KR101506291B1 - Semiconductor light emitting device, manufacturing method of the same and backlight unit comprising the same - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 반도체 발광소자에 있어서, 제1 도전부와 제2 도전부를 포함하며, 상면, 하면, 전면, 후면, 좌측면 및 우측면을 가지는 육면체 형태로 형성되는 금속 기판; 제1 전극이 제1 도전부의 상면에 접합되고, 제2 전극이 제2 도전부의 상면에 접합되도록 금속 기판의 상면에 고정되는 반도체 발광소자 칩; 금속 기판의 상면 위에서 반도체 발광소자 칩의 둘레를 둘러싸도록 형성되는 반사부; 및 반사부의 상면 및 반도체 발광소자 칩의 상면을 덮도록 형성되는 봉지부;로서, 반도체 발광소자 칩으로부터의 빛이 봉지부를 통해 방출되는 봉지부;를 포함하며, 제1 도전부 및 제2 도전부는 금속 기판의 상면을 기준으로 반도체 발광소자 칩의 반대 방향으로 뻗어 있고, 금속 기판의 둘레면(전면, 후면, 좌측면 및 우측면)은 절단면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자에 관한 것이다. The present disclosure relates to a semiconductor light emitting device comprising: a metal substrate including a first conductive portion and a second conductive portion and formed in a hexahedron shape having an upper surface, a lower surface, a front surface, a rear surface, a left surface, and a right surface; A semiconductor light emitting device chip having a first electrode bonded to the upper surface of the first conductive portion and a second electrode bonded to the upper surface of the second conductive portion; A reflective portion formed on the upper surface of the metal substrate so as to surround the periphery of the semiconductor light emitting device chip; And an encapsulating portion formed to cover the upper surface of the reflecting portion and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip, wherein the encapsulating portion emits light from the semiconductor light emitting device chip through the encapsulating portion, (Front, rear, left, and right sides) of the metal substrate are cut surfaces, the metal substrate extending in a direction opposite to the semiconductor light emitting device chip with respect to the upper surface of the metal substrate.

Description

반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 제조방법 및 반도체 발광소자를 포함하는 백라이트 유닛{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF THE SAME AND BACKLIGHT UNIT COMPRISING THE SAME} Technical Field [0001] The present invention relates to a semiconductor light emitting device, a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, and a backlight unit including a semiconductor light emitting device. BACKGROUND ART [0002]

본 발명은 반도체 발광소자, 반도체 발광소자의 제조방법 및 반도체 발광소자를 포함하는 백라이트 유닛에 관한 것으로, 특히 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛에 적용될 수 있는 반도체 발광소자 및 반도체 발광소자의 제조방법, 그리고 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a semiconductor light emitting device, a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, and a backlight unit including the semiconductor light emitting device. More particularly, the present invention relates to a semiconductor light emitting device and a method of manufacturing a semiconductor light emitting device applicable to a side view type backlight unit, View type backlight unit.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

액정표시장치는 소형, 경량화 및 저소비전력 등 여러 장점을 갖는 디스플레이 장치로서, 이동통신단말기용 액정표시장치, 노트북 PC용 모니터, 데스크탑 PC용 모니터 뿐만 아니라 및 대형 평판 TV 등 다양한 용도로 사용되고 있다.The liquid crystal display device has various advantages such as small size, light weight and low power consumption, and is used for various purposes such as a liquid crystal display for a mobile communication terminal, a monitor for a notebook PC, a monitor for a desktop PC, and a large flat TV.

도 1은 종래의 탑 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a schematic view of a conventional liquid crystal display device having a top view type backlight unit. 2 is a schematic view of a conventional liquid crystal display device having a side view type backlight unit.

액정표시장치는 액정패널(10)과 백라이트 유닛(30)을 포함한다. 액정표시장치에 포함되는 액정패널(10)은 대부분은 외부에서 들어오는 빛의 양을 조절하여 화상을 표시하는 수광성 소자로 구성되기 때문에, 액정표시장치는 액정패널(10)에 광을 조사하기 위한 백라이트 유닛(30)을 필요로 한다. A liquid crystal display device includes a liquid crystal panel (10) and a backlight unit (30). Since the liquid crystal panel 10 included in the liquid crystal display device is mostly composed of a light-receiving device that displays an image by adjusting the amount of light coming from the outside, the liquid crystal display device has a structure in which a liquid crystal panel 10 A backlight unit 30 is required.

백라이트 유닛(30)은 액정패널(10)에 광을 제공하고, 제공된 광은 액정패널(10)을 투과하게 된다. 이때, 액정패널(10)은 빛의 투과율을 조절하여 화상을 구현하게 된다. 백라이트 유닛(30)은 광원 어셈블리(35)를 포함하며, 광원 어셈블리(40)의 배치형태에 따라 탑 뷰(top view) 방식과 사이드 뷰(side view) 방식으로 구분될 수 있다. The backlight unit 30 provides light to the liquid crystal panel 10, and the provided light is transmitted through the liquid crystal panel 10. At this time, the liquid crystal panel 10 adjusts the transmittance of light to realize an image. The backlight unit 30 includes a light source assembly 35 and can be divided into a top view mode and a side view mode depending on the arrangement of the light source assembly 40. [

도 1에 나타낸 것과 같이, 탑 뷰 방식의 경우, 회로기판(31)과 다수의 광원(33)을 포함하는 광원 어셈블리(35)가 액정패널(10)의 배면에 배치되고, 다수의 광원(33)으로부터 발광된 빛이 확산판(25)을 거쳐 직접적으로 전방의 액정패널(10)로 제공된다. 도 2에 나타낸 것과 같이, 사이드 뷰 방식의 경우, 회로기판(31)과 다수의 광원(33)을 포함하는 광원 어셈블리(35)가 빛을 안내하는 도광판(45)의 측면에 배치되고, 액정패널(10)의 배면에 배치되는 도광판(45)이 도광판(45)의 측면으로 들어온 빛을 액정패널(10)을 향해 전방으로 가이드하는 방식으로 광을 제공한다. 사이드 뷰 방식은 탑 뷰 방식에 비해 빛의 균일성이 좋고, 내구 수명이 길며, 액정표시장치를 얇게 구성하는데 유리한 등 여러 장점을 가진다. 1, a light source assembly 35 including a circuit board 31 and a plurality of light sources 33 is disposed on the back surface of the liquid crystal panel 10, and a plurality of light sources 33 Is supplied to the front liquid crystal panel 10 directly through the diffusion plate 25. [ 2, in the case of the side view type, the light source assembly 35 including the circuit board 31 and the plurality of light sources 33 is disposed on the side of the light guide plate 45 for guiding light, The light guide plate 45 disposed on the back surface of the light guide plate 10 provides light in a manner that guides the light that has entered the side surface of the light guide plate 45 toward the liquid crystal panel 10 forward. The side view method has many advantages such as uniformity of light, long life span, and advantageous construction of a thin liquid crystal display device as compared with the top view method.

광원 어셈블리에 사용되는 광원으로는 EL(electro luminescence), CCFL(cold cathode fluorescent lamp), HCFL(hot cathode fluorescent lamp), 반도체 발광소자 등이 사용될 수 있다. 이 중 반도체 발광소자는 소비전력이 낮으며 발광 효율이 뛰어난 장점을 가지고, 정보통신기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 적합함에 따라, 점차 사용이 증가하고 있다. As the light source used in the light source assembly, electro luminescence (EL), cold cathode fluorescent lamp (CCFL), hot cathode fluorescent lamp (HCFL), and semiconductor light emitting element can be used. Among them, the semiconductor light emitting device has advantages such as low power consumption and excellent luminous efficiency, and its use is gradually increasing as it is suitable for the trend of miniaturization and slimming of information communication equipment.

특히, 휴대폰 등과 같은 이동통신 단말기의 경우, 슬림화 추세에 따라 더욱 얇은 두께의 액정표시장치가 요구됨에 따라, 액정표시장치의 슬림화에 유리한 반도체 발광소자를 광원으로 사용하는 사이드 뷰 방식의 광원 어셈블리가 주로 사용되고 있다. Particularly, in the case of a mobile communication terminal such as a mobile phone, a slimmer liquid crystal display device is required, and therefore, a side view type light source assembly using a semiconductor light emitting element, which is advantageous for slimming down a liquid crystal display, .

반도체 발광소자를 광원으로 사용하고 사이드 뷰 방식으로 광원 어셈블리를 구성하여 상당히 슬림화된 액정표시장치가 구현되고 있지만, 더욱 슬림한 액정표시장치에 대한 요구가 여전히 존재한다. 이러한 요구를 충족시키기 위해, 1mm 이하, 나아가 0.5mm 이하의 두께의 광원 어셈블리가 필요한 실정이다. A liquid crystal display device that is considerably slimmer is realized by using a semiconductor light emitting device as a light source and a light source assembly by a side view method, but there is still a demand for a slimmer liquid crystal display device. In order to meet such a demand, a light source assembly having a thickness of 1 mm or less, more preferably 0.5 mm or less is required.

도 3은 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛의 일 예를 나타낸 도면으로서, 광원 어셈블리(35)는 도광판(45)의 측면(41)과 마주하도록 세워서 배치되는 회로기판(31) 및 도광판(45)의 측면을 향해 빛을 발하도록 회로기판(31)에 고정되는 광원(33)을 구비한다. 광원(33)은 반도체 발광소자 패키지 형태로 구성되어, 반도체 발광소자 칩(34) 및 반도체 발광소자 칩(34)을 수용하는 캐비티(36)를 구비하는 하우징(37)을 포함한다. 이러한 구조에서, 회로기판(31)의 폭이 광원 어셈블리(35)의 요구되는 두께보다 작아야 한다는 점과 반도체 발광소자 칩(34)의 가로와 세로 중 어느 하나의 치수가 적어도 0.2mm 정도인 것을 고려하면, 이와 같은 구조의 광원 어셈블리(35)를 1mm 정도의 두께로 구현하는 것도 쉽지 않다는 것을 알 수 있을 것이다. The light source assembly 35 includes a circuit board 31 and a light guide plate 45 which are disposed so as to face the side surface 41 of the light guide plate 45, And a light source 33 fixed to the circuit board 31 to emit light toward the side surface of the circuit board 31. The light source 33 is formed in the form of a semiconductor light emitting device package and includes a housing 37 having a cavity 36 for receiving the semiconductor light emitting device chip 34 and the semiconductor light emitting device chip 34. In this structure, it is considered that the width of the circuit board 31 should be smaller than the required thickness of the light source assembly 35, and that the dimension of either the width or the length of the semiconductor light emitting device chip 34 is at least about 0.2 mm It is not easy to realize the light source assembly 35 having such a structure with a thickness of about 1 mm.

도 4는 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛의 다른 일 예를 나타낸 도면으로서, 광원 어셈블리(35)는 도광판(45)의 측면(41)과 수직을 이루도록 눕혀서 배치되는 회로기판(31), 회로기판(31)에 위에 고정되는 광원(33), 및 광원(33)에서 출사된 빛이 도광판(45)의 측면(41)을 향해 입사하도록 반사시키는 반사체(38)를 구비한다. 광원(33)은 반도체 발광소자 칩 형태로 구비된다. 이러한 구조는, 회로기판(31)을 눕혀서 배치함에 따라 회로기판(31)의 폭에 의한 제약을 배제하고, 광원으로 사용되는 반도체 발광소자 칩의 두께가 가로 및 세로 치수보다 작은 것을 이용하여, 광원 어셈블리(35)를 얇게 구성하고자 한 것이다. 그러나, 반도체 발광소자 칩 형태의 광원(33)의 출사면이 도광판(45)의 측면(41)과 수직으로 놓임에 따라, 반도체 발광소자 칩에서 출사된 빛을 도광판(45)의 측면(41)으로 가이드 하기 위한 반사체(38)가 필요하다. 이러한 반사체(38)는 광원 어셈블리(35)의 두께를 증가시키는 요인이 되며, 따라서 이와 같은 구조의 광원 어셈블리(35)를 얇게 구성하는 것에도 한계가 있는 실정이다. 4 is a view showing another example of a conventional side view type backlight unit. The light source assembly 35 includes a circuit board 31 which is laid down so as to be perpendicular to the side surface 41 of the light guide plate 45, And a reflector 38 for reflecting the light emitted from the light source 33 so as to be incident on the side surface 41 of the light guide plate 45. [ The light source 33 is provided in the form of a semiconductor light emitting device chip. In this structure, by limiting the width of the circuit board 31 by disposing the circuit board 31 on its side, the thickness of the semiconductor light-emitting device chip used as the light source is smaller than the width and the longitudinal dimension, So that the assembly 35 is made thin. The light emitted from the semiconductor light emitting device chip is incident on the side surface 41 of the light guide plate 45 as the exit surface of the light source 33 in the form of the semiconductor light emitting device chip is placed perpendicular to the side surface 41 of the light guide plate 45, A reflector 38 is required for guiding the light emitted from the light source to the light source. Such a reflector 38 is a factor for increasing the thickness of the light source assembly 35, and therefore, there is a limit to the construction of the light source assembly 35 having such a structure.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 반도체 발광소자에 있어서, 틈, 및 틈을 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되며 틈에 의해 전기적으로 분리되는 제1 도전부와 제2 도전부를 포함하며, 상면, 하면, 전면, 후면, 좌측면 및 우측면을 가지는 육면체 형태로 형성되는 금속 기판; 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 제1 전극이 제1 도전부의 상면에 접합되고, 제2 전극이 제2 도전부의 상면에 접합되도록 금속 기판의 상면에 고정되는 반도체 발광소자 칩; 금속 기판의 상면 위에서 반도체 발광소자 칩의 둘레를 둘러싸도록 형성되는 반사부; 및 반사부의 상면 및 반도체 발광소자 칩의 상면을 덮도록 형성되는 봉지부;로서, 반도체 발광소자 칩으로부터의 빛이 봉지부를 통해 방출되는 봉지부;를 포함하며, 제1 도전부 및 제2 도전부는 금속 기판의 상면을 기준으로 반도체 발광소자 칩의 반대 방향으로 뻗어 있고, 금속 기판의 둘레면(전면, 후면, 좌측면 및 우측면)은 절단면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자가 제공된다.According to one aspect of the present disclosure, there is provided a semiconductor light emitting device including a first conductive portion disposed to face a side surface with a gap therebetween and electrically separated by a gap, And a second conductive portion, the metal substrate being formed in a hexahedron shape having an upper surface, a lower surface, a front surface, a rear surface, a left surface, and a right surface; A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the first electrode is bonded to the upper surface of the first conductive portion, A semiconductor light emitting element chip fixed on the upper surface of the metal substrate so as to be connected to the upper surface of the conductive portion; A reflective portion formed on the upper surface of the metal substrate so as to surround the periphery of the semiconductor light emitting device chip; And an encapsulating portion formed to cover the upper surface of the reflecting portion and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip, wherein the encapsulating portion emits light from the semiconductor light emitting device chip through the encapsulating portion, And the peripheral surfaces (the front surface, the rear surface, the left surface, and the right surface) of the metal substrate are the cut surfaces, extending in the direction opposite to the semiconductor light emitting device chip with respect to the upper surface of the metal substrate.

본 개시에 따른 다른 일 태양에 의하면, 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, 제1 도전부와 제2 도전부, 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 형성되어 제1 도전부와 제2 도전부를 분리하는 홈을 포함하는 플레이트를 준비하는 단계; 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 플레이트의 상면에 고정하는 단계; 반도체 발광소자 칩을 반사제로 덮는 단계; 반사제를 경화시킨 후, 반도체 발광소자 칩의 상면이 노출되도록 반도체 발광소자 칩의 상면 높이에 맞춰 반사제를 부분적으로 제거하는 단계; 반사제의 상면 및 반도체 발광소자 칩의 상면을 봉지제로 덮는 단계; 홈이 플레이트의 하면 측으로 노출되도록 플레이트의 하부를 부분적으로 제거하는 단계; 및 반도체 발광소자의 예정된 경계를 따라 플레이트와 봉지제를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법이 제공된다. According to another aspect of the present disclosure, there is provided a method of manufacturing a semiconductor light emitting device, including the steps of: forming a first conductive portion and a second conductive portion, and forming a first conductive portion and a second conductive portion between the first conductive portion and the second conductive portion, 2 preparing a plate comprising a groove separating a conductive part; A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, on a top surface of the plate; Covering the semiconductor light emitting device chip with a reflective material; Partially removing the reflective agent in accordance with the height of the upper surface of the semiconductor light emitting device chip so that the upper surface of the semiconductor light emitting device chip is exposed after curing the reflective agent; Covering the upper surface of the reflective agent and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip with an encapsulating agent; Partially removing the lower portion of the plate so that the groove is exposed to the lower side of the plate; And cutting the plate and the sealing agent together along a predetermined boundary of the semiconductor light emitting device.

본 개시에 따른 또 다른 일 태양에 의하면, 백라이트 유닛에 있어서, 일측면으로 입사한 광을 상면으로 출사하도록 가이드하는 도광판; 도광판의 일측면 측에 눕혀서 배치되는 회로 기판; 및 틈, 및 틈을 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되며 틈에 의해 전기적으로 분리되는 제1 도전부와 제2 도전부를 포함하며, 상면, 하면, 전면, 후면, 좌측면 및 우측면을 가지는 육면체 형태로 형성되는 금속 기판, 제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 제1 전극이 제1 도전부의 상면에 접합되고, 제2 전극이 제2 도전부의 상면에 접합되도록 금속 기판의 상면에 고정되는 반도체 발광소자 칩, 금속 기판의 상면 위에서 반도체 발광소자 칩의 둘레를 둘러싸도록 형성되는 반사부, 및 반사부의 상면 및 반도체 발광소자 칩의 상면을 덮도록 형성되는 봉지부를 포함하며, 반도체 발광소자 칩으로부터의 빛이 봉지부를 통해 방출되며, 제1 도전부 및 제2 도전부는 봉지부를 통해 빛이 방출되는 방향의 반대 방향으로 뻗어 있고, 금속 기판의 둘레면(전면, 후면, 좌측면 및 우측면)은 절단면이며, 금속 기판의 전면 또는 후면이 회로기판의 상면과 마주하도록 눕혀지고 금속 기판의 상면이 도광판의 일측면을 향하도록 회로기판의 상면에 고정되며, 회로기판의 상면과 마주하는 제1 도전부와 제2 도전부 각각의 전면 또는 후면을 통해 회로기판과 전기적으로 연결되는 반도체 발광소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛이 제공된다. According to another aspect of the present disclosure, there is provided a backlight unit comprising: a light guide plate guiding light incident on one side surface to be emitted to an upper surface; A circuit board laid on one side of the light guide plate; And a first conductive portion and a second conductive portion which are disposed to face each other with a gap therebetween and are electrically separated from each other by a gap and have a hexahedron shape having an upper surface, a lower surface, a front surface, a rear surface, a left surface, and a right surface A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, a second semiconductor layer interposed between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer; and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the first electrode is bonded to the upper surface of the first conductive portion, A semiconductor light emitting device chip fixed on the upper surface of the metal substrate so that the second electrode is bonded to the upper surface of the second conductive portion, a reflecting portion formed so as to surround the semiconductor light emitting device chip on the upper surface of the metal substrate, And a sealing portion formed to cover the upper surface and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip, wherein light from the semiconductor light emitting device chip is emitted through the sealing portion, and the first conductive portion and the second conductive portion are arranged in a direction (Front, rear, left, and right sides) of the metal substrate are cut surfaces, and the front or rear surface of the metal substrate is laid down so as to face the upper surface of the circuit substrate, And a semiconductor light emitting element which is fixed to an upper surface of the circuit board so as to face the circuit board and electrically connected to the circuit board through a front surface or a rear surface of each of the first conductive portion and the second conductive portion facing the upper surface of the circuit board. A backlight unit is provided.

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이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 탑 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면,
도 3은 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛의 일 예를 나타낸 도면,
도 4는 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛의 다른 일 예를 나타낸 도면,
도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타낸 도면,
도 6은 도 5의 반도체 발광소자를 나타낸 단면도,
도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타낸 도면,
도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타낸 도면,
도 9 내지 도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면,
도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 백라이트 유닛의 일 예를 나타낸 도면,
도 17은 도 16의 백라이트 유닛의 주요 부분을 도시한 평면도,
도 18은 도 17의 A-A선 단면도.1 is a schematic view of a conventional liquid crystal display device having a top view type backlight unit,
2 is a schematic view of a conventional liquid crystal display device having a side view type backlight unit,
3 is a diagram illustrating an example of a backlight unit of a conventional side view system,
4 is a view showing another example of a backlight unit of a conventional side view system,
5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
FIG. 6 is a cross-sectional view of the semiconductor light emitting device of FIG. 5,
7 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
8 is a view showing still another example of the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
9 to 15 are views showing an example of a method for manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
16 is a view showing an example of a backlight unit including the semiconductor light emitting device according to the present disclosure,
17 is a plan view showing a main part of the backlight unit of Fig. 16, Fig.
18 is a cross-sectional view taken along the line AA in Fig.

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 일 예를 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5의 반도체 발광소자를 나타낸 단면도이다. FIG. 5 is a view showing an example of a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, and FIG. 6 is a sectional view showing the semiconductor light emitting device of FIG.

반도체 발광소자(150)는 금속 기판(155), 반도체 발광소자 칩(165), 반사부(170) 및 봉지부(175)를 구비한다. The semiconductor light emitting device 150 includes a metal substrate 155, a semiconductor light emitting device chip 165, a reflecting portion 170 and an encapsulating portion 175.

금속 기판(155)은, 틈(153) 및 틈(153)을 사이에 두고 측면을 마주하는 제1 도전부(151)와 제2 도전부(152)를 구비한다. 금속 기판(155)에서, 제1 도전부(151)와 제2 도전부(152)는 틈(153)에 의해 전기적으로 절연된다. 금속 기판(155)은 상면(154), 하면(156), 전면(157), 후면(158), 좌측면(159) 및 우측면(161)을 가지는 육면체 형태로 형성된다. 금속 기판(155)은, 필수적인 것은 아니지만, 전면(157)과 후면(158) 사이의 치수(또는 거리)(y)보다 상면(154)과 하면(156) 사이의 치수(또는 거리)(z)가 더 큰 것이 바람직하다. The metal substrate 155 has a first conductive portion 151 and a second conductive portion 152 which face the side face with the gap 153 and the gap 153 interposed therebetween. In the metal substrate 155, the first conductive portion 151 and the second conductive portion 152 are electrically insulated by the gap 153. The metal substrate 155 is formed in a hexahedron shape having an upper surface 154, a lower surface 156, a front surface 157, a rear surface 158, a left surface 159 and a right surface 161. The metal substrate 155 may have a dimension (or distance) z between the top surface 154 and the bottom surface 156 that is less than the dimension (or distance) y between the front surface 157 and the back surface 158, Is larger.

반도체 발광소자 칩(165)은 제1 도전성(예: n형)을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성(예: p형)을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극(171), 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극(172)을 구비한다. 반도체 발광소자 칩(165)은 플립 칩 형태로 제공된다. 따라서, 반도체 발광소자 칩(165)은 제1 전극(171) 및 제2 전극(172)이 하부에 위치하여 금속 기판(155)의 상면(154)과 마주하도록 배치된다. 금속 기판(155)의 상면(154)에서, 제1 전극(171)은 제1 도전부(151)와 접합되고, 제2 전극(172)은 제2 도전부(152)와 접합된다.The semiconductor light emitting device chip 165 includes a first semiconductor layer having a first conductivity (e.g., n-type), a second semiconductor layer having a second conductivity (e.g., p-type) different from the first conductivity, An active layer interposed between the second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, a first electrode 171 electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer (Not shown). The semiconductor light emitting device chip 165 is provided in the form of a flip chip. The semiconductor light emitting device chip 165 is disposed such that the first electrode 171 and the second electrode 172 are positioned at the lower side and face the upper surface 154 of the metal substrate 155. The first electrode 171 is bonded to the first conductive portion 151 and the second electrode 172 is bonded to the second conductive portion 152 on the upper surface 154 of the metal substrate 155.

반도체 발광소자 칩(165)은 장변(a)과 단변(b)을 가지는 길쭉한 형태로 형성된다. 반도체 발광소자 칩(165)은 장변(a)이 금속 기판(155)의 좌우방향(x)으로 연장되도록 금속 기판(155)의 상면(154)에 놓인다. 금속 기판(155)의 전면(157)과 후면(158) 사이의 치수(y)는 반도체 발광소자 칩(165)의 단변 길이(b)에 근접할 정도로 얇게 형성될 수 있다. 즉, 반도체 발광소자 칩(165)의 단변 길이(b)에 근접할 정도로 얇은 전면과 후면 사이의 치수(y)를 가지는 반도체 발광소자(150)가 제공될 수 있다. The semiconductor light emitting device chip 165 is formed in an elongated shape having a long side a and a short side b. The semiconductor light emitting device chip 165 is placed on the upper surface 154 of the metal substrate 155 such that the long side a extends in the left and right direction x of the metal substrate 155. The dimension y between the front surface 157 and the rear surface 158 of the metal substrate 155 may be formed thin enough to be close to the short side length b of the semiconductor light emitting device chip 165. That is, the semiconductor light emitting device 150 having the front surface and the rear surface dimension y thin enough to be close to the short side length b of the semiconductor light emitting device chip 165 may be provided.

반사부(170)는 반사효율이 높은 백색수지를 포함할 수 있다. 반사부(170)는 금속 기판(155)의 상면(154) 위에서 반도체 발광소자 칩(165)의 둘레를 둘러싸도록 형성된다. 이와 같은 반사부(170)는 반도체 발광소자 칩(165) 둘레의 측면으로 나오는 빛을 반사하여, 활성층에서 생성된 빛이 반도체 발광소자 칩(165)의 상면을 통해서만 출사되도록 한다. 따라서, 반도체 발광소자 칩(165)에서 출사되는 빛은 상면 측을 향하는 지향성을 갖게 된다. 한편, 도 6은 반사부(170)의 상면과 반도체 발광소자 칩(165)의 상면이 같은 높이를 가지는 예가 도시되었지만, 반사부(170)의 상면은 반도체 발광소자 칩(165)의 상면보다 높게 형성될 수도 있고 반도체 발광소자 칩(165)의 상면보다 낮게 형성될 수도 있다. The reflective portion 170 may include a white resin having a high reflection efficiency. The reflective portion 170 is formed on the upper surface 154 of the metal substrate 155 so as to surround the semiconductor light emitting device chip 165. The reflective portion 170 reflects light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device chip 165 so that light generated in the active layer is emitted only through the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 165. Therefore, the light emitted from the semiconductor light emitting device chip 165 has a directivity directed to the upper surface side. 6 shows an example in which the upper surface of the reflective portion 170 and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 165 have the same height, but the upper surface of the reflective portion 170 is higher than the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 165 Or may be formed lower than the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 165.

봉지부(175)는 투명재질의 수지와 형광체를 포함하며, 반도체 발광소자 칩(165)의 상면과 반사부(170)의 상면을 덮도록 형성된다. 반사부(170)와 봉지부(175)의 둘레면(전면(181), 후면(182), 좌측면(183), 우측면(184)) 및 금속 기판(155)의 둘레면(전면(157), 후면(158), 좌측면(159), 우측면(161))은 연속면으로 형성되며, 절단공정에 의해 형성되는 절단면이기도 하다. The sealing part 175 includes a transparent resin and a fluorescent material and is formed to cover the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 165 and the upper surface of the reflective part 170. (The front surface 181, the rear surface 182, the left surface 183 and the right surface 184) of the reflecting portion 170 and the sealing portion 175 and the circumferential surface (the front surface 157) of the metal substrate 155, The rear surface 158, the left surface 159, and the right surface 161) are formed as continuous surfaces, and are also cut surfaces formed by the cutting process.

도 7은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 다른 일 예를 나타낸 도면으로서, 금속 기판(155)의 틈(153) 내부에 충진제(147)가 구비될 수 있다. 틈(153)은 완전히 충진제(147)로 채워질 수도 있고, 일부만 채워질 수도 있다. 충진제(147)는 절연 재료로 이루어져야 한다. 충진제(147)는 형광체를 함유할 수 있다. 한편, 충진제(147)는 형광체와 함께 또는 형광체를 대신하여 백색 수지를 함유할 수도 있다. 이러한 충진제(147)로 인해, 반도체 발광소자(150)의 반사효율이 향상될 수 있다. 7 shows another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention. A filler 147 may be provided in the gap 153 of the metal substrate 155. The gap 153 may be completely filled with the filler 147 or partially filled. The filler (147) should be made of an insulating material. The filler 147 may contain a phosphor. On the other hand, the filler 147 may contain a white resin together with or instead of the phosphor. Due to the filler 147, the reflection efficiency of the semiconductor light emitting device 150 can be improved.

도 8은 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 또 다른 일 예를 나타낸 도면으로서, 반도체 발광소자 칩(165)은 제1 전극(171) 및 제2 전극(172) 아래에 각각 위치하는 금속 재질의 본딩 패드(141,142)를 구비할 수 있다. 이러한 본딩 패드(141,142)를 이용하여, 반도체 발광소자 칩(165)은 유태틱 본딩 방식으로 금속 기판(155)의 상면(154)에 접합될 수 있다. 따라서, 완성된 반도체 발광소자(150)에서, 제1 전극(171)과 금속 기판(155)의 제1 도전부(151) 사이에 본딩 패드(141)가 위치하고, 제2 전극(172)과 금속 기판(155)의 제2 도전부(152) 사이에 본딩 패드(142)가 위치하게 된다.
8 is a view showing another example of the semiconductor light emitting device according to the present invention. The semiconductor light emitting device chip 165 includes a first electrode 171 and a second electrode 172, Pads 141 and 142 may be provided. Using the bonding pads 141 and 142, the semiconductor light emitting device chip 165 can be bonded to the upper surface 154 of the metal substrate 155 in a eutectic bonding manner. The bonding pad 141 is positioned between the first electrode 171 and the first conductive portion 151 of the metal substrate 155 and the second electrode 172 and the metal The bonding pads 142 are positioned between the second conductive portions 152 of the substrate 155.

이하, 본 개시에 따른 반도체 발광소자의 제조방법에 대해 설명한다. Hereinafter, a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure will be described.

도 9 내지 도 15는 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 제조하는 방법의 일 예를 나타내는 도면이다. 9 to 15 are views showing an example of a method of manufacturing the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

도 9에 나타낸 것과 같이, 금속 기판(155)을 이루는 부분으로서, 금속 재질의 플레이트(155')를 준비한다. 다수의 반도체 발광소자(150)를 한 번의 공정에서 제조하기 위해, 플레이트(155')는 복수의 홈(153')을 구비하며, 따라서 플레이트(155)의 상면(154')은 다수의 영역으로 분할된다. 플레이트(155')에서, 홈(153')을 기준으로 홈(153')의 일측은 제1 도전부가 되고 반대측은 제2 도전부가 된다. 홈(153')은 습식 식각 또는 건식 식각을 통한 제거방식이나, 블레이드 또는 와이어를 사용한 기계적 절단방식을 통해 일정 깊이를 가지도록 형성될 수 있다. 플레이트(155')의 재질은 도전성 금속 또는 전도성 반도체라면 특별한 제한이 없으며, 이러한 재료로 W, Mo, Ni, Al, Zn, Ti, Cu, Si 등과 같은 재료 및 이들 중 적어도 하나를 포함하는 합금 형태를 들 수 있고, 전기 전도성, 열 전도성, 반사율, 납땜특성 등을 고려했을 때, Cu 또는 Cu 계열의 합금을 적합한 예로 들 수 있다. As shown in Fig. 9, a metal plate 155 'is prepared as a portion of the metal substrate 155. In order to fabricate a plurality of semiconductor light emitting devices 150 in a single process, the plate 155 'has a plurality of grooves 153' so that the top surface 154 'of the plate 155 is divided into a plurality of areas . In the plate 155 ', one side of the groove 153' with respect to the groove 153 'is the first conductive part and the other side is the second conductive part. The groove 153 'may be formed to have a certain depth through a wet etching or dry etching removal method or a mechanical cutting method using a blade or a wire. The material of the plate 155 'is not particularly limited as long as it is a conductive metal or a conductive semiconductor. A material such as W, Mo, Ni, Al, Zn, Ti, Cu, Si, And Cu or Cu-based alloys are suitable examples in consideration of electrical conductivity, thermal conductivity, reflectance, soldering characteristics, and the like.

이와 같이 준비된 플레이트(155') 위에, 도 9 및 도 10에 나타낸 것과 같이, 홈(153')을 따라 다수의 반도체 발광소자 칩(165)을 고정한다. 반도체 발광소자 칩(165)은 홈(153')에 걸쳐서 위치하게 된다. 구체적으로, 플레이트(155')의 상면(154')에서, 홈(153')을 기준으로, 제1 전극(171)은 홈(153') 좌측의 플레이트(155') 상면(154')에 접합되고, 제2 전극(172)은 홈(153') 우측의 플레이트(155') 상면(154')에 접합된다. 이러한 접합은 Ag 페이스트를 이용하여 수행되거나, 반도체 발광소자 분야에 이미 알려진 다양한 방법이 사용될 수 있다. 9 and 10, a plurality of semiconductor light-emitting device chips 165 are fixed on the thus prepared plate 155 'along the grooves 153'. The semiconductor light emitting device chip 165 is positioned over the groove 153 '. Specifically, in the upper surface 154 'of the plate 155', the first electrode 171 is formed on the upper surface 154 'of the plate 155' on the left side of the groove 153 'with respect to the groove 153' And the second electrode 172 is bonded to the upper surface 154 'of the plate 155' on the right side of the groove 153 '. Such bonding may be performed using an Ag paste, or various methods already known in the field of semiconductor light emitting devices may be used.

이어서, 도 11에 나타낸 것과 같이, 모든 반도체 발광소자 칩(165)을 덮도록 플레이트(155')의 상면(154') 전체에 반사제(170')를 디스펜싱하고, 이 반사제(170')를 경화시킨다. 반사제(170')는 반사효율이 높은 액상의 백색수지를 포함할 수 있다. 반사제(170')는 반도체 발광소자 칩(165) 사이의 공간들이 빈틈없이 채워지도록 반도체 발광소자 칩(165)의 상면 높이보다 약간 높은 정도로 디스펜싱된다. 따라서, 반도체 발광소자 칩(165)의 둘레면이 모두 반사제(170')로 덮이게 된다. 11, the reflective agent 170 'is dispensed onto the entire upper surface 154' of the plate 155 'so as to cover all the semiconductor light emitting device chips 165, and the reflective agent 170' ). The reflective agent 170 'may include a liquid white resin having high reflection efficiency. The reflector 170 'is dispensed at a height slightly higher than the height of the top surface of the semiconductor light emitting device chip 165 so that the space between the semiconductor light emitting device chips 165 is filled with a gap. Therefore, the peripheral surface of the semiconductor light emitting device chip 165 is covered with the reflective material 170 '.

이후, 도 12에 나타낸 것과 같이, 반도체 발광소자 칩(165)의 상면이 노출되도록 반도체 발광소자 칩(165)의 상면 높이에 맞춰 경화된 반사제(170')를 부분적으로 제거한다. 경화된 반사제(170')의 제거는 브러싱(Brushing), 래핑(lapping), 폴리싱(polishing) 또는 CMP 등과 같은 기계적인 방법을 이용하여 제거할 수 있다. 이와 같은 기계적인 방법을 통한 제거공정에서, 경도가 매우 높은 사파이어와 달리 백색수지의 경우 경화되더라도 경도가 상대적으로 낮아서 손쉽게 제거할 수 있다. 이때, 반사제(170)의 상면과 반도체 발광소자 칩(165)의 상면은 동일한 높이를 갖게 된다. Then, as shown in FIG. 12, the reflective agent 170 'that is cured to the height of the top surface of the semiconductor light emitting device chip 165 is partially removed so that the top surface of the semiconductor light emitting device chip 165 is exposed. Removal of the cured reflector 170 'may be removed using mechanical methods such as brushing, lapping, polishing or CMP. Unlike sapphire, which has a very high hardness, the white resin can be easily removed because of its relatively low hardness even when cured. At this time, the upper surface of the reflective material 170 and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip 165 have the same height.

다음으로, 도 13에 나타낸 것과 같이, 모든 반도체 발광소자 칩(165)의 상면과 반사제의 상면을 덮도록 봉지제(175')를 디스펜싱하고, 이 봉지제(175')를 경화시킨다. 봉지제(175')는 실리콘 등과 같은 액상의 투명한 수지 재료와 형광체를 포함할 수 있다. Next, as shown in Fig. 13, the sealing agent 175 'is dispensed so as to cover the upper surfaces of all the semiconductor light-emitting device chips 165 and the upper surface of the reflective agent, and the sealing agent 175' is cured. The sealing agent 175 'may include a liquid transparent resin material such as silicon and a phosphor.

이어서, 도 14에 나타낸 것과 같이, 플레이트(155')에 구비된 홈(153')이 플레이트(155')의 하면(156) 측으로 노출되도록 플레이트(155')의 하부를 부분적으로 제거한다. 즉, 플레이트(155')를 하면(156') 측에서 연마 및/또는 랩핑하여, 홈(153')이 플레이트(155')의 하면(156') 측으로 노출되도록 한다. 이와 같이 홈(153')이 플레이트(155')의 하면(156') 측으로 노출되어 개방됨에 따라, 하나의 홈(153')을 사이에 두고 측면을 마주하는 플레이트(155')의 두 부분은 서로 전기적으로 절연된다. Subsequently, as shown in FIG. 14, the lower portion of the plate 155 'is partially removed so that the groove 153' provided in the plate 155 'is exposed toward the lower surface 156 of the plate 155'. That is, the plate 155 'is polished and / or wrapped on the lower surface 156' so that the groove 153 'is exposed toward the lower surface 156' of the plate 155 '. As the groove 153 'is exposed and opened to the side 156' of the plate 155 ', the two portions of the plate 155' facing the side with one groove 153 ' They are electrically insulated from each other.

이후, 도 15에 나타낸 것과 같이, 평면상에서 반도체 발광소자의 예정된 경계(B)를 따라 경화된 반사제(170')와 봉지제(175') 및 플레이트(155')를 함께 절단하여, 개별적인 반도체 발광소자(150)로 완성된다. Thereafter, as shown in Fig. 15, the sealing agent 175 'and the plate 155' are cut together with the reflective agent 170 'cured along the predetermined boundary B of the semiconductor light emitting element on the plane, Emitting device 150 is completed.

이상과 같은 방법을 통해, 반도체 발광소자 칩(165)을 플레이트(155')의 상면에 고정하고 반사제(170')와 봉지제(175')로 덮은 상태에서, 플레이트(155')의 하부를 부분적으로 제거하여 홈(153')이 노출되도록 한 다음, 개별적인 반도체 발광소자의 경계를 따라 절단함으로써 금속 기판(155)이 형성된다. 홈(153')은 금속 기판(155)의 틈(153)이 되고, 틈(153)을 사이에 두고 측면을 마주하는 두 부분이 금속 기판(155)의 제1 도전부(151) 및 제2 도전부(152)가 된다. 또한, 플레이트(155')와 함께 반사제(170') 및 봉지제(175')를 절단함으로써 개별 반도체 발광소자의 반사부(170) 및 봉지부(175)가 형성된다. In the state that the semiconductor light emitting device chip 165 is fixed to the upper surface of the plate 155 'and covered with the reflective agent 170' and the sealing agent 175 ', the lower portion of the plate 155' So that the groove 153 'is exposed, and then the metal substrate 155 is formed by cutting along the boundaries of the individual semiconductor light emitting devices. The groove 153 'becomes the gap 153 of the metal substrate 155 and the two portions facing the side face with the gap 153 therebetween are connected to the first conductive portion 151 of the metal substrate 155 and the second conductive portion 151' And becomes the conductive portion 152. In addition, the reflecting portion 170 and the sealing portion 175 'of the individual semiconductor light emitting device are formed by cutting the reflecting agent 170' and the sealing agent 175 'together with the plate 155'.

플레이트(155'), 반사제(170') 및 봉지제(175')의 절단은 동시에 수행되며, 따라서, 도 5에 나타낸 것과 같이, 이러한 절단에 의해 형성되는 반사부(170) 및 봉지부(175)의 둘레면(전면(181), 후면(182), 좌측면(183), 우측면(184))과 금속 기판(10')의 둘레면(전면(157), 후면(158), 좌측면(159), 우측면(161))은 절단면으로 된 연속면을 형성하게 된다. The cutting of the plate 155 ', the reflective agent 170' and the encapsulant 175 'is performed at the same time so that the reflective portion 170 and the encapsulant (The front surface 181, the rear surface 182, the left surface 183 and the right surface 184) of the metal substrate 10 and the circumferential surfaces (the front surface 157, the rear surface 158, (The right side surface 159 and the right side surface 161) form a continuous surface as a cut surface.

이상과 같은 방법으로 제조함으로써, 반도체 발광소자 칩(165)의 단변 길이(b)에 근접하는 얇은 전면(157)과 후면(158) 사이의 치수(y)를 갖도록 반도체 발광소자(150)를 제조할 수 있다.
The semiconductor light emitting device 150 is manufactured so as to have the dimension y between the front surface 157 and the rear surface 158 close to the short side length b of the semiconductor light emitting device chip 165 can do.

도 16은 본 개시에 따른 반도체 발광소자를 포함하는 백라이트 유닛의 일 예를 나타낸 도면이다. 16 is a view showing an example of a backlight unit including the semiconductor light emitting device according to the present disclosure.

본 개시에 따른 백라이트 유닛은, 도 16에 나타낸 것과 같이, 도광판(110), 회로 기판(130) 및 반도체 발광소자(150)를 포함한다. The backlight unit according to the present disclosure includes a light guide plate 110, a circuit board 130, and a semiconductor light emitting element 150, as shown in Fig.

도광판(110)은 일측면(111)으로 입사한 광을 상면(113)으로 출사하도록 가이드한다. 도광판(110)의 상면(113)에서 출사된 광은 액정패널(10: 도 2 참조)에 제공된다. The light guide plate 110 guides the light incident on the one side surface 111 to be emitted to the upper surface 113. Light emitted from the upper surface 113 of the light guide plate 110 is provided to the liquid crystal panel 10 (see FIG. 2).

회로 기판(130)은 도광판(110)의 일측면(111) 측에 도광판(110)과 평행하게 눕혀서 배치되고, 이와 같은 회로 기판(130)의 상면(131)에 반도체 발광소자(150)가 눕혀진 상태에서 광출사면(149)이 도광판(110)의 측면(111)을 향하도록 고정되어, 광원 어셈블리(120)를 이루게 된다. The circuit board 130 is disposed on one side 111 side of the light guide plate 110 in parallel with the light guide plate 110 and the semiconductor light emitting element 150 is laid on the upper surface 131 of the circuit board 130 The light exit surface 149 is fixed to the side surface 111 of the light guide plate 110 so as to form the light source assembly 120.

구체적으로, 반도체 발광소자(150)가 회로 기판(130)에 고정되어 광원 어셈블리(120)를 이루었을 때, 반도체 발광소자(150)의 전면(157)과 후면(158) 사이의 치수(y)는, 광원 어셈블리(120)의 두께를 결정하는 중요 인자로서, 50um 내지 1000um 범위 이내인 것이 적당하다. 전면(157)과 후면(158) 사이의 치수(y)가 50um 이하인 경우에는 효율적인 칩의 설계가 쉽지 않으며, 1000um 이상인 경우에는 기존의 기술로도 충분히 실현할 수 있기 때문이다. 또한, 반도체 발광소자(150)의 상면(154)과 하면(156) 사이의 치수(z)는 100um 내지 2000um 범위 이내인 것이 적당하다. 상면(154)과 하면(156) 사이의 치수(z)가 100um 이하인 경우에는 반도체 발광소자(150)를 회로 기판(130)에 고정하기 어려우며, 2000um 이상의 경우에는 절단이 매우 어려워질 수 있기 때문이다. The dimension y between the front surface 157 and the rear surface 158 of the semiconductor light emitting device 150 is set so as to satisfy the following relationship when the semiconductor light emitting device 150 is fixed to the circuit board 130 to form the light source assembly 120: Which is an important factor for determining the thickness of the light source assembly 120, is within the range of 50 to 1000um. When the dimension y between the front face 157 and the rear face 158 is 50um or less, efficient chip design is not easy. If the dimension y is 1000um or more, the conventional technique can sufficiently realize the chip. It is preferable that the dimension z between the upper surface 154 and the lower surface 156 of the semiconductor light emitting element 150 is within the range of 100 um to 2000 um. When the dimension z between the upper surface 154 and the lower surface 156 is 100um or less, it is difficult to fix the semiconductor light emitting device 150 to the circuit board 130, and when the dimension z is 2000um or more, .

도 17은 도 16의 백라이트 유닛의 주요 부분을 도시한 평면도이고, 도 18은 도 17의 A-A선 단면도이다. FIG. 17 is a plan view showing a main part of the backlight unit of FIG. 16, and FIG. 18 is a sectional view taken along line A-A of FIG.

회로 기판(130)은 도광판(110)의 일측면(111) 측에 도광판(110)과 평행하게 눕혀서 배치된다. The circuit board 130 is disposed on one side 111 side of the light guide plate 110 while being laid down in parallel with the light guide plate 110. [

반도체 발광소자(150)는, 금속 기판(155)의 전면(157) 또는 후면(158)이 회로 기판(130)의 상면(131)과 마주하도록 눕혀지고 금속 기판(155)의 상면(154)이 도광판(110)의 일측면(111)을 향하도록, 회로 기판(130)의 상면(131)에 고정된다. 따라서, 반도체 발광소자(150)의 광출사면(149)이 도광판(110)의 측면(111)을 향하게 된다. 그리고, 금속 기판(155)의 하면(156) 측이 아니라, 회로 기판(130)의 상면(131)과 마주하는 금속 기판(155)의 전면(157) 또는 후면(158) 측에서 제1 도전부(151)와 제2 도전부(152)가 각각 회로 기판(130)과 전기적으로 연결된다. 금속 기판(155)이 상면(154)과 하면(156) 사이의 치수(z)가 전면(157)과 후면(158) 사이의 치수(y)보다 크게 형성될 경우, 금속 기판(155)의 전면(157) 또는 후면(158)에서 제1 도전부(151) 및 제2 도전부(152)와 회로 기판(130)의 상면(131) 사이에 충분한 접촉면적을 확보할 수 있고, 따라서 납땜 등과 같은 방식으로 접합할 때, 반도체 발광소자(150)와 회로 기판(130) 간의 결합의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. The semiconductor light emitting device 150 is formed such that the front surface 157 or the rear surface 158 of the metal substrate 155 is laid so as to face the upper surface 131 of the circuit substrate 130 and the upper surface 154 of the metal substrate 155 And is fixed to the upper surface 131 of the circuit board 130 so as to face the side surface 111 of the light guide plate 110. Therefore, the light exit surface 149 of the semiconductor light emitting device 150 faces the side surface 111 of the light guide plate 110. It is preferable that the side of the front surface 157 of the metal substrate 155 facing the upper surface 131 of the circuit board 130 or the side of the rear surface 158 of the circuit board 130 is not the lower surface 156 of the metal substrate 155, The first conductive portion 151 and the second conductive portion 152 are electrically connected to the circuit board 130, respectively. When the dimension z between the upper surface 154 and the lower surface 156 of the metal substrate 155 is larger than the dimension y between the front surface 157 and the rear surface 158, It is possible to secure a sufficient contact area between the first conductive portion 151 and the second conductive portion 152 and the upper surface 131 of the circuit board 130 at the rear surface 157 or the rear surface 158, The bonding reliability between the semiconductor light emitting device 150 and the circuit board 130 can be improved.

상기한 바와 같이 회로 기판(130)이 도광판(110)과 평행하게 눕혀서 배치되고, 반도체 발광소자(150)가 반도체 발광소자 칩(165)의 단변 길이(b)에 근접할 정도로 얇은 전면과 후면 사이의 치수(y)를 가지며, 반도체 발광소자(150)가 금속 기판(155)의 전면(157) 또는 후면(158)이 회로 기판(130)의 상면(131)과 접촉하도록 눕혀져서 고정된다. As described above, the circuit board 130 is disposed so as to lie parallel to the light guide plate 110, and the front surface and the rear surface of the semiconductor light emitting device 150 are thin enough to be close to the short side length b of the semiconductor light emitting device chip 165 And the semiconductor light emitting device 150 is laid down and fixed such that the front surface 157 or the rear surface 158 of the metal substrate 155 is in contact with the upper surface 131 of the circuit board 130. [

회로 기판(130)과 반도체 발광소자(150)로 구성되는 광원 어셈블리(120)에서, 슬림화의 대상이 되는 광원 어셈블리(120)의 두께(T)는 회로 기판(130)의 두께(t)에 반도체 발광소자(150)의 전면(157)과 후면(158) 사이의 치수(y)를 더한 값에 해당한다. 또한, 반도체 발광소자(150)의 전면(157)과 후면(158) 사이의 치수(y)는 반도체 발광소자 칩(165)의 단변 길이(b)와 반도체 발광소자 칩(165)의 둘레를 둘러싸는 반사부(170)의 두께를 더한 값에 해당한다. 회로 기판(130)은 매우 얇게 형성될 수 있을 뿐만 아니라 눕혀져 배치됨에 따라 광원 어셈블리(120)의 두께(T)에 미치는 영향은 매우 제한적이다. 그리고, 반도체 발광소자(150)의 측면으로 출사되는 빛을 반사시켜 광출사면(149)을 통해 지향성이 높은 빛을 출사시킬 수 있도록 하는 반사부(170)를 포함하면서도 금속 기판(155) 전면(157)과 후면(158) 사이의 치수(y)에 대응하는 매우 얇은 반도체 발광소자(50)를 갖는 제공하고, 이러한 반도체 발광소자(150)를 회로 기판(130)의 상면(131) 위에 눕혀서 배치한다. 따라서, 액정표시장치의 슬림화 추세에 적합한 현저히 얇은 두께의 광원 어셈블리(120), 즉 현저히 얇은 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
The thickness T of the light source assembly 120 to be slimmed in the light source assembly 120 composed of the circuit board 130 and the semiconductor light emitting device 150 is smaller than the thickness t of the circuit board 130 And the dimension y between the front surface 157 and the rear surface 158 of the light emitting element 150. [ The dimension y between the front surface 157 and the rear surface 158 of the semiconductor light emitting device 150 is set so as to surround the short side length b of the semiconductor light emitting device chip 165 and the periphery of the semiconductor light emitting device chip 165 Corresponds to a value obtained by adding the thickness of the reflective portion 170. [ The influence of the circuit board 130 on the thickness T of the light source assembly 120 is very limited as well as being very thin. The reflective portion 170 reflects light emitted from the side surface of the semiconductor light emitting device 150 and emits light having high directivity through the light output surface 149, The semiconductor light emitting device 150 is provided on the upper surface 131 of the circuit board 130 by laying the semiconductor light emitting device 150 on the upper surface 131 of the circuit board 130. The semiconductor light emitting device 150 has a very thin semiconductor light emitting element 50, do. Accordingly, it is possible to provide a significantly thinner light source assembly 120, that is, a significantly thinner backlight unit, which is suitable for the slimming trend of the liquid crystal display device.

이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 금속 기판은 전면과 후면 사이의 치수보다 상면과 하면 사이의 치수가 더 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (1) The semiconductor light emitting device according to (1), wherein the dimension between the upper surface and the lower surface of the metal substrate is larger than the dimension between the front surface and the rear surface.

(2) 반도체 발광소자 칩은 장변과 단변을 구비하며, 장변이 금속 기판의 좌우방향으로 연장되도록 금속 기판 상면에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (2) The semiconductor light emitting device of claim 1, wherein the semiconductor light emitting device chip has a long side and a short side, and the long side is placed on the top surface of the metal substrate so as to extend in the left and right direction of the metal substrate.

(3) 반사부가 백색수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (3) The semiconductor light emitting device as described in any one of (1) to (3), wherein the reflection part contains a white resin.

(4) 충진제가 틈 내부에 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (4) A semiconductor light emitting device, wherein a filler is provided in a gap.

(5) 금속 기판의 둘레면(전면, 후면, 좌측면 및 우측면), 반사부의 둘레면 및 봉지부의 둘레면이 연속적으로 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (5) The semiconductor light emitting device according to any one of (1) to (4), wherein the peripheral surface (front surface, rear surface, left surface and right surface) of the metal substrate, the peripheral surface of the reflective portion and the peripheral surface of the sealing portion are continuously connected.

(6) 금속 기판의 둘레면(전면, 후면, 좌측면 및 우측면), 반사부의 둘레면 및 봉지부의 둘레면은 절단면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (6) The semiconductor light emitting device according to (6), wherein the peripheral surfaces (front surface, rear surface, left surface and right surface) of the metal substrate, the peripheral surface of the reflective portion and the peripheral surface of the sealing portion are cut surfaces.

(7) 반도체 발광소자 칩은 제1 전극 및 제2 전극이 하부에 위치하도록 금속 기판 위에 배치되며, 제1 전극은 제1 도전부의 상면에 접합되고, 제2 전극은 제2 도전부의 상면에 접합되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. (7) The semiconductor light emitting device chip is disposed on the metal substrate such that the first electrode and the second electrode are positioned below, the first electrode is bonded to the upper surface of the first conductive portion, and the second electrode is bonded to the upper surface of the second conductive portion Wherein the semiconductor light emitting device is a semiconductor light emitting device.

(8) 플레이트를 준비하는 단계에서, 홈 내부에 충진제가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.(8) A method of manufacturing a semiconductor light emitting device, wherein a filler is provided in a groove in a step of preparing a plate.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 얇은 두께의 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. According to one semiconductor light emitting element according to the present disclosure, a semiconductor light emitting element with a small thickness can be provided.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자에 의하면, 출사되는 빛의 지향성이 우수한 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. According to another semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a semiconductor light emitting device having excellent directivity of emitted light can be provided.

본 개시에 따른 하나의 반도체 발광소자 제조방법에 의하면, 반사부가 일체화된 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. According to one method of manufacturing a semiconductor light emitting device according to the present disclosure, a semiconductor light emitting device in which a reflecting portion is integrated can be provided.

본 개시에 따른 다른 하나의 반도체 발광소자 제조방법에 의하면, 반도체 발광소자 칩의 측면으로 출사되는 광을 반사하는 반사부를 구비하면서도 얇은 두께를 가지는 반도체 발광소자를 제공할 수 있다. Another semiconductor light emitting device manufacturing method according to the present disclosure can provide a semiconductor light emitting device having a thin thickness while having a reflecting portion for reflecting light emitted to a side surface of the semiconductor light emitting device chip.

본 개시에 따른 하나의 백라이트 유닛에 의하면, 얇은 두께의 백라이트 유닛을 제공할 수 있다. According to one backlight unit according to the present disclosure, it is possible to provide a backlight unit of a thin thickness.

본 개시에 따른 다른 하나의 백라이트 유닛에 의하면, 얇은 두께의 백라이트 유닛을 통해 얇은 두께의 액정표시장치를 제공할 수 있다. According to another backlight unit according to the present disclosure, a thin liquid crystal display device can be provided through a backlight unit of a thin thickness.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 백라이트 유닛에 의하면, 광원 어셈블리를 구성하는 반도체 발광소자와 회로 기판 간의 결합의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. According to another backlight unit according to the present disclosure, the reliability of the coupling between the semiconductor light emitting device constituting the light source assembly and the circuit board can be improved.

110: 도광판 120: 광원 어셈블리
130: 회로 기판 141, 142: 본딩 패드
147: 충진제 149: 광출사면
150: 반도체 발광소자 151: 제1 도전부
152: 제2 도전부 153: 틈
155: 금속 기판 165: 반도체 발광소자 칩
170: 반사부 171: 제1 전극
172: 제2 전극 175: 봉지부
176, 177: 와이어110: light guide plate 120: light source assembly
130: circuit board 141, 142: bonding pad
147: Filler 149: Light emitting surface
150: semiconductor light emitting element 151: first conductive part
152: second conductive portion 153:
155: metal substrate 165: semiconductor light emitting element chip
170: reflection part 171: first electrode
172: second electrode 175: sealing portion
176, 177: wire

Claims (11)

반도체 발광소자에 있어서,
틈, 및 틈을 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되며 틈에 의해 전기적으로 분리되는 제1 도전부와 제2 도전부를 포함하며, 상면, 하면, 전면, 후면, 좌측면 및 우측면을 가지는 육면체 형태로 형성되는 금속 기판;
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 제1 전극이 제1 도전부의 상면에 접합되고, 제2 전극이 제2 도전부의 상면에 접합되도록 금속 기판의 상면에 고정되는 반도체 발광소자 칩;
금속 기판의 상면 위에서 반도체 발광소자 칩의 둘레를 둘러싸도록 형성되는 반사부; 및
반사부의 상면 및 반도체 발광소자 칩의 상면을 덮도록 형성되는 봉지부;로서, 반도체 발광소자 칩으로부터의 빛이 봉지부를 통해 방출되는 봉지부;를 포함하며,
제1 도전부 및 제2 도전부는 금속 기판의 상면을 기준으로 반도체 발광소자 칩의 반대 방향으로 뻗어 있고, 금속 기판의 둘레면(전면, 후면, 좌측면 및 우측면)은 절단면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.In the semiconductor light emitting device,
A first conductive portion and a second conductive portion which are disposed to face each other with a gap therebetween and are electrically separated by a gap and are formed in a hexahedron shape having upper, lower, front, rear, left, and right sides A metal substrate to be formed;
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the first electrode is bonded to the upper surface of the first conductive portion, A semiconductor light emitting element chip fixed on the upper surface of the metal substrate so as to be connected to the upper surface of the conductive portion;
A reflective portion formed on the upper surface of the metal substrate so as to surround the periphery of the semiconductor light emitting device chip; And
And an encapsulation part formed to cover the upper surface of the reflective part and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip, wherein the encapsulation part emits light from the semiconductor light emitting device chip through the encapsulation part,
Wherein the first conductive portion and the second conductive portion extend in the direction opposite to the semiconductor light emitting device chip with respect to the upper surface of the metal substrate and the peripheral surfaces (front surface, rear surface, left surface, and right surface) Light emitting element. 청구항 1에 있어서,
금속 기판은 전면과 후면 사이의 치수보다 상면과 하면 사이의 치수가 더 큰 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the metal substrate has a larger dimension between an upper surface and a lower surface than a dimension between the front surface and the rear surface. 청구항 1에 있어서,
반도체 발광소자 칩은 장변과 단변을 구비하며, 장변이 금속 기판의 좌우방향으로 연장되도록 금속 기판 상면에 놓이는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the semiconductor light emitting device chip has a long side and a short side, and the long side is placed on the top surface of the metal substrate so as to extend in the left and right direction of the metal substrate. 청구항 1에 있어서,
반사부가 백색수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
Wherein the reflection part contains a white resin. 청구항 1에 있어서,
충진제가 틈 내부에 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. The method according to claim 1,
And a filler is provided in the gap. 청구항 1에 있어서,
반사부는 반도체 발광소자 칩 측면에 접하며, 측면 둘레를 감싸는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.The method according to claim 1,
Wherein the reflective portion is in contact with the side surface of the semiconductor light emitting device chip and surrounds the side surface of the semiconductor light emitting device chip. 반도체 발광소자에 있어서,
틈, 및 틈을 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되며 틈에 의해 전기적으로 분리되는 제1 도전부와 제2 도전부를 포함하며, 상면, 하면, 전면, 후면, 좌측면 및 우측면을 가지는 육면체 형태로 형성되는 금속 기판;
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 금속 기판의 상면에 고정되는 반도체 발광소자 칩;
금속 기판의 상면 위에서 반도체 발광소자 칩의 둘레를 둘러싸도록 형성되는 반사부; 및
반사부의 상면 및 반도체 발광소자 칩의 상면을 덮도록 형성되는 봉지부;를 포함하며,
금속 기판의 둘레면(전면, 후면, 좌측면 및 우측면), 반사부의 둘레면 및 봉지부의 둘레면이 연속적으로 이어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. In the semiconductor light emitting device,
A first conductive portion and a second conductive portion which are disposed to face each other with a gap therebetween and are electrically separated by a gap and are formed in a hexahedron shape having upper, lower, front, rear, left, and right sides A metal substrate to be formed;
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A semiconductor light emitting device chip having a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, the semiconductor light emitting device chip being fixed to the upper surface of the metal substrate;
A reflective portion formed on the upper surface of the metal substrate so as to surround the periphery of the semiconductor light emitting device chip; And
And an encapsulation portion formed to cover the upper surface of the reflective portion and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip,
The circumferential surfaces (front surface, rear surface, left surface and right surface) of the metal substrate, the circumferential surface of the reflective portion, and the circumferential surfaces of the sealing portion are continuously connected. 반도체 발광소자에 있어서,
틈, 및 틈을 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되며 틈에 의해 전기적으로 분리되는 제1 도전부와 제2 도전부를 포함하며, 상면, 하면, 전면, 후면, 좌측면 및 우측면을 가지는 육면체 형태로 형성되는 금속 기판;
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 금속 기판의 상면에 고정되는 반도체 발광소자 칩;
금속 기판의 상면 위에서 반도체 발광소자 칩의 둘레를 둘러싸도록 형성되는 반사부; 및
반사부의 상면 및 반도체 발광소자 칩의 상면을 덮도록 형성되는 봉지부;를 포함하며,
금속 기판의 둘레면(전면, 후면, 좌측면 및 우측면), 반사부의 둘레면 및 봉지부의 둘레면은 절단면인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자. In the semiconductor light emitting device,
A first conductive portion and a second conductive portion which are disposed to face each other with a gap therebetween and are electrically separated by a gap and are formed in a hexahedron shape having upper, lower, front, rear, left, and right sides A metal substrate to be formed;
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A semiconductor light emitting device chip having a first electrode electrically connected to the first semiconductor layer and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, the semiconductor light emitting device chip being fixed to the upper surface of the metal substrate;
A reflective portion formed on the upper surface of the metal substrate so as to surround the periphery of the semiconductor light emitting device chip; And
And an encapsulation portion formed to cover the upper surface of the reflective portion and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip,
Wherein the peripheral surface of the metal substrate (the front surface, the rear surface, the left surface and the right surface), the peripheral surface of the reflective portion, and the peripheral surface of the sealing portion are cut surfaces. 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서,
제1 도전부와 제2 도전부, 및 제1 도전부와 제2 도전부 사이에 형성되어 제1 도전부와 제2 도전부를 분리하는 홈을 포함하는 플레이트를 준비하는 단계;
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하는 반도체 발광소자 칩을 플레이트의 상면에 고정하는 단계;
반도체 발광소자 칩을 반사제로 덮는 단계;
반사제를 경화시킨 후, 반도체 발광소자 칩의 상면이 노출되도록 반도체 발광소자 칩의 상면 높이에 맞춰 반사제를 부분적으로 제거하는 단계;
반사제의 상면 및 반도체 발광소자 칩의 상면을 봉지제로 덮는 단계;
홈이 플레이트의 하면 측으로 노출되도록 플레이트의 하부를 부분적으로 제거하는 단계; 및
반도체 발광소자의 예정된 경계를 따라 플레이트와 봉지제를 함께 절단하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.A method of manufacturing a semiconductor light emitting device,
Preparing a plate including a first conductive portion and a second conductive portion and a groove formed between the first conductive portion and the second conductive portion to separate the first conductive portion and the second conductive portion;
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, on a top surface of the plate;
Covering the semiconductor light emitting device chip with a reflective material;
Partially removing the reflective agent in accordance with the height of the upper surface of the semiconductor light emitting device chip so that the upper surface of the semiconductor light emitting device chip is exposed after curing the reflective agent;
Covering the upper surface of the reflective agent and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip with an encapsulating agent;
Partially removing the lower portion of the plate so that the groove is exposed to the lower side of the plate; And
And cutting the plate and the sealing agent together along a predetermined boundary of the semiconductor light emitting device. 청구항 9에 있어서,
플레이트를 준비하는 단계에서, 홈 내부에 충진제가 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자를 제조하는 방법.The method of claim 9,
Wherein a filler is provided in the groove in the step of preparing the plate. 백라이트 유닛에 있어서,
일측면으로 입사한 광을 상면으로 출사하도록 가이드하는 도광판;
도광판의 일측면 측에 눕혀서 배치되는 회로 기판; 및
틈, 및 틈을 사이에 두고 측면을 마주하도록 배치되며 틈에 의해 전기적으로 분리되는 제1 도전부와 제2 도전부를 포함하며, 상면, 하면, 전면, 후면, 좌측면 및 우측면을 가지는 육면체 형태로 형성되는 금속 기판,
제1 도전성을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극, 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극을 구비하며, 제1 전극이 제1 도전부의 상면에 접합되고, 제2 전극이 제2 도전부의 상면에 접합되도록 금속 기판의 상면에 고정되는 반도체 발광소자 칩,
금속 기판의 상면 위에서 반도체 발광소자 칩의 둘레를 둘러싸도록 형성되는 반사부, 및
반사부의 상면 및 반도체 발광소자 칩의 상면을 덮도록 형성되는 봉지부를 포함하며,
반도체 발광소자 칩으로부터의 빛이 봉지부를 통해 방출되며, 제1 도전부 및 제2 도전부는 봉지부를 통해 빛이 방출되는 방향의 반대 방향으로 뻗어 있고, 금속 기판의 둘레면(전면, 후면, 좌측면 및 우측면)은 절단면이며,
금속 기판의 전면 또는 후면이 회로기판의 상면과 마주하도록 눕혀지고 금속 기판의 상면이 도광판의 일측면을 향하도록 회로기판의 상면에 고정되며, 회로기판의 상면과 마주하는 제1 도전부와 제2 도전부 각각의 전면 또는 후면을 통해 회로기판과 전기적으로 연결되는 반도체 발광소자;를 포함하는 것을 특징으로 하는 백라이트 유닛. In the backlight unit,
A light guide plate guiding light incident on one side surface to be emitted to an upper surface;
A circuit board laid on one side of the light guide plate; And
A first conductive portion and a second conductive portion which are disposed to face each other with a gap therebetween and are electrically separated by a gap and are formed in a hexahedron shape having upper, lower, front, rear, left, and right sides A metal substrate to be formed,
A first semiconductor layer having a first conductivity, a second semiconductor layer having a second conductivity different from the first conductivity, an active layer interposed between the first and second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, A first electrode electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer, wherein the first electrode is bonded to the upper surface of the first conductive portion, A semiconductor light emitting element chip fixed on the upper surface of the metal substrate so as to be bonded to the upper surface of the conductive portion,
A reflective portion formed on the upper surface of the metal substrate so as to surround the periphery of the semiconductor light emitting device chip,
And an encapsulating portion formed to cover the upper surface of the reflecting portion and the upper surface of the semiconductor light emitting device chip,
Light from the semiconductor light emitting device chip is emitted through the sealing portion and the first conductive portion and the second conductive portion extend in the direction opposite to the direction in which the light is emitted through the sealing portion and the peripheral surface (front, rear, And the right side) are cut surfaces,
The front surface or back surface of the metal substrate is laid down so as to face the top surface of the circuit board and the upper surface of the metal substrate is fixed to the upper surface of the circuit board so that the upper surface of the metal substrate faces one side of the light guide plate, And a semiconductor light emitting element electrically connected to the circuit board through the front surface or the rear surface of each of the conductive parts.
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