KR101502057B1 - Light source assembly - Google Patents

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Abstract

본 개시는, 도광판의 일측면에 배치되어 도광판의 일측면을 향해 빛을 출사하며, 도광판과 함께 백라이트 유닛을 구성하는 광원 어셈블리에 있어서, 바닥면 및 바닥면의 양측에서 굽혀져 서로 마주보도록 연장되는 한 쌍의 반사면을 가지는 연성회로기판; 바닥면에 위치하는 반도체 발광소자 칩; 및 바닥면 위에서 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지부;를 포함하며, 바닥면이 도광판의 일측면을 향하도록 눕혀서 배치되는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리에 관한 것이다. The present disclosure relates to a light source assembly which is disposed on one side surface of a light guide plate and emits light toward a side surface of a light guide plate and constitutes a backlight unit together with a light guide plate and which is bent at both sides of the bottom surface and the bottom surface, A flexible circuit board having a pair of reflective surfaces; A semiconductor light emitting element chip located on a bottom surface; And a sealing part covering the semiconductor light emitting device chip on the bottom surface, wherein the bottom surface is laid down so as to face one side of the light guide plate.

Description

광원 어셈블리{LIGHT SOURCE ASSEMBLY}LIGHT SOURCE ASSEMBLY

본 개시(Disclosure)는 전체적으로 광원 어셈블리에 관한 것으로, 특히 도광판과 함께 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구성할 수 있는 광원 어셈블리에 관한 것이다.Disclosure relates generally to a light source assembly, and more particularly, to a light source assembly capable of forming a side view type backlight unit together with a light guide plate.

여기서는, 본 개시에 관한 배경기술이 제공되며, 이들이 반드시 공지기술을 의미하는 것은 아니다(This section provides background information related to the present disclosure which is not necessarily prior art). Herein, the background art relating to the present disclosure is provided, and these are not necessarily meant to be known arts.

액정표시장치는 소형, 경량화 및 저소비전력 등 여러 장점을 갖는 디스플레이 장치로서, 이동통신단말기용 액정표시장치, 노트북 PC용 모니터, 데스크탑 PC용 모니터 뿐만 아니라 및 대형 평판 TV 등 다양한 용도로 사용되고 있다. The liquid crystal display device has various advantages such as small size, light weight and low power consumption, and is used for various purposes such as a liquid crystal display for a mobile communication terminal, a monitor for a notebook PC, a monitor for a desktop PC, and a large flat TV.

도 1은 종래의 탑 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a schematic view of a conventional liquid crystal display device having a top view type backlight unit. 2 is a schematic view of a conventional liquid crystal display device having a side view type backlight unit.

액정표시장치는 액정패널(10)과 백라이트 유닛(30)을 포함한다. 액정표시장치에 포함되는 액정패널(10)은 대부분은 외부에서 들어오는 빛의 양을 조절하여 화상을 표시하는 수광성 소자로 구성되기 때문에, 액정표시장치는 액정패널(10)에 광을 조사하기 위한 백라이트 유닛(30)을 필요로 한다. A liquid crystal display device includes a liquid crystal panel (10) and a backlight unit (30). Since the liquid crystal panel 10 included in the liquid crystal display device is mostly composed of a light-receiving device that displays an image by adjusting the amount of light coming from the outside, the liquid crystal display device has a structure in which a liquid crystal panel 10 A backlight unit 30 is required.

백라이트 유닛(30)은 액정패널(10)에 광을 제공하고, 제공된 광은 액정패널(10)을 투과하게 된다. 이때, 액정패널(10)은 빛의 투과율을 조절하여 화상을 구현하게 된다. 백라이트 유닛(30)은 광원 어셈블리(35)를 포함하며, 광원 어셈블리(40)의 배치형태에 따라 탑 뷰(top view) 방식과 사이드 뷰(side view) 방식으로 구분될 수 있다. 한국 특허출원번호 제10-2003-0076756호에는 탑 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치가 개시되어 있으며, 한국 특허출원번호 제10-2009-0013364호에는 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치가 개시되어 있다. The backlight unit 30 provides light to the liquid crystal panel 10, and the provided light is transmitted through the liquid crystal panel 10. At this time, the liquid crystal panel 10 adjusts the transmittance of light to realize an image. The backlight unit 30 includes a light source assembly 35 and can be divided into a top view mode and a side view mode depending on the arrangement of the light source assembly 40. [ Korean Patent Application No. 10-2003-0076756 discloses a liquid crystal display device having a top view type backlight unit, Korean Patent Application No. 10-2009-0013364 discloses a liquid crystal display device having a side view type backlight unit A liquid crystal display device is disclosed.

예를 들어, 도 1에 나타낸 것과 같이, 탑 뷰 방식의 경우, 회로기판(31)과 다수의 광원(33)을 포함하는 광원 어셈블리(35)가 액정패널(10)의 배면에 배치되고, 다수의 광원(33)으로부터 발광된 빛이 확산판(25)을 거쳐 직접적으로 전방의 액정패널(10)로 제공된다. 도 2에 나타낸 것과 같이, 사이드 뷰 방식의 경우, 회로기판(31)과 다수의 광원(33)을 포함하는 광원 어셈블리(35)가 빛을 안내하는 도광판(45)의 측면에 배치되고, 액정패널(10)의 배면에 배치되는 도광판(45)이 도광판(45)의 측면으로 들어온 빛을 액정패널(10)을 향해 전방으로 가이드하는 방식으로 광을 제공한다. 사이드 뷰 방식은 탑 뷰 방식에 비해 빛의 균일성이 좋고, 내구 수명이 길며, 액정표시장치를 얇게 구성하는데 유리한 등 여러 장점을 가진다. For example, as shown in FIG. 1, in the case of the top view type, a light source assembly 35 including a circuit board 31 and a plurality of light sources 33 is disposed on the back surface of the liquid crystal panel 10, The light emitted from the light source 33 of the liquid crystal panel 10 is directly supplied to the front liquid crystal panel 10 via the diffusion plate 25. [ 2, in the case of the side view type, the light source assembly 35 including the circuit board 31 and the plurality of light sources 33 is disposed on the side of the light guide plate 45 for guiding light, The light guide plate 45 disposed on the back surface of the light guide plate 10 provides light in a manner that guides the light that has entered the side surface of the light guide plate 45 toward the liquid crystal panel 10 forward. The side view method has many advantages such as uniformity of light, long life span, and advantageous construction of a thin liquid crystal display device as compared with the top view method.

광원 어셈블리에 사용되는 광원으로는 EL(electro luminescence), CCFL(cold cathode fluorescent lamp), HCFL(hot cathode fluorescent lamp), 반도체 발광소자 등이 사용될 수 있다. 이 중 반도체 발광소자는 소비전력이 낮으며 발광 효율이 뛰어난 장점을 가지고, 정보통신기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 적합함에 따라, 점차 사용이 증가하고 있다. As the light source used in the light source assembly, electro luminescence (EL), cold cathode fluorescent lamp (CCFL), hot cathode fluorescent lamp (HCFL), and semiconductor light emitting element can be used. Among them, the semiconductor light emitting device has advantages such as low power consumption and excellent luminous efficiency, and its use is gradually increasing as it is suitable for the trend of miniaturization and slimming of information communication equipment.

특히, 휴대폰 등과 같은 이동통신 단말기의 경우, 슬림화 추세에 따라 더욱 얇은 두께의 액정표시장치가 요구됨에 따라, 액정표시장치의 슬림화에 유리한 반도체 발광소자를 광원으로 사용하는 사이드 뷰 방식의 광원 어셈블리가 주로 사용되고 있다. Particularly, in the case of a mobile communication terminal such as a mobile phone, a slimmer liquid crystal display device is required, and therefore, a side view type light source assembly using a semiconductor light emitting element, which is advantageous for slimming down a liquid crystal display, .

반도체 발광소자를 광원으로 사용하고 사이드 뷰 방식으로 광원 어셈블리를 구성하여 상당히 슬림화된 액정표시장치가 구현되고 있지만, 더욱 슬림한 액정표시장치에 대한 요구가 여전히 존재한다. 이러한 요구를 충족시키기 위해, 1mm 이하, 나아가 0.5mm 이하의 두께의 광원 어셈블리가 필요한 실정이다. A liquid crystal display device that is considerably slimmer is realized by using a semiconductor light emitting device as a light source and a light source assembly by a side view method, but there is still a demand for a slimmer liquid crystal display device. In order to meet such a demand, a light source assembly having a thickness of 1 mm or less, more preferably 0.5 mm or less is required.

도 3은 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛의 일 예를 나타낸 도면으로서, 광원 어셈블리(35)는 도광판(45)의 측면(41)과 마주하도록 세워서 배치되는 회로기판(31) 및 도광판(45)의 측면을 향해 빛을 발하도록 회로기판(31)에 고정되는 광원(33)을 구비한다. 광원(33)은 반도체 발광소자 패키지 형태로 구성되어, 반도체 발광소자 칩(34) 및 반도체 발광소자 칩(34)을 수용하는 캐비티(36)를 구비하는 하우징(37)을 포함한다. 이러한 구조에서, 회로기판(31)의 폭이 광원 어셈블리(35)의 요구되는 두께보다 작아야 한다는 점과 반도체 발광소자 칩(34)의 가로와 세로 중 어느 하나의 치수가 적어도 0.2mm 정도인 것을 고려하면, 이와 같은 구조의 광원 어셈블리(35)를 1mm 정도의 두께로 구현하는 것도 쉽지 않다는 것을 알 수 있을 것이다. The light source assembly 35 includes a circuit board 31 and a light guide plate 45 which are disposed so as to face the side surface 41 of the light guide plate 45, And a light source 33 fixed to the circuit board 31 to emit light toward the side surface of the circuit board 31. The light source 33 is formed in the form of a semiconductor light emitting device package and includes a housing 37 having a cavity 36 for receiving the semiconductor light emitting device chip 34 and the semiconductor light emitting device chip 34. In this structure, it is considered that the width of the circuit board 31 should be smaller than the required thickness of the light source assembly 35, and that the dimension of either the width or the length of the semiconductor light emitting device chip 34 is at least about 0.2 mm It is not easy to realize the light source assembly 35 having such a structure with a thickness of about 1 mm.

도 4는 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛의 다른 일 예를 나타낸 도면으로서, 광원 어셈블리(35)는 도광판(45)의 측면(41)과 수직을 이루도록 눕혀서 배치되는 회로기판(31), 회로기판(31)에 위에 고정되는 광원(33), 및 광원(33)에서 출사된 빛이 도광판(45)의 측면(41)을 향해 입사하도록 반사시키는 반사체(38)를 구비한다. 광원(33)은 반도체 발광소자 칩 형태로 구비된다. 이러한 구조는, 회로기판(31)을 눕혀서 배치함에 따라 회로기판(31)의 폭에 의한 제약을 배제하고, 광원으로 사용되는 반도체 발광소자 칩의 두께가 가로 및 세로 치수보다 작은 것을 이용하여, 광원 어셈블리(35)를 얇게 구성하고자 한 것이다. 그러나, 반도체 발광소자 칩 형태의 광원(33)의 출사면이 도광판(45)의 측면(41)과 수직으로 놓임에 따라, 반도체 발광소자 칩에서 출사된 빛을 도광판(45)의 측면(41)으로 가이드 하기 위한 반사체(38)가 필요하다. 이러한 반사체(38)는 광원 어셈블리(35)의 두께를 증가시키는 요인이 되며, 따라서 이와 같은 구조의 광원 어셈블리(35)를 얇게 구성하는 것에도 한계가 있는 실정이다. 4 is a view showing another example of a conventional side view type backlight unit. The light source assembly 35 includes a circuit board 31 which is laid down so as to be perpendicular to the side surface 41 of the light guide plate 45, And a reflector 38 for reflecting the light emitted from the light source 33 so as to be incident on the side surface 41 of the light guide plate 45. [ The light source 33 is provided in the form of a semiconductor light emitting device chip. In this structure, by limiting the width of the circuit board 31 by disposing the circuit board 31 on its side, the thickness of the semiconductor light-emitting device chip used as the light source is smaller than the width and the longitudinal dimension, So that the assembly 35 is made thin. The light emitted from the semiconductor light emitting device chip is incident on the side surface 41 of the light guide plate 45 as the exit surface of the light source 33 in the form of the semiconductor light emitting device chip is placed perpendicular to the side surface 41 of the light guide plate 45, A reflector 38 is required for guiding the light emitted from the light source to the light source. Such a reflector 38 is a factor for increasing the thickness of the light source assembly 35, and therefore, there is a limit to the construction of the light source assembly 35 having such a structure.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

여기서는, 본 개시의 전체적인 요약(Summary)이 제공되며, 이것이 본 개시의 외연을 제한하는 것으로 이해되어서는 아니된다(This section provides a general summary of the disclosure and is not a comprehensive disclosure of its full scope or all of its features).SUMMARY OF THE INVENTION Herein, a general summary of the present disclosure is provided, which should not be construed as limiting the scope of the present disclosure. of its features).

본 개시에 따른 일 태양에 의하면(According to one aspect of the present disclosure), 도광판의 일측면에 배치되어 도광판의 일측면을 향해 빛을 출사하며, 도광판과 함께 백라이트 유닛을 구성하는 광원 어셈블리에 있어서, 바닥면 및 바닥면의 양측에서 굽혀져 서로 마주보도록 연장되는 한 쌍의 반사면을 가지는 연성회로기판; 바닥면에 위치하는 반도체 발광소자 칩; 및 바닥면 위에서 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지부;를 포함하며, 바닥면이 도광판의 일측면을 향하도록 눕혀서 배치되는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리를 제공한다. According to one aspect of the present disclosure, there is provided a light source assembly arranged on one side of a light guide plate to emit light toward one side of the light guide plate and constituting a backlight unit together with the light guide plate, A flexible circuit board having a bottom surface and a pair of reflective surfaces bent at both sides of the bottom surface and extending to face each other; A semiconductor light emitting element chip located on a bottom surface; And a sealing part covering the semiconductor light emitting device chip on the bottom surface, wherein the bottom surface is laid down so as to face one side of the light guide plate.

이에 대하여 '발명의 실시를 위한 구체적인 내용'의 후단에 기술한다.This will be described later in the Specification for Implementation of the Invention.

도 1은 종래의 탑 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면,
도 2는 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛을 구비한 액정표시장치를 개략적으로 나타낸 도면,
도 3은 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛의 일 예를 나타낸 도면,
도 4는 종래의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛의 다른 일 예를 나타낸 도면,
도 5는 본 개시에 따른 광원 어셈블리의 일 예를 나타낸 도면,
도 6은 도 5의 A-A선 단면도,
도 7은 도 5의 광원 어셈블리를 포함하는 백라이트 유닛을 부분적으로 나타낸 도면,
도 8은 본 개시에 따른 광원 어셈블리를 제조하는 방법의 일 예를 나타낸 도면,
도 9는 본 개시에 따른 광원 어셈블리의 다른 일 예를 나타낸 도면,
도 10은 도 9의 B-B선 단면도,
도 11은 도 9의 광원 어셈블리를 포함하는 백라이트 유닛을 부분적으로 나타낸 도면,
도 12는 본 개시에 따른 광원 어셈블리를 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타낸 도면. 1 is a schematic view of a conventional liquid crystal display device having a top view type backlight unit,
2 is a schematic view of a conventional liquid crystal display device having a side view type backlight unit,
3 is a diagram illustrating an example of a backlight unit of a conventional side view system,
4 is a view showing another example of a backlight unit of a conventional side view system,
5 illustrates an example of a light source assembly according to the present disclosure,
6 is a sectional view taken along line AA in Fig. 5,
Figure 7 is a partial view of a backlight unit including the light source assembly of Figure 5,
Figure 8 illustrates an example of a method of manufacturing a light source assembly in accordance with the present disclosure;
9 is a view showing another example of the light source assembly according to the present disclosure,
10 is a sectional view taken along line BB of Fig. 9,
11 is a partial view of a backlight unit including the light source assembly of FIG. 9,
12 shows another example of a method of manufacturing a light source assembly according to the present disclosure;

이하, 본 개시를 첨부된 도면을 참고로 하여 자세하게 설명한다(The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawing(s)). The present disclosure will now be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 5는 본 개시에 따른 광원 어셈블리의 일 예를 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5의 A-A선 단면도이며, 도 7은 도 5의 광원 어셈블리를 포함하는 백라이트 유닛을 부분적으로 나타낸 도면이다. FIG. 5 is a view showing an example of a light source assembly according to the present disclosure, FIG. 6 is a sectional view taken along line A-A of FIG. 5, and FIG. 7 is a view partially showing a backlight unit including the light source assembly of FIG.

본 개시에 따른 광원 어셈블리(100)는, 도 5 및 도 6에 나타낸 것과 같이, 연성회로기판(110: Flexible Printed Circuit Board), 반도체 발광소자 칩(130), 봉지부(150) 및 경계턱(170)을 포함한다. 5 and 6, the light source assembly 100 according to the present disclosure includes a flexible printed circuit board 110, a semiconductor light emitting device chip 130, a sealing portion 150, 170).

연성회로기판(110)은 회로 패턴(미도시)을 구비하며, 좁은 폭(x)과 긴 길이(y)를 가지도록 형성된다. 경우에 따라, 연성회로기판(110)은 좁은 폭(x)을 가지되, 폭(x) 보다 더 짧은 길이(y)를 가질 수도 있다. 연성회로기판(110)의 폭(x)은 광원 어셈블리(100)의 두께(x)를 형성한다. 연성회로기판(110)은 회로 패턴을 구비하는 바닥면(111) 및 이 바닥면(111)의 폭 방향 양측에서 굽혀져 서로 마주보도록 연장되는 한 쌍의 반사면(113)을 가진다. 바닥면(111)과 반사면(113)이 이루는 각도는, 도 6에 나타낸 것과 같이, 대략 수직일 수도 있지만, 더 크거나 더 작을 수도 있다. The flexible circuit board 110 has a circuit pattern (not shown) and is formed to have a narrow width x and a long length y. Optionally, the flexible printed circuit board 110 may have a narrow width x and a length y shorter than the width x. The width x of the flexible circuit board 110 forms the thickness x of the light source assembly 100. The flexible circuit board 110 has a bottom surface 111 having a circuit pattern and a pair of reflective surfaces 113 bent at both sides in the width direction of the bottom surface 111 and extending to face each other. The angle formed by the bottom surface 111 and the reflecting surface 113 may be substantially perpendicular, as shown in FIG. 6, but may be larger or smaller.

반도체 발광소자 칩(130)은 LED(Light Emitting Diode)일 수 있으며, 바닥면(111) 위에 위치한다. 반도체 발광소자 칩(130)은 제1 도전성(예: n형)을 가지는 제1 반도체층, 제1 도전성과 다른 제2 도전성(예: p형)을 가지는 제2 반도체층, 제1 반도체층과 제2 반도체층 사이에 개재되며 전자와 정공의 재결합을 이용해 빛을 생성하는 활성층, 제1 반도체층에 전기적으로 연결되는 제1 전극(예: n측 전극), 및 제2 반도체층에 전기적으로 연결되는 제2 전극(예: p측 전극)을 구비한다. 반도체 발광소자 칩(130)은 레터럴 칩, 버티컬 칩 및 플립 칩 등 다양한 형태로 제공될 수 있다. 반도체 발광소자 칩(130)은 COB(Chip On Board) 방식으로 바닥면(111)에 실장된다. 예를 들어, 반도체 발광소자 칩(130)이 플립 칩 형태로 제공되는 경우 제1 전극 및 제2 전극은 와이어 본딩 방식으로 바닥면에 구비된 회로 패턴과 전기적으로 연결되며, 반도체 발광소자 칩(130)이 플립 칩 형태로 제공되는 경우 제1 전극 및 제2 전극은 바닥면(111)에 구비된 회로 패턴과 직접적으로 접촉하는 형태로 전기적으로 연결될 수 있다. The semiconductor light emitting device chip 130 may be a light emitting diode (LED), and is disposed on the bottom surface 111. The semiconductor light emitting device chip 130 includes a first semiconductor layer having a first conductivity (e.g., n-type), a second semiconductor layer having a second conductivity (e.g., p-type) different from the first conductivity, An active layer interposed between the second semiconductor layers and generating light by recombination of electrons and holes, a first electrode (for example, an n-side electrode) electrically connected to the first semiconductor layer, and a second electrode electrically connected to the second semiconductor layer (For example, a p-side electrode). The semiconductor light emitting device chip 130 may be provided in various forms such as a letter chip, a vertical chip and a flip chip. The semiconductor light emitting device chip 130 is mounted on the bottom surface 111 by a COB (Chip On Board) method. For example, when the semiconductor light emitting device chip 130 is provided in the form of a flip chip, the first electrode and the second electrode are electrically connected to a circuit pattern provided on the bottom surface in a wire bonding manner, Are provided in the form of a flip chip, the first electrode and the second electrode may be electrically connected in direct contact with a circuit pattern provided on the bottom surface 111.

바람직하게, 반도체 발광소자 칩(130)은 장변(a)과 단변(b)을 가지는 길쭉한 형태로 형성될 수 있다. 광원 어셈블리(100)의 두께(x)를 최소화하기 위해, 반도체 발광소자 칩(130)은 장변(a)이 바닥면(111)의 길이(y) 방향과 나란하도록 바닥면(111) 위에 배치될 수 있다. 또한 복수의 반도체 발광소자 칩(130)이 길이 방향을 따라 바닥면(111) 위에 배치될 수도 있다. Preferably, the semiconductor light emitting device chip 130 may have an elongated shape having a long side a and a short side b. The semiconductor light emitting device chip 130 is disposed on the bottom surface 111 such that the long side a is parallel to the length y direction of the bottom surface 111 in order to minimize the thickness x of the light source assembly 100 . Further, a plurality of semiconductor light emitting device chips 130 may be disposed on the bottom surface 111 along the longitudinal direction.

봉지부(150)는 투명재질의 수지와 형광체를 포함하며, 바닥면(111) 위에서 반도체 발광소자 칩(130)을 덮도록 형성된다. The encapsulant 150 includes a transparent resin and a fluorescent material and is formed to cover the semiconductor light emitting device chip 130 on the bottom surface 111.

경계턱(170)은 바닥면(111) 위에서 봉지부(150)의 가장자리를 따라 배치되어 봉지부(150)의 외곽을 한정한다. 이와 같은 경계턱(170)은, 봉지부(150)를 형성할 때, 경계턱(170) 내부에 디스펜싱되는 봉지부(150)를 이루는 소재가 퍼져나갈 수 있는 수평방향 한계로 작용함에 따라, 봉지부(150)가 항상 일정한 단면 형상과 평면 형상으로 형성될 수 있도록 하며, 이로 인해 봉지부(150) 불량을 예방할 수 있도록 한다. 경계턱(170)은 빛 흡수를 감소시키기 위해 화이트 실리콘, 화이트 폴리이미드 및 화이트 포토 솔더 레지스트(White Photo Solder Resist) 등과 같은 빛 흡수가 적고 반사효율이 우수한 백색 소재로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 경계턱(170)은 봉지부(150)의 외곽을 안정적으로 보호하면서도 광원 어셈블리(100)의 두께(x)를 최소화하기 위해, 30㎛ 내지 100㎛ 범위 이내의 좁은 폭을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. The boundary step 170 is disposed along the edge of the sealing part 150 on the bottom surface 111 to define the outer part of the sealing part 150. When the sealing portion 150 is formed, the boundary stop 170 functions as a horizontal limit in which the material forming the sealing portion 150 dispensed inside the boundary stop 170 can spread out. Therefore, The sealing portion 150 can be formed to have a constant sectional shape and a flat shape at all times, thereby preventing the sealing portion 150 from being defective. The boundary taper 170 is preferably made of a white material having a low light absorption and excellent in reflection efficiency such as white silicon, white polyimide, and white photo solder resist in order to reduce light absorption. The boundary stop 170 is formed to have a narrow width within a range of 30 μm to 100 μm in order to minimize the thickness x of the light source assembly 100 while stably protecting the outer edge of the sealing portion 150 .

한편, 도 5에 나타낸 것과 같이, 하나의 경계턱(170)이 복수의 반도체 발광소자 칩(130) 둘레에 형성되고 하나의 봉지부(150)가 복수의 반도체 발광소자 칩(130)을 모두 덮도록 형성될 수도 있고, 별도로 도시하지 않지만, 복수의 경계턱이 개별적인 반도체 발광소자 칩(130) 둘레에 형성되고 복수의 반도체 발광소자 칩(130)이 각각 개별적인 봉지부에 의해 덮이도록 형성될 수도 있다. 5, one boundary step 170 is formed around the plurality of semiconductor light-emitting device chips 130, and one sealing part 150 covers all the plurality of semiconductor light-emitting device chips 130 Alternatively, a plurality of boundary tapers may be formed around the individual semiconductor light-emitting device chips 130, and a plurality of the semiconductor light-emitting device chips 130 may be formed so as to be respectively covered by the individual sealing portions .

이상과 같은 광원 어셈블리(100)는, 도 7에 나타낸 것과 같이, 도광판(200)과 함께 백라이트 유닛을 구성한다. 광원 어셈블리(100)는, 반도체 발광소자 칩(130)이 위치한 바닥면(111)이 도광판(200)의 일측면(205)을 향하도록 눕혀서 배치된다. 광원 어셈블리(100)는 도광판(200)의 일측면(205)을 향해 빛을 출사하며, 도광판(200)은 일측면(205)으로 입사한 광을 액정패널(10: 도 1 참조)을 향해 상면으로 출사하도록 가이드한다. The light source assembly 100 as described above constitutes a backlight unit together with the light guide plate 200 as shown in Fig. The light source assembly 100 is arranged so that the bottom surface 111 on which the semiconductor light emitting device chip 130 is located is laid down so as to face one side surface 205 of the light guide plate 200. The light source assembly 100 emits light toward one side face 205 of the light guide plate 200 and the light guide plate 200 guides light incident on the one side face 205 toward the liquid crystal panel 10 .

도 8은 본 개시에 따른 광원 어셈블리를 제조하는 방법의 일 예를 나타낸 도면이다. 8 is a diagram illustrating an example of a method of manufacturing a light source assembly according to the present disclosure.

광원 어셈블리(100)는 다음과 같은 방법으로 제조된다. The light source assembly 100 is manufactured in the following manner.

우선, 폭이 좁고 길이가 긴 굽히지 않은 상태의 연성회로기판(110')을 준비한다. First, a flexible circuit board 110 'in a non-bent state having a narrow width and a long length is prepared.

이어서, 연성회로기판(110)의 길이방향을 따라 반도체 발광소자 칩(130)을 COB 타입으로 표면실장한다. Subsequently, the semiconductor light emitting device chip 130 is surface-mounted in the COB type along the longitudinal direction of the flexible circuit board 110.

이후, 봉지부(150)를 형성하기에 앞서, 봉지부가 형성될 영역의 외곽을 따라 연성회로기판(110') 위에 경계턱(170)을 형성한다. 경계턱(170)은 반도체 발광소자 칩(130)을 연성회로기판(110)에 고정하기 전에 형성될 수도 있을 것이다. 경계턱(170)은 도팅(Dotting) 방식, 스크린 인쇄(Screen Print) 방식 및 사출 방식 등을 이용하여, 30㎛ 내지 100㎛ 범위 이내의 좁은 폭을 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. Then, before forming the sealing part 150, a boundary step 170 is formed on the flexible circuit board 110 'along the outer periphery of the area where the sealing part is to be formed. The boundary step 170 may be formed before fixing the semiconductor light emitting device chip 130 to the flexible circuit board 110. The boundary step 170 is preferably formed to have a narrow width within a range of 30 μm to 100 μm by using a dotting method, a screen printing method, an injection method, or the like.

이어서, 반도체 발광소자 칩(130)을 덮도록 봉지부(150)를 형성한다. 이후, 연성회로기판(110')의 폭 방향 양측 부분, 즉 봉지부(150) 양측의 경계턱(170) 외측 부분을 반도체 발광소자 칩(130)을 향해 굽혀서, 연성회로기판(110)이 바닥면(111) 및 서로 마주보는 한 쌍의 반사면(113)을 갖도록 성형함으로써, 광원 어셈블리(100)를 완성한다.
Then, an encapsulation unit 150 is formed to cover the semiconductor light emitting device chip 130. Subsequently, both sides of the flexible circuit board 110 'in the width direction, that is, the portions of the boundary 150 at both sides of the sealing portion 150 are bent toward the semiconductor light emitting device chip 130, The light source assembly 100 is completed by forming the surface 111 and the pair of reflective surfaces 113 facing each other.

도 9는 본 개시에 따른 광원 어셈블리의 다른 일 예를 나타낸 도면이고, 도 10은 도 9의 B-B선 단면도이며, 도 11은 도 9의 광원 어셈블리를 포함하는 백라이트 유닛을 부분적으로 나타낸 도면이다. FIG. 9 is a view showing another example of the light source assembly according to the present disclosure, FIG. 10 is a sectional view taken along line B-B of FIG. 9, and FIG. 11 is a view partially showing a backlight unit including the light source assembly of FIG.

본 개시에 따른 광원 어셈블리(300)는, 경계턱(170)을 대신에 반사층(190)을 포함하는 것을 제외하고는 도 5 및 도 6에 나타낸 광원 어셈블리(100)와 실질적으로 동일하다. 따라서 동일한 구성요소에 동일한 참조부호를 부여하고, 중복된 설명은 생략한다.The light source assembly 300 according to the present disclosure is substantially the same as the light source assembly 100 shown in Figs. 5 and 6, except that it includes a reflective layer 190 instead of the boundary tang 170. Therefore, the same reference numerals are assigned to the same constituent elements, and redundant explanations are omitted.

본 개시에 따른 광원 어셈블리(300)는, 도 9 및 도 10에 나타낸 것과 같이, 연성회로기판(110), 반도체 발광소자 칩(130), 봉지부(150) 및 반사층(190)을 포함한다. The light source assembly 300 according to the present disclosure includes a flexible circuit substrate 110, a semiconductor light emitting device chip 130, a sealing portion 150, and a reflective layer 190, as shown in FIGS.

반사층(190)은 바닥면(111) 위에서 봉지부(150)의 가장자리를 따라 배치되어 봉지부(150)의 외곽을 한정한다. 이와 같은 반사층(190)은, 봉지부(150)를 형성할 때, 반사층(190)으로 둘러싸인 영역에 디스펜싱되는 봉지부(150)를 이루는 소재가 퍼져나갈 수 있는 수평방향 한계로 작용함에 따라, 봉지부(150)가 항상 일정한 단면 형상과 평면 형상으로 형성될 수 있도록 하며, 이로 인해 봉지부(150) 불량을 예방할 수 있도록 한다. 또한, 반사층(190)은 봉지부(150)를 제외한 바닥면(111) 및 한 쌍의 반사면(113)을 덮도록 형성된다. 더불어, 반사층(190)은 화이트 포토 솔더 레지스트, 화이트 실리콘 및 화이트 폴리이미드 등과 같은 반사효율이 우수한 소재로 이루어지는 것이 바람직하다. 반사층(190)은 봉지부(150)의 외곽을 안정적으로 보호하면서도 광원 어셈블리(100)의 두께(x)를 최소화하기 위해, 30㎛ 내지 100㎛ 범위 이내의 얇은 두께를 가지도록 형성되는 것이 바람직하다. The reflective layer 190 is disposed along the edge of the sealing portion 150 on the bottom surface 111 to define the outer portion of the sealing portion 150. Since the reflective layer 190 acts as a horizontal limit in which the material forming the sealing portion 150 dispensed in the region surrounded by the reflective layer 190 can spread when the sealing portion 150 is formed, The sealing portion 150 can be formed to have a constant sectional shape and a flat shape at all times, thereby preventing the sealing portion 150 from being defective. The reflective layer 190 is formed to cover the bottom surface 111 excluding the sealing portion 150 and the pair of reflective surfaces 113. In addition, the reflective layer 190 is preferably made of a material having excellent reflection efficiency such as white photo solder resist, white silicon, and white polyimide. The reflective layer 190 is preferably formed to have a thin thickness within a range of 30 to 100 mu m in order to minimize the thickness x of the light source assembly 100 while stably protecting the outer portion of the sealing portion 150 .

한편, 도 9에 나타낸 것과 같이, 반사층(190) 내부에 봉지부가 형성될 영역이 하나만 구비되고 이 영역 내부에 복수의 반도체 발광소자 칩(130)이 위치함과 더불어 하나의 봉지부(150)가 복수의 반도체 발광소자 칩(130)을 모두 덮도록 형성될 수도 있고, 별도로 도시하지 않지만, 반사층(190) 내부에 봉지부가 형성될 영역이 여러 개 구비되고 이 영역에 각각 반도체 발광소자 칩(130)이 개별적으로 위치함과 더불어 봉지부가 형성될 영역 단위로 각각 봉지부가 형성될 수도 있다. 9, only one region in which the sealing portion is to be formed is provided in the reflection layer 190, and a plurality of semiconductor light emitting device chips 130 are disposed in the region, and one sealing portion 150 is formed The semiconductor light emitting device chip 130 may be formed to cover all of the plurality of semiconductor light emitting device chips 130. The semiconductor light emitting device chip 130 may include a plurality of regions in which the sealing portion is to be formed in the reflection layer 190, And the sealing portions may be formed in units of regions where the sealing portions are to be formed.

이상과 같은 광원 어셈블리(300)는, 도 11에 나타낸 것과 같이, 도광판(200)과 함께 백라이트 유닛을 구성한다. 광원 어셈블리(300)는, 반도체 발광소자 칩(130)이 위치한 바닥면(111)이 도광판(200)의 일측면(205)을 향하도록 눕혀서 배치된다. 또한, 광원 어셈블리(300)는 한 쌍의 반사면(113) 사이의 공간에 도광판(200)의 일측면(205) 측 가장자리가 부분적으로 삽입되는 구조로 배치될 수 있다. 광원 어셈블리(300)는 도광판(200)의 일측면(205)을 향해 빛을 출사하며, 도광판(200)은 일측면(205)으로 입사한 광을 액정패널(10: 도 1 참조)을 향해 상면으로 출사하도록 가이드한다. The light source assembly 300 as described above constitutes a backlight unit together with the light guide plate 200 as shown in FIG. The light source assembly 300 is arranged so that the bottom surface 111 on which the semiconductor light emitting device chip 130 is located is laid down so as to face one side surface 205 of the light guide plate 200. The light source assembly 300 may be disposed in a space between the pair of reflective surfaces 113 in such a manner that an edge of the side surface 205 of the light guide plate 200 is partially inserted. The light source assembly 300 emits light toward one side surface 205 of the light guide plate 200 and the light guide plate 200 guides light incident on the one side surface 205 toward the liquid crystal panel 10 .

도 12는 본 개시에 따른 광원 어셈블리를 제조하는 방법의 다른 일 예를 나타낸 도면이다. 12 is a view showing another example of a method of manufacturing the light source assembly according to the present disclosure.

광원 어셈블리(300)는 다음과 같은 방법으로 제조된다. The light source assembly 300 is manufactured in the following manner.

우선, 폭이 좁고 길이가 긴 굽히지 않은 상태의 연성회로기판(110')을 준비한다. First, a flexible circuit board 110 'in a non-bent state having a narrow width and a long length is prepared.

이어서, 봉지부(150)를 형성하기에 앞서, 봉지부(150)가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역의 연성회로기판(110')을 덮도록 반사층(190)을 형성한다. 반사층(190)은 반도체 발광소자 칩(130)을 연성회로기판(110)에 고정한 다음에 형성될 수도 있을 것이다. 반사층(190)은 화이트 포토 솔더 레지스트, 화이트 실리콘 및 화이트 폴리이미드 등과 같은 소재로 이루어질 수 있다. 반사층(190)은 스크린 인쇄, 반건조, 노광, 현상 및 최종건조 순으로 수행되는 스크린 인쇄 방식으로 형성될 수 있다. 반사층(190)은 후술하는 굽히는 공정이 부담을 주지 않도록 하고, 광원 어셈블리(300)의 두께를 최소화하기 위해, 30㎛ 내지 100㎛ 범위 이내의 얇은 두께를 가지도록 형성되는 된다. Next, the reflective layer 190 is formed so as to cover the flexible circuit board 110 'in regions other than the region where the encapsulation unit 150 is to be formed, before the encapsulation unit 150 is formed. The reflective layer 190 may be formed after fixing the semiconductor light emitting device chip 130 to the flexible circuit board 110. The reflective layer 190 may be made of a material such as white photo solder resist, white silicon, and white polyimide. The reflective layer 190 may be formed by a screen printing method that is performed in the order of screen printing, semi-drying, exposure, development, and final drying. The reflective layer 190 may be formed to have a thickness within a range of 30 to 100 占 퐉 in order to minimize the thickness of the light source assembly 300 and prevent the bending process described below from being burdensome.

이후, 연성회로기판(110)의 반사층(190)으로 둘러싸인 영역에 길이방향을 따라 반도체 발광소자 칩(130)을 COB 타입으로 표면실장한다. Then, the semiconductor light emitting device chip 130 is surface-mounted on the region surrounded by the reflective layer 190 of the flexible circuit board 110 along the longitudinal direction in a COB type.

이어서, 반도체 발광소자 칩(130)을 덮도록 봉지부(150)를 형성한다. 이후, 연성회로기판(110')의 폭 방향 양측 부분, 즉 봉지부(150) 양측의 부분을 반도체 발광소자 칩(130)을 향해 굽혀서, 연성회로기판(110)이 바닥면(111) 및 서로 마주보는 한 쌍의 반사면(113)을 갖도록 성형함으로써, 광원 어셈블리(300)를 완성한다. Then, an encapsulation unit 150 is formed to cover the semiconductor light emitting device chip 130. Subsequently, both sides of the flexible circuit substrate 110 'in the width direction, that is, portions on both sides of the encapsulation unit 150 are bent toward the semiconductor light emitting device chip 130 so that the flexible circuit substrate 110 is bonded to the bottom surface 111 The light source assembly 300 is completed by molding the light source assembly 300 to have a pair of opposite reflective surfaces 113 facing each other.

이와 같은 광원 어셈블리(300)는, 폭을 가지는 경계턱(170)을 구비하지 않음에 따라, 도 5 및 도 6에 나타낸 광원 어셈블리(100)보다 더욱 얇은 두께로 형성될 수 있다. Since the light source assembly 300 does not include the boundary step 170 having a width, the light source assembly 300 may be formed to be thinner than the light source assembly 100 shown in FIGS. 5 and 6.

본 개시에 따른 광원 어셈블리의 또 다른 예로서, 별도로 도시하진 않지만, 광원 어셈블리는 도 5의 경계턱(170)과 및 도 9의 반사층(190)을 모두 포함할 수 있다. 이 경우, 반사층(190)은 경계턱(170) 둘레의 바닥면 및 한 쌍의 반사면을 덮도록 형성될 수 있을 것이다.
As yet another example of a light source assembly according to the present disclosure, although not separately shown, the light source assembly may include both the threshold jaw 170 of FIG. 5 and the reflective layer 190 of FIG. In this case, the reflective layer 190 may be formed to cover the bottom surface around the boundary rim 170 and the pair of reflective surfaces.

이상에서 설명한 본 개시에 따른 광원 어셈블리(100, 300)에서, 연성회로기판(110)의 폭(x)은 눕혀서 배치되는 광원 어셈블리(100, 300)의 두께(x)에 대응하며, 광원 어셈블리(100, 300)의 두께(x)는 슬림화의 대상이 되는 백라이트 유닛의 두께를 결정하는 중요 인자라 할 수 있다. 광원 어셈블리(100)는 굽힘 가공이 가능한 연성회로기판(110)을 사용하여 매우 얇은 두께를 가지도록 형성될 수 있다. 구체적으로, 연성회로기판(110)은 굽힘 가공을 통해 바닥면(111)과 한 쌍의 반사면(113)을 구비하게 되며, 따라서 광원 어셈블리(100, 300)는 바닥면(111)의 폭 정도인 매우 얇은 두께를 가지게 된다. 또한, 광원 어셈블리(100, 300)는 한 쌍의 반사면(113)이 반도체 발광소자 칩(130)에서 생성된 빛의 지향성을 높여줌에 따라, 두께 증가를 수반할 수밖에 없는 별도의 반사체 없이도, 지향성이 높은 빛을 출사할 수 있다. 즉, 본 개시에 따른 광원 어셈블리(100, 300)는 1mm 이하의 매우 얇은 두께를 가지면서도, 지향성이 높은 빛을 도광판(200)으로 공급할 수 있다. 따라서, 액정표시장치의 슬림화 추세에 적합한 현저히 얇은 두께의 광원 어셈블리(100, 300) 및 이를 포함하는 얇은 백라이트 유닛을 제공할 수 있다.
In the light source assemblies 100 and 300 according to the present invention described above, the width x of the flexible circuit board 110 corresponds to the thickness x of the light source assemblies 100 and 300 that are laid down, 100, and 300 may be an important factor determining the thickness of the backlight unit to be slimmed. The light source assembly 100 may be formed to have a very thin thickness using the flexible circuit board 110 capable of bending. In detail, the flexible circuit board 110 is provided with a bottom surface 111 and a pair of reflective surfaces 113 through bending, so that the light source assemblies 100 and 300 have a width of about the width of the bottom surface 111 Which is very thin. In addition, the light source assemblies 100 and 300 can improve the directivity of the light generated in the semiconductor light emitting device chip 130 by the pair of reflective surfaces 113, and thus can improve the directivity without any additional reflector, This high light can be emitted. That is, the light source assemblies 100 and 300 according to the present disclosure can supply light with high directivity to the light guide plate 200 while having a very thin thickness of 1 mm or less. Therefore, it is possible to provide the light source assemblies 100 and 300 having a significantly thin thickness suitable for the slimming down trend of the liquid crystal display device and the thin backlight unit including the same.

이하, 본 개시의 다양한 실시 형태에 대하여 설명한다.Hereinafter, various embodiments of the present disclosure will be described.

(1) 바닥면 위에서 봉지부의 가장자리를 따라 배치되어 봉지부의 외곽을 한정하는 경계턱;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. (1) The light source assembly according to any one of claims 1 to 3, further comprising a boundary ridge disposed along the edge of the sealing portion on the bottom surface to define an outer portion of the sealing portion.

(2) 경계턱 둘레의 바닥면 및 한 쌍의 반사면을 덮도록 형성되는 반사층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리.(2) a reflecting layer formed to cover the bottom surface around the boundary jaw and the pair of reflecting surfaces.

(3) 경계턱은 화이트 포토 솔더 레지스트, 화이트 실리콘 및 화이트 폴리이미드 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. (3) The light source assembly according to any one of claims 1 to 3, wherein the boundary tang is made of any one of white photo solder resist, white silicon, and white polyimide.

(4) 경계턱은 30㎛ 내지 100㎛ 범위 이내의 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. (4) The light source assembly of claim 1, wherein the boundary tang has a width within a range of 30 to 100 mu m.

(5) 바닥면 위에서 봉지부의 외곽을 한정하며, 봉지부를 제외한 바닥면 및 한 쌍의 반사면을 덮도록 형성되는 반사층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. (5) a reflective layer that defines an outer periphery of the encapsulation portion on the bottom surface, and is formed to cover the bottom surface excluding the encapsulation portion and the pair of reflective surfaces.

(6) 반사층은 화이트 포토 솔더 레지스트, 화이트 실리콘 및 화이트 폴리이미드 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. (6) A light source assembly, wherein the reflective layer is made of any one of white photo solder resist, white silicon, and white polyimide.

(7) 반사층은 30㎛ 내지 100㎛ 범위 이내의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. (7) The light source assembly of claim 1, wherein the reflective layer has a thickness within a range of 30 탆 to 100 탆.

(8) 연성회로기판은 한 쌍의 반사면이 연장되는 방향의 폭 보다 폭 방향과 직교하는 방향의 길이가 길도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. (8) The light source assembly according to (8), wherein the flexible circuit board is formed to have a longer length in a direction perpendicular to the width direction than a width in a direction in which the pair of reflection surfaces extend.

(9) 반도체 발광소자 칩은 장변과 단변을 구비하며, 장변이 길이 방향과 나란하도록 바닥면 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. (9) The light source assembly of claim 1, wherein the semiconductor light emitting device chip has a long side and a short side, and the long side is located on the bottom side so as to be parallel to the longitudinal direction.

(10) 2 이상의 반도체 발광소자 칩이 길이 방향을 따라 바닥면 위에 배치되는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. (10) The light source assembly according to any one of (1) to (3), wherein two or more semiconductor light-emitting device chips are disposed on the bottom surface along the longitudinal direction.

(11) 광원 어셈블리는 한 쌍의 반사면 사이의 공간에 도광판의 일측면 측 가장자리가 부분적으로 삽입되는 구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리.(11) The light source assembly according to claim 1, wherein the light source assembly is disposed in a space between one pair of reflective surfaces so that one side edge of the light guide plate is partially inserted.

본 개시에 따른 하나의 광원 어셈블리에 의하면, 얇은 두께의 광원 어셈블리를 제공할 수 있다. According to one light source assembly according to the present disclosure, it is possible to provide a light source assembly of a thin thickness.

본 개시에 따른 다른 하나의 광원 어셈블리에 의하면, 얇은 두께의 광원 어셈블리를 얇은 두께의 사이드 뷰 방식의 백라이트 유닛을 제공할 수 있다. According to another light source assembly according to the present disclosure, it is possible to provide a thin-walled light source assembly with a thin-walled side view type backlight unit.

본 개시에 따른 또 다른 하나의 광원 어셈블리에 의하면, 얇은 두께의 백라이트 유닛을 통해 얇은 두께의 액정표시장치를 제공할 수 있다. According to another light source assembly according to the present disclosure, a thin liquid crystal display device can be provided through a thin backlight unit.

100, 300: 광원 어셈블리 110, 110': 연성회로기판
111: 바닥면 113: 반사면
130: 반도체 발광소자 칩 150: 봉지부
170: 경계턱 190: 반사층
200: 도광판 100, 300: Light source assembly 110, 110 ': Flexible circuit board
111: bottom surface 113: reflective surface
130: Semiconductor light emitting device chip 150:
170: Boundary chin 190: Reflective layer
200: light guide plate

Claims (12)

삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 도광판의 일측면에 배치되어 도광판의 일측면을 향해 빛을 출사하며, 도광판과 함께 백라이트 유닛을 구성하는 광원 어셈블리에 있어서,
바닥면 및 바닥면의 양측에서 굽혀져 서로 마주보도록 연장되는 한 쌍의 반사면을 가지는 연성회로기판;
바닥면에 위치하는 복수개의 반도체 발광소자 칩;
바닥면 위에서 복수개의 반도체 발광소자 칩을 덮는 봉지부; 및
바닥면 위에서 봉지부의 외곽을 한정하며, 봉지부가 덮은 부분을 제외한 바닥면 및 서로 마주보는 한 쌍의 반사면을 덮도록 형성되는 반사층;을 포함하며,
봉지부는 하나의 봉지부가 광원 어셈블리를 구성하는 복수개의 모든 반도체 발광소자 칩을 덮을 수 있도록 형성되고, 바닥면이 도광판의 일측면을 향하도록 눕혀서 배치되는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. A light source assembly disposed on one side surface of the light guide plate to emit light toward one side of the light guide plate and forming a backlight unit together with the light guide plate,
A flexible circuit board having a bottom surface and a pair of reflective surfaces bent at both sides of the bottom surface and extending to face each other;
A plurality of semiconductor light emitting device chips positioned on a bottom surface;
An encapsulating portion covering a plurality of semiconductor light emitting device chips on a bottom surface; And
And a reflective layer formed on the bottom surface to define an outer periphery of the encapsulation part, the encapsulation part being formed to cover a bottom surface excluding the covered part and a pair of reflective surfaces facing each other,
Wherein the sealing portion is formed such that one sealing portion covers all the plurality of semiconductor light emitting device chips constituting the light source assembly and the bottom surface is laid down so as to face one side of the light guide plate. 청구항 6에 있어서,
반사층은 화이트 포토 솔더 레지스트, 화이트 실리콘 및 화이트 폴리이미드 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. The method of claim 6,
Wherein the reflective layer is made of any one of white photo solder resist, white silicon, and white polyimide. 청구항 6에 있어서,
반사층은 30㎛ 내지 100㎛ 범위 이내의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. The method of claim 6,
Wherein the reflective layer has a thickness within a range of 30 占 퐉 to 100 占 퐉. 청구항 6에 있어서,
연성회로기판은 한 쌍의 반사면이 연장되는 방향의 폭 보다 폭 방향과 직교하는 방향의 길이가 길도록 형성되는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. The method of claim 6,
Wherein the flexible circuit board is formed to have a longer length in a direction orthogonal to the width direction than a width in a direction in which the pair of reflection surfaces extend. 청구항 9에 있어서,
반도체 발광소자 칩은 장변과 단변을 구비하며, 장변이 길이 방향과 나란하도록 바닥면 위에 위치하는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리. The method of claim 9,
Wherein the semiconductor light emitting device chip has a long side and a short side, and the long side is located on the bottom side so as to be parallel to the length direction. 삭제delete 청구항 6에 있어서,
광원 어셈블리는 한 쌍의 반사면 사이의 공간에 도광판의 일측면 측 가장자리가 부분적으로 삽입되는 구조로 배치되는 것을 특징으로 하는 광원 어셈블리.
The method of claim 6,
Wherein the light source assembly is disposed in a structure in which one side edge of the light guide plate is partially inserted into a space between the pair of reflective surfaces.
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