KR101518508B1

KR101518508B1 - 액체냉각 발광장치와 엘이디 패키지

Info

Publication number: KR101518508B1
Application number: KR1020080086076A
Authority: KR
Inventors: 이형곤
Original assignee: 이형곤
Priority date: 2008-09-01
Filing date: 2008-09-01
Publication date: 2015-05-11
Also published as: KR20100027249A

Abstract

본 발명은 냉각효율이 향상된 액체냉각 발광장치와 엘이디 패키지에 관한 것으로, 구체적으로는 액체를 냉각매체로 사용하여 엘이디 패키지 표면을 냉각함으로써 엘이디 소자의 신뢰성과 효율성을 향상시켜 주는 액체냉각 발광장치를 제공함에 있어서 특수한 구조와 양태 및 조합으로 제조되는 액체냉각 발광장치와 이를 위한 엘이디 패키지에 관한 것이다. 이를 위해서 본 발명은 특별히 발광장치의 한 요소로 사용되는 엘이디 패키지의 구조와 특성을 특화하여 본 발명을 완성하도록 하였다. 본 발명에 사용되는 엘이디 패키지는 특별히 방열부의 일부분 이상을 집중냉각부로 제조하고 이를 상기 냉각용 액체와 직접 또는 간접적으로 접촉시켜 집중 냉각하는 구조로 이루어져 있다.

액체, 냉각, 엘이디, 히트파이프, 진공, 작동유

Description

액체냉각 발광장치와 엘이디 패키지{LIQUID COOLING LIGHT SOURCE AND LED PACKAGE}

본 발명은 엘이디 소자를 포함하여 구성되는 발광장치에 관한 것으로서 냉각용 액체를 사용하여 냉각효율을 높이기 위해 구성되는 액체냉각 발광장치에 있어서 냉각효율을 극대화하는 구조와 조합으로 이루어지는 액체냉각 발광장치와 이를 위해 특수하게 제작되는 엘이디 패키지에 관한 것이다.

고유가 시대를 맞아 최근 들어 에너지 절약에 관한 제품들이 관심을 받고 있다. 그 중에 엘이디를 이용한 조명은 폭발적인 관심을 끌고 있으며 세계 굴지의 기업들이 이 분야의 기술과 시장을 선도하기 위해 대담한 투자를 아끼지 않고 있다. 뿐만 아니라 LED 발광장치는 수명이 길면서 소비전력을 절약할 수 있다는 점에서 전자분야와 전기분야 및 광고분야 등에서 많이 사용되고 있을 뿐 아니라 최근에는 실내/외 조명, 가로등, 차량용 램프, 광고용 조명 등으로 일상에서 그 활용도가 날로 증대되고 있는 실정이다. LED를 상기와 같은 분야에서 활용하기 위해서는 고출력의 높은 파워의 LED가 요구된다. 이러한 고출력의 LED는 발열이 증대되어 자체온도가 상승되는 현상이 발생한다. 그런데 LED의 성능은 온도 상승에 따라 급격하게 저하되는 문제점이 있기 때문에 LED의 냉각수단은 대단히 중요한 과제로 등장한다. 일반적으로 고출력의 LED 발광장치들은 다수의 LED chip을 포함하여 이루어지고, 이로부터 방출되는 열을 냉각하기 위한 수단으로 사용되는 히트싱크와 전원공급 및 제어수단으로 사용되는 회로기판 등을 포함하여 구성된다. 상기 LED chip 들이 다수 실장된 회로기판을 상기 히트싱크와 접착시켜서 상기 LED chip으로부터 방출되는 열을 상기 회로기판을 통하여 히트싱크로 전달하고 상기 히트싱크에서 방출되도록 하는 구성이 가장 보편적인 고출력 LED발광 장치의 모델이다. 최근에는 상기 냉각효율을 향상시키기 위하여 히트파이프를 냉각수단으로 도입하고 있는 실정이다. 히트파이프는 내부가 진공으로 유지되는 히트파이프의 몸체와 그 내부 진공 중에 주입되어 있는 작동유체로 구성되며, 발열부로부터 상기 작동유체가 증발되면서 열에너지를 흡수하여 응축부에서 열에너지를 방출하는 싸이클을 형성하는 매우 우수한 열전달 매체이다. 이와 같이 히트파이프를 이용한 냉각장치를 사용할 경우에 있어서 가장 중요한 관점은 LED chip으로부터 발생하는 열을 상기 히트파이프로 얼마나 효율적으로 전달할 것이냐 하는 점이다. 더 엄밀히 말하자면 히트파이프 내부의 진공 공간 안에 존재하는 작동유체에까지 얼마나 효율적으로 상기 LED chip으로부터 발생된 열을 전달할 것이냐 하는 점이다. 즉 작동유체에 상기 발생 열에너지가 전달되기 전까지는 히트파이프를 사용하지 않는 경우와 똑 같은 열전달율이 적용되기 때문이다.

결론적으로 본 발명은 상기의 관점으로부터 출발하여 상기 LED chip으로부터 발생되는 열을 상기 히트파이프의 내부공간에 존재하는 작동유체까지 전달함에 있어서, 열전달 효율이 획기적으로 향상된 수단을 제공함으로써 상기 고출력 LED chip 의 온도상승을 방지하여 최적의 발광효율을 유지함은 물론 사용수명연장과 신뢰성 향상 등의 효과를 제공하고자 함에 그 목적이 있는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명의 첫 번째 양태와 같이 적어도 엘이디칩(led chip)의 발광층을 포함하여 이루어지는 엘이디 패키지(led package)와 상기 엘이디 패키지를 하나 이상 실장할 수 있는 pcb, 상기 엘이디칩으로부터 발생되는 열에너지를 흡수하고 이송하기 위한 냉각용 액체, 그리고 내부에 적어도 상기 엘이디 패키지와 냉각용 액체를 구비하고 있는 용기를 포함하여 구성되는 발광장치에 있어서, 상기 엘이디 패키지는 표면의 일부분에 비접착부(NC)와 접착부가 구비되어 있는 것이고, 상기 비접착부(NC)표면 중 적어도 일부분에는 집중냉각부(CC)가 존재하며, 상기 집중냉각부 표면은 냉각용 액체 또는(그리고) 위크(WICK)에 접촉된 상태이고, 상기 집중냉각부(CC)는 상기 비접착부(NC)표면 중에서 적어도 엘이디칩 발광층과 대면하는 표면을 포함하여 이루어지는 것이고, 상기 집중냉각부(CC)표면으로부터 발광층까지의 열저항값(^OC/W)은 접착부(AC)표면으로부 터 상기 발광층까지의 열저항값 평균치보다 작은 것이며, 상기 발광층으로부터 상기 집중냉각부 표면까지의 공간에 존재하는 도전성 접착수지층의 수는 0 또는 1층 이하이고, 상기 도전성 접착수지층의 총 두께는 0 또는 200미크론 이하이며, 상기 냉각용 액체와 접촉되는 집중냉각부(CC)의 총면적(total area)은 적어도 상기led 발광층 면적의 5% 이상인 것이고, 상기 집중냉각부(CC)표면으로부터 상기 엘이디칩(led chip) (최초)발광층까지의 평균거리는 350미크론 이하인 것이며, 상기 집중냉각부 표면에 접촉되어 있는 상기 냉각용 액체층의 두께는 적어도 0.1미크론 이상인 구조를 특징으로 하는 액체냉각 발광장치가 제공된다.

상기에서 집중냉각부 표면까지의 공간에 접착수지층은 존재하지 않는 것이 가장 바람직한 구조이다. 그러나 부득이한 경우에는 이를 1층 이하로 제한한다. 또한 그 접착수지층의 총 두께는 200미크론 이하로 제한한다. 200미크론을 초과하는 경우에는 상기 접착수지층으로 인한 열저항값이 지나치게 커지게 되므로 발광층의 구동 및 성능과 수명에 지장을 초래하게 되며, 종래의 LED구조와 비교할 때 우수한 성능을 기대하기 어려워지게 된다. 이와 같은 집중냉각부와 냉각용 액체를 결합하는 구조에서는 월등한 효과를 기대하게 되는데, 상기와 같이 집중냉각부의 면적이 상기 LED발광층 면적의 5%이하이거나 상기 집중냉각부(CC)표면으로부터 상기 엘이디칩(led chip) (최초)발광층까지의 평균거리가 350미크론 이상일 경우에는, 종래의 것보다 냉각효과는 우수하게 나타날지는 몰라도 원가 상승 등에 대한 충분한 대가를 기대하기 어렵기 때문에 의미가 없게 된다. 상기 냉각용 액체층의 두께가 0.1미크론 이하일 경우에는 엘이디로부터 발생되는 열에 의해 흡열부에서 증발되는 냉 각용 액체의 량에 비해 응축부(방열부)로부터 회귀되는 냉각용 액체의 량이 지나치게 적기 때문에 충분한 냉각기능을 기대하기 어렵게 된다. 상기 냉각용 액체는 중력에 의해서 응축부로부터 상기 흡열부로 회기되는 형태일 수도 있고, 또는 위크에 의한 모세관력에 의해 회기되는 형태일 수도 있는데, 이는 사용용도나 생산원가 등을 고려하여 선택할 수 있는 구조이다. 상기 엘이디 패키지의 집중 냉각부를 구지 비접촉부 중의 일부면에 형성하는 이유는 상기 냉각용 액체가 직접 접촉하여 열을 흡수하도록 하기 위함이다. 상기 비접착부라 함은 상기 pcb기판이나 다른 부속품과 접착되지 않는 부분을 말하며, 상기 접착부라 함은 어떠한 형태로든 상기 pcb기판이나 다른 부속품에 접착되는 부분을 말한다. 상기 위크의 기능은 집중냉각부와 상기 pcb가 이루는 간격 또는(그리고) 용기의 내표면과 엘이디 패키지의 집중냉각부 표면이 이루는 간격에 발생하는 모세관력으로 대치할 수도 있다. 또한 상기 집중냉각부(CC)는 엘이디칩(led chip)의 윗면(출광부)와 밑면 중에서 선택된 한 면 이상에 형성될 수 있다. 양면 모두에 형성되는 양태가 가장 열전도도가 우수하지만, 용도와 사용목적 그리고 각 부품의 구조 및 특성과 형상에 따라서 선택적으로 구성할 수 있다. 위에서 기술한 바와 같이 상기 비접착부라 함은 상기 pcb(인쇄회로기판) 또는 다른 부속품과 접착되지 않는 부분을 지칭하는 것인데, 이 곳은 곧 냉각용 액체나(그리고) 위크와 접촉하는 곳이기도 한 것이다.

상기에서 집중냉각부 CC를 액체로 냉각하는 가장 간단한 형태로서 상기 엘이디 패키지와 용기를 포함하여 구성되는 발광장치 내부를 냉각용 액체로 순환시킴으로써 집중냉각부 CC 표면을 집중적으로 냉각하는 방식이다. 그러나 보다 더 확실하 고 효과적인 냉각을 위해서 상기 용기 내부를 진공상태로 유지시키면서 상기 냉각용 액체를 작동유로서 작용하도록 하는 히트파이프의 원리를 이용하는 것이 바람직한데, 이를 위하여 본 발명의 다른 양태를 따라 상기 용기의 내부는 진공상태로 유지되며, 상기 액매체는 진공분위기 안에 존재하는 것으로서 히트파이프의 작동유인 것을 특징으로 하는 액체냉각 발광장치가 제공된다. 이러한 형태의 것에서는 상기 용기는 히트파이프의 하우징 기능을 담당하게 된다.

상기 발광장치들은 엘이디 패키지의 전극이나 엘이디칩의 표면 일부분 이상이 상기 액체와 접촉되는 형태로 직접적인 노출이 될 수 있으므로 이를 피하기 위해서는 냉각용 액체와 접촉되는 구조의 전극과 엘이디칩 표면은 절연재로 피복되는 것이 바람직하다. 이러한 구성으로서 본 발명의 또 다른 양태로서 상기 엘이디 패키지의 표면에 노출되며 상기 냉각용 액체와 접촉되는 전극 또는(그리고) 엘이디칩은 절연재로 피복된 것이고, 상기 절연재로 피복하기 위한 공정은 건식도금방법과 도포경화법 중에서 선택된 것임을 특징으로 하는 액체냉각 발광장치가 제공된다. 특히 전극 간의 거리가 짧은 경우에는 더욱 그러하다. 절연재 코팅층의 두께는 열저항을 최소로 하기 위해 얇고 치밀한 박막일 수록 냉각효율 측면에서 유리하기 때문에 상기 절연막을 형성하기 위한 방법으로서 건식도금방법(PVD-physical vapor deposition)이 선호될 수 있으나 이에 제한되지는 않으며, 용도와 목적에 따라 수지코팅 방법 등도 이용될 수 있다. 상기 집중냉각부로서 엘이디칩 자체가 노출된 경우에도 필요에 따라 절연막으로 코팅하는 것이 바람직할 하다. 또한 상기 비접착부 표면은 위크 또는 히트싱크 기능을 갖도록 구성할 수도 있다.

상기의 액체냉각 발광장치를 구성하는 필수 구성요소로서 사용되는 엘이디 패키지로서 본 발명의 또 다른 양태를 따라 적어도 하나 이상의 엘이디칩(LED CHIP)을 포함하여 구성되는 엘이디 패키지에 있어서, 상기 엘이디 패키지는 표면의 일부분에 비접착부(NC)와 접착부가 구비되어 있는 것이고, 상기 비접착부(NC)표면 중 적어도 일부분에는 집중냉각부(CC)가 존재하며, 상기 집중냉각부 표면은 냉각용 액체 또는(그리고) 위크(WICK)에 접촉되는 면이고, 상기 집중냉각부(CC)는 상기 비접착부(NC)표면 중에서 적어도 엘이디칩 발광층과 대면하는 표면을 포함하여 이루어지는 것이고, 상기 집중냉각부(CC)표면으로부터 발광층까지의 열저항값(^OC/W)은 접착부(AC)표면으로부터 상기 발광층까지의 열저항값 평균치보다 작은 것이며, 상기 발광층으로부터 상기 집중냉각부 표면까지의 공간에 존재하는 도전성 접착수지층의 수는 0 또는 1층 이하이고, 상기 도전성 접착수지층의 총 두께는 0 또는 200미크론 이하이며, 상기 냉각용 액체와 접촉되는 집중냉각부(CC)의 총면적(total area)은 적어도 상기led 발광층 면적의 5% 이상인 것이고, 상기 집중냉각부(CC)표면으로부터 상기 엘이디칩 (최초)발광층까지의 평균거리는 350미크론 이하인 것을 특징으로 하는 액체냉각용 엘이디 패키지가 제공된다. 상기에서 엘이디칩의 최초발광층이라는 용어에서 짐작하듯이 상기 엘이디칩에는 두 층 이상의 발광층이 포함될 수도 있는 것이다.

상기에서 기술된 엘이디 패키지에 있어서 그 방열특성을 최대로 하기 위해서 본 발명의 또 다른 양태를 따라서 상기 엘이디 패키지는 양면(상면과 하면) 모두에 상기 집중냉각부CC를 구비한 구조임을 특징으로 하는 엘이디 패키지가 제공된다. 상기한 바와 같이 이러한 구조에 있어서는 상면(발광면)의 집중냉각부 또는(그리고) 엘이디칩의 일부 이상에 반사층이 형성될 수도 있을 것이다.

상기와 같이 본 발명에 의하면 발광장치, 특별히 엘이디 발광장치에 있어서 발광층으로부터 발생되는 열에너지를 냉각용 액체를 이용하여 신속하게 제거할 수 있는 효과가 나타나며, 이로 인하여 발광장치의 발광체로 사용되는 요소, 특히 엘이디의 수명연장과 신회성 향상은 물론 단위 엘이디 패키지 당 허용 전력량을 높여서 동일 광량을 얻기 위한 패키지의 수를 줄일 수 있기 때문에 생산단가 절감의 효과 등 매우 다양한 효과를 얻을 수 있다.

실시예 1; 미국 c사의 엘이디 칩1을 서브마운트 겸 반사재3 위에 도전성페이스트 901을 사용하여 실장하였다. 상기 반사재 3의 밑면이 노출되는 형태(도3 참조)로 엘이디 패키지P를 제조하여 pcb(501) 위에 솔더 201, 202 를 사용해 실장함으로써 도 3의 발광장치를 구성하였다.

실시예 2; 미국 c사의 엘이디 칩1을 엘이디 패키지의 전극 겸 방열면 814 위에 도전성페이스트 801을 사용하여 실장하였다. 상기 전극이 비접촉부로서 집중냉각부가 되도록 (도7 참조) 엘이디 패키지P를 제조하여 pcb(501) 위에 솔더 201, 202를 사용해 실장함으로써 도 7의 발광장치를 구성하였다.

실시예 3; pcb기판 중에 상기 엘이디 패키지의 집중냉각부 CC와 대면하는 곳을 포함하도록 쓰루홀(thoughhole)이 형성된 pcb 503을 제작하고, 이 외의 것들은 실시예 1과 같이 하여 도 4의 발광장치를 구성하였다

실시예 4; 집중냉각부 CC에 노출된 반사재 3 중에서 엘이디 칩 1과 대면하는 곳을 포함하도록 쓰루홀(thoughhole)이 형성된 반사재 93을 제작하고, 도전성페이스트 901의 위치를 엘이디칩의 가장자리 위주로 접착된 도전성페이스트 911로 변경하는 것을 제외하고는 실시예 3과 같이 하여 도 5의 발광장치를 구성하였다.

실시예 5; 실시예 4에서 엘이디 패키지 전면에도 추가로 집중냉각부 CC를 형성하여 도 6과 같은 발광장치를 구성하였다.

실시예 6; pcb기판 중에 상기 엘이디 패키지의 집중냉각부 CC와 대면하는 곳을 포함하도록 쓰루홀(thoughhole)이 형성된 pcb 503을 제작하고, 이 외의 것들은 실시예 2와 같이 하여 도 8의 발광장치를 구성하였다

실시예 7; 집중냉각부 CC에 노출된 전극 중에서 엘이디 칩 1과 대면하는 곳을 포함하도록 쓰루홀(thoughhole)이 형성된 전극 713을 제작하고, 도전성페이스트의 위치를 엘이디칩의 가장자리 위주로 접착된 도전성페이스트 701로 변경하는 것 을 제외하고는 실시예 6과 같이 하여 도 9의 발광장치를 구성하였다.

실시예 8; 실시예 7에서 엘이디 패키지 전면에도 추가로 집중냉각부 CC를 형성하여 도 10과 같은 발광장치를 구성하였다. 이러한 구조에 있어서는 당연히 전면에 형성되는 집중냉각부CC 또는(그리고) 엘이디칩의 일부분 이상에는 반사층이 형성되거나 구비될 수 있다.

상기 실시예와 도면에서는 본 발명의 근간이 되는 사상과 원리를 간단히 표현한 것이며, 기능을 다양화하고 조합을 변경하는 방법에 의해 상당한 형태의 발광장치가 제공될 수 있음은 자명하다.

도1; 4층의 열장벽을 갖는 미국C사의 LED 단면구조 (방열면이 전기적으로 독립된 구조)

도2; 3층의 열장벽을 갖는 S사의 LED 단면구조 (방열면이 전극의 일부분인 구조)

도3; 반사재 겸 서브마운트(submount)가 냉각용 액체와(또는) 위크에 직접 접촉되는 LED 단면구조

도4; 반사재 표면으로 냉각용 액체와(또는) 위크가 용이하게 접근할 수 있도록 반사재 표면과 대면하는 PCB 기판의 일부분에 쓰루홀(through hole)을 형성한 단면구조

도5; 반사재의 일부분에 쓰루홀을 형성하여 냉각용 액체와(또는) 위크가 반사재를 통과해서 LED 칩(CHIP)표면과 직접 접촉하도록 구성된 단면구조

도6; LED 패키지의 앞면 쪽에도 집중냉각부 CC가 형성된 LED의 단면구조(앞면 쪽에 위크를 부가할 경우에는 투명한 재료로 구성할 수도 있다)

도7; LED 패키지 전극 겸 방열면이 냉각용 액체와(또는)위크(WICK)와 직접 접촉되는 LED의 단면구조

도8; 전극 겸 방열면 표면으로 냉각용 액체와(또는) 위크가 용이하게 접근할 수 있도록 반사재 표면과 대면하는 PCB 기판의 일부분에 쓰루홀(through hole)을 형성한 단면구조

도9; 전극 겸 방열면의 일부분에 쓰루홀을 형성하여 냉각용 액체와(또는) 위크가 전극 겸 방열면을 통과해서 LED 칩(CHIP)표면과 직접 접촉하도록 구성된 단면구조

도10; LED 패키지의 앞면 쪽에도 집중냉각부 CC가 형성된 LED의 단면구조(앞면 쪽에 위크를 부가할 경우에는 투명한 재료로 구성할 수도 있다)

1;(발광층을 포함하는)엘이디 칩 3;반사재(서브마운트)

5;엘이디 패키지 방열면 7;PCB위의 방열접합부

9,10;PCB위의 전극 11;MCPCB의 메탈코어 13,14;엘이디 패키지의 전극

93;일부분에 쓰루홀(through hole)이 형성된 반사재

111,112;엘이디내부의 전극연결 와이어

201,202;전극 연결용 솔더링 접착부(접착층 AC)

301,302;메탈코어(MC)PCB의 절연층

501;PCB

503;일부분 이상에 쓰루홀(through hole)이 형성된 PCB

701,911;가장자리 위주로 형성된 접착층

713;일부분에 쓰루홀(through hole)이 형성된 엘이디 패키지의 전극

801;엘이디칩과 전극 간의 접착층(열장벽)

813,엘이디 패키지의 전극

814;엘이디 패키지의 전극 겸 방열면

901;엘이디칩과 서브마운트 사이의 접착층(열장벽)

903;서브마운트와 엘이디 패키지 방열면 간의 접착층(열장벽)

905;엘이디 패키지 방열면과 MCPCB접합부 간의 접착층(열장벽)

907;MCPCB접합부와 메탈코어 간의 절연층으로 인한 열장벽

P;엘이디 패키지(ELD PACKAGE)

CC; 집중 냉각부로서 냉각용 액체와(또는) 위크(wick)가 접촉(접근)되는 부분

Claims

적어도 엘이디칩(led chip)의 발광층을 포함하여 이루어지는 엘이디 패키지(led package)와 상기 엘이디 패키지를 하나 이상 실장할 수 있는 pcb, 상기 엘이디칩으로부터 발생되는 열에너지를 흡수하고 이송하기 위한 냉각용 액체, 그리고 내부에 적어도 상기 엘이디 패키지와 냉각용 액체를 구비하고 있는 용기를 포함하여 구성되는 발광장치에 있어서, 상기 엘이디 패키지는 표면의 일부분에 비접착부(NC)와 접착부가 구비되어 있는 것이고, 상기 비접착부(NC)표면 중 적어도 일부분에는 집중냉각부(CC)가 존재하며, 상기 집중냉각부 표면은 냉각용 액체와 위크(WICK) 중에서 하나 이상에 접촉된 상태이고, 상기 집중냉각부(CC)는 상기 비접착부(NC)표면 중에서 적어도 엘이디칩 발광층과 대면하는 표면을 포함하여 이루어지는 것이고, 상기 집중냉각부(CC)표면으로부터 발광층까지의 열저항값(도C/W)은 접착부(AC)표면으로부터 상기 발광층까지의 열저항값 평균치보다 작은 것이며, 상기 발광층으로부터 상기 집중냉각부 표면까지의 공간에 존재하는 도전성 접착수지층의 수는 0 또는 1층 이하이고, 상기 도전성 접착수지층의 총 두께는 0 또는 200미크론 이하이며, 상기 냉각용 액체와 접촉되는 집중냉각부(CC)의 총면적(totalarea)은 적어도 상기 엘이디(led) 발광층 면적의 5% 이상인 것이고, 상기에서 상기 집중냉각부(CC)표면으로부터 발광층 방향으로 이동할 때에 만나게 되는 상기 엘이디칩(led chip) 최초발광층과 집중냉각부표면까지의 평균거리는 350미크론 이하인 것이며, 상기 집중냉각부 표면에 접촉되어 있는 상기 냉각용 액체층의 두께는 적어도 0.1미크론 이상인 구조를 특징으로 하는 액체냉각 발광장치
적어도 엘이디칩(led chip)의 발광층을 포함하여 이루어지는 엘이디 패키지에 있어서, 상기 엘이디 패키지는 표면의 일부분에 비접착부(NC)와 접착부가 구비되어 있는 것이고, 상기 비접착부(NC)표면 중 적어도 일부분에는 집중냉각부(CC)가 존재하며, 상기 집중냉각부 표면은 냉각용 액체와 위크(WICK) 중에서 하나 이상에 접촉되는 면이고, 상기 집중냉각부(CC)는 상기 비접착부(NC)표면 중에서 적어도 엘이디칩 발광층과 대면하는 표면을 포함하여 이루어지는 것이고, 상기 집중냉각부(CC)표면으로부터 발광층까지의 열저항값(도C/W)은 접착부(AC)표면으로부터 상기 발광층까지의 열저항값 평균치 보다 작은 것이며, 상기 발광층으로부터 상기 집중냉각부 표면까지의 공간에 존재하는 도전성 접착수지층의 수는 0 또는 1층 이하이고, 상기 도전성 접착수지층의 총 두께는 0 또는 200미크론 이하이며, 상기 냉각용 액체와 접촉되는 집중냉각부(CC)의 총면적(total area)은 적어도 상기 엘이디(led) 발광층 면적의 5% 이상인 것이고, 상기 집중냉각부(CC)표면으로부터 발광층 방향으로 이동할 때에 만나게 되는 상기 엘이디칩 최초발광층과 집중냉각부표면까지의 평균거리는 350미크론 이하인 것을 특징으로 하는 액체냉각용 엘이디 패키지
삭제
삭제
삭제