. 6C.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 후면전극층 형성 장비(510)로 이송한 후, 도 6d에서와 같이, 투명도전층(400a) 상에 후면전극층(500a)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the rear electrode layer forming equipment 510 along the substrate transfer line 110, and then the rear electrode layer 500a is formed on the transparent conductive layer 400a as shown in FIG. 6D.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 레이저 스크라이빙 장비(610)를 구성하는 제1 레이저 스크라이빙 장비(610a), 제2 레이저 스크라이빙 장비(610b), 및 제3 레이저 스크라이빙 장비(610c)로 순서대로 이송하면서, 도 6e에서와 같이, 제1분리부(250), 콘택부(350), 및 제2분리부(550)를 형성하여, 전면전극(200), 광전변환부(300), 투명도전층(400), 및 후면전극(500)을 완성한다. Next, the substrate is transferred along the substrate transfer line 110 to the first laser scribing apparatus 610a, the second laser scribing apparatus 610b, and the third laser scribing apparatus 610b constituting the laser scribing apparatus 610, 6E, the first separator 250, the contact 350 and the second separator 550 are formed while the crys- talline device 610c is sequentially transferred to the front electrode 200, The photoelectric conversion portion 300, the transparent conductive layer 400, and the rear electrode 500 are completed.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 절연층 형성 장비(710)로 이송한 후, 도 6f에서와 같이, 상기 제1분리부(250)에 제1절연층(600)을 형성하고, 상기 콘택부(350)의 양 측면에 제2절연층(650)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the insulating layer forming equipment 710 along the substrate transfer line 110, a first insulating layer 600 is formed on the first separator 250 as shown in FIG. 6F, A second insulating layer 650 is formed on both sides of the contact portion 350.

상기 제1절연층(600)은 단위셀로 분리된 전면전극(200)들이 후술하는 공정에서 금속층(700)에 의해 서로 전기적으로 연결되는 것을 방지하기 위해 형성하는 것임은 전술한 바와 동일하다. The first insulating layer 600 is formed to prevent the front electrodes 200 separated into unit cells from being electrically connected to each other by the metal layer 700 in a process described later.

상기 제2절연층(650)은 후술하는 공정에서 금속층(700)과 버퍼층(340)이 전기적으로 연결되어 쇼트가 발생하는 것을 차단하는 역할을 하는 것이다. 즉, 후공정에서 금속층(700)이 전면전극(200)과 이웃하는 후면전극(500)을 전기적으로 연결시킬 때, 상기 금속층(700)이 상기 광전변환부(300) 내의 투명한 도전물질로 이루어진 버퍼층(340)과 접촉하게 되면 쇼트가 발생하게 되므로, 금속층(700)과 버퍼층(320)이 접촉하는 것을 차단하기 위해서 제2절연층(650)을 형성하는 것이다. The second insulating layer 650 serves to prevent the metal layer 700 and the buffer layer 340 from being electrically connected to each other in a process to be described later. That is, when the metal layer 700 is electrically connected to the rear electrode 500 adjacent to the front electrode 200 in the post-process, the metal layer 700 is electrically connected to the buffer layer made of the transparent conductive material in the photoelectric conversion portion 300, The second insulating layer 650 is formed to prevent the metal layer 700 and the buffer layer 320 from contacting each other.

다음, 기판 이송라인(110)을 따라 기판을 금속층 형성 장비(810)로 이송한 후, 도 6g에서와 같이, 상기 콘택부(350)를 통해 상기 전면전극(200)과 후면전극(500)을 전기적으로 연결하는 금속층(700)을 형성한다. Next, the substrate is transferred to the metal layer forming equipment 810 along the substrate transfer line 110, and then the front electrode 200 and the rear electrode 500 are connected to each other through the contact unit 350, as shown in FIG. 6G. Thereby forming a metal layer 700 to be electrically connected.

100: 기판 110: 기판 이송라인
200: 전면전극 210: 전면전극층 형성 장비
250: 제1분리부 300: 광전변환부
310: 광전변환부 형성 장비 310a, 310e: P형 반도체층 적층 장비
310b, 310f: I형 반도체층 적층 장비 310c, 310g: N형 반도체층 적층 장비
310d: 버퍼층 형성 장비 320: 제1반도체층
340: 버퍼층 360: 제2반도체층
350: 콘택부 400: 투명도전층
410: 투명도전층 형성 장비 500: 후면전극
510: 후면전극층 형성 장비 550: 제2분리부
600: 제1절연층 610: 레이저 스크라이빙 장비
650: 제2절연층 700: 금속층
710: 절연층 형성장비 810: 금속층 형성 장비100: substrate 110: substrate transfer line
200: front electrode 210: front electrode layer forming equipment
250: first separator 300: photoelectric converter
310: Photoelectric conversion part forming equipment 310a, 310e: P-type semiconductor layer laminating equipment
310b, 310f: I-type semiconductor layer laminating equipment 310c, 310g: N-type semiconductor layer laminating equipment
310d: buffer layer forming equipment 320: first semiconductor layer
340: buffer layer 360: second semiconductor layer
350: contact portion 400: transparency layer
410: Transparency layer forming equipment 500: Rear electrode
510: Rear electrode layer forming equipment 550: Second separator
600: first insulating layer 610: laser scriber
650: second insulating layer 700: metal layer
710: Insulation layer forming equipment 810: Metal layer forming equipment

Claims (8)

기판 이송 라인 상에 인라인으로 배치된 전면전극층 형성 장비, 광전변환부 형성 장비, 후면전극층 형성 장비, 및 레이저 스크라이빙 장비를 이용하여 박막형 태양전지를 제조하는 방법에 있어서,
상기 제조 방법은,
기판을 상기 전면전극층 형성 장비로 이송하여 상기 기판 상에 전면전극층을 형성하는 공정;
상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 광전변환부 형성 장비로 이송하여 상기 전면전극층 상에 광전변환부를 형성하는 공정;
상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 후면전극층 형성 장비로 이송하여 상기 광전변환부 상에 후면전극층을 형성하는 공정; 및
상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 상기 레이저 스크라이빙 장비로 이송하여 서로 이격되어 있는 제1 분리부, 콘택부, 및 제2 분리부를 개별적으로 형성하는 공정을 포함하여 이루어진 박막형 태양전지의 제조방법. A method of manufacturing a thin film solar cell using a front electrode layer forming equipment, a photoelectric conversion part forming equipment, a back electrode layer forming equipment, and a laser scriber equipment arranged inline on a substrate transfer line,
In the above manufacturing method,
Transferring a substrate to the front electrode layer forming equipment to form a front electrode layer on the substrate;
Transferring the substrate to the photoelectric conversion portion forming equipment along the substrate transfer line to form a photoelectric conversion portion on the front electrode layer;
Forming a rear electrode layer on the photoelectric conversion unit by transferring the substrate to the rear electrode layer forming equipment along the substrate transfer line; And
And transferring the substrate to the laser scribing apparatus along the substrate transfer line to separately form a first separator, a contact, and a second separator spaced from each other. . 제1항에 있어서,
상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 절연층 형성 장비로 이송한 후, 상기 제1 분리부에 제1 절연층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법. The method according to claim 1,
And transferring the substrate to the insulating layer forming equipment along the substrate transfer line to form a first insulating layer in the first separating unit. 제2항에 있어서,
상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 금속층 형성 장비로 이송한 후, 상기 콘택부에 금속층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법. 3. The method of claim 2,
And transferring the substrate to the metal layer forming equipment along the substrate transfer line to form a metal layer on the contact portion. 제3항에 있어서,
상기 금속층을 형성하는 공정은 상기 제1 분리부에 의해 분리된 후면전극층을 하나의 단위셀 내에서 전기적으로 연결하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. The method of claim 3,
Wherein the step of forming the metal layer electrically connects the rear electrode layers separated by the first separator in one unit cell. 제1항에 있어서,
상기 광전변환부를 형성하는 공정과 상기 후면전극층을 형성하는 공정 사이에 상기 기판을 상기 기판 이송 라인을 따라 투명도전층 형성 장비로 이송한 후, 상기 광전변환부 상에 투명도전층을 형성하는 공정을 추가로 포함하는 박막형 태양전지의 제조방법. The method according to claim 1,
Transferring the substrate to the transparent conductive layer forming equipment along the substrate transfer line between the step of forming the photoelectric conversion unit and the step of forming the rear electrode layer and then forming a transparent conductive layer on the photoelectric conversion unit, Wherein the thin film solar cell comprises a plurality of thin film solar cells. 제1항에 있어서,
상기 광전변환부를 형성하는 공정은,
상기 기판을 P형 반도체층 적층 장비로 이송하여 상기 전면전극층 상에 P형 반도체층을 형성하고, 상기 기판을 I형 반도체층 적층 장비로 이송하여 상기 P형 반도체층 상에 I형 반도체층을 형성하고, 상기 기판을 N형 반도체층 적층 장비로 이송하여 상기 I형 반도체층 상에 N형 반도체층을 형성하는 공정을 포함하는 박막형 태양전지의 제조 방법. The method according to claim 1,
Wherein the step of forming the photoelectric conversion portion comprises:
The substrate is transferred to a P-type semiconductor layer laminating machine to form a P-type semiconductor layer on the front electrode layer, and the substrate is transferred to an I-type semiconductor layer laminating machine to form an I-type semiconductor layer on the P- And transferring the substrate to an N-type semiconductor layer laminating apparatus to form an N-type semiconductor layer on the I-type semiconductor layer. 제1항에 있어서,
상기 제1 분리부, 콘택부, 및 제2 분리부를 형성하는 공정은,
상기 기판을 제1 레이저 스크라이빙 장비로 이송하여 상기 전면전극층, 광전변환부, 및 후면전극층의 소정 영역을 제거하여 상기 제1 분리부를 형성하는 공정,
상기 기판을 제2 레이저 스크라이빙 장비로 이송하여 상기 광전변환부 및 후면전극층의 소정 영역을 제거하여 상기 콘택부를 형성하는 공정, 및
상기 기판을 제3 레이저 스크라이빙 장비로 이송하여 상기 후면전극층의 소정 영역을 제거하여 상기 제2 분리부를 형성하는 공정을 포함하는 박막형 태양전지의 제조 방법. The method according to claim 1,
The step of forming the first separator, the contact, and the second separator may include:
A step of transferring the substrate to a first laser scribing device to form a first separator by removing predetermined regions of the front electrode layer, the photoelectric conversion portion, and the rear electrode layer;
Transferring the substrate to a second laser scribing device to remove a predetermined region of the photoelectric conversion portion and the rear electrode layer to form the contact portion,
And transferring the substrate to a third laser scribing device to remove a predetermined region of the rear electrode layer to form the second separator. 제1항에 있어서,
상기 기판의 이송 공정, 상기 기판 상에 전면전극층을 형성하는 공정, 상기 전면전극층 상에 광전변환부를 형성하는 공정, 및 상기 광전변환부 상에 후면전극층을 형성하는 공정은 진공 상태에서 수행하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법. The method according to claim 1,
A step of forming a front electrode layer on the substrate, a step of forming a photoelectric conversion portion on the front electrode layer, and a step of forming a rear electrode layer on the photoelectric conversion portion are performed in a vacuum state Wherein the method comprises the steps of:
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