KR101513245B1 - 반도체 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 결정화 방법 - Google Patents

반도체 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 결정화 방법 Download PDF

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Abstract

비정질 실리콘의 국부적인 결정화가 가능한 결정화 장치를 개시한다. 결정화 장치는 외부로부터 발열 소스를 제공받아 열을 발산하는 발열부, 발열부를 지지하고, 발열 소스를 발열부로 제공하는 지지부, 및 발열부를 내부에 수납하고, 복수의 개구부가 형성되어 열을 대상물에 제공하는 롤러를 포함한다. 따라서, 기판의 손상없이 국부적으로 결정화를 할 수 있다.

Description

반도체 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 결정화 방법{SEMICONDUCTOR CRYSTALLIZATION APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING THEREOF AND METHOD OF CRYSTALLIZING USING THE SAME}
본 발명은 반도체 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 반도체 결정화 방법에 관한 것으로, 특히 비정질 실리콘의 국부적인 결정화가 가능한 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 결정화 방법에 관한 것이다.
액정 표시 장치는 전계 생성 전극을 각각 구비하는 두 기판과 두 기판 사이에 위치하는 액정을 포함한다. 액정 표시 장치는 두 전계 생성 전극에 전압을 인가하여 전기장을 생성하고, 전기장을 이용하여 액정을 구동함으로써 외부로부터 제공되는 광의 투과율을 조절한다. 액정 표시 장치는 광의 투과율을 이용하여 화상을 표시한다. 이러한 액정 표시 장치는 스위칭 소자인 박막 트랜지스터를 구비한다.
박막 트랜지스터는 폴리 실리콘으로 이루어진 반도체층을 포함할 수 있다. 폴리 실리콘을 이용한 박막 트랜지스터는 전하 이동도가 높고, 응답 속도가 빠르며, 온도와 광에 대한 안정성이 우수하다.
폴리 실리콘은 고상 결정화(Solid Phase Crystallization) 방법, 금속 유도 결정화(Metal Induced Crystallization) 방법 및 엑시머 레이저 어닐링(Excimer Laser Annealing) 방법 등을 이용함으로써 비정질 실리콘을 결정화하여 형성할 수 있다. 이러한 결정화 방법은 고온에서 진행되므로 비정질 실리콘이 형성된 기판이 고온에서 변형될 경우 폴리 실리콘을 형성하기 어렵다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 기판의 손상 없이 국부적으로 결정화가 가능한 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 결정화 방법를 제공하는 것이다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 결정화 장치는 외부로부터 발열 소스를 제공받아 열을 발산하는 발열부, 상기 발열부를 지지하고, 상기 발열 소스를 상기 발열부로 제공하는 지지부 및 상기 발열부를 내부에 수납하고, 복수의 개구부가 형성되어 상기 열을 대상물에 제공하는 롤러를 포함한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 다른 결정화 장치는 롤러, 상기 롤러의 외면에 구비되며, 외부의 전원을 제공받아 열을 발산하는 복수의 발열부 및 상기 롤러의 외면에 배열되어 상기 복수의 발열부에 상기 전원을 공급하는 전원 라인을 포함한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 결정화 장치의 제조 방법은 다음과 같다. 우선, 복수의 개구부가 형성된 마스크를 롤 형태로 감아 롤러를 형성하고, 외부로부터 발열 소스를 공급받는 지지부에 상기 발열 소스를 공급받아 열을 발산하는 복수의 발열부를 결합한다. 다음, 상기 발열부들을 상기 롤러 내에 삽입하여 결정화 장치를 형성한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 다른 결정화 장치의 제조 방법은 다음과 같다. 우선, 외면에 전원 라인이 형성된 롤러를 준비하고, 전원을 공급받아 열을 발산하는 복수의 발열부를 필름에 형성한다. 다음, 상기 발열부들이 형성된 필름을 상기 롤러에 결합하여 결정화 장치를 형성한다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명에 따른 결정화 방법은 다음과 같다. 우선, 기판에 비정질 실리콘층을 형성하고, 상기 비정질 실리콘층을 패터닝하여 복수의 비정질 실리콘 패턴을 형성한다. 다음, 상기 기판 위에 결정화 장치를 배치하고, 상기 결정화 장치를 이용하여 상기 복수의 비정질 실리콘 패턴을 선택적으로 가열하여 결정화한다.
상술한 결정화 장치에 따르면, 연성의 기판 위에 형성된 비정질 실리콘에 국부적으로 열을 공급하여 상기 비정질 실리콘을 결정화할 수 있다.
상술한 결정화 장치의 제조 방법에 따르면, 국부적으로 열을 공급하여 비정질 실리콘을 결정화할 수 있는 결정화 장치를 제조할 수 있다.
상술한 결정화 방법에 따르면, 롤러를 포함하는 결정화 장치를 이용하여 비정질 실리콘을 결정화하여 표시 기판의 제조시 롤투롤 공정으로 결정화를 할 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 결정화 장치, 이의 제조 방법 및 이를 이용한 결정화 방법에 대한 실시 예를 상세하게 설명한다. 상술한 본 발명이 해결하고자 하는 과제, 과제 해결 수단 및 효과는 첨부된 도면과 관련된 실시 예들을 통해서 용이하게 이해될 것이다. 본 발명은 여기서 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다양한 형태로 응용되어 변형될 수도 있다. 아래의 실시 예들은 본 발명에 의해 개시된 기술 사상을 보다 명확히 하고, 나아가 본 발명이 속하는 분야에서 평균적인 지식을 가진 당업자에게 본 발명의 기술 사상이 충분히 전달될 수 있도록 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명의 범위가 후술될 실시 예들로 인해 한정되는 것으로 해석되어서는 안 될 것이다. 한편, 도면은 명확한 설명을 위해 일부가 간략하거나 과장되게 표현되었다. 도면에 표현된 동일한 참조 번호는 동일한 구성 요소를 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 결정화 장치를 나타내는 도면이다. 도 2는 도 1에 도시된 지지부와 발열부를 도시한 도면이다.
도 1 및 도 2을 참조하면, 결정화 장치(10)는 지지부(30), 발열부(20), 및 롤러(40)를 포함한다.
상기 지지부(30)는 원기둥 형상으로 이루어지며, 외부로부터 발열 소스를 공급받는다. 예를 들어, 상기 지지부(30)는 외면에 배열된 제1 전원 라인(31)과 제2 전원 라인(32)을 구비하여 상기 발열 소스로 각각 제1 전원과 제2 전원을 공급받는다. 상기 제1 전원 라인(31)과 상기 제2 전원 라인(32)은 상기 발열부(20)의 양 단부와 연결된다. 상기 지지부(30)는 상기 전원을 공급받기 위해 외부의 전원 공급 장치와 전기적으로 연결될 수 있다. 이러한 상기 지지부(30)의 외면에는 하나 이상의 상기 발열부(20)가 배치된다.
상기 발열부(20)는 상기 지지부(30)의 외면에 하나 이상이 직렬 또는 병렬로 연결되어 배치된다. 상기 발열부(20)는 전류 경로를 형성하기 위해 양 단부가 상기 제1 전원 라인(31)과 상기 제2 전원 라인(32)에 연결된다. 또한, 상기 발열부(20)는 상기 지지부(30)의 외면으로부터 돌출하는 형상으로 이루어진다. 예를 들어, 상기 발열부(20)는 팁(tip) 형상을 이루는 와이어로 형성된다. 또한, 상기 발열부(20)는 상기 제1 전원과 상기 제2 전원을 입력받아 열을 발산하는 도전 물질로 이루어진다. 상기 발열부(20)는 텅스텐(W), 니켈-크롬(Ni-Cr), 백금(Pt), 텅스텐실리사이드(WSi2), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨실리사이드(TaSi2), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴실리사이드(MoSi2), 코발트실리사이드(CoSi2) 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 발열부(20)는 전구의 필라멘트와 같은 텅스텐 와이어로 이루어지며, 상기 제1 전원과 상기 제2 전원을 공급받아 광을 생성한다. 상기 발열부(20)는 상기 광을 이용하여 대상물에 열을 제공한다.
한편, 상기 발열부(20)는 복수의 분사구가 형성된 파이프로 이루어질 수 있다. 상기 발열부(20)는 발열 소스로 고온의 가스를 공급받아 상기 복수의 분사구로 상기 가스를 방출한다. 상기 발열부(20)는 상기 고온의 가스에 의해 손상되지 않는 재질로 이루어질 수 있다.
또 한편, 상기 발열부(20)는 발열 소스로 상기 제1 전원과 상기 제2 전원을 공급받아 펄스 레이저를 방사하는 램프로 이루어질 수도 있다. 이와 같이, 발열 소스는 고온으로 발산될 수 있는 소스 중에서 제한없이 선택적으로 사용될 수 있다.
상기 롤러(40)는 회전이 가능한 원기둥 형상으로 이루어지며, 내부에 상기 지지부(30)와 상기 발열부(20)를 수납한다. 상기 롤러(40)는 상기 발열부(20)로부터 발산되는 열을 견딜 수 있는 재질로 이루어진다. 예를 들어, 상기 롤러(40)는 텅스텐(W), 니켈-크롬(Ni-Cr), 및 백금(Pt) 등으로 이루어질 수 있다. 상기 롤러(40)는 상기 발열부(20)로부터 발산되는 열이 외부로 방출되는 복수의 개구부(45)를 포함한다.
상기 개구부들(45)은 상기 롤러(40)의 외면을 관통하여 상기 롤러(40)의 내부를 노출한다. 상기 개구부들(45)은 소정의 간격으로 배열되며, 대상물에 상기 열을 국부적으로 공급하기 위해 소정의 면적으로 형성된다. 예를 들어, 상기 개구부들(45)은 약 10㎛2 ~ 2000㎛2의 면적으로 형성되어 박막 트랜지스터의 채널 영역에 해당하는 비정질 실리콘을 열처리한다. 이때, 상기 채널 영역의 비정질 실리콘은 상기 열처리에 의해 결정화되어 다결정 실리콘으로 형성된다.
상기 개구부들(45)에는 상기 발열부(20)가 각각 대응하여 위치할 수 있다. 상기 개구부들(45) 각각에 상기 발열부(20)가 배치되어 효과적으로 열을 방출할 수 있다. 또한, 상기 개구부들(45)의 면적이 매우 작은 경우 하나당 소정 개수의 상기 개구부들(45)을 커버하도록 상기 발열부(20)를 배치할 수도 있다.
이러한, 상기 결정화 장치(10)는 다음과 같은 방법으로 제조할 수 있다. 우 선, 벤딩이 가능한 플레이트의 마스크에 소정의 패턴으로 배치되는 상기 개구부들(45)을 형성한다. 다음, 상기 마스크를 롤(roll) 형태로 감아 고정하여 상기 롤러(40)를 형성한다. 다음, 상기 지지부(30)에 복수의 상기 발열부(20)를 결합한다. 상기 발열부(20)는 텅스텐(W), 니켈-크롬(Ni-Cr), 백금(Pt), 텅스텐실리사이드(WSi2), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨실리사이드(TaSi2), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴실리사이드(MoSi2), 코발트실리사이드(CoSi2) 중 어느 하나를 포함하여 팁 형상의 와이어로 형성한다. 상기 제1 전원 라인(31)과 상기 제2 전원 라인(32)에 양단부가 전기적으로 연결되도록 상기 발열부(20)를 상기 지지부(30)에 결합한다. 다음, 상기 발열부(20)가 결합된 상기 지지부(30)를 상기 롤러(40) 내에 삽입하여 상기 결정화 장치(10)를 형성한다. 이때, 상기 개구부들(45) 각각에 대응하여 상기 발열부(20)가 위치하도록 상기 롤러(40) 내에 상기 지지부(30)를 삽입한다. 또한, 상기 개구부들(45)의 면적이 매우 작은 경우에는 하나당 소정 개수의 상기 개구부들(45)을 커버할 수 있도록 상기 발열부(20)를 적절히 배치할 수도 있다.
이하에서는 도 3 및 도 4를 참조하여 본 발명의 다른 실시 예에 따른 결정화 장치를 설명한다. 도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 결정화 장치를 나타내는 도면이다. 도 4는 도 3에 도시된 결정화 장치의 일부를 확대하여 도시한 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 결정화 장치(50)는 롤러(60)와 복수의 발열부(70)를 포함한다.
상기 롤러(60)는 회전이 가능한 원기둥 형상으로 이루어지며, 외부로부터 각각 제1 전원과 제2 전원을 공급받는 복수의 제1 전원 라인(81)과 복수의 제2 전원 라인(82)이 외면에 배열된다. 또한, 상기 롤러(60)는 상기 제1 전원 라인들(81)과 상기 제2 전원 라인들(82)에 연결되어 전원을 공급하는 외부의 전원 공급 장치와 전기적으로 연결된다. 상기 롤러(60)는 외면에 상기 제1 전원 라인들(81)과 상기 제2 전원 라인들(82)에 전기적으로 연결되는 상기 복수의 발열부(70)를 구비한다.
상기 발열부들(70)은 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 박막으로 이루어져 상기 롤러(60)의 외면에 구비된다. 구체적으로 상기 발열부들(70)은 도 4에 도시된 바와 같이 상기 제1 전원 라인들(81)과 상기 제2 전원 라인들(82)에 병렬로 연결되며, 상기 롤러(60)의 외면에 일정한 간격으로 배치된다. 상기 발열부들(70)은 상기 제1 전원 라인들(81)과 상기 제2 전원 라인들(82)로부터 각각 상기 제1 전원과 상기 제2 전원을 공급받아 열을 발산한다.
상기 발열부들(70)은 상기 제1 전원과 상기 제2 전원을 입력받아 열을 발산하는 도전 물질로 이루어진다. 상기 발열부들(70)은 텅스텐(W), 니켈-크롬(Ni-Cr), 백금(Pt), 텅스텐실리사이드(WSi2), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨실리사이드(TaSi2), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴실리사이드(MoSi2), 코발트실리사이드(CoSi2) 중 어느 하나를 포함하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 발열부들(70)은 상기 텅스텐(W)으로 이루지며, 상기 제1 전원과 상기 제2 전원으로 광을 생성한다. 상기 발열부들(70)은 상기 광을 이용하여 대상물에 열을 제공한다.
상기 결정화 장치(50)는 상기 롤러(60)의 외면에 구비되어 상기 발열부 들(70)과 인접하게 배치되는 복수의 방열 패드(95)를 더 포함할 수 있다. 상기 방열 패드들(95)은 상기 발열부들(70)에서 발생하는 열이 측면으로 발산되는 것을 막아주고, 상기 발열부들(70)들이 상기 대상물과의 접촉으로 손상되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 결정화 장치(50)는 상기 롤러(60)의 외면에 형성된 복수의 홈에 각각 상기 발열부들(70)을 배치할 수도 있다.
이러한, 상기 결정화 장치(50)는 다음과 같은 방법으로 제조할 수 있다. 우선, 상기 롤러(60)를 준비한다. 상기 롤러(60)의 외면에는 전도성 물질을 사용하여 상기 제1 전원 라인들(81)과 상기 제2 전원 라인들(82)을 형성한다. 다음, 얇은 필름에 소정의 간격으로 배치되는 상기 복수의 발열부(70)를 형성한다. 상기 발열부들(70)은 텅스텐(W), 니켈-크롬(Ni-Cr), 백금(Pt), 텅스텐실리사이드(WSi2), 탄탈륨(Ta), 탄탈륨실리사이드(TaSi2), 몰리브덴(Mo), 몰리브덴실리사이드(MoSi2), 코발트실리사이드(CoSi2) 중 어느 하나를 포함하여 박막 형태로 형성한다. 상기 발열부들(70)은 평면적으로 볼때 원형, 타원형, 다각형 중 어느 하나의 형상으로 형성한다. 또한, 상기 발열부들(70)에 인접하도록 상기 방열 패드들(95)을 더 형성한다. 상기 방열 패드들(95)은 상기 발열부들(70)보다 저항이 낮은 금속으로 상기 발열부들(70)을 감싸도록 형성할 수 있다. 다음, 상기 발열부들(70)이 형성된 필름을 상기 롤러(60)에 결합하여 상기 결정화 장치(50)를 형성한다. 여기서, 상기 발열부들(70)이 상기 제1 전원 라인들(81)과 상기 제2 전원 라인들(82)에 전기적으로 연결되도록 상기 롤러(60)와 상기 필름을 결합한다.
이하에서는 도 5 내지 도 9를 참조하여 본 발명의 일 실시 예에 따른 결정 화 방법을 상세하게 설명한다. 도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 결정화 방법을 이용하여 표시 기판을 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 결정화 방법으로 형성된 표시 기판을 나타내는 단면도이다. 도 7 내지 도 9는 도 5에 설명된 결정화 방법을 설명하기 위해 도시한 도면들이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 결정화 방법은 박막 트랜지스터의 비정질 실리콘을 결정화하여 다결정 실리콘으로 만들기 위한 표시 기판의 제조 방법에서 이루어지므로, 박막 트랜지스터를 포함하는 표시 기판의 제조 방법을 참조하여 설명한다.
우선, 플라스틱과 같은 연성의 물질로 이루어진 기판(101) 위에 게이트 금속을 증착하고, 포토리소그래피 공정으로 상기 게이트 금속을 패터닝한다. 이에 따라, 상기 기판(101) 위에서 일방향으로 연장하는 복수의 게이트 라인 및 상기 복수의 게이트 라인에서 각각 분기하는 복수의 게이트 전극(111)을 포함하는 게이트 패턴군을 형성한다(S10).
다음, 상기 기판(101)과 상기 게이트 패턴군 위에 질화실리콘(SiNx) 및 산화실리콘(SiOx) 중 어느 하나의 물질을 증착하여 상기 게이트 패턴군을 절연하는 절연층(121)을 형성한다(S20).
다음, 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition: 이하, CVD)법으로 상기 절연층(121) 위에 비정질 실리콘을 증착하여 비정질 실리콘층을 형성한다(S30).
다음, 상기 포토리소그래피 공정으로 상기 비정질 실리콘층을 패터닝하여 상기 복수의 게이트 전극(111)과 중첩하는 복수의 비정질 실리콘 패턴을 형성한 다(S40).
다음, 도 7 내지 도 9에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 비정질 실리콘 패턴(131)이 형성된 상기 기판(101) 위에 결정화 장치(200)를 배치한다(S50). 도 7 및 도 8에 도시된 바와 같이 상기 결정화 장치(200)는 복수의 개구부(250)를 포함하는 롤러(210), 상기 롤러(210)의 내부에 수납되며, 외부로부터 발열 소스를 공급받아 열을 발산하는 하나 이상의 발열부(300) 및 상기 발열부들(70)을 지지하고 상기 발열부(300)에 상기 발열 소스를 공급하는 지지부(30)를 포함한다. 상기 발열부(300)는 팁 형상의 도전 물질로 이루어지며, 상기 발열 소스로 전원을 공급받아 빛을 생성하여 열을 발산한다. 또한, 상기 발열부(300)는 복수의 분사구가 형성되며, 상기 발열 소스로 고온의 가스를 공급받는 파이프들로 형성될 수 있다. 또한, 상기 발열부(300)는 상기 발열 소스로 전원을 공급받아 펄스 레이저를 방사하는 램프들로 형성될 수도 있다.
한편, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 결정화 장치(200)는 외면에 복수의 제1 전원 라인과 복수의 제2 전원 라인이 배열된 롤러(210) 및 상기 롤러(210)의 외면에서 돌출하여 원형, 타원형 및 다각형 중 어느 하나의 형상으로 이루어진 복수의 발열부(300)를 포함할 수 있다. 또한, 상기 결정화 장치(200)는 상기 발열부들(300)의 측면으로 발산되는 열을 제한하기 위해 상기 발열부들(300)에 인접하여 배치된 방열 패드(400)를 더 포함할 수 있다. 상기 발열부들(300)은 발열 소스로 전원을 공급받아 열을 발산한다.
다음, 도 8 및 도 9에 도시된 공정을 통하여 복수의 비정질 실리콘 패 턴(131)을 결정화 하여 반도체층(135)을 형성한다(S60). 구체적으로 도 8에 도시된 바와 같이 상기 비정질 실리콘 패턴들(131) 위에 배치된 상기 롤러(210)를 회전시켜 상기 비정질 실리콘 패턴들(131)과 중첩하도록 상기 개구부들(250)을 배치한다. 상기 롤러(210) 내에는 상기 발열부(300)가 상기 개구부들(250)에 대응하도록 위치한다. 상기 개구부들(250)과 상기 비정질 실리콘 패턴들(131)을 정렬한 후 상기 롤러(210)를 고정한다. 다음, 상기 발열부(300)에 전원을 공급한 후 상기 발열부(300)로부터 생성된 열을 상기 개구부들(250)을 통해 상기 비정질 실리콘 패턴들(131)에 공급한다. 상기 발열부(300)는 예컨대, 약 2분 ~ 5분의 시간동안 상기 비정질 실리콘 패턴들(131)에 상기 열을 공급할 수 있다. 상기 비정질 실리콘 패턴들(131)은 상기 열을 공급받아 다결정 실리콘으로 결정화되어 반도체층(135)을 형성한다. 이처럼, 상기 결정화 장치(200)는 상기 기판(101)에 손상을 주지 않고, 국부적으로 상기 비정질 실리콘 패턴들(131)을 결정화할 수 있다.
한편, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 복수의 비정질 실리콘 패턴(131) 위에 복수의 발열부(300)가 형성된 상기 롤러(210)을 회전시켜 상기 비정질 실리콘 패턴들(131)에 중첩하도록 상기 발열부들(300)을 배치한다. 상기 발열부들(300)은 상기 롤러(210)의 외부면에 소정의 간격으로 서로 이격하여 위치한다. 상기 발열부들(300)과 상기 비정질 실리콘 패턴들(131)을 정렬한 후 상기 롤러(250)를 고정한다. 다음, 상기 발열부들(300)에 전원을 공급한 후 상기 발열부들(300)로부터 생성된 열을 상기 비정질 실리콘 패턴들(131)에 공급한다. 상기 비정질 실리콘 패턴들(313)은 상기 열을 공급받아 다결정 실리콘으로 결정화되어 반도체층(135)을 형 성할 수 있다.
다음, 상기 반도체층(135) 위에 데이터 금속을 증착한 후 포토리소그래피 공정으로 패터닝하여 상기 게이트 라인과 교차하는 데이터 라인, 상기 데이터 라인으로부터 분기하는 소스 전극(141), 상기 소스 전극(141)과 이격되어 상기 반도체층(135)을 통해 전기적으로 연결되는 드레인 전극(143)을 포함하는 데이터 패턴군을 형성한다(S70).
다음, 상기 절연층(121), 상기 반도체층(135) 및 상기 데이터 패턴군 위에 유기물 또는 무기물을 증착하여 보호층(150)을 형성하고, 상기 드레인 전극(143)과 중첩하는 상기 보호층(150)의 일부를 식각하여 상기 드레인 전극(143)의 일부를 노출하는 컨택홀(155)을 형성한다(S80).
다음, 투명한 도전 물질로 이루어지며, 상기 컨택홀(155)을 통해 상기 드레인 전극(143)과 접촉하는 화소 전극(160)을 상기 보호층(150) 위에 형성한다(S90).
본 발명의 일 실시 예에 따른 결정화 방법은 상술한 표시 장치의 제조 방법으로만 한정되는 것은 아니고, 국부적으로 비정질 실리콘을 결정화하기 위한 다양한 부분에 적용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 결정화 장치를 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 지지부와 발열부를 도시한 도면이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 결정화 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 결정화 장치의 일부를 확대하여 도시한 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시 예에 따른 결정화 방법을 이용하여 표시 기판을 제조하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 6은 본 발명의 일 실시 예에 따른 결정화 방법으로 형성된 표시 기판을 나타내는 단면도이다.
도 7 내지 도 9는 도 5에 도시된 결정화 방법을 설명하기 위해 도시한 도면들이다.

Claims (21)

  1. 외부로부터 발열 소스를 제공받아 열을 발산하는 발열부;
    상기 발열부를 지지하고, 상기 발열 소스를 상기 발열부로 제공하는 지지부; 및
    상기 발열부를 내부에 수납하고, 복수의 개구부가 형성되어 상기 열을 대상물에 제공하는 롤러를 포함하고,
    상기 발열부는 상기 개구부들 각각에 구비되어 상기 개구부들을 통해 열을 발산하는 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 지지부는 상기 발열 소스로서 상기 발열부에 전원을 공급하는 전원 라인을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 장치.
  3. 제2 항에 있어서,
    상기 발열부는 상기 전원 라인에 양단부가 연결되는 팁 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 장치.
  4. 삭제
  5. 제3 항에 있어서,
    상기 발열부는 텅스텐, 니켈-크롬 합금, 및 백금 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 장치.
  6. 제1 항에 있어서,
    상기 발열부는 복수의 분사구가 형성된 파이프로 이루어지며, 상기 발열 소스로서 가스를 공급받아 분사하는 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 장치.
  7. 제1 항에 있어서,
    상기 발열부는 램프로 이루어지며, 상기 발열 소스로서 전원을 공급받아 펄스 레이저를 방사하는 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 장치.
  8. 삭제
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 복수의 개구부가 형성된 마스크를 롤 형태로 감아 롤러를 형성하는 단계;
    외부로부터 발열 소스를 공급받는 지지부에 상기 발열 소스를 공급받아 열을 발산하는 복수의 발열부를 결합하는 단계; 및
    상기 복수의 발열부가 상기 복수의 개구부에 각각 구비되도록 상기 롤러 내에 상기 지지부에 결합된 상기 복수의 발열부를 삽입하는 단계를 포함하는 반도체 결정화 장치의 제조 방법.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 지지부에 상기 발열 소스로서 전원을 공급하는 전원 라인을 형성하고, 상기 발열부들은 팁 형상으로 형성되어 상기 전원 라인에 양단부가 연결되는 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 장치의 제조 방법.
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 기판에 비정질 실리콘층을 형성하는 단계;
    상기 비정질 실리콘층을 패터닝하여 복수의 비정질 실리콘 패턴을 형성하는 단계;
    상기 기판 위에 결정화 장치를 배치하는 단계; 및
    상기 결정화 장치를 이용하여 상기 복수의 비정질 실리콘 패턴을 선택적으로 가열하여 결정화하는 단계를 포함하고,
    상기 결정화 장치는 외부로부터 발열 소스를 제공받아 열을 발산하는 발열부, 상기 발열부를 지지하고, 상기 발열 소스를 상기 발열부로 제공하는 지지부, 및 상기 발열부를 내부에 수납하고, 복수의 개구부가 형성되어 상기 열을 대상물에 제공하는 롤러를 포함하고, 상기 발열부는 상기 개구부들 각각에 구비되어 상기 개구부들을 통해 열을 발산하는 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 방법.
  17. 삭제
  18. 제16 항에 있어서, 상기 결정화하는 단계는,
    상기 롤러를 회전시키는 단계;
    상기 복수의 개구부를 상기 복수의 비정질 실리콘 패턴에 중첩하여 고정하는 단계; 및
    상기 복수의 비정질 실리콘 패턴에 열을 공급하여 결정화하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 방법.
  19. 삭제
  20. 삭제
  21. 제16 항에 있어서,
    상기 기판은 연성의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 결정화 방법.
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