KR101518423B1 - 양자점 형성방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 양자점 형성방법에 관한 것으로, 반도체 기판상에 상기 반도체 기판과 격자상수가 다른 제 1 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 박막에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑하여 보이드(void)를 생성하는 단계; 및 상기 제 1 박막에 열처리하여 상기 보이드(void) 주변에 양자점을 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
양자점, 격자상수, 보이드
Description
본 발명은 양자점 형성방법에 관한 것으로, 특히 격자상수가 다른 박막에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑하는 방법으로 보이드(void)를 생성하고, 이 보이드(void)에 열처리를 하여 양자점을 형성함으로써, 온도에 따라 균일한 양자점을 생성할 수 있는 양자점 형성방법에 관한 것이다.
양자점(Quantum Dot)은 나노미터의 크기를 가지며, 벌크(Bulk) 상태와는 다른 우수한 광학적, 자기적 및 전기적 특성을 가지므로, 소자의 크기를 소형화하면서도 고기능화할 수 있는 장점이 있어 널리 사용되고 있다.
이러한 양자점을 형성하는 방법은 포토 리소그래피를 이용한 선택성장방법과 화학적 처리방법 및 박막의 격자상수차이를 이용한 양자점 자발형성방법이 있다.
그런데, 일반적으로 포토 리소그래피를 이용한 선택성장방법은 양자점 사이의 간격이 포토 리소그래피 기술에 의해 결정되므로 양자점의 밀도가 매우 낮으며, 소자 응용 시에 원하는 성능을 얻기 어렵다는 문제가 있다.
또한, 자발형성방법 중 화학적 처리방법으로 콜로이드용액 등을 이용한 양자 점 형성방법은 양자점에 위치한 콜로이드용액을 증발시키고, 발생된 불순물을 제거하기 위한 후처리 과정이 요구되어 공정이 복잡해지는 문제가 있다.
한편, 박막의 격자상수차이를 이용한 양자점 자발형성방법이 있는데, 그 중 하나인 Stranski-Krastanov(S-K) 성장법은 일정한 조건을 만족하는 경우에만 이용가능하여 적용범위가 제한되며 양자점의 크기 제어가 어렵다는 문제가 있다. 즉, 반도체 기판 위에 반도체 기판과 격자상수의 차가 일정한 값 이상 되는 박막을 증착시켜야만 하고, 또한 박막의 두께가 두꺼워야만 하므로 적용되는 범위에 한계가 있었다.
본 발명은 상기의 문제를 해결하기 위한 것으로, 특히 격자상수가 다른 제 1 박막을 형성하고, 제 1 박막에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 이용하여 스트레인(Strain)을 형성함으로써, 반도체 기판과 제 1 박막 간에 격자상수 차이의 대소에 관계없이 양자점을 생성할 수 있는 양자점 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 보이드(void)에 열처리하여 양자점을 생성함으로써, 열처리 온도에 따라 양자점의 크기가 결정되므로 양자점을 이용하고자 하는 디바이스에 따라 적합한 크기의 양자점을 생성할 수 있는 양자점 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
마지막으로, 본 발명의 다른 실시예에 따르면, 제 1 박막에 도핑되는 원소의 농도에 따라 보이드(void)의 크기를 조절하여 제 1 박막에 형성되는 양자점의 개수, 크기 또는 간격을 제어할 수 있는 양자점 형성방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위해 본 발명의 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 반도체 기판상에 상기 반도체 기판과 격자상수가 다른 제 1 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 박막에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑하여 보이드(void)를 생성하 는 단계; 및 상기 제 1 박막에 열처리하여 상기 보이드(void) 주변에 양자점을 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 반도체 기판상에 에피택셜 층을 형성하는 단계; 상기 에피택셜 층 상에 상기 에피택셜 층과 격자상수가 다른 제 1 박막을 형성하는 단계; 상기 제 1 박막에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑하여 보이드(void)를 생성하는 단계; 및 상기 제 1 박막에 열처리하여 상기 보이드(void) 주변에 양자점을 생성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 반도체 기판에 스트레인(Strain)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 제 1 박막이 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나이거나, Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 SiO4 - 가 결합한 화합물이거나 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 AlO2 - 가 결합한 화합물이거나 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 AlO3 3 - 가 결합한 화합물인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 상기 희토류 원소는 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴 Nd(60), 프 로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 흘뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 루테튬(Lu) 및 이들의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 상기 Ⅳ족 원소가 하프늄(Hf) 또는 지르코늄(Zr)인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 상기 에피택셜 층이 Gallium Arsenide(GaAs), Gallium Phosphide(GaP), Lithium Tantalate(LiTa), Lithium Niobate(LiN), Indium Arsenide(InAs), Indium Phosphide(InP), Silicon Carbide(SiC), Germanium(Ge), Gallium Antimonide(GaSb) 및 Iron Silecides(FeSi2) 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 상기 제 1 박막이 CVD, ALD 및 PVD 중 어느 하나를 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 상기 열처리가 RTP(Rapid Thermal Processor)를 이용하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 상기 열처리가 700℃ 내지 900℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 상기 반도체 기판이 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 및 이들의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 양자점 형성방법은, 격자상수가 다른 제 1 박막을 형성하고 제 1 박막에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 이용하여 스트레인(Strain)을 형성함으로써, 반도체 기판과 제 1 박막 간에 격자상수 차이의 대소에 관계없이 양자점을 생성할 수 있는 효과를 제공한다.
본 발명에 따른 양자점 형성방법은, 보이드(void)에 열처리하여 양자점을 생성함으로써, 열처리 온도에 따라 양자점의 크기가 결정되므로 양자점을 이용하고자 하는 디바이스에 따라 적합한 크기의 양자점을 생성할 수 있는 효과를 제공한다.
마지막으로, 본 발명의 다른 실시예에 따른 양자점 형성방법은, 제 1 박막에 도핑되는 원소의 농도에 따라 보이드(void)의 크기를 조절하여 제 1 박막에 형성되는 양자점의 개수, 크기 또는 간격을 제어할 수 있는 효과를 제공한다.
첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1 및 도 2는 본 발명의 실시예에 따른 양자점 형성방법을 도시하는 순서도이고, 도 3은 이의 모식도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하여 각 단계별로 상세히 설명한다.
먼저, 도 1에 도시된 바와 같이, 반도체 기판(10)상에 반도체 기판(10)과 격자상수가 다른 제 1 박막(30)을 형성하는 단계(S10)를 수행한다.
이때 다른 실시예에 의하면, 도 2 및 도 3에 도시된 바와 같이, 반도체 기 판(10)상에 에피택셜 층(20)을 형성(S110)한 후, 제 1 박막을 형성하는 단계(S120)를 수행할 수 있다.
반도체 기판(10)은 실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 및 이들의 조합 중 어느 하나일 수 있고, 에피택셜 층(20)은 Gallium Arsenide(GaAs), Gallium Phosphide(GaP), Lithium Tantalate(LiTa), Lithium Niobate(LiN), Indium Arsenide(InAs), Indium Phosphide(InP), Silicon Carbide(SiC), Germanium(Ge), Gallium Antimonide(GaSb) 및 Iron Silecides(FeSi2) 중 어느 하나일 수 있다.
반도체 기판(10) 상에 에피택셜 층(20)을 형성하는 경우, 반도체 기판(10)과 에피택셜 층(20)간의 결정구조의 차이로 스트레인(Strain)(25)이 형성된다.
다음으로, 에피택셜 층(20) 상에 에피택셜 층(20)과 격자상수가 다른 제 1 박막(30)을 형성하는 단계(S120)를 수행한다.
제 1 박막(30)은 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나이거나, Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 SiO4 - 가 결합한 화합물이거나 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 AlO2 - 가 결합한 화합물이거나 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 AlO3 3 - 가 결합한 화합물일 수 있다.
에피택셜 층(20)과 격자상수가 다른 제 1 박막(30)은 CVD(Chemical Vapor Deposition), ALD(Atomic Layer Deposition) 및 PVD(Physical Vapor Deposition) 중 어느 하나를 이용하여 형성시킬 수 있다. 상기 방법은 박막을 형성시킬 때 이용되는 재료(Hf, Zr 등)의 상태에 따라 다른데, 증착시킬 화합물을 가스 형태로 제공하면 CVD, ALD 법을 이용하고, 고체 상태일 경우에는 PVD 증착법을 이용할 수 있다. PVD 증착법으로는 스퍼터링(Sputtering), 전자빔증착법(E-beam evaporation), 열증착법(Thermal evaporation), 레이저분자빔증착법(L-MBE, Laser Molecular Beam Epitaxy), 펄스레이저증착법(PLD, Plused Laser Deposition) 등이 있다.
한편 이때, 반도체 기판(10)에 에피택셜 층(20)을 형성하여 스트레인을 형성하지 않는 경우에는, 가압 등의 방법으로 스트레인(Strain)(25)이 형성된 반도체 기판을 이용할 수도 있는데, 이 경우에는 스트레인이 형성된 반도체 기판에 바로 제 1 박막(30)을 증착시킬 수 있다.
다음으로, 제 1 박막(30)에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑(doping)하여 보이드(void)(40)를 생성하는 단계(S130)를 수행한다.
희토류 원소(rare-earth metal)는 스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴 Nd(60), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 흘뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 루테튬(Lu) 및 이들의 조합 중 어느 하나일 수 있다.
Ⅳ족 원소는 특히, 하프늄(Hf) 또는 지르코늄(Zr)일 수 있다.
스트레인(25)이 형성된 에피택셜 층(20)에 에피택셜 층(20)과 격자상수가 다른 제 1 박막(30)에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑할 경우, 격자상수의 차이 로 인해 제 1 박막(30)에서는 스트레인(Strain)이 형성되어 보이드(void)가 생성된다.
격자상수가 다른 박막을 증착하는 경우 박막의 원자들은 반도체 기판의 원자와 배열을 맞추려한다. 이때, 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑할 경우, 이러한 영향으로 반도체 기판과 박막에는 스트레인(Strain)이 형성되어 보이드(void)가 생성된다.
마지막으로, 제 1 박막(30)에 열처리하여 보이드(void)(40) 주변에 양자점(50)을 생성하는 단계(S140)를 수행한다.
제 1 박막(30)에 열처리를 하면, 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소의 도핑으로 변형이 일어난 보이드(void)(40)에서는 열처리로 인한 스트레인(strain)이 생겨 양자점(50)을 생성하게 된다. 즉, 열처리로 인해 스트레인이 생기고, 제 1 박막에서는 이러한 스트레인을 견디지 못하고 솟아올라 양자점을 생성할 수 있다.
이때, 열처리는 700℃ 내지 900℃의 온도에서 수행할 수 있다.
제 1 박막(30)에 열처리를 하면 보이드(void)(40)주변의 작은 입자들이 양자점(50)을 형성시키는데, 이렇게 형성된 양자점(50)은 도 4 내지 도 9에 도시된 바와 같이 열처리 온도에 따라 그 크기가 결정된다.
이러한 실시예에 의하면, 보이드(void)에 열처리하여 양자점을 생성함으로써, 열처리 온도에 따라 양자점의 크기가 결정되므로 양자점을 이용하고자 하는 디바이스에 따라 적합한 크기의 양자점을 생성할 수 있는 효과를 제공한다.
열처리 공정으로 RTP(Rapid Thermal Processor)법을 이용할 수 있는데, N2 atmosphere 에서 RTP를 이용하여 열처리할 수 있다.
보다 구체적으로 양자점 형성방법에 대해 예를 들면, Si 기판 상에 Gd2O3 로 형성된 제 1 박막을 증착시키고, 제 1 박막에 Zr을 주입시키는 것으로 양자점을 형성할 수 있는데, 이에 대해 이하 설명한다.
먼저, Standard Radio Corporation of America (RCA) method를 이용하여 클리닝한 n-type Si 반도체 기판(10)을 준비한다.
다음으로, Si 반도체 기판(10)에 Ge로 된 에피택셜 층(20)을 형성한다. SixGe1-x 합급은 Si 반도체 기판(10) 위에 LPCVD(저압화학기상증착법)로 형성한다. 이때, Ge는 30%(x=0.7)로 설정할 수 있다(S110).
이 위에 PVD 방법으로 제 1 박막(30)인 Gd2O3를 증착시킨다(S120). Gd2O3 박막은 k-cell effusion 방법으로 증착시킬 수 있다. 이때, 증착 간 oxygen의 partial pressure는 2.0 × 10-6Torr를 유지시킬 수 있다.
다음으로, Gd2O3 박막에 Ⅳ족 원소인 Zr을 주입시킨다(S130). Zr을 Gd2O3 박막에 주입시키기 위해 Electron Beam Evaporation 방법을 사용할 수 있다. Zr을 주입하면 Gd0 .6Zr1 .9O4 .3 박막에 보이드(void)가 형성된다. 도 4는 상기와 같은 방법으로 생성된 보이드(void)를 AFM(atomic force microscope)로 나타낸 것이다.
다음으로, Gd0 .6Zr1 .9O4 .3 박막에 열처리(S140)를 하면, 도 5에 도시된 바와 같이 Gd0.6Zr1.9O4.3 박막 표면의 보이드(void) 주변에서 양자점이 형성된다.
Gd0 .6Zr1 .9O4 .3 박막에서 양자점의 크기는 열처리 온도에 의해 결정되는데, 도 5는 열처리 온도가 700 ℃일 경우이고, 도 6은 열처리 온도가 800 ℃일 경우이다.
30nm 두께의 Gd0 .6Zr1 .9O4 . 3박막에 대해 열처리 온도에 따른 양자점의 크기에 대한 mean roughness 값과 RMS roughness 값을 다음 표와 같다.
[표 1] Gd0 .6Zr1 .9O4 . 3박막에서 온도에 따른 양자점의 크기
| Gd0 .6Zr1 .9O4 .3 |
RMS(nm) |
| As-grown |
2.8 |
| 700 ℃ |
7.7 |
| 800 ℃ |
5.3 |
상기 표에서 알 수 있듯이, 특정 온도 즉, 700℃ 및 800℃ 열처리 후 양자점은 특정 RMS roughness 값을 가지므로, 열처리 온도에 따라 양자점의 크기가 결정되므로 양자점을 이용하고자 하는 디바이스에 따라 적합한 크기의 양자점을 생성할 수 있다.
한편, 양자점은 주입되는 Zr의 양에 따라서도 그 크기가 달라질 수 있는데, 이는 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같다. 도 8에서 (a)는 Gd2O3 에 25%의 Zr을 주입, (b)는 Gd2O3에 25%의 Zr을 주입시킨 후, 700℃에서 열처리, (c)는 Gd2O3에 25%의 Zr을 주입시킨 후, 800℃에서 열처리, (d) Gd2O3에 25%의 Zr을 주입시킨 후, 900℃에서 열처리한 것을 도시하는 예시도이다(1㎛×1㎛).
도 9에서 (a)는 Gd2O3 에 70%의 Zr을 주입, (b)는 Gd2O3에 70%의 Zr을 주입시킨 후, 700℃에서 열처리, (c)는 Gd2O3에 70%의 Zr을 주입시킨 후, 800℃에서 열처리, (d) Gd2O3에 70%의 Zr을 주입시킨 후, 900℃에서 열처리한 것을 도시하는 예시도이다(1㎛×1㎛).
본원발명의 이러한 실시예에 따르면, 제 1 박막에 도핑되는 원소의 농도에 따라 보이드(void)의 크기를 조절하여 양자점의 개수, 크기 또는 간격을 제어할 수 있는 효과를 제공한다.
아울러 본 발명의 바람직한 실시예들은 예시의 목적을 위해 개시된 것이며, 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가 등이 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 등은 이하의 특허청구의 범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 양자점 형성방법을 도시하는 순서도.
도 2는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 양자점 형성방법을 도시하는 순서도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 양자점 형성방법을 도시하는 모식도.
도 4는 제 1 박막에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑하여 보이드(void)가 형성되는 것을 도시하는 예시도.
도 5는 제 1 박막에 열처리(700℃)를 하여 양자점이 형성되는 것을 도시하는 예시도.
도 6은 제 1 박막에 열처리(800℃)를 하여 양자점이 형성되는 것을 도시하는 예시도.
도 7은 제 1 박막에 주입하는 Zr의 양에 따른 양자점의 크기를 도시하는 그래프.
도 8은 반도체 기판에 Gd2O3으로 증착한 제 1 박막에 25%의 Zr을 주입하여 형성한 보이드(void)를 도시하는 예시도.
도 9는 반도체 기판에 Gd2O3으로 증착한 제 1 박막에 70%의 Zr을 주입하여 형성한 보이드(void)를 도시하는 예시도.
< 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 >
10 : 반도체 기판 20 : 에피택셜 층
25 : 스트레인(Strain) 30 : 제 1 박막
40 : 보이드(void) 50 : 양자점(quantum dot)
Claims (11)
- 반도체 기판상에 상기 반도체 기판과 격자상수가 다른 제 1 박막을 형성하는 단계;상기 제 1 박막에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑하여 보이드(void)를 생성하는 단계; 및상기 제 1 박막에 열처리하여 상기 보이드(void) 주변에 양자점을 생성하는 단계를 포함하고,상기 제 1 박막은,Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나이거나, Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 SiO4- 가 결합한 화합물이거나 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 AlO2 - 가 결합한 화합물이거나 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 AlO3 3- 가 결합한 화합물인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
- 반도체 기판상에 에피택셜 층을 형성하는 단계;상기 에피택셜 층 상에 상기 에피택셜 층과 격자상수가 다른 제 1 박막을 형성하는 단계;상기 제 1 박막에 희토류 원소 또는 Ⅳ족 원소를 도핑하여 보이드(void)를 생성하는 단계; 및상기 제 1 박막에 열처리하여 상기 보이드(void) 주변에 양자점을 생성하는 단계를 포함하고,상기 제 1 박막은,Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나이거나, Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 SiO4- 가 결합한 화합물이거나 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 AlO2 - 가 결합한 화합물이거나 Al2O3, HfO2, ZrO2, TiO2, La2O3, Y2O3, Gd2O3, Ta2O5 중 어느 하나와 AlO3 3- 가 결합한 화합물인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 기판은,스트레인(Strain)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
- 삭제
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 희토류 원소는,스칸듐(Sc), 이트륨(Y), 란탄(La), 세륨(Ce), 프라세오디뮴(Pr), 네오디뮴 Nd(60), 프로메튬(Pm), 사마륨(Sm), 유로퓸(Eu), 가돌리늄(Gd), 테르븀(Tb), 디스프로슘(Dy), 흘뮴(Ho), 에르븀(Er), 툴륨(Tm), 이테르븀(Yb), 루테튬(Lu) 및 이들의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 Ⅳ족 원소는,하프늄(Hf) 또는 지르코늄(Zr)인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
- 제 2 항에 있어서, 상기 에피택셜 층은,Gallium Arsenide(GaAs), Gallium Phosphide(GaP), Lithium Tantalate(LiTa), Lithium Niobate(LiN), Indium Arsenide(InAs), Indium Phosphide(InP), Silicon Carbide(SiC), Germanium(Ge), Gallium Antimonide(GaSb) 및 Iron Silecides(FeSi2) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 박막은,CVD(Chemical Vapor Deposition), ALD(Atomic Layer Deposition) 및 PVD(Physical Vapor Deposition) 중 어느 하나를 이용하여 형성시키는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 열처리는,RTP(Rapid Thermal Processor)를 이용하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 열처리는,700℃ 내지 900℃의 온도에서 수행하는 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 반도체 기판은,실리콘(Si), 게르마늄(Ge) 및 이들의 조합 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 양자점 형성방법.
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